CN111373319A - 液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供防止驱动中的液晶层的相转变的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置依次包括具有薄膜晶体管元件(11)的第一基板(2)、与所述薄膜晶体管元件重叠的散热膜(3)、第一取向膜(4)、液晶层(5)、第二基板(7),所述散热膜含有液晶性单体的聚合物即液晶性聚合物与无机微粒子(20),所述液晶性聚合物向所述散热膜的面内方向取向,所述液晶性单体优选由规定的化学式表示。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法。更详细而言,涉及一种包括薄膜晶体管元件的液晶显示装置及所述液晶显示装置的制造方法。
背景技术
为了在驱动电子设备时不使半导体元件的温度过高,已研究了使半导体元件所产生的热向外部释放的方法(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际专利公开第2015/170744号
发明内容
本发明所要解决的技术问题
近年来,液晶显示装置在电视、汽车导航等用途上被要求高速响应化,例如对于液晶层,有时减小液晶材料的介电常数各向异性(绝对值),或降低液晶材料的向列相-各向同性相转变温度。但是,对于包括薄膜晶体管元件的液晶显示装置,若减小液晶材料的介电常数各向异性(绝对值),则驱动电压会升高,因此,对薄膜晶体管元件造成的负载增大,结果是薄膜晶体管元件有时会大量发热。由此,液晶层中的薄膜晶体管元件附近的区域的温度因薄膜晶体管元件所产生的热而上升,因此,若使用向列相-各向同性相转变温度低的液晶材料,则有时液晶层容易在驱动中从向列相向各向同性相发生相转变。另外,对于边缘电场转换(Fringe Field Switching,FFS)模式等水平取向模式的液晶显示装置,有时会为了抑制闪烁的产生而降低取向膜的电阻值,因此,有时薄膜晶体管元件所产生的热容易通过取向膜向液晶层传导。
相对于此,本发明人等研究了在薄膜晶体管元件与液晶层之间配置隔热膜,使得薄膜晶体管元件所产生的热不会传导至液晶层。但是,若在薄膜晶体管元件与液晶层之间配置隔热膜,则薄膜晶体管元件所产生的热无处释放,因此,有时会导致薄膜晶体管元件的温度过度升高,从而导致其特性(例如迁移率、断开泄漏电流值等)发生变化。
如上所述,现有的液晶显示装置存在防止驱动中的液晶层的相转变这一问题。但是,尚未发现解决所述问题的方案。例如在所述专利文献1中,未记载将散热构件应用于液晶显示装置的具体方法,有改善的余地。
本发明是鉴于所述现状而成的发明,目的在于提供防止驱动中的液晶层的相转变的液晶显示装置、与所述液晶显示装置的制造方法。
解决问题的方案
本发明人等对防止驱动中的液晶层的相转变的液晶显示装置、与所述液晶显示装置的制造方法进行各种研究后,着眼于利用向面内方向传导薄膜晶体管元件所产生的热的散热膜。而且,发现若利用此种散热膜,则薄膜晶体管元件所产生的热不易仅传导至液晶层中的薄膜晶体管元件附近的区域,因此,液晶层的温度不易局部上升。由此,想到能够完美解决所述问题,从而得到了本发明。
即,本发明的一方式也可为液晶显示装置,其依次包括具有薄膜晶体管元件的第一基板、与所述薄膜晶体管元件重叠的散热膜、第一取向膜、液晶层、第二基板,所述散热膜含有液晶性单体的聚合物即液晶性聚合物与无机微粒子,所述液晶性聚合物向所述散热膜的面内方向取向。
在本发明的一方式中,也可在所述第一基板与所述散热膜之间,还配置对所述液晶性聚合物的取向进行控制的散热膜用取向膜。
在本发明的一方式中,所述液晶性单体也可由下述化学式(1)表示。
P1-Sp1-R1-A1-(Z1-A2)n-R2 (1)
(在所述化学式(1)中,R2表示-R3-Sp2-P2基、氢原子、卤素原子、-CN基、-NO2基、-NCO基、-NCS基、-OCN基、-SCN基、-SF6基、或者直链状或分支状的碳数为1~18的烷基。P1及P2相同或不同,且表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基。Sp1及Sp2相同或不同,且表示直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基、直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基氧基、或者直接键结。R1及R3相同或不同,且表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结。A1及A2相同或不同,且表示1,4-亚苯基、萘基-2,6-二基或1,4-亚环己基。A1及A2所具有的氢原子也可由氟原子、氯原子、-CN基、或者碳数为1~6的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷氧羰基氧基取代。Z1表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结。n表示0、1、2或3。)
在本发明的一方式中,所述液晶性单体也可包含由下述化学式(2)及(3)表示的单体中的至少一个单体。
[化1]
在本发明的一方式中,所述无机微粒子也可为氮化物。
在本发明的一方式中,所述氮化物也可包含选自包含氮化硼、氮化硅及氮化铝的群的至少一种化合物。
在本发明的一方式中,构成所述液晶层的液晶材料的介电常数各向异性的绝对值也可为3.0以下。
在本发明的一方式中,所述第一取向膜的电阻值也可为1×1014Ω·cm以下。
在本发明的一方式中,所述无机微粒子相对于所述液晶性单体的重量比率也可为10重量%以上。
在本发明的一方式中,所述第一取向膜也可为具有光反应性官能基的光取向膜。
在本发明的一方式中,所述光反应性官能基也可包含偶氮苯基及肉桂酸基中的至少一个。
本发明的另一方式也可为液晶显示装置的制造方法,其是依次包括具有薄膜晶体管元件的第一基板、液晶层、第二基板的液晶显示装置的制造方法,其包含:工序(1),在所述第一基板的表面上,涂布含有液晶性单体及无机微粒子的液晶性组成物;工序(2),通过对所述液晶性组成物照射光而使所述液晶性单体聚合,形成与所述薄膜晶体管元件重叠的散热膜;以及工序(3),在所述散热膜的表面上形成第一取向膜,所述散热膜含有所述液晶性单体的聚合物即液晶性聚合物与所述无机微粒子,所述液晶性聚合物向所述散热膜的面内方向取向。
在本发明的另一方式中,所述液晶显示装置的制造方法也可在所述工序(2)与所述工序(3)之间,还包含对所述散热膜的表面实施摩擦处理的工序(4)。
在本发明的另一方式中,所述液晶显示装置的制造方法也可在所述工序(1)之前,还包含在所述第一基板的表面上形成对所述液晶性聚合物的取向进行控制的散热膜用取向膜的工序(5)。
在本发明的另一方式中,也可在所述工序(2)中,进行所述液晶性单体的自由基聚合或缩合聚合。
在本发明的另一方式中,所述液晶性单体也可由下述化学式(1)表示。
P1-Sp1-R1-A1-(Z1-A2)n-R2 (1)
(在所述化学式(1)中,R2表示-R3-Sp2-P2基、氢原子、卤素原子、-CN基、-NO2基、-NCO基、-NCS基、-OCN基、-SCN基、-SF6基、或者直链状或分支状的碳数为1~18的烷基。P1及P2相同或不同,且表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基。Sp1及Sp2相同或不同,且表示直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基、直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基氧基、或者直接键结。R1及R3相同或不同,且表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结。A1及A2相同或不同,且表示1,4-亚苯基、萘基-2,6-二基或1,4-亚环己基。A1及A2所具有的氢原子也可由氟原子、氯原子、-CN基、或者碳数为1~6的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷氧羰基氧基取代。Z1表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结。n表示0、1、2或3。)
在本发明的另一方式中,所述液晶性单体也可包含由下述化学式(2)及(3)表示的单体中的至少一个单体。
[化2]
在本发明的另一方式中,所述无机微粒子也可为氮化物。
在本发明的另一方式中,所述氮化物也可包含选自包含氮化硼、氮化硅及氮化铝的群的至少一种化合物。
在本发明的另一方式中,构成所述液晶层的液晶材料的介电常数各向异性的绝对值也可为3.0以下。
在本发明的另一方式中,所述第一取向膜的电阻值也可为1×1014Ω·cm以下。
在本发明的另一方式中,所述无机微粒子相对于所述液晶性单体的重量比率也可为10重量%以上。
在本发明的另一方式中,所述第一取向膜也可为具有光反应性官能基的光取向膜。
在本发明的另一方式中,所述光反应性官能基也可包含偶氮苯基及肉桂酸基中的至少一个。
发明效果
根据本发明,能够提供防止驱动中的液晶层的相转变的液晶显示装置、与所述液晶显示装置的制造方法。
附图说明
图1是表示实施方式1的液晶显示装置的剖视模式图。
图2是表示图1中的第一基板的结构例1的剖视模式图。
图3是表示图1中的第一基板的结构例2的剖视模式图。
图4是用以对实施方式1的液晶显示装置的制造方法进行说明的剖视模式图。
图5是表示实施方式2的液晶显示装置的剖视模式图。
图6是表示图5中的第一基板的结构例1的剖视模式图。
图7是表示图5中的第一基板的结构例2的剖视模式图。
图8是用以对实施方式2的液晶显示装置的制造方法进行说明的剖视模式图。
具体实施方式
以下,列举实施方式,参照附图来更详细地说明本发明,但本发明并非仅限定于这些实施方式。另外,各实施方式的结构可在不脱离本发明宗旨的范围内适当组合,也可变更。
在本说明书中,“X~Y”是指“X以上、Y以下”。
[实施方式1]
以下,对实施方式1的液晶显示装置及其制造方法进行说明。
(1)液晶显示装置以下,参照图1对实施方式1的液晶显示装置进行说明。图1是表示实施方式1的液晶显示装置的剖视模式图。
液晶显示装置1a依次包括第一基板2、散热膜3、第一取向膜4、液晶层5、第二取向膜6及第二基板7。第一基板2与第二基板7彼此相向地配置,并以夹持液晶层5的方式经由密封材料(未图示)贴合。
<第二基板>
第二基板7也可为彩色滤光片基板。彩色滤光片基板例如可列举在支撑基材的表面上配置彩色滤光片层、黑矩阵等而成的结构。
支撑基材的材料例如可列举玻璃、塑料等。
彩色滤光片层的材料例如可列举颜料分散的彩色光阻等。彩色滤光片层的颜色的组合并无特别限定,例如可列举红色、绿色及蓝色的组合、红色、绿色、蓝色及黄色的组合等。
黑矩阵的材料例如可列举黑色的光阻等。
第二基板7还可根据液晶显示装置1a的显示模式而包括电极。该电极例如也可以覆盖黑矩阵的方式配置。
<第二取向膜>
在第二基板7的液晶层5侧的表面上,如图1所示,也可配置第二取向膜6。第二取向膜6作为可对构成液晶层5的液晶材料中的液晶分子的取向进行控制的膜而发挥功能。第二取向膜6也可为由选自包含聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚马来酰亚胺、聚酰胺、聚硅氧烷、聚磷腈、聚倍半硅氧烷及这些化合物的共聚物的群的至少一种化合物构成的膜(也可为单层膜及层叠膜中的任一种膜)、或斜向蒸镀有硅氧化物的膜。也可对第二取向膜6的表面实施光取向处理、摩擦处理等取向处理。
<第一基板>
以下,参照图2、3对第一基板2的结构例进行说明。
(结构例1)
图2是表示图1中的第一基板的结构例1的剖视模式图。在图2中,例示了面内转换(In-Plane Switching,IPS)模式、紫外线诱导多区域垂直取向(Ultra-violet induced Multi-domain Vertical Alignment,UV2A)模式、多区域垂直取向(Multi-domain VerticalAlignment,MVA)模式、扭转向列(Twisted Nematic,TN)模式等的液晶显示装置所应用的薄膜晶体管阵列作为第一基板2。再者,在图2中也图示了散热膜3及第一取向膜4,以便于理解与图1之间的关系。
如图2所示,第一基板2包括支撑基材10、薄膜晶体管元件11、层间绝缘膜17a、像素电极18。
薄膜晶体管元件11包括栅极电极12、栅极绝缘膜13、半导体层14、源极电极15、漏极电极16。栅极电极12配置在支撑基材10的表面上,且由栅极绝缘膜13覆盖。半导体层14配置在栅极绝缘膜13的处于支撑基材10相反侧的表面上。半导体层14的一端由源极电极15覆盖并与其电连接,另一端由漏极电极16覆盖并与其电连接。
层间绝缘膜17a覆盖薄膜晶体管元件11,并在其一部分设置有开口。
像素电极18配置在层间绝缘膜17a的处于支撑基材10相反侧的表面上,并经由设置于层间绝缘膜17a的开口而与漏极电极16电连接。
(结构例2)
图3是表示图1中的第一基板的结构例2的剖视模式图。在图3中,例示了FFS模式的液晶显示装置所应用的薄膜晶体管阵列作为第一基板2。再者,在图3中也例示了散热膜3及第一取向膜4,以便于理解与图1之间的关系。结构例2为双层电极构造,除此以外,与结构例1相同,因此,适当省略与重复点相关的说明。
如图3所示,第一基板2包括支撑基材10、薄膜晶体管元件11、层间绝缘膜17a、共用电极19、层间绝缘膜17b、像素电极18。
共用电极19配置在层间绝缘膜17a的处于支撑基材10相反侧的表面上。
层间绝缘膜17b覆盖共用电极19,并在其一部分设置有开口。
像素电极18配置在层间绝缘膜17b的处于支撑基材10相反侧的表面上,并经由设置于层间绝缘膜17a、17b的开口而与漏极电极16电连接。
支撑基材10的材料例如可列举玻璃、塑料等。
栅极电极12、源极电极15及漏极电极16的材料例如可列举铝、铜、钛、钼、铬等金属材料。
栅极绝缘膜13的材料例如可列举硅氧化物、硅氮化物等无机材料。
半导体层14的材料例如可列举非晶态硅、多晶硅、氧化物半导体等。其中,根据低耗电及高速驱动的观点,优选为氧化物半导体。氧化物半导体因为断开泄漏电流(薄膜晶体管元件11为断开状态时的泄漏电流)少,所以可实现低耗电,且因为接通电流(薄膜晶体管元件11为接通状态时的电流)多,所以可实现高速驱动。氧化物半导体例如可列举包含铟、镓、锌及氧的化合物、包含铟、锡、锌及氧的化合物等。
层间绝缘膜17a、17b的材料例如可列举聚酰亚胺等有机材料、硅氮化物等无机材料。
像素电极18及共用电极19的材料例如可列举铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide,IZO)等透明材料(无机材料)。
<散热膜>
如图2、3所示,散热膜3与第一基板2的薄膜晶体管元件11重叠。根据不易使液晶层5的温度局部上升的观点,散热膜3优选配置得比薄膜晶体管元件11的配置区域更广,更优选配置于第一基板2的整个面。
散热膜3含有液晶性单体的聚合物即液晶性聚合物、与无机微粒子20。无机微粒子20分散在液晶性聚合物中。
液晶性聚合物并非向散热膜3的厚度方向取向,而是向散热膜3的面内方向取向。无机微粒子20沿着液晶性聚合物的取向而均一地分布,结果是向散热膜3的面内方向均一地分布。此处,无机微粒子20向散热膜3的面内方向均一地分布是指无机微粒子20以大致均等的数量存在于每个固定的微小面积。在同一平面内,无机微粒子20的间隔优选为无机微粒子20的长轴的长度的5倍以下。根据以上内容,散热膜3使薄膜晶体管元件11所产生的热通过液晶性聚合物及无机微粒子20向散热膜3的面内方向传导。结果是薄膜晶体管元件11所产生的热不易仅传导至液晶层5中的薄膜晶体管元件11附近的区域,因此,液晶层5的温度不易局部上升,防止驱动中的液晶层5的相转变。
如上所述的液晶性聚合物所具有的取向性例如是通过对散热膜3的表面实施摩擦处理而被赋予。此处,液晶性聚合物向散热膜3的面内方向取向是指剖视时,液晶性聚合物的长轴相对于散热膜3的表面倾斜的角度为0~5°,优选为0~2°。俯视时,液晶性聚合物可向一个方向取向,也可随机地向多个方向取向,但根据有效地传导薄膜晶体管元件11所产生的热的观点,优选向一个方向取向。例如在对散热膜3的表面实施了一个方向的摩擦处理的情况下,俯视时,液晶性聚合物沿着被实施摩擦处理的方向取向。液晶性聚合物的取向性例如可通过基于可见紫外区域的偏振吸收的测定、延迟测定等方法来确认。
液晶性单体优选由下述化学式(1)表示。
P1-Sp1-R1-A1-(Z1-A2)n-R2(1)
(在所述化学式(1)中,R2表示-R3-Sp2-P2基、氢原子、卤素原子、-CN基、-NO2基、-NCO基、-NCS基、-OCN基、-SCN基、-SF6基、或者直链状或分支状的碳数为1~18的烷基。P1及P2相同或不同,且表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基。Sp1及Sp2相同或不同,且表示直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基、直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基氧基、或者直接键结。R1及R3相同或不同,且表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结。A1及A2相同或不同,且表示1,4-亚苯基、萘基-2,6-二基或1,4-亚环己基。A1及A2所具有的氢原子也可由氟原子、氯原子、-CN基、或者碳数为1~6的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷氧羰基氧基取代。Z1表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结。n表示0、1、2或3。)
在第一取向膜4为聚酰亚胺系的取向膜的情况下,根据提高与第一取向膜4之间的密合性的观点,所述化学式(1)中的R1(R3)及Z1优选为-NH-基、-CO-基、-COO-基或-OCO-基。另外,根据提高与第一取向膜4中的芳香族单元之间的相互作用的观点,所述化学式(1)中的A1及A2中的至少一者优选为1,4-亚苯基或萘基-2,6-二基。
液晶性单体更优选包含由下述化学式(2)及(3)表示的单体中的至少一个单体。根据含有此种液晶性单体的聚合物(液晶性聚合物)的散热膜3,例如在第一取向膜4为聚酰亚胺系的取向膜的情况下,与前驱物即聚酰胺酸之间的相溶性提高,因此,第一取向膜4会均一地配置在散热膜3的表面上。结果会防止液晶显示装置1a的对比度下降。
[化3]
无机微粒子20优选为氮化物。氮化物优选包含选自包含氮化硼、氮化硅及氮化铝的群的至少一种化合物。根据此种无机微粒子20,薄膜晶体管元件11所产生的热会有效地向散热膜3的面内方向传导。
无机微粒子20相对于液晶性单体的重量比率优选为10重量%以上。若无机微粒子20相对于液晶性单体的重量比率为10重量%以上,则薄膜晶体管元件11所产生的热会有效地向散热膜3的面内方向传导,因此,可充分地防止驱动中的液晶层5的相转变。另一方面,若无机微粒子20相对于液晶性单体的重量比率过高,则有时液晶显示装置1a的对比度会因由无机微粒子20的光散射产生的影响而下降。根据此种观点,无机微粒子20相对于液晶性单体的重量比率优选为40重量%以下。
散热膜3的厚度并无特别限定,但优选为30nm~3000nm。在散热膜3的厚度小于30nm的情况下,有时薄膜晶体管素子11所产生的热会优先传导至液晶层5中的薄膜晶体管元件11附近的区域。在散热膜3的厚度大于3000nm的情况下,有时液晶显示装置1a的显示特性(特别是对比度)会因散热膜3的相位差等的影响而下降。
<第一取向膜>
第一取向膜4作为可对构成液晶层5的液晶材料中的液晶分子的取向进行控制的膜而发挥功能。第一取向膜4与第二取向膜6同样地,也可为由选自包含聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚马来酰亚胺、聚酰胺、聚硅氧烷、聚磷腈、聚倍半硅氧烷及这些化合物的共聚物的群的至少一种化合物构成的膜(也可为单层膜及层叠膜中的任一种膜)、或斜向蒸镀有硅氧化物的膜。也可对第一取向膜4的表面实施光取向处理、摩擦处理等取向处理。
第一取向膜4也可为具有光反应性官能基的光取向膜。光反应性官能基是可因受到光照射而表现出取向限制力,即可对液晶分子的取向进行控制的官能基。光反应性官能基优选包含偶氮苯基及肉桂酸基中的至少一个基。根据此种第一取向膜4,可实现液晶显示装置1a的高对比度化。再者,第二取向膜6也可为如上所述的光取向膜。
第一取向膜4也可为水平取向膜。水平取向膜具有使存在于附近的液晶分子向与表面平行的方向取向的功能。此处,液晶分子向与水平取向膜的表面平行的方向取向是指液晶分子的预倾角相对于水平取向膜的表面为0°~5°,优选为0°~2°,更优选为0°~1°。液晶分子的预倾角在向液晶层5施加的施加电压不足阈值电压的情况(包含未施加电压时)下,是指液晶分子的长轴相对于取向膜的表面倾斜的角度。在液晶显示装置1a的显示模式为水平取向模式(例如FFS模式、IPS模式等)的情况下,应用水平取向膜。水平取向膜也可为具有如上所述的光反应性官能基的水平光取向膜。再者,第二取向膜6也可为如上所述的水平取向膜(水平光取向膜)。
第一取向膜4也可为垂直取向膜。垂直取向膜具有使存在于附近的液晶分子向与表面垂直的方向取向的功能。此处,液晶分子向与垂直取向膜的表面垂直的方向取向是指液晶分子的预倾角相对于垂直取向膜的表面为82°~90°,优选为86°~90°,更优选为88°~90°。在液晶显示装置1a的显示模式为垂直取向模式(例如UV2A模式、MVA模式等)的情况下,应用垂直取向膜。垂直取向膜也可为具有如上所述的光反应性官能基的垂直光取向膜。再者,第二取向膜6也可为如上所述的垂直取向膜(垂直光取向膜)。
第一取向膜4的电阻值也可为1×1014Ω·cm以下。现有的液晶显示装置在采用FFS模式等水平取向模式的情况下,有时会为了抑制闪烁的产生而降低取向膜的电阻值(例如1×1014Ω·cm以下),因此,薄膜晶体管元件所产生的热容易通过取向膜向液晶层传导,结果是有时在驱动中,液晶层容易发生相转变。相对于此,根据本实施方式,因为在第一基板2(薄膜晶体管元件11)与第一取向膜4之间配置有散热膜3,所以即使在第一取向膜4的电阻值低的情况下(例如1×1014Ω·cm以下),也会防止驱动中的液晶层5的相转变。再者,在第一取向膜4为具有光反应性官能基的光取向膜的情况下,或在第一取向膜4为聚酰亚胺系的取向膜的情况下(特别是在酸酐单元源于芳香族化合物的情况下),电阻值容易变为1×1014Ω·cm以下。另一方面,在第一取向膜4的电阻值高于1×1014Ω·cm的情况下,有时液晶显示装置1a的对比度会下降。
第一取向膜4的厚度也可为120nm以下。现有的液晶显示装置若减小取向膜的厚度(例如120nm以下),则薄膜晶体管元件所产生的热容易通过取向膜向液晶层传导,结果是有时在驱动中,液晶层容易发生相转变。相对于此,根据本实施方式,因为在第一基板2(薄膜晶体管元件11)与第一取向膜4之间配置有散热膜3,所以即使在第一取向膜4的厚度小的情况下(例如120nm以下),也会防止驱动中的液晶层5的相转变。
<液晶层>
构成液晶层5的液晶材料优选为向列液晶材料。向列液晶材料也可为在升温过程中,从向列相向各向同性相发生相转变的液晶材料。在此情况下,构成液晶层5的液晶材料的向列相-各向同性相转变温度也可为97℃以下。对于现有的液晶显示装置,若为了实现高速响应化而降低液晶材料的向列相-各向同性相转变温度(例如97℃以下),则有时由于薄膜晶体管元件所产生的热,在液晶层中的薄膜晶体管元件附近的区域,液晶层容易在驱动中发生相转变。相对于此,根据本实施方式,因为在第一基板2(薄膜晶体管元件11)与第一取向膜4之间配置有散热膜3,所以即使在想要降低液晶材料的向列相-各向同性相转变温度(例如97℃以下)而实现高速响应化的情况下,也会防止驱动中的液晶层5的相转变。
构成液晶层5的液晶材料可为具有负介电常数各向异性(Δε<0)的负型液晶材料,也可为具有正介电常数各向异性(Δε>0)的正型液晶材料。构成液晶层5的液晶材料的介电常数各向异性的绝对值也可为30以下。对于现有的液晶显示装置,若为了实现高速响应化而减小液晶材料的介电常数各向异性的绝对值,则因为驱动电压升高,所以有时薄膜晶体管元件会大量发热,在液晶层中的薄膜晶体管元件附近的区域,液晶层容易在驱动中发生相转变。相对于此,根据本实施方式,因为在第一基板2(薄膜晶体管元件11)与第一取向膜4之间配置有散热膜3,所以即使在想要减小液晶材料的介电常数各向异性的绝对值(例如3.0以下)而实现高速响应化的情况下,也会防止驱动中的液晶层5的相转变。另一方面,在构成液晶层5的液晶材料的介电常数各向异性的绝对值大于3.0的情况下,有时液晶显示装置1a的响应特性会下降。
如上所述,根据本实施方式,特别是在假设根据第一取向膜的特性、液晶层的特性等条件,液晶层容易在驱动中发生相转变的情况下,仍会发挥由散热膜产生的效果。
液晶显示装置1a在第一基板2的与液晶层5相反的一侧及第二基板7的与液晶层5相反的一侧,还可包括一对偏光板。一对偏光板例如能够使用使碘络合物(或染料)等各向异性材料染色及吸附于聚乙烯醇(PVA)膜并进行了延伸取向的线性偏光板(吸收型偏光板)等。
液晶显示装置1a在第一基板2的与液晶层5相反的一侧,还可包括背光源。在此情况下,液晶显示装置1a成为透射型的液晶显示装置。背光源的方式并无特别限定,例如可列举边缘照明方式、直下型方式等。背光源的光源的种类并无特别限定,例如可列举发光二极管(Light Emitting Diode,LED)、冷阴极管(Cold Cathode FluorescentLamp,CCFL)等。
液晶显示装置1a除了所述构件之外,还可包括液晶显示装置的领域中所一般使用的构件,例如还可适当包括带载封装(Tape Carrier Package,TCP)、印刷电路基板(PrintCircuit Board,PCB)等外部电路;视角扩大膜、增亮膜等光学膜;边框(框架)等。
(2)液晶显示装置的制造方法以下,参照图4(也适当参照图2、3)对实施方式1的液晶显示装置的制造方法进行说明。图4是用以对实施方式1的液晶显示装置的制造方法进行说明的剖视模式图。再者,关于制造液晶显示装置时所使用的构件(材料),适当省略与所述内容重复的方面的说明。
<液晶性组成物的涂布>
首先,如图4(a)所示,在第一基板2的表面上,涂布含有液晶性单体及无机微粒子20的液晶性组成物21。
液晶性单体优选由下述化学式(1)表示。
P1-Sp1-R1-A1-(Z1-A2)n-R2 (1)
(在所述化学式(1)中,R2表示-R3-Sp2-P2基、氢原子、卤素原子、-CN基、-NO2基、-NCO基、-NCS基、-OCN基、-SCN基、-SF6基、或者直链状或分支状的碳数为1~18的烷基。P1及P2相同或不同,且表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基。Sp1及Sp2相同或不同,且表示直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基、直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基氧基、或者直接键结。R1及R3相同或不同,且表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结。A1及A2相同或不同,且表示1,4-亚苯基、萘基-2,6-二基或1,4-亚环己基。A1及A2所具有的氢原子也可由氟原子、氯原子、-CN基、或者碳数为1~6的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷氧羰基氧基取代。Z1表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结。n表示0、1、2或3。)
在之后形成的第一取向膜4为聚酰亚胺系的取向膜的情况下,根据提高与第一取向膜4之间的密合性的观点,所述化学式(1)中的R1(R3)及Z1优选为-NH-基、-CO-基、-COO-基或-OCO-基。另外,根据提高与第一取向膜4中的芳香族单元之间的相互作用的观点,所述化学式(1)中的A1及A2中的至少一者优选为1,4-亚苯基或萘基-2,6-二基。
液晶性单体更优选为包含由下述化学式(2)及(3)表示的单体中的至少一个单体。若使用此种液晶性单体,则例如在之后形成的第一取向膜4为聚酰亚胺系的取向膜的情况下,与前驱物即聚酰胺酸之间的相溶性提高,因此,能够将第一取向膜4均一地配置在之后形成的散热膜3的表面上。结果会防止之后形成的液晶显示装置1a的对比度下降。
[化4]
无机微粒子20优选为氮化物。氮化物优选包含选自包含氮化硼、氮化硅及氮化铝的群的至少一种化合物。根据此种无机微粒子20,可获得有效地使薄膜晶体管元件11所产生的热向面内方向传导的散热膜3。
在液晶性组成物21中,无机微粒子20相对于液晶性单体的重量比率优选为10重量%以上。若无机微粒子20相对于液晶性单体的重量比率为10重量%以上,则会获得如下状态,即,在之后形成的散热膜3中,薄膜晶体管元件11所产生的热有效地向面内方向传导。另一方面,若无机微粒子20相对于液晶性单体的重量比率过高,则有时之后形成的液晶显示装置1a的对比度会因由无机微粒子20的光散射产生的影响而下降。根据此种观点,无机微粒子20相对于液晶性单体的重量比率优选为40重量%以下。
液晶性组成物21还可含有聚合引发剂。由此,在之后的工序中,能够有效地使液晶性单体的聚合反应开始。聚合引发剂例如可列举自由基聚合引发剂等。
液晶性组成物21还可含有溶剂。由此,能够有效地提高液晶性单体及无机微粒子20的相溶性。溶剂例如可列举甲苯等。
<散热膜的形成>
其次,通过对液晶性组成物21照射光使液晶性单体聚合,如图2、3所示,形成与薄膜晶体管元件11重叠的散热膜3。散热膜3含有液晶性单体的聚合物即液晶性聚合物与无机微粒子20。无机微粒子20分散在液晶性聚合物中。然后,对散热膜3的表面实施摩擦处理,由此,液晶性聚合物向散热膜3的面内方向取向。
液晶性聚合物并非向散热膜3的厚度方向取向,而是向散热膜3的面内方向取向。无机微粒子20沿着液晶性聚合物的取向均一地分布,结果是如图4(b)所示,向散热膜3的面内方向均一地分布。由此,根据散热膜3,薄膜晶体管元件11所产生的热通过液晶性聚合物及无机微粒子20向散热膜3的面内方向传导。结果是薄膜晶体管元件11所产生的热不易仅传导至之后形成的液晶层5中的薄膜晶体管元件11附近的区域,因此,液晶层5的温度不易局部上升,防止驱动中的液晶层5的相转变。
在形成散热膜3时,作为液晶性单体的聚合,也可进行自由基聚合或缩合聚合。
在形成散热膜3时,照射至液晶性组成物21的光可为紫外线,也可为可见光线,其中,优选为紫外线。紫外线可为无偏振紫外线,也可为偏振紫外线。
照射至液晶性组成物21的光的波长优选为310nm~400nm。在照射至液晶性组成物21的光的波长小于310nm的情况下,若液晶性组成物21中的液晶性单体分解(或液晶性单体聚合而产生的液晶性聚合物分解),且其分解物溶析至之后形成的液晶层5,则有时会引起电压保持率下降。另一方面,在即使照射波长大于400nm的光,仍进行聚合反应的情况下,例如仍会因从背光源射出的光而进行聚合反应,在之后形成的液晶显示装置1a的使用过程中,引起未反应单体的聚合反应。结果是有时在液晶显示装置1a的使用过程中,散热膜3的延迟发生变化,引起对比度下降。
在对液晶性组成物21照射紫外线的情况下,该紫外线的照射量优选为0.01~10J/cm2。在照射至液晶性组成物21的紫外线的照射量小于0.01J/cm2的情况下,因为未充分进行聚合反应而存在大量的未反应单体,所以若该未反应单体溶析至之后形成的液晶层5,则有时会引起电压保持率下降。在照射至液晶性组成物21的紫外线的照射量大于10J/cm2的情况下,若液晶性组成物21中的液晶性单体分解(或液晶性单体聚合而产生的液晶性聚合物分解),且其分解物溶析至之后形成的液晶层5,则有时会引起电压保持率下降。
在形成散热膜3时,也可在对液晶性组成物21照射光之前,进行将液晶性组成物21中的溶剂去除的预煅烧。而且,也可在对液晶性组成物21照射光后,以比预煅烧更高的温度,进行将溶剂完全去除的主煅烧。
散热膜3的厚度并无特别限定,但优选为30nm~3000nm。在散热膜3的厚度小于30nm的情况下,有时薄膜晶体管元件11所产生的热会优先传导至之后形成的液晶层5中的薄膜晶体管元件11附近的区域。在散热膜3的厚度大于3000nm的情况下,有时之后形成的液晶显示装置1a的显示特性(特别是对比度)会因散热膜3的相位差等的影响而下降。
<第一取向膜的形成>
其次,如图4(c)所示,在散热膜3的表面上形成第一取向膜4。
在形成第一取向膜4时,也可在将取向膜材料涂布或蒸镀至散热膜3的表面上后,适当进行预煅烧、主煅烧、取向处理等(例如光取向处理、摩擦处理等),由此,形成第一取向膜4。
第一取向膜4也可为具有光反应性官能基的光取向膜。光反应性官能基优选包含偶氮苯基及肉桂酸基中的至少一个基。根据此种第一取向膜4,可实现之后形成的液晶显示装置1a的高对比度化。
第一取向膜4的电阻值也可为1×1014Ω·cm以下。根据本实施方式,因为在第一基板2(薄膜晶体管元件11)与第一取向膜4之间配置有散热膜3,所以即使在第一取向膜4的电阻值低的情况下(例如1×1014Ω·cm以下),薄膜晶体管元件11所产生的热也不易通过第一取向膜4向之后形成的液晶层5传导,结果会防止驱动中的液晶层5的相转变。另一方面,在第一取向膜4的电阻值高于1×1014Ω·cm的情况下,有时之后形成的液晶显示装置1a的对比度会下降。
第一取向膜4的厚度也可为120nm以下。根据本实施方式,因为在第一基板2(薄膜晶体管元件11)与第一取向膜4之间配置有散热膜3,所以即使在第一取向膜4的厚度小的情况下(例如120nm以下),薄膜晶体管元件11所产生的热也不易通过第一取向膜4向之后形成的液晶层5传导,结果会防止驱动中的液晶层5的相转变。
<液晶显示装置的完成>
最后,以夹持液晶层5的方式,经由密封材料(未图示)贴合第一基板2与第二基板7,由此,完成如图4(d)所示的液晶显示装置1a。在第二基板7的液晶层5侧的表面上,如图4(d)所示,也可形成第二取向膜6。也可在液晶显示装置1a上适当配置偏光板、背光源等构件。
密封材料例如可列举含有环氧树脂、(甲基)丙烯酸树脂等树脂的密封材料,也可适当含有无机填料、有机填料、硬化剂等。密封材料可为通过光而硬化的密封材料(光硬化型),也可为通过热而硬化的密封材料(热硬化型),还可为通过所述两者而硬化的密封材料(光、热硬化型)。更具体而言,密封材料可为通过紫外线而硬化的密封材料(紫外线硬化型),也可为通过热而硬化的密封材料(热硬化型),还可为通过所述两者而硬化的密封材料(紫外线、热硬化型)。
例如可利用滴下法、注入法等方法,将液晶材料封入在第一基板2与第二基板7之间,由此,形成液晶层5。
在利用滴下法形成液晶层5的情况下,例如采用下述工艺。首先,在第一基板2及第二基板7的一个表面上涂布密封材料,在另一个表面上滴下液晶材料。接着,通过密封材料贴合第一基板2与第二基板7而形成液晶层5。
在利用注入法形成液晶层5的情况下,例如采用下述工艺。首先,在第一基板2及第二基板7的一个表面上涂布密封材料后,通过密封材料贴合第一基板2与第二基板7。接着,在第一基板2与第二基板7之间注入液晶材料,完成液晶层5。在注入液晶材料时,也可将第一基板2与第二基板7之间设为真空状态。
在形成液晶层5时,可使密封材料预先硬化,也可不使密封材料硬化。
构成液晶层5的液晶材料优选为向列液晶材料。向列液晶材料也可为在升温过程中,从向列相向各向同性相发生相转变的液晶材料。在此情况下,构成液晶层5的液晶材料的向列相-各向同性相转变温度也可为97℃以下。根据本实施方式,因为在第一基板2(薄膜晶体管元件11)与第一取向膜4之间配置有散热膜3,所以即使在想要降低液晶材料的向列相-各向同性相转变温度(例如97℃以下)而实现高速响应化的情况下,也会防止驱动中的液晶层5的相转变。
构成液晶层5的液晶材料可为具有负介电常数各向异性(Δε<0)的负型液晶材料,也可为具有正介电常数各向异性(Δε>0)的正型液晶材料。构成液晶层5的液晶材料的介电常数各向异性的绝对值也可为3.0以下。根据本实施方式,因为在第一基板2(薄膜晶体管元件11)与第一取向膜4之间配置有散热膜3,所以即使在想要减小液晶材料的介电常数各向异性的绝对值(例如3.0以下)而实现高速响应化的情况下,也会防止驱动中的液晶层5的相转变。另一方面,在构成液晶层5的液晶材料的介电常数各向异性的绝对值大于3.0的情况下,有时液晶显示装置1a的响应特性会下降。
如上所述,根据本实施方式,特别是在假设根据第一取向膜的特性、液晶层的特性等条件,液晶层容易在驱动中发生相转变的情况下,仍会发挥由散热膜产生的效果
[实施方式2]
以下,对实施方式2的液晶显示装置及其制造方法进行说明。实施方式2除了在第一基板与散热膜之间还配置有散热膜用取向膜以外,与实施方式1相同,因此,适当省略与重复点相关的说明。
(1)液晶显示装置以下,参照图5对实施方式2的液晶显示装置进行说明。图5是表示实施方式2的液晶显示装置的剖视模式图。
液晶显示装置1b依次包括第一基板2、散热膜用取向膜8、散热膜3、第一取向膜4、液晶层5、第二取向膜6及第二基板7。
<第一基板>
作为第一基板2的结构例,在实施方式2中也列举与实施方式1相同的结构例1、2(图2、3),且由图6、7表示。图6是表示图5中的第一基板的结构例1的剖视模式图。图7是表示图5中的第一基板的结构例2的剖视模式图。再者,在图6、7中也图示了散热膜用取向膜8、散热膜3及第一取向膜4,以便理解与图5之间的关系。
<散热膜用取向膜>
如图6、7所示,散热膜用取向膜8配置在第一基板2与散热膜3之间。散热膜用取向膜8作为可对散热膜3中的液晶性聚合物的取向进行控制的膜而发挥功能。因此,根据散热膜用取向膜8,能够有效地对液晶性聚合物赋予向散热膜3的面内方向取向的取向性。由此,无机微粒子20沿着液晶性聚合物的取向均一地分布,结果是有效地向散热膜3的面内方向均一地分布。
散热膜用取向膜8也可为由选自包含聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚马来酰亚胺、聚酰胺、聚硅氧烷、聚磷腈、聚倍半硅氧烷及这些化合物的共聚物的群的至少一种化合物构成的膜(也可为单层膜及层叠膜中的任一种膜)、或斜向蒸镀有硅氧化物的膜。散热膜用取向膜8优选为水平取向膜(水平光取向膜)。由此,能够有效地使散热膜3中的液晶性聚合物向散热膜3的面内方向取向。由此,散热膜3中的无机微粒子20沿着液晶性聚合物的取向均一地分布,结果是有效地向散热膜3的面内方向均一地分布。也可对散热膜用取向膜8的表面实施光取向处理、摩擦处理等取向处理。
(2)液晶显示装置的制造方法以下,参照图8(也适当参照图6、7)对实施方式2的液晶显示装置的制造方法进行说明。图8是用以对实施方式2的液晶显示装置的制造方法进行说明的剖视模式图。
<散热膜用取向膜的形成>
首先,如图8(a)所示,在第一基板2的表面上形成散热膜用取向膜8。散热膜用取向膜8对之后形成的散热膜3中的液晶性聚合物的取向进行控制。
在形成散热膜用取向膜8时,也可在将取向膜材料涂布或蒸镀至第一基板2的表面上后,适当进行预煅烧、主煅烧、取向处理等(例如光取向处理、摩擦处理等),由此,形成散热膜用取向膜8。
<液晶性组成物的涂布>
其次,如图8(b)所示,在散热膜用取向膜8的表面上,涂布含有液晶性单体及无机微粒子20的液晶性组成物21。
<散热膜的形成>
其次,通过对液晶性组成物21照射光使液晶性单体聚合,如图6、7所示,形成与薄膜晶体管元件11重叠的散热膜3。散热膜3含有液晶性单体的聚合物即液晶性聚合物与无机微粒子20。无机微粒子20分散在液晶性聚合物中。此时,由于散热膜用取向膜8的作用,液晶性聚合物向散热膜3的面内方向取向。由此,无机微粒子20沿着液晶性聚合物的取向均一地分布,结果是如图8(c)所示,向散热膜3的面内方向均一地分布。此处,为了进一步提高液晶性聚合物的取向性,也可对散热膜3的表面实施摩擦处理。
<第一取向膜的形成>
其次,如图8(d)所示,在散热膜3的表面上形成第一取向膜4。
<液晶显示装置的完成>
最后,以夹持液晶层5的方式,经由密封材料(未图示)贴合第一基板2与第二基板7,由此,完成如图8(e)所示的液晶显示装置1b。
[实施例及比较例]
以下,列举实施例及比较例来更详细地对本发明进行说明,但本发明并不受到这些例子限定。
在实施例及比较例中,制造液晶显示装置时所使用的液晶性组成物如下所述。
<液晶性组成物L1>
首先,在甲苯(溶剂)中添加5g的由下述化学式(2)表示的液晶性单体M1、1g的氮化硼(无机微粒子)、0.05g的IGM Resins公司制造的自由基聚合引发剂“IRGACURE(注册商标)651”。接着,以50℃将所获得的混合物加热1小时后,在25℃的环境下放置12小时,由此,使各材料充分溶解至甲苯中,制备液晶性组成物L1。在液晶性组成物L1中,氮化硼(无机微粒子)相对于液晶性单体M1的重量比率为20重量%。
[化5]
<液晶性组成物L2>
除了将氮化硼(无机微粒子)的添加量变更为0.5g以外,与液晶性组成物L1同样地制备液晶性组成物L2。在液晶性组成物L2中,氮化硼(无机微粒子)相对于液晶性单体M1的重量比率为10重量%。
<液晶性组成物L3>
除了将氮化硼(无机微粒子)的添加量变更为2g以外,与液晶性组成物L1同样地制备液晶性组成物L3。在液晶性组成物L3中,氮化硼(无机微粒子)相对于液晶性单体M1的重量比率为40重量%。
<液晶性组成物L4>
除了将氮化硼(无机微粒子)的添加量变更为3g以外,与液晶性组成物L1同样地制备液晶性组成物L4。在液晶性组成物L4中,氮化硼(无机微粒子)相对于液晶性单体M1的重量比率为60重量%。
<液晶性组成物L5>
首先,在甲苯(溶剂)中添加5g的由下述化学式(3)表示的液晶性单体M2、1g的氮化硅(无机微粒子)、0.05g的IGM Resins公司制造的自由基聚合引发剂“IRGACURE 651”。接着,以50℃将所获得的混合物加热1小时后,在25℃的环境下放置12小时,由此,使各材料充分溶解至甲苯中,制备液晶性组成物L5。在液晶性组成物L5中,氮化硅(无机微粒子)相对于液晶性单体M2的重量比率为20重量%。
[化6]
<液晶性组成物L6>
首先,在甲苯(溶剂)中添加5g的由下述化学式(4)表示的液晶性单体M3、1g的氮化硼(无机微粒子)、0.05g的IGM Resins公司制造的自由基聚合引发剂“IRGACURE 651”。接着,以50℃将所获得的混合物加热1小时后,在25℃的环境下放置12小时,由此,使各材料充分溶解至甲苯中,制备液晶性组成物L6。在液晶性组成物L6中,氮化硼(无机微粒子)相对于液晶性单体M3的重量比率为20重量%。
[化7]
在实施例及比较例中,制造液晶显示装置时所使用的取向膜材料如下所述。
<取向膜材料T1>
取向膜材料T1是含有由下述化学式(5)表示的偶氮苯系聚酰胺酸的水平光取向膜材料。
[化8]
在所述化学式(5)中,X由下述化学式(6-1)表示。Y由下述化学式(6-2)表示。
[化9]
[化10]
<取向膜材料T2>
取向膜材料T2是含有由下述化学式(7)表示的聚硅氧烷的垂直光取向膜材料。
[化11]
在所述化学式(7)中,E由下述化学式(8-1)或(8-2)表示。
[化12]
(实施例1)
利用实施方式1的制造方法来制造实施例1的液晶显示装置。首先,准备如图3所示的第一基板(结构例2)、与不包括电极的第二基板。其次,在第一基板的表面上涂布液晶性组成物L1。接着,对于液晶性组成物L1,在以90℃进行1分钟的预煅烧后,照射无偏振紫外线(照射量:2J/cm2),接着,以150℃进行30分钟的主煅烧。结果是液晶性组成物L1中的溶剂(甲苯)被完全去除,并且产生液晶性单体M1的聚合物即液晶性聚合物,由此,形成与第一基板的薄膜晶体管元件重叠的散热膜。然后,通过对散热膜的表面实施摩擦处理,使液晶性聚合物向散热膜的面内方向取向,结果使无机微粒子向散热膜的面内方向均一地分布。散热膜的厚度为50nm。
其次,在形成于第一基板侧的散热膜的表面上、及第二基板的表面上,分别涂布取向膜材料T1。然后,对于取向膜材料T1,在以90℃进行2分钟的预煅烧,以130℃进行20分钟的主煅烧后,从法线方向照射偏振紫外线(照射量:2J/cm2),接着,以230℃进行40分钟的主煅烧。结果会在形成于第一基板侧的散热膜的表面上形成第一取向膜,在第二基板的表面上形成第二取向膜。第一取向膜及第二取向膜均为聚酰亚胺系的水平光取向膜,其电阻值为5×1013Ω·cm。
其次,在第一基板及第二基板的一个表面上,利用分配器涂布积水化学工业公司制造的紫外线硬化型密封材料“Photolec(注册商标)S-WB”,在另一个面上滴下正型液晶材料(向列相-各向同性相转变温度:94℃,介电常数各向异性:2.7)。接着,在真空下,利用密封材料贴合第一基板与第二基板而形成液晶层后,利用紫外线使密封材料硬化。接着,在以130℃进行40分钟的加热,由此,进行液晶层的重新取向处理后,冷却至室温为止。然后,通过配置偏光板、背光源等构件,完成实施例1的液晶显示装置(FFS模式的液晶显示装置)。
(比较例1)
除了未形成散热膜以外,与实施例1同样地制造比较例1的液晶显示装置。
[评价1]
对实施例1及比较例1的液晶显示装置进行以下的评价。将结果表示于表1。
<液晶层的相转变的有无>
对于各例的液晶显示装置,在点亮背光源的状态下,进行在90℃的环境下持续施加使透射率达到最大的电压(以下称为透射率最大电压)的高温通电测试。接着,在进行1000小时的高温通电测试后,对液晶层的相转变的有无(取向状态)进行确认。再者,各例的液晶显示装置中的透射率最大电压如表1所示。
<对比度>
对于各例的液晶显示装置,使用拓普康公司制造的“SR-UL1”来测定对比度。
<响应特性>
对于各例的液晶显示装置,使用大塚电子公司制造的“Photal5200”,在25℃的环境下测定使施加电压从0.5V上升至透射率最大电压(表1)为止时的上升响应时间Tr、与使施加电压从透射率最大电压(表1)下降至0.5V为止时的下降响应时间Td。
[表1]
如表1所示,在实施例1中,未确认驱动中的液晶层的相转变。而且,在实施例1中,由水平光取向膜即第一取向膜及第二取向膜产生的高对比度化、与通过减小液晶材料的介电常数各向异性的绝对值并降低向列相-各向同性相转变温度而产生的高速响应化均已被实现。
在比较例1中,与实施例1同样地实现了高对比度化及高速响应化,但因为未配置散热膜,所以特别在薄膜晶体管元件附近的区域中,确认了驱动中的液晶层的相转变(从向列相向各向同性相的相转变)。
(实施例2)
利用实施方式2的制造方法来制造实施例2的液晶显示装置。首先,准备如图7所示的第一基板(结构例2)、与不包括电极的第二基板。接着,在第一基板的表面上涂布JSR公司制造的聚酰亚胺系的取向膜材料“AL1051”后,对于该取向膜材料,以90℃进行2分钟的预煅烧,接着,以200℃进行40分钟的主煅烧。结果会在第一基板的表面上形成散热膜用取向膜。然后,对散热膜用取向膜的表面实施摩擦处理。
其次,在散热膜用取向膜的表面上涂布液晶性组成物L1。接着,对于液晶性组成物L1,在以90℃进行1分钟的预煅烧后,照射无偏振紫外线(照射量:2J/cm2),接着,以150℃进行30分钟的主煅烧。结果是液晶性组成物L1中的溶剂(甲苯)完全被去除,并且产生液晶性单体M1的聚合物即液晶性聚合物,由此,形成与第一基板的薄膜晶体管元件重叠的散热膜。此时,由于散热膜用取向膜的作用,液晶性聚合物向散热膜的面内方向取向。由此,无机微粒子沿着液晶性聚合物的取向均一地分布,结果是向散热膜的面内方向均一地分布。散热膜的厚度为50nm。
其次,在形成于第一基板侧的散热膜的表面上、及第二基板的表面上,分别涂布取向膜材料T1。然后,对于取向膜材料T1,在以90℃进行2分钟的预煅烧,以130℃进行20分钟的主煅烧后,从法线方向照射偏振紫外线(照射量:2J/cm2),接着,以230℃进行40分钟的主煅烧。结果会在形成于第一基板侧的散热膜的表面上形成第一取向膜,在第二基板的表面上形成第二取向膜。第一取向膜及第二取向膜均为聚酰亚胺系的水平光取向膜,其电阻值为5×1013Ω·cm。
其次,在第一基板及第二基板的一个表面上,利用分配器涂布积水化学工业公司制造的紫外线硬化型密封材料“Photolec S-WB”,在另一个表面上滴下正型液晶材料(向列相-各向同性相转变温度:96℃,介电常数各向异性:2.6)。接着,在真空下,利用密封材料贴合第一基板与第二基板而形成液晶层后,利用紫外线使密封材料硬化。接着,在以130℃进行40分钟的加热,由此,进行液晶层的重新取向处理后,冷却至室温为止。然后,通过配置偏光板、背光源等构件,完成实施例2的液晶显示装置(FFS模式的液晶显示装置)。
(比较例2)
除了未形成散热膜用取向膜及散热膜以外,与实施例2同样地制造比较例2的液晶显示装置。
(比较例3)
除了未形成散热膜用取向膜,且散热膜中的液晶性聚合物未向散热膜的面内方向取向(结果是散热膜中的无机微粒子未向散热膜的面内方向均一地分布)以外,与实施例2同样地制造比较例3的液晶显示装置。
[评价2]
对实施例2及比较例2、3的液晶显示装置进行与所述评价1相同的评价。将结果表示于表2。
[表2]
如表2所示,在实施例2中,未确认驱动中的液晶层的相转变。而且,在实施例2中,由水平光取向膜即第一取向膜及第二取向膜产生的高对比度化、与通过减小液晶材料的介电常数各向异性的绝对值并降低向列相-各向同性相转变温度而产生的高速响应化均已被实现。
在比较例2中,与实施例2同样地实现了高对比度化及高速响应化,但因为未配置散热膜,所以特别在薄膜晶体管元件附近的区域中,确认了驱动中的液晶层的相转变(从向列相向各向同性相的相转变)。
在比较例3中,与实施例2同样地实现了高对比度化及高速响应化,但因为散热膜中的液晶性聚合物未向散热膜的面内方向取向(结果是散热膜中的无机微粒子未向散热膜的面内方向均一地分布),所以在薄膜晶体管元件附近的一部分的区域中,确认了驱动中的液晶层的相转变(从向列相向各向同性相的相转变)。认为原因在于:薄膜晶体管元件所产生的热也大量地向散热膜的厚度方向传导,结果是液晶层的温度容易局部上升。
(实施例3)
利用实施方式2的制造方法来制造实施例3的液晶显示装置。首先,准备如图6所示的第一基板(结构例1)、与表面包括电极的第二基板。接着,在第一基板的表面上涂布JSR公司制造的聚酰亚胺系的取向膜材料“AL1051”后,对于该取向膜材料,以90℃进行2分钟的预煅烧,接着,以200℃进行40分钟的主煅烧。结果会在第一基板的表面上形成散热膜用取向膜。然后,对散热膜用取向膜的表面实施摩擦处理。
其次,在散热膜用取向膜的表面上涂布液晶性组成物L5。接着,对于液晶性组成物L5,在以90℃进行1分钟的预煅烧后,照射无偏振紫外线(照射量:3J/cm2),接着,以150℃进行30分钟的主煅烧。结果是液晶性组成物L5中的溶剂(甲苯)完全被去除,并且产生液晶性单体M2的聚合物即液晶性聚合物,由此,形成与第一基板的薄膜晶体管元件重叠的散热膜。此时,由于散热膜用取向膜的作用,液晶性聚合物向散热膜的面内方向取向。由此,无机微粒子沿着液晶性聚合物的取向均一地分布,结果是向散热膜的面内方向均一地分布。散热膜的厚度为60nm。
其次,在形成于第一基板侧的散热膜的表面上、及第二基板的表面上,分别涂布取向膜材料T2。然后,对于取向膜材料T2,在以90℃进行2分钟的预煅烧,以230℃进行40分钟的主煅烧后,从斜40°方向照射偏振紫外线(照射量:20mJ/cm2)。结果会在形成于第一基板侧的散热膜的表面上形成第一取向膜,在第二基板的表面上形成第二取向膜。第一取向膜及第二取向膜均为聚硅氧烷系的垂直光取向膜,其电阻值为1×1014Ω·cm。
其次,在第一基板及第二基板的一个表面上,利用分配器涂布积水化学工业公司制造的紫外线硬化型密封材料“Photolec S-WB”,在另一个表面上滴下负型液晶材料(向列相-各向同性相转变温度:92℃,介电常数各向异性:-2.8)。接着,在真空下,利用密封材料贴合第一基板与第二基板而形成液晶层后,利用紫外线使密封材料硬化。接着,在以130℃进行40分钟的加热,由此,进行液晶层的重新取向处理后,冷却至室温为止。然后,通过配置偏光板、背光源等构件,完成实施例3的液晶显示装置(UV2A模式的液晶显示装置)。
(比较例4)
除了未形成散热膜用取向膜及散热膜以外,与实施例3同样地制造比较例4的液晶显示装置。
(比较例5)
除了未形成散热膜用取向膜,且散热膜中的液晶性聚合物未向散热膜的面内方向取向(结果是散热膜中的无机微粒子未向散热膜的面内方向均一地分布)以外,与实施例3同样地制造比较例5的液晶显示装置。
[评价3]
对实施例3及比较例4、5的液晶显示装置进行与所述评价1相同的评价。将结果表示于表3。
[表3]
如表3所示,在实施例3中,未确认驱动中的液晶层的相转变。而且,在实施例3中,由垂直光取向膜即第一取向膜及第二取向膜产生的高对比度化、与通过减小液晶材料的介电常数各向异性的绝对值并降低向列相-各向同性相转变温度而产生的高速响应化均已被实现。
在比较例4中,与实施例3同样地实现了高对比度化及高速响应化,但因为未配置散热膜,所以特别在薄膜晶体管元件附近的区域中,确认了驱动中的液晶层的相转变(从向列相向各向同性相的相转变)。
在比较例5中,与实施例3同样地实现了高对比度化及高速响应化,但因为散热膜中的液晶性聚合物未向散热膜的面内方向取向(结果是散热膜中的无机微粒子未向散热膜的面内方向均一地分布),所以在薄膜晶体管元件附近的区域中,确认了驱动中的液晶层的相转变(从向列相向各向同性相的相转变)。认为原因在于:薄膜晶体管元件所产生的热也大量地向散热膜的厚度方向传导,结果是液晶层的温度容易局部上升。
(实施例4)
除了使用液晶性组成物L2形成散热膜以外,与实施例1同样地制造实施例4的液晶显示装置。
(实施例5)
除了使用液晶性组成物L3形成散热膜以外,与实施例1同样地制造实施例5的液晶显示装置。
(实施例6)
除了使用液晶性组成物L4形成散热膜以外,与实施例1同样地制造实施例6的液晶显示装置。
[评价4]
对实施例1、4~6的液晶显示装置进行与所述评价1相同的评价。将结果表示于表4。再者,表4中也表示了无机微粒子(此处为氮化硼)相对于液晶性单体(此处为液晶性单体M1)的重量比率(以下称为无机微粒子的重量比率)。
[表4]
如表4所示,在实施例4~6中,与实施例1同样地未确认驱动中的液晶层的相转变。而且,在实施例4~6中,与实施例1同样地,实现了通过减小液晶材料的介电常数各向异性的绝对值并降低向列相-各向同性相转变温度而产生的高速响应化。另一方面,对实施例1、4~6进行比较后,已知对比度随着无机微粒子的重量比率升高而下降。认为原因在于:随着无机微粒子的重量比率升高,由无机微粒子的光散射产生的影响增大。另外,也认为可能是因由无机微粒子的光散射产生的影响,形成第一取向膜及第二取向膜(水平光取向膜)时所进行的光取向处理(偏振紫外线照射)不充分。
(实施例7)
除了使用液晶性组成物L6形成散热膜以外,与实施例1同样地制造实施例7的液晶显示装置。
[评价5]
对实施例1、7的液晶显示装置进行与所述评价1相同的评价。将结果表示于表5。
[表5]
如表5所示,在实施例7中,与实施例1同样地未确认驱动中的液晶层的相转变。而且,在实施例7中,与实施例1同样地,实现了通过减小液晶材料的介电常数各向异性的绝对值并降低向列相-各向同性相转变温度而产生的高速响应化。另一方面,实施例7与实施例1相比,对比度低。认为有可能是取向膜材料T1中的偶氮苯系聚酰胺酸与散热膜中的液晶性单体M3的聚合物(液晶性聚合物)之间的相溶性低,第一取向膜未均一地配置在散热膜的表面上。
[附注]
本发明的一方式也可为液晶显示装置,其依次包括具有薄膜晶体管元件的第一基板、与所述薄膜晶体管元件重叠的散热膜、第一取向膜、液晶层、第二基板,所述散热膜含有液晶性单体的聚合物即液晶性聚合物与无机微粒子,所述液晶性聚合物向所述散热膜的面内方向取向。根据本方式,实现防止驱动中的所述液晶层的相转变的液晶显示装置。
在本发明的一方式中,也可在所述第一基板与所述散热膜之间,还配置对所述液晶性聚合物的取向进行控制的散热膜用取向膜。根据此种结构,能够有效地对所述液晶性聚合物赋予向所述散热膜的面内方向取向的取向性。由此,所述无机微粒子沿着所述液晶性聚合物的取向均一地分布,结果是有效地向所述散热膜的面内方向均一地分布。
在本发明的一方式中,所述液晶性单体也可由下述化学式(1)表示。根据此种结构,能够有效地利用所述液晶性单体。
P1-Sp1-R1-A1-(Z1-A2)n-R2 (1)
(在所述化学式(1)中,R2表示-R3-Sp2-P2基、氢原子、卤素原子、-CN基、-NO2基、-NCO基、-NCS基、-OCN基、-SCN基、-SF6基、或者直链状或分支状的碳数为1~18的烷基。P1及P2相同或不同,且表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基。Sp1及Sp2相同或不同,且表示直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基、直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基氧基、或者直接键结。R1及R3相同或不同,且表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结。A1及A2相同或不同,且表示1,4-亚苯基、萘基-2,6-二基或1,4-亚环己基。A1及A2所具有的氢原子也可由氟原子、氯原子、-CN基、或者碳数为1~6的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷氧羰基氧基取代。Z1表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结。n表示0、1、2或3。)
在本发明的一方式中,所述液晶性单体也可包含由下述化学式(2)及(3)表示的单体中的至少一个单体。根据此种结构,例如在所述第一取向膜为聚酰亚胺系的取向膜的情况下,前驱物即聚酰胺酸与所述液晶性单体的聚合物(所述液晶性聚合物)之间的相溶性提高,因此,所述第一取向膜会均一地配置在所述散热膜的表面上。结果会防止所述液晶显示装置的对比度下降。
[化13]
在本发明的一方式中,所述无机微粒子也可为氮化物。另外,在本发明的一方式中,所述氮化物也可包含选自包含氮化硼、氮化硅及氮化铝的群的至少一种化合物。根据此种结构,所述薄膜晶体管元件所产生的热会有效地向所述散热膜的面内方向传导。
在本发明的一方式中,构成所述液晶层的液晶材料的介电常数各向异性的绝对值也可为3.0以下。根据此种结构,能够防止驱动中的所述液晶层的相转变,并且实现高速响应化。
在本发明的一方式中,所述第一取向膜的电阻值也可为1×1014Ω·cm以下。根据此种结构,能够防止驱动中的所述液晶层的相转变,并且在采用FFS模式等的水平取向模式的情况下,能够抑制闪烁的产生。
在本发明的一方式中,所述无机微粒子相对于所述液晶性单体的重量比率也可为10重量%以上。根据此种结构,所述薄膜晶体管元件所产生的热有效地向所述散热膜的面内方向传导,因此,会充分防止驱动中的所述液晶层的相转变。
在本发明的一方式中,所述第一取向膜也可为具有光反应性官能基的光取向膜。另外,在本发明的一方式中,所述光反应性官能基也可包含偶氮苯基及肉桂酸基中的至少一个基。根据此种结构,可实现所述液晶显示装置的高对比度化。
本发明的另一方式也可为液晶显示装置的制造方法,其是依次包括具有薄膜晶体管元件的第一基板、液晶层、第二基板的液晶显示装置的制造方法,其包含:工序(1),在所述第一基板的表面上,涂布含有液晶性单体及无机微粒子的液晶性组成物;工序(2),通过对所述液晶性组成物照射光而使所述液晶性单体聚合,形成与所述薄膜晶体管元件重叠的散热膜;以及工序(3),在所述散热膜的表面上形成第一取向膜,所述散热膜含有所述液晶性单体的聚合物即液晶性聚合物与所述无机微粒子,所述液晶性聚合物向所述散热膜的面内方向取向。根据本方式,可制造防止驱动中的所述液晶层的相转变的液晶显示装置。
在本发明的另一方式中,所述液晶显示装置的制造方法也可在所述工序(2)与所述工序(3)之间,还包含对所述散热膜的表面实施摩擦处理的工序(4)。根据此种结构,能够有效地对所述液晶性聚合物赋予向所述散热膜的面内方向取向的取向性。由此,所述无机微粒子沿着所述液晶性聚合物的取向均一地分布,结果是有效地向所述散热膜的面内方向均一地分布。
在本发明的另一方式中,所述液晶显示装置的制造方法也可在所述工序(1)之前,还包含在所述第一基板的表面上形成对所述液晶性聚合物的取向进行控制的散热膜用取向膜的工序(5)。根据此种结构,能够有效地对所述液晶性聚合物赋予向所述散热膜的面内方向取向的取向性。由此,所述无机微粒子沿着所述液晶性聚合物的取向均一地分布,结果是有效地向所述散热膜的面内方向均一地分布。
在本发明的另一方式中,也可在所述工序(2)中,进行所述液晶性单体的自由基聚合或缩合聚合。根据此种结构,能够有效地进行所述液晶性单体的聚合反应。
在本发明的另一方式中,所述液晶性单体也可由下述化学式(1)表示。根据此种结构,能够有效地利用所述液晶性单体。
P1-Sp1-R1-A1-(Z1-A2)n-R2 (1)
(在所述化学式(1)中,R2表示-R3-Sp2-P2基、氢原子、卤素原子、-CN基、-NO2基、-NCO基、-NCS基、-OCN基、-SCN基、-SF6基、或者直链状或分支状的碳数为1~18的烷基。P1及P2相同或不同,且表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基。Sp1及Sp2相同或不同,且表示直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基、直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基氧基、或者直接键结。R1及R3相同或不同,且表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结。A1及A2相同或不同,且表示1,4-亚苯基、萘基-2,6-二基或1,4-亚环己基。A1及A2所具有的氢原子也可由氟原子、氯原子、-CN基、或者碳数为1~6的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷氧羰基氧基取代。Z1表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结。n表示0、1、2或3。)
在本发明的另一方式中,所述液晶性单体也可包含由下述化学式(2)及(3)表示的单体中的至少一个单体。根据此种结构,例如在所述第一取向膜为聚酰亚胺系的取向膜的情况下,前驱物即聚酰胺酸与所述液晶性单体的聚合物(所述液晶性聚合物)之间的相溶性提高,因此,能够将所述第一取向膜均一地配置在所述散热膜的表面上。结果会防止所述液晶显示装置的对比度下降。
[化14]
在本发明的另一方式中,所述无机微粒子也可为氮化物。另外,在本发明的另一方式中,所述氮化物也可包含选自包含氮化硼、氮化硅及氮化铝的群的至少一种化合物。根据此种结构,可获得使所述薄膜晶体管元件所产生的热有效地向面内方向传导的所述散热膜。
在本发明的另一方式中,构成所述液晶层的液晶材料的介电常数各向异性的绝对值也可为3.0以下。根据此种结构,可制造防止驱动中的所述液晶层的相转变,并且实现高速响应化的液晶显示装置。
在本发明的另一方式中,所述第一取向膜的电阻值也可为1×1014Ω·cm以下。根据此种结构,可制造如下液晶显示装置,该液晶显示装置防止驱动中的所述液晶层的相转变,并且在采用FFS模式等的水平取向模式的情况下,抑制闪烁的产生。
在本发明的另一方式中,所述无机微粒子相对于所述液晶性单体的重量比率也可为10重量%以上。根据此种结构,所述薄膜晶体管元件所产生的热有效地向所述散热膜的面内方向传导,因此,可制造充分防止驱动中的所述液晶层的相转变的液晶显示装置。
在本发明的另一方式中,所述第一取向膜也可为具有光反应性官能基的光取向膜。另外,在本发明的另一方式中,所述光反应性官能基也可包含偶氮苯基及肉桂酸基中的至少一个基。根据此种结构,可实现所述液晶显示装置的高对比度化。
附图标记说明
1a、1b:液晶显示装置
2:第一基板
3:散热膜
4:第一取向膜
5:液晶层
6:第二取向膜
7:第二基板
8:散热膜用取向膜
10:支撑基材
11:薄膜晶体管元件
12:栅极电极
13:栅极绝缘膜
14:半导体层
15:源极电极
16:漏极电极
17a、17b:层间绝缘膜
18:像素电极
19:共用电极
20:无机微粒子
21:液晶性组成物
Claims (20)
1.一种液晶显示装置,其特征在于,依次包括:
第一基板,其具有薄膜晶体管元件;
散热膜,其与所述薄膜晶体管元件重叠;
第一取向膜;
液晶层;以及
第二基板,
所述散热膜含有液晶性单体的聚合物即液晶性聚合物与无机微粒子,
所述液晶性聚合物在所述散热膜的面内方向上取向。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于:
在所述第一基板与所述散热膜之间,还配置有对所述液晶性聚合物的取向进行控制的散热膜用取向膜。
3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述液晶性单体由下述化学式(1)表示,
P1-Sp1-R1-A1-(Z1-A2)n-R2 (1)
在所述化学式(1)中,R2表示-R3-Sp2-P2基、氢原子、卤素原子、-CN基、-NO2基、-NCO基、-NCS基、-OCN基、-SCN基、-SF6基、或者直链状或分支状的碳数为1~18的烷基;P1及P2相同或不同,且表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基;Sp1及Sp2相同或不同,且表示直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基、直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基氧基、或者直接键结;’R1及R3相同或不同,且表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结;A1及A2相同或不同,且表示1,4-亚苯基、萘基-2,6-二基或1,4-亚环己基;A1及A2所具有的氢原子也可由氟原子、氯原子、-CN基、或者碳数为1~6的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷氧羰基氧基取代;Z1表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结;n表示0、1、2或3。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述无机微粒子为氮化物。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述氮化物包含选自包含氮化硼、氮化硅及氮化铝的群的至少一种化合物。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
构成所述液晶层的液晶材料的介电常数各向异性的绝对值为3.0以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一取向膜的电阻值为1×1014Ω·cm以下。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述无机微粒子相对于所述液晶性单体的重量比率为10重量%以上。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一取向膜为具有光反应性官能基的光取向膜。
11.根据权利要求10所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述光反应性官能基包含偶氮苯基及肉桂酸基中的至少一个。
12.一种液晶显示装置的制造方法,其是依次包括具有薄膜晶体管元件的第一基板、液晶层、第二基板的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,包含:
工序(1),在所述第一基板的表面上,涂布含有液晶性单体及无机微粒子的液晶性组成物;
工序(2),通过对所述液晶性组成物照射光而使所述液晶性单体聚合,形成与所述薄膜晶体管元件重叠的散热膜;以及
工序(3),在所述散热膜的表面上形成第一取向膜,
所述散热膜含有所述液晶性单体的聚合物即液晶性聚合物与所述无机微粒子,
所述液晶性聚合物向所述散热膜的面内方向取向。
13.根据权利要求12所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:
在所述工序(2)与所述工序(3)之间,还包含对所述散热膜的表面实施摩擦处理的工序(4)。
14.根据权利要求12所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:
在所述工序(1)之前,还包含在所述第一基板的表面上形成对所述液晶性聚合物的取向进行控制的散热膜用取向膜的工序(5)。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:
在所述工序(2)中,进行所述液晶性单体的自由基聚合或缩合聚合。
16.根据权利要求12至15中任一项所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:
所述液晶性单体由下述化学式(1)表示,
P1-Sp1-R1-A1-(Z1-A2)n-R2 (1)
在所述化学式(1)中,R2表示-R3-Sp2-P2基、氢原子、卤素原子、-CN基、-NO2基、-NCO基、-NCS基、-OCN基、-SCN基、-SF6基、或者直链状或分支状的碳数为1~18的烷基;P1及P2相同或不同,且表示丙烯酰氧基或甲基丙烯酰氧基;Sp1及Sp2相同或不同,且表示直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基、直链状、分支状或环状的碳数为1~6的亚烷基氧基、或者直接键结;R1及R3相同或不同,且表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结;A1及A2相同或不同,且表示1,4-亚苯基、萘基-2,6-二基或1,4-亚环己基;A1及A2所具有的氢原子也可由氟原子、氯原子、-CN基、或者碳数为1~6的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷氧羰基氧基取代;Z1表示-O-基、-S-基、-NH-基、-CO-基、-COO-基、-OCO-基、或直接键结;n表示0、1、2或3。
18.根据权利要求12至17中任一项所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:
所述无机微粒子为氮化物。
19.根据权利要求18所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:
所述氮化物包含选自包含氮化硼、氮化硅及氮化铝的群的至少一种化合物。
20.根据权利要求12至19中任一项所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于:
构成所述液晶层的液晶材料的介电常数各向异性的绝对值为3.0以下。
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