WO2019031398A1

WO2019031398A1 - 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法

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Publication number: WO2019031398A1
Application number: PCT/JP2018/029155
Authority: WO
Inventors: 真伸水▲崎▼; 博司土屋
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2017-08-10
Filing date: 2018-08-03
Publication date: 2019-02-14
Also published as: CN111373319B; US20200377795A1; CN111373319A

Abstract

本発明は、駆動中の液晶層の相転移が防止される液晶表示装置を提供する。本発明の液晶表示装置は、薄膜トランジスタ素子（１１）を有する第一の基板（２）と、上記薄膜トランジスタ素子と重畳する放熱膜（３）と、第一の配向膜（４）と、液晶層（５）と、第二の基板（７）とを順に備え、上記放熱膜は、液晶性モノマーの重合体である液晶性ポリマーと、無機微粒子（２０）とを含有し、上記液晶性ポリマーは、上記放熱膜の面内方向に配向し、好ましくは、上記液晶性モノマーは、所定の化学式で表される。

Description

液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法

本発明は、液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法に関する。より詳しくは、薄膜トランジスタ素子を有する液晶表示装置、及び、上記液晶表示装置の製造方法に関するものである。

電子機器を駆動する際、半導体素子の温度が高くなり過ぎないようにするため、半導体素子から発生する熱を外部へ放熱させる方法が検討されている（例えば、特許文献１参照）。

国際公開第２０１５／１７０７４４号

近年、液晶表示装置においては、テレビ、カーナビゲーション等の用途で高速応答化が求められており、例えば、液晶層において、液晶材料の誘電率異方性（絶対値）を小さくしたり、液晶材料のネマティック相－等方相転移温度を低くしたりすることがあった。しかしながら、薄膜トランジスタ素子を有する液晶表示装置において、液晶材料の誘電率異方性（絶対値）を小さくすると、駆動電圧が高くなるために、薄膜トランジスタ素子への負荷が大きくなり、その結果、薄膜トランジスタ素子が大きく発熱することがあった。これにより、薄膜トランジスタ素子から発生する熱によって、液晶層中の薄膜トランジスタ素子近傍の領域の温度が上がるため、ネマティック相－等方相転移温度が低い液晶材料を用いると、駆動中に、液晶層がネマティック相から等方相へ相転移しやすくなることがあった。また、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等の水平配向モードの液晶表示装置においては、フリッカの発生を抑制する目的で配向膜の抵抗値を低くすることがあるため、薄膜トランジスタ素子から発生する熱が、配向膜を通じて液晶層へ伝導しやすくなることがあった。

これに対して、本発明者らは、薄膜トランジスタ素子から発生する熱が液晶層に伝導しないようにするため、薄膜トランジスタ素子と液晶層との間に断熱膜を配置することを検討した。しかしながら、薄膜トランジスタ素子と液晶層との間に断熱膜を配置すると、薄膜トランジスタ素子から発生する熱の逃げ場がないために、薄膜トランジスタ素子の温度が上がり過ぎてしまい、その特性（例えば、移動度、オフリーク電流値等）が変化してしまうことがあった。

以上のように、従来の液晶表示装置に対しては、駆動中の液晶層の相転移を防止するという課題があった。しかしながら、上記課題を解決する手段は見出されていなかった。例えば、上記特許文献１には、放熱部材を液晶表示装置に適用する具体的な方法が記載されておらず、改善の余地があった。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、駆動中の液晶層の相転移が防止される液晶表示装置と、上記液晶表示装置の製造方法とを提供することを目的とするものである。

本発明者らは、駆動中の液晶層の相転移が防止される液晶表示装置と、上記液晶表示装置の製造方法とについて種々検討したところ、薄膜トランジスタ素子から発生する熱を面内方向に伝導する放熱膜を利用することに着目した。そして、このような放熱膜を利用すれば、薄膜トランジスタ素子から発生する熱が、液晶層中の薄膜トランジスタ素子近傍の領域のみに伝導しにくくなるため、液晶層の温度が局所的に上がりにくくなることを見出した。これにより、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明の一態様は、薄膜トランジスタ素子を有する第一の基板と、上記薄膜トランジスタ素子と重畳する放熱膜と、第一の配向膜と、液晶層と、第二の基板とを順に備え、上記放熱膜は、液晶性モノマーの重合体である液晶性ポリマーと、無機微粒子とを含有し、上記液晶性ポリマーは、上記放熱膜の面内方向に配向している液晶表示装置であってもよい。

本発明の一態様において、上記第一の基板と上記放熱膜との間には、上記液晶性ポリマーの配向を制御する放熱膜用配向膜が更に配置されていてもよい。

本発明の一態様において、上記液晶性モノマーは、下記化学式（１）で表されてもよい。
Ｐ^１－Ｓｐ^１－Ｒ^１－Ａ^１－（Ｚ^１－Ａ^２）_ｎ－Ｒ^２　（１）
（上記化学式（１）中、Ｒ^２は、－Ｒ^３－Ｓｐ^２－Ｐ^２基、水素原子、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_６基、又は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１～１８のアルキル基を表す。Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、同一又は異なって、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレン基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。Ｒ^１及びＲ^３は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－２，６－ジイル基、又は、１，４－シクロヘキシレン基を表す。Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Ｚ^１は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。ｎは、０、１、２、又は、３を表す。）

本発明の一態様において、上記液晶性モノマーは、下記化学式（２）及び（３）で表されるモノマーのうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。

本発明の一態様において、上記無機微粒子は、窒化物であってもよい。

本発明の一態様において、上記窒化物は、窒化ホウ素、窒化ケイ素、及び、窒化アルミニウムからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含んでいてもよい。

本発明の一態様において、上記液晶層を構成する液晶材料の誘電率異方性の絶対値は、３．０以下であってもよい。

本発明の一態様において、上記第一の配向膜の抵抗値は、１×１０^１４Ω・ｃｍ以下であってもよい。

本発明の一態様において、上記液晶性モノマーに対する上記無機微粒子の重量比率は、１０重量％以上であってもよい。

本発明の一態様において、上記第一の配向膜は、光反応性官能基を有する光配向膜であってもよい。

本発明の一態様において、上記光反応性官能基は、アゾベンゼン基及びシンナメート基のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。

本発明の別の一態様は、薄膜トランジスタ素子を有する第一の基板と、液晶層と、第二の基板とを順に備える液晶表示装置の製造方法であって、上記第一の基板の表面上に、液晶性モノマー及び無機微粒子を含有する液晶性組成物を塗布する工程（１）と、上記液晶性組成物に光を照射することによって上記液晶性モノマーを重合させて、上記薄膜トランジスタ素子と重畳する放熱膜を形成する工程（２）と、上記放熱膜の表面上に、第一の配向膜を形成する工程（３）とを含み、上記放熱膜は、上記液晶性モノマーの重合体である液晶性ポリマーと、上記無機微粒子とを含有し、上記液晶性ポリマーは、上記放熱膜の面内方向に配向している液晶表示装置の製造方法であってもよい。

本発明の別の一態様において、上記液晶表示装置の製造方法は、上記工程（２）と上記工程（３）との間に、上記放熱膜の表面にラビング処理を施す工程（４）を更に含んでいてもよい。

本発明の別の一態様において、上記液晶表示装置の製造方法は、上記工程（１）の前に、上記第一の基板の表面上に、上記液晶性ポリマーの配向を制御する放熱膜用配向膜を形成する工程（５）を更に含んでいてもよい。

本発明の別の一態様において、上記工程（２）では、上記液晶性モノマーのラジカル重合又は縮合重合が行われてもよい。

本発明の別の一態様において、上記液晶性モノマーは、下記化学式（１）で表されてもよい。
Ｐ^１－Ｓｐ^１－Ｒ^１－Ａ^１－（Ｚ^１－Ａ^２）_ｎ－Ｒ^２　（１）
（上記化学式（１）中、Ｒ^２は、－Ｒ^３－Ｓｐ^２－Ｐ^２基、水素原子、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_６基、又は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１～１８のアルキル基を表す。Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、同一又は異なって、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレン基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。Ｒ^１及びＲ^３は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－２，６－ジイル基、又は、１，４－シクロヘキシレン基を表す。Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Ｚ^１は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。ｎは、０、１、２、又は、３を表す。）

本発明の別の一態様において、上記液晶性モノマーは、下記化学式（２）及び（３）で表されるモノマーのうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。

本発明の別の一態様において、上記無機微粒子は、窒化物であってもよい。

本発明の別の一態様において、上記窒化物は、窒化ホウ素、窒化ケイ素、及び、窒化アルミニウムからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含んでいてもよい。

本発明の別の一態様において、上記液晶層を構成する液晶材料の誘電率異方性の絶対値は、３．０以下であってもよい。

本発明の別の一態様において、上記第一の配向膜の抵抗値は、１×１０^１４Ω・ｃｍ以下であってもよい。

本発明の別の一態様において、上記液晶性モノマーに対する上記無機微粒子の重量比率は、１０重量％以上であってもよい。

本発明の別の一態様において、上記第一の配向膜は、光反応性官能基を有する光配向膜であってもよい。

本発明の別の一態様において、上記光反応性官能基は、アゾベンゼン基及びシンナメート基のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。

本発明によれば、駆動中の液晶層の相転移が防止される液晶表示装置と、上記液晶表示装置の製造方法とを提供することができる。

実施形態１の液晶表示装置を示す断面模式図である。図１中の第一の基板の構成例１を示す断面模式図である。図１中の第一の基板の構成例２を示す断面模式図である。実施形態１の液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。実施形態２の液晶表示装置を示す断面模式図である。図５中の第一の基板の構成例１を示す断面模式図である。図５中の第一の基板の構成例２を示す断面模式図である。実施形態２の液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。また、各実施形態の構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよいし、変更されてもよい。

本明細書中、「Ｘ～Ｙ」は、「Ｘ以上、Ｙ以下」を意味する。

［実施形態１］
実施形態１の液晶表示装置及びその製造方法について、以下に説明する。

（１）液晶表示装置
実施形態１の液晶表示装置について、図１を参照して以下に説明する。図１は、実施形態１の液晶表示装置を示す断面模式図である。

液晶表示装置１ａは、第一の基板２、放熱膜３、第一の配向膜４、液晶層５、第二の配向膜６、及び、第二の基板７を順に有している。第一の基板２と第二の基板７とは、互いに対向して配置されており、液晶層５を挟持するようにシール材（図示せず）を介して貼り合わされている。

＜第二の基板＞
第二の基板７は、カラーフィルタ基板であってもよい。カラーフィルタ基板としては、例えば、支持基材の表面上に、カラーフィルタ層、ブラックマトリクス等が配置される構成が挙げられる。

支持基材の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック等が挙げられる。

カラーフィルタ層の材料としては、例えば、顔料分散型のカラーレジスト等が挙げられる。カラーフィルタ層の色の組み合わせは特に限定されず、例えば、赤色、緑色、及び、青色の組み合わせ、赤色、緑色、青色、及び、黄色の組み合わせ等が挙げられる。

ブラックマトリクスの材料としては、例えば、黒色のレジスト等が挙げられる。

第二の基板７は、液晶表示装置１ａの表示モードに応じて、電極を更に有していてもよい。この電極は、例えば、ブラックマトリクスを覆うように配置されていてもよい。

＜第二の配向膜＞
第二の基板７の液晶層５側の表面上には、図１に示すように、第二の配向膜６が配置されていてもよい。第二の配向膜６は、液晶層５を構成する液晶材料中の液晶分子の配向を制御可能な膜として機能する。第二の配向膜６は、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリマレイミド、ポリアミド、ポリシロキサン、ポリフォスファゼン、ポリシルセスキオキサン、及び、これらの共重合体からなる群より選択される少なくとも一種の化合物で構成される膜（単層膜及び積層膜のいずれであってもよい）、又は、シリコン酸化物が斜方蒸着された膜であってもよい。第二の配向膜６の表面には、光配向処理、ラビング処理等の配向処理が施されていてもよい。

＜第一の基板＞
第一の基板２の構成例について、図２、３を参照して以下に説明する。

（構成例１）
図２は、図１中の第一の基板の構成例１を示す断面模式図である。図２では、第一の基板２として、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＵＶ^２Ａ（Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ　ｉｎｄｕｃｅｄ　Ｍｕｌｔｉ－ｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－ｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等の液晶表示装置に適用される薄膜トランジスタアレイ基板が例示されている。なお、図２では、図１との関係を分かりやすくするために、放熱膜３及び第一の配向膜４も図示している。

図２に示すように、第一の基板２は、支持基材１０と、薄膜トランジスタ素子１１と、層間絶縁膜１７ａと、画素電極１８とを有している。

薄膜トランジスタ素子１１は、ゲート電極１２と、ゲート絶縁膜１３と、半導体層１４と、ソース電極１５と、ドレイン電極１６とを有している。ゲート電極１２は、支持基材１０の表面上に配置され、ゲート絶縁膜１３で覆われている。半導体層１４は、ゲート絶縁膜１３の支持基材１０とは反対側の表面上に配置されている。半導体層１４は、一端がソース電極１５で覆われて電気的に接続されており、他端がドレイン電極１６で覆われて電気的に接続されている。

層間絶縁膜１７ａは、薄膜トランジスタ素子１１を覆っており、その一部に開口が設けられている。

画素電極１８は、層間絶縁膜１７ａの支持基材１０とは反対側の表面上に配置され、層間絶縁膜１７ａに設けられる開口を介してドレイン電極１６と電気的に接続されている。

（構成例２）
図３は、図１中の第一の基板の構成例２を示す断面模式図である。図３では、第一の基板２として、ＦＦＳモードの液晶表示装置に適用される薄膜トランジスタアレイ基板が例示されている。なお、図３では、図１との関係を分かりやすくするために、放熱膜３及び第一の配向膜４も図示している。構成例２は、２層電極構造であること以外、構成例１と同様であるため、重複する点については説明を適宜省略する。

図３に示すように、第一の基板２は、支持基材１０と、薄膜トランジスタ素子１１と、層間絶縁膜１７ａと、共通電極１９と、層間絶縁膜１７ｂと、画素電極１８とを有している。

共通電極１９は、層間絶縁膜１７ａの支持基材１０とは反対側の表面上に配置されている。

層間絶縁膜１７ｂは、共通電極１９を覆っており、その一部に開口が設けられている。

画素電極１８は、層間絶縁膜１７ｂの支持基材１０とは反対側の表面上に配置され、層間絶縁膜１７ａ、１７ｂに設けられる開口を介してドレイン電極１６と電気的に接続されている。

支持基材１０の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック等が挙げられる。

ゲート電極１２、ソース電極１５、及び、ドレイン電極１６の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、チタン、モリブデン、クロム等の金属材料が挙げられる。

ゲート絶縁膜１３の材料としては、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物等の無機材料が挙げられる。

半導体層１４の材料としては、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、酸化物半導体等が挙げられる。中でも、低消費電力及び高速駆動の観点からは、酸化物半導体が好ましい。酸化物半導体によれば、オフリーク電流（薄膜トランジスタ素子１１がオフ状態であるときのリーク電流）が少ないために低消費電力が実現可能であり、オン電流（薄膜トランジスタ素子１１がオン状態であるときの電流）が多いために高速駆動が実現可能である。酸化物半導体としては、例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛、及び、酸素から構成される化合物、インジウム、スズ、亜鉛、及び、酸素から構成される化合物等が挙げられる。

層間絶縁膜１７ａ、１７ｂの材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料；シリコン窒化物等の無機材料が挙げられる。

画素電極１８及び共通電極１９の材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明材料（無機材料）が挙げられる。

＜放熱膜＞
放熱膜３は、図２、３に示すように、第一の基板２の薄膜トランジスタ素子１１と重畳している。液晶層５の温度を局所的に上がりにくくする観点から、放熱膜３は、薄膜トランジスタ素子１１の配置領域よりも広く配置されていることが好ましく、第一の基板２の全面に配置されていることがより好ましい。

放熱膜３は、液晶性モノマーの重合体である液晶性ポリマーと、無機微粒子２０とを含有するものである。無機微粒子２０は、液晶性ポリマー中に分散している。

液晶性ポリマーは、放熱膜３の厚み方向ではなく、放熱膜３の面内方向に配向している。無機微粒子２０は、液晶性ポリマーの配向に沿って均一に分布し、結果的に、放熱膜３の面内方向に均一に分布することになる。ここで、無機微粒子２０が放熱膜３の面内方向に均一に分布するとは、無機微粒子２０が一定の微小面積当たりにほぼ均等数存在することを意味する。無機微粒子２０の間隔は、同一平面において、無機微粒子２０の長軸の長さの５倍以下であることが好ましい。以上より、放熱膜３によれば、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が、液晶性ポリマー及び無機微粒子２０を通じて放熱膜３の面内方向に伝導する。その結果、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が、液晶層５中の薄膜トランジスタ素子１１近傍の領域のみに伝導しにくくなるため、液晶層５の温度が局所的に上がりにくくなり、駆動中の液晶層５の相転移が防止される。

上述したような液晶性ポリマーが有する配向性は、例えば、放熱膜３の表面にラビング処理を施すことによって付与される。ここで、液晶性ポリマーが放熱膜３の面内方向に配向するとは、断面視において、液晶性ポリマーの長軸が放熱膜３の表面に対して傾斜する角度が、０～５°であることを意味し、好ましくは０～２°である。液晶性ポリマーは、平面視において、一方向に配向していてもよく、複数方向にランダムに配向していてもよいが、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が効率的に伝導する観点からは、一方向に配向していることが好ましい。例えば、放熱膜３の表面に一方向のラビング処理が施されている場合、液晶性ポリマーは、平面視において、ラビング処理が施された方向に沿って配向する。液晶性ポリマーの配向性は、例えば、可視紫外領域の偏光吸収による測定、リタデーション測定等の方法によって確認可能である。

液晶性モノマーは、下記化学式（１）で表されることが好ましい。
Ｐ^１－Ｓｐ^１－Ｒ^１－Ａ^１－（Ｚ^１－Ａ^２）_ｎ－Ｒ^２　（１）
（上記化学式（１）中、Ｒ^２は、－Ｒ^３－Ｓｐ^２－Ｐ^２基、水素原子、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_６基、又は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１～１８のアルキル基を表す。Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、同一又は異なって、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレン基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。Ｒ^１及びＲ^３は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－２，６－ジイル基、又は、１，４－シクロヘキシレン基を表す。Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Ｚ^１は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。ｎは、０、１、２、又は、３を表す。）

第一の配向膜４がポリイミド系の配向膜である場合、上記化学式（１）中のＲ^１（Ｒ^３）及びＺ^１は、第一の配向膜４との密着性を高める観点から、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、又は、－ＯＣＯ－基であることが好ましい。また、上記化学式（１）中のＡ^１及びＡ^２のうちの少なくとも一方は、第一の配向膜４中の芳香族ユニットとの相互作用を高める観点から、１，４－フェニレン基又はナフタレン－２，６－ジイル基であることが好ましい。

液晶性モノマーは、下記化学式（２）及び（３）で表されるモノマーのうちの少なくとも一方を含んでいることがより好ましい。このような液晶性モノマーの重合体（液晶性ポリマー）を含有する放熱膜３によれば、例えば、第一の配向膜４がポリイミド系の配向膜である場合に、前駆体であるポリアミック酸との相溶性が高まるため、第一の配向膜４が放熱膜３の表面上に均一に配置される。その結果、液晶表示装置１ａのコントラストの低下が防止される。

無機微粒子２０は、窒化物であることが好ましい。窒化物は、窒化ホウ素、窒化ケイ素、及び、窒化アルミニウムからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含むことが好ましい。このような無機微粒子２０によれば、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が、放熱膜３の面内方向に効率的に伝導する。

液晶性モノマーに対する無機微粒子２０の重量比率は、１０重量％以上であることが好ましい。液晶性モノマーに対する無機微粒子２０の重量比率が１０重量％以上であれば、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が放熱膜３の面内方向に効率的に伝導するため、駆動中の液晶層５の相転移が充分に防止される。一方、液晶性モノマーに対する無機微粒子２０の重量比率が高過ぎると、無機微粒子２０の光散乱による影響で、液晶表示装置１ａのコントラストが低下することがある。このような観点から、液晶性モノマーに対する無機微粒子２０の重量比率は、４０重量％以下であることが好ましい。

放熱膜３の厚みは特に限定されないが、３０～３０００ｎｍであることが好ましい。放熱膜３の厚みが３０ｎｍよりも小さい場合、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が、液晶層５中の薄膜トランジスタ素子１１近傍の領域に優先的に伝導することがある。放熱膜３の厚みが３０００ｎｍよりも大きい場合、放熱膜３による位相差等の影響で、液晶表示装置１ａの表示特性（特に、コントラスト）が低下することがある。

＜第一の配向膜＞
第一の配向膜４は、液晶層５を構成する液晶材料中の液晶分子の配向を制御可能な膜として機能する。第一の配向膜４は、第二の配向膜６と同様に、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリマレイミド、ポリアミド、ポリシロキサン、ポリフォスファゼン、ポリシルセスキオキサン、及び、これらの共重合体からなる群より選択される少なくとも一種の化合物で構成される膜（単層膜及び積層膜のいずれであってもよい）、又は、シリコン酸化物が斜方蒸着された膜であってもよい。第一の配向膜４の表面には、光配向処理、ラビング処理等の配向処理が施されていてもよい。

第一の配向膜４は、光反応性官能基を有する光配向膜であってもよい。光反応性官能基は、光照射されることによって、配向規制力を発現可能である、すなわち、液晶分子の配向を制御可能である官能基である。光反応性官能基は、アゾベンゼン基及びシンナメート基のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。このような第一の配向膜４によれば、液晶表示装置１ａの高コントラスト化が実現可能である。なお、第二の配向膜６も、上述したような光配向膜であってもよい。

第一の配向膜４は、水平配向膜であってもよい。水平配向膜は、近傍に存在する液晶分子を表面に対して平行方向に配向させる機能を有する。ここで、液晶分子が水平配向膜の表面に対して平行方向に配向するとは、液晶分子のプレチルト角が、水平配向膜の表面に対して０～５°であることを意味し、好ましくは０～２°であり、より好ましくは０～１°である。液晶分子のプレチルト角は、液晶層５への印加電圧が閾値電圧未満である場合（電圧無印加時を含む）に、液晶分子の長軸が配向膜の表面に対して傾斜する角度を意味する。液晶表示装置１ａの表示モードが水平配向モード（例えば、ＦＦＳモード、ＩＰＳモード等）である場合、水平配向膜が適用される。水平配向膜は、上述したような光反応性官能基を有する水平光配向膜であってもよい。なお、第二の配向膜６も、上述したような水平配向膜（水平光配向膜）であってもよい。

第一の配向膜４は、垂直配向膜であってもよい。垂直配向膜は、近傍に存在する液晶分子を表面に対して垂直方向に配向させる機能を有する。ここで、液晶分子が垂直配向膜の表面に対して垂直方向に配向するとは、液晶分子のプレチルト角が、垂直配向膜の表面に対して８２～９０°であることを意味し、好ましくは８６～９０°であり、より好ましくは８８～９０°である。液晶表示装置１ａの表示モードが垂直配向モード（例えば、ＵＶ^２Ａモード、ＭＶＡモード等）である場合、垂直配向膜が適用される。垂直配向膜は、上述したような光反応性官能基を有する垂直光配向膜であってもよい。なお、第二の配向膜６も、上述したような垂直配向膜（垂直光配向膜）であってもよい。

第一の配向膜４の抵抗値は、１×１０^１４Ω・ｃｍ以下であってもよい。従来の液晶表示装置では、ＦＦＳモード等の水平配向モードを採用する場合に、フリッカの発生を抑制する目的で配向膜の抵抗値を低くする（例えば、１×１０^１４Ω・ｃｍ以下）ことがあるため、薄膜トランジスタ素子から発生する熱が、配向膜を通じて液晶層へ伝導しやすくなり、その結果、駆動中に液晶層が相転移しやすくなることがあった。これに対して、本実施形態によれば、第一の基板２（薄膜トランジスタ素子１１）と第一の配向膜４との間に放熱膜３が配置されているため、第一の配向膜４の抵抗値が低い場合（例えば、１×１０^１４Ω・ｃｍ以下）であっても、駆動中の液晶層５の相転移が防止される。なお、第一の配向膜４は、光反応性官能基を有する光配向膜である場合や、ポリイミド系の配向膜である場合（特に、酸無水物ユニットが芳香族化合物由来である場合）に、抵抗値が１×１０^１４Ω・ｃｍ以下になりやすい。一方、第一の配向膜４の抵抗値が１×１０^１４Ω・ｃｍよりも高い場合、液晶表示装置１ａのコントラストが低下することがある。

第一の配向膜４の厚みは、１２０ｎｍ以下であってもよい。従来の液晶表示装置では、配向膜の厚みを小さくすると（例えば、１２０ｎｍ以下）、薄膜トランジスタ素子から発生する熱が、配向膜を通じて液晶層へ伝導しやすくなり、その結果、駆動中に液晶層が相転移しやすくなることがあった。これに対して、本実施形態によれば、第一の基板２（薄膜トランジスタ素子１１）と第一の配向膜４との間に放熱膜３が配置されているため、第一の配向膜４の厚みが小さい場合（例えば、１２０ｎｍ以下）であっても、駆動中の液晶層５の相転移が防止される。

＜液晶層＞
液晶層５を構成する液晶材料は、ネマティック液晶材料であることが好ましい。ネマティック液晶材料は、昇温過程で、ネマティック相から等方相へ相転移するものであってもよい。この場合、液晶層５を構成する液晶材料のネマティック相－等方相転移温度は、９７℃以下であってもよい。従来の液晶表示装置では、高速応答化を図る目的で、液晶材料のネマティック相－等方相転移温度を低くすると（例えば、９７℃以下）、薄膜トランジスタ素子から発生する熱によって、液晶層中の薄膜トランジスタ素子近傍の領域において、駆動中に液晶層が相転移しやすくなることがあった。これに対して、本実施形態によれば、第一の基板２（薄膜トランジスタ素子１１）と第一の配向膜４との間に放熱膜３が配置されているため、液晶材料のネマティック相－等方相転移温度を低くして（例えば、９７℃以下）、高速応答化を図りたい場合であっても、駆動中の液晶層５の相転移が防止される。

液晶層５を構成する液晶材料は、負の誘電率異方性（Δε＜０）を有するネガ型液晶材料であってもよく、正の誘電率異方性（Δε＞０）を有するポジ型液晶材料であってもよい。液晶層５を構成する液晶材料の誘電率異方性の絶対値は、３．０以下であってもよい。従来の液晶表示装置では、高速応答化を図る目的で、液晶材料の誘電率異方性の絶対値を小さくすると、駆動電圧が高くなるために、薄膜トランジスタ素子が大きく発熱し、液晶層中の薄膜トランジスタ素子近傍の領域において、駆動中に液晶層が相転移しやすくなることがあった。これに対して、本実施形態によれば、第一の基板２（薄膜トランジスタ素子１１）と第一の配向膜４との間に放熱膜３が配置されているため、液晶材料の誘電率異方性の絶対値を小さくして（例えば、３．０以下）、高速応答化を図りたい場合であっても、駆動中の液晶層５の相転移が防止される。一方、液晶層５を構成する液晶材料の誘電率異方性の絶対値が３．０よりも大きい場合、液晶表示装置１ａの応答特性が低下することがある。

以上のように、本実施形態によれば、特に、第一の配向膜の特性、液晶層の特性等の条件によって駆動中に液晶層が相転移しやすくなると想定される場合にも、放熱膜による効果が発揮される。

液晶表示装置１ａは、第一の基板２の液晶層５とは反対側、及び、第二の基板７の液晶層５とは反対側に、一対の偏光板を更に有していてもよい。一対の偏光板としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムにヨウ素錯体（又は染料）等の異方性材料を、染色及び吸着させてから延伸配向させた直線偏光板（吸収型偏光板）等を用いることができる。

液晶表示装置１ａは、第一の基板２の液晶層５とは反対側に、バックライトを更に有していてもよい。この場合、液晶表示装置１ａは、透過型の液晶表示装置となる。バックライトの方式は特に限定されず、例えば、エッジライト方式、直下型方式等が挙げられる。バックライトの光源の種類は特に限定されず、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、冷陰極管（ＣＣＦＬ）等が挙げられる。

液晶表示装置１ａは、上述した部材の他に、液晶表示装置の分野で一般的に用いられる部材を更に有していてもよく、例えば、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、プリント回路基板（ＰＣＢ）等の外部回路；視野角拡大フィルム、輝度向上フィルム等の光学フィルム；ベゼル（フレーム）等を適宜有していてもよい。

（２）液晶表示装置の製造方法
実施形態１の液晶表示装置の製造方法について、図４を参照して（図２、３も適宜参照して）以下に説明する。図４は、実施形態１の液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。なお、液晶表示装置を製造する際に用いられる部材（材料）については、上述した内容と重複する点の説明を適宜省略する。

＜液晶性組成物の塗布＞
まず、図４（ａ）に示すように、第一の基板２の表面上に、液晶性モノマー及び無機微粒子２０を含有する液晶性組成物２１を塗布する。

後に形成される第一の配向膜４がポリイミド系の配向膜である場合、上記化学式（１）中のＲ^１（Ｒ^３）及びＺ^１は、第一の配向膜４との密着性を高める観点から、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、又は、－ＯＣＯ－基であることが好ましい。また、上記化学式（１）中のＡ^１及びＡ^２のうちの少なくとも一方は、第一の配向膜４中の芳香族ユニットとの相互作用を高める観点から、１，４－フェニレン基又はナフタレン－２，６－ジイル基であることが好ましい。

液晶性モノマーは、下記化学式（２）及び（３）で表されるモノマーのうちの少なくとも一方を含んでいることがより好ましい。このような液晶性モノマーを用いれば、例えば、後に形成される第一の配向膜４がポリイミド系の配向膜である場合に、前駆体であるポリアミック酸との相溶性が高まるため、第一の配向膜４を後に形成される放熱膜３の表面上に均一に配置することができる。その結果、後に形成される液晶表示装置１ａのコントラストの低下が防止される。

無機微粒子２０は、窒化物であることが好ましい。窒化物は、窒化ホウ素、窒化ケイ素、及び、窒化アルミニウムからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含むことが好ましい。このような無機微粒子２０によれば、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が面内方向に効率的に伝導する放熱膜３が得られる。

液晶性組成物２１において、液晶性モノマーに対する無機微粒子２０の重量比率は、１０重量％以上であることが好ましい。液晶性モノマーに対する無機微粒子２０の重量比率が１０重量％以上であれば、後に形成される放熱膜３において、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が面内方向に効率的に伝導する状態が得られる。一方、液晶性モノマーに対する無機微粒子２０の重量比率が高過ぎると、無機微粒子２０の光散乱による影響で、後に形成される液晶表示装置１ａのコントラストが低下することがある。このような観点から、液晶性モノマーに対する無機微粒子２０の重量比率は、４０重量％以下であることが好ましい。

液晶性組成物２１は、重合開始剤を更に含有していてもよい。これにより、後の工程で、液晶性モノマーの重合反応を効率的に開始させることができる。重合開始剤としては、例えば、ラジカル重合開始剤等が挙げられる。

液晶性組成物２１は、溶媒を更に含有していてもよい。これにより、液晶性モノマー及び無機微粒子２０の相溶性を効率的に高めることができる。溶媒としては、例えば、トルエン等が挙げられる。

＜放熱膜の形成＞
次に、液晶性組成物２１に光を照射することによって液晶性モノマーを重合させて、図２、３に示すように、薄膜トランジスタ素子１１と重畳する放熱膜３を形成する。放熱膜３は、液晶性モノマーの重合体である液晶性ポリマーと、無機微粒子２０とを含有するものである。無機微粒子２０は、液晶性ポリマー中に分散している。その後、放熱膜３の表面にラビング処理を施すことによって、液晶性ポリマーは、放熱膜３の面内方向に配向する。

液晶性ポリマーは、放熱膜３の厚み方向ではなく、放熱膜３の面内方向に配向している。無機微粒子２０は、液晶性ポリマーの配向に沿って均一に分布し、結果的に、図４（ｂ）に示すように、放熱膜３の面内方向に均一に分布することになる。よって、放熱膜３によれば、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が、液晶性ポリマー及び無機微粒子２０を通じて放熱膜３の面内方向に伝導する。その結果、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が、後に形成される液晶層５中の薄膜トランジスタ素子１１近傍の領域のみに伝導しにくくなるため、液晶層５の温度が局所的に上がりにくくなり、駆動中の液晶層５の相転移が防止される。

放熱膜３を形成する際、液晶性モノマーの重合としては、ラジカル重合又は縮合重合が行われてもよい。

放熱膜３を形成する際、液晶性組成物２１に照射される光は、紫外線であってもよく、可視光線であってもよく、中でも、紫外線であることが好ましい。紫外線は、無偏光紫外線であってもよく、偏光紫外線であってもよい。

液晶性組成物２１に照射される光の波長は、３１０～４００ｎｍであることが好ましい。液晶性組成物２１に照射される光の波長が３１０ｎｍよりも短い場合、液晶性組成物２１中の液晶性モノマーが分解し（又は、液晶性モノマーが重合して生成された液晶性ポリマーが分解し）、その分解物が後に形成される液晶層５に溶出すると、電圧保持率の低下が引き起こされることがある。一方、波長が４００ｎｍよりも長い光の照射でも重合反応が進行する場合、例えば、バックライトから出射される光によっても重合反応が進行することになり、後に形成される液晶表示装置１ａの使用中に、未反応モノマーの重合反応が起こることになる。その結果、液晶表示装置１ａの使用中に放熱膜３のリタデーションが変化し、コントラストの低下が引き起こされることがある。

液晶性組成物２１に紫外線を照射する場合、その紫外線の照射量は、０．０１～１０Ｊ／ｃｍ^２であることが好ましい。液晶性組成物２１に照射される紫外線の照射量が０．０１Ｊ／ｃｍ^２よりも少ない場合、重合反応が充分に進行せず、未反応モノマーが多く存在するため、その未反応モノマーが後に形成される液晶層５に溶出すると、電圧保持率の低下が引き起こされることがある。液晶性組成物２１に照射される紫外線の照射量が１０Ｊ／ｃｍ^２よりも多い場合、液晶性組成物２１中の液晶性モノマーが分解し（又は、液晶性モノマーが重合して生成された液晶性ポリマーが分解し）、その分解物が後に形成される液晶層５に溶出すると、電圧保持率の低下が引き起こされることがある。

放熱膜３を形成する際、液晶性組成物２１に光を照射する前に、液晶性組成物２１中の溶媒を除去する仮焼成を行ってもよい。更に、液晶性組成物２１に光を照射した後、溶媒を完全に除去する本焼成を、仮焼成よりも高い温度で行ってもよい。

放熱膜３の厚みは特に限定されないが、３０～３０００ｎｍであることが好ましい。放熱膜３の厚みが３０ｎｍよりも小さい場合、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が、後に形成される液晶層５中の薄膜トランジスタ素子１１近傍の領域に優先的に伝導することがある。放熱膜３の厚みが３０００ｎｍよりも大きい場合、放熱膜３による位相差等の影響で、後に形成される液晶表示装置１ａの表示特性（特に、コントラスト）が低下することがある。

＜第一の配向膜の形成＞
次に、図４（ｃ）に示すように、放熱膜３の表面上に、第一の配向膜４を形成する。

第一の配向膜４を形成する際、配向膜材料を放熱膜３の表面上に塗布又は蒸着した後、仮焼成、本焼成、配向処理等（例えば、光配向処理、ラビング処理等）を適宜行うことによって形成してもよい。

第一の配向膜４は、光反応性官能基を有する光配向膜であってもよい。光反応性官能基は、アゾベンゼン基及びシンナメート基のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。このような第一の配向膜４によれば、後に形成される液晶表示装置１ａの高コントラスト化が実現可能である。

第一の配向膜４の抵抗値は、１×１０^１４Ω・ｃｍ以下であってもよい。本実施形態によれば、第一の基板２（薄膜トランジスタ素子１１）と第一の配向膜４との間に放熱膜３が配置されているため、第一の配向膜４の抵抗値が低い場合（例えば、１×１０^１４Ω・ｃｍ以下）であっても、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が、第一の配向膜４を通じて、後に形成される液晶層５へ伝導しにくくなり、その結果、駆動中の液晶層５の相転移が防止される。一方、第一の配向膜４の抵抗値が１×１０^１４Ω・ｃｍよりも高い場合、後に形成される液晶表示装置１ａのコントラストが低下することがある。

第一の配向膜４の厚みは、１２０ｎｍ以下であってもよい。本実施形態によれば、第一の基板２（薄膜トランジスタ素子１１）と第一の配向膜４との間に放熱膜３が配置されているため、第一の配向膜４の厚みが小さい場合（例えば、１２０ｎｍ以下）であっても、薄膜トランジスタ素子１１から発生する熱が、第一の配向膜４を通じて、後に形成される液晶層５へ伝導しにくくなり、その結果、駆動中の液晶層５の相転移が防止される。

＜液晶表示装置の完成＞
最後に、第一の基板２と第二の基板７とを、液晶層５を挟持するようにシール材（図示せず）を介して貼り合わせることにより、図４（ｄ）に示すような液晶表示装置１ａが完成する。第二の基板７の液晶層５側の表面上には、図４（ｄ）に示すように、第二の配向膜６が形成されていてもよい。液晶表示装置１ａには、偏光板、バックライト等の部材が適宜配置されていてもよい。

シール材としては、例えば、エポキシ樹脂、（メタ）アクリル樹脂等の樹脂を含有するものが挙げられ、無機フィラー、有機フィラー、硬化剤等を適宜含有していてもよい。シール材は、光により硬化するもの（光硬化型）であってもよいし、熱により硬化するもの（熱硬化型）であってもよいし、それらの両方により硬化するもの（光・熱硬化型）であってもよい。より具体的には、シール材は、紫外線により硬化するもの（紫外線硬化型）であってもよいし、熱により硬化するもの（熱硬化型）であってもよいし、それらの両方により硬化するもの（紫外線・熱硬化型）であってもよい。

液晶層５は、例えば、滴下法、注入法等の方法によって、第一の基板２と第二の基板７との間に液晶材料を封入することで形成可能である。

液晶層５を滴下法によって形成する場合、例えば、下記のプロセスが採用される。まず、第一の基板２及び第二の基板７のうち、一方の表面上にシール材を塗布し、他方の表面上に液晶材料を滴下する。そして、第一の基板２と第二の基板７とをシール材によって貼り合わせて、液晶層５を形成する。

液晶層５を注入法によって形成する場合、例えば、下記のプロセスが採用される。まず、シール材を第一の基板２及び第二の基板７のうちの一方の表面上に塗布した後、第一の基板２と第二の基板７とをシール材によって貼り合わせる。そして、第一の基板２と第二の基板７との間に液晶材料を注入し、液晶層５を形成する。液晶材料を注入する際、第一の基板２と第二の基板７との間を真空状態にしてもよい。

液晶層５を形成する際、シール材を予め硬化していてもよく、硬化していなくてもよい。

液晶層５を構成する液晶材料は、ネマティック液晶材料であることが好ましい。ネマティック液晶材料は、昇温過程で、ネマティック相から等方相へ相転移するものであってもよい。この場合、液晶層５を構成する液晶材料のネマティック相－等方相転移温度は、９７℃以下であってもよい。本実施形態によれば、第一の基板２（薄膜トランジスタ素子１１）と第一の配向膜４との間に放熱膜３が配置されているため、液晶材料のネマティック相－等方相転移温度を低くして（例えば、９７℃以下）、高速応答化を図りたい場合であっても、駆動中の液晶層５の相転移が防止される。

液晶層５を構成する液晶材料は、負の誘電率異方性（Δε＜０）を有するネガ型液晶材料であってもよく、正の誘電率異方性（Δε＞０）を有するポジ型液晶材料であってもよい。液晶層５を構成する液晶材料の誘電率異方性の絶対値は、３．０以下であってもよい。本実施形態によれば、第一の基板２（薄膜トランジスタ素子１１）と第一の配向膜４との間に放熱膜３が配置されているため、液晶材料の誘電率異方性の絶対値を小さくして（例えば、３．０以下）、高速応答化を図りたい場合であっても、駆動中の液晶層５の相転移が防止される。一方、液晶層５を構成する液晶材料の誘電率異方性の絶対値が３．０よりも大きい場合、液晶表示装置１ａの応答特性が低下することがある。

［実施形態２］
実施形態２の液晶表示装置及びその製造方法について、以下に説明する。実施形態２は、第一の基板と放熱膜との間に放熱膜用配向膜が更に配置されていること以外、実施形態１と同様であるため、重複する点については説明を適宜省略する。

（１）液晶表示装置
実施形態２の液晶表示装置について、図５を参照して以下に説明する。図５は、実施形態２の液晶表示装置を示す断面模式図である。

液晶表示装置１ｂは、第一の基板２、放熱膜用配向膜８、放熱膜３、第一の配向膜４、液晶層５、第二の配向膜６、及び、第二の基板７を順に有している。

＜第一の基板＞
第一の基板２の構成例としては、実施形態２においても、実施形態１と同様な構成例１、２（図２、３）が挙げられ、図６、７で示される。図６は、図５中の第一の基板の構成例１を示す断面模式図である。図７は、図５中の第一の基板の構成例２を示す断面模式図である。なお、図６、７では、図５との関係を分かりやすくするために、放熱膜用配向膜８、放熱膜３、及び、第一の配向膜４も図示している。

＜放熱膜用配向膜＞
放熱膜用配向膜８は、図６、７に示すように、第一の基板２と放熱膜３との間に配置されている。放熱膜用配向膜８は、放熱膜３中の液晶性ポリマーの配向を制御可能な膜として機能する。そのため、放熱膜用配向膜８によれば、液晶性ポリマーに、放熱膜３の面内方向に配向するような配向性を効率的に付与することができる。よって、無機微粒子２０は、液晶性ポリマーの配向に沿って均一に分布し、結果的に、放熱膜３の面内方向に効率的に均一に分布することになる。

放熱膜用配向膜８は、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリマレイミド、ポリアミド、ポリシロキサン、ポリフォスファゼン、ポリシルセスキオキサン、及び、これらの共重合体からなる群より選択される少なくとも一種の化合物で構成される膜（単層膜及び積層膜のいずれであってもよい）、又は、シリコン酸化物が斜方蒸着された膜であってもよい。放熱膜用配向膜８は、水平配向膜（水平光配向膜）であることが好ましい。これにより、放熱膜３中の液晶性ポリマーを、放熱膜３の面内方向に効率的に配向させることができる。よって、放熱膜３中の無機微粒子２０は、液晶性ポリマーの配向に沿って均一に分布し、結果的に、放熱膜３の面内方向に効率的に均一に分布することになる。放熱膜用配向膜８の表面には、光配向処理、ラビング処理等の配向処理が施されていてもよい。

（２）液晶表示装置の製造方法
実施形態２の液晶表示装置の製造方法について、図８を参照して（図６、７も適宜参照して）以下に説明する。図８は、実施形態２の液晶表示装置の製造方法を説明するための断面模式図である。

＜放熱膜用配向膜の形成＞
まず、図８（ａ）に示すように、第一の基板２の表面上に、放熱膜用配向膜８を形成する。放熱膜用配向膜８は、後に形成される放熱膜３中の液晶性ポリマーの配向を制御するものである。

放熱膜用配向膜８を形成する際、配向膜材料を第一の基板２の表面上に塗布又は蒸着した後、仮焼成、本焼成、配向処理等（例えば、光配向処理、ラビング処理等）を適宜行うことによって形成してもよい。

＜液晶性組成物の塗布＞
次に、図８（ｂ）に示すように、放熱膜用配向膜８の表面上に、液晶性モノマー及び無機微粒子２０を含有する液晶性組成物２１を塗布する。

＜放熱膜の形成＞
次に、液晶性組成物２１に光を照射することによって液晶性モノマーを重合させて、図６、７に示すように、薄膜トランジスタ素子１１と重畳する放熱膜３を形成する。放熱膜３は、液晶性モノマーの重合体である液晶性ポリマーと、無機微粒子２０とを含有するものである。無機微粒子２０は、液晶性ポリマー中に分散している。この際、放熱膜用配向膜８の作用により、液晶性ポリマーは、放熱膜３の面内方向に配向する。よって、無機微粒子２０は、液晶性ポリマーの配向に沿って均一に分布し、結果的に、図８（ｃ）に示すように、放熱膜３の面内方向に均一に分布することになる。ここで、液晶性ポリマーの配向性をより高めるために、放熱膜３の表面にラビング処理を施してもよい。

＜第一の配向膜の形成＞
次に、図８（ｄ）に示すように、放熱膜３の表面上に、第一の配向膜４を形成する。

＜液晶表示装置の完成＞
最後に、第一の基板２と第二の基板７とを、液晶層５を挟持するようにシール材（図示せず）を介して貼り合わせることにより、図８（ｅ）に示すような液晶表示装置１ｂが完成する。

［実施例及び比較例］
以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

実施例及び比較例において、液晶表示装置を製造する際に用いられた液晶性組成物は、以下の通りであった。

＜液晶性組成物Ｌ１＞
まず、トルエン（溶媒）に、下記化学式（２）で表される液晶性モノマーＭ１を５ｇ、窒化ホウ素（無機微粒子）を１ｇ、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ社製のラジカル重合開始剤「ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）　６５１」を０．０５ｇ添加した。続いて、得られた混合物を５０℃で１時間加熱した後、２５℃の環境下で１２時間放置することで、各材料をトルエン中に充分に溶解させて、液晶性組成物Ｌ１を調製した。液晶性組成物Ｌ１において、液晶性モノマーＭ１に対する窒化ホウ素（無機微粒子）の重量比率は、２０重量％であった。

＜液晶性組成物Ｌ２＞
窒化ホウ素（無機微粒子）の添加量を０．５ｇに変更したこと以外、液晶性組成物Ｌ１と同様にして、液晶性組成物Ｌ２を調製した。液晶性組成物Ｌ２において、液晶性モノマーＭ１に対する窒化ホウ素（無機微粒子）の重量比率は、１０重量％であった。

＜液晶性組成物Ｌ３＞
窒化ホウ素（無機微粒子）の添加量を２ｇに変更したこと以外、液晶性組成物Ｌ１と同様にして、液晶性組成物Ｌ３を調製した。液晶性組成物Ｌ３において、液晶性モノマーＭ１に対する窒化ホウ素（無機微粒子）の重量比率は、４０重量％であった。

＜液晶性組成物Ｌ４＞
窒化ホウ素（無機微粒子）の添加量を３ｇに変更したこと以外、液晶性組成物Ｌ１と同様にして、液晶性組成物Ｌ４を調製した。液晶性組成物Ｌ４において、液晶性モノマーＭ１に対する窒化ホウ素（無機微粒子）の重量比率は、６０重量％であった。

＜液晶性組成物Ｌ５＞
まず、トルエン（溶媒）に、下記化学式（３）で表される液晶性モノマーＭ２を５ｇ、窒化ケイ素（無機微粒子）を１ｇ、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ社製のラジカル重合開始剤「ＩＲＧＡＣＵＲＥ　６５１」を０．０５ｇ添加した。続いて、得られた混合物を５０℃で１時間加熱した後、２５℃の環境下で１２時間放置することで、各材料をトルエン中に充分に溶解させて、液晶性組成物Ｌ５を調製した。液晶性組成物Ｌ５において、液晶性モノマーＭ２に対する窒化ケイ素（無機微粒子）の重量比率は、２０重量％であった。

＜液晶性組成物Ｌ６＞
まず、トルエン（溶媒）に、下記化学式（４）で表される液晶性モノマーＭ３を５ｇ、窒化ホウ素（無機微粒子）を１ｇ、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ社製のラジカル重合開始剤「ＩＲＧＡＣＵＲＥ　６５１」を０．０５ｇ添加した。続いて、得られた混合物を５０℃で１時間加熱した後、２５℃の環境下で１２時間放置することで、各材料をトルエン中に充分に溶解させて、液晶性組成物Ｌ６を調製した。液晶性組成物Ｌ６において、液晶性モノマーＭ３に対する窒化ホウ素（無機微粒子）の重量比率は、２０重量％であった。

実施例及び比較例において、液晶表示装置を製造する際に用いられた配向膜材料は、以下の通りであった。

＜配向膜材料Ｔ１＞
配向膜材料Ｔ１は、下記化学式（５）で表されるアゾベンゼン系ポリアミック酸を含有する水平光配向膜材料であった。

上記化学式（５）中、Ｘは、下記化学式（６－１）で表される。Ｙは、下記化学式（６－２）で表される。

＜配向膜材料Ｔ２＞
配向膜材料Ｔ２は、下記化学式（７）で表されるポリシロキサンを含有する垂直光配向膜材料であった。

上記化学式（７）中、Ｅは、下記化学式（８－１）又は（８－２）で表される。

（実施例１）
実施例１の液晶表示装置を、実施形態１の製造方法によって製造した。まず、図３に示すような第一の基板（構成例２）と、電極を有さない第二の基板とを準備した。次に、第一の基板の表面上に、液晶性組成物Ｌ１を塗布した。そして、液晶性組成物Ｌ１に対して、仮焼成を９０℃で１分間行った後、無偏光紫外線（照射量：２Ｊ／ｃｍ^２）を照射し、続いて、本焼成を１５０℃で３０分間行った。その結果、液晶性組成物Ｌ１中の溶媒（トルエン）が完全に除去されるとともに、液晶性モノマーＭ１の重合体である液晶性ポリマーが生成されることによって、第一の基板の薄膜トランジスタ素子と重畳する放熱膜が形成された。その後、放熱膜の表面にラビング処理を施すことによって液晶性ポリマーを放熱膜の面内方向に配向させ、結果的に、無機微粒子を放熱膜の面内方向に均一に分布させた。放熱膜の厚みは、５０ｎｍであった。

次に、第一の基板側に形成された放熱膜の表面上、及び、第二の基板の表面上に、配向膜材料Ｔ１を各々塗布した。その後、配向膜材料Ｔ１に対して、仮焼成を９０℃で２分間行い、本焼成を１３０℃で２０分間行った後、法線方向から偏光紫外線（照射量：２Ｊ／ｃｍ^２）を照射し、続いて、本焼成を２３０℃で４０分間行った。その結果、第一の基板側に形成された放熱膜の表面上に第一の配向膜が形成され、第二の基板の表面上に第二の配向膜が形成された。第一の配向膜及び第二の配向膜は、ともにポリイミド系の水平光配向膜であり、その抵抗値は５×１０^１３Ω・ｃｍであった。

次に、第一の基板及び第二の基板のうち、一方の表面上に、積水化学工業社製の紫外線硬化型シール材「フォトレック（登録商標）Ｓ－ＷＢ」をディスペンサによって塗布し、他方の表面上に、ポジ型液晶材料（ネマティック相－等方相転移温度：９４℃、誘電率異方性：２．７）を滴下した。そして、真空下で、第一の基板と第二の基板とをシール材によって貼り合わせて液晶層を形成した後、シール材を紫外線で硬化させた。続いて、１３０℃で４０分間加熱することによって液晶層の再配向処理を行った後、室温まで冷却した。その後、偏光板、バックライト等の部材を配置することにより、実施例１の液晶表示装置（ＦＦＳモードの液晶表示装置）が完成した。

（比較例１）
放熱膜を形成しなかったこと以外、実施例１と同様にして、比較例１の液晶表示装置を製造した。

［評価１］
実施例１及び比較例１の液晶表示装置について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。

＜液晶層の相転移の有無＞
各例の液晶表示装置に対して、バックライトを点灯させた状態で、透過率が最大となる電圧（以下、透過率最大電圧）を９０℃の環境下で印加し続ける高温通電試験を行った。そして、高温通電試験を１０００時間行った後、液晶層の相転移の有無（配向状態）を確認した。なお、各例の液晶表示装置における透過率最大電圧は、表１に示す通りであった。

＜コントラスト＞
各例の液晶表示装置に対して、トプコンテクノハウス社製の「ＳＲ－ＵＬ１」を用いて、コントラストを測定した。

＜応答特性＞
各例の液晶表示装置に対して、大塚電子社製の「Ｐｈｏｔａｌ５２００」を用いて、印加電圧を０．５Ｖから透過率最大電圧（表１）まで上昇させたときの立ち上がり応答時間Ｔｒと、印加電圧を透過率最大電圧（表１）から０．５Ｖまで下降させたときの立ち下がり応答時間Ｔｄとを、２５℃の環境下で測定した。

表１に示すように、実施例１では、駆動中の液晶層の相転移が確認されなかった。更に、実施例１では、水平光配向膜である第一の配向膜及び第二の配向膜による高コントラスト化と、液晶材料の誘電率異方性の絶対値を小さくし、ネマティック相－等方相転移温度を低くしたことによる高速応答化とが、ともに実現されていた。

比較例１では、実施例１と同様に、高コントラスト化及び高速応答化が実現されていたが、放熱膜が配置されていなかったため、駆動中の液晶層の相転移（ネマティック相から等方相への相転移）が、特に、薄膜トランジスタ素子近傍の領域で確認された。

（実施例２）
実施例２の液晶表示装置を、実施形態２の製造方法によって製造した。まず、図７に示すような第一の基板（構成例２）と、電極を有さない第二の基板とを準備した。そして、第一の基板の表面上に、ＪＳＲ社製のポリイミド系の配向膜材料「ＡＬ１０５１」を塗布した後、その配向膜材料に対して、仮焼成を９０℃で２分間行い、続いて、本焼成を２００℃で４０分間行った。その結果、第一の基板の表面上に放熱膜用配向膜が形成された。その後、放熱膜用配向膜の表面にラビング処理を施した。

次に、放熱膜用配向膜の表面上に、液晶性組成物Ｌ１を塗布した。そして、液晶性組成物Ｌ１に対して、仮焼成を９０℃で１分間行った後、無偏光紫外線（照射量：２Ｊ／ｃｍ^２）を照射し、続いて、本焼成を１５０℃で３０分間行った。その結果、液晶性組成物Ｌ１中の溶媒（トルエン）が完全に除去されるとともに、液晶性モノマーＭ１の重合体である液晶性ポリマーが生成されることによって、第一の基板の薄膜トランジスタ素子と重畳する放熱膜が形成された。この際、放熱膜用配向膜の作用により、液晶性ポリマーは、放熱膜の面内方向に配向していた。よって、無機微粒子は、液晶性ポリマーの配向に沿って均一に分布し、結果的に、放熱膜の面内方向に均一に分布していた。放熱膜の厚みは、５０ｎｍであった。

次に、第一の基板及び第二の基板のうち、一方の表面上に、積水化学工業社製の紫外線硬化型シール材「フォトレックＳ－ＷＢ」をディスペンサによって塗布し、他方の表面上に、ポジ型液晶材料（ネマティック相－等方相転移温度：９６℃、誘電率異方性：２．６）を滴下した。そして、真空下で、第一の基板と第二の基板とをシール材によって貼り合わせて液晶層を形成した後、シール材を紫外線で硬化させた。続いて、１３０℃で４０分間加熱することによって液晶層の再配向処理を行った後、室温まで冷却した。その後、偏光板、バックライト等の部材を配置することにより、実施例２の液晶表示装置（ＦＦＳモードの液晶表示装置）が完成した。

（比較例２）
放熱膜用配向膜及び放熱膜を形成しなかったこと以外、実施例２と同様にして、比較例２の液晶表示装置を製造した。

（比較例３）
放熱膜用配向膜を形成せず、放熱膜中の液晶性ポリマーが放熱膜の面内方向に配向していなかった（結果的に、放熱膜中の無機微粒子が放熱膜の面内方向に均一に分布していなかった）こと以外、実施例２と同様にして、比較例３の液晶表示装置を製造した。

［評価２］
実施例２、及び、比較例２、３の液晶表示装置について、上述した評価１と同様な評価を行った。結果を表２に示す。

表２に示すように、実施例２では、駆動中の液晶層の相転移が確認されなかった。更に、実施例２では、水平光配向膜である第一の配向膜及び第二の配向膜による高コントラスト化と、液晶材料の誘電率異方性の絶対値を小さくし、ネマティック相－等方相転移温度を低くしたことによる高速応答化とが、ともに実現されていた。

比較例２では、実施例２と同様に、高コントラスト化及び高速応答化が実現されていたが、放熱膜が配置されていなかったため、駆動中の液晶層の相転移（ネマティック相から等方相への相転移）が、特に、薄膜トランジスタ素子近傍の領域で確認された。

比較例３では、実施例２と同様に、高コントラスト化及び高速応答化が実現されていたが、放熱膜中の液晶性ポリマーが放熱膜の面内方向に配向していなかったため（結果的に、放熱膜中の無機微粒子が放熱膜の面内方向に均一に分布していなかったため）、駆動中の液晶層の相転移（ネマティック相から等方相への相転移）が、薄膜トランジスタ素子近傍の一部の領域で確認された。これは、薄膜トランジスタ素子から発生した熱が放熱膜の厚み方向にも多く伝導し、その結果、液晶層の温度が局所的に上がりやすくなったためであると考えられる。

（実施例３）
実施例３の液晶表示装置を、実施形態２の製造方法によって製造した。まず、図６に示すような第一の基板（構成例１）と、電極を表面に有する第二の基板とを準備した。そして、第一の基板の表面上に、ＪＳＲ社製のポリイミド系の配向膜材料「ＡＬ１０５１」を塗布した後、その配向膜材料に対して、仮焼成を９０℃で２分間行い、続いて、本焼成を２００℃で４０分間行った。その結果、第一の基板の表面上に放熱膜用配向膜が形成された。その後、放熱膜用配向膜の表面にラビング処理を施した。

次に、放熱膜用配向膜の表面上に、液晶性組成物Ｌ５を塗布した。そして、液晶性組成物Ｌ５に対して、仮焼成を９０℃で１分間行った後、無偏光紫外線（照射量：３Ｊ／ｃｍ^２）を照射し、続いて、本焼成を１５０℃で３０分間行った。その結果、液晶性組成物Ｌ５中の溶媒（トルエン）が完全に除去されるとともに、液晶性モノマーＭ２の重合体である液晶性ポリマーが生成されることによって、第一の基板の薄膜トランジスタ素子と重畳する放熱膜が形成された。この際、放熱膜用配向膜の作用により、液晶性ポリマーは、放熱膜の面内方向に配向していた。よって、無機微粒子は、液晶性ポリマーの配向に沿って均一に分布し、結果的に、放熱膜の面内方向に均一に分布していた。放熱膜の厚みは、６０ｎｍであった。

次に、第一の基板側に形成された放熱膜の表面上、及び、第二の基板の表面上に、配向膜材料Ｔ２を各々塗布した。その後、配向膜材料Ｔ２に対して、仮焼成を９０℃で２分間行い、本焼成を２３０℃で４０分間行った後、斜め４０°方向から偏光紫外線（照射量：２０ｍＪ／ｃｍ^２）を照射した。その結果、第一の基板側に形成された放熱膜の表面上に第一の配向膜が形成され、第二の基板の表面上に第二の配向膜が形成された。第一の配向膜及び第二の配向膜は、ともにポリシロキサン系の垂直光配向膜であり、その抵抗値は１×１０^１４Ω・ｃｍであった。

次に、第一の基板及び第二の基板のうち、一方の表面上に、積水化学工業社製の紫外線硬化型シール材「フォトレックＳ－ＷＢ」をディスペンサによって塗布し、他方の表面上に、ネガ型液晶材料（ネマティック相－等方相転移温度：９２℃、誘電率異方性：－２．８）を滴下した。そして、真空下で、第一の基板と第二の基板とをシール材によって貼り合わせて液晶層を形成した後、シール材を紫外線で硬化させた。続いて、１３０℃で４０分間加熱することによって液晶層の再配向処理を行った後、室温まで冷却した。その後、偏光板、バックライト等の部材を配置することにより、実施例３の液晶表示装置（ＵＶ^２Ａモードの液晶表示装置）が完成した。

（比較例４）
放熱膜用配向膜及び放熱膜を形成しなかったこと以外、実施例３と同様にして、比較例４の液晶表示装置を製造した。

（比較例５）
放熱膜用配向膜を形成せず、放熱膜中の液晶性ポリマーが放熱膜の面内方向に配向していなかった（結果的に、放熱膜中の無機微粒子が放熱膜の面内方向に均一に分布していなかった）こと以外、実施例３と同様にして、比較例５の液晶表示装置を製造した。

［評価３］
実施例３、及び、比較例４、５の液晶表示装置について、上述した評価１と同様な評価を行った。結果を表３に示す。

表３に示すように、実施例３では、駆動中の液晶層の相転移が確認されなかった。更に、実施例３では、垂直光配向膜である第一の配向膜及び第二の配向膜による高コントラスト化と、液晶材料の誘電率異方性の絶対値を小さくし、ネマティック相－等方相転移温度を低くしたことによる高速応答化とが、ともに実現されていた。

比較例４では、実施例３と同様に、高コントラスト化及び高速応答化が実現されていたが、放熱膜が配置されていなかったため、駆動中の液晶層の相転移（ネマティック相から等方相への相転移）が、特に、薄膜トランジスタ素子近傍の領域で確認された。

比較例５では、実施例３と同様に、高コントラスト化及び高速応答化が実現されていたが、放熱膜中の液晶性ポリマーが放熱膜の面内方向に配向していなかったため（結果的に、放熱膜中の無機微粒子が放熱膜の面内方向に均一に分布していなかったため）、駆動中の液晶層の相転移（ネマティック相から等方相への相転移）が、薄膜トランジスタ素子近傍の領域で確認された。これは、薄膜トランジスタ素子から発生した熱が放熱膜の厚み方向にも多く伝導し、その結果、液晶層の温度が局所的に上がりやすくなったためであると考えられる。

（実施例４）
液晶性組成物Ｌ２を用いて放熱膜を形成したこと以外、実施例１と同様にして、実施例４の液晶表示装置を製造した。

（実施例５）
液晶性組成物Ｌ３を用いて放熱膜を形成したこと以外、実施例１と同様にして、実施例５の液晶表示装置を製造した。

（実施例６）
液晶性組成物Ｌ４を用いて放熱膜を形成したこと以外、実施例１と同様にして、実施例６の液晶表示装置を製造した。

［評価４］
実施例１、４～６の液晶表示装置について、上述した評価１と同様な評価を行った。結果を表４に示す。なお、表４には、液晶性モノマー（ここでは、液晶性モノマーＭ１）に対する無機微粒子（ここでは、窒化ホウ素）の重量比率（以下、無機微粒子の重量比率）も示す。

表４に示すように、実施例４～６では、実施例１と同様に、駆動中の液晶層の相転移が確認されなかった。更に、実施例４～６では、実施例１と同様に、液晶材料の誘電率異方性の絶対値を小さくし、ネマティック相－等方相転移温度を低くしたことによる高速応答化が実現されていた。一方、実施例１、４～６を比較すると、無機微粒子の重量比率が高くなるにつれてコントラストが低下することが分かった。これは、無機微粒子の重量比率が高くなるにつれて、無機微粒子の光散乱による影響が大きくなったためであると考えられる。また、無機微粒子の光散乱による影響で、第一の配向膜及び第二の配向膜（水平光配向膜）の形成時に行われた光配向処理（偏光紫外線照射）が不充分となった可能性も考えられる。

（実施例７）
液晶性組成物Ｌ６を用いて放熱膜を形成したこと以外、実施例１と同様にして、実施例７の液晶表示装置を製造した。

［評価５］
実施例１、７の液晶表示装置について、上述した評価１と同様な評価を行った。結果を表５に示す。

表５に示すように、実施例７では、実施例１と同様に、駆動中の液晶層の相転移が確認されなかった。更に、実施例７では、実施例１と同様に、液晶材料の誘電率異方性の絶対値を小さくし、ネマティック相－等方相転移温度を低くしたことによる高速応答化が実現されていた。一方、実施例７では、実施例１と比較して、コントラストが低かった。これは、配向膜材料Ｔ１中のアゾベンゼン系ポリアミック酸と、放熱膜中の液晶性モノマーＭ３の重合体（液晶性ポリマー）との相溶性が低く、第一の配向膜が放熱膜の表面上に均一に配置されなかった可能性が考えられる。

［付記］
本発明の一態様は、薄膜トランジスタ素子を有する第一の基板と、上記薄膜トランジスタ素子と重畳する放熱膜と、第一の配向膜と、液晶層と、第二の基板とを順に備え、上記放熱膜は、液晶性モノマーの重合体である液晶性ポリマーと、無機微粒子とを含有し、上記液晶性ポリマーは、上記放熱膜の面内方向に配向している液晶表示装置であってもよい。本態様によれば、駆動中の上記液晶層の相転移が防止される液晶表示装置が実現される。

本発明の一態様において、上記第一の基板と上記放熱膜との間には、上記液晶性ポリマーの配向を制御する放熱膜用配向膜が更に配置されていてもよい。このような構成によれば、上記液晶性ポリマーに、上記放熱膜の面内方向に配向するような配向性を効率的に付与することができる。よって、上記無機微粒子は、上記液晶性ポリマーの配向に沿って均一に分布し、結果的に、上記放熱膜の面内方向に効率的に均一に分布することになる。

本発明の一態様において、上記液晶性モノマーは、下記化学式（１）で表されてもよい。このような構成によれば、上記液晶性モノマーを効果的に利用することができる。
Ｐ^１－Ｓｐ^１－Ｒ^１－Ａ^１－（Ｚ^１－Ａ^２）_ｎ－Ｒ^２　（１）
（上記化学式（１）中、Ｒ^２は、－Ｒ^３－Ｓｐ^２－Ｐ^２基、水素原子、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_６基、又は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１～１８のアルキル基を表す。Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、同一又は異なって、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレン基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。Ｒ^１及びＲ^３は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－２，６－ジイル基、又は、１，４－シクロヘキシレン基を表す。Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Ｚ^１は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。ｎは、０、１、２、又は、３を表す。）

本発明の一態様において、上記液晶性モノマーは、下記化学式（２）及び（３）で表されるモノマーのうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。このような構成によれば、例えば、上記第一の配向膜がポリイミド系の配向膜である場合に、前駆体であるポリアミック酸と、上記液晶性モノマーの重合体（上記液晶性ポリマー）との相溶性が高まるため、上記第一の配向膜が上記放熱膜の表面上に均一に配置される。その結果、上記液晶表示装置のコントラストの低下が防止される。

本発明の一態様において、上記無機微粒子は、窒化物であってもよい。また、本発明の一態様において、上記窒化物は、窒化ホウ素、窒化ケイ素、及び、窒化アルミニウムからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含んでいてもよい。このような構成によれば、上記薄膜トランジスタ素子から発生する熱が、上記放熱膜の面内方向に効率的に伝導する。

本発明の一態様において、上記液晶層を構成する液晶材料の誘電率異方性の絶対値は、３．０以下であってもよい。このような構成によれば、駆動中の上記液晶層の相転移を防止しつつ、高速応答化を実現することができる。

本発明の一態様において、上記第一の配向膜の抵抗値は、１×１０^１４Ω・ｃｍ以下であってもよい。このような構成によれば、駆動中の上記液晶層の相転移を防止しつつ、ＦＦＳモード等の水平配向モードを採用する場合にフリッカの発生を抑制することができる。

本発明の一態様において、上記液晶性モノマーに対する上記無機微粒子の重量比率は、１０重量％以上であってもよい。このような構成によれば、上記薄膜トランジスタ素子から発生する熱が上記放熱膜の面内方向に効率的に伝導するため、駆動中の上記液晶層の相転移が充分に防止される。

本発明の一態様において、上記第一の配向膜は、光反応性官能基を有する光配向膜であってもよい。また、本発明の一態様において、上記光反応性官能基は、アゾベンゼン基及びシンナメート基のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。このような構成によれば、上記液晶表示装置の高コントラスト化が実現可能である。

本発明の別の一態様は、薄膜トランジスタ素子を有する第一の基板と、液晶層と、第二の基板とを順に備える液晶表示装置の製造方法であって、上記第一の基板の表面上に、液晶性モノマー及び無機微粒子を含有する液晶性組成物を塗布する工程（１）と、上記液晶性組成物に光を照射することによって上記液晶性モノマーを重合させて、上記薄膜トランジスタ素子と重畳する放熱膜を形成する工程（２）と、上記放熱膜の表面上に、第一の配向膜を形成する工程（３）とを含み、上記放熱膜は、上記液晶性モノマーの重合体である液晶性ポリマーと、上記無機微粒子とを含有し、上記液晶性ポリマーは、上記放熱膜の面内方向に配向している液晶表示装置の製造方法であってもよい。本態様によれば、駆動中の上記液晶層の相転移が防止される液晶表示装置が製造可能である。

本発明の別の一態様において、上記液晶表示装置の製造方法は、上記工程（２）と上記工程（３）との間に、上記放熱膜の表面にラビング処理を施す工程（４）を更に含んでいてもよい。このような構成によれば、上記液晶性ポリマーに、上記放熱膜の面内方向に配向するような配向性を効率的に付与することができる。よって、上記無機微粒子は、上記液晶性ポリマーの配向に沿って均一に分布し、結果的に、上記放熱膜の面内方向に効率的に均一に分布することになる。

本発明の別の一態様において、上記液晶表示装置の製造方法は、上記工程（１）の前に、上記第一の基板の表面上に、上記液晶性ポリマーの配向を制御する放熱膜用配向膜を形成する工程（５）を更に含んでいてもよい。このような構成によれば、上記液晶性ポリマーに、上記放熱膜の面内方向に配向するような配向性を効率的に付与することができる。よって、上記無機微粒子は、上記液晶性ポリマーの配向に沿って均一に分布し、結果的に、上記放熱膜の面内方向に効率的に均一に分布することになる。

本発明の別の一態様において、上記工程（２）では、上記液晶性モノマーのラジカル重合又は縮合重合が行われてもよい。このような構成によれば、上記液晶性モノマーの重合反応を効率的に行うことができる。

本発明の別の一態様において、上記液晶性モノマーは、下記化学式（１）で表されてもよい。このような構成によれば、上記液晶性モノマーを効果的に利用することができる。
Ｐ^１－Ｓｐ^１－Ｒ^１－Ａ^１－（Ｚ^１－Ａ^２）_ｎ－Ｒ^２　（１）
（上記化学式（１）中、Ｒ^２は、－Ｒ^３－Ｓｐ^２－Ｐ^２基、水素原子、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_６基、又は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１～１８のアルキル基を表す。Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、同一又は異なって、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレン基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。Ｒ^１及びＲ^３は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－２，６－ジイル基、又は、１，４－シクロヘキシレン基を表す。Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Ｚ^１は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。ｎは、０、１、２、又は、３を表す。）

本発明の別の一態様において、上記液晶性モノマーは、下記化学式（２）及び（３）で表されるモノマーのうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。このような構成によれば、例えば、上記第一の配向膜がポリイミド系の配向膜である場合に、前駆体であるポリアミック酸と、上記液晶性モノマーの重合体（上記液晶性ポリマー）との相溶性が高まるため、上記第一の配向膜を上記放熱膜の表面上に均一に配置することができる。その結果、上記液晶表示装置のコントラストの低下が防止される。

本発明の別の一態様において、上記無機微粒子は、窒化物であってもよい。また、本発明の別の一態様において、上記窒化物は、窒化ホウ素、窒化ケイ素、及び、窒化アルミニウムからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含んでいてもよい。このような構成によれば、上記薄膜トランジスタ素子から発生する熱が面内方向に効率的に伝導する上記放熱膜が得られる。

本発明の別の一態様において、上記液晶層を構成する液晶材料の誘電率異方性の絶対値は、３．０以下であってもよい。このような構成によれば、駆動中の上記液晶層の相転移が防止されつつ、高速応答化が実現される液晶表示装置が製造可能である。

本発明の別の一態様において、上記第一の配向膜の抵抗値は、１×１０^１４Ω・ｃｍ以下であってもよい。このような構成によれば、駆動中の上記液晶層の相転移が防止されつつ、ＦＦＳモード等の水平配向モードを採用する場合にフリッカの発生が抑制される液晶表示装置が製造可能である。

本発明の別の一態様において、上記液晶性モノマーに対する上記無機微粒子の重量比率は、１０重量％以上であってもよい。このような構成によれば、上記薄膜トランジスタ素子から発生する熱が上記放熱膜の面内方向に効率的に伝導するため、駆動中の上記液晶層の相転移が充分に防止される液晶表示装置が製造可能である。

本発明の別の一態様において、上記第一の配向膜は、光反応性官能基を有する光配向膜であってもよい。また、本発明の別の一態様において、上記光反応性官能基は、アゾベンゼン基及びシンナメート基のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。このような構成によれば、上記液晶表示装置の高コントラスト化が実現可能である。

１ａ、１ｂ：液晶表示装置
２：第一の基板
３：放熱膜
４：第一の配向膜
５：液晶層
６：第二の配向膜
７：第二の基板
８：放熱膜用配向膜
１０：支持基材
１１：薄膜トランジスタ素子
１２：ゲート電極
１３：ゲート絶縁膜
１４：半導体層
１５：ソース電極
１６：ドレイン電極
１７ａ、１７ｂ：層間絶縁膜
１８：画素電極
１９：共通電極
２０：無機微粒子
２１：液晶性組成物

Claims

薄膜トランジスタ素子を有する第一の基板と、
前記薄膜トランジスタ素子と重畳する放熱膜と、
第一の配向膜と、
液晶層と、
第二の基板とを順に備え、
前記放熱膜は、液晶性モノマーの重合体である液晶性ポリマーと、無機微粒子とを含有し、
前記液晶性ポリマーは、前記放熱膜の面内方向に配向していることを特徴とする液晶表示装置。
前記第一の基板と前記放熱膜との間には、前記液晶性ポリマーの配向を制御する放熱膜用配向膜が更に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記液晶性モノマーは、下記化学式（１）で表されることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
Ｐ^１－Ｓｐ^１－Ｒ^１－Ａ^１－（Ｚ^１－Ａ^２）_ｎ－Ｒ^２　（１）
（前記化学式（１）中、Ｒ^２は、－Ｒ^３－Ｓｐ^２－Ｐ^２基、水素原子、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_６基、又は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１～１８のアルキル基を表す。Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、同一又は異なって、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレン基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。Ｒ^１及びＲ^３は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－２，６－ジイル基、又は、１，４－シクロヘキシレン基を表す。Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Ｚ^１は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。ｎは、０、１、２、又は、３を表す。）
前記液晶性モノマーは、下記化学式（２）及び（３）で表されるモノマーのうちの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
前記無機微粒子は、窒化物であることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記窒化物は、窒化ホウ素、窒化ケイ素、及び、窒化アルミニウムからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
前記液晶層を構成する液晶材料の誘電率異方性の絶対値は、３．０以下であることを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記第一の配向膜の抵抗値は、１×１０^１４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記液晶性モノマーに対する前記無機微粒子の重量比率は、１０重量％以上であることを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記第一の配向膜は、光反応性官能基を有する光配向膜であることを特徴とする請求項１～９のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記光反応性官能基は、アゾベンゼン基及びシンナメート基のうちの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
薄膜トランジスタ素子を有する第一の基板と、液晶層と、第二の基板とを順に備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記第一の基板の表面上に、液晶性モノマー及び無機微粒子を含有する液晶性組成物を塗布する工程（１）と、
前記液晶性組成物に光を照射することによって前記液晶性モノマーを重合させて、前記薄膜トランジスタ素子と重畳する放熱膜を形成する工程（２）と、
前記放熱膜の表面上に、第一の配向膜を形成する工程（３）とを含み、
前記放熱膜は、前記液晶性モノマーの重合体である液晶性ポリマーと、前記無機微粒子とを含有し、
前記液晶性ポリマーは、前記放熱膜の面内方向に配向していることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
前記工程（２）と前記工程（３）との間に、前記放熱膜の表面にラビング処理を施す工程（４）を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記工程（１）の前に、前記第一の基板の表面上に、前記液晶性ポリマーの配向を制御する放熱膜用配向膜を形成する工程（５）を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記工程（２）では、前記液晶性モノマーのラジカル重合又は縮合重合が行われることを特徴とする請求項１２～１４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
前記液晶性モノマーは、下記化学式（１）で表されることを特徴とする請求項１２～１５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
Ｐ^１－Ｓｐ^１－Ｒ^１－Ａ^１－（Ｚ^１－Ａ^２）_ｎ－Ｒ^２　（１）
（前記化学式（１）中、Ｒ^２は、－Ｒ^３－Ｓｐ^２－Ｐ^２基、水素原子、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_６基、又は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１～１８のアルキル基を表す。Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、同一又は異なって、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレン基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１～６のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。Ｒ^１及びＲ^３は、同一又は異なって、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、１，４－フェニレン基、ナフタレン－２，６－ジイル基、又は、１，４－シクロヘキシレン基を表す。Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子、－ＣＮ基、又は、炭素数１～６のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基若しくはアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Ｚ^１は、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、又は、直接結合を表す。ｎは、０、１、２、又は、３を表す。）
前記液晶性モノマーは、下記化学式（２）及び（３）で表されるモノマーのうちの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記無機微粒子は、窒化物であることを特徴とする請求項１２～１７のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
前記窒化物は、窒化ホウ素、窒化ケイ素、及び、窒化アルミニウムからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含むことを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記液晶層を構成する液晶材料の誘電率異方性の絶対値は、３．０以下であることを特徴とする請求項１２～１９のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。