WO2018008583A1

WO2018008583A1 - 液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法

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Publication number: WO2018008583A1
Application number: PCT/JP2017/024305
Authority: WO
Inventors: 真伸水▲崎▼; 博司土屋; 箕浦　潔; 坂井　彰
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2016-07-04
Filing date: 2017-07-03
Publication date: 2018-01-11
Also published as: CN109416484B; US20190155107A1; CN109416484A

Abstract

本発明は、屋外での視認性に優れた液晶表示装置、及び、そのような液晶表示装置を製造可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。本発明の液晶表示装置は、一対の基板と、上記一対の基板間に挟持され液晶材料を含有する液晶層と、上記液晶層と接する配向制御層とを備え、上記一対の基板の少なくとも一方は、上記液晶層側に位相差層を有し、上記配向制御層は、上記液晶材料を上記基板面に対して水平方向に配向させるものであり、少なくとも特定の第一のモノマー由来のユニットを含むポリマーを含有するものである。

Description

液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法

本発明は、液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法に関する。より詳しくは、位相差層及び配向制御層を有する液晶表示装置、並びに、液晶表示装置の製造方法に関するものである。

液晶表示装置は、表示のために液晶組成物を利用する表示装置であり、その代表的な表示方式は、一対の基板間に液晶組成物を封入した液晶パネルに対してバックライトから光を照射し、液晶組成物に電圧を印加して液晶材料の配向を変化させることにより、液晶パネルを透過する光の量を制御するものである。このような液晶表示装置は、薄型、軽量及び低消費電力といった特長を有することから、スマートフォン、タブレットＰＣ、カーナビゲーション等の電子機器に利用されている。

また、液晶表示装置の表示方式として、広視野角特性を得やすい等の理由から、液晶材料の配向を基板面に対して平行な面内で主に回転させることによって制御を行う横電界型表示モードが注目を集めている。横電界型表示モードとしては、例えば、面内スイッチング（ＩＰＳ：Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードや、フリンジ電界スイッチング（ＦＦＳ：Ｆｒｉｎｇｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが挙げられる。

液晶表示装置において、電圧が印加されていない状態における液晶材料の配向は、配向処理が施された配向膜によって制御されるのが一般的である。上記配向膜は、例えば、基板上にポリアミック酸等の配向膜材料を塗布し、その後焼成して製膜する。液晶材料の配向を制御する他の方法としては、液晶層中に添加した重合性モノマーを重合させて、配向膜の表面に液晶材料の配向を制御するポリマー層を形成するポリマー支持配向技術（Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）（以下、ＰＳＡ技術ともいう。）も検討されている（例えば、特許文献１～３等参照）。

また、外光下で使用した場合に、外光の反射を抑制し、認識性を向上させるために、液晶パネル内に位相差層を形成する技術が検討されている。上記位相差層としては、例えば、重合性のネマチック液晶モノマーを重合させて製造する方法が検討されている（例えば、特許文献４等参照）。

特開２０１５－２０５９８２号公報特開２０１０－０３３０９３号公報米国特許出願公開第２０１２／００２１１４１号明細書特開２００７－２０６２４１号公報

液晶パネルの内部に位相差層を有する液晶表示装置において、液晶層に含まれる液晶剤材料を配向させるために、上記位相差層上に配向膜を形成することがある（例えば、特許文献４等参照）。しかしながら、位相差層を形成した後に配向膜を形成すると、位相差層のリタデーションが低下し、視認性が低下することがあった。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、屋内だけではなく屋外での視認性に優れた液晶表示装置、及び、そのような液晶表示装置を製造可能な液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、位相差層のリタデーションの低下を抑制する方法を検討し、配向膜の形成過程に着目した。配向膜は、一般的にポリアミック酸等を含有する配向膜材料を塗工し、その後、例えば２００℃以上の温度で焼成することで形成される。そのため、位相差層上に配向膜を形成すると、焼成の際の加熱によって位相差層のリタデーションが低下することを見出した。

そこで、本発明者らは、少なくとも、液晶層側に位相差層を有する基板の表面に、従来の配向膜の代わりに、上記液晶層と接するように配向制御層を配置することで、基板表面に従来の配向膜を形成せずとも、液晶材料の配向を制御できることを見出した。これにより、配向膜の焼成を行うプロセスを省略できるので、位相差層のリタデーション低下が起こらないことを見出した。

一方で、基板表面に従来の配向膜を有さない液晶表示装置では、コントラストが低下することがあった。本発明者らの検討によると、基板表面の凹凸（例えば、電極を形成した領域と電極を形成していない領域の境界に生じる段差等）の影響で、部分的にプレチルト角が発生するため、特に、液晶材料を基板面に対して水平方向に配向させる場合に、コントラストが低下することを見出した。そして、液晶層中に添加したモノマーを重合させ、配向制御層を形成することで、上記基板表面の凹凸の影響が大幅に軽減され、部分的なプレチルト角の発生を抑制し、高いコントラストを得ることができることを見出した。

更に、本発明者らは、液晶材料を基板面に対して水平方向に配向させる配向制御層の材料として、カルコニル基を含有するモノマーを用いることで、偏光紫外線により重合させることができるため、無偏光光を照射するよりも、低い照射強度で配向制御層を形成できることを見出した。

すなわち、本発明の一態様は、一対の基板と、上記一対の基板間に挟持され液晶材料を含有する液晶層と、上記液晶層と接する配向制御層とを備え、上記一対の基板の少なくとも一方は、上記液晶層側に位相差層を有し、上記配向制御層は、上記液晶材料を上記基板面に対して水平方向に配向させるものであり、少なくとも下記化学式（Ａ）で表される第一のモノマー由来のユニットを含むポリマーを含有する液晶表示装置であってもよい。

（式中、Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、ビニル基、又は、ビニルオキシ基を表す。
Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、同一又は異なって、炭素数１～６の、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、若しくは、炭素数１～６の、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。）

本発明の他の一態様は、一対の基板の少なくとも一方に、位相差層を形成する工程と、上記一対の基板間に、液晶材料と少なくとも一種のモノマーとを含有する液晶組成物を封止して液晶層を形成する工程と、上記液晶層に偏光紫外線を照射し、上記一対の基板と上記液晶層との界面に、上記少なくとも一種のモノマーを重合させてなる配向制御層を形成する工程とを有し、上記少なくとも一種のモノマーは、下記化学式（Ａ）で表される第一のモノマーを含有し、上記配向制御層は、上記液晶材料を上記基板面に対して水平方向に配向させるものである液晶表示装置の製造方法であってもよい。

上記特許文献１は、他の液晶組成物への相溶性が高い配向制御材料を含有し、配向規制力に優れた液晶組成物が開示されており、液晶組成物に含まれる重合性化合物を重合することで配向制御層を形成することが開示されている。上記特許文献２は、液晶に混入された対称構造を有する多官能モノマーを重合させ、得られた紫外線硬化物により液晶を垂直配向させることが開示されている。上記特許文献３は、光反応性を有するノルボルネン系重合体、バインダー、反応性メソゲン及び光開始剤を含む液晶配向用組成物が開示されている。

しかしながら、上記特許文献１～３のいずれにも、上記化学式（Ａ）で表されるカルコニル基を有するモノマーについて具体的な開示はなく、上記カルコニル基を有するモノマーに偏光紫外線を照射することは検討されていない。また、上記特許文献２では、紫外線硬化物により液晶を垂直配向させるが、本発明の液晶表示装置は、液晶材料を基板面に対して水平方向に配向させる配向制御層を有する点で異なる。

本発明の液晶表示装置は、位相差層により外光反射を抑制するため、屋外での視認性に優れる。また、配向制御層が特定のモノマー由来のユニットを含むポリマーを含むことで、液晶材料の水平配向制御が可能である。

また、本発明の上記態様に係る液晶表示装置の製造方法は、位相差層上に従来の配向膜を形成する工程を有さないため、配向膜を形成する際の加熱による位相差層のリタデーションの低下を抑制し、屋外での視認性に優れた液晶表示装置を製造することができる。

実施形態１に係る液晶表示装置の断面模式図である。実施形態１に係る液晶表示装置の平面模式図である。配向制御層を形成する工程での、配向制御層の形成過程を説明した模式図である。実施形態２に係る液晶表示装置の断面模式図である製造例１－１の黒状態及び光透過状態の写真図である。位相差層上に配向膜を有する液晶表示装置の断面模式図である。

以下、本発明の実施形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に記載された内容に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。

＜実施形態１＞
＜液晶表示装置＞
図１及び図２を用いて、実施形態１の液晶表示装置について説明する。図１は、実施形態１に係る液晶表示装置の断面模式図である。図２は、実施形態１に係る液晶表示装置の平面模式図である。図１及び図２に示したように、実施形態１の液晶表示装置１００Ａは、一対の基板１０及び２０と、一対の基板１０及び２０間に挟持され液晶材料３１を含有する液晶層３０と、液晶層３０と接する配向制御層５０とを備える。基板１０は、液晶層３０側に配向制御層５０と接する位相差層６０を有する。

位相差層６０を有することで、屋外等の明所において、外光反射を抑制し、視認性を高めることができる。更に、配向制御層５０が液晶材料３１を基板面に対して水平方向に配向させるため、位相差層上（液晶層側）に従来の配向膜を形成する必要がない。そのため、配向膜を焼成する際の加熱によって、位相差層のリタデーションが低下することがない。本発明において、「配向制御層」とは、液晶層中に添加した重合性モノマーを重合させ、液晶層から相分離させることで、液晶層と基板との界面に形成されたポリマー層であって、液晶材料の配向を制御できる膜をいう。「配向膜」とは、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリアミド、ポリマレイミド、ポリシロキサン、ポリシルセスキオキサン、ポリフォスファゼン、若しくは、これらの共重合体で構成される単層膜若しくは積層膜、又は、シリコン酸化物が斜方蒸着により形成された膜であって、液晶材料の配向を制御できる膜をいう。一般的な液晶表示装置においては、表示領域を構成する基板面上に配向膜材料が直接塗布（例えば、ポリイミド等の塗布）又は蒸着（例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ）の斜方蒸着）されることによって配向膜が形成される。上記配向膜は、ポリイミド等の既存の配向膜材料が塗布されたものである限り、配向処理がなされたものに限定されない。

実施形態１の液晶表示装置１００Ａは、一対の基板１０及び２０の液晶層側の表面に、従来の配向膜を有さず、シール材４０によって一対の基板１０及び２０が互いに接合されている。従来の配向膜を介さずに、基板１０及び２０とシール材４０がそれぞれ接することで、剥離強度を高めることができる。

一対の基板１０、２０としては、例えば、アクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）及びカラーフィルタ（ＣＦ）基板の組み合わせが挙げられる。

上記アクティブマトリクス基板としては、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができる。アクティブマトリクス基板を平面視したときの構成としては、透明基板２１上に、複数本の平行なゲート信号線；ゲート信号線に対して直交する方向に伸び、かつ互いに平行に形成された複数本のソース信号線；ゲート信号線とソース信号線との交点に対応して配置された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のアクティブ素子；ゲート信号線とソース信号線とによって区画された領域にマトリクス状に配置された画素電極２４等が設けられた構成が挙げられる。横電界型表示モードの場合には、更に、共通配線；共通配線に接続された共通電極２２等が設けられる。画素電極２４と共通電極２２とは、絶縁層２３を介して積層されてもよい。上記ＴＦＴは、アモルファスシリコン、ポリシリコン、又は、酸化物半導体であるＩＧＺＯ（インジウム－ガリウム－亜鉛－酸素）によって、チャネルを形成したものが好適に用いられる。

アクティブマトリクス型の表示方式では、通常、各画素に設けられたＴＦＴがオンのときに、ＴＦＴを通じて信号電圧が電極に印加され、このときに画素に充電された電荷を、ＴＦＴがオフの期間中に保持する。充電された電荷を１フレーム期間（例えば、１６．７ｍｓ）中に保持した割合を示すのが電圧保持率（ＶＨＲ：Ｖｏｌｔａｇｅ　Ｈｏｌｄｉｎｇ　Ｒａｔｉｏ）である。すなわち、ＶＨＲが低いということは、液晶層に印加される電圧が時間とともに減衰しやすいことを意味し、アクティブマトリクス型の表示方式においては、ＶＨＲを高くすることが求められる。

上記カラーフィルタ基板としては、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができる。カラーフィルタ基板の構成としては、透明基板１１上に、格子状に形成されたブラックマトリクス１２、格子すなわち画素の内側に形成されたカラーフィルタ１３等が設けられた構成が挙げられる。カラーフィルタ１３は、赤色のカラーフィルタ１３Ｒ、緑色のカラーフィルタ１３Ｇ及び青色のカラーフィルタ１３Ｂを含んでもよい。青色のカラーフィルタ１３Ｂの厚さは、赤色のカラーフィルタ１３Ｒの厚さ、緑色のカラーフィルタ１３Ｇ厚さより厚くてもよい。青色のカラーフィルタ１３Ｂを厚くすることで、液晶層厚を薄くすることができ、セル厚の最適化を行える。カラーフィルタ１３の表面は、凹凸面を平坦化するオーバーコート層（誘電率ε＝３～４）を配置してもよい。

一対の基板１０及び２０の少なくとも一方は、液晶層３０側に位相差層６０を有する。位相差層６０は、屋外等の明所での外光反射を抑制するものであり、液晶表示装置１００Ａの視認性を高めることができる。液晶表示装置１００Ａは、位相差層６０上（液晶層３０側）に従来の配向膜を有さない。位相差層６０がカラーフィルタ基板に形成される場合には、カラーフィルタ１３よりも液晶層３０側に形成される。位相差層６０は、効果的に反射防止効果を得るために、外光が入射される側（観察者側）の基板内に配置されることが好ましい。

位相差層６０の面内位相差は、１００～１６０ｎｍであってもよい。上記位相差を１００～１６０ｎｍとすることで、外光に含まれる可視光の反射を効果的に抑制することができる。上記位相差が１００ｎｍ未満であっても、１６０ｎｍを超えても、液晶パネルの観察者側に配置された偏光板を透過する反射光の量が増えるため、充分な反射防止効果が得られない）。上記面内位相差Ｒｅは、下記式（１）により算出することができる。
　Ｒｅ＝（ｎｘ－ｎｙ）×ｄ　　（１）
　　ｎｘ：位相差層６０の面内における遅相軸の屈折率
　　ｎｙ：位相差層６０の面内における進相軸の屈折率
　　ｄ：位相差層６０の厚さ

位相差層６０は、配向層６１と液晶性モノマーの重合体６２とが積層されたものであってもよい。配向層６１は、積層される重合体６２を構成する液晶性モノマーの配向を制御するものである。配向層６１上に液晶性モノマーを積層し、重合させることで、液晶性モノマーを所定の配向方位に固定し、所望の位相差を有する位相差層を形成することができる。一方、配向層６１と液晶性モノマーの重合体６２とが積層された位相差層６０は、耐熱性が低く、加熱によるリタデーションの低下が起こりやすい。そのため、位相差層６０が、配向層６１と液晶性モノマーの重合体６２とが積層されたものである場合に、位相差層６０上に配向膜を形成しないことで、リタデーションの低下をより効果的に抑制することができる。

配向層６１としては、例えば、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリアミド、ポリマレイミド、ポリシロキサン、ポリシルセスキオキサン、ポリフォスファゼン、若しくは、これらの共重合体で構成される単層膜若しくは積層膜、又は、シリコン酸化物が斜方蒸着により形成された膜が挙げられる。配向層６１は、配向処理されていることが好ましい。配向処理方法は、特に限定されず、ラビング法、光配向法等を用いることができる。

配向層６１が光配向処理を施されたものである場合には、配向層６１は光反応性官能基を有するポリマーを含有することが好ましい。上記光反応性官能基は、紫外光、可視光等の光（電磁波）が照射されることによって、例えば、二量化（二量体形成）、異性化、光フリース転移、分解等の構造変化を生じ、配向規制力を発現できる官能基である。上記光反応性官能基の具体例としては、例えば、アゾベンゼン基、カルコン基、シンナメート基、クマリン基、トラン基、スチルベン基等が挙げられる。

上記液晶性モノマーは、屈折率異方性を有する重合性のモノマーである。上記液晶性モノマーは、モノマー自身が位相差を有するものであってもよく、上記配向処理を施した配向層６１上に上記液晶性モノマーを重合させた場合に、位相差を発現できるモノマーであってもよい。上記液晶性モノマー自身の位相差、又は、配向層６１上に上記液晶性モノマーを重合させて得られる位相差層６０の面内位相差は、１００～１６０ｎｍであることが好ましい。上記液晶性モノマーを重合させることで、熱揺らぎによる位相差の低下を抑制し、温度安定性等の安定性向上ができる。

上記液晶性モノマーは、アクリル系モノマー又はメタクリル系モノマーであってもよい。上記アクリル系モノマーは、重合基としてアクリル基を有するものである。上記メタクリル系モノマーは、重合基としてメタクリル基を有するものである。液晶性モノマーがアクリル系モノマーであると、反応速度が速い点で有利である。液晶性モノマーがメタクリル系モノマーであると、ガラス転移点が高いため、位相差の温度依存性が小さくすることができる。

上記液晶性モノマーとしては、例えば、下記化学式（Ｅ－１）～（Ｅ－１４）で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｘ^１及びＸ^２は、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を表す。ｇは、１～１８の整数である。ｈ及びｉは、同一又は異なって、１～１８の整数である。ｊ及びｋは、同一又は異なって、１～１２の整数である。）

なお、一対の基板１０、２０は、カラーフィルタ１３及びアクティブマトリクスの両方が片側の基板に形成されたものであってもよい。実施形態１では、基板１０が位相差層６０を有する形態を示したが、一対の基板１０及び２０の両方が位相差層６０を有してもよい。

シール材４０は、例えば、図２に示したように、平面視において液晶層３０の周囲を囲むように配置されている。液晶表示装置１００Ａは、基板１０及び２０の表面に配向膜を有さないため、基板１０及び２０とシール材４０とが、それぞれ直接接しており、剥離強度が高い。シール材４０は、紫外線等の光によって硬化するものであってもよいし、熱により硬化するものであってもよいし、光及び熱の両方によって硬化するものであってもよい。シール材４０は、例えば、エポキシ樹脂、（メタ）アクリル樹脂等を含有するものが挙げられる。シール材４０は、無機フィラー、有機フィラー又は硬化剤等を含有してもよい。シール材４０としては、例えば、積水化学工業社製、フォトレック等を用いることができる。

平面視におけるシール材４０の幅は、０．４ｍｍ以上、５ｍｍ以下であってもよい。上記シール材４０の幅のより好ましい下限は０．６ｍｍであり、より好ましい上限は４ｍｍであり、更に好ましい上限は２ｍｍである。実施形態１の液晶表示装置は、基板１０及び２０とシール材４０との剥離強度が高いため、シール材の幅が、例えば、１．０ｍｍ以下であっても充分に基板１０及び基板２０を接合することができる。

液晶層３０は、液晶材料３１を含有する。液晶層３０に液晶材料３１の閾値以上の電圧が印加されると、液晶材料３１の配向が変化し、その液晶パネルを透過する光の量を制御することができる。液晶材料３１は、上記液晶モノマーとは異なり、一般的に重合性基は有さないものが用いられる。液晶材料３１は、サーモトロピック液晶であり、好適には、ネマティック相を呈する液晶材料（ネマチック液晶）であることが好ましい。上記液晶材料は、ネマティック相から温度を上げていくと、ある臨界温度（ネマティック相－等方相転移点（Ｔ_ＮＩ））以上になると等方相に相転移するものが好ましい。液晶層４０は、液晶表示装置の使用環境下（例えば、－４０℃～９０℃）で、ネマティック相を呈することが好ましい。上記液晶材料のネマティック相－等方相転移点の温度は特に限定されないが、例えば、７０～１１０℃である。なお、上記Ｔ_ＮＩは、液晶材料が後述するアルケニル基を有する液晶化合物を含有する場合には、アルケニル基を有する液晶化合物を含んだ液晶材料のＴ_ＮＩである。

上記液晶材料は、下記式で定義される誘電率異方性（Δε）が負の値を有するものであってもよく、正の値を有するものであってもよい。すなわち、液晶材料は、負の誘電率異方性を有するものであってもよく、正の誘電率異方性を有するものであってもよい。負の誘電率異方性を有する液晶材料としては、例えば、Δεが－１～－２０のものを用いることができる。正の誘電率異方性を有する液晶材料としては、例えば、Δεが１～２０のものを用いることができる。更に、液晶層３０は、極性を有さない、すなわちΔεが実質的に０である液晶材料（ニュートラル液晶材料）を含有していてもよい。ニュートラル液晶材料としては、アルケン構造を有する液晶材料が挙げられる。
Δε＝（長軸方向の誘電率）－（短軸方向の誘電率）

高いＶＨＲを維持する観点からは、上記液晶材料は、正の誘電率異方性を有することが好ましい。一方で、液晶表示装置１００Ａの表示モードが横電界型表示モードである場合には、良好なコントラストが得られることから、上記液晶材料は、負の誘電率異方性を有することが好ましい。

上記液晶材料は、アルケニル基を有する液晶化合物を含有してもよい。アルケニル基を有する液晶化合物を含有することで、液晶材料の応答性能を向上し、高速化することができる。一方で、アルケニル基を有する液晶化合物は、耐光性が低く、紫外線等の照射により分解し、ＶＨＲの低下を引き起こすことがある。実施形態１では、配向制御層５０は、上記化学式（Ａ）で表される第一のモノマー由来のユニットを含むポリマーを含有しており、上記第一のモノマーは、カルコニル基を有し、一軸方向のみの紫外光である偏光紫外線により配向規制力を発現するため、液晶層３０に照射される紫外線強度は、無偏光光に比べて大きく低下させることができる。そのため、液晶材料にアルケニル基を有する液晶化合物を導入しても、ＶＨＲの低下等の信頼性の問題が発生し難い。

上記アルケニル基を有する液晶化合物は、下記化学式（Ｂ－１）～（Ｂ－４）のいずれかで表される化合物であってもよい。

（式中、ｍ及びｎは、同一又は異なって、１～６の整数である。）

上記アルケニル基を有する液晶化合物の具体的な例としては、例えば、下記化学式（Ｂ－１－１）で表される化合物が挙げられる。

配向制御層５０は、図２に示したように、平面視において上記シール材４０で囲まれた領域内に配置される。配向制御層５０は、液晶層３０と接するように配置されており、液晶層３０中の液晶材料３１を基板１０及び２０面に対して水平方向に配向させる。配向制御層５０は液晶層３０に液晶材料の閾値以上の電圧が印加されていない状態における液晶材料の配向は、配向制御層５０により制御される。なお、液晶材料３１を基板１０及び２０面に対して水平方向に配向させるとは、基板１０及び２０面に対する液晶材料のプレチルト角が、１０°以下であるこという。上記プレチルト角は、３°以下であることがより好ましい。上記プレチルト角とは、液晶層３０への印加電圧が閾値電圧未満（電圧無印加を含む）における、基板の表面に対して液晶材料の長軸が形成する角度をいい、基板面を０°、基板法線を９０°とする。

配向制御層５０は、少なくとも下記化学式（Ａ）で表される第一のモノマー由来のユニットを含むポリマーを含有する。

重合性基として、メタクリロイルオキシ基又はメタクリロイルアミノ基を有する場合には、配向制御層を形成する際の偏光紫外線の照射量は多くなるが、一旦形成された配向制御層は、長期に渡って高い配向安定性を維持することができる。一方、重合性基として、アクリロイルオキシ基、アクリロイルアミノ基、ビニル基、ビニルオキシ基を有する場合、上記偏光紫外線の照射量が比較的少なくても充分に液晶材料の配向方位を制御できる水平配向制御層が得られるため、コントラストが高い液晶表示装置をより低い照射量で得ることができる。更に、アクリロイルオキシ基は、重合後、完全に脂肪族となるので、信頼性の高い配向制御層を形成することができる。

上記化学式（Ａ）で表される第一のモノマーは、カルコニル基を有する。カルコニル基は偏光紫外線を吸収して配向規制力を発現することができる。偏光紫外線の照射は、一軸方向の光だけを照射するため、無偏光光の照射に比べて、液晶層３０に照射する光照射強度を低くすることができる。上記第一のモノマーが配向規制力を発現することで、配向制御層５０は、液晶材料を基板面に対して水平方向に配向させることができる。また、上記第一のモノマーは、２つの重合性基を有し、紫外線等の光照射又は加熱により重合し、ポリマーを形成する。該ポリマーが、液晶層からの相分離することで、配向制御層５０を形成する。

上記第一のモノマーの具体的な例としては、下記化学式（Ａ－１）又は（Ａ－２）で表されるモノマーが挙げられる。

（式中、ｒ及びｓは、同一又は異なって、１～６の整数である。）

上記第一のモノマーのより具体的な例としては、下記化学式（Ａ－１－１）、（Ａ－２－１）～（Ａ－２－４）のいずれかで表されるモノマーが挙げられる。

上記化学式（Ａ－１－１）及び（Ａ－２－１）で表されるモノマーは、光フリース転移によるラジカル形成が起こるため、重合開始剤又は重合開始モノマーを必要とせずに重合し、配向制御層５０を形成することができる。上記化学式（Ａ－２－２）、（Ａ－２－３）、及び（Ａ－２－４）で表されるモノマーは、カルコニル基と重合性基との間にアルキル基が導入されており、分子構造が柔軟であるため、より配向性に優れた配向制御層５０を得ることができる。

上記ポリマーは、更に下記化学式（Ｃ）で表される第二のモノマー由来のユニットを含んでもよい。上記第二のモノマーは、重合開始モノマーであり、光照射による水素引き抜き反応によってラジカルを生成する構造を有する。

（式中、Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、ベンゼン環、ビフェニル環、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルケニル基を表す。
Ａ^１及びＡ^２のいずれか一方は、ベンゼン環又はビフェニル環である。
Ａ^１及びＡ^２の少なくとも一方は、－Ｓｐ^３－Ｐ^３基を含む。
Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、－Ｓｐ^３－Ｐ^３基、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_５基、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルケニル基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアラルキル基で置換されていてもよい。Ａ^１及びＡ^２が有する隣接する２つの水素原子は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキレン基、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルケニレン基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアラルキル基で置換されて環状構造となっていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する水素原子は、－Ｓｐ^３－Ｐ^３基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する－ＣＨ_２－基は、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が互いに隣接しないかぎり－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－Ｏ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＣＦ_２Ｏ－基、－ＯＣＦ_２－基、－ＣＦ_２Ｓ－基、－ＳＣＦ_２－基、－Ｎ（ＣＦ_３）－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＦ_２－基、－ＣＦ_２ＣＨ_２－基、－ＣＦ_２ＣＦ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－ＣＦ＝ＣＦ－基、－Ｃ≡Ｃ－基、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－基、又は、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－基で置換されていてもよい。
Ｐ^３は、重合性基を表す。
Ｓｐ^３は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、若しくは、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
ｑは、１又は２である。
Ａ^１とＹをつなぐ点線部分、及び、Ａ^２とＹとをつなぐ点線部分は、Ａ^１とＡ^２との間にＹを介した結合が存在していてもよいことを表す。
Ｙは、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、又は、直接結合を表す。）

上記化学式（Ｃ）で表される化合物に含まれる重合性基Ｐ^３は、ラジカル重合性基であってもよい。上記重合性基Ｐ^３は、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、ビニル基、又は、ビニルオキシ基であることが好ましい。

上記第二のモノマーの具体的な例としては、下記化学式（Ｃ－１）～（Ｃ－８）で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒ^３及びＲ^４は、同一若しくは異なって、－Ｓｐ^６－Ｐ^６基、水素原子、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_５基、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、若しくは、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアラルキル基、又は、フェニル基を表す。
Ｒ^３及びＲ^４の少なくとも一方は、－Ｓｐ^６－Ｐ^６基を含む。
Ｐ^６は、ラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ^６は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、若しくは、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
Ｒ^３及びＲ^４の少なくとも一方が、炭素数１～１２の、アルキル基、若しくは、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアラルキル基、又は、フェニル基であるとき、Ｒ^３及びＲ^４が有する水素原子は、フッ素原子、塩素原子又は－Ｓｐ^６－Ｐ^６基に置換されていてもよい。
Ｒ^３及びＲ^４が有する－ＣＨ_２－基は、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が互いに隣接しない限り－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－Ｏ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＣＦ_２Ｏ－基、－ＯＣＦ_２－基、－ＣＦ_２Ｓ－基、－ＳＣＦ_２－基、－Ｎ（ＣＦ_３）－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＦ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＦ_２－基、－ＣＦ_２ＣＦ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－ＣＦ＝ＣＦ－基、－Ｃ≡Ｃ－基、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－基、又は、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－基で置換されていてもよい。）

上記化学式（Ｃ－１）～（Ｃ－８）で表される化合物に含まれるラジカル重合性基Ｐ^６は、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、ビニル基、又は、ビニルオキシ基であることが好ましい。

上記第二のモノマーのより具体的な例としては、下記化学式（Ｃ－２－１）又は（Ｃ－２－２）で表される化合物が挙げられる。

上記ポリマーは、更に下記化学式（Ｄ）で表される第三のモノマー由来のユニットを含んでもよい。上記第三のモノマーは、重合開始モノマーであり、光照射による自己開裂反応によってラジカルを生成する構造を有する。

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なって、炭素数１～４の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、又は、炭素数１～４の、直鎖状若しくは分枝状のアルケニル基を表す。
Ｐ^４及びＰ^５は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、ビニル基、又は、ビニルオキシ基を表す。
Ｓｐ^４及びＳｐ^５は、同一又は異なって、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレンオキシ基、若しくは、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表す。）

上記第三のモノマーの具体的な例としては、下記化学式（Ｄ－１）で表される化合物が挙げられ、より具体的な化合物としては、下記化学式（Ｄ－１－１）で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｐ^７及びＰ^８は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、ビニル基、又は、ビニルオキシ基を表す。
Ｓｐ^７及びＳｐ^８は、同一又は異なって、炭素数１～６の、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、若しくは、炭素数１～６の、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。）

重合開始モノマーである上記第二のモノマー又は第三のモノマーを用いると、第一のモノマーの重合速度を向上させることができるため、配向制御層５０を形成する際に液晶層３０に照射する光照射強度を低減できる。そのため、液晶材料の粘度を低下させるために、耐光性の低い上記アルケニル基を有する液晶化合物の添加量を増やしても、ＶＨＲの低下を抑制しつつ、高速応答化することができる。また、上記第二のモノマー及び第三のモノマーは共に、重合性基を有するため、配向制御層を形成する際に配向制御層に取り込まれ易く、不純物として液晶層中に残存し難いため、電圧保持率（ＶＨＲ）の低下を引き起こし難い。なお、液晶組成物に上記第二のモノマー又は第三のモノマーを添加しても、光照射をすることで配向制御層５０を形成することができ、充分な水平配向制御を行うことができる。

一対の基板１０、２０の液晶層３０とは反対側にはそれぞれ、偏光板（直線偏光子）７０が配置されてもよい。偏光板７０としては、典型的には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムに、二色性を有するヨウ素錯体等の異方性材料を、吸着配向させたものが挙げられる。通常は、ＰＶＡフィルムの両面にトリアセチルセルロースフィルム等の保護フィルムをラミネートして実用に供される。また、偏光板７０と一対の基板１０、２０との間には、位相差フィルム等の光学フィルムが配置されていてもよい。

図１に示したように、実施形態１の液晶表示装置では、バックライト８０が液晶パネルの背面側に配置されている。このような構成を有する液晶表示装置は、一般的に、透過型の液晶表示装置と呼ばれる。バックライト８０としては、可視光を含む光を発するものであれば特に限定されず、可視光のみを含む光を発するものであってもよく、可視光及び紫外光の両方を含む光を発するものであってもよい。

実施形態１の液晶表示装置は、液晶パネル及びバックライト８０の他、ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）、ＰＣＢ（プリント配線基板）等の外部回路；視野角拡大フィルム、輝度向上フィルム等の光学フィルム；ベゼル（フレーム）等の複数の部材により構成されるものであり、部材によっては、他の部材に組み込まれていてもよい。既に説明した部材以外の部材については特に限定されず、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができるので、説明を省略する。

液晶表示装置１００Ａは、横電界型表示モードであってもよい。横電界型表示モードとしては、例えば、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、電界制御複屈折（ＥＣＢ）モードが挙げられる。

ＦＦＳモードでは、例えば、基板１０及び２０の少なくとも一方に、面状電極と、スリット電極と、面状電極及びスリット電極の間に配置された絶縁膜とを含む構造（ＦＦＳ電極構造）が設けられ、液晶層３０中に斜め電界（フリンジ電界）が形成される。通常では、液晶層３０側から、スリット電極、絶縁膜、面状電極の順に配置される。スリット電極としては、例えば、その全周を電極に囲まれた線状の開口部をスリットとして備えるものや、複数の櫛歯部を備え、かつ櫛歯部間に配置された線状の切れ込みがスリットを構成する櫛型形状のものを用いることができる。

ＩＰＳモードでは、例えば、基板１０及び２０の少なくとも一方に一対の櫛形電極が設けられ、液晶層３０中に横電界が形成される。一対の櫛形電極としては、例えば、それぞれ複数の櫛歯部を備え、かつ櫛歯部が互いに噛み合うように配置された電極対を用いることができる。

ＥＣＢモードでは、例えば、基板１０及び２０のいずれか一方に画素電極が設けられ、他方の基板に対向電極が設けられ、誘電率異方性が正である液晶材料を用いる。画素電極と対向電極との間に印加された電圧によって、液晶材料のリタデーションを変化させ、光の透過、不透過をコントロールする。

＜実施形態１の液晶表示装置の製造方法＞
実施形態１の液晶表示装置の製造方法について説明する。実施形態１の液晶表示装置の製造方法は、一対の基板の少なくとも一方に、位相差層を形成する工程と、上記一対の基板間に、液晶材料と少なくとも一種のモノマーとを含有する液晶組成物を封止して液晶層を形成する工程と、上記液晶層に偏光紫外線を照射し、上記一対の基板と上記液晶層との界面に、上記少なくとも一種のモノマーを重合させてなる配向制御層を形成する工程とを有する。

以下、各工程について更に説明するが、各部材については上述した通りであるので説明を省略する。

上記位相差層を形成する工程において、上記位相差層がカラーフィルタ基板に形成される場合は、例えば、ブラックマトリクス、カラーフィルタ、オーバーコート層等を形成した後に、上記位相差層を形成する。上記位相差層がＴＦＴ基板に形成される場合は、例えば、共通電極、画素電極、ＴＦＴ、各種信号線等を形成した後に、上記位相差層を形成する。

上記位相差層を形成する工程では、少なくとも一方の基板の表面に配向層を形成し、上記配向層に液晶性モノマーを含有する組成物を塗工し、上記液晶性モノマーを重合させてもよい。上記配向層は、例えば、一対の基板の少なくとも一方の表面に、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリアミド、ポリマレイミド、ポリシロキサン、ポリシルセスキオキサン、若しくは、ポリフォスファゼン等を含有する配向層組成物を塗布するか、又は、シリコン酸化物を含有する配向層組成物を斜方蒸着し、焼成等を行うことで形成する。上記配向層組成物は、上述の光反応性官能基を有するポリマーを含有してもよい。

配向層６１は、配向処理されることが好ましい。配向処理方法は、特に限定されず、ラビング法、光配向法等を用いることができる。上記配向処理は、配向層が液晶材料を配向させる方位と、上記配向制御層が液晶材料を配向させる方位とが平行になるように行ってもよい。

上記液晶性モノマーの重合は、例えば、可視、紫外線等の光照射により行う。液晶性モノマーの重合は、溶媒を用いないバルク重合（塊状重合）又は液晶性モノマーを高濃度にした状態で行われるため、液晶性モノマーの重合度は低く、例えば、重量平均分子量で３万以下であると考えられる。そのため、配向層に液晶性モノマーの重合体を積層して位相差層を形成する場合は、特に位相差層の耐熱性は低く、例えば、２００℃以上で加熱するとリタデーションの低下が起こりやすい。

上記液晶性モノマーは、アクリル系モノマー又はメタクリル系モノマーであってもよい。

上記液晶層を形成する工程において、上記液晶組成物の封止は、シール材によって液晶組成物が一対の基板間に挟持されていればよく、シール材を硬化していなくてもよい。シール材の硬化は、後述する配向制御層を形成する工程と別に行ってもよいし、同時に行ってもよい。上記シール材は、上述のように、紫外線等の光によって硬化するものであってもよいし、熱により硬化するものであってもよいし、光及び熱の両方によって硬化するものであってもよい。

上記液晶層は、例えば、真空注入法又は滴下注入法により、一対の基板間に液晶組成物を充填することで形成できる。真空注入法を採用する場合は、シール材の塗布、一対の基板の貼り合せ、シール材の硬化、液晶組成物の注入、及び、注入口の封止をこの順に行うことで、液晶層を形成する。滴下注入法を採用する場合は、シール材の塗布、液晶組成物の滴下、一対の基板の貼り合せ、及び、シール材の硬化をこの順に行うことで、液晶層を形成する。

上記液晶材料は、上述したように、負の誘電率異方性を有するものであってもよく、正の誘電率異方性を有するものであってもよい。上記液晶材料は、アルケニル基を有する液晶化合物を含有してもよい。上記アルケニル基を有する液晶化合物は、上記化学式（Ｂ－１）～（Ｂ－４）のいずれかで表される化合物であってもよい。

上記少なくとも一種のモノマーは、下記化学式（Ａ）で表される第一のモノマーを含有する。下記化学式（Ａ）で表される第一のモノマーは、カルコニル基を有し、偏光紫外線を吸収して配向規制力を発現することができる。偏光紫外線の照射は、一軸方向の光だけの光を照射するため、無偏光光の照射に比べて、液晶層に照射する光照射強度を低くすることができる。

上記第一のモノマーの具体的な例としては、上記化学式（Ａ－１）又は（Ａ－２）で表されるモノマーが挙げられる。上記第一のモノマーのより具体的な例としては、上記化学式（Ａ－１－１）、（Ａ－２－１）～（Ａ－２－４）のいずれかで表されるモノマーが挙げられる。

液晶組成物に対する上記第一のモノマーの含有量は、０．１重量％以上、１０重量％以下であってもよい。

上記少なくとも一種のモノマーは、上記化学式（Ｃ）で表される第二のモノマーを含有してもよい。上記第二のモノマーの具体的な例としては、上記化学式（Ｃ－１）～（Ｃ－８）で表される化合物が挙げられる。上記第二のモノマーのより具体的な例としては、上記化学式（Ｃ－２－１）で表される化合物が挙げられる。

液晶組成物に対する上記第二のモノマーの含有量は、０．０１重量％以上、０．５重量％以下であってもよい。上記第一のモノマーと上記第二のモノマーとの配合比は、５：１～１０００：１であってもよい。

上記少なくとも一種のモノマーは、上記化学式（Ｄ）で表される第三のモノマーを含有してもよい。上記第三のモノマーの具体的な例としては、下記化学式（Ｄ－１）で表される化合物が挙げられ、より具体的な化合物としては、下記化学式（Ｄ－１－１）で表される化合物が挙げられる。

液晶組成物に対する上記第三のモノマーの含有量は、０．０１重量％以上、０．５重量％以下であってもよい。上記第一のモノマーと上記第三のモノマーとの配合比は、５：１～１０００：１であってもよい。

上記第二のモノマー若しくは上記第三のモノマーの、液晶組成物に対する含有量、又は、第一モノマーに対する配合比率が高いほど、モノマーの重合速度は高くなり、偏光紫外線の照射量を低減できるため、偏光紫外線照射によるＶＨＲの低下を抑制することができる。一方、上記第二のモノマー若しくは上記第三のモノマーの含有量又は配合比率が高くなると、水平配向における配向性が低くなり、コントラストが低下することがある。そのため、配向制御層の配向性を高めるためには、上記第二のモノマー若しくは上記第三のモノマーの含有量又は配合比率を低くすることが望ましい。なお、上記第二のモノマーと上記第三のモノマーとは併用可能である。

以下に図３を用いて、上記配向制御層を形成する工程について説明する。図３は、配向制御層を形成する工程での、配向制御層の形成過程を説明した模式図である。図３の（ａ）はモノマーの重合前を表し、図３の（ｂ）はモノマーの重合後を表す。図３の（ａ）中、矢印は偏光紫外線を表す。図３の（ａ）に示したように、液晶層３０に偏光紫外線を照射することで、上記少なくとも一種のモノマーが重合し、図３の（ｂ）に示したように、基板１０及び２０と液晶層３０との界面に、配向制御層５０が形成される。配向制御層５０は、上記液晶材料を上記基板面に対して水平方向に配向させるものである。

上記偏光紫外線の波長は、２００ｎｍ以上、４３０ｎｍ以下であってもよい。上記波長のより好ましい下限は２５０ｎｍであり、より好ましい上限は３８０ｎｍである。上記偏光紫外線の照射量は、０．３Ｊ／ｃｍ^２以上、２０Ｊ／ｃｍ^２以下であってもよい。上記照射量のより好ましい下限は１Ｊ／ｃｍ^２であり、より好ましい上限は５Ｊ／ｃｍ^２である。上記偏光紫外線は、直線偏光紫外線であることが好ましい。

上記配向制御層を形成する工程では、上記液晶層を上記液晶材料のネマティック相－等方相転移点以上、２００℃未満の温度で加熱しながら、偏光紫外線を照射してもよい。液晶層を液晶材料のネマティック相－等方相転移点（Ｔ_ＮＩ）以上の温度で加熱することで、照射した偏光紫外線の状態が、液晶層中の液晶材料により変化することを防ぐことができるので、高配向度（高コントラスト）の液晶表示装置を製造できる。上記加熱温度は、液晶材料のネマティック相－等方相転移点よりも３℃以上高いことが好ましい。加熱温度の上限は、位相差層のリタデーションの低下を抑制する観点から、例えば２００℃未満である。加熱温度のより好ましい上限は、液晶層が含有する液晶材料の熱による劣化をできるだけ抑える観点から、例えば１４０℃である。加熱時間、加熱手段等の条件は、特に限定されない。液晶材料のネマティック相－等方相転移点の測定方法は、例えば、示差走査熱量測定（ＤＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）、又は、キャピラリーに液晶材料を封入し直接温度依存性を観察する方法等により測定することができる。

実施形態１の液晶表示装置の製造方法は、上記位相差層を形成する工程と上記液晶層を形成する工程の前に、一対の基板の表面に従来の配向膜を形成する工程を有さないため、配向膜を形成する際の加熱による位相差層のリタデーションの低下は起こらない。また、上記一対の基板は、配向膜を介さず、それぞれシール材と直接接するように接合されている。更に、上記液晶層を形成する工程の後に、上記配向制御層を形成する工程を有することで、液晶層を挟持する一対の基板が、シール材によって互いに接合され、かつ、平面視においてシール材で囲まれた領域内に配向制御層を形成することができる。

上記工程の後、偏光板の貼り付け工程、及び、制御部、電源部、バックライト等の取り付け工程を経て、実施形態１の液晶表示装置が完成する。

上記液晶表示装置がノーマリーブラックモードの場合、例えば、上記一対の基板の外側に、吸収軸が互いに直交するように一対の偏光板をクロスニコルに配置し、一対の偏光板の吸収軸と、偏光紫外線の照射軸との成す角度が０°又は９０°となるように配置する。液晶層に閾値以上の電圧が印加されていない状態では、バックライトからの光が液晶層を透過せずに黒表示となる。液晶層に閾値以上の電圧を印加すると、上記クロスニコルに配置した一対の偏光板の吸収軸と、上記照射軸との成す角度が、例えば４５°となり、バックライトからの光が液晶層を透過し、白表示となる。上記照射軸とは、偏光紫外線の振動方向である。基板に対する偏光紫外線の照射方向を変えることで、配向分割処理を行うこともできる。

液晶表示装置１００Ａは、横電界型表示モードが好適である。横電界型表示モードとしては、例えば、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、電界制御複屈折（ＥＣＢ）モードが挙げられる。

＜実施形態２＞
図４を用いて、実施形態２の液晶表示装置について説明する。図４は、実施形態２に係る液晶表示装置の断面模式図である。実施形態２の液晶表示装置１００Ｂは、一対の基板１０及び２０のうち、位相差層６０を有さない方の基板２０と、液晶層３０との間に配向膜を９０を有する。液晶表示装置１００Ｂにおいても、位相差層６０を有する基板１０は、液晶層３０側の表面に従来の配向膜を有さない。基板２０が配向膜９０を有する点以外は、実施形態と同様であるため、各部材の説明は省略する。

液晶表示装置１００Ｂは、位相差層６０上に配向膜を有さないため、配向膜を形成する際の加熱による位相差層のリタデーションの低下は起こらない。一方で、位相差層６０を有さない基板の表面に配向膜９０を有することで、液晶材料の配向安定性を高めることができる。更に、配向膜９０上に配向制御層５０を有することで、液晶材料の配向安定性をより高めることができる。

配向膜９０は、特に限定されず、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができる。例えば、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリアミド、ポリマレイミド、ポリシロキサン、ポリシルセスキオキサン、ポリフォスファゼン、若しくは、これらの共重合体で構成される単層膜若しくは積層膜、又は、シリコン酸化物が斜方蒸着により形成された膜であって、液晶材料の配向を制御できる膜をいう。上記配向膜は、ポリイミド等の既存の配向膜材料が塗布されたものである限り、配向処理がなされたものに限定されない。上記配向処理としては、ラビング法、光配向法等が挙げられる。

平面視におけるシール材４０の幅は、０．４ｍｍ以上、５ｍｍ以下であってもよい。上記シール材４０の幅のより好ましい下限は０．８ｍｍであり、より好ましい上限は４ｍｍであり、更に好ましい上限は２ｍｍである。

＜実施形態２の液晶表示装置の製造方法＞
実施形態２の液晶表示装置の製造方法は、上記液晶層を形成する工程の前に、一対の基板のうち、位相差層を形成していない基板の表面に配向膜を形成する工程を有すること以外は、実施形態１の液晶表示装置の製造方法と同様である。

実施形態２の液晶表示装置の製造方法では、上記液晶層を形成する工程の前に配向膜を形成する工程を有する。例えば、基板１０に位相差層６０を形成する場合、他方の基板２０の表面に、ポリイミド等を含有する配向膜材料を塗布又はシリコン酸化物（ＳｉＯ）を含有する配向膜材料を蒸着し、その後、仮焼成、本焼成等を行うことで、基板２０の表面に配向膜９０を形成する。配向膜９０に対して、上述の配向処理を行ってもよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、説明された個々の事項は、すべて本発明全般に対して適用され得るものである。

参考に、図６を用いて、位相差層上に配向膜を有する液晶表示装置２００の構成を説明する。図６は、位相差層上に配向膜を有する液晶表示装置の断面模式図である。液晶表示装置２００の製造方法では、位相差層２６０を有する基板２１０を、シール材２４０により基板２２０と貼り合わせる前に、一対の基板２１０及び２２０の表面に配向膜２９０を形成する。配向膜２９０は、例えば、各基板２１０及び２２０の表面上に、ポリアミック酸等を含有する配向膜材料を塗布し、加熱により配向膜材料中の溶剤が揮発した後、焼成を行うことで形成することができる。その後、表面に配向膜２９０が形成された一対の基板２１０及び２２０をシール材２４０で貼り合わせ、液晶層２３０を形成する。そのため、従来の配向膜を有する液晶表示装置２００は、位相差層２６０上に配向膜２９０を形成する際の加熱によって、位相差層２６０のリタデーションが低下してしまう。

以下に実施例及び比較例を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

＜製造例１－１＞
（液晶組成物の調製）
誘電率異方性が負（Δε＝－３．０）で、液晶相－等方相転移点（Ｔ_ＮＩ）が８０℃である液晶材料に、配向制御層形成用モノマーとして下記化学式（Ａ－２－１）で表される第一のモノマーを１．０重量％溶解させた後、２５℃環境下で２４時間放置することで、液晶材料中に上記第一のモノマーを溶解させた。

（液晶パネルの作製）
ＦＦＳモードの液晶パネルを以下の方法により実際に作製した。まず、酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）製のＦＦＳ電極構造を有する画素電極と絶縁膜と共通電極が積層されたＩＴＯ基板と、電極を有さない対向基板を用意した。上記ＩＴＯ基板にシール材（積水化学工業社製、フォトレック）を塗布し、上記シール材で囲まれた領域に上記で得られた液晶組成物を滴下し、対向基板を貼り合せ液晶パネルを作製した。上記シール材は、紫外線照射及び加熱により硬化するものであった。

続いて、液晶パネルの温度をＴ_ＮＩ以上（９０℃）に加熱しながら、超高圧水銀ランプ（ウシオ電機社製）を用いて、液晶パネルに対して法線方向から直線偏光紫外線（波長３００～３８０ｎｍ）を１０ｍＷ／ｃｍ^２で２００秒（２Ｊ／ｃｍ^２）間照射し、配向維持層の形成及びシール材の硬化を行った。その後、液晶パネルの温度を室温に戻すことで、両方の基板に配向膜を有さないＦＦＳモードの液晶パネルを作製した。

＜製造例１－２＞
誘電率異方性が負（Δε＝－３．０）で、Ｔ_ＮＩが７５℃である液晶材料に、配向制御層形成用モノマーとして、下記化学式（Ａ－１－１）で表される第一のモノマーを含有する液晶組成物を用いたこと、液晶パネルの温度を１００℃に加熱しながら、直線偏光紫外線を照射して配向維持層を形成したこと以外は製造例１－１と同様にして、製造例１－２のＦＦＳモードの液晶パネルを作製した。

＜製造例１－３＞
上記配向制御層を形成する工程において、液晶パネルを加熱せずに、２５℃で偏光紫外線照射を行った点以外は製造例１－２と同様にして、製造例１－３のＦＦＳモードの液晶パネルを作製した。

＜比較製造例１－１＞
配向制御層形成用モノマーとして、上記化学式（Ａ－１－１）で表される第一のモノマーを用いたこと、液晶パネルの温度を１００℃に加熱しながら、無偏光紫外線を１０ｍＷ／ｃｍ^２で２００秒（２Ｊ／ｃｍ^２）間照射した点以外は製造例１－１と同様にして、比較製造例１－１のＦＦＳモードの液晶パネルを作製した。

＜比較製造例１－２＞
液晶材料に、配向制御層形成用モノマーとして下記化学式（Ｆ）で表されるカルコニル基を有さないモノマーを０．３重量％溶解させたこと以外は製造例１－２と同様にして、比較製造例１－２のＦＦＳモードの液晶パネルを作製した。なお、下記化学式（Ｆ）で表されるカルコニル基を有さないモノマーの飽和溶解濃度は０．３５重量％である。

＜光透過強度の測定＞
製造例１－１～１－３、比較製造例１－１及び１－２で作製したＦＦＳモードの液晶パネルの黒状態での光透過強度と光透過状態での光透過強度を測定した。まず、各液晶パネルの両面に、一対の偏光板の吸収軸が互いに直交するようにクロスニコルに配置し、上記一対の偏光板の吸収軸と、偏光紫外線の照射軸との成す角度が０°又は９０°となるように配置し、黒状態での光透過強度を測定した。次に、上記クロスニコルに配置した一対の偏光板の吸収軸と、偏光紫外線の照射軸との成す角度が４５°となるように配置し、光透過状態での光透過強度を測定した。得られた光透過強度から、下記式（２）により、透過率比を算出した。結果を下記表１に示した。
　　透過率比＝黒状態での光透過強度／光透過状態での光透過強度　（２）

また、製造例１－１の黒状態及び光透過状態を走査型電子顕微鏡により観察した。図５は、製造例１－１の黒状態及び光透過状態の写真図である。図５中、実線の両矢印は偏光板の吸収軸を表し、点線の両矢印は直線偏光紫外線の照射軸を表す。

表１から、製造例１－１及び１－２では、上記化学式（Ａ－２－１）又は（Ａ－１－１）で表される第一のモノマーを含有した液晶組成物を含有する液晶パネルに偏光紫外線を照射することで、配向制御層が形成され、水平配向制御が可能であることが示された。製造例１－１に着目すると、図５に示したように、上記偏光板の吸収軸と、直線偏光紫外線の照射軸との成す角度が０°又は９０°では、液晶パネルを光が透過せず黒状態となった。また、上記偏光板の吸収軸と、直線偏光紫外線の照射軸との成す角度を４５°にすると、液晶パネルを光が透過した。製造例１－２と製造例１－３の結果から、配向制御層を形成する工程において、液晶パネルをＴ_ＮＩ以上の温度で加熱しながら、無偏光紫外線照射を行うことで、水平配向性が大幅に向上することが確認された。一方、無偏光紫外線を照射した比較製造例１では、光透過率比が低く、上記化学式（Ａ－１－１）で表される第一のモノマーに無偏光紫外線を照射しても水平配向制御が行えないことが分かった。また、配向制御層形成用モノマーとしてカルコニル基を有さないモノマーを用いた比較製造例１－２は、無配向であった。以上のことから、上記化学式（Ａ）で表される第一のモノマーを用いることで、ＦＦＳモードの液晶表示装置を作製できることが確認された。

＜製造例２－１＞
液晶材料と配向制御層形成用モノマーと重合開始モノマーとを含有する液晶組成物を用いたこと以外は製造例１－１と同様にして、製造例２－１のＦＦＳモードの液晶パネルを作製した。

（液晶組成物の調製）
液晶材料（Δε＝－３．０）、Ｔ_ＮＩ＝８０℃）に、配向制御層形成用モノマーとして下記化学式（Ａ－２－２）で表される第一のモノマーを１．０重量％、重合開始モノマーとして下記化学式（Ｃ－２－１）で表される第二のモノマーを０．１重量％溶解させた後、２５℃環境下で２４時間放置することで、液晶材料中に上記第一のモノマー及び第二のモノマーを溶解させた。

＜製造例２－２＞
液晶材料と配向制御層形成用モノマーと重合開始モノマーとを含有する液晶組成物を用いたこと以外は製造例１－１と同様にして、製造例２－２のＦＦＳモードの液晶パネルを作製した。

（液晶組成物の調製）
液晶材料（Δε＝－３．０）、Ｔ_ＮＩ＝８０℃）に、配向制御層形成用モノマーとして下記化学式（Ａ－２－２）で表される第一のモノマーを１．０重量％、重合開始モノマーとして下記化学式（Ｄ－１－１）で表される第三のモノマーを０．１重量％溶解させた後、２５℃環境下で２４時間放置することで、液晶材料中に上記第一のモノマー及び第三のモノマーを溶解させた。

＜比較製造例２＞
配向制御層形成用モノマーを含有さない液晶組成物を用いたこと以外は実施例１－１と同様にして、比較製造例２のＦＦＳモードの液晶パネルを作製した。

＜エージング試験＞
製造例１－１、１－２、２－１、２－２及び比較製造例２で作製したＦＦＳモードの液晶パネルを点灯したバックライト上に配置し、温度３０℃で１００時間放置するエージング試験を行い、エージング試験前後の電圧保持率（ＶＨＲ）の測定を行った。ＶＨＲは、東陽テクニカ社製の６２５４型ＶＨＲ測定システムを用いて、１Ｖ、７０℃の条件で測定した。結果を下記表２に示した。

表２に示したように、配向制御層形成用モノマーを添加しなかった比較製造例２に比べ、液晶組成物に配向制御層形成用モノマーを添加した製造例１－１、１－２、２－１及び２－２は、高いＶＨＲが得られた。これは、初期では、液晶材料中に照射された偏光紫外線を、配向制御層形成用モノマーが吸収するため、紫外線照射による液晶材料の劣化が抑えられたためであると考えられる。製造例１－１と製造例１－２とを比較すると、上記化学式（Ａ－１－１）で表される第一のモノマーより、上記化学式（Ａ－２－１）で表される第一のモノマーの方が、エージング試験の前後にともに高いＶＨＲを示した。これは、重合性基として、アクリル基より共役系のメタクリル基を用いた方が、モノマーの分解によるイオン化等の光劣化が起こり難いためであると考えられる。製造例２－１及び２－２の結果から、重合開始モノマーとして、上記化学式（Ｃ－２－１）で表される第二のモノマー及び上記化学式（Ｄ－１－１）で表される第三のモノマーを用いることで、エージング試験後のＶＨＲの低下を抑制できることが分かった。これは、重合開始モノマーを用いることで、配向制御層の形成速度がより速くなり、配向制御層自体が光を吸収することで、液晶層への光の照射量が低減され、液晶層の光劣化を効率よく抑制できたためと考えられる。以上のことから、上記化学式（Ａ）で表される第一のモノマーと、第二のモノマー、又は、第三のモノマーとを併用することでも、ＦＦＳモードの液晶表示装置を作製できることが確認された。

上記第一のモノマーは、水平配向制御が可能であることから、上記第一のモノマーは、横電界表示モードであるＩＰＳモード、及び、ＥＣＢモードの液晶表示装置にも適用可能である。更に、従来の配向膜を形成しなくても液晶材料を水平配向させることができるため、液晶層側に位相差層を有する基板を用いても、配向膜を焼成する際の加熱によって、位相差層のリタデーションが低下することはない。

＜実施例１＞
実施例１は、実施形態１に係る液晶表示装置の具体例である。ＦＦＳモードの液晶表示装置を以下の方法により実際に作製した。

（位相差層の形成）
電極を有さない基板に下記化学式（Ｇ）で表されるポリアミック酸を含有する配向層組成物を塗布した。その後、２００℃で４０分間焼成し、上記基板の表面にポリイミド系配向層を成膜した。その後、配向層に対してラビング処理を施した。次に、上記配向層の表面に、アクリル系液晶性モノマー（化学式（Ｅ－１）～（Ｅ－１４）参照）を含有する体組成物を塗工し、紫外線照射を行った。これにより、配向層に液晶性モノマーの重合体が積層した位相差層を有する対向基板を作製した。得られた位相差層のリタデーションは、１２０ｎｍであった。

（式中、ｐは重合度を示し、１以上の整数である。）

（液晶表示装置の作製）
酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）製のＦＦＳ電極構造を有する画素電極と絶縁膜と共通電極が積層されたＩＴＯ基板を用意した。上記ＩＴＯ基板にシール材（積水化学工業社製、フォトレック）を塗布し、上記シール材で囲まれた領域に、製造例１－１で用いた液晶組成物を滴下し、上記位相差層が液晶層側になるように対向基板を貼り合せ、基板内に位相差層を有する液晶パネルを作製した。

続いて、液晶パネルの温度をＴ_ＮＩ以上（９０℃）に加熱しながら、液晶パネルに対して法線方向から直線偏光紫外線（波長３００～３８０ｎｍ）を１０ｍＷ／ｃｍ^２で２００秒（２Ｊ／ｃｍ^２）間照射し、配向維持層の形成及びシール材の硬化を行った。その後、液晶パネルの温度を室温に戻すことで、ＦＦＳモードの液晶パネルを作製した。

その後、偏光軸がクロスニコルの関係になるように、ＩＴＯ基板の裏面側（バックライト光の入射面側）及び対向基板の観察面側（バックライト光の出射面側）に、一対の偏光板を貼り付け、更に、ＩＴＯ基板の裏面側に、バックライトを取り付け、実施例１の液晶表示装置が完成した。実施例１の液晶表示装置を用いて表示を行い、屋外での視認性を確認したところ、良好であった。上記視認性は、屋外で晴天の日に画像を認識できるかどうかにより確認した。

＜実施例２＞
実施例２は、実施形態２に係る液晶表示装置の具体例である。ＩＴＯ基板に配向膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２の液晶表示装置を作製した。

（配向膜の形成）
ＦＦＳ電極構造を有する画素電極と絶縁膜と共通電極が積層されたＩＴＯ基板を用意し、ＩＴＯ基板表面に、印刷によりポリアミック酸を含有する配向膜材料を塗工した。続いて、９０℃で５分間ホットプレート上で仮焼成を行い、２３０℃で４０分間オーブン中で本焼成を行った。その後、配向膜に対してラビング処理を施した。

（液晶表示装置の作製）
実施例１と同様にして、電極を有さない基板に位相差層を形成し、対向基板を作製した。上記配向膜が形成されたＩＴＯ基板にシール材（積水化学工業社製、フォトレック）を塗布し、上記シール材で囲まれた領域に、製造例１－１で用いた液晶組成物を滴下し、上記位相差層が液晶層側になるように対向基板を貼り合せ、基板内に位相差層を有する液晶パネルを作製した。

続いて、液晶パネルの温度をＴ_ＮＩ以上（９０℃）に加熱しながら、液晶パネルに対して法線方向から直線偏光紫外線（波長３００～３８０ｎｍ）を１０ｍＷ／ｃｍ^２で５００秒（５Ｊ／ｃｍ^２）間照射し、配向維持層の形成及びシール材の硬化を行った。上記直線偏光紫外線の照射は、上記配向膜に施したラビング処理により液晶材料が配向する方位と、直線偏光紫外線の照射により液晶材料が配向する方位とが平行になるように行った。その後、液晶パネルの温度を室温に戻すことで、ＦＦＳモードの液晶パネルを作製した。

その後、実施例１と同様にして、一対の偏光板を貼り付け、バックライトを取り付けて、実施例２の液晶表示装置が完成した。位相差層のリタデーションは、１２０ｎｍであった。実施例２の液晶表示装置を用いて表示を行い、屋外での視認性を確認したところ、良好であった。

＜実施例３＞
実施例３は、実施形態１に係る液晶表示装置の具体例である。配向層に光配向処理を行ったこと、液晶組成物の組成が異なること以外は、実施例１と同様にして、実施例３の液晶表示装置を作製した。

（液晶組成物の調製）
誘電率異方性が正（Δε＝３．０）で、Ｔ_ＮＩが９５℃である液晶材料に、配向制御層形成用モノマーとして上記化学式（Ａ－１－１）で表される第一のモノマーを１．０重量％溶解させた後、２５℃環境下で２４時間放置することで、液晶材料中に上記第一のモノマーを溶解させた。

（位相差層の形成）
電極を有さない基板に光官能基を有するポリアミック酸を含有する配向層組成物を塗布した。その後、２００℃で４０分間焼成し、上記基板の表面にポリイミド系配向層を成膜した。その後、配向層に対して光配向処理を施した。次に、実施例１と同様にして、配向層に液晶性モノマーの重合体が積層した位相差層を有する対向基板を作製した。得られた位相差層のリタデーションは、１３０ｎｍであった。

（液晶表示装置の作製）
ＦＦＳ電極構造を有する画素電極と絶縁膜と共通電極が積層されたＩＴＯ基板を用意し、上記ＩＴＯ基板にシール材（積水化学工業社製、フォトレック）を塗布し、上記シール材で囲まれた領域に、上記で得られた液晶組成物を滴下し、上記位相差層が液晶層側になるように対向基板を貼り合せ、基板内に位相差層を有する液晶パネルを作製した。

続いて、液晶パネルの温度をＴ_ＮＩ以上（１００℃）に加熱しながら、液晶パネルに対して法線方向から直線偏光紫外線（波長３００～３８０ｎｍ）を１０ｍＷ／ｃｍ^２で２００秒（２Ｊ／ｃｍ^２）間照射し、配向維持層の形成及びシール材の硬化を行った。その後、液晶パネルの温度を室温に戻すことで、ＦＦＳモードの液晶パネルを作製した。

その後、実施例１と同様にして、一対の偏光板を貼り付け、バックライトを取り付けて、実施例３の液晶表示装置が完成した。実施例３の液晶表示装置を用いて表示を行い、屋外での視認性を確認したところ、良好であった。

＜実施例４＞
実施例４は、実施形態２に係る液晶表示装置の具体例である。実施例４は、製造例２－１で用いた液晶組成物を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例４の液晶表示装置を作製した。位相差層のリタデーションは、１２０ｎｍであった。実施例４の液晶表示装置を用いて表示を行い、屋外での視認性を確認したところ、良好であった。

＜実施例５＞
実施例５は、実施形態２に係る液晶表示装置の具体例である。実施例５は、製造例２－２で用いた液晶組成物を用いたこと以外は、実施例２と同様にして、実施例５の液晶表示装置を作製した。位相差層のリタデーションは、１２０ｎｍであった。実施例５の液晶表示装置を用いて表示を行い、屋外での視認性を確認したところ、良好であった。

＜比較例１＞
比較例１は、位相差層上に配向膜を形成したこと以外は、実施例２と同様にして、実施例５の液晶表示装置を作製した。まず、実施例１と同様にして、電極を有さない基板に位相差層を形成した。次に、位相差層を形成した基板及びＩＴＯ基板表面に、印刷によりポリアミック酸を含有する配向膜材料を塗工した。続いて、９０℃で５分間ホットプレート上で仮焼成を行い、２３０℃で４０分間オーブン中で本焼成を行った後、配向膜に対してラビング処理を施した。

その後、実施例２と同様にして、液晶パネルを作製し、液晶パネルの加熱、直線偏光紫外線照射を行った。一対の偏光板を貼り付け、バックライトを取り付けて、比較例１の液晶表示装置が完成した。位相差層のリタデーションは５５ｎｍであり、実施例２の１２０ｎｍから大幅に低下した。また、比較例１の液晶表示装置を用いて表示を行い、屋外での視認性を確認したところ、外光が反射し、実施例２よりも視認性が低下した。

［付記］
本発明の一態様は、一対の基板と、上記一対の基板間に挟持され液晶材料を含有する液晶層と、上記液晶層と接する配向制御層とを備え、上記一対の基板の少なくとも一方は、上記液晶層側に位相差層を有し、上記配向制御層は、上記液晶材料を上記基板面に対して水平方向に配向させるものであり、少なくとも下記化学式（１）で表される第一のモノマー由来のユニットを含むポリマーを含有する液晶表示装置であってもよい。上記液晶表示装置は、位相差層を有することで、外光反射を抑制し視認性を高めることができる。また、下記化学式（１）で表される第一のモノマーは、カルコニル基を有し、偏光紫外線を吸収して配向規制力を発現することができため、無偏光光の照射に比べて、液晶層に照射する光照射強度を低くすることができる。

本発明の一態様において、上記第一のモノマーは、下記化学式（２－１）～（２－５）のいずれかで表されるモノマーであってもよい。下記化学式（２－１）及び（２－２）で表されるモノマーは、重合開始剤又は重合開始モノマーを必要とせずに重合し、配向制御層を形成することができる。上記化学式（２－３）、（２－４）、及び（２－５）で表されるモノマーは、カルコニル基と重合性基との間にアルキル基が導入されており、分子構造が柔軟であるため、より配向性に優れた配向制御層を得ることができる。

本発明の一態様において、上記位相差層の面内位相差は、１００～１６０ｎｍであってもよい。上記位相差を１００～１６０ｎｍとすることで、外光に含まれる可視光の反射を効果的に抑制することができる。

本発明の一態様において、上記位相差層は、配向層と液晶性モノマーの重合体とが積層されたものであってもよい。上記液晶性モノマーは、アクリル系モノマー又はメタクリル系モノマーであってもよい。

本発明の一態様において、上記ポリマーは、更に下記化学式（３）で表される第二のモノマー由来のユニットを含んでもよい。上記第二のモノマーは、上記第一のモノマーの重合速度を向上させることができるため、上記配向制御層を形成する際に液晶層に照射する光照射強度を低減できる。

本発明の一態様において、上記ポリマーは、更に下記化学式（４）で表される第三のモノマー由来のユニットを含んでもよい。上記第三のモノマーは、上記第一のモノマーの重合速度を向上させることができるため、上記配向制御層を形成する際に液晶層に照射する光照射強度を低減できる。

本発明の一態様において、上記一対の基板のうち上記位相差層を有さない方の基板と、上記液晶層との間に配向膜を有してもよい。上記配向膜を有することで、液晶材料の配向安定性を高めることができる。

本発明の一態様において、上記液晶材料は、負の誘電率異方性を有してもよいし、正の誘電率異方性を有してもよい。

本発明の一態様において、上記液晶表示装置は、横電界型表示モードであってもよい。

本発明の他の一態様は、一対の基板の少なくとも一方に、位相差層を形成する工程と、上記一対の基板間に、液晶材料と少なくとも一種のモノマーとを含有する液晶組成物を封止して液晶層を形成する工程と、上記液晶層に偏光紫外線を照射し、上記一対の基板と上記液晶層との界面に、上記少なくとも一種のモノマーを重合させてなる配向制御層を形成する工程とを有し、上記少なくとも一種のモノマーは、下記化学式（１）で表される第一のモノマーを含有し、上記配向制御層は、上記液晶材料を上記基板面に対して水平方向に配向させるものである液晶表示装置の製造方法であってもよい。

本発明の他の一態様において、上記第一のモノマーは、下記化学式（２－１）～（２－５）のいずれかで表されるモノマーであってもよい。

本発明の他の一態様において、上記位相差層を形成する工程では、少なくとも一方の基板の表面に配向層を形成し、上記配向層に液晶性モノマーを含有する組成物を塗工し、上記液晶性モノマーを重合させてもよい。上記液晶性モノマーは、アクリル系モノマー又はメタクリル系モノマーであってもよい。

本発明の他の一態様において、上記少なくとも一種のモノマーは、下記化学式（３）で表される第二のモノマーを含有してもよい。

本発明の他の一態様において、上記少なくとも一種のモノマーは、下記化学式（４）で表される第三のモノマーを含有してもよい。

本発明の他の一態様において、上記配向制御層を形成する工程では、上記液晶層を上記液晶材料のネマティック相－等方相転移点以上、２００℃未満の温度で加熱しながら、偏光紫外線を照射してもよい。

本発明の他の一態様において、上記液晶層を形成する工程の前に、上記一対の基板のうち、位相差層を形成していない基板の表面に配向膜を形成する工程を有してもよい。

以上に示した本発明の各態様は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。

１０、２０、２１０、２２０：基板
１１、２１：透明基板
１２：ブラックマトリクス
１３：カラーフィルタ
２２：共通電極
２３：絶縁層
２４：画素電極
３０、２３０：液晶層
３１：液晶材料
４０、２４０：シール材
５０：配向制御層
６０、２６０：位相差層
６１：配向層
６２：液晶性モノマーの重合体
７０：偏光板
８０：バックライト
９０、２９０：配向膜
１００Ａ、１００Ｂ、２００：液晶表示装置

Claims

一対の基板と、前記一対の基板間に挟持され液晶材料を含有する液晶層と、前記液晶層と接する配向制御層とを備え、
前記一対の基板の少なくとも一方は、前記液晶層側に位相差層を有し、
前記配向制御層は、前記液晶材料を前記基板面に対して水平方向に配向させるものであり、少なくとも下記化学式（１）で表される第一のモノマー由来のユニットを含むポリマーを含有することを特徴とする液晶表示装置。

（式中、Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、ビニル基、又は、ビニルオキシ基を表す。
Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、同一又は異なって、炭素数１～６の、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、若しくは、炭素数１～６の、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。）
前記第一のモノマーは、下記化学式（２－１）～（２－５）のいずれかで表されるモノマーであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記位相差層の面内位相差は、１００～１６０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
前記位相差層は、配向層と液晶性モノマーの重合体とが積層されたものであることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記液晶性モノマーは、アクリル系モノマー又はメタクリル系モノマーであることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
前記ポリマーは、更に下記化学式（３）で表される第二のモノマー由来のユニットを含むことを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載の液晶表示装置。

（式中、Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、ベンゼン環、ビフェニル環、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルケニル基を表す。
Ａ^１及びＡ^２のいずれか一方は、ベンゼン環又はビフェニル環である。
Ａ^１及びＡ^２の少なくとも一方は、－Ｓｐ^３－Ｐ^３基を含む。
Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、－Ｓｐ^３－Ｐ^３基、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_５基、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルケニル基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアラルキル基で置換されていてもよい。Ａ^１及びＡ^２が有する隣接する２つの水素原子は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキレン基、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルケニレン基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアラルキル基で置換されて環状構造となっていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する水素原子は、－Ｓｐ^３－Ｐ^３基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する－ＣＨ_２－基は、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が互いに隣接しないかぎり－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－Ｏ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＣＦ_２Ｏ－基、－ＯＣＦ_２－基、－ＣＦ_２Ｓ－基、－ＳＣＦ_２－基、－Ｎ（ＣＦ_３）－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＦ_２－基、－ＣＦ_２ＣＨ_２－基、－ＣＦ_２ＣＦ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－ＣＦ＝ＣＦ－基、－Ｃ≡Ｃ－基、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－基、又は、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－基で置換されていてもよい。
Ｐ^３は、重合性基を表す。
Ｓｐ^３は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、若しくは、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
ｑは、１又は２である。
Ａ^１とＹをつなぐ点線部分、及び、Ａ^２とＹとをつなぐ点線部分は、Ａ^１とＡ^２との間にＹを介した結合が存在していてもよいことを表す。
Ｙは、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、又は、直接結合を表す。）
前記ポリマーは、更に下記化学式（４）で表される第三のモノマー由来のユニットを含むことを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載の液晶表示装置。

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なって、炭素数１～４の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、又は、炭素数１～４の、直鎖状若しくは分枝状のアルケニル基を表す。
Ｐ^４及びＰ^５は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、ビニル基、又は、ビニルオキシ基を表す。
Ｓｐ^４及びＳｐ^５は、同一又は異なって、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレンオキシ基、若しくは、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表す。）
前記一対の基板のうち前記位相差層を有さない方の基板と、前記液晶層との間に配向膜を有することを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記液晶材料は、負の誘電率異方性を有することを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記液晶材料は、正の誘電率異方性を有することを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の液晶表示装置。
横電界型表示モードであることを特徴とする請求項１～１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
一対の基板の少なくとも一方に、位相差層を形成する工程と、
前記一対の基板間に、液晶材料と少なくとも一種のモノマーとを含有する液晶組成物を封止して液晶層を形成する工程と、
前記液晶層に偏光紫外線を照射し、前記一対の基板と前記液晶層との界面に、前記少なくとも一種のモノマーを重合させてなる配向制御層を形成する工程とを有し、
前記少なくとも一種のモノマーは、下記化学式（１）で表される第一のモノマーを含有し、
前記配向制御層は、前記液晶材料を前記基板面に対して水平方向に配向させるものであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

（式中、Ｐ^１及びＰ^２は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、ビニル基、又は、ビニルオキシ基を表す。　
Ｓｐ^１及びＳｐ^２は、同一又は異なって、炭素数１～６の、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレン基、若しくは、炭素数１～６の、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。）
前記第一のモノマーは、下記化学式（２－１）～（２－５）のいずれかで表されるモノマーであることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記位相差層を形成する工程では、少なくとも一方の基板の表面に配向層を形成し、前記配向層に液晶性モノマーを含有する組成物を塗工し、前記液晶性モノマーを重合させることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記液晶性モノマーは、アクリル系モノマー又はメタクリル系モノマーであることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置の製造方法。
前記少なくとも一種のモノマーは、下記化学式（３）で表される第二のモノマーを含有することを特徴とする請求項１２～１５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。

（式中、Ａ^１及びＡ^２は、同一又は異なって、ベンゼン環、ビフェニル環、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルケニル基を表す。
Ａ^１及びＡ^２のいずれか一方は、ベンゼン環又はビフェニル環である。
Ａ^１及びＡ^２の少なくとも一方は、－Ｓｐ^３－Ｐ^３基を含む。
Ａ^１及びＡ^２が有する水素原子は、－Ｓｐ^３－Ｐ^３基、ハロゲン原子、－ＣＮ基、－ＮＯ_２基、－ＮＣＯ基、－ＮＣＳ基、－ＯＣＮ基、－ＳＣＮ基、－ＳＦ_５基、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルケニル基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアラルキル基で置換されていてもよい。Ａ^１及びＡ^２が有する隣接する２つの水素原子は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルキレン基、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアルケニレン基、又は、炭素数１～１２の、直鎖状若しくは分枝状のアラルキル基で置換されて環状構造となっていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する水素原子は、－Ｓｐ^３－Ｐ^３基で置換されていてもよい。
Ａ^１及びＡ^２のアルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アルケニレン基又はアラルキル基が有する－ＣＨ_２－基は、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が互いに隣接しないかぎり－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－ＣＯ－基、－ＣＯＯ－基、－ＯＣＯ－基、－Ｏ－ＣＯＯ－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＣＦ_２Ｏ－基、－ＯＣＦ_２－基、－ＣＦ_２Ｓ－基、－ＳＣＦ_２－基、－Ｎ（ＣＦ_３）－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＦ_２－基、－ＣＦ_２ＣＨ_２－基、－ＣＦ_２ＣＦ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－ＣＦ＝ＣＦ－基、－Ｃ≡Ｃ－基、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－基、又は、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－基で置換されていてもよい。
Ｐ^３は、重合性基を表す。
Ｓｐ^３は、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、若しくは、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
ｑは、１又は２である。
Ａ^１とＹをつなぐ点線部分、及び、Ａ^２とＹとをつなぐ点線部分は、Ａ^１とＡ^２との間にＹを介した結合が存在していてもよいことを表す。
Ｙは、－ＣＨ_２－基、－ＣＨ_２ＣＨ_２－基、－ＣＨ＝ＣＨ－基、－Ｏ－基、－Ｓ－基、－ＮＨ－基、－Ｎ（ＣＨ_３）－基、－Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）－基、－Ｎ（Ｃ_３Ｈ_７）－基、－Ｎ（Ｃ_４Ｈ_９）－基、－ＯＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｏ－基、－ＳＣＨ_２－基、－ＣＨ_２Ｓ－基、又は、直接結合を表す。）
前記少なくとも一種のモノマーは、下記化学式（４）で表される第三のモノマーを含有することを特徴とする請求項１２～１５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なって、炭素数１～４の、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、又は、炭素数１～４の、直鎖状若しくは分枝状のアルケニル基を表す。
Ｐ^４及びＰ^５は、同一又は異なって、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、ビニル基、又は、ビニルオキシ基を表す。
Ｓｐ^４及びＳｐ^５は、同一又は異なって、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレン基、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレンオキシ基、若しくは、炭素数１～６の、直鎖状、分枝状若しくは環状のアルキレンカルボニルオキシ基、又は、直接結合を表す。）
前記配向制御層を形成する工程では、前記液晶層を前記液晶材料のネマティック相－等方相転移点以上、２００℃未満の温度で加熱しながら、偏光紫外線を照射することを特徴とする請求項１２～１７のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
前記液晶層を形成する工程の前に、前記一対の基板のうち、位相差層を形成していない基板の表面に配向膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１２～１８のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。