CN111373172A - 涡流式减振器 - Google Patents
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Abstract
涡流式减振器(1)具备磁体保持部件(2)、厚度(H1)的第一永磁体(3)、厚度(H1)的第二永磁体(4)、导电部件(5)、滚珠螺母(6)、丝杠轴(7)、以及厚度(H2)的铜层(12)。第二永磁体(4)在磁体保持部件(2)的圆周方向上与第一永磁体(3)隔开间隙地相邻,磁极的配置与第一永磁体(3)的磁极的配置相反。滚珠螺母(6)配置于磁体保持部件(2)以及导电部件(5)的内部,固定于磁体保持部件(2)或者导电部件(5)。铜层(12)固定于导电部件(5),与第一永磁体(3)以及第二永磁体(4)隔开间隙地对置。厚度(H1)以及厚度(H2)相对于丝杠轴(7)的中心轴与第一永磁体(3)的重心为止的距离(R1)为0.018≤H1/R1≤0.060,并且0.0013≤H2/R1≤0.0065。
Description
技术领域
本发明涉及涡流式减振器。
背景技术
为了保护建筑物不受地震等的振动,在建筑物安装减振装置。减振装置将对建筑物赋予的运动能量转换为其他能量(例:热能)。由此,可抑制建筑物的剧烈摇晃。减振装置例如是减振器。减振器的种类例如有油式、剪切阻力式。一般来说,建筑物中大多使用油式、剪切阻力式减振器。油式减振器利用缸体内的非压缩性流体使振动衰减。剪切阻力式减振器利用粘性流体的剪切阻力使振动衰减。
然而,特别是在剪切阻力式减振器中使用的粘性流体的粘度取决于粘性流体的温度。即,剪切阻力式减振器的衰减力取决于温度。因而,在将剪切阻力式减振器使用于建筑物时,需要考虑使用环境而选择适当的粘性流体。另外,使用了油式、剪切阻力式等流体的减振器有由于过度的温度上升等而导致流体的压力上升、缸体的密封材料等机械式的要素破损的隐患。作为衰减力的温度依存极小的减振器,有涡流式减振器。
涡流式减振器例如如日本特公平5-86496号公报(专利文献1),本特开平9-177880号公报(专利文献2)以及日本特开2000-320607号公报(专利文献3)所公开。
专利文献1的涡流式减振器具备安装于主筒的多个永磁体、连接于丝杠轴的磁滞材料、与丝杠轴啮合的滚珠螺母、以及连接于滚珠螺母的副筒。多个永磁体的磁极的配置交替地不同。磁滞材料能够与多个永磁体对置并相对旋转。若对该涡流式减振器赋予运动能量,则副筒以及滚珠螺母沿轴向移动,在滚珠丝杠的作用下,磁滞材料旋转。由此,由于磁滞损耗而消耗运动能量。另外,专利文献1中记载了由于磁滞材料中产生涡流,因此由于涡流损耗而消耗运动能量。
专利文献2的涡流式减振器具备导体棒和沿导体棒的轴向排列的环状的多个永磁体。导体棒贯通环状的多个永磁体的内部。若导体棒沿轴向移动,则从多个永磁体通过导体棒的磁通变化,在导体棒的表面产生涡流。由此,导体棒受到与移动方向相反方向的力。即,专利文献2中记载了导体棒受到衰减力。
专利文献3的涡流式减振器包含与丝杠轴啮合的引导螺母、安装于引导螺母的导电体的滚筒、设于滚筒的内周面侧的外壳、以及安装于外壳的外周面并与滚筒的内周面隔开一定的间隙地对置的多个永磁体。即使引导螺母以及滚筒伴随着丝杠轴的进退而旋转,滚筒内周面与永磁体也由于非接触而不会滑动。由此,专利文献3中记载了与油式减振器相比,可减少维护次数。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特公平5-86496号公报
专利文献2:日本特开平9-177880号公报
专利文献3:日本特开2000-320607号公报
发明内容
发明将要解决的课题
然而,在专利文献1的涡流式减振器中,滚珠螺母沿丝杠轴的轴向移动。为了确保这种滚珠螺母的可动区域,减振器的尺寸较大。在专利文献2的涡流式减振器中,由于环状的永磁体沿轴向排列,因此减振器的尺寸较大。在专利文献3的涡流式减振器中,由于引导螺母设于滚筒的外部,因此灰尘容易侵入引导螺母与滚珠丝杠之间。另外,在专利文献3的涡流式减振器中,引导螺母设于滚筒的外部,引导螺母的凸缘部固定于滚筒,引导螺母的圆筒部朝向与滚筒相反的一侧延伸。因此,需要较长地确保引导螺母的圆筒部的与滚筒相反的一侧的端部与固定于建筑物的安装工具之间的距离(滚珠丝杠的行程距离),涡流式减振器容易大型化。
本发明的目的在于提供能够小型化的涡流式减振器。
用于解决课题的手段
本实施方式的涡流式减振器具备磁体保持部件、第一永磁体、第二永磁体、导电部件、滚珠螺母、丝杠轴、以及铜层。磁体保持部件为圆筒形状。第一永磁体具有厚度H1,固定于磁体保持部件。第二永磁体具有厚度H1,在磁体保持部件的圆周方向上与第一永磁体隔开间隙地相邻,固定于磁体保持部件,磁极的配置与第一永磁体的磁极的配置相反。圆筒形状的导电部件具有导电性,与第一永磁体以及第二永磁体隔开间隙地对置。滚珠螺母配置于磁体保持部件以及导电部件的内部,固定于磁体保持部件或者导电部件。丝杠轴能够沿中心轴向移动,与滚珠螺母啮合。铜层具有厚度H2,固定于导电部件,与第一永磁体以及第二永磁体隔开间隙地对置。厚度H1以及厚度H2相对于丝杠轴的中心轴与第一永磁体的重心为止的距离R1为,
0.018≤H1/R1≤0.060,并且,
0.0013≤H2/R1≤0.0065。
发明效果
根据本实施方式的涡流式减振器,能够实现小型化。
附图说明
图1是涡流式减振器的沿着轴向的面的剖面图。
图2是图1的局部放大图。
图3是涡流式减振器的与轴向垂直的面的剖面图。
图4是图3的局部放大图。
图5是表示第一永磁体以及第二永磁体的立体图。
图6是表示涡流式减振器的磁路的示意图。
图7是表示平均能量吸收率与第一永磁体的厚度的关系的图。
图8是图7的局部放大图。
图9是表示热量输入密度与第一永磁体的厚度的关系的图。
图10是表示第一永磁体的厚度与铜层的厚度的关系的图。
图11是表示磁极的配置为圆周方向的第一永磁体以及第二永磁体的立体图。
图12是表示图11的涡流式减振器的磁路的示意图。
图13是表示沿轴向配置有多个的第一永磁体以及第二永磁体的立体图。
图14是第二实施方式的涡流式减振器的沿着轴向的面的剖面图。
图15是第二实施方式的涡流式减振器的与轴向垂直的面的剖面图。
图16是第三实施方式的涡流式减振器的沿着轴向的面的剖面图。
图17是图16的局部放大图。
图18是第四实施方式的涡流式减振器的沿着的轴向面的剖面图。
具体实施方式
本实施方式的涡流式减振器具备磁体保持部件、第一永磁体、第二永磁体、导电部件、滚珠螺母、丝杠轴、以及铜层。磁体保持部件为圆筒形状。第一永磁体具有厚度H1,固定于磁体保持部件。第二永磁体具有厚度H1,在磁体保持部件的圆周方向上与第一永磁体隔开间隙地相邻,固定于磁体保持部件,磁极的配置与第一永磁体的磁极的配置相反。圆筒形状的导电部件具有导电性,与第一永磁体以及第二永磁体隔开间隙地对置。滚珠螺母配置于磁体保持部件以及导电部件的内部,固定于磁体保持部件或者导电部件。丝杠轴能够沿中心轴向移动,与滚珠螺母啮合。铜层具有厚度H2,固定于导电部件,与第一永磁体以及第二永磁体隔开间隙地对置。厚度H1以及厚度H2相对于丝杠轴的中心轴与第一永磁体的重心为止的距离R1为,
0.018≤H1/R1≤0.060,并且,
0.0013≤H2/R1≤0.0065。
根据本实施方式的涡流式减振器,滚珠螺母配置于导电部件以及磁体保持部件的内部。滚珠螺母固定于磁体保持部件或者导电部件。即使由于振动等对涡流式减振器赋予运动能量,丝杠轴在中心轴向(以下,也简称作轴向。)上移动,滚珠螺母也不会在轴向上移动。因而,无需在涡流式减振器设置滚珠螺母的可动区域。因此,能够减小磁体保持部件以及导电部件等部件。由此,能够实现涡流式减振器的小型化。并且,能够实现涡流式减振器的轻量化。而且,由于各部件为简单的构成,因此涡流式减振器的组装变得容易。而且,涡流式减振器的部件成本以及制造成本变得廉价。
另外,以丝杠轴的中心轴与第一永磁体的重心为止的距离R1无量纲化后的第一永磁体的厚度以及第二永磁体的厚度H1/R1为规定的范围且较薄。由此,从第一永磁体以及第二永磁体到达导电部件的磁通的量降低,导电部件的发热密度降低。即,可抑制导电部件的过度升温。另一方面,到达导电部件的磁通的量降低,使得产生的涡流减弱,涡流式减振器的衰减力降低。为了对此进行补充,在导电部件的与第一永磁体以及第二永磁体对置的面设置铜层。铜由于导电性较高,因此即使在较弱的磁场内也会在铜层中产生较强的涡流。由此,可确保涡流式减振器的衰减力。
优选的是,厚度H1的上限相对于距离R1为,
H1/R1=0.023+(0.28H2/R1-0.0036)0.5以及
H1/R1=-7.7H2/R1+0.096中的较小一方的值。
如后述那样,本发明人们研究了能够实现涡流式减振器较高的平均能量吸收率、并且较低的热量输入密度的最佳的永磁体的厚度与铜层的厚度的关系。根据其结果,发现了上述第一永磁体的厚度以及第二永磁体的厚度H1/R1的上限。如果是该范围,就能够实现涡流式减振器较高的平均能量吸收率、并且较低的热量输入密度。另外,如果平均能量吸收率较高,则意味着涡流式减振器的性能较高,如果热量输入密度较低,则意味着导电部件的发热量较低。
进一步优选的是,厚度H1以及厚度H2相对于距离R1为,
1.8H2/R1+0.013≤H1/R1≤4.6H2/R1+0.016,并且,
0.0026≤H2/R1≤0.0065。
根据后述的研究结果,如果第一永磁体的厚度以及第二永磁体的厚度H1/R1和铜层的厚度H2/R1的关系为上述范围内,则能够实现涡流式减振器更高的平均能量吸收率、并且低的热量输入密度。
进一步优选的是,本实施方式的涡流式减振器具备前端侧轴承和根部侧轴承。前端侧轴承在比第一永磁体以及第二永磁体靠丝杠轴的前端侧安装于磁体保持部件并支承导电部件,或者安装于导电部件并支承磁体保持部件。根部侧轴承在比第一永磁体以及第二永磁体靠丝杠轴的根部侧安装于磁体保持部件并支承导电部件,或者安装于导电部件并支承磁体保持部件。
根据这种构成,安装于导电部件或者磁体保持部件的两个轴承隔着永磁体而以2点支承磁体保持部件或者导电部件。因此,即使磁体保持部件与导电部件相对地旋转,永磁体与导电部件的间隙也容易维持为一定。
以下,参照附图,对本实施方式的涡流式减振器进行说明。
[第一实施方式]
图1是涡流式减振器的沿着轴向的面的剖面图。图2是图1的局部放大图。参照图1以及图2,涡流式减振器1具备磁体保持部件2、第一永磁体3、第二永磁体4、导电部件5、滚珠螺母6、丝杠轴7、以及铜层12。
[磁体保持部件]
磁体保持部件2包含主筒2A、前端侧副筒2B、以及根部侧副筒2C。
主筒2A是以丝杠轴7为中心轴的圆筒形状。主筒2A的丝杠轴7的轴向的长度比第一永磁体3以及第二永磁体4的丝杠轴7的轴向的长度长。
前端侧副筒2B从主筒2A的前端侧(丝杠轴7的自由端侧或者安装工具8a侧)的端部延伸。前端侧副筒2B是以丝杠轴7为中心轴的圆筒形状。前端侧副筒2B的外径比主筒2A的外径小。
参照图2,根部侧副筒2C隔着滚珠螺母的凸缘部6A设于主筒2A的根部侧(安装工具8b侧)。根部侧副筒2C包含凸缘固定部21C和圆筒状支承部22C。凸缘固定部21C是以丝杠轴7为中心轴的圆筒形状,固定于滚珠螺母的凸缘部6A。圆筒状支承部22C从凸缘固定部21C的根部侧(安装工具8b侧)的端部延伸,为圆筒形状。圆筒状支承部的外径比凸缘固定部21C的外径小。
这种构成的磁体保持部件2能够在内部收容滚珠螺母的圆筒部6B以及丝杠轴7的一部分。磁体保持部件2的材质不被特别限定。然而,磁体保持部件2的材质优选的是透磁率较高的钢等。磁体保持部件2的材质例如是碳钢、铸铁等强磁性体。在该情况下,磁体保持部件2发挥作为磁轭的作用。即,来自第一永磁体3以及第二永磁体4的磁通难以泄漏到外部,涡流式减振器1的衰减力提高。如后述那样,磁体保持部件2能够相对于导电部件5旋转。
[第一永磁体以及第二永磁体]
图3是涡流式减振器的与轴向垂直的面的剖面图。另外,在图3中,省略了丝杠轴等一部分的构成。后述的图4以及图5也相同。参照图3,在涡流式减振器1包含多个第一永磁体3以及多个第二永磁体4的情况下,多个第一永磁体3安装于磁体保持部件2的主筒2A的外周面,沿磁体保持部件2的圆周方向排列。同样,多个第二永磁体4在丝杠轴的周围沿磁体保持部件2的圆周方向排列。一个第二永磁体4在相邻的两个第一永磁体3彼此之间隔开间隙地配置。即,第一永磁体3与第二永磁体4沿磁体保持部件2的圆周方向交替地配置。
图4是图3的局部放大图。图5是表示第一永磁体以及第二永磁体的立体图。参照图4以及图5,第一永磁体3以及第二永磁体4固定于磁体保持部件2的外周面。第二永磁体4在磁体保持部件2的圆周方向上与第一永磁体3隔开间隙地相邻。
第一永磁体3以及第二永磁体4的磁极沿磁体保持部件2的径向配置。第二永磁体4的磁极的配置与第一永磁体3的磁极的配置相反。例如参照图4以及图5,在磁体保持部件2的径向上,第一永磁体3的N极配置于外侧,其S极配置于内侧。因此,第一永磁体3的S极与磁体保持部件2相接。另一方面,在磁体保持部件2的径向上,第二永磁体4的N极配置于内侧,其S极配置于外侧。因此,第二永磁体4的N极与磁体保持部件2相接。
第二永磁体4的尺寸以及特质优选的是与第一永磁体3的尺寸以及特质相同。由于第一永磁体3的厚度是H1,因此第二永磁体4的厚度也是H1。之后对第一永磁体以及第二永磁体的厚度进行叙述。第一永磁体3以及第二永磁体4例如利用粘合剂固定于磁体保持部件2。另外,并不局限于粘合剂,第一永磁体3以及第二永磁体4当然也可以通过螺丝等固定。
[导电部件]
参照图1以及图2,导电部件5包含中央圆筒部5A、前端侧圆锥部5B、前端侧圆筒部5C、根部侧圆锥部5D、以及根部侧圆筒部5E。
中央圆筒部5A为以丝杠轴7为中心轴的圆筒形状。中央圆筒部5A的内周面与第一永磁体3以及第二永磁体4隔开间隙地对置。中央圆筒部5A的内周面与第一永磁体3(或者第二永磁体4)的间隙的距离沿丝杠轴7的轴向为一定。中央圆筒部5A的丝杠轴7的轴向的长度比第一永磁体3以及第二永磁体4的丝杠轴7的轴向的长度长。
前端侧圆锥部5B为以丝杠轴7为中心轴的圆锥形状。前端侧圆锥部5B从中央圆筒部5A的前端侧(丝杠轴7的自由端侧或者安装工具8a侧)的端部延伸,随着朝向前端侧(丝杠轴7的自由端侧或者安装工具8a侧)而外径以及内径变小。
前端侧圆筒部5C为以丝杠轴7为中心轴的圆筒形状。前端侧圆筒部5C从前端侧圆锥部5B的前端侧(丝杠轴7的自由端侧或者安装工具8a侧)的端部延伸。前端侧圆筒部5C的前端侧(丝杠轴7的自由端侧或者安装工具8a侧)的端部固定于安装工具8a。
根部侧圆锥部5D为以丝杠轴7为中心轴的圆锥形状。根部侧圆锥部5D从中央圆筒部5A的根部侧(安装工具8b侧)的端部延伸,设置朝向根部侧(安装工具8b侧)而外径以及内径变小。
根部侧圆筒部5E为以丝杠轴7为中心轴的圆筒形状。根部侧圆筒部5E从根部侧圆锥部5D的根部侧(安装工具8b侧)的端部延伸。根部侧圆筒部5E的根部侧(安装工具8b侧)的端部成为自由端。
这种构成的导电部件5能够收容磁体保持部件2、第一永磁体3、第二永磁体4、滚珠螺母6、丝杠轴7的一部分以及铜层12。即,磁体保持部件2以同心状配置于导电部件5的内侧。导电部件5的内周面(中央圆筒部5A的内周面)与第一永磁体3以及第二永磁体4隔开间隙地对置。如后述那样,为了使导电部件5产生涡流,导电部件5与磁体保持部件2相对地旋转。因此,在导电部件5与第一永磁体3以及第二永磁体4之间设置间隙。在导电部件5连接安装工具8a。与导电部件5一体的安装工具8a固定于建筑物支承面或者建筑物内。因此,导电部件5不会绕丝杠轴7旋转。
导电部件5具有导电性。导电部件5的材质例如为碳钢、铸铁等强磁性体。其他,导电部件5的材质也可以是铁素体类不锈钢等弱磁性体,也可以是铝合金、奥氏体类不锈钢、铜合金等非磁性体。
导电部件5能够旋转地支承磁体保持部件2。磁体保持部件2的支承例如优选的是如下那样的构成。
参照图1,涡流式减振器1还包含前端侧轴承9A和根部侧轴承9B。前端侧轴承9A在比第一永磁体3以及第二永磁体4靠丝杠轴7的前端侧(丝杠轴7的自由端侧或者安装工具8a侧)安装于导电部件5(前端侧圆筒部5C)的内周面,支承磁体保持部件2(前端侧副筒2B)的外周面。另外,根部侧轴承9B在比第一永磁体3以及第二永磁体4靠丝杠轴7的根部侧(安装工具8b侧)安装于导电部件5(根部侧圆筒部5E)的内周面,支承磁体保持部件2(圆筒状支承部22C)的外周面。
通过这种构成,在丝杠轴7的轴向上,在第一永磁体3以及第二永磁体4的两侧支承磁体保持部件2。因此,即使磁体保持部件2旋转,第一永磁体3(第二永磁体4)与导电部件5的间隙也容易保持在一定的距离。如果间隙保持在一定的距离,则可稳定地获得涡流带来的制动力。另外,如果间隙保持在一定的距离,则第一永磁体3以及第二永磁体4与导电部件5接触的可能性较低,因此能够更加减小间隙。于是,如后述那样,来自通过导电部件5的第一永磁体3以及第二永磁体4的磁通量增加,能够更加增大制动力,或者即使减少永磁体的数量也能够发挥希望的制动力。
在磁体保持部件2的轴向上,在磁体保持部件2与导电部件5之间设置推力轴承10。另外,前端侧轴承9A、根部侧轴承9B以及推力轴承10的种类不被特别限定,当然可以是滚珠式、辊式、滑动式等。
另外,中央圆筒部5A、前端侧圆锥部5B、前端侧圆筒部5C、根部侧圆锥部5D以及根部侧圆筒部5E分别是不同的部件,利用螺栓等连结并组装。
[铜层]
参照图4,铜层12固定于导电部件5的内周面。铜层12例如是铜板、镀铜。铜层12设于导电部件5的圆周方向的整个区域。因而,铜层12为环状。铜层12与第一永磁体3以及第二永磁体4隔开间隙地对置。
参照图2,铜层12的轴向的长度不被特别限定。然而,铜层12的至少一部分配置于与第一永磁体3以及第二永磁体4对置的位置。换言之,在与第一永磁体3以及第二永磁体4对置的导电部件5的面上配置铜层12。由此,与导电部件5相同,也在铜层12产生涡流。另外,铜层12也可以设于导电部件5的圆周方向的一部分的区域。在该情况下,第一永磁体3以及第二永磁体4有时与铜层12对置,也与导电部件5对置。另外,即使在第一永磁体3以及第二永磁体4的整个区域与铜层12对置的情况下,导电部件5也隔着铜层12与第一永磁体3以及第二永磁体4对置。铜层既可以仅由铜构成,也可以是铜合金。铜层12的厚度H2与第一永磁体以及第二永磁体的厚度H1的关系将在后面叙述。
[滚珠螺母]
滚珠螺母6包含凸缘部6A和圆筒部6B。凸缘部6A为圆筒形状。凸缘部6A设于磁体保持部件的主筒2A的根部侧(安装工具8b侧)的端部、和部侧副筒2C的凸缘固定部21C的前端侧(安装工具8a侧)的端部之间,固定于两者。圆筒部6B设于比凸缘部6A靠丝杠轴7的前端侧,从凸缘部6A的前端侧的面延伸。
参照图1,这种构成的滚珠螺母6配置于磁体保持部件2以及导电部件5的内部。由于滚珠螺母6固定于磁体保持部件2,因此如果滚珠螺母6旋转,则磁体保持部件2也旋转。滚珠螺母6的种类不被特别限定。滚珠螺母6可以使用公知的滚珠螺母。在滚珠螺母6的内周面形成有螺纹部。另外,在图1中,省略了滚珠螺母6的圆筒部6B的一部分的描绘,使丝杠轴7可见。
[丝杠轴]
丝杠轴7贯通滚珠螺母6,经由滚珠与滚珠螺母6啮合。在丝杠轴7的外周面形成有滚珠螺母6的螺纹部所对应的螺纹部。丝杠轴7以及滚珠螺母6构成滚珠丝杠。滚珠丝杠将丝杠轴7的轴向的移动转换为滚珠螺母6的旋转运动。在丝杠轴7连接安装工具8b。与丝杠轴7为一体的安装工具8b固定于建筑物支承面或者建筑物内。在涡流式减振器1例如设置于建筑物内与建筑物支承面之间的免震层的事例的情况下,与丝杠轴7为一体的安装工具8b固定于建筑物内,与导电部件5为一体的安装工具8a固定于建筑物支承面。在涡流式减振器1例如设置于建筑物内的任意的层间的事例的情况下,与丝杠轴7为一体的安装工具8b固定于任意的层间的上部梁侧,与导电部件5为一体的安装工具8a固定于任意的层间的下部梁侧。因此,丝杠轴7不会绕轴旋转。
与丝杠轴7为一体的安装工具8b以及与导电部件5为一体的安装工具8a的固定也可以与上述的说明相反。即,也可以是,与丝杠轴7为一体的安装工具8b固定于建筑物支承面,与导电部件5为一体的安装工具8a固定于建筑物内。
丝杠轴7能够沿轴向进入或者退出磁体保持部件2以及导电部件5的内部。若由于振动等,对涡流式减振器1赋予运动能量,则丝杠轴7沿轴向移动。如果丝杠轴7沿轴向移动,则在滚珠丝杠的作用下,滚珠螺母6绕丝杠轴旋转。伴随着滚珠螺母6的旋转,磁体保持部件2旋转。由此,与磁体保持部件2为一体的第一永磁体3以及第二永磁体4相对于导电部件5以及铜层12相对旋转,因此在导电部件5以及铜层12中产生涡流。其结果,在涡流式减振器1中产生衰减力,使振动衰减。
根据本实施方式的涡流式减振器1,滚珠螺母6配置于导电部件5以及磁体保持部件2的内部。即使由于振动等对涡流式减振器1赋予运动能量,与安装工具8b为一体的丝杠轴7沿轴向移动,滚珠螺母6也不会沿轴向移动。因而,无需在涡流式减振器1设置滚珠螺母6的可动区域。因此,能够减小磁体保持部件2以及导电部件5等部件。由此,能够使涡流式减振器1小型,能够实现涡流式减振器1的轻量化。而且,由于各部件为简单的构成,因此涡流式减振器1的组装变得容易。而且,涡流式减振器1的部件成本以及制造成本变得廉价。
另外,滚珠螺母6配置于导电部件5以及磁体保持部件2的内部,使得灰尘难以侵入滚珠螺母6与丝杠轴7之间,丝杠轴7能够长时间顺畅地移动。另外,滚珠螺母6配置于导电部件5以及磁体保持部件2的内部,从而能够缩短安装工具8b的前端侧(安装工具8a侧)的端部与导电部件5的根部侧(安装工具8b侧)的端部的距离,能够使涡流式减振器小型。另外,由于各部件为简单的构成,因此涡流式减振器1的组装变得容易。此外,涡流式减振器1的部件成本以及制造成本也会变得廉价。
另外,导电部件5在内部收容第一永磁体3以及第二永磁体4。即,导电部件5的丝杠轴7的轴向的长度比第一永磁体3(第二永磁体4)的丝杠轴7的轴向的长度长,导电部件5的体积较大。如果导电部件5的体积变大,则导电部件5的热容量也较大。因此,可抑制因涡流的产生而导致的导电部件5的温度上升。若可抑制导电部件5的温度上升,则可抑制来自导电部件5的辐射热所导致的第一永磁体3以及第二永磁体4的温度上升,可抑制第一永磁体3以及第二永磁体4的温度上升所导致的消磁。
接着,对涡流的产生原理以及基于涡流的衰减力的产生原理进行说明。
[涡流所带来的衰减力]
图6是表示涡流式减振器的磁路的示意图。参照图6,第一永磁体3的磁极的配置与相邻的第二永磁体4的磁极的配置相反。因而,从第一永磁体3的N极出来的磁通到达相邻的第二永磁体4的S极。从第二永磁体4的N极出来的磁通到达相邻的第一永磁体3的S极。由此,在第一永磁体3、第二永磁体4、铜层12、导电部件5以及磁体保持部件2之中形成磁路。由于第一永磁体3以及第二永磁体4和铜层12以及导电部件5之间的间隙充分小,因此铜层12以及导电部件5处于磁场之中。
若磁体保持部件2旋转(参照图6中的箭头),则第一永磁体3以及第二永磁体4相对于导电部件5移动。因此,通过铜层12以及导电部件5的磁通变化。由此,在铜层12以及导电部件5中产生涡流。若产生涡流,则产生新的磁通(反磁场)。该新的磁通阻碍磁体保持部件2(第一永磁体3以及第二永磁体4)与导电部件5的相对旋转。在本实施方式的情况下,磁体保持部件2的旋转被阻碍。若磁体保持部件2的旋转被阻碍,则与磁体保持部件2为一体的滚珠螺母的旋转也被阻碍。若滚珠螺母的旋转被阻碍,则丝杠轴的轴向的移动也被阻碍。这就是涡流式减振器的衰减力。
根据本实施方式的涡流式减振器,第一永磁体的磁极的配置在磁体保持部件的圆周方向上与和第一永磁体相邻的第二永磁体的磁极的配置相反。因此,第一永磁体以及第二永磁体带来的磁场在磁体保持部件的圆周方向上产生。另外,在沿磁体保持部件的圆周方向上排列了多个第一永磁体以及第二永磁体的情况下,到达导电部件的磁通的量增加。由此,导电部件所产生的涡流变大,涡流式减振器的衰减力提高。另一方面,赋予到涡流式减振器的运动能量被转换为热能,可获得衰减力。即,由振动等所引起的运动能量产生的涡流使得导电部件的温度上升。
接着,说明本实施方式的涡流式减振器对导电部件、第一永磁体以及第二永磁体的过度的温度上升的抑制。
[升温抑制]
在涡流式减振器中,在涡流所产生的部件(导电部件)集中地产生热量。因此,导电部件容易变得高温。为了产生涡流,导电部件设于永磁体的附近。若导电部件变得高温,则永磁体也因辐射热而变得高温。若永磁体变得过度高温,则永磁体消磁,产生的涡流减弱。由此,涡流式减振器的衰减力降低。
为了抑制导电部件的升温,只要降低与第一永磁体以及第二永磁体对置的导电部件的表面附近的发热密度即可。为了降低导电部件的发热密度,只要减薄第一永磁体的厚度以及第二永磁体的厚度即可。这是因为通过导电部件的磁通的量降低的缘故。然而,如果仅减薄第一永磁体的厚度以及第二永磁体的厚度,则导电部件中产生的涡流变弱,涡流式减振器的衰减力降低。另外,一般来说,若在超过1000rpm的高转速区域中使用利用了涡流的制动装置,则由于涡流所引起的反磁场的影响,磁场容易产生应变。若磁场产生应变,则衰减力降低。为了防止这种情况,在利用了涡流的制动装置中,使用在确保磁通的直线传播性的方面优异的厚壁的永磁体。
因此,在本实施方式的涡流式减振器中,减薄第一永磁体的厚度以及第二永磁体的厚度,抑制导电部件的过度升温。另一方面,通过在与第一永磁体以及第二永磁体对置的导电部件的表面设置铜层,确保涡流式减振器的衰减力。另外,关于磁通的直线传播性确保,由于涡流式减振器在几百rpm的低转速区域中使用,因此也可以不为了确保磁通的直线传播性而使用厚壁的永磁体。
本发明人们为了调查抑制导电部件的升温的最佳的第一永磁体的尺寸、第二永磁体的尺寸以及铜层的厚度,进行了数值计算。
【表1】
第一永磁体厚度H1/R1 | 0.018,0.023,0.031,0.046(基准),0.092 |
第一永磁体宽度W1/R1 | 设为(H1/R1)×(W1/R1)=0.038(一定),根据H1的值决定 |
第一永磁体圆周方向长度L1/R1 | 0.16 |
铜层厚度H2/R1 | 0.0,0.0013,0.0026,0.0065(基准) |
表1中示出在数值计算中使用的第一永磁体、第二永磁体的尺寸以及铜层的厚度。第一永磁体的尺寸以及特性与第二永磁体相同。因而,以下仅提及第一永磁体。另外,各尺寸以丝杠轴的中心轴与第一永磁体的重心为止的距离R1无量纲化(参照图2)。第一永磁体的厚度H1/R1为0.018、0.023、0.031、0.046、0.092这5种模式。在本数值计算中,沿着丝杠轴的轴向的平面所截取的第一永磁体的截面面积(H1/R1)×(W1/R1)设为0.038而为一定(参照图2)。因而,第一永磁体的磁体保持部件的轴向的长度W1/R1根据H1/R1的值而决定。导电部件的轴向的铜层的长度与第一永磁体的长度W1/R1相同。第一永磁体的磁体保持部件的圆周方向的长度L1/R1在0.16为一定(参照图4)。铜层的厚度H2/R1为0.0、0.0013、0.0026、0.0065这4种模式。铜层设于导电部件的圆周方向的整个区域。另外,铜层的与第一永磁体对置的一侧的面的整个区域与第一永磁体以及第二永磁体对置。
将H1/R1=0.046、H2/R1=0.0065的涡流式减振器定义为基准情形。基准情形在数值计算上被设计为与一般的粘性减振器相同程度,或具有高于此的衰减力以及能量吸收性能。
【表2】
第一永磁体残留磁通密度 | 1.36[T] |
第一永磁体保持力 | 938[kA/m] |
铜层的导电率 | 5.935×10<sup>7</sup>[S/m] |
表2示出在数值计算中使用的第一永磁体的特性以及铜层的特性。第一永磁体的残留磁通密度为1.36[T],保持力为938[kA/m]。铜层的导电率为5.935×107[S/m]。
使用数值计算的结果,评价了涡流式减振器的性能。作为评价方法,导入了平均能量吸收率S以及热量输入密度Q。平均能量吸收率S通过以下的式(1)计算。平均能量吸收率S是每单位时间的平均的吸收能量,与导电部件的平均的发热量等价。热量输入密度Q通过以下的式(2)计算。热量输入密度Q是用平均能量吸收率S除以与第一永磁体的铜层对置的面的面积而得的值。即,相当于将导电部件的发热考虑为与第一永磁体对置的导电部件的面上的热量输入的情况下的平均的热通量。式(1)中的ω的意思是涡流式减振器的角速度[rad/s],ωmax的意思是涡流式减振器的角速度的最大值,为750rpm。式(1)中的N的意思是角速度ω中的制动扭矩[N·m]。
【式1】
【式2】
Q=S/(W1×L1) (2)
将基于数值计算的涡流式减振器的评价结果表示在图7~图10中。在图7~图10中,平均能量吸收率S以及热量输入密度Q是用基准情形(H1/R1=0.046,H2/R1=0.0065,黑色圆圈标记)的计算结果的值标准化而表示的。
图7是表示平均能量吸收率与第一永磁体的厚度的关系的图。参照图7,纵轴表示平均能量吸收率S,横轴表示第一永磁体的厚度H1/R1。图7中的圆圈标记表示铜层的厚度H2/R1=0.0065的结果,三角形标记表示H2/R1=0.0026的结果,四方形标记表示H2/R1=0.0013的结果,菱形标记表示无铜层的情况下的结果。
图8是图7的局部放大图。参照图8,从铜层的厚度H2/R1=0.0065的计算结果(圆圈标记)来看,如果在点C与点B之间,即第一永磁体的厚度H1/R1为0.025以上且0.046以下,则平均能量吸收率S为1.0以上。即,如果H1/R1为0.025以上且0.046以下,则实现了基准情形(黑色圆圈标记)的平均能量吸收率以上的能量吸收率。同样,从铜层的厚度H2/R1=0.0026的计算结果(三角标记)来看,如果第一永磁体的厚度H1/R1在点G与点F之间,即0.018以上且0.028以下,则平均能量吸收率S为1.0以上。
图9是表示热量输入密度与第一永磁体的厚度的关系的图。参照图9,纵轴表示热量输入密度Q,横轴表示第一永磁体的厚度H1/R1。图9中的圆圈标记表示铜层的厚度H2/R1=0.0065的结果,三角形标记表示H2/R1=0.0026的结果,四方形标记表示H2/R1=0.0013的结果,菱形标记表示无铜层的情况下的结果。
从铜层的厚度H2/R1=0.0065的计算结果(圆圈标记)来看,如果是点B以下,即第一永磁体的厚度H1/R1为0.046以下,则热量输入密度Q为1.0以下。即,如果H1/R1为0.046以下,则实现了基准情形(黑色圆圈标记)的热量输入密度以下的热量输入密度。同样,从铜层的厚度H2/R1=0.0026的计算结果(三角标记)来看,如果第一永磁体的厚度H1/R1为0.075以下,则热量输入密度Q为1.0以下。
根据这些平均能量吸收率以及热量输入密度的结果,调查了能够实现较高的平均能量吸收率S以及较低的热量输入密度Q这两方的第一永磁体的厚度H1/R1与铜层的厚度H2/R1的关系。
图10是表示第一永磁体的厚度与铜层的厚度的关系的图。参照图10,纵轴表示第一永磁体的厚度H1/R1,横轴表示铜层的厚度H2/R1。图10通过将从图8以及图9获得的值绘制而得。
对图10的求法进行说明。首先,求出图10中的点B、点C、点G以及点F所包围的交叉阴影线区域、即平均能量吸收率S为1.0以上并且热量输入密度Q为1.0以下的区域。
参照图8,在铜层的厚度H2/R1=0.0065(圆圈标记)时,在点B与点C之间,平均能量吸收率S为1.0以上。另外,在铜层的厚度H2/R1=0.0026(三角标记)时,在点F与点G之间,平均能量吸收率S为1.0以上。在图9中观察这些点B、点C、点F以及点G时,点B、点C、点F以及点G处的热量输入密度Q都为1.0以下。因而,若将点B、点C、点F以及点G绘制在图10中,则由点B、点C、点F以及点G包围的区域的平均能量吸收率S为1.0以下,并且热量输入密度Q为1.0以下(交叉阴影线区域)。
接下来,求出图10中的点B、点D、点I、点H、点E以及点J所包围的单向阴影线区域,即平均能量吸收率S为0.9以上且小于1.0、并且热量输入密度Q为1.0以下的区域。
参照图8,在铜层的厚度H2/R1=0.0065(圆圈标记)时,在点A与点D之间,平均能量吸收率S为0.9以上。另外,在铜层的厚度H2/R1=0.0026(三角标记)时,在点E与点G之间,平均能量吸收率S为0.9以上。另外,在永磁体的厚度H1/R1小于0.018的情况下,永磁体的厚度过薄,无法考虑实际使用,因此省略了研究。在图9中观察这些点A、点D、点E以及点G时,点D、点E以及点G处的热量输入密度Q都为1.0以下。另一方面,在点A处,热量输入密度Q大于1.0。这种热量输入密度Q大于1.0的区域被从单向阴影线区域中去除。同样,也对铜层的厚度H2/R1=0.0013的情况进行求出。于是,在图10中,求出由点B、点D、点I、点H、点E以及点J包围的单向阴影线区域。
综上所述,可知在第一永磁体的厚度H1/R1为0.018以上且0.060以下、并且铜层的厚度H2/R1为0.0013以上且0.0065以下的范围内,平均能量吸收率S较高,并且热量输入密度Q较低,因此适合涡流式减振器。另外,在该区域中,包含图10中的单向阴影线区域以及交叉阴影线区域以外的区域。即,包含平均能量吸收率S小于0.9的情况、热量输入密度Q大于1.0的情况。然而,单向阴影线区域以及交叉阴影线区域只不过表示与以往的粘性减振器等相比可获得显著的效果的范围。因而,即使是单向阴影线区域以及交叉阴影线区域以外的区域,在第一永磁体的厚度H1/R1为0.018以上且0.060以下、并且铜层的厚度H2/R1为0.0013以上且0.0065以下的范围内,也不妨碍用作涡流式减振器。
另外,在第一实施方式的涡流式减振器中,导电部件5配置于磁体保持部件2的外侧。即,导电部件5配置于最外侧而与外部空气相接。由此,导电部件5被外部空气冷却。因此,能够抑制导电部件5的温度上升。其结果,能够抑制第一永磁体以及第二永磁体的温度上升。
第一永磁体的厚度H1/R1的上限优选的是H1/R1=0.023+(0.28H2/R1-0.0036)0.5以及H1/R1=-7.7H2/R1+0.096中的较小一方的值。总之,这意味着第一永磁体的厚度H1/R1为图10中的单向阴影线区域的范围。这里,H1/R1=0.023+(0.28H2/R1-0.0036)0.5意味着图10中的边界B1,H1/R1=-7.7H2/R1+0.096意味着图10中的边界B2。如果第一永磁体的厚度H1/R1的上限是H1/R1=0.023+(0.28H2/R1-0.0036)0.5以及H1/R1=-7.7H2/R1+0.096中的小一方的值,则平均能量吸收率S为0.9以上,并且热量输入密度Q为1.0以下。因此,作为涡流式减振器能够确保足够的衰减力,并且能够抑制导电部件、第一永磁体以及第二永磁体的升温。
进一步优选的是,第一永磁体的厚度H1/R1以及铜层的厚度H2/R1为1.8H2/R1+0.013≤H1/R1≤4.6H2/R1+0.016、并且,0.0026≤H2/R1≤0.0065、。这意味着图10中的交叉阴影线区域。1.8H2/R1+0.013意味着图10中的边界B3,4.6H2/R1+0.016意味着图10中的边界B4。即,如果第一永磁体的厚度H1/R1以及铜层的厚度H2/R1为该范围,则平均能量吸收率S为1.0以上,并且热量输入密度Q成为1.0以下。因此,作为涡流式减振器能够确保足够的衰减力,并且能够抑制导电部件、第一永磁体以及第二永磁体的升温。
接着,对本实施方式的涡流式减振器的优选的方式及其他实施方式进行说明。
[磁极的配置]
在上述的说明中,说明了第一永磁体以及第二永磁体的磁极的配置为磁体保持部件的径向的情况。然而,第一永磁体以及第二永磁体的磁极的配置并不限定于此。
图11是表示磁极的配置为圆周方向的第一永磁体以及第二永磁体的立体图。参照图11,第一永磁体3以及第二永磁体4的磁极的配置沿着磁体保持部件2的圆周方向。即使在该情况下,第一永磁体3的磁极的配置也与第二永磁体4的磁极的配置相反。在第一永磁体3与第二永磁体4之间设置强磁性体的极片11。
图12是表示图11的涡流式减振器的磁路的示意图。参照图12,从第一永磁体3的N极出来的磁通通过极片11而到达第一永磁体3的S极。关于第二永磁体4也相同。由此,在第一永磁体3、第二永磁体4、极片11以及导电部件5之中形成磁路。由此,与上述相同,涡流式减振器1中可获得衰减力。
[永磁体向轴向的配置]
为了增大涡流式减振器1的衰减力,只要增大导电部件中产生的涡流即可。产生较大的涡流的一个方法是增加从第一永磁体以及第二永磁体出来的磁通的量即可。即,增大第一永磁体以及第二永磁体的尺寸即可。然而,尺寸大的第一永磁体以及第二永磁体的成本高,向磁体保持部件的安装并不容易。
图13是表示在轴向上配置有多个的第一永磁体以及第二永磁体的立体图。参照图13,第一永磁体3以及第二永磁体4也可以在一个磁体保持部件2的轴向上配置有多个。由此,一个第一永磁体3以及一个第二永磁体4各自的尺寸可以较小。另一方面,安装于磁体保持部件2的多个第一永磁体3以及第二永磁体4的总尺寸较大。因而,第一永磁体3以及第二永磁体4的成本可以较廉价。另外,第一永磁体3以及第二永磁体4向磁体保持部件2的安装也较容易。
沿轴向配置的第一永磁体3以及第二永磁体4的磁体保持部件2的圆周方向的配置与上述相同。即,第一永磁体3与第二永磁体4沿磁体保持部件2的圆周方向交替地配置。
出于提高涡流式减振器1的衰减力的观点,优选的是在磁体保持部件2的轴向上,第一永磁体3与第二永磁体4相邻。在该情况下,磁路不仅在磁体保持部件2的圆周方向上产生,也在轴向上产生。因而,导电部件中产生的涡流变大。其结果,涡流式减振器的衰减力变大。
然而,在磁体保持部件2的轴向上,第一永磁体3以及第二永磁体4的配置不被特别限定。即,也可以在磁体保持部件2的轴向上将第一永磁体3配置于第一永磁体3的附近,还可以配置于第二永磁体4的附近。
在上述第一实施方式中,说明了磁体保持部件配置于导电部件的内侧,第一永磁体以及第二永磁体安装于磁体保持部件的外周面、进而磁体保持部件旋转的情况。然而,本实施方式的涡流式减振器并不限定于此。
[第二实施方式]
第二实施方式的涡流式减振器磁体保持部件配置于导电部件的外侧且不旋转。涡流通过内侧的导电部件旋转而产生。另外,在第二实施方式的涡流式减振器中,磁体保持部件与导电部件的配置关系与第一实施方式相反。然而,第二实施方式的磁体保持部件的形状与第一实施方式的导电部件相同,第二实施方式的导电部件的形状与第一实施方式的磁体保持部件相同。因此,在第二实施方式中,省略磁体保持部件以及导电部件的详细形状的说明。
图14是第二实施方式的涡流式减振器的沿着轴向的面的剖面图。图15是第二实施方式的涡流式减振器的与轴向垂直的面的剖面图。参照图14以及图15,磁体保持部件2能够收容导电部件5、滚珠螺母6、丝杠轴7以及铜层12。第一永磁体3以及第二永磁体4安装于磁体保持部件2的内周面。铜层12固定于导电部件5的外周面。因而,导电部件5的外周面以及铜层12与第一永磁体3以及第二永磁体4隔开间隙地对置。
在第二实施方式中,图1所示的安装工具8a连接于磁体保持部件。因此,磁体保持部件2不会绕丝杠轴7旋转。另一方面,滚珠螺母6连接于导电部件5。因而,如果滚珠螺母6旋转,则导电部件5以及铜层12旋转。即使在这种构成的情况下,也如上述那样,由于与磁体保持部件2为一体的第一永磁体3以及第二永磁体4相对于导电部件5以及铜层12相对旋转,因此在导电部件5以及铜层12产生涡流。其结果,涡流式减振器中产生衰减力,能够使振动衰减。
另外,在第二实施方式的涡流式减振器中,磁体保持部件2配置于导电部件5的外侧。即,磁体保持部件2配置于最外侧而与外部空气相接。由此,磁体保持部件2被外部空气冷却。因此,能够通过磁体保持部件2将第一永磁体以及第二永磁体冷却。其结果,能够抑制第一永磁体以及第二永磁体的温度上升。
[第三实施方式]
第三实施方式的涡流式减振器的磁体保持部件配置于导电部件的内侧且不旋转。涡流通过外侧的导电部件旋转而产生。
图16是第三实施方式的涡流式减振器的沿着轴向的面的剖面图。图17是图16的局部放大图。参照图16以及图17,导电部件5能够收容磁体保持部件2、滚珠螺母6、丝杠轴7以及铜层12。第一永磁体3以及第二永磁体4安装于磁体保持部件2的外周面。铜层12固定于导电部件5的内周面。因而,导电部件5的内周面以及铜层12与第一永磁体3以及第二永磁体4隔开间隙地对置。
安装工具8a连接于磁体保持部件。因此,磁体保持部件2不会绕丝杠轴7旋转。另一方面,滚珠螺母6连接于导电部件5。因而,如果滚珠螺母6旋转,则导电部件5以及铜层12旋转。即使在这种构成的情况下,也如上述那样,由于与磁体保持部件2为一体的第一永磁体3以及第二永磁体4相对于导电部件5以及铜层12相对旋转,因此在导电部件5以及铜层12中产生涡流。其结果,在涡流式减振器中产生衰减力,能够使振动衰减。
另外,在第三实施方式的涡流式减振器中,导电部件5配置于磁体保持部件2的外侧。即,导电部件5配置于最外侧而与外部空气相接。另外,导电部件5绕丝杠轴7旋转。由此,旋转的导电部件5可通过外部空气高效地冷却。因此,能够抑制导电部件5的温度上升。其结果,能够抑制第一永磁体以及第二永磁体的温度上升。
[第四实施方式]
第四实施方式的涡流式减振器的导电部件配置于磁体保持部件的内侧且不旋转。涡流通过外侧的磁体保持部件旋转而产生。
图18是第四实施方式的涡流式减振器的沿着轴向的面的剖面图。参照图18,磁体保持部件2能够收容导电部件5、滚珠螺母6、丝杠轴7以及铜层12。第一永磁体3以及第二永磁体4安装于磁体保持部件2的内周面。铜层12固定于导电部件5的外周面。因而,导电部件5的外周面以及铜层12与第一永磁体3以及第二永磁体4隔开间隙地对置。
图1所示的安装工具8a连接于导电部件。因此,导电部件5不会绕丝杠轴7旋转。另一方面,滚珠螺母6固定于磁体保持部件2。因而,如果滚珠螺母6旋转,则磁体保持部件2旋转。即使在这种构成的情况下,也如上述那样,由于与磁体保持部件2为一体的第一永磁体3以及第二永磁体4相对于导电部件5以及铜层12相对旋转,因此在导电部件5以及铜层12中产生涡流。其结果,在涡流式减振器1中产生衰减力,能够使振动衰减。
另外,在第四实施方式的涡流式减振器中,磁体保持部件2配置于导电部件5的外侧。即,磁体保持部件2配置于最外侧而与外部空气相接。另外,磁体保持部件2绕丝杠轴7旋转。由此,旋转的磁体保持部件2通过外部空气高效地冷却。因此,能够通过磁体保持部件2将第一永磁体以及第二永磁体冷却。其结果,能够抑制第一永磁体3以及第二永磁体4的温度上升。
以上,说明了本实施方式的涡流式减振器。因为涡流是由于通过导电部件5的磁通的变化而产生,因此第一永磁体3以及第二永磁体4相对于导电部件5相对旋转即可。另外,只要导电部件5存在于第一永磁体3以及第二永磁体4所带来的磁场之中,导电部件与磁体保持部件的位置关系就不被特别限定。
其他,本发明并不限定于上述的实施方式,在不脱离本发明的主旨的范围内,当然能够进行各种变更。
工业上的可利用性
本发明的涡流式减振器在建造物的减振装置以及免震装置中是有用的。
附图标记说明
1:涡流式减振器
2:磁体保持部件
3:第一永磁体
4:第二永磁体
5:导电部件
6:滚珠螺母
7:丝杠轴
8a、8b:安装工具
9:径向轴承
10:推力轴承
11:极片
12:铜层
Claims (4)
1.一种涡流式减振器,具备:
圆筒形状的磁体保持部件;
第一永磁体,其具有厚度H1,固定于所述磁体保持部件;
第二永磁体,其具有厚度H1,在所述磁体保持部件的圆周方向上与所述第一永磁体隔开间隙地相邻,固定于所述磁体保持部件,磁极的配置与所述第一永磁体的磁极的配置相反;
圆筒形状的导电部件,其具有导电性,与所述第一永磁体以及所述第二永磁体隔开间隙地对置;
滚珠螺母,其配置于所述磁体保持部件以及所述导电部件的内部,固定于所述磁体保持部件或者所述导电部件;
丝杠轴,其能够沿中心轴向移动,与所述滚珠螺母啮合;以及
铜层,其具有厚度H2,固定于所述导电部件,与所述第一永磁体以及所述第二永磁体隔开间隙地对置;
所述厚度H1以及所述厚度H2相对于所述丝杠轴的中心轴与所述第一永磁体的重心为止的距离R1为,
0.018≤H1/R1≤0.060,并且,
0.0013≤H2/R1≤0.0065。
2.根据权利要求1所述的涡流式减振器,其中,
所述厚度H1的上限相对于所述距离R1为,
H1/R1=0.023+(0.28H2/R1-0.0036)0.5以及
H1/R1=-7.7H2/R1+0.096中的较小一方的值。
3.根据权利要求1所述的涡流式减振器,其中,
所述厚度H1以及所述厚度H2相对于所述距离R1为,
1.8H2/R1+0.013≤H1/R1≤4.6H2/R1+0.016,并且,
0.0026≤H2/R1≤0.0065。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的涡流式减振器,其中,还具备:
前端侧轴承,其在比所述第一永磁体以及所述第二永磁体靠所述丝杠轴的前端侧安装于所述磁体保持部件并支承所述导电部件,或者安装于所述导电部件并支承所述磁体保持部件;以及
根部侧轴承,其在比所述第一永磁体以及所述第二永磁体靠所述丝杠轴的根部侧安装于所述磁体保持部件并支承所述导电部件,或者安装于所述导电部件并支承所述磁体保持部件。
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