CN111364027A - 原子层沉积腔室部件及其制备方法、以及原子层沉积设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种原子层沉积腔室部件及其制备方法、以及原子层沉积设备。该原子层沉积腔室部件包括主体和疏水性涂层，其中，疏水性涂层形成于主体的表面。上述原子层沉积腔室部件，通过对原子层沉积腔室部件的主体进行处理，在腔室部件的主体的表面形成疏水性涂层，当进行ALD(原子层沉积)工艺时，反应等离子体及反应气体无法沉积在腔室部件的表面，从而使腔室部件的表面始终保持洁净而无法粘附薄膜，进而避免了因腔室部件上的薄膜脱落而形成异物，提高薄膜整体性能。此外，以及使得腔室部件的保养周期大大加长，节省了生产成本，同时还减少了腔室部件的等离子体放电现象。

Description

原子层沉积腔室部件及其制备方法、以及原子层沉积设备
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种原子层沉积腔室部件及其制备方法、以及原子层沉积设备。
背景技术
当前的半导体及平板制造中，PEALD(等离子体增强原子层沉积)以低温、重复性好以及可得到更致密可靠的、更均匀的、台阶覆盖率更高的薄膜等特点，成为新兴的半导体薄膜沉积技术中应用最广泛的方法之一。在TFT(薄膜晶体管)制程中，它可以沉积有源层(非晶硅、铟镓锌氧化物、多晶硅)、无机绝缘层、钝化层等；在OLED的封装制程中，它可以沉积有效的水氧阻挡层。
通常，产生等离子体的方法可分为电容耦合等离子体法(CCP)和电感耦合等离子法(ICP)。其中，电容耦合等离子体法可在射频电压施加于相对平行的电极板时，透过电极之间所产生的瞬间电场变化产生等离子体。其中电感耦合等离子体法可透过天线所感生出来的感应电场使原材料变为等离子体。
参考图1，一般的电容耦合等离子体法(CCP)和电感耦合等离子法(ICP)是在腔室内的上电极10下电极20之间加载射频电源，并在腔室内保持一定的低真空度，同时通入相应反应气体后，上下电极板之间就会产生等离子体。
由于腔室内形成的反应等离子体及反应气体是充满整个腔室的。因此，膜层除了会沉积到我们的目标衬底上，还会沉积到其他地方，如腔室壁、掩膜板、保护套、衬底承载台等。当在这些腔室部件上沉积的膜层越来越厚，就会容易脱落下来，变成异物飘落至衬底上的薄膜上，形成薄膜上的particle(杂质、异物)，最终会造成薄膜整体性能的下降。
发明内容
基于此，有必要针对如何提高薄膜整体性能的问题，提供一种原子层沉积腔室部件及其制备方法、以及原子层沉积腔室。
一种原子层沉积腔室部件，所述原子层沉积腔室部件包括：
主体，所述主体在原子层沉积腔室中使用；以及
疏水性涂层，所述疏水性涂层形成于所述主体的表面。
上述原子层沉积腔室部件，通过对原子层沉积腔室部件的主体进行处理，在腔室部件的主体的表面形成疏水性涂层，当进行ALD(原子层沉积)工艺时，反应等离子体及反应气体无法沉积在腔室部件的表面，从而使腔室部件的表面始终保持洁净而无法粘附薄膜，进而避免了因腔室部件上的薄膜脱落而形成异物，提高薄膜整体性能。此外，以及使得腔室部件的保养周期大大加长，节省了生产成本，同时还减少了腔室部件的等离子体放电现象。
在其中一个实施例中，所述疏水性涂层的表面呈现化学惰性。
在其中一个实施例中，所述表面呈现化学惰性的涂层为石墨烯涂层；和/或，
所述表面呈现化学惰性的涂层选自钴电镀镀层、镍电镀镀层、镁电镀镀层和铝电镀镀层的至少一种。
在其中一个实施例中，所述疏水性涂层的表面具有疏水化学键。
在其中一个实施例中，所述表面具有疏水化学键的涂层选自氟化沥青涂层、正十二烷基硫醇涂层、有机氧硅烷纳米涂层、聚四氟乙烯涂层和聚偏氟乙烯涂层的至少一种。
在其中一个实施例中，所述沉积腔室部件为气体扩散器、衬底承载台、保护套、成膜区域限定框、掩膜板、观察窗开关阀门、腔室壁、腔室盖和处理配件中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述疏水性涂层的厚度为1μm-100μm。
一种原子层沉积腔室部件的制备方法，包括以下步骤：
提供一种原子层沉积腔室部件的主体；以及
在所述主体的表面形成疏水性涂层，得到原子层沉积腔室部件。
上述原子层沉积腔室部件的制备方法，通过在主体的表面形成疏水性涂层，得到原子层沉积腔室部件。当进行ALD(原子层沉积)工艺时，反应等离子体及反应气体无法沉积在腔室部件的表面，从而使腔室部件的表面始终保持洁净而无法粘附薄膜，进而避免了因腔室部件上的薄膜脱落而形成异物，提高薄膜整体性能。以及使得腔室的保养周期大大加长，节省了生产成本，同时还减少了腔室内的等离子体放电现象。
在其中一个实施例中，所述主体位于原子层沉积腔室中，所述疏水性涂层为石墨烯涂层，在所述主体的表面形成所述疏水性涂层的操作为：在衬底未送进原子层沉积腔室之前，通过等离子体增强原子层沉积在主体的表面沉积石墨烯涂层。
一种原子层沉积设备，包括所述的原子层沉积腔室部件。
上述原子层沉积设备，设备中的主体的表面形成有疏水性涂层，当进行ALD(原子层沉积)工艺时使腔室部件的表面无法沉积薄膜，从而使腔室部件的表面始终保持洁净而无法粘附薄膜，进而避免了因腔室部件上的薄膜脱落而形成异物，提高薄膜整体性能。以及使得腔室的保养周期大大加长，节省了生产成本，同时还减少了腔室内的等离子体放电现象。
附图说明
图1为传统原子层沉积设备的示意图；
图2为本发明一实施方式的疏水性涂层包裹的部件的示意图；
图3为本发明一实施方式的疏水性涂层覆盖的部件的示意图；
图4为本发明一实施方式的原子层沉积设备的示意图；
图5为本发明一实施方式的原子层沉积设备的示意图；
图6为本发明一实施方式的氧化铝(Al2O3)的原子层沉积工艺示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参见图2和3，一实施方式的原子层沉积腔室部件100，包括主体101和疏水性涂层102。其中，疏水性涂层102形成于主体101的表面。
原子层沉积腔室部件的主体一般指原子层沉积腔室内的任意结构件，必要的组件，如气体扩散器(Diffuser)、衬底承载台(susceptor)；保护用组件，如保护套(Jacket)、成膜区域限定框(Edge Frame)；功能性组件，如将薄膜沉积到设计规定区域用的掩膜板(Mask)、观察窗开关阀门等，或其他结构件，如腔室壁、腔室盖、处理配件，以及暴露于腔室内的其他可替换的结构件。
主体可由单块材料制造以形成一体式主体，或由两个或更多个部件焊接或以其他方式接合在一起以形成一体式主体。主体在原子层沉积腔室中使用，主体的表面是指会暴露在反应气体中或反应等离子体中的部件的主体的表面。主体的材料为铁、铷、钴、铑、铱、镍、钯、铂、铜、金、铝、钴镍合金、金镍合金、镍钼合金、不锈钢等金属材料。
一般的，疏水性涂层形成于主体的表面的至少一部分上。优选地，疏水性涂层包裹或者覆盖在主体的表面。如图2所示，疏水性涂层包裹在主体的表面。如图3所示，疏水性涂层覆盖在主体的表面。
在其中一个实施例中，疏水性涂层的表面呈现化学惰性。化学惰性是对原子层沉积前驱体呈现化学惰性。
在其中一个实施例中，表面呈现化学惰性的涂层为石墨烯涂层。石墨烯作为一种新型的二维碳材料，具有疏水性。
在其中一个实施例中，表面呈现化学惰性的涂层选自钴电镀镀层、镍电镀镀层、镁电镀镀层和铝电镀镀层的至少一种。可以理解的，在本实施方式中，表面呈现化学惰性的涂层的不限于此，还可以是其他的。
在其中一个实施例中，疏水性涂层的表面具有疏水化学键。其中，表面具有疏水化学键的涂层选自氟化沥青涂层、正十二烷基硫醇涂层、有机氧硅烷纳米涂层、聚四氟乙烯涂层和聚偏氟乙烯涂层的至少一种。可以理解的，在本实施方式中，表面具有疏水化学键的涂层不限于此，还可以是其他的。
在其中一个实施例中，沉积腔室部件为气体扩散器、衬底承载台、保护套、成膜区域限定框、掩膜板、观察窗开关阀门、腔室壁、腔室盖和处理配件中的至少一种。
优选地，疏水性涂层的厚度为1μm-100μm。可以保证使反应等离子体及反应气体无法沉积在腔室部件的表面，从而使腔室部件的表面始终保持洁净而无法粘附异物。
一实施方式的原子层沉积腔室部件的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一种原子层沉积腔室部件的主体。
其中，主体可以是原子层沉积腔室本身固有的任意结构件，也可以是在原子层沉积腔室外，通过机械加工制作，在原子层沉积腔室中使用的任意结构件。任意结构件包括必要的组件，如气体扩散器(Diffuser)、衬底承载台(susceptor)；保护用组件，如保护套(Jacket)、成膜区域限定框(Edge Frame)；功能性组件，如将薄膜沉积到设计规定区域用的掩膜板(Mask)、观察窗开关阀门等，或其他结构件，如腔室壁、腔室盖、处理配件，以及暴露于处理腔室内的其他可替换的结构件。
S2、在主体的表面形成疏水性涂层，得到原子层沉积腔室部件。
在其中一个实施例中，原子层沉积腔室部件的制备方法，主体位于原子层沉积腔室中，疏水性涂层为石墨烯涂层，在主体的表面形成所述疏水性涂层的操作为：在衬底未送进原子层沉积腔室之前，通过等离子体增强原子层沉积在主体的表面沉积石墨烯涂层。此时，主体是原子层沉积腔室本身固有的任意结构件。
具体的操作为：
S201、使腔室达到真空状态并清洗气体管道。
使用罗兹泵或与分子泵结合使腔室真空度达到1×10-3Pa以下，打开部分气体管路的气动开关，使真空泵只对气体管路进行抽气动作，清洗气体管道。
S202、预处理5-20分钟。
往腔室内通入1000sccm-5000sccm的氢气，加载500-3000W的射频功率，使腔室产生氢气等离子体，同时腔室升温至500℃-650℃。
S203、往腔室内通入甲烷、氢气、氩气(或氮气)，保持一定的压力。
往腔室通入甲烷1000sccm-5000sccm、氢气500sccm-2500sccm和氩气1000sccm-5000sccm，待混合均匀，通过机台自动控制腔室抽真空管道上的蝶阀使腔室保持在100Pa-150Pa压力下。
S204、加载射频功率，形成等离子体。
加载约250-2000W的射频功率，使腔室产生甲烷、氢气及氩气的等离子体。在保持射频功率在60-120s的时间内，等离子体会加速甲烷的分解，并会以碳原子的性质在部件的主体的表面沉积，逐渐形成石墨烯涂层。
S205、停止加载功率，停止通入气体，即在原子层沉积腔室的部件主体的表面形成石墨烯涂层。
这一方法是直接利用等离子体增强原子层沉积技术，不需要借用其他额外手段对部件的主体进行处理，避免了繁杂的处理过程，简化了操作，节约时间。
此外，原子层沉积腔室部件的制备方法，还可以通过表面工程的处理方法在主体表面形成疏水性涂层。
表面工程是表面经过预处理后，通过表面涂覆、表面改性或多种表面技术复合处理，改变固体金属表面或非金属表面的形态、化学成分、组织结构和应力状况，以获得表面所需性能的系统工程。如电镀法、氧化还原分子法、表面溶液处理、化学气相沉积法等。表面工程的处理方式并不限于此，其他任意可形成疏水性涂层的处理方式均可。另外，可以将主体由单块材料制造以形成一体式主体，或由两个或更多个部件焊接或以其他方式接合在一起以形成一体式主体。
具体的，根据腔室内不同部件的尺寸形状，利用机械加工的方法制作主体，之后对主体进行表面工程处理。
在其中一个实施例中，利用氧化还原法在原子层沉积腔室部件的主体的表面形成石墨烯涂层的步骤如下：
S11、机械加工制作原子层沉积腔室部件的主体。
S211、之后上件，装载上述部件的主体，再用热水对其清洗、超声波辅助进行水洗。
S212、清洗完毕后在30℃-50℃的温度下磷化10min-15min。
S213、将上述磷化后的各部件的主体进行脱水干燥，之后进入喷房，自动喷涂石墨烯涂料。
S214、喷涂完毕的各部件的主体在180℃的温度下，预烘15min，之后在340℃-360℃的高温下烧结固化30min-40min，冷却，即在原子层沉积腔室部件的主体的表面形成了石墨烯涂层。
在其中一个实施例中，利用电镀法对原子层沉积腔室部件的主体的表面形成钴电镀镀层的步骤如下：
S11、机械加工制作原子层沉积腔室部件的主体。
S221、预处理。
将上述部件的主体用400-800目的砂纸打磨，之后用表面活性剂超声清洗10min，再用丙酮超声清洗10min，最后用浓度为0.01％-0.1％的稀硫酸清洗30s后用超纯水冲洗，吹干。
S222、制备电镀液。
将浓度为0.1mol/L的CoCl2·6H2O溶液和浓度为0.2mol/L的肉豆蔻酸溶液加入到乙醇溶液中，用超声波在100W下超声20min，用磁力搅拌器在200r/min的转速下搅拌30min，获得浓度均匀的基础电镀液。
S223、电镀。
将上述处理过的部件的主体和黄铜片分别作为阴阳两极，插入上述电镀液中，用直流电镀电源，控制电压为30V，保持电镀液的温度为21℃-28℃，电镀10min。取出阴极上的部件的主体，用乙醇清洗，吹干，即在原子层沉积腔室部件的主体的表面形成了钴电镀镀层。
在其中一个实施例中，利用化学气相沉积法在原子层沉积腔室部件的主体的表面形成有机氧硅烷纳米涂层的步骤如下：
S11、机械加工制作原子层沉积腔室部件的主体。
S231、有机硅酮颗粒的制备。
将有机硅密封胶均匀的分散在聚四氟乙烯的盒子中，放在通风处固化48h，有机硅密封胶经过脱水缩聚形成网状结构，固化成块状固体，之后将块状硅酮加工成均匀的硅酮颗粒，保存后待用。
S232、清洗部件表面。
将上述部件的主体用无水乙醇超声清洗60min，用大量蒸馏水冲洗，最后用氮气吹干，并保存于密闭容器中备用。
S233、化学气相沉积。
将上述块状硅酮颗粒置于化学气相沉积腔室的加热坩埚内，部件的主体置于坩埚的水平上方，同时加热坩埚及部件的主体至200-450℃，通入比例为4:1的N2和O2，使其充满整个腔室并作为反应气体。保持状态3h，降温，即在原子层沉积腔室的主体的表面形成有机氧硅烷纳米涂层。
上述原子层沉积腔室部件的制备方法，通过在主体的表面形成疏水性涂层，得到原子层沉积腔室部件。当进行ALD(原子层沉积)工艺时，反应等离子体及反应气体无法沉积在腔室部件的表面，从而使腔室部件的表面始终保持洁净而无法粘附薄膜，进而避免了因腔室部件上的薄膜脱落而形成异物，提高薄膜整体性能。以及使得腔室的保养周期大大加长，节省了生产成本，同时还减少了腔室内的等离子体放电现象。
本发明还提供一种原子层沉积设备，包括上述原子层沉积腔室部件。
在其中一实施例中，原子层沉积设备的腔室内壁及主体的表面上形成有疏水性涂层。请参见图4，本发明一实施方式的原子层沉积设备200包括：腔室壁201、掩膜板202、承载台板203、气体扩散器204和疏水性涂层205。
在其中一实施例中，装有保护部件的原子层沉积设备的腔室保护部件及主体的表面上形成有疏水性涂层。请参见图5，本发明一实施方式的原子层沉积设备300包括：腔室壁保护部件301、掩膜板302、承载台板303、气体扩散器304和疏水性涂层305。
上述原子层沉积设备，设备中的主体的表面形成有疏水性涂层，当进行ALD(原子层沉积)工艺时使腔室部件的表面无法沉积薄膜，从而使腔室部件的表面始终保持洁净而无法粘附薄膜，进而避免了因腔室部件上的薄膜脱落而形成异物，提高薄膜整体性能。以及使得腔室的保养周期大大加长，节省了生产成本，同时还减少了腔室内的等离子体放电现象。
请参考图6，以氧化铝(Al2O3)的沉积为例，说明ALD(原子层沉积)的原理。沉积氧化铝(Al2O3)的步骤如下：
前驱体沉积：三甲基铝通过管道通入腔室内，在相对高温的腔室及衬底上，三甲基铝裂解生成Al(CH3)2、AlCH3等基团，这些基团容易附着到衬底上，形成薄薄一层含甲基的铝。特别地，这些基团与亲水基-OH容易反应，将-OH替换掉，并逐渐成核。
前驱体清除：停止前驱体的通入，将腔室内的残余气体清除，以保证反应气体不会与残余气体反应。
反应气体通入：H2O或O2通过管道通入腔室内，与衬底表面的Al(CH3)2、AlCH3等基团反应，将-CH3替换生成CH4气体被抽走，同时在衬底上形成-AlO、-AlO2等。
反应气体清除：将H2O或O2即残余CH4气体清除，待下一个循环的前驱体通入时不会与H2O反应。
重复上述步骤，逐渐形成氧化铝(Al2O3)薄膜，实现原子层沉积。
在进行原子层沉积过程中，前驱体的基团与亲水基-OH容易反应，将-OH替换掉，并逐渐成核，而疏水性涂层表面，使得前驱体的基团无法附着在主体表面。
根据以上反应机理，在反应的第一步时就能够使前驱体无法附着在有疏水性涂层的部件或腔室壁上，从而使腔室部件在经过大量的ALD(原子层沉积)工艺后，表面不会沉积膜层，始终保持干净。
需要说明的是，本发明的疏水性涂层可根据不同涂层的性质采用不同的制备方法，不限于本发明所提供的方法。具体方法可以本发明为依据，结合上述实施方式的手段灵活变化，只要可以实现本发明即可。
下面为具体实施例：
实施例1、利用氧化还原法对原子层沉积腔室部件的主体进行表面工程形成石墨烯涂层。
机械加工制作原子层沉积腔室部件的若干个主体，若干个主体分别为腔室壁、掩膜板、承载台板、气体扩散器。
之后上件，装载上述部件的主体，再用热水对其清洗、超声波辅助进行水洗。
清洗完毕后在50℃的温度下磷化10min。
将上述磷化后的各部件的主体进行脱水干燥，之后进入喷房，自动喷涂石墨烯涂料。
喷涂完毕的各部件的主体在180℃的温度下，预烘15min，之后在340℃的高温下烧结固化30min，冷却，即在原子层沉积腔室部件的主体的表面形成了石墨烯涂层。
实施例2、利用电镀法对原子层沉积腔室部件的主体进行表面工程形成钴电镀镀层。
机械加工制作原子层沉积腔室部件的若干个主体，若干个主体分别为腔壁保护部件、掩膜板、承载台板、气体扩散器。
将上述部件的主体用800目的砂纸打磨，之后用表面活性剂超声清洗10min，再用丙酮超声清洗10min，最后用浓度为0.1％的稀硫酸清洗30s后用超纯水冲洗，吹干。
将浓度为0.1mol/L的CoCl2·6H2O溶液和浓度为0.2mol/L的肉豆蔻酸溶液加入到乙醇溶液中，用超声波在100W下超声20min，用磁力搅拌器在200r/min的转速下搅拌30min，获得浓度均匀的基础电镀液。
将上述处理过的部件的主体和黄铜片分别作为阴阳两极，插入上述电镀液中，用直流电镀电源，控制电压为30V，保持电镀液的温度为28℃，电镀10min。取出阴极上的部件的主体，用乙醇清洗，吹干，即在原子层沉积腔室部件的主体的表面形成了钴电镀镀层。
实施例3、利用化学气相沉积法对原子层沉积腔室部件的主体进行表面工程形成有机氧硅烷纳米涂层。
机械加工制作原子层沉积腔室部件的若干个主体，若干个主体分别为腔室壁、掩膜板、承载台板、气体扩散器。
将有机硅密封胶均匀的分散在聚四氟乙烯的盒子中，放在通风处固化48h，有机硅密封胶经过脱水缩聚形成网状结构，固化成块状固体，之后将块状硅酮加工成均匀的硅酮颗粒，保存后待用。
将上述部件的主体用无水乙醇超声清洗60min，用大量蒸馏水冲洗，最后用氮气吹干，并保存于密闭容器中备用。
将上述块状硅酮颗粒置于化学气相沉积腔室的加热坩埚内，部件的主体置于坩埚的水平上方，同时加热坩埚及部件的主体至450℃，通入比例为4:1的N2和O2，使其充满整个腔室并作为反应气体。保持状态3h，降温，即在原子层沉积腔室部件主体的表面形成有机氧硅烷纳米涂层。
实施例4、利用等离子体增强原子层沉积技术，在衬底未送进原子层沉积腔室之前，直接往原子层沉积腔室内的主体的表面沉积石墨烯涂层。
使用罗兹泵或与分子泵结合使腔室真空度达到1×10-3Pa以下，打开部分气体管路的气动开关，使真空泵只对气体管路进行抽气动作，清洗气体管道。
往腔室内通入3000sccm的氢气，加载1000W的射频功率，使腔室产生氢气等离子体，同时腔室升温至600℃。
之后，往腔室通入甲烷3000sccm、氢气2000sccm和氩气3000sccm，待混合均匀，通过机台自动控制腔室抽真空管道上的蝶阀使腔室保持在100Pa压力下。
加载1000W的射频功率，使腔室产生甲烷、氢气及氩气的等离子体。在保持射频功率在100s的时间内，等离子体会加速甲烷的分解，并会以碳原子的性质在部件的主体的表面沉积，逐渐形成石墨烯涂层。
停止加载功率，停止通入气体，即在原子层沉积腔室部件主体的表面形成石墨烯涂层。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述原子层沉积腔室部件包括：
主体，所述主体在原子层沉积腔室中使用；以及
疏水性涂层，所述疏水性涂层形成于所述主体的表面。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述疏水性涂层的表面呈现化学惰性。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述表面呈现化学惰性的涂层为石墨烯涂层；和/或，
所述表面呈现化学惰性的涂层选自钴电镀镀层、镍电镀镀层、镁电镀镀层和铝电镀镀层的至少一种。
4.根据权利要求1所述的原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述疏水性涂层的表面具有疏水化学键。
5.根据权利要求4所述的原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述表面具有疏水化学键的涂层选自氟化沥青涂层、正十二烷基硫醇涂层、有机氧硅烷纳米涂层、聚四氟乙烯涂层和聚偏氟乙烯涂层的至少一种。
6.根据权利要求1-5任一项所述的原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述沉积腔室部件为气体扩散器、衬底承载台、保护套、成膜区域限定框、掩膜板、观察窗开关阀门、腔室壁、腔室盖和处理配件中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述疏水性涂层的厚度为1μm-100μm。
8.一种原子层沉积腔室部件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一种原子层沉积腔室部件的主体；以及
在所述主体的表面形成疏水性涂层，得到原子层沉积腔室部件。
9.根据权利要求8所述的原子层沉积腔室部件的制备方法，其特征在于，所述主体位于原子层沉积腔室中，所述疏水性涂层为石墨烯涂层，在所述主体的表面形成所述疏水性涂层的操作为：在衬底未送进原子层沉积腔室之前，通过等离子体增强原子层沉积在主体的表面沉积石墨烯涂层。
10.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的原子层沉积腔室部件。
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