CN115247257A - 成膜装置及膜层的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种成膜装置及膜层的制备方法，在成膜装置中，承载板与第一电极相对设置，承载板包括成膜区域和非成膜区域；承载板包括基底和第二电极，第二电极设置在基底面向第一电极的一侧上，第二电极包括电极部和镂空部，电极部对应非成膜区域设置，镂空部对应成膜区域设置。本申请在第一电极和第二电极的电极部之间形成电场，以使部分等离子体轰击位于非成膜区域的材料，致材料无法成膜，同时部分等离子体与位于成膜区域的材料反应形成膜层。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种成膜装置及膜层的制备方法。
背景技术
在显示领域的成膜工艺中，一般都需要对成膜进行图案处理，比如先采用等离子增强原子层沉积法沉积致密性高的膜层，而后采用常规的掩模板遮挡无需沉积材料的区域以达到图案化的目的。
但是，在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，由于掩模板容易发生变形，进而影响成膜质量；并且，当掩模板上阻挡下来的材料厚度达到一定程度后，材料容易脱落成为异物来源，影响成膜的效果。
发明内容
本申请实施例提供一种成膜装置及膜层的制备方法，可以提高图案化膜层的质量。
本申请实施例提供一种成膜装置，其包括：
第一电极；以及
承载板，所述承载板与所述第一电极相对设置，所述承载板包括成膜区域和非成膜区域；
所述承载板包括：
基底；
第二电极，所述第二电极设置在所述基底面向所述第一电极的一侧上，所述第二电极包括电极部和镂空部，所述电极部对应所述非成膜区域设置，所述镂空部对应所述成膜区域设置；以及
绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第二电极面向所述第一电极的一侧上。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述镂空部对应于形成在所述承载板上的图案化的膜层，所述电极部对应于所述膜层中的开口。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述基底包括衬底和设置在所述衬底上的凸起，所述凸起与所述衬底相连形成第一凹槽；所述电极部设置在所述第一凹槽内，所述凸起设置在所述镂空部内。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述电极部的厚度等于所述凸起的厚度。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘层包括平坦子层和填充部，所述平坦子层设置在所述第二电极上，所述填充部自所述平坦子层延伸入所述镂空部内，并与所述基底相连。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述承载板还包括第一连接器，所述基底上设置有通孔，所述第一连接器设置在所述通孔内，所述第一连接器的输出端连接于所述电极部。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述成膜装置还包括机台，所述机台包括支撑部件、放置台、供电线和电源发生器；所述放置台设置在所述支撑部件上，所述承载板设置在所述放置台上，所述供电线设置在所述支撑部件内，所述电源发生器通过所述供电线连接于所述第一连接器。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一连接器包括第一导电体和包覆在所述第一导电体周侧的第一壳体，所述第一导电体和所述第一壳体的内侧面界定形成一第二凹槽；
所述放置台包括台板和第二连接器，所述第二连接器嵌设在所述台板中，所述第二连接器包括第二导电体和包覆在所述第二导电体周侧的第二壳体，所述第二导电体的侧面和所述第二壳体面向所述第一连接器的一面界定形成一第三凹槽；
所述第二导电体的部分插接在所述第二凹槽内，并与所述第一导电体相连；所述第一壳体的部分插接在所述第三凹槽内，并与所述第二壳体相连。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述机台包括接地线，多个所述接地线均匀地连接在所述放置台的周边区域。
相应的，本申请实施例还提供一种膜层的制备方法，其包括以下步骤：
在腔室内设置如上述实施例的成膜装置，所述第二电极用于形成图案化的膜层；
在所述承载板上设置基板；
在所述基板上形成第一膜层；
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述基板上形成第一膜层，包括以下步骤：
在所述基板上沉积第一材料；
通入反应源，所述反应源包括等离子体；
所述第一电极和所述电极部之间形成电场，在所述电场的作用下，部分所述等离子体轰击位于所述非成膜区域上的所述第一材料，使位于所述非成膜区域上的所述第一材料脱离所述基板，位于所述成膜区域的所述第一材料与部分所述等离子体反应形成膜层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述基板上沉积第一材料，包括：采用载气把气态的所述第一材料沉积在所述基板上；
在所述通入等离子体反应源之前，所述制备方法还包括以下步骤：
抽走所述腔室内残留的所述气态的第一材料。
本申请实施例设置第一电极和第二电极，且第二电极包括位于非成膜区域的电极部和位于成膜区域的镂空部；随后，在第一电极和第二电极的电极部之间形成电场，以使部分等离子体轰击位于非成膜区域的材料，致材料无法成膜，同时部分等离子体与位于成膜区域的材料反应形成膜层。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的成膜装置；
图2是本申请实施例提供的成膜装置的承载板的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的成膜装置的承载板的另一结构示意图；
图4是本申请实施例提供的成膜装置的第二电极的结构示意图；
图5是本申请实施例提供的成膜装置的机台的结构示意图；
图6是本申请实施例提供的成膜装置的承载板和放置台连接的部分结构示意图；
图7是本申请实施例提供的膜层的制备方法的流程示意图；
图8是本申请实施例提供的膜层的制备方法的步骤B2的示意图；
图9是本申请实施例提供的膜层的制备方法的步骤B34的示意图；
图10是本申请实施例提供的膜层的制备方法的步骤B36的示意图；
图11是本申请实施例提供的膜层的制备方法的步骤B4的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种成膜装置及膜层的制备方法，下文进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参照图1，本申请实施例提供一种成膜装置100，其包括第一电极11、承载板12和机台13。承载板12设置在机台13上。第一电极11与承载板12相对设置，且设置在承载板12的上方。
请参照图2，承载板12包括成膜区域12a和非成膜区域12b。承载板12包括基底121、第二电极122、绝缘层123和第一连接器124。
需要说明的是，非成膜区域12b仅针对于形成图案化的膜层而言，也就是说，当需要本实施例形成图案化的膜层时，非成膜区12b对应的区域才没有膜层。当运用本实施例形成完整的膜层时，非成膜区12b对应的区域会形成膜层。
第二电极122设置在基底121面向第一电极11的一侧上。第二电极122包括电极部1221和镂空部1222。电极部1221对应非成膜区域12b设置。镂空部1222对应成膜区域12a设置。
第一连接器124连接于第二电极122的电极部1221。第一连接器124设置在第二电极122面向基底121的一侧，且位于基底121的四周边缘区域。将第一连接器124设置在基底121的四周边缘区域，以便于适应不同的图案化的第二电极122。
在一些实施例中，第一连接器124也可以设置在基底121的其他区域。
绝缘层123覆盖第二电极122面向第一电极11的一侧上。绝缘层123的设置一方面用于保护第二电极122，另一方面用于避免施加在第二电极122上的电压影响成膜制程。
在一些实施例中，承载板12也可以省略绝缘层123，以便于更换和维护第二电极板122。
本实施例设置第一电极11和第二电极122，且第二电极122包括位于非成膜区域12b的电极部1221和位于成膜区域12a的镂空部1222；随后，在第一电极11和第二电极122的电极部1221之间形成电场，以使部分等离子体轰击位于非成膜区域12b的材料，导致材料无法成膜，同时部分等离子体与位于成膜区域12a的材料反应形成膜层。
因此实施例采用上述的设置达到了现有技术中采用掩模板成膜的效果，且提高了成膜的质量。
可选的，基底121包括衬底1211和设置在衬底1211上的凸起1212。凸起1212与衬底1211相连形成第一凹槽1213。电极部1221设置在第一凹槽1213内，凸起1212设置在镂空部1222内，提高了第二电极122和基底121连接的稳定性。
可选的，电极部1221的厚度等于凸起1212的厚度，以便得到平坦化的绝缘层123；另外，电极部1221的顶面和凸起1212的顶面齐平，使得凸起1212可分担部分的承载压力，提高了承载板12整体的承载性能。
在制程上，比如可以先设计好第二电极122，然后把流体状的绝缘陶瓷，浇筑到第二电极122上使其固化，就形成上述第二电极122和基底121的连接结构。当然也可以用其他的方式，此处不再赘述。
在一些实施例中，请参照图3，绝缘层123包括平坦子层1231和填充部1232。平坦子层1231设置在第二电极122上。填充部1232自平坦子层1231延伸入镂空部1222内并与基底121相连。
在制程上，比如可以先设计好第二电极122放置在平坦化的基底121上，然后把流体状的绝缘材料，涂布到第二电极122上并填充镂空部1222，最后使绝缘材料固化，就形成承载板12的另一结构。当然也可以用其他的方式，此处不再赘述。
请参照图4，可选的，多个电极部1221包括沿着第一方向X延伸的第一电极部12m和沿着第二方向Y延伸的第二电极部12n，第一电极部12m和第二电极部12n交叉设置形成多个镂空部1222。
可选的，第一方向X垂直于第二方向Y。在一些实施例中，第一方向X和第二方向Y也可以不垂直。
在一些实施例中，电极部1221的俯视图案也可以是独立的矩形，电极部1221之间间隔有镂空部1222。也就是说，电极部1221被镂空部1222分割为相互独立的块状结构，每个第一连接器124连接一个独立的电极部1221；或每个第一连接器124电连接多个独立的电极部1221。在本申请中电极部1221的俯视图案可以是任意形状，具体根据实际情况进行设计。
第二电极122的电极部1221的材料可以是铝、钢、铁、铬、镍、铜、钛等金属或及其合金。
第二电极122的电极部1221主要用于承载射频电压并和第一电极11形成偏压电场。比如，在等离子体增强原子层沉积过程中，加载了射频电压的电极部1221的非成膜区域12b的垂直电场会增强，会更多地引导等离子体内的带电粒子轰击被沉积的表面，使得原本存在于沉积表面的有机源化学键容易被轰击解离，进而溅射出来。因非成膜区域12b缺乏反应的前驱体，原子层沉积的循环链被打断，导致非成膜区域12b难以形成薄膜，从而达到掩模板的效果。
可选的，基底121的材料可以是绝缘材料，比如陶瓷。
可选的，绝缘层123为使用涂覆工艺涂覆在基底121顶部的最上表面和电极部1221的外表面上的绝缘材质；其材质可以为氧化铝、氧化锆、氧化硅、氮化硅、氧化铪及它们的多元化合物，也可以是硅酸盐矿物，如陶瓷、玻璃、水泥、搪瓷。
绝缘层123的作用之一是防止加载有射频电压的第二电极122与成膜制程中的等离子体发生电性连接。绝缘层123的另一个作用是保护第二电极122不被成膜制程中的反应气体腐蚀，提高承载板12的使用寿命。
基底121上设置有通孔1214。第一连接器124设置在通孔1214内。第一连接器124的输出端连接于电极部1221。
请参照图2，具体的，第一连接器124包括第一导电体1241和包覆在第一导电体1241周侧的第一壳体1242。第一导电体1241的端面和第一壳体1242的内侧面界定形成一第二凹槽1243。
其中，第一导电体1241的输出端连接于电极部1221。第一壳体1242和通孔1214的孔壁贴合。
可选的，第一导电体1241的材料可以是金属、金属氧化物或半导体材料等。第一壳体1242的材料可以是绝缘陶瓷材料。
请参照图5，机台13包括支撑部件131、放置台132、供电线133和电源发生器134和接地线135。放置台132设置在支撑部件131上。承载板12设置在放置台132上。供电线133设置在支撑部件131内。电源发生器134通过供电线133连接于第一连接器124。
可选的，支撑部件131为中空的圆柱体结构。
可选的，电源发生器134用于提供射频电源，所提供的电压范围为±10kV，射频频率可以是2.54GHz、13.56MHz、12kHz等等工业使用射频频段。电源发生器134的供电端连接第二电极122，另一端接地。
请参照图5和图6，放置台132包括台板1321和第二连接器1322。第二连接器1322嵌设在台板1321中。第二连接器1322包括第二导电体132a和包覆在第二导电体132a周侧的第二壳体132b。第二导电体132a的侧面和第二壳体132b面向第一连接器124的端面界定形成一第三凹槽132c。
第二导电体132a的部分插接在第二凹槽1243内，并与第一导电体1241的输入端相连。第一壳体1242的部分插接在第三凹槽132c内，并与第二壳体132b相连。供电线133连接于第二导电体132a的输入端。
本实施例将第一连接器124和第二连接器1322进行相互的插接配合，不仅提高了承载板12和机台13连接的稳定性，而且提高了二者电性连接的稳定性。
可选的，第二导电体132a的材料可以是金属、金属氧化物或半导体材料等。第二壳体132b的材料可以是绝缘陶瓷材料。
本实施例中，多个接地线135均匀地连接在放置台132的周边区域，以使放置台132的接地电场较均匀。当放置台132应用于等离子体原子成膜沉积工艺(PECVD)时，可以提高等离子体的均匀性，有利于提高沉积薄膜的均匀性。
请参照图7，相应的，本申请实施例还提供一种膜层的制备方法，其包括以下步骤：
步骤B1：在腔室内设置如上述实施例的成膜装置，所述第二电极用于形成图案化的膜层；
步骤B2：在所述承载板上设置基板；
步骤B3：在所述基板上形成第一膜层；
步骤B4：在所述第一膜层上形成第二膜层。
本申请实施例的成膜制备方法，通过在第一电极11和第二电极122的电极部1221之间形成电场，以使部分等离子体轰击位于非成膜区域12b的材料，致材料无法成膜，同时部分等离子体与位于成膜区域12a的材料反应形成薄膜。
本申请实施例的成膜制备方法，可以仅制备所述第一膜层；也可以在所述第一膜层的基础继续制备其他膜层，比如所述第二膜层；也可以制备所述第一膜层和所述第二膜层交替堆叠的结构。
本申请实施例以制备所述第一膜层的基础上制备所述第二膜层为例进行说明，但不限于此。
步骤B1：在腔室M内设置如上述实施例的成膜装置100。随后转入步骤B2。
在一些实施例中，成膜装置100也可以包括腔室M，其中第一电极11、承载板12和机台13设置在腔室M内。
请参照图8，步骤B2：在所述承载板12上设置基板200，并对基板200进行等离子体表面预处理，以及稳定基板200的加热温度。随后转入步骤B3。
可选的，基板200可以是硅片、玻璃或蓝宝石等。
可选的，腔体M内的气压介于0.2-1.5Torr之间，比如可以是0.2Torr、0.5Torr、1Torr或1.5Torr。基板200加热温度范围介于室温至120℃之间，比如可以是25℃、50℃、100℃或120℃。
步骤B3：在所述基板200上形成第一膜层300。
步骤B3包括步骤B31至步骤B36。
步骤B31：在所述基板200上沉积第一材料。
可选的，第一材料为有机材料，也即是有机源。第一材料可以是二(异丙氨基)硅烷(DIPAS)或双(二乙基氨基)硅烷(DBEAS)，本实施例以DIPAS为例进行说明。
具体的，在钢瓶容器中加热有机源，形成蒸汽状态的第一材料；随后采用载气把气态的所述第一材料携带至腔室M并沉积在所述基板200上；也就是说，将第一材料被吸附在基板200上。随后转入步骤B32。
可选的，有机源供应端的加热温度范围介于50-120℃之间，比如可以是50℃、80℃、100℃或120℃。
可选的，载气可以是Ar，当不限于此。其中载气的通入时间介于0.05秒-2秒之间，比如可以是0.05秒、0.1秒、0.5秒、1秒或2秒。载气的气流量介于6000-24000sccm/m2之间，比如可以是6000sccm/m2、8000sccm/m2、10000sccm/m2、15000sccm/m2、20000sccm/m2或24000sccm/m2。
步骤B32：抽走所述腔室M内残留的气态的所述第一材料。也即抽走腔室M内残余的DIPAS，仅保留吸附在基板200和腔室M壁上的DIPAS；抽气时间介于0.2秒-5秒之间，比如0.2秒、0.5秒、1秒、2秒或5秒。随后转入步骤B33。
步骤B33：通入反应源，所述反应源包括等离子体。
可选的，反应源可以是H2O、O2、N2O、O3等，本实施例以通入O2为例。通入O2的流量介于6000-24000sccm/m2之间，比如可以是6000sccm/m2、8000sccm/m2、10000sccm/m2、15000sccm/m2、20000sccm/m2或24000sccm/m2。通入时间介于0.2秒-5秒之间，比如0.2秒、1秒、2秒、3秒或5秒。随后转入步骤B34。
请参照图9，步骤B34：所述第一电极11和所述电极部1221之间形成电场，在所述电场的作用下，部分所述等离子体LZ轰击位于所述非成膜区域12b上的所述第一材料，使位于所述非成膜区域12b上的所述第一材料脱离所述基板200；位于所述成膜区域12a的所述第一材料与部分所述等离子体LZ反应形成膜层310。
具体的，控制电源发生器134向第一电极11和第二电极122加载射频电压，其中电源发生器134的输出功率介于30kW/m2-120kW/m2之间，比如可以是30kW/m2、50kW/m2、100kW/m2或120kW/m2。输出的持续时间介于5秒-30秒之间，比如可以是5秒、10秒、20秒或30秒。
随后，腔室M内的等离子体内具有大量电子、氧离子及含氧反应活性颗粒，这些颗粒会与被吸附在基板200上的DIPAS反应，形成Si-O键等组成SiOx膜层310的化学键。另外，因第二电极122上加载有射频电压，此时第二电极122上具有一定的电压，该射频电压在第一电极11及设置非成膜区域12b的电极部1221内形成电场，该电场会使等离子体内的部分带电粒子具有向基板200轰击的动能。最终，会在非成膜区域12b中产生溅射效应，该溅射效应会使吸附在非成膜区域12b的DIPAS脱离基板200，难以形成薄膜，从而达到选择性沉积的目的。
随后转入步骤B35。
步骤B35：抽走所述腔室M内残留的气体。抽气时间介于0.2秒-5秒之间，比如0.2秒、0.5秒、1秒、2秒或5秒。随后转入步骤B36。
请参照图10，步骤B36：重复所述步骤B31至所述步骤B35，直至重复所述步骤B31至所述步骤B35的次数达到第一设定次数为止，进而形成第一膜层300。
在本实施例中，第一膜层300是SiOx薄膜。可选的，第一膜层300的厚度介于0.1-20纳米之间，比如可以是0.1纳米、1纳米、10纳米或20纳米。
可选的，第一设定次数介于0-100次之间，比如可以是0次、1次、30次、50次、59次、60次、80次、90次或100次。
具体的，本实施例以第一设定次数介于59次-100次之间。
其中，经过多次原子层沉积的循环过程后，非成膜区域12b中少部分未脱离基板200的有机源会逐渐增多，最终会与氧等离子体反应形成薄膜。更多地，虽然通过增加轰击溅射的时间及射频功率可以减少或几乎清除未脱离基板200的有机源，但是这会增加工艺时间及设备成本，不利于实际生产应用。因此，本实施例在第一设定次数介于59次-100次之间后，此时，在非成膜区域12b中的基板200上材料没有成膜，随后执行步骤B4：第二膜层400的沉积工艺，以达到完全消除导电薄板区域中形成薄膜的可能性的目的。随后转入步骤B4。
请参照图11，步骤B4：在所述第一膜层300上形成第二膜层400。
具体的，步骤B4包括步骤B41至步骤B46。
步骤B41：在钢瓶容器中加热有机源，形成蒸汽状态的第二材料；随后采用载气把气态的所述第二材料携带至腔室M并沉积在所述基板200上；也就是说，将第二材料被吸附在第一膜层300上。
可选的，第二材料为有机材料，也即是有机源。第二材料可以是四(二甲氨基)钛(TDMAT)或其他材料，本实施例以TDMAT为例进行说明。
随后转入步骤B42。
可选的，有机源供应端的加热温度范围介于60-120℃之间，比如可以是60℃、80℃、100℃或120℃。
可选的，载气可以是Ar，当不限于此。其中载气的通入时间介于0.05秒-2秒之间，比如可以是0.05秒、0.1秒、0.5秒、1秒或2秒。载气的气流量介于1600-6400sccm/m2之间，比如可以是1600sccm/m2、2000sccm/m2、3000sccm/m2、5000sccm/m2或6400sccm/m2。
步骤B42：抽走所述腔室M内残留的气态的所述第二材料。也即抽走腔室M内残余的TDMAT，仅保留吸附在第一膜层300和腔室M壁上的TDMAT；抽气时间介于0.2秒-5秒之间，比如0.2秒、0.5秒、1秒、2秒或5秒。随后转入步骤B43。
步骤B43：通入反应源，所述反应源包括等离子体和辅助气体。
可选的，辅助气体包括Ar气，反应源可以包括是H2、N2等和辅助气体，本实施例以通入H2和Ar为例。通入Ar的流量介于1760-7040sccm/m2之间，比如可以是1760sccm/m2、2000sccm/m2、2500sccm/m2、4000sccm/m2、6000sccm/m2或7040sccm/m2。通入H2的流量介于640-2560sccm/m2之间，比如可以是640sccm/m2、800sccm/m2、1000sccm/m2、1500sccm/m2、2500sccm/m2或2560sccm/m2。通入时间介于0.2秒-5秒之间，比如0.2秒、1秒、2秒、3秒或5秒。随后转入步骤B44。
步骤B44：所述第一电极11和所述电极部1221之间形成电场，在所述电场的作用下，部分所述等离子体轰击位于所述非成膜区域12b上的所述第一材料，使位于所述非成膜区域12b上的所述第一材料脱离所述基板200；位于所述成膜区域12a的所述第一材料与部分所述等离子体反应形成膜层。
具体的，控制电源发生器134向第一电极11和第二电极122加载射频电压，其中电源发生器134的输出功率介于30kW/m2-120kW/m2之间，比如可以是30kW/m2、50kW/m2、100kW/m2或120kW/m2。输出的持续时间介于5秒-30秒之间，比如可以是5秒、10秒、20秒或30秒。
随后，腔室M内的等离子体内具有大量电子、氧离子及含氧反应活性颗粒，这些颗粒会与被吸附在第一膜层300上的TDMAT反应，形成Ti-N等组成TiN薄膜的化学键。另外，因第二电极122上加载有射频电压，此时第二电极122上具有一定的电压，该射频电压在第一电极11及设置非成膜区域12b的电极部1221内形成电场，该电场会使等离子体内的部分带电粒子具有向基板200轰击的动能。最终，会在非成膜区域12b中产生溅射效应，该溅射效应会使吸附在非成膜区域12b的TDMAT和DIPAS脱离基板200，难以形成薄膜，从而达到选择性沉积的目的。
随后转入步骤B45。
步骤B45：抽走所述腔室M内残留的气体。抽气时间介于0.2秒-5秒之间，比如0.2秒、0.5秒、1秒、2秒或5秒。随后转入步骤B46。
步骤B46：重复所述步骤B41至所述步骤B45，直至重复所述步骤B41至所述步骤B45的次数达到第二设定次数为止，进而形成第二膜层400。
在本实施例中，第二膜层400是TiN薄膜。可选的，第二膜层400的厚度介于0.05-10纳米之间，比如可以是0.05纳米、0.1纳米、5纳米或10纳米。
可选的，第二设定次数介于0-100次之间，比如可以是0次、1次、30次、50次、59次、60次、80次、90次或100次。
具体的，本实施例以第二设定次数介于59次-100次之间。
这样便完成了本实施例的制备过程。
在一些实施例中，还可以在步骤B1至步骤B4的基础，继续重复步骤B3和步骤B4，形成SiOx薄膜和TiN薄膜的交替叠层，以提高水氧阻隔能力。
在一些实施例中，还可以在步骤B1至步骤B3的基础上形成阻隔层、有机缓冲层和阻隔层的封装结构，以提高水氧阻隔能力。
在一些实施例中，本申请还涉及一种显示面板的制备方法，该制备方法包括上述实施例膜层的制备方法。
以上对本申请实施例所提供的一种成膜装置及膜层的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (12)
1.一种成膜装置，其特征在于，包括：
第一电极；以及
承载板，所述承载板与所述第一电极相对设置，所述承载板包括成膜区域和非成膜区域；
所述承载板包括：
基底；
第二电极，所述第二电极设置在所述基底面向所述第一电极的一侧，所述第二电极包括电极部和镂空部，所述电极部对应所述非成膜区域设置，所述镂空部对应所述成膜区域设置。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述镂空部对应于形成在所述承载板上的图案化的膜层，所述电极部对应于所述膜层中的开口。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述基底包括衬底和设置在所述衬底上的凸起，所述凸起与所述衬底相连形成第一凹槽；所述电极部设置在所述第一凹槽内，所述凸起设置在所述镂空部内。
4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，所述电极部的厚度等于所述凸起的厚度。
5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述承载板还包括绝缘层，所述绝缘层包括平坦子层和填充部，所述平坦子层设置在所述第二电极上，所述填充部自所述平坦子层延伸入所述镂空部内，并与所述基底相连。
6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述承载板还包括第一连接器，所述基底上设置有通孔，所述第一连接器设置在所述通孔内，所述第一连接器的输出端连接于所述电极部。
7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，所述成膜装置还包括机台，所述机台包括支撑部件、放置台、供电线和电源发生器；所述放置台设置在所述支撑部件上，所述承载板设置在所述放置台上，所述供电线设置在所述支撑部件内，所述电源发生器通过所述供电线连接于所述第一连接器。
8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，所述第一连接器包括第一导电体和包覆在所述第一导电体周侧的第一壳体，所述第一导电体的端面和所述第一壳体的内侧面界定形成一第二凹槽；
所述放置台包括台板和第二连接器，所述第二连接器嵌设在所述台板中，所述第二连接器包括第二导电体和包覆在所述第二导电体周侧的第二壳体，所述第二导电体的侧面和所述第二壳体面向所述第一连接器的端面界定形成一第三凹槽；
所述第二导电体的部分插接在所述第二凹槽内，并与所述第一导电体相连；所述第一壳体的部分插接在所述第三凹槽内，并与所述第二壳体相连。
9.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，所述机台包括接地线，多个所述接地线均匀地连接在所述放置台的周边区域。
10.一种膜层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤B1：在腔室内设置如权利要求1-9任意一项所述的成膜装置，所述第二电极用于形成图案化的膜层；
步骤B2：在所述承载板上设置基板；
步骤B3：在所述基板上形成第一膜层。
11.根据权利要求10所述的膜层的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成第一膜层，包括以下步骤：
步骤B31：在所述基板上沉积第一材料；
步骤B32：抽走所述腔室内残留的气态的所述第一材料；
步骤B33：通入反应源，所述反应源包括等离子体；
步骤B34：所述第一电极和所述电极部之间形成电场，在所述电场的作用下，部分所述等离子体轰击位于所述非成膜区域上的所述第一材料，使位于所述非成膜区域上的所述第一材料脱离所述基板，位于所述成膜区域的所述第一材料与部分所述等离子体反应形成膜层；
步骤B35：抽走所述腔室内残留的气体。
12.根据权利要求11所述的膜层的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成第一膜层，还包括以下步骤：
步骤B36：重复所述步骤B31至所述步骤B35，直至重复所述步骤B31至所述步骤B35的次数达到第一设定次数为止，进而形成第一膜层；所述第一设定次数介于59次-100次之间；
在步骤B36之后，所述膜层的制备方法，还包括以下步骤：
步骤B4：在所述第一膜层上形成第二膜层。
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