CN111346595A - 一种SnS2@SnO2异质结及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及光催化纳米材料领域,特别是涉及一种SnS2@SnO2异质结及制备方法,其制备方法包括以下步骤:a.将四氯化锡和硫代乙酰胺溶于乙醇和醋酸的混合溶液中,搅拌,形成溶液A;b.将溶液A装入反应釜中,放入恒温干燥箱中,一定温度下反应数小时后,让反应釜自然冷却至室温,乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到SnS2花状结构;c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中退火,得到SnS2@SnO2异质结。本发明的原料廉价易得,合成工艺简单,成本低,对设备要求低,可控程度高,所得产品均匀、形貌新颖,具有优良的可见光光催化性能,在能源、环保行业具有广泛的应用。
Description
技术领域
本发明涉及光催化纳米材料领域,具体,涉及一种SnS2@SnO2异质结及制备方法。
背景技术
氧化锡为白色、淡黄色或淡灰色四方、六方或斜方晶系粉末。熔点1630℃,沸点1800℃。是一种优秀的透明导电材料。它是第一个投入商用的透明导电材料。SnO2是一种重要的半导体传感器材料,用它制备的气敏传感器灵敏度高,被广泛用于各种可燃气体、环境污染气体、工业废气以及有害气体的检测和预报。以SnO2为基体材料制备的湿敏传感器,在改善室内环境、精密仪器设备机房以及图书馆、美术馆、博物馆等均有应用。通过在SnO2中掺杂一定量的CoO、Co2O3、 Cr2O3、Nb2O5、Ta2O5等,可以制成阻值不同的压敏电阻,在电力系统、电子线路、家用电器等方面都有广泛的用途。
SnO2由于对可见光具有良好的通透性,在水溶液中具有优良的化学稳定性,且具有特定的导电性和反射红外线辐射的特性,因此在锂电池、太阳能电池、液晶显示、光电子装置、透明导电电极、防红外探测保护等领域也被广泛应用。而SnO2纳米材料由于具有小尺寸效应、量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应,在光、热、电、声、磁等物理特性以及其他宏观性质方面较传统SnO2而言都会发生显著的变化,所以可以通过运用纳米材料来改善传感器材料的性能。
在过渡金属硫化物中,SnS2是带隙宽度为2.2-2.5eV的n型半导体材料,每层Sn原子通过较强的Sn-S共价键与S原子相连接,层与层之间则是通过较弱的范德华力相连。由于其具有储量丰富、价格低廉、光催化效率高和储能容量大等优点,在光电探测、太阳能电池以及储能领域拥有广泛的应用前景。
发明内容
本发明所要解决的首要技术问题是提供一种工艺简单、成本低、反应周期短的SnS2@SnO2异质结的制备方法。
一种SnS2@SnO2异质结制备方法,包括以下步骤:
a将四氯化锡和硫代乙酰胺溶于乙醇和醋酸的混合溶液中,搅拌,形成溶液A;
b.将溶液A装入反应釜中,放入恒温干燥箱中,一定温度下反应数小时后,让反应釜自然冷却至室温,乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到SnS2花状结构;
c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中退火,得到SnS2@SnO2异质结。
进一步地,步骤a所述的四氯化锡的量为0.035-3.5g;硫代乙酰胺的量为0.01875-1.875g。
进一步地,步骤a所述乙醇的量为10-100ml;醋酸的量为0.5-5ml;搅拌时间为10-60min。
进一步地,所述步骤b的反应温度为100-200℃;反应时间为8-20小时。
进一步地,所述步骤c的反应温度为200-450℃;反应时间为5-20min。
本发明的有益效果:本发明的SnS2@SnO2异质结的制备方法,无需贵重仪器设备,通过合理的工艺控制,实现SnS2@SnO2异质结的制备。本发明的原料廉价易得,合成工艺简单,成本低,反应周期短,且对环境无污染。该制备的 SnS2@SnO2异质结大小均匀、尺寸可调、分散良好,可应用于光催化、气敏、吸附等领域。
附图说明
图1是实施例1所制备SnS2@SnO2的扫描电子显微镜(SEM)照片。
图2是实施例1所制备SnS2@SnO2的扫描电子显微镜(SEM)照片。
具体实施方式
以下通过具体实施例用于进一步说明本发明描述的方法,但是并不意味着本发明局限于这些实施例。
实施例1:
一种SnS2@SnO2异质结的制备方法,其步骤包括:a.将0.35g四氯化锡和 0.1875g硫代乙酰胺溶于33.5ml乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中,搅拌30min后,形成溶液A;b.将溶液A装入反应釜,在恒温干燥箱中,160℃下反应12h,待反应釜自然冷却后,用乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到SnS2花状结构;c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中400℃氧化10分钟,得到SnS2@SnO2异质结。
附图1和2分别为本实施例制成的SnS2@SnO2异质结的SEM图,从图中可以看出制备的SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构,尺寸比较均匀,其中, SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm,SnS2@SnO2异质结片的宽度在 300nm-800nm。
实施例2:
该实施例与实施例1的区别在于步骤a中四氯化锡和硫代乙酰胺改变为0.07g和0.0375g,其他与实施例1相同,具体如下:a.将0.07g四氯化锡和0.0375g 硫代乙酰胺溶于33.5ml乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中,搅拌30min后,形成溶液A;b.将溶液A装入反应釜,在恒温干燥箱中,160℃下反应12h,待反应釜自然冷却后,用乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到SnS2花状结构;c. 将得到的SnS2花状结构构置于马弗炉中400℃氧化10分钟,得到SnS2@SnO2异质结。SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构,尺寸比较均匀,其中,SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm。
实施例3:
该实施例与实施例1的区别在于步骤a中乙醇和醋酸改变为67ml和3ml,其他与实施例1相同,具体如下:a.将0.35g四氯化锡和0.1875g硫代乙酰胺溶于67ml乙醇和3ml醋酸的混合溶液中,搅拌30min后,形成溶液A;b.将溶液 A装入反应釜,在恒温干燥箱中,160℃下反应12h,待反应釜自然冷却后,用乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到碳纤维布@SnS2花状结构;c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中400℃氧化10分钟,得到SnS2@SnO2异质结。 SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构,尺寸比较均匀,其中,SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm。
实施例4:
该实施例与实施例1的区别在于步骤a中搅拌时间改变为60min,其他与实施例1相同,具体如下:a.将0.35g四氯化锡和0.1875g硫代乙酰胺溶于33.5ml 乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中,搅拌60min后,形成溶液A;b.将溶液A装入反应釜,在恒温干燥箱中,160℃下反应12h,待反应釜自然冷却后,用乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到SnS2花状结构;c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中400℃氧化10分钟,得到SnS2@SnO2异质结。SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构,尺寸比较均匀,其中,SnS2@SnO2异质结片的厚度为10 nm-100nm。
实施例5:
该实施例与实施例1的区别在于步骤一到步骤b中反应时间改变为16h,其他与实施例1相同,具体如下:a.将0.35g四氯化锡和0.1875g硫代乙酰胺溶于 33.5ml乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中,搅拌30min后,形成溶液A;b.将溶液 A装入反应釜,在恒温干燥箱中,160℃下反应16h,待反应釜自然冷却后,用乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到SnS2花状结构;c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中400℃氧化10分钟,得到SnS2@SnO2异质结。SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构,尺寸比较均匀,其中,SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm。
实施例6:
该实施例与实施例1的区别在于步骤b中反应温度改变为120℃,其他与实施例1相同,具体如下:a.将0.35g四氯化锡和0.1875g硫代乙酰胺溶于33.5ml 乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中,搅拌30min后,形成溶液A;b.将溶液A和装入反应釜,在恒温干燥箱中,120℃下反应12h,待反应釜自然冷却后,用乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到碳纤维布@SnS2花状结构;c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中400℃氧化10分钟,得到SnS2@SnO2异质结。SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构,尺寸比较均匀,其中,SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm。
实施例7:
该实施例与实施例1的区别在于步骤c中退火的温度改变为420℃,其他与实施例1相同,具体如下:a.将0.35g四氯化锡和0.1875g硫代乙酰胺溶于33.5ml 乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中,搅拌30min后,形成溶液A;b.将溶液A装入反应釜,在恒温干燥箱中,160℃下反应12h,待反应釜自然冷却后,用乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到SnS2花状结构;c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中420℃退火处理,退火时间为10分钟,以进行氧化处理,得到 SnS2@SnO2异质结。SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构,尺寸比较均匀,其中,SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm。
实施例8:
该实施例与实施例1的区别在于步骤c中退火时间改变为5min,其他与实施例1相同,具体如下:a.将0.35g四氯化锡和0.1875g硫代乙酰胺溶于33.5ml 乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中,搅拌30min后,形成溶液A;b.将溶液A装入反应釜,在恒温干燥箱中,160℃下反应12h,待反应釜自然冷却后,用乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到SnS2花状结构;c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中400℃退火处理,退火5分钟,使得SnS2花状结构氧化,得到 SnS2@SnO2异质结。SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构,尺寸比较均匀,其中,SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm。
实施例9:
一种SnS2@SnO2异质结的制备方法,其步骤包括:a.将0.35g四氯化锡和 0.1875g硫代乙酰胺溶于33.5ml乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中,搅拌30min后,形成溶液A;b.将溶液A装入反应釜,在恒温干燥箱中,100℃下反应8h,待反应釜自然冷却后,用乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到SnS2花状结构; c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中200℃氧化5分钟,得到SnS2@SnO2异质结。
本发明实施例中SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构,尺寸比较均匀,其中,SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm,SnS2@SnO2异质结片的宽度在300nm-800nm。
实施例10:
一种SnS2@SnO2异质结的制备方法,其步骤包括:a.将0.35g四氯化锡和 0.1875g硫代乙酰胺溶于33.5ml乙醇和1.5ml醋酸的混合溶液中,搅拌30min后,形成溶液A;b.将溶液A装入反应釜,在恒温干燥箱中,200℃下反应20h,待反应釜自然冷却后,用乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到SnS2花状结构;c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中450℃氧化20分钟,得到SnS2@SnO2异质结。
本发明实施例中SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构,尺寸比较均匀,其中,SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm,SnS2@SnO2异质结片的宽度在300nm-800nm。
Claims (6)
1.一种SnS2@SnO2异质结的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
a.将四氯化锡和硫代乙酰胺溶于乙醇和醋酸的混合溶液中,搅拌,形成溶液A;
b.将溶液A装入反应釜中,放入恒温干燥箱中,一定温度下反应数小时后,让反应釜自然冷却至室温,乙醇与去离子水分别洗涤多次,干燥,得到SnS2花状结构;
c.将得到的SnS2花状结构置于马弗炉中退火,得到SnS2@SnO2异质结。
2.如权利要求1中所述的SnS2@SnO2异质结的制备方法,其特征在于:所述步骤a中的所述四氯化锡的量为0.035-3.5g;硫代乙酰胺的量为0.01875-1.875g。
3.如权利要求1中所述的SnS2@SnO2异质结的制备方法,其特征在于:步骤a所述乙醇的量为10-100ml;醋酸的量为0.5-5ml;搅拌的时间为10-60min。
4.如权利要求1中所述的SnS2@SnO2异质结的制备方法,其特征在于:步骤b的反应温度为100-200℃;反应时间为8-20小时。
5.如权利要求1中所述的SnS2@SnO2异质结的制备方法,其特征在于:步骤c退火的温度为200-450℃;退火的时间为5-20min。
6.一种SnS2@SnO2异质结,其特征在于:所述SnS2@SnO2异质结由权利要求1-5任一项的制备方法制备而得,所述SnS2@SnO2异质结为片状的花状结构,其中,SnS2@SnO2异质结片的厚度为10nm-100nm。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114074952A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-22 | 贵州梅岭电源有限公司 | 一种具有氟掺杂异质结构的花状微球的合成方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101609886A (zh) * | 2009-07-16 | 2009-12-23 | 浙江大学 | 一种制备锂离子电池SnO2/SnS2纳米复合电极材料的方法 |
CN102773110A (zh) * | 2012-08-17 | 2012-11-14 | 扬州大学 | 古币形中空结构SnS2/SnO2复合光催化剂材料的制备方法 |
CN103861618A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-18 | 扬州大学 | 一种SnO2基复合可见光光催化剂的制备方法 |
CN103991899A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-08-20 | 合肥工业大学 | 一种多孔花状氧化锡微纳结构的制备方法 |
CN104096530A (zh) * | 2014-07-21 | 2014-10-15 | 安徽师范大学 | 一种SnS2纳米片、制备方法及其应用 |
CN105905938A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-08-31 | 信阳师范学院 | 一种作为锂离子电池负极的花状二硫化锡微球的制备方法 |
CN107416892A (zh) * | 2017-07-24 | 2017-12-01 | 东北大学 | 一种具有分级结构的SnS2水热制备方法 |
CN107754819A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-03-06 | 大连民族大学 | 一种合成具有可见光响应的光催化剂SnS2/Bi2WO6纳米片的制备方法 |
CN107890876A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-04-10 | 苏州大学 | 一种可见光响应CC@SnS2/SnO2复合催化剂的制备方法及其应用 |
CN108273518A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-07-13 | 济南大学 | 一种SnS2/Mn3O4花状复合结构的合成方法及所得产品 |
CN108878812A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-23 | 陕西科技大学 | 一种在不锈钢网负载SnO2/SnS2纳米片钾离子电池负极复合材料的制备方法及应用 |
CN109174124A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-11 | 陕西科技大学 | 一种不锈钢网负载氧化锡或二硫化锡纳米片光催化复合材料的制备方法 |
-
2020
- 2020-03-09 CN CN202010155568.6A patent/CN111346595A/zh active Pending
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101609886A (zh) * | 2009-07-16 | 2009-12-23 | 浙江大学 | 一种制备锂离子电池SnO2/SnS2纳米复合电极材料的方法 |
CN102773110A (zh) * | 2012-08-17 | 2012-11-14 | 扬州大学 | 古币形中空结构SnS2/SnO2复合光催化剂材料的制备方法 |
CN103861618A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-18 | 扬州大学 | 一种SnO2基复合可见光光催化剂的制备方法 |
CN103991899A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-08-20 | 合肥工业大学 | 一种多孔花状氧化锡微纳结构的制备方法 |
CN104096530A (zh) * | 2014-07-21 | 2014-10-15 | 安徽师范大学 | 一种SnS2纳米片、制备方法及其应用 |
CN105905938A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-08-31 | 信阳师范学院 | 一种作为锂离子电池负极的花状二硫化锡微球的制备方法 |
CN107416892A (zh) * | 2017-07-24 | 2017-12-01 | 东北大学 | 一种具有分级结构的SnS2水热制备方法 |
CN107890876A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-04-10 | 苏州大学 | 一种可见光响应CC@SnS2/SnO2复合催化剂的制备方法及其应用 |
CN107754819A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-03-06 | 大连民族大学 | 一种合成具有可见光响应的光催化剂SnS2/Bi2WO6纳米片的制备方法 |
CN108080006A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-05-29 | 大连民族大学 | 纳米片SnS2Bi2WO6催化降解液相污染物的方法 |
CN108273518A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-07-13 | 济南大学 | 一种SnS2/Mn3O4花状复合结构的合成方法及所得产品 |
CN108878812A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-23 | 陕西科技大学 | 一种在不锈钢网负载SnO2/SnS2纳米片钾离子电池负极复合材料的制备方法及应用 |
CN109174124A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-01-11 | 陕西科技大学 | 一种不锈钢网负载氧化锡或二硫化锡纳米片光催化复合材料的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
GUPING ZHANG,等: "SnS2/SnO2 heterostructured nanosheet arrays grown on carbon cloth for efficient photocatalytic reduction of Cr(VI)", 《JOURNAL OF COLLOID AND INTERFACE SCIENCE》 * |
陈琦欣,等: "热氧化法制备 SnS2/SnO2 及其可见光催化还原水中六价铬", 《化工技术与开发》 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114074952A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-22 | 贵州梅岭电源有限公司 | 一种具有氟掺杂异质结构的花状微球的合成方法 |
CN114074952B (zh) * | 2021-11-17 | 2023-12-22 | 贵州梅岭电源有限公司 | 一种具有氟掺杂异质结构的花状微球的合成方法 |
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