CN111344915A - 半导体激光装置 - Google Patents

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Abstract

半导体激光装置所具有的前端面以及后端面分别包含半导体基板的端部、第一导电型包层的端部、有源层的端部以及第二导电型包层的端部。前端面包含：谐振器端面部，其包含有源层的端部；以及凸出部，其与谐振器端面部相比向谐振器长度方向凸出预先设定的规定凸出量，凸出部具有台阶底面部。谐振器端面部与台阶底面部连接而形成角部。将从有源层的厚度中央位置至台阶底面部的距离作为底面部深度。底面部深度与预先确定的特定深度相同或者比该特定深度深。在将规定凸出量设为X、将底面部深度设为Y、将从谐振器端面部射出的激光的扩散角的半角设为β的情况下，以满足β>arctan(Y/X)的方式确定规定凸出量以及底面部深度。

Description

半导体激光装置
技术领域
本申请涉及半导体激光装置。
背景技术
以往，例如国际公开第2002/103865号所公开的那样，已知通过蚀刻形成谐振器端面的半导体激光装置。法布里-珀罗型的半导体激光装置具有谐振器端面。谐振器端面用于使有源层的光在半导体层内部进行谐振而形成波导区域。谐振器端面的形成方法有解理、蚀刻、磨削等方法。与材料相应地选择适当的形成方法。
专利文献1：国际公开第2002/103865号
发明内容
从谐振器端面射出的激光的放射光图案被称为远场图案。在上述专利文献1的第6页第2行记载了通过考虑放射临界角等，能够使FFP即远场图案不被扰乱。如果对这一点进行说明，则首先在通过干蚀刻形成谐振器端面的情况下，如果干蚀刻在半导体层的中途停止，则在谐振器端面的下方产生台阶。该台阶成为与谐振器端面相比向谐振器长度方向凸出的凸出部。优选地，以使得凸出部不会阻碍激光输出光的扩散的方式，根据与激光器放射光的关系而适当地确定干蚀刻的深度。从谐振器端面输出的激光的路线不被凸出部阻碍，由此，能够得到良好的放射光图案。
在通过干蚀刻加工形成激光器的谐振器端面的构造中，不仅是输出光，还需要考虑“在谐振器内导波的激光的强度分布”。“在谐振器内导波的激光的强度分布”通常被称为近场图案。在上述现有技术文献中，关于该导波光的光强度分布，则完全没有考虑。如果不考虑近场图案与凸出部的关系而设计干蚀刻加工形状，则由谐振器端面反射的激光的光分布的大部分有可能被散射。其结果，光损失过大，存在使激光器的光输出特性恶化的问题。
本申请就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于，提供一种以能够可靠地兼顾高的光输出和良好的远场图案的方式改善后的半导体激光装置。
本申请的其他目的在于，提供一种为了得到高的光输出而改善了后端面的构造的半导体激光装置。
本申请所公开的第一半导体激光装置具有：半导体基板；第一导电型包层，其设置于所述半导体基板之上；有源层，其设置于所述第一导电型包层之上；以及第二导电型包层，其设置于所述有源层之上，该半导体激光装置具有彼此朝向相反方向的前端面以及后端面，所述前端面以及所述后端面分别包含所述半导体基板的端部、所述第一导电型包层的端部、所述有源层的端部以及所述第二导电型包层的端部，所述前端面以及所述后端面的至少一方包含：谐振器端面部，其包含所述有源层的端部；以及凸出部，其与所述谐振器端面部相比向谐振器长度方向凸出预先确定的规定凸出量，该凸出部具有朝向所述谐振器端面部侧的台阶底面部，所述谐振器端面部与所述台阶底面部连接而形成角部，将从表示所述有源层的厚度中央位置的假想线即有源层厚度中央轴至所述台阶底面部的最短距离作为底面部深度，所述底面部深度与预先确定的特定深度相同或者比该特定深度深，所述特定深度是从所述有源层厚度中央轴至在所述有源层导波的导波光所具有的垂直横模的光强度分布中成为峰值强度值的1/100的位置为止的最短距离，在将所述规定凸出量设为X、将所述底面部深度设为Y、将从所述谐振器端面部射出的激光的扩散角的半角设为β的情况下，以满足β>arctan(Y/X)的方式确定所述规定凸出量以及所述底面部深度。
本申请所公开的第二半导体激光装置具有：半导体基板；第一导电型包层，其设置于所述半导体基板之上；有源层，其设置于所述第一导电型包层之上；以及第二导电型包层，其设置于所述有源层之上，该半导体激光装置具有彼此朝向相反方向的前端面以及后端面，所述前端面以及所述后端面分别包含所述半导体基板的端部、所述第一导电型包层的端部、所述有源层的端部以及所述第二导电型包层的端部，所述后端面包含：谐振器端面部，其包含所述有源层的端部；以及凸出部，其与所述谐振器端面部相比向谐振器长度方向凸出预先确定的规定凸出量，该凸出部具有朝向所述谐振器端面部侧的台阶底面部，在所述谐振器端面部设置用于由所述谐振器端面部对在所述有源层导波的光进行反射的反射涂膜，所述谐振器端面部与所述台阶底面部连接而形成角部，将从表示所述有源层的厚度中央位置的假想线即有源层厚度中央轴至所述台阶底面部的最短距离作为底面部深度，所述底面部深度与预先确定的特定深度相同或者比该特定深度深，所述特定深度是从所述有源层厚度中央轴至在所述有源层导波的导波光所具有的垂直横模的光强度分布中成为峰值强度值的1/100的位置为止的最短距离。
本申请所公开的第三半导体激光装置具有：半导体基板；第一导电型包层，其设置于所述半导体基板之上；有源层，其设置于所述第一导电型包层之上的第一部分；光波导层，其设置于所述第一导电型包层之上的与所述第一部分相邻的第二部分，与所述有源层的端部连接；以及第二导电型包层，其设置于所述有源层以及所述光波导层之上，该半导体激光装置具有彼此朝向相反方向的前端面以及后端面，所述前端面包含所述半导体基板的端部、所述第一导电型包层的端部、所述有源层的端部以及所述第二导电型包层的端部，所述后端面包含所述半导体基板的端部、所述第一导电型包层的端部、所述光波导层的端部以及所述第二导电型包层的端部，所述后端面包含：光波导端面部，其包含所述光波导层的端部；以及凸出部，其与所述光波导端面部相比向谐振器长度方向凸出预先确定的规定凸出量，该凸出部具有朝向所述光波导端面部侧的台阶底面部，所述光波导端面部与所述台阶底面部连接而形成角部，将从表示所述光波导层的厚度中央位置的假想线即光波导层厚度中央轴至所述台阶底面部的最短距离作为底面部深度，所述底面部深度与预先确定的特定深度相同或者比该特定深度深，所述特定深度是从所述光波导层厚度中央轴至在所述光波导层导波的导波光所具有的垂直横模的光强度分布中成为峰值强度值的1/100的位置为止的最短距离。
发明的效果
根据上述第一半导体激光装置，以能够将由谐振器端面部反射的激光的散射引起的光损失抑制得足够小的方式，设定底面部深度。以使从谐振器端面部放射的激光不被凸出部大幅阻挡的方式，与上述设定的底面部深度对应地适当设定出规定凸出量。其结果，能够可靠地兼顾高的光输出和良好的远场图案。
根据上述第二半导体激光装置，以能够将由设置于后端面的谐振器端面部反射的激光的散射引起的光损失抑制得足够小的方式，设定底面部深度。另外，关于通过设置反射涂膜而提高了反射率的后端面，也可以不考虑激光器放射光相对于凸出部的扩散。其结果，通过适当地设定底面部深度，能够确保高的光输出。
根据上述第三半导体激光装置，就具有半导体激光器部和光波导部的外部谐振器型半导体激光装置而言，以能够将由设置于后端面的光波导端面部反射的激光的散射引起的光损失抑制得足够小的方式，设定底面部深度。其结果，通过适当地设定底面部深度，能够确保高的光输出。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的半导体激光装置的结构的斜视图。
图2是表示实施方式1所涉及的半导体激光装置的结构的剖面图。
图3是表示实施方式1所涉及的半导体激光装置的结构的局部放大图。
图4是用于说明实施方式1所涉及的半导体激光装置的底面部深度的曲线图。
图5是用于说明实施方式1所涉及的半导体激光装置的底面部深度的曲线图。
图6是用于说明实施方式1所涉及的半导体激光装置的底面部深度的曲线图。
图7是用于说明实施方式1所涉及的半导体激光装置的底面部深度的曲线图。
图8是用于说明实施方式1所涉及的半导体激光装置的底面部深度的曲线图。
图9是用于说明实施方式1所涉及的半导体激光装置的底面部深度的曲线图。
图10是用于说明实施方式1所涉及的半导体激光装置的底面部深度的曲线图。
图11是用于说明实施方式1所涉及的半导体激光装置的底面部深度的局部放大图。
图12是为了说明实施方式1所涉及的半导体激光装置的底面部深度而示出的对比例的局部放大图。
图13是表示实施方式2所涉及的半导体激光装置的结构的剖面图。
图14是表示实施方式2所涉及的半导体激光装置的结构的局部放大图。
图15是用于说明实施方式2所涉及的半导体激光装置的底面部深度的曲线图。
图16是表示实施方式1的变形例所涉及的半导体激光装置的结构的图。
图17是表示实施方式1的变形例所涉及的半导体激光装置的结构的图。
图18是表示实施方式3所涉及的外部谐振器型半导体激光装置的结构的斜视图。
图19是表示实施方式3所涉及的外部谐振器型半导体激光装置的结构的剖面图。
图20是表示实施方式3所涉及的外部谐振器型半导体激光装置的结构的局部放大图。
具体实施方式
实施方式1.
图1是表示实施方式1所涉及的半导体激光装置101的结构的斜视图。图2是表示实施方式1所涉及的半导体激光装置101的结构的剖面图。图2是沿图1的A-A假想平面将半导体激光装置101切断后的剖面图。图3是表示实施方式1所涉及的半导体激光装置101的结构的局部放大图。图3是图2的谐振器端面部附近102的放大图。
实施方式1所涉及的半导体激光装置101是端面发光型的半导体激光装置。如图3所示，半导体激光装置101具有：半导体基板1；第一导电型包层2，其设置于半导体基板1之上；有源层3，其设置于第一导电型包层2之上；以及第二导电型包层4，其设置于有源层3之上。在实施方式1中，将第一导电型设为n型，将第二导电型设为p型。但是，作为变形例，也可以使n型和p型调换。
示出各层的厚度的一个例子。由InP构成的半导体基板1的厚度也可以是100μm。由InP构成的第一导电型包层2的厚度也可以落在2μm至3μm的范围内。有源层3的厚度也可以是0.2μm。由InP构成的第二导电型包层4的厚度也可以落在2μm至3μm的范围内。第一欧姆电极5的厚度也可以落在2μm至3μm的范围内。第二欧姆电极6的厚度也可以落在2μm至3μm的范围内。
如图3所示，在通过A-A假想平面将半导体激光装置101切断后的剖面图中，将表示有源层3的厚度成为一半的位置的假想线设为“有源层厚度中央轴3a”。在实施方式1中，为了方便，将图3中表示有源层厚度中央轴3a的虚线设为不仅延长至有源层3的内部而是延长至有源层3的外部的假想线。
谐振器端面部7a的发光形状被称为近场图案。下面，将近场图案也简称为“NFP”。NPF由半导体激光装置101内部的光的导波状态决定。NFP通过水平横模W//和垂直横模W⊥表示。与NFP相关联地将本申请所关注的第一参数α定为α＝W⊥/2。
第一导电型包层2以及第二导电型包层4夹着有源层3。如果有源层3与第一导电型包层2、第二导电型包层4之间的折射率差大，则更多的光被封入有源层3。即，有源层3起到振荡形成激光的作用，并且还起到通过被两个包层夹着而将光封闭且导波的作用。如果向有源层3的光封闭变强，则NFP的光分布变小。相反，如果折射率差小，则光难以被封入至有源层3，因此NFP的光分布变大。
从半导体激光装置101射出的激光器放射光111由于衍射现象而在空间中扩散。此时的光的扩散形状被称为远场图案。下面，将远场图案也简称为“FFP”。FFP通过与有源层3垂直的方向的放射角θ⊥和与有源层3平行的方向的放射角θ//表示。将实施方式1所关注的第二参数β定为β＝θ⊥/2。β是激光器放射光111的放射角θ⊥的半角。激光器放射光在空间中扩散时的衍射现象在数学上通过傅里叶变换的关系表示。上述第一参数α与第二参数β之间的关系是通过傅立叶变换的关系而关联起来的。如果α大，则β变小，如果α小，则β变大。
半导体激光装置101具有彼此朝向相反方向的前端面7以及后端面10。前端面7以及后端面10分别包含半导体基板1、第一导电型包层2、有源层3以及第二导电型包层4的端部。在实施方式1中，前端面7包含谐振器端面部7a、凸出部7b和台阶底面部7c。
在图1至图3中，为了便于说明，标记了彼此正交的xyz轴。y轴是在半导体基板1的表面使半导体层进行晶体生长时的晶体生长方向。y轴是各半导体层的厚度方向，也是半导体激光装置101的厚度或者高度方向。x轴是激光器放射光111的行进方向。x轴也是用于表示“谐振器长度”的方向轴。谐振器长度是半导体激光装置101所具有的一对谐振器面的间隔。实施方式1中的谐振器长度是前端面7的谐振器端面部7a与后端面10之间的距离。z轴与x轴以及y轴正交。z轴是半导体激光装置101的宽度方向。图1的A-A假想平面与图1至图3所示的xyz坐标系中的xy平面平行。
半导体激光装置101也可以通过有机金属气相化学生长法(MOVPE)制造。也可以在由InP构成的半导体基板1之上，使用MOVPE对由InP构成的第一导电型包层2、有源层3、和由InP构成的第二导电型包层4进行层叠。在半导体层的层叠之后，通过干蚀刻，蚀刻至第一导电型包层2的中途或者半导体基板1的中途。在通过干蚀刻而被除去的部位形成谐振器端面部7a，在未通过干蚀刻去除的部位形成凸出部7b。干蚀刻也可以是使用例如甲烷气体或者氯类气体的反应性离子蚀刻。在干刻蚀之后或者之前，形成供电用电极。在第二导电型包层4之上形成供电用第一欧姆电极5。在由InP构成的半导体基板1的背面形成供电用第二欧姆电极6。
如图3所示，谐振器端面部7a包含第一导电型包层2、有源层3以及第二导电型包层4各自的端部。凸出部7b与谐振器端面部7a相比向谐振器长度方向即x轴方向凸出。将凸出部7b的凸出的大小称为规定凸出量X。凸出部7b具有朝向谐振器端面部7a侧的台阶底面部7c。通过将谐振器端面部7a与台阶底面部7c连接，形成有蚀刻边角部EE。将从有源层3的厚度中央位置至台阶底面部7c的距离设为底面部深度Y。底面部深度Y由形成谐振器端面部7a时的干蚀刻的深度决定。底面部深度Y表示沿Y轴方向的、从有源层3的有源层厚度中央轴3a至台阶底面部7c的最短距离。
在图3中还图示了导波光8。导波光8示意性地表示在有源层3导波的光的分布。实施方式1所关注的第一参数α＝W⊥/2由导波光8的分布形状确定。由于有源层3的折射率高于周围的第一导电型包层2以及第二导电型包层4的折射率，因此产生导波光8。有源层3的折射率越大，向有源层3内部的光封闭也越大。如果向有源层3内部的光封闭变强，则向有源层3外的渗出成分变小，因此α变小。相反，如果有源层3的折射率小，则向有源层3的光封闭变小，因此α变大。
规定凸出量X以及底面部深度Y如下设定。实施方式1所关注的第二参数β是从谐振器端面部7a射出的激光器放射光111的扩散角的半角。规定凸出量X以及底面部深度Y设定为满足使用了反三角函数的条件即“β>arctan(Y/X)”。由此，能够抑制从谐振器端面部7a输出的激光器放射光111被凸出部7b遮挡，因此能够得到良好的FFP。
图4至图10是用于说明实施方式1所涉及的半导体激光装置101的底面部深度Y的曲线图。图4是使β为横轴、底面部深度Y为纵轴的曲线图。以优选的规定凸出量X＝5μm为例，求出底面部深度Y。虚线Q1是用于使得从谐振器端面部7a输出的激光器放射光111的行进路线不被凸出部7b阻挡的条件。优选与各种β相应地使底面部深度Y比虚线Q1深。
这里，对导波光8和规定深度Y之间的关系进行说明。将第一导电型包层2的折射率设为nc1。将第二导电型包层4的折射率设为nc2。有源层3的层数为m，第j层的折射率为nj，层厚为dj。是被第一导电型包层2和第二导电型包层4夹着的构造。y方向是第一导电型包层2、有源层3以及第二导电型包层4的层叠方向。通过E表示层叠方向y上的导波光的光电场分布。
第一导电型包层2的光电场Ec1(y)能够通过下述公式(1)、(2)表示。n表示透射折射率，k0表示真空中的波数。D1是预先确定的系数。
【公式1】
Ec1(y)＝D1exp(γc1y)···(1)
【公式2】
Figure BDA0002487763460000091
有源层3的各层的光电场Ej(y)能够通过下述的公式(3)、(4)表示。Aj以及Bj是预先确定的系数。
【公式3】
Figure BDA0002487763460000092
【公式4】
Figure BDA0002487763460000093
第二导电型包层4的光电场Ec2(y)能够通过下述的公式(5)、(6)表示。n表示透射折射率，k0表示真空中的波数。D2是预先确定的系数。
【公式5】
Ec2(y)＝D2exp(γc2y)···(5)
【公式6】
Figure BDA0002487763460000094
这里，对电场强度E的平方即光强度E2的分布进行研究。光强度E2的分布形状以使得在有源层3的有源层厚度中央轴3a具有峰值强度、在有源层厚度中央轴3a的两侧具有下摆的方式扩展。光强度E2以该峰值强度为顶部、光强度从峰值强度起逐渐降低的方式具有山形的分布。在光强度从峰值强度至山脚部变小的中途，到达光强度E2成为峰值强度的1/100的点。光强度E2的山形分布在峰值的两侧具有两个山脚部，因此在这两个山脚部分别具有光强度E2成为峰值强度的1/100的点。为了方便，在上述两个山脚中靠近半导体基板1侧的山脚，将光强度E2成为“峰值强度的1/100的强度”的点与有源层厚度中央轴3a的沿y轴方向的最短距离记载为“特定深度y1/100”。
图5的曲线图表示对应于底面部深度Y，谐振器端面部7a处的反射光与波导耦合的比例和光强度处于怎样的关系。图5的虚线20表示由谐振器端面部7a反射的光再次与有源层3耦合的比例U。虚线20是示出该耦合比例U如何与底面部深度Y相应地变化的特性曲线图。图5的实线21是表示将光强度E2通过峰值进行标准化后的值与底面部深度Y之间的关系的特性曲线图。图5的曲线图是对实施方式1所涉及的半导体激光装置101的一个例子进行计算的图。在图5的计算条件中，将有源层3的层厚设为0.24μm且折射率设为3.35。在图5的计算条件中，将第一导电型包层2和第二导电型包层4的折射率设为nc1＝nc2＝3.216。
在图5的实线曲线图上存在点21p。该点21p是光强度为峰值强度值的1/100的点。与该点21p对应的底面部深度Y的大小为特定深度y1/100。在实施方式1中，底面部深度Y被设定为与特定深度y1/100相同、或大于特定深度y1/100。具体的构造参照图11在后面进行说明。
图6至图8是将Y＝0μm、1μm、2μm时的从谐振器端面部7a放射的光的放射角设为横轴而示出的图。在图6所示的Y＝0μm的数据中，在正60度附近以及负60度附近产生伴峰。伴峰是在试图使激光器放射光111与光通信用光纤耦合时产生的非耦合成分。Y＝0μm这样的放射光形状由于向光纤的光输入功率降低，因此不优选。在图7所示的Y＝1μm时，由于没有伴峰，因此向光纤的输入功率也得到改善。在Y＝1μm的情况下，如从图5也可看出的那样，端面反射光的90％能够再次与有源层3耦合，因此特性不会大幅恶化。端面反射光再次与有源层3耦合的比例小于90％对于在光通信领域中使用的器件而言是难以容许的大的损失。因此，优选光强度E2中直至“峰值强度的1/100的强度”为止不受光散射的影响。
此外，反射光耦合比例与光强度之间的关系不依赖于有源层3的层厚以及折射率。因此，无论有源层3是怎样的构造，图5所示的关系都成立。即，在特定深度y1/100处，反射光与有源层3耦合的比例为90％。
参照图5进行的上述技术说明是以有源层3的折射率是3.35为前提，关注于特定深度y1/100进行的。使用图9说明针对其它折射率等对上述技术说明进行一般化或者扩展的情况。图9的曲线图的横轴是由放射角决定的第二参数β。在图9中，第二参数β是一边使有源层3的折射率变化一边计算的。图9的曲线图的纵轴是反射光与有源层3耦合的比例。如图9所示，无论有源层3是赋予怎样的放射角的构造，反射光与有源层3耦合的比例都大致为90％。在使有源层3的厚度变化的情况下，或者使第一导电型包层2以及第二导电型包层4的折射率变化的情况下，对β的影响也相同。因此，在实际应用上，也可以认为无论有源层3的厚度以及折射率差等如何，图9的关系都成立。
根据以上理由，通过从有源层3的有源层厚度中央轴3a至少至特定深度y1/100为止实施干蚀刻，能够将底面部深度Y至少确保为特定深度y1/100。根据这样的结构，能够抑制导波光8在蚀刻边角部EE受到光散射的影响。
此外，在实施方式1中，根据下述理由，设为从峰值强度至峰值强度的1/100的范围。对于具有谐振器端面部7a处的耦合比例为70％的特性的半导体激光装置，即具有反射镜损失为30％左右的特性的半导体激光装置，在目前难以想到其需求或者用途。另外，如果考虑具有解理端面的半导体激光装置的通常的制造公差等，可以预想到反射镜损失具有10％左右的波动。因此，能够得出以下结论，即，耦合比例为90％的特性即将光损失抑制为10％的特性是妥当的允许损失。但是，根据半导体激光装置101的用途，也可以将底面部深度Y设定得更深。例如，将从y有源层3的有源层厚度中央轴3a至成为峰值强度的1/1000的点为止的沿y轴方向的最短距离设为特定深度y1/1000。也可以取代特定深度y1/100，将底面部深度Y设为与其他的特定深度y1/1000相同、或更深。
图10是表示实施方式1的效果范围的图。底面部深度Y以位于虚线Q1以上且位于实线Q2以上的范围Qx设定。实线Q2是基于式(1)至式(6)确定的条件，是用于将底面部深度Y设定得比特定深度y1/100深的条件。第一导电型包层2和第二导电型包层4的折射率为nc1＝nc2＝3.216。此外，关于图10，有源层3被作为厚度0.24μm的单层膜进行处理。一边使有源层3的折射率nj变化，一边改变β的值。通过将y＝0时的光强度设为E2＝1，能够解出式(1)至式(6)的联立方程式。通过使底面部深度Y落入范围Qx，从而使导波光8不会在蚀刻边角部EE被散射。其结果，能够得到良好特性的半导体激光装置101。
图11是用于说明实施方式1所涉及的半导体激光装置101的底面部深度Y的局部放大图。图11是实施方式1的代表例，示出具有与图10的点QA对应的底面部深度Y的剖面形状。在图11中，底面部深度Y被设定为比特定深度y1/100大即深。由此，导波光8不会到达蚀刻边角部EE。底面部深度Y不小于特定深度y1/100即可，也可以被设定为与特定深度y1/100相同。
另一方面，图12是为了说明实施方式1所涉及的半导体激光装置101的底面部深度Y而示出的对比例的局部放大图。图12是对比例的代表例，示出具有与图10的点QB对应的底面部深度Y的剖面形状。在图12中，将底面部深度Y设定为比特定深度y1/100小即浅。在图12中可知，在有源层3导波的光分布的一部分波及到蚀刻边角部EE。通过采用图11的构造而不是图12的构造，能够抑制半导体激光装置101的特性恶化。此外，由于现实的β的值落在5度至20度的范围内，因此通过按照图10所示的范围Qx调整底面部深度Y，能够稳定地得到特性优良的半导体激光器。
如上所述，根据实施方式1，考虑到在谐振器内部导波的激光器放射光111的强度分布即NFP，以能够将由谐振器端面部7a反射的激光器放射光111的散射引起的光损失抑制得足够小的方式设定底面部深度Y。由此，得到高的光输出。而且，以使得从谐振器端面部7a放射的激光器放射光111不会被凸出部7b大幅阻挡的方式，与如上所述适当设定的底面部深度Y对应地适当确定规定凸出量X。由此，能够可靠地兼顾高的光输出和良好的FFP。
图16是表示实施方式1的变形例所涉及的半导体激光装置131的结构的图。也可以在后端面10设置谐振器端面部10a、凸出部10b以及台阶底面部10c。图17是表示实施方式1的变形例所涉及的半导体激光装置141的结构的图。也可以在前端面7以及后端面10双方设置谐振器端面部7a、10a、凸出部7b、10b以及台阶底面部7c、10c。在图16以及图17的变形例中，规定凸出量X以及底面部深度Y以与上述实施方式1相同的基准设定即可。
实施方式2.
图13是表示实施方式2所涉及的半导体激光装置201的结构的剖面图。图14是表示实施方式2所涉及的半导体激光装置201的结构的局部放大图。实施方式2所涉及的半导体激光装置201在以下方面与实施方式1所涉及的半导体激光装置201不同。首先，与实施方式1不同，后端面10具有谐振器端面部10a以及凸出部10b。并且，与实施方式1不同，在谐振器端面部10a设置有反射涂膜209。
通过实施反射涂膜209，从而能够由谐振器端面部10a对在有源层3导波的导波光8进行反射，能够减少来自谐振器端面部10a的输出光。如果充分提高反射涂膜209对半导体激光装置201的激光振荡波长λ的反射率，则也能够使来自谐振器端面部10a的输出光大致为零。反射涂膜209由电介质膜等构成。
图15是用于说明实施方式2所涉及的半导体激光装置201的底面部深度Y的曲线图。图15与实施方式1中的图10同样地，能够用于决定底面部深度Y。实施方式2中的底面部深度Y的范围QXX为图15的斜线部。除了与实施方式1对应的范围QX1以外，在范围QX2也能够设定底面部深度Y。范围QX2是位于实线Q2以上且位于虚线Q1以下的范围。通过设置反射涂膜209，从而使得激光器放射光111不会放射至半导体激光装置201的外部，由此，也可以不考虑第二参数β。由于也可以不考虑第二参数β，因此在图15中能够忽略虚线Q1。其结果，由于只要专门考虑第一参数α即可，因此只要仅考虑图15的实线Q来决定底面部深度Y即可，即只要按照实施方式1的图5来决定底面部深度Y即可。由此，与实施方式1同样地，能够抑制蚀刻边角部EE处的导波光8的散射，能够抑制损失。
在实施方式2中，前端面7不具有谐振器端面部7a以及凸出部7b，但作为变形例，就半导体激光装置201而言，也可以进一步在前端面7追加谐振器端面部7a以及凸出部7b。
实施方式3.
图18是表示实施方式3所涉及的外部谐振器型半导体激光装置301的结构的斜视图。图18是从后端面10侧对外部谐振器型半导体激光装置301进行了斜视的图，对装置进行观察的方向与图1不同。图19是表示实施方式3所涉及的外部谐振器型半导体激光装置301的结构的剖面图。图19是沿着图18的B-B假想平面将外部谐振器型半导体激光装置301切断后的剖面图。图20是表示实施方式3所涉及的外部谐振器型半导体激光装置301的结构的局部放大图。图20是图19的后端面附近302的放大图。
外部谐振器型半导体激光装置301在通过对后端面10实施蚀刻而设置了凸出部10b以及台阶底面部10c这一点上与实施方式2所涉及的半导体激光装置201类似。但是，外部谐振器型半导体激光装置301在具有半导体激光器部301a和光波导部301b这一点上与半导体激光装置201大幅不同。
如图19所示，外部谐振器型半导体激光装置301在谐振器长度的正好一半左右的位置被划分为前端面7侧的半导体激光器部301a和后端面10侧的光波导部301b。半导体激光器部301a与实施方式2同样地，是在半导体基板1之上设置有第一导电型包层2、有源层3、第二导电型包层4以及第一欧姆电极5的部分。与此相对，光波导部301b有两点与半导体激光器部301a不同。第一不同点在于，光波导部301b具有光波导层303而取代有源层3。光波导层303的材料的折射率大于第一导电型包层2以及第二导电型包层4。第二不同点在于，在光波导部301b没有设置第一欧姆电极5。
在实施方式2中，在后端面10包含谐振器端面部10a，但在实施方式3中，在后端面10包含作为光波导层303的端面的光波导端面部310a。从有源层3的端面输出的激光向光波导层303传递，该激光被光波导层303的光波导端面部310a反射。由光波导端面部310a反射后的激光再次向有源层3输入，最终从前端面7射出。
如图20的后端面部附近302所示，设定有光波导层厚度中央轴303a。该光波导层厚度中央轴303a是穿过光波导层303的厚度方向的中央的轴，与实施方式1、2中的有源层厚度中央轴3a对应。此外，图20所记载的标号与图14所记载的标号对应。图20的各参数X、Y、β以及α等能够通过与在实施方式1、2以及其变形例中说明的各参数X、Y、β以及α等相同的方法进行设定。关于蚀刻边角部EE的电场强度以及底面部深度Y的关系，也能够通过与实施方式1、2中说明的方法相同的方法来应对。在实施方式3中，底面部深度Y也被设定为与特定深度y1/100相同、或大于特定深度y1/100。
此外，在实施方式3中，也可以追加实施方式2中的反射涂膜209。也可以通过施加反射涂膜209，由此在光波导层303导波的导波光8被光波导端面部310a反射。
标号的说明
1 半导体基板
2 第一导电型包层
3 有源层
3a 有源层厚度中央轴
4 第二导电型包层
5 第一欧姆电极
6 第二欧姆电极
7 前端面
7a 谐振器端面部
7b 凸出部
7c 台阶底面部
8 导波光
10 后端面
10a 谐振器端面部
10b 凸出部
10c 台阶底面部
101、131、141、201 半导体激光装置
102 谐振器端面部附近
111 激光器放射光
209 反射涂膜
301 外部谐振器型半导体激光装置
301a 半导体激光器部
301b 光波导部
303 光波导层
303a 光波导层厚度中央轴
310a 光波导端面部
EE 蚀刻边角部
X 规定凸出量
Y 底面部深度

Claims (3)

1.一种半导体激光装置，其具有：
半导体基板；
第一导电型包层，其设置于所述半导体基板之上；
有源层，其设置于所述第一导电型包层之上；以及
第二导电型包层，其设置于所述有源层之上，
该半导体激光装置具有彼此朝向相反方向的前端面以及后端面，
所述前端面以及所述后端面分别包含所述半导体基板的端部、所述第一导电型包层的端部、所述有源层的端部以及所述第二导电型包层的端部，
所述前端面以及所述后端面的至少一方包含：
谐振器端面部，其包含所述有源层的端部；以及
凸出部，其与所述谐振器端面部相比向谐振器长度方向凸出预先确定的规定凸出量，该凸出部具有朝向所述谐振器端面部侧的台阶底面部，
所述谐振器端面部与所述台阶底面部连接而形成角部，
将从表示所述有源层的厚度中央位置的假想线即有源层厚度中央轴至所述台阶底面部的最短距离作为底面部深度，
所述底面部深度与预先确定的特定深度相同或者比该特定深度深，
所述特定深度是从所述有源层厚度中央轴至在所述有源层导波的导波光所具有的垂直横模的光强度分布中成为峰值强度值的1/100的位置为止的最短距离，
在将所述规定凸出量设为X、将所述底面部深度设为Y、将从所述谐振器端面部射出的激光的扩散角的半角设为β的情况下，以满足β>arctan(Y/X)的方式确定所述规定凸出量以及所述底面部深度。
2.一种半导体激光装置，其具有：
半导体基板；
第一导电型包层，其设置于所述半导体基板之上；
有源层，其设置于所述第一导电型包层之上；以及
第二导电型包层，其设置于所述有源层之上，
该半导体激光装置具有彼此朝向相反方向的前端面以及后端面，
所述前端面以及所述后端面分别包含所述半导体基板的端部、所述第一导电型包层的端部、所述有源层的端部以及所述第二导电型包层的端部，
所述后端面包含：
谐振器端面部，其包含所述有源层的端部；以及
凸出部，其与所述谐振器端面部相比向谐振器长度方向凸出预先确定的规定凸出量，该凸出部具有朝向所述谐振器端面部侧的台阶底面部，
在所述谐振器端面部设置用于由所述谐振器端面部对在所述有源层导波的光进行反射的反射涂膜，
所述谐振器端面部与所述台阶底面部连接而形成角部，
将从表示所述有源层的厚度中央位置的假想线即有源层厚度中央轴至所述台阶底面部的最短距离作为底面部深度，
所述底面部深度与预先确定的特定深度相同或者比该特定深度深，
所述特定深度是从所述有源层厚度中央轴至在所述有源层导波的导波光所具有的垂直横模的光强度分布中成为峰值强度值的1/100的位置为止的最短距离。
3.一种半导体激光装置，其具有：
半导体基板；
第一导电型包层，其设置于所述半导体基板之上；
有源层，其设置于所述第一导电型包层之上的第一部分；
光波导层，其设置于所述第一导电型包层之上的与所述第一部分相邻的第二部分，与所述有源层的端部连接；以及
第二导电型包层，其设置于所述有源层以及所述光波导层之上，
该半导体激光装置具有彼此朝向相反方向的前端面以及后端面，
所述前端面包含所述半导体基板的端部、所述第一导电型包层的端部、所述有源层的端部以及所述第二导电型包层的端部，
所述后端面包含所述半导体基板的端部、所述第一导电型包层的端部、所述光波导层的端部以及所述第二导电型包层的端部，
所述后端面包含：
光波导端面部，其包含所述光波导层的端部；以及
凸出部，其与所述光波导端面部相比向谐振器长度方向凸出预先确定的规定凸出量，该凸出部具有朝向所述光波导端面部侧的台阶底面部，
所述光波导端面部与所述台阶底面部连接而形成角部，
将从表示所述光波导层的厚度中央位置的假想线即光波导层厚度中央轴至所述台阶底面部的最短距离作为底面部深度，
所述底面部深度与预先确定的特定深度相同或者比该特定深度深，
所述特定深度是从所述光波导层厚度中央轴至在所述光波导层导波的导波光所具有的垂直横模的光强度分布中成为峰值强度值的1/100的位置为止的最短距离。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115267967A (zh) * 2022-08-01 2022-11-01 浙江大学 一种强限制的三维光子引线波导实现片上光源互连的方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11909172B2 (en) * 2020-01-08 2024-02-20 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Method for manufacturing optical device and optical device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4794608A (en) * 1984-03-06 1988-12-27 Matsushita Electric Inductrial Co., Ltd. Semiconductor laser device
CN1697271A (zh) * 2004-05-11 2005-11-16 Nec化合物半导体器件株式会社 半导体激光器及其制造工艺
JP2006030227A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Opnext Japan Inc 光モジュール
CN101043121A (zh) * 2006-03-22 2007-09-26 三洋电机株式会社 氮化物类半导体发光元件及其制造方法
US20100091811A1 (en) * 2005-08-25 2010-04-15 Behfar Alex A Low Cost InGaAlN Based Lasers
JP2015088641A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 三菱電機株式会社 光モジュール
CN104903993A (zh) * 2012-12-31 2015-09-09 圣戈班晶体及检测公司 具有薄缓冲层的iii-v族衬底材料及制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6386490A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 Agency Of Ind Science & Technol 半導体レ−ザのチツプ分離方法
JPS63318183A (ja) * 1987-06-22 1988-12-27 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ
US5294815A (en) * 1991-07-29 1994-03-15 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light emitting device with terraced structure
JP2869279B2 (ja) * 1992-09-16 1999-03-10 三菱電機株式会社 半導体レーザダイオード及びその製造方法並びに半導体レーザダイオードアレイ
US5627851A (en) * 1995-02-10 1997-05-06 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light emitting device
JP3490229B2 (ja) * 1995-12-15 2004-01-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
JP3327179B2 (ja) * 1997-08-28 2002-09-24 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
JPH11354891A (ja) * 1998-06-09 1999-12-24 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子の製造方法
JP2000114666A (ja) * 1998-10-09 2000-04-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
JP2001217497A (ja) * 2000-02-02 2001-08-10 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ素子及びその製造方法
WO2002103866A1 (en) 2001-06-15 2002-12-27 Nichia Corporation Semiconductor laser element, and its manufacturing method
JP2009081336A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法
US8791492B2 (en) * 2009-10-01 2014-07-29 Excelitas Canada, Inc. Semiconductor laser chip package with encapsulated recess molded on substrate and method for forming same
JP5599675B2 (ja) * 2010-08-16 2014-10-01 株式会社ディスコ Ｌｅｄデバイスチップの製造方法
CN107579428B (zh) * 2012-05-08 2020-03-03 镁可微波技术有限公司 具有光束形状修改的激光器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4794608A (en) * 1984-03-06 1988-12-27 Matsushita Electric Inductrial Co., Ltd. Semiconductor laser device
CN1697271A (zh) * 2004-05-11 2005-11-16 Nec化合物半导体器件株式会社 半导体激光器及其制造工艺
JP2006030227A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Opnext Japan Inc 光モジュール
US20100091811A1 (en) * 2005-08-25 2010-04-15 Behfar Alex A Low Cost InGaAlN Based Lasers
CN101043121A (zh) * 2006-03-22 2007-09-26 三洋电机株式会社 氮化物类半导体发光元件及其制造方法
CN104903993A (zh) * 2012-12-31 2015-09-09 圣戈班晶体及检测公司 具有薄缓冲层的iii-v族衬底材料及制造方法
JP2015088641A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 三菱電機株式会社 光モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115267967A (zh) * 2022-08-01 2022-11-01 浙江大学 一种强限制的三维光子引线波导实现片上光源互连的方法
CN115267967B (zh) * 2022-08-01 2024-04-05 浙江大学 一种强限制的三维光子引线波导实现片上光源互连的方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019097686A1 (ja) 2019-05-23
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