CN1113392C - 辐射检测器和成象装置及其制造方法和用途 - Google Patents

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Abstract

一种适于在半导体衬底(1)的限定辐射检测单元的位置形成金属触点(31)的方法，包括以下步骤：在所说衬底的一个表面上形成一个或多个材料层(11，12)并在触点位置形成朝向衬底表面的开口(23)；在材料层上和开口上形成金属层(24)；并去掉覆盖所说材料层的(28)处的金属，以隔离各触点。任选地，在该方法期间，可以使用将保留于衬底表面上各触点间的钝化层(11)。根据本发明的方法，可以防止去掉不想要的金(或其它触点物质)所用的腐蚀剂与衬底(如CdZnTe)表面接触，引起衬底的电阻特性下降。还记载了该方法的产品及其应用。

Description

辐射检测器和成象装置及其制造方法和用途
技术领域
本发明涉及辐射检测器及辐射成象装置的制造方法，和由这些方法制造的辐射检测器和成象装置，及这些成象装置的用途。
背景技术
制造成象装置的辐射检测器的典型方法包括在平坦半导体衬底的两个主表面上形成如铝等金属层，形成光刻胶材料层，以覆盖半导体材料，用合适的掩模图形曝光平坦衬底表面上的光刻胶材料，去掉光刻胶材料，露出将要被去掉的金属图形，腐蚀掉要被去掉的金属，然后去掉其余的光刻胶材料，留下衬底一个表面上的触点图形和衬底另一表面上的金属化层。于是衬底第一表面上的触点限定辐射检测单元的排列。
关于光波长和带电辐射(β射线)，一般用硅作衬底的半导体材料。上述方法已有效地用于这种材料。
近年来，不断有人提出用碲化镉锌(CdZnTe)作为用于X射线、γ射线和较小程度上用于β射线、辐射成象的更合适的半导体材料。用2mm厚检测器，CdZnTe能很好地吸收X射线和γ射线，对于100keV的X射线和的γ射线吸收率大于90％。这些检测器的漏电流或暗电流可以控制，并且100伏偏置下可以得到10nA/cm2以下量级的值。
目前世界范围内只有少数公司产生各种尺寸和厚度的商品化的检测器。通常平面检测器的一侧或两侧与例如金(Au)或铂(Pt)连续金属层接触。如上所述，然后需要处理这种检测器衬底以制造在个表面上具有触点图形(例如象素焊盘)而相反表面保持均匀金属化的检测器，以便这种检测器对位置敏感，即，以便这种检测器可以产生表示辐射撞击到检测器上的位置的检测器输出。那么读取芯片可以与CdZnTe检测器的已构图侧倒装连接(例如，利用铟或导电聚合物材料的突点键合，利用一种导电材料或另外的导电粘结剂层技术的粘结)，以便可以处理取决于因X射线或γ射线检测单元的入射和吸收产生的与电信号有关的位置。读取芯片可以是有很快积分速度和处理时间(一般为几微秒或最多为几毫秒)的脉冲计数型。另外，可以是本申请人的待审国际专利申请PCT EP95/02056中描述的类型中的一种，其中提供了分立检测单元的电荷累加。用PCT EP95/02056介绍的成象装置，积分时间可以为几毫秒或几十或几百毫秒。在信号积分或等待/读取周期增加时，CdZnTe表面上的金或铂触点高度电隔离以避免邻近触点(象素焊盘)信号漏电和引起对比度下降的问题将变得更重要。
已经发现，特别是在用CdZnTe作半导体材料时，在检测器表面上形成触点的常规方法无法提供所要求的那么高程度的触点电隔离以便很好地利用这里引入作参考的国际申请PCTEP95/02056中记载的成象器件的优点。
发明内容
根据本发明的一个方案，提供一种制造辐射检测器的方法，该检测器在半导体辐射检测器衬底第一表面上限定辐射检测单元的位置处有多个检测单元触点，在与所说第一表面相反的所说衬底的第二表面上有一导电材料层，所说衬底由碲化镉锌或碲化镉半导体材料构成，用于检测X射线、γ射线或β射线，所说单元触点和所说导电材料层位分别位于所说半导体材料的所说第一和第二表面上，其中所说方法包括在所说第一表面上形成所说触点的步骤，该步骤包括以下步骤：
a)在所说衬底的所说第一表面上形成钝化材料层，且在所说触点位置形成朝向所说衬底表面的开口，包括以下子步骤：
a(i)在所说第一衬底表面上形成钝化材料层；
a(ii)在所说钝化材料层上形成光刻胶材料层；
a(iii)选择地暴光所说光刻胶材料；
a(iV)去掉对应于所说触点位置区域的所说光刻胶材料，以暴露所说钝化材料层；
a(v)去掉在步骤a(iv)中暴露的对应于所说触点位置的所说区域上的所说钝化材料，以暴露出所说第一衬底表面；
b)在所说数层和所说开口上形成金属；及
c)去掉覆盖至少一层的金属，以隔离各检测单元触点，包括以下子步骤：
c(i)至少在所说金属层上形成另一光刻胶材料层；
c(ii)选择地暴光所说另一层的所说光刻胶材料，且去掉与一般对应于所说开口的区域间隔一定距离的所说另一层的所说光刻胶材料；
c(iii)去掉未被所说另一层光刻胶材料覆盖的所说金属；
c(iv)去掉其余的光刻胶材料。
本发明人发现，在将衬底暴露于适于去掉金和/或铂的金属腐蚀剂时，CdTe或CdZnTe半导体衬底的表面电阻下降。结果，用形成这种触点的常规方法形成的各触点的电隔离不象处理前预计的材料的性质那样好。利用根据本发明的方法，触点间的半导体衬底表面可以与金属腐蚀剂隔离，这样便可以防止金属腐蚀剂与半导体表面接触引起的损伤。
使用钝化材料的绝缘层意味着，在制造检测器后，钝化层仍保留在触点间，以在应用时保护半导体表面不受环境损伤，并进一步增强触点间的电隔离。
较好是步骤(a)还包括子步骤：
a(vii)去掉所说光刻胶材料层的其余光刻胶材料。
为保护半导体衬底的另一主表面和其侧面(边缘)，在步骤a(v)之前在所有暴露表面上涂另外的光刻胶材料。
在本发明的优选方法中，一般对应于开口的区域大于对应的开口，以便在步骤c(iii)去掉未被另一层的光刻胶材料覆盖的金属层后，触点覆盖开口并向上及横向延伸到开口外。以此方式，可以避免在光刻胶材料周围产生金属腐蚀剂的入口，防止金属腐蚀剂到达半导体表面。
本发明发现了用由碲化镉锌(CdZnTe)构成的衬底的具体应用。
优选地，形成触点的金属层利用例如溅射、蒸发或电解淀积等方法形成，最好是利用溅射。
优选地，形成触点的金属层包括金(Au)，尽管也可以采用例如铂(Pt)或铟(In)等其它金属。
步骤(c)可以包括利用光刻胶剥离技术去掉不想要的金属的步骤，尽管更典型的步骤(c)包括利用合适的金属腐蚀剂去掉不想要的金属。
每个金属触点可以根据检测器的应用限定象素单元阵列的各象素单元，或平行设置的多个触点条之一。
用本发明的方法，金属触点可以是间隔为5微米直径为10微米的触点。
本发明还提供一种制造辐射成象装置的方法，该方法包括：
制造如上所述的辐射检测器，及
例如利用倒装芯片技术，分别连接用于各检测单元的各触点与读取芯片上的对应电路。
根据本发明另一方案，提供一种辐射检测器，包括用于辐射检测的半导体衬底，其第一表面上有用于各辐射检测单元的多个金属触点，与第一表面相反的衬底的第二表面上有金属化层，其中所说衬底由碲化镉锌或碲化镉半导体材料构成，用于检测X射线、γ射线或β射线，所说单元触点和所说导电材料层分别位于所说半导体材料的所说第一和第二表面上，金属触点的总宽度大于邻近衬底的所述触点的宽度，各触点和所说衬底的所说第一表面间有氮化铝钝化材料延伸。
本发明优选实施例中，半导体衬底由碲化镉锌(CdZnTe)构成。已发现，氮化铝作为CdZnTe的钝化材料特别有效，因为这种材料可以在低温下形成，而CdZnTe对温度敏感。
金属触点可以根据检测器应用的领域限定象素单元阵列或平行设置的多个触点条。
形成于检测器衬底上的象素触点较好基本上为圆形，并设置成多行，更好是交替行偏离相邻行。
金属触点的直径为10微米，相互间的间隔为5微米。
金属触点间的电阻大于1GΩ/，较好是大于10GΩ/，更好是大于100GΩ/，最好是大于1000GΩ/(1TΩ/)。
本发明的辐射成象装置特别适用于X射线、γ射线和β射线成象。
这样，本发明的实施例提供一种制造例如具有CdZnTe衬底的检测器的方法，CdZnTe衬底的一侧被金均匀地金属化，而其另一侧由金结构构图，其方式是不会对金属结构之间的CdZnTe衬底的特性造成不良影响。所以，可以提供一种在CdZnTe衬底的一侧形成金结构的方法，该方法可以得到GΩ/或几十或几百GΩ/量级的结构间电阻。
触点间采用电绝缘钝化层还可以使金属触点间的区域得到保护，所以能使检测器的性能自始至终保持稳定，且可以避免例如会增加表面漏电流和降低触点间电阻的氧化效应。已发现将氮化铝(AIN)钝化层设置于金触点间时特别有效。将氮化铝钝化层加到金触点间，可以保护表面并增强金触点的电隔离。氮化铝钝化剂可以在一般低于100℃相对低的温度下形成。相反，一般用作硅(Si)半导体的钝化层的硅氧化物(SiO2)需要高于200℃的温度。经过这些温度后，CdZnTe将变得不稳定。
下面用实例的方式参照附图说明本发明的实施例。
附图说明
图1是在半导体衬底上形成金属触点的第一方法的实例；
图2是在半导体衬底上形成金属触点并且在触点间形成钝化层的第一方法的实例；
图3是在半导体衬底上形成金属触点并且在触点间形成钝化层的第二方法的另一实例；
图4是检测器衬底上一个触点构形的平面示意图；
图5是检测器衬底上另一个触点构形的平面示意图；
图6是检测器衬底上再一个触点构形的平面示意图。
具体实施方式
图1展示了在半导体衬底上限定辐射检测单元的位置形成金属触点的方法。该实例中，假定半导体衬底由碲化镉锌(CdZnTe)构成，尽管用例如碲化镉(CdTe)等其它半导体材料也可以。另外，假定用于金属化层和金触点的金属是金，尽管可以理解，可以用例如铂或铟等其它金属、合金或其它导电材料。
这样，图1是在CdZnTe衬底上形成金触点的各阶段时从检测器侧面看的示意剖面图。
步骤A：CdZnTe检测器衬底1有一个用金2均匀金属化的表面(图1中的下表面)。
步骤B：在CdZnTe衬底的裸面(图1中的上表面)上旋涂光刻胶材料(光刻胶)3。光刻胶是光刻技术中用的普通材料中的任意一种，其对某光波长敏感，用于在其上形成图形。
步骤C：用根据所要求图形去掉光刻胶的合适的掩模或其它常规技术在光刻胶中开出开口4。
步骤D：在检测器的侧面5上涂光刻胶，以在后续步骤中保护它们。
步骤E：在光刻胶上和检测器的上面的开口上溅射、蒸发或均匀地电解涂敷金6，结果金层6覆盖了光刻胶，并与光刻胶开口中的CdZnTe表面接触。上部的金表面和均匀的金属化表面2由检测器侧面(边缘)上的光刻胶5电隔离。
步骤F：在金层6和均匀金属化面2上涂敷第二光刻胶层7。
步骤G：在对应于要求去掉金区的第二光刻胶层7中开出开口8。即不与CdZnTe表面接触的金区8。注意，留在上表面上的光刻胶的每块区域皆大于对应的与CdZnTe衬底接触的金区。
步骤H：利用金腐蚀剂，通过第二光刻胶层7中的开口，腐蚀掉不必要的金区8。由于第二光刻胶对此腐蚀剂不敏感，第二光刻胶层7保护与CdZnTe表面接触的金图形9。由于留在上表面的光刻胶区大于对应于与CdZnTe衬底接触的金区，所以可以防止腐蚀剂到达CdZnTe衬底。甚至是金与第一光刻胶层3的界面。
步骤I：去掉第二光刻胶层7，显露出金触点9，并去掉第一光刻胶层3，显露出触点9之间的CdZnTe检测器的裸面10。此阶段，同时也去掉检测器侧面上和下表面上的光刻胶层5。所以CdZnTe检测器上没有残留光刻胶，因为光刻胶是一种吸湿性材料，有时会吸收潮气使检测器性能下降。
代替上述步骤F-I，可以用称作“剥离”的技术去掉第一光刻胶层3及不想要的金层。这种情况下，去掉不想要的金层不涉及第二光刻胶层，并且不用金腐蚀剂。
相应地，用上述流程，最终结果是CdZnTe检测器的下表面2被金均匀地金属化，其上表面按要求图形被金9金属化。该方法确保了在任何阶段不会有金腐蚀剂与CdZnTe表面接触。最后的金图形(象素焊盘)9之间的区域10总体未被损坏，也没受金腐蚀剂的影响。所以，金象素焊盘9之间的CdZnTe表面有很高的电阻，大于1GΩ/，且有很小的漏电流。如上所述，要求金象素焊盘9之间有尽可能大的电阻目的是可以对由于照射X射线和γ射线而产生的信号的积分、等待或读取的时间长，而不会使图象的对比度下降。用上述方法，象素间电阻可以达到几十、几百或甚至几千GΩ/，而且不会牺牲象素清晰度。实际测量为300GΩ/，大于TΩ/的值也可以得到。
用上述方法，容易实现金象素焊盘9的直径小至10微米，彼此之间的间隔为5微米(即15微米的位置灵敏度)，同时保持很高的象素间电阻。
另外，可以在金象素焊盘之间设置钝化层。钝化层将通过避免未被金覆盖的表面氧化确保自始至终的稳定性。钝化层还可以提高象素间电阻。问题是钝化层相对于CdZnTe的兼容性。本发明人发现对于CdZnTe来说氮化铝是合适的钝化材料。
图2展示了在半导体衬底的限定辐射检测单元的位置形成金属触点且在金属触点间形成钝化层的方法。做与图1所示方法相同的假设。假定钝化材料是氮化铝。
步骤A：CdZnTe检测器衬底1有一个用金2均匀金属化的表面(图1中的下表面)。
步骤B：在CdZnTe检测器1的裸面上溅射氮化铝11。
步骤C：在钝化层11上旋涂光刻胶材料(光刻胶)12。
步骤D：用根据所要求图形去掉光刻胶的合适的掩模在光刻胶12中开出开口13。
步骤E：还在检测器的侧面14上涂光刻胶，以在后续步骤中保护它们。
步骤F：通过钝化层11，用氮化铝腐蚀剂形成开口15，以暴露出CdZnTe衬底。
步骤G：在光刻胶上和检测器上表面的开口上溅射、蒸发或均匀地电解涂敷金16，结果金层16覆盖了光刻胶，并与光刻胶开口中的CdZnTe表面接触。上部的金表面和均匀的金属化表面2由检测器侧面(边缘)上的光刻胶14电隔离。
步骤H：在金层16和均匀金属化表面2上涂敷第二光刻胶层17。
步骤I：在对应于要求去掉的金区的第二光刻胶层17中开出开口18，即不与CdZnTe表面接触的金区18。注意，留在上表面上的光刻胶的每块区域皆大于与CdZnTe衬底接触的对应的金区。
步骤J：利用金腐蚀剂，通过第二光刻胶层17中的开口18，腐蚀掉不必要的金区19，由于第二光刻胶对此腐蚀剂不敏感，所以第二光刻胶层17保护与CdZnTe表面接触的金区域20。由于留在上表面的光刻胶区大于对应于与CdZnTe衬底接触的金区域，所以可以防止腐蚀剂到达CdZnTe衬底，甚至是金与第一光刻胶层3的界面。
步骤K：去掉第二光刻胶层17，显露出金触点21，去掉第一光刻胶层12，显露出金触点21之间的区域20上的钝化层11。此阶段，同时也去掉检测器侧面上和下表面上的光刻胶层。所以CdZnTe检测器上没有残留光刻胶，因为光刻胶通常是一种吸湿性材料，有时会吸收潮气使检测器性能下降。
再重复一次，任何步骤中皆没有金腐蚀剂，或氮化铝腐蚀剂与金象素触点21之间的区域20或CdZnTe检测器的边缘和侧面接触。结果，在上述流程期间，金触点21之间的区域20的衬底表面未被损伤，保持很高的数量级为GΩ/、几十、几百甚至几千GΩ/的电阻。氮化铝钝化层覆盖在金属触点21之间的区域20上，保护对应的区域不发生氧化(自始至终的稳定性)，并提高触点间的电阻。
上述流程的各步骤可以在不背离本发明范围的情况下进行。例如，在金溅射之前(形成开口15之后)可以去掉第一光刻胶层12。本发明的这种替代方法示于图3中。按图3所示的方法，步骤A-F对应于图2的步骤A-F。
步骤G：这是一步从上表面上去掉光刻胶层以暴露22处的钝化层的附加步骤。
步骤H：除步骤H中金形成于22处的钝化层上和23处的开口上外，该步对应于图2的步骤G(见图3G)。
除没有光刻胶层12以外，步骤I-L一般分别对应于图2的步骤H-K。
图3方法的结果是最终的象素焊盘比图2方法的象素焊盘更平坦(即具有较低的分布)，这可以比较图2K和3L看出。
图4、5和6用于展示检测器衬底上表面上的可能象素触点图形。图4中，展示了方形象素触点焊盘阵列。图5展示了圆形象素焊盘阵列。利用圆形而不用方形象素焊盘可以通过增加相邻焊盘间的电阻材料的量来增大焊盘间表面电阻。图6展示了偏移(蜂窝状)象素焊盘阵列。再重复一次，这可以通过增加相邻焊盘间电阻材料的量来增大焊盘间的电阻。
可以理解，不提供限定象素检测单元阵列的触点阵列，用相同的方法可以得到其它触点结构例如限定条形检测单元的触点条。
尽管利用金触点进行了说明，是因为金具有容易腐蚀以限定所要求的触点结构，且能与CdZnTe很好地接触(例如比铝好)等优点，但显然上述过程也可以用与合适腐蚀剂结合的任何金属触点(例如铂)。
如上所述，应该注意，金触点9(图1)、21(图2)或32(图3)上部的纵向尺寸(宽度)大于金-衬底界面处的触点宽度。原因是，为了确保腐蚀掉多余金时，腐蚀剂不会深入穿过第一光刻胶层(或钝化层)和开口中的金之间的界面，限定了朝衬底表面的开口和形成触点的部分上的保留的光刻胶的相对尺寸的缘故。
通过连接根据上述方法之一制造的辐射检测器与具有累积连续辐射撞击产生的电荷的电路的读取芯片，可以构成辐射成象装置，各检测单元的各触点(即象素焊盘)与累积电荷的各电路倒装连接(即，利用铟或导电聚合物材料的突点键合、利用单向导电材料的粘结或利用其它导电粘结层技术)。
所以，本发明教导了如何得到其一面根据要求图形金属化且金属触点间的电阻隔离尽可能最大的辐射检测器(例如用CdZnTe衬底)。要求金属触点间电阻较大用以提高对比度，并消除衬底表面上相邻触点间的信号漏电流。这对于读取芯片采用长电荷累积时间和长等待时间/读取时间时特别有用。这种累积和等待/读取时间在用根据本发明制造的辐射检测器的成象装置实例中例如可以大于1毫秒。这种成象装置可以应用于例如这里引入作参考的本申请人的国际专利申请PCT E95/02056所述的X射线、γ射线和β射成象。
尽管以实例的形式对本发明的特定实施例进行了说明，但应该理解，对本发明可以作附加、改形和替换。

Claims (26)

1.一种制造辐射检测器的方法，该辐射检测器在半导体辐射检测器衬底的第一表面上限定辐射检测单元的位置具有多个检测单元触点，在与所说第一表面相反的所说衬底的第二表面上有一导电材料层，所说衬底由碲化镉锌或碲化镉半导体材料构成，用于检测X射线、γ射线或β射线，所说单元触点和所说导电材料层分别位于所说半导体材料的所说第一和第二表面上，其中所说方法包括在所说第一表面上形成所说触点的步骤，该步骤包括以下步骤：
a)在所说衬底的所说第一表面上形成一个氮化铝钝化层，且在所说触点位置处形成朝向所说衬底表面的开口，
b)在所说氮化铝层和所说开口上形成金属；及
c)去掉覆盖所述层的金属，以隔离各检测单元触点。
2.如权利要求1的方法，其中步骤(a)还包括以下子步骤：
a(i)在所说第一衬底表面上形成氮化铝钝化材料层；
a(ii)在所说钝化材料层上形成光刻胶材料层；
a(iii)选择地曝光所说光刻胶材料；
a(iv)去掉对应于所说触点位置区域的所说光刻胶材料，以暴露所说氮化铝钝化材料层；
a(v)去掉在步骤a(iv)中暴露的对应于所说触点位置的所说区域上的所说氮化铝钝化材料，以暴露出所说第一衬底表面。
3.一种制造辐射检测器的方法，该辐射检测器在半导体辐射检测器衬底的第一表面上限定辐射检测单元的位置具有多个检测单元触点，在与所说第一表面相反的所说衬底的第二表面上有一导电材料层，所说衬底由碲化镉锌或碲化镉半导体材料构成，用于检测X射线、γ射线或β射线，所说单元触点和所说导电材料层分别位于所说半导体材料的所说第一和第二表面上，其中所说方法包括在所说第一表面上形成所说触点的步骤，该步骤包括以下步骤：
a)在所说衬底的所说第一表面上形成一个氮化铝钝化材料层，且在所说触点位置处形成朝向所说衬底表面的开口，包括以下子步骤：
a(i)在所说第一衬底表面上形成钝化材料层；
a(ii)在所说钝化材料层上形成光刻胶材料层；
a(iii)选择地曝光所说光刻胶材料；
a(iv)去掉对应于所说触点位置区域的所说光刻胶材料，以暴露所说钝化材料层；
a(v)去掉在步骤a(iv)中暴露的对应于所说触点位置的所说区域上的所说钝化材料，以暴露出所说第一衬底表面；
b)在所说钝化材料层和所说开口上形成金属；及
c)去掉覆盖所述钝化材料层的金属，以隔离各检测单元触点。
4.根据前述任一权利要求的方法，其中所述步骤c)还包括以下子步骤：
c(i)至少在所说金属层上形成另一光刻胶材料层；
c(ii)选择地暴露所说另一光刻胶材料层的对应于所述开口的区域之外的区域，其中所述对应于开口的区域比对应的开口大；
c(iii)去掉未被所说另一光刻胶材料层覆盖的所说金属；和
c(iv)去掉其余的光刻胶材料。
5.如权利要求2-3之一的方法，其中在步骤a(v)后还包括：
a(vi)去掉所说光刻胶材料层的其余光刻胶材料。
6.如上述权利要求1-3中任一项权利要求的方法，其中所说衬底由碲化镉锌构成。
7.如上述权利要求1-3中任一项权利要求的方法，其中形成所说触点的所说金属利用溅射、蒸发或电解淀积方法形成。
8.如权利要求7的方法，其中形成所说触点的所说金属层包括金、铂或铟。
9.如权利要求4的方法，其中步骤(c)(iii)包括利用合适的金属腐蚀剂去掉不想要的金属。
10.如上述权利要求1-3中任一项权利要求的方法，其中每个金属触点限定象素单元阵列的各象素单元。
11.如权利要求1-3中任一项的方法，其中每个金属触点限定彼此平行排列的多个触点条之一。
12.如权利要求10的方法，其中所说金属触点的直径为10微米，彼此间的间隔为5微米。
13.如上述权利要求1-3中任一项权利要求的方法，包括在步骤(a)之前在所说衬底的所说第二表面上形成所说导电材料层的步骤。
14.一种制造辐射成象装置的方法，包括：根据上述任何一项权利要求制造辐射检测器，及利用倒装芯片技术连接各检测单元的各检测单元触点与读取芯片上的相应电路。
15.一种辐射检测器，包括用于检测辐射的半导体衬底，其第一表面上有用于各辐射检测单元的多个金属触点，与所说第一表面相反的所说衬底的第二表面上有导电材料层，其中所说衬底由碲化镉锌或碲化镉半导体材料构成，用于检测X射线、γ射线或β射线，所说单元触点和所说导电材料层位分别位于所说半导体材料的所说第一和第二表面上，且氮化铝钝化材料在所说衬底的所说第一表面上的各触点之间延伸。
16.如权利要求15的辐射检测器，其中所说金属触点限定象素单元阵列。
17.如权利要求16的辐射检测器，其中所说触点为圆形，并排列成多行，交替的行偏离相邻行。
18.如权利要求15的辐射检测器，其中所说金属触点限定彼此平行排列的多个触点条。
19.如权利要求15-18中任一项的辐射检测器，其中所说金属触点的直径10微米，彼此间的间隔为5微米。
20.如权利要求15-18中任一项的辐射检测器，其中所说半导体衬底是碲化镉锌。
21.如权利要求15-18中任一项的辐射检测器，其中金属触点间的电阻大于1GΩ/。
22.如权利要求21所述的辐射检测器，其中金属触点间的电阻大于100GΩ/。
23.如权利要求22所述的辐射检测器，其中金属触点间的电阻大于1000GΩ/。
24.如权利要求15-18中任一项的辐射检测器，其中所说金属触点包括从所说第一衬底表面立起的凸缘。
25.一种辐射成象装置，包括根据权利要求15-24中任一项的辐射检测器，及具有根据连续辐射撞击累积的电荷的电路的读取芯片，各检测单元的各触点利用倒装芯片技术与累积电荷的各电路相连。
26.将根据权利要求24的辐射成象装置应用于X射线、γ射线和β射线成象。
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