JPS63181481A - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器Info
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- JPS63181481A JPS63181481A JP62014513A JP1451387A JPS63181481A JP S63181481 A JPS63181481 A JP S63181481A JP 62014513 A JP62014513 A JP 62014513A JP 1451387 A JP1451387 A JP 1451387A JP S63181481 A JPS63181481 A JP S63181481A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は放射線線量計、医療用放射線診断装置。
工業用Ｘ線非破壊検査装置等に用いられる半導体放射線
検出器に関するものである。
検出器に関するものである。
従来の技術
周知のように半導体放射線検出器にはＳｉ、Ｇｅ等の単
元素半導体より構成されるものと、ＣｄＴｅ。
元素半導体より構成されるものと、ＣｄＴｅ。
ＧａＡｓ、ＨｇＩ、等の化合物半導体より構成されるも
のがある。これらのうちＣｄＴｅは実効原子番号が大き
いので放射線の吸収率が大きく、又禁制卒中が室温付近
で約１．６ ｅＶと広いので、室温動作が可能な半導体
放射線検出器である。Ｃｄ Ｔ ｅ放射線検出器にはＣ
ｄＴｅ基板の一方の面にショットキーバリア電極、他方
の面にオーミック接合電極を設けた表面障壁型検出器お
よびＣｄＴｅ基板の両方の面にオーミック接合電極を設
けた全空乏層型検出およびＰＮ接合型検出器があること
が知られている。表面障壁型検出器およびＰＮ接合型検
出器は放射線に対し有感な空乏層が接合部近傍つまり検
出器の一部に形成される。一方、全空乏層型検出器は検
出器容積全体が空乏層つまり放射線に有感な領域となる
。従って全空乏型検出器は、容積が小さくても高感度を
有する。近年医療用Ｘ線診断装置や工業用Ｘ線非破壊検
査装置への半導体放射線検出器の応用が注目されてきた
。これらの装置には高感度かつ高位置分解能が要求され
るので検出器部は微小な容積で高感度な単位検出素子を
高密度に線もしくは面状に配置した構成が必要となる。
のがある。これらのうちＣｄＴｅは実効原子番号が大き
いので放射線の吸収率が大きく、又禁制卒中が室温付近
で約１．６ ｅＶと広いので、室温動作が可能な半導体
放射線検出器である。Ｃｄ Ｔ ｅ放射線検出器にはＣ
ｄＴｅ基板の一方の面にショットキーバリア電極、他方
の面にオーミック接合電極を設けた表面障壁型検出器お
よびＣｄＴｅ基板の両方の面にオーミック接合電極を設
けた全空乏層型検出およびＰＮ接合型検出器があること
が知られている。表面障壁型検出器およびＰＮ接合型検
出器は放射線に対し有感な空乏層が接合部近傍つまり検
出器の一部に形成される。一方、全空乏層型検出器は検
出器容積全体が空乏層つまり放射線に有感な領域となる
。従って全空乏型検出器は、容積が小さくても高感度を
有する。近年医療用Ｘ線診断装置や工業用Ｘ線非破壊検
査装置への半導体放射線検出器の応用が注目されてきた
。これらの装置には高感度かつ高位置分解能が要求され
るので検出器部は微小な容積で高感度な単位検出素子を
高密度に線もしくは面状に配置した構成が必要となる。
全空乏層型ＣｄＴｅ放射線検出器は微小な容積でも高感
度であるので、これら医療用Ｘ線診断装置や工業用Ｘ線
非破壊検査装置の検出器に適する。
度であるので、これら医療用Ｘ線診断装置や工業用Ｘ線
非破壊検査装置の検出器に適する。
発明が解決しようとする問題点
しかしＣｄＴｅ結晶は脆性が高いので、結晶加工時の切
断工程等で結晶性に損傷を受は易い。例えば、ワイヤー
ソーやダイシングソーでＣｄＴｅ結晶を切断した場合、
切断面から１ｏ〜１ｏＯμ程度の深さまで、結晶性が乱
され欠陥が多数発生した表面破砕層が形成される。この
表面破砕層が形成されたＣｄＴ ｅ基板の両方の面全体
にオーミック接合電極を形成したＣｄＴｅ放射線検出器
の断面図を第７図に示す。第７図において１はＣｄＴｅ
結晶基板、２はオーミック接合電極、４は表面破砕層で
ある。図に示されるように、表面破砕層４上にも電極２
が形成される。上下両面のオーミック接合電極２間に電
解をかけると、結晶欠陥の多数存在する表面破砕層４周
辺、つまシ検出器のエツジ部に電界が集中し、第８図の
電流−電圧特性に示されているようにある電圧を境に表
面破砕層を通じてリーク電流が流れ検出器の特性に悪影
響をおよぼしていた。ここで第８図において横軸は電圧
。
断工程等で結晶性に損傷を受は易い。例えば、ワイヤー
ソーやダイシングソーでＣｄＴｅ結晶を切断した場合、
切断面から１ｏ〜１ｏＯμ程度の深さまで、結晶性が乱
され欠陥が多数発生した表面破砕層が形成される。この
表面破砕層が形成されたＣｄＴ ｅ基板の両方の面全体
にオーミック接合電極を形成したＣｄＴｅ放射線検出器
の断面図を第７図に示す。第７図において１はＣｄＴｅ
結晶基板、２はオーミック接合電極、４は表面破砕層で
ある。図に示されるように、表面破砕層４上にも電極２
が形成される。上下両面のオーミック接合電極２間に電
解をかけると、結晶欠陥の多数存在する表面破砕層４周
辺、つまシ検出器のエツジ部に電界が集中し、第８図の
電流−電圧特性に示されているようにある電圧を境に表
面破砕層を通じてリーク電流が流れ検出器の特性に悪影
響をおよぼしていた。ここで第８図において横軸は電圧
。
縦軸は電流値を示す。
問題点を解決するための手段
本発明はＣｄＴｅ基板の両方の面に形成するオーミック
接合電極を電極のエツジとＣｄＴｅ結晶基板のエツジが
一定距離以上、つまり表面破砕層の厚さ以上離れるよう
に設けた構成を有する。
接合電極を電極のエツジとＣｄＴｅ結晶基板のエツジが
一定距離以上、つまり表面破砕層の厚さ以上離れるよう
に設けた構成を有する。
作 用
ＣｄＴｅ基板のエツジ部に生成する表面破砕層への電界
集中が抑制されるので、検出器に表面破砕層を通じてリ
ーク電流が流れるのを防ぐ。
集中が抑制されるので、検出器に表面破砕層を通じてリ
ーク電流が流れるのを防ぐ。
実施例
以下実施例を示す。
実施例１
第１図は本発明の半導体放射線検出器の一実施例である
。第１図において１はＣｄＴｅ基板、２はオーミック接
合電極で、オーミック接合電極２のエツジとＣｄＴｅ基
板１のエツジとの間に３０〜１ｏｏμ程度間隔をとっで
ある。第２図ａ 、ｂ。
。第１図において１はＣｄＴｅ基板、２はオーミック接
合電極で、オーミック接合電極２のエツジとＣｄＴｅ基
板１のエツジとの間に３０〜１ｏｏμ程度間隔をとっで
ある。第２図ａ 、ｂ。
Ｃは本発明の半導体放射線検出器の製造工程を示す断面
図である。第２図において３はｐ型ＣｄＴｅ基板、４は
表面破砕層、６はフォトレジスト、６はｐｔ電極である
。以下第２図ａ、ｂ、ｃ、ｄを用いて本発明の詳細な説
明する。第２図ａに示すように、切断によシ表面破砕層
４が約２０μ生成したｐ型ＣｄＴｅ基板の全面に７オト
レジストを塗布する。ここで表面破砕層の厚さは切断法
によって異なシ切断応力の小さいワイヤーソでは１０〜
３０μ、一方グイシングソーでは１００μ以上である。
図である。第２図において３はｐ型ＣｄＴｅ基板、４は
表面破砕層、６はフォトレジスト、６はｐｔ電極である
。以下第２図ａ、ｂ、ｃ、ｄを用いて本発明の詳細な説
明する。第２図ａに示すように、切断によシ表面破砕層
４が約２０μ生成したｐ型ＣｄＴｅ基板の全面に７オト
レジストを塗布する。ここで表面破砕層の厚さは切断法
によって異なシ切断応力の小さいワイヤーソでは１０〜
３０μ、一方グイシングソーでは１００μ以上である。
熱処理によりｐ型ＣｄＴｅ基板３に塗布したフォトレジ
スト５を硬化後、フォトレジスト上に所定の電極パター
ンを露光する。ここで露光するパターンにおいてパター
ンエツジがｐ型ＣｄＴｅ基板エツジから表面破砕層の厚
さ以上に離れている必要がある。例えば本実施例ではパ
ターンエツジとｐ型ＣｄＴｅ基板３のエッヂとの間隔は
８０μである。露光後現像し水洗すると第２図すに示す
ように露光部のみの７オトレジストが除去される。
スト５を硬化後、フォトレジスト上に所定の電極パター
ンを露光する。ここで露光するパターンにおいてパター
ンエツジがｐ型ＣｄＴｅ基板エツジから表面破砕層の厚
さ以上に離れている必要がある。例えば本実施例ではパ
ターンエツジとｐ型ＣｄＴｅ基板３のエッヂとの間隔は
８０μである。露光後現像し水洗すると第２図すに示す
ように露光部のみの７オトレジストが除去される。
次いで無電解白金メッキ液に浸すと、第２図Ｃに示すよ
うに７オトレジスト６で保護されてないＣｄＴｅ面にｐ
ｔ電極６が形成される。次いでアセトンでフォトレジス
トを除去すると第２図ｄに示すように、ＣｄＴｅ半導体
放射線検出器が提供される。この放射線検出器の電流電
圧特性を第３図に示す。第３図において横軸は電圧、縦
軸は電流値を示す。図から明らかなように良好なオーミ
ック特性を示しており、表面破砕層の影響を受けていな
いことがわかる。
うに７オトレジスト６で保護されてないＣｄＴｅ面にｐ
ｔ電極６が形成される。次いでアセトンでフォトレジス
トを除去すると第２図ｄに示すように、ＣｄＴｅ半導体
放射線検出器が提供される。この放射線検出器の電流電
圧特性を第３図に示す。第３図において横軸は電圧、縦
軸は電流値を示す。図から明らかなように良好なオーミ
ック特性を示しており、表面破砕層の影響を受けていな
いことがわかる。
以上本実施例ではｐ型ＣｄＴｅ基板の両面に設けられる
オーミック接触する電極の種類をｐｔ として説明した
が、本例に限らすＡｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等の同様の効果を有
する他の金属であってもよい。またＣｄＴｅ基板の形状
、電極の形状も本例に限定するものではない。またＣｃ
ｌＴｏ基板にｎ型Ｃｄ Ｔ ｅを用いた場合は、ｎ型Ｃ
ｄＴｅとオーミック接合する金属を電極とすればよい。
オーミック接触する電極の種類をｐｔ として説明した
が、本例に限らすＡｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等の同様の効果を有
する他の金属であってもよい。またＣｄＴｅ基板の形状
、電極の形状も本例に限定するものではない。またＣｃ
ｌＴｏ基板にｎ型Ｃｄ Ｔ ｅを用いた場合は、ｎ型Ｃ
ｄＴｅとオーミック接合する金属を電極とすればよい。
さらに、電極のエツジとＣｄＴｅ基板のエツジとの間隔
を８０μとしたが、これに限定するものでなく基本的に
表面破砕層の厚さ以上の距離を設ければよい。
を８０μとしたが、これに限定するものでなく基本的に
表面破砕層の厚さ以上の距離を設ければよい。
実施例２
第４図は本発明の半導体放射線検出器の別の実施例であ
る。第４図において１はＣｄＴｅ基板、２はオーミック
接合電極、了はオーミック接合する共通電極である。本
実施例は放射線８が入射する側の面に複数個のオーミッ
ク接合電極２を形成した多チヤンネル型検出器で、各オ
ーミック接合電極２が一つの単位検出素子を形成する。
る。第４図において１はＣｄＴｅ基板、２はオーミック
接合電極、了はオーミック接合する共通電極である。本
実施例は放射線８が入射する側の面に複数個のオーミッ
ク接合電極２を形成した多チヤンネル型検出器で、各オ
ーミック接合電極２が一つの単位検出素子を形成する。
各電極２のエツジと最近接するＣｄＴｅ基板１のエツジ
との距離は３０〜１００μ程度である。又共通電ｆｆ１
７のエツジとＣｃｌＴｅ基板１のエツジとの間隔も３０
〜１００μ程度である。
との距離は３０〜１００μ程度である。又共通電ｆｆ１
７のエツジとＣｃｌＴｅ基板１のエツジとの間隔も３０
〜１００μ程度である。
第５図ａ、ｂ、ｃ、ｄは本発明の半導体放射線検出器の
製造工程を示す断面図である。第５図（ておいて３はｐ
型ＣｄＴｅ基板、４は表面破砕層、５はフォトレジスト
、６はオーミック接合するｐｔ電極、９はオーミック接
合するｐｔ共通電極である。以下第５図ａ、ｂ、ｃ、ａ
を用いて実施例を説明する。側面に切断により生じた約
２０μの表面砕層４を有するｐ型ＣｄＴｅ結晶３を準備
する。
製造工程を示す断面図である。第５図（ておいて３はｐ
型ＣｄＴｅ基板、４は表面破砕層、５はフォトレジスト
、６はオーミック接合するｐｔ電極、９はオーミック接
合するｐｔ共通電極である。以下第５図ａ、ｂ、ｃ、ａ
を用いて実施例を説明する。側面に切断により生じた約
２０μの表面砕層４を有するｐ型ＣｄＴｅ結晶３を準備
する。
ＣｄＴｅ基板の表面破砕層の厚さは切断法によって異な
り、切断応力の小さいワイヤーンでは１０〜３０μ程度
、ダインングソーでは１００μ以上と言われている。第
２図ａに示すようにｐ型Ｃｄ Ｔ ｅ基板３の全面にフ
ォトｌ／シスト５を塗布する。フォトレジスト６を熱処
理により効果（〜だ後、一方の面のフォトレジスト上に
複数個の電極パターンを露光する。本実施例で露光する
パターンは巾０．２ｍのパターンが０．２６１ｍピッチ
直線状に７個並んだパターンで、各パターンエツジと最
近接するｐ型ＣｄＴｅ基板３のエツジとの間隔は８０μ
である。次いでもう一方の面に共通電極となるバターｙ
を露光する。このパターンエツジとｐ型ＣｄＴｅ基板３
のエツジとの間隔は８０μである。露光後現像し水洗す
ると第５図すに示すように露光部のみのフォトレジスト
が除去される。次いで無電解白金メッキ液に浸すとに示
すようにフォトレジスト５で保護されてないＣｄＴｅ面
にｐｔ層が形成される。次いでアセトンでフォトレジス
ト５を除去すると、第５図Ｃに示すような、ｐ型ＣｄＴ
ｅ基板の一方の面に直線上に並んだ、オーミック接合す
るｐｔ電極６が、他方の面にオーミック接触するｐｔ共
通電極９が設けられた構成を有する多チヤンネル型検出
器が提供される。本実施例の検出器は実施例１と同様に
、ｐ型ＣｄＴｅ基板３のエツジ部に存在する表面破砕層
に電極６がかかっていないので、各単位検出素子とも第
３図に示されているような良好なオーミック性を示した
。このように表面破砕層の影響を受けない多チヤンネル
型の半導体放射線検出器が提供される。第６図に本実施
例の多チヤンネル型の半導体放射線検出器における電気
力線の分布を示す。第６図において１はＣｄＴｅ基板、
２はオーミック接合電極、７はオーミック接合する共通
電極である。電気力線１０は各単位検出素子ごとに独立
しており各２の相互干渉がなく信号を分離できることが
示される。
り、切断応力の小さいワイヤーンでは１０〜３０μ程度
、ダインングソーでは１００μ以上と言われている。第
２図ａに示すようにｐ型Ｃｄ Ｔ ｅ基板３の全面にフ
ォトｌ／シスト５を塗布する。フォトレジスト６を熱処
理により効果（〜だ後、一方の面のフォトレジスト上に
複数個の電極パターンを露光する。本実施例で露光する
パターンは巾０．２ｍのパターンが０．２６１ｍピッチ
直線状に７個並んだパターンで、各パターンエツジと最
近接するｐ型ＣｄＴｅ基板３のエツジとの間隔は８０μ
である。次いでもう一方の面に共通電極となるバターｙ
を露光する。このパターンエツジとｐ型ＣｄＴｅ基板３
のエツジとの間隔は８０μである。露光後現像し水洗す
ると第５図すに示すように露光部のみのフォトレジスト
が除去される。次いで無電解白金メッキ液に浸すとに示
すようにフォトレジスト５で保護されてないＣｄＴｅ面
にｐｔ層が形成される。次いでアセトンでフォトレジス
ト５を除去すると、第５図Ｃに示すような、ｐ型ＣｄＴ
ｅ基板の一方の面に直線上に並んだ、オーミック接合す
るｐｔ電極６が、他方の面にオーミック接触するｐｔ共
通電極９が設けられた構成を有する多チヤンネル型検出
器が提供される。本実施例の検出器は実施例１と同様に
、ｐ型ＣｄＴｅ基板３のエツジ部に存在する表面破砕層
に電極６がかかっていないので、各単位検出素子とも第
３図に示されているような良好なオーミック性を示した
。このように表面破砕層の影響を受けない多チヤンネル
型の半導体放射線検出器が提供される。第６図に本実施
例の多チヤンネル型の半導体放射線検出器における電気
力線の分布を示す。第６図において１はＣｄＴｅ基板、
２はオーミック接合電極、７はオーミック接合する共通
電極である。電気力線１０は各単位検出素子ごとに独立
しており各２の相互干渉がなく信号を分離できることが
示される。
以上本実施例では、電極のエツジとＣｄＴｅ基板のエツ
ジとの間隔を８０μとしたが、これに限定するものでは
なく、基本的には表面破砕層の厚さ以上の間隔を設けれ
ばよい。また本例ではｐ型ＣｄＴｅ基板の両面に設けら
れるオーミックの接合電極をｐｔ として説明したが、
Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等の同様の効果を有する他の金属であ
ってもよい。またパターンの形状、ピッチやＣｄＴｅ基
板の形状も本例に限定するものでない。さらに結晶基板
にｎ型ＣｄＴｅ基板を用いた場合はｎ型ＣｄＴｅとオー
ミック接合する金属を電極にすればよい。
ジとの間隔を８０μとしたが、これに限定するものでは
なく、基本的には表面破砕層の厚さ以上の間隔を設けれ
ばよい。また本例ではｐ型ＣｄＴｅ基板の両面に設けら
れるオーミックの接合電極をｐｔ として説明したが、
Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等の同様の効果を有する他の金属であ
ってもよい。またパターンの形状、ピッチやＣｄＴｅ基
板の形状も本例に限定するものでない。さらに結晶基板
にｎ型ＣｄＴｅ基板を用いた場合はｎ型ＣｄＴｅとオー
ミック接合する金属を電極にすればよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、表面破砕層の影響を受け
ない高感度で信頼性の高い半導体放射線検出器が得られ
る。
ない高感度で信頼性の高い半導体放射線検出器が得られ
る。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置線検出器
を示す斜視図、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）
、 （ｄ）は本発明の一実施例の半導体放射線検出器
の製造工程を示す断面図、第３図は本発明の一実施例の
半例の半導体放射線検出器の製造工程を示す断面図、第
６図は本発明の他の実施例の半導体放射線検出器におけ
る電気力線の分布を示す断面図、第７図は従来例のＣｄ
Ｔｅ放射線検出器を示す断面図、第８図は従来例のＣｄ
Ｔｅ放射線検出器の電流−電圧特性図である。 １・・・・・・ＣｄＴｅ基板、２・・・・・・オーミッ
ク接合電極、３・・・・・・ｐ型ＣｄＴｓ基板、４・・
・・・・表面破砕層、６・・・・・・フォトレジスト、
６・・・・・・ｐｔ電極、７・・・・・・共通電極、８
・・・・・・放射線、９・・・・・・ｐｔ共通電極、１
゜・・・・・・電気力線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名区
ＰＰ！六 区 Ω 寸株
味 区 ｄ Ｊコ
ＱＬＯ＋Ｊ 、
。 醸 ０り Ｎ 摂 法
を示す斜視図、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）
、 （ｄ）は本発明の一実施例の半導体放射線検出器
の製造工程を示す断面図、第３図は本発明の一実施例の
半例の半導体放射線検出器の製造工程を示す断面図、第
６図は本発明の他の実施例の半導体放射線検出器におけ
る電気力線の分布を示す断面図、第７図は従来例のＣｄ
Ｔｅ放射線検出器を示す断面図、第８図は従来例のＣｄ
Ｔｅ放射線検出器の電流−電圧特性図である。 １・・・・・・ＣｄＴｅ基板、２・・・・・・オーミッ
ク接合電極、３・・・・・・ｐ型ＣｄＴｓ基板、４・・
・・・・表面破砕層、６・・・・・・フォトレジスト、
６・・・・・・ｐｔ電極、７・・・・・・共通電極、８
・・・・・・放射線、９・・・・・・ｐｔ共通電極、１
゜・・・・・・電気力線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名区
ＰＰ！六 区 Ω 寸株
味 区 ｄ Ｊコ
ＱＬＯ＋Ｊ 、
。 醸 ０り Ｎ 摂 法
Claims (3)
- （１）ＣｄＴｅ基板の両面にオーミック接合する電極を
設けた半導体放射線検出器であって、電極のエッジとＣ
ｄＴｅ基板のエッジ間に一定の距離を設けたことを特徴
とする半導体放射線検出器。 - （２）電極のエッジとＣｄＴｅ基板のエッジ間の距離が
ＣｄＴｅ基板を切断した際にエッジ付近に形成される表
面破砕層の深さ以上であることを特徴とした特許請求の
範囲第１項記載の半導体放射線検出器。 - （３）ＣｄＴｅ基板の少なくとも一方の面に所定のピッ
チで複数個の電極を形成し多チャンネルにしたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導
体放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62014513A JPS63181481A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62014513A JPS63181481A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 半導体放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63181481A true JPS63181481A (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=11863161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62014513A Pending JPS63181481A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63181481A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997020342A1 (en) * | 1995-11-29 | 1997-06-05 | Simage Oy | Forming contacts on semiconductor substrates for radiation detectors and imaging devices |
| WO2000017941A1 (fr) * | 1998-09-18 | 2000-03-30 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Photodetecteur a semi-conducteur |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP62014513A patent/JPS63181481A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997020342A1 (en) * | 1995-11-29 | 1997-06-05 | Simage Oy | Forming contacts on semiconductor substrates for radiation detectors and imaging devices |
| AU713954B2 (en) * | 1995-11-29 | 1999-12-16 | Simage Oy | Forming contacts on semiconductor substrates for radiation detectors and imaging devices |
| US6046068A (en) * | 1995-11-29 | 2000-04-04 | Simage Oy | Forming contacts on semiconductor substrates radiation detectors and imaging devices |
| WO2000017941A1 (fr) * | 1998-09-18 | 2000-03-30 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Photodetecteur a semi-conducteur |
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