CN111334225A - 一种抗静电半导体uv减粘胶层及保护膜 - Google Patents

一种抗静电半导体uv减粘胶层及保护膜 Download PDF

Info

Publication number
CN111334225A
CN111334225A CN202010345534.3A CN202010345534A CN111334225A CN 111334225 A CN111334225 A CN 111334225A CN 202010345534 A CN202010345534 A CN 202010345534A CN 111334225 A CN111334225 A CN 111334225A
Authority
CN
China
Prior art keywords
antistatic
viscosity
polymer
adhesive layer
protective film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010345534.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111334225B (zh
Inventor
柯跃虎
诸葛锋
宋亦健
曾庆明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Shuocheng Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Guangdong Shuocheng Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Shuocheng Technology Co ltd filed Critical Guangdong Shuocheng Technology Co ltd
Priority to CN202010345534.3A priority Critical patent/CN111334225B/zh
Publication of CN111334225A publication Critical patent/CN111334225A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111334225B publication Critical patent/CN111334225B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/017—Additives being an antistatic agent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体保护膜技术领域，具体涉及一种抗静电半导体UV减粘胶层及保护膜。本发明提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40‑60份、抗静电剂1‑5份、光引发剂1.5‑8份、分散剂0.5‑2份。本发明制备的一种抗静电半导体UV减粘保护膜，储存六个月也没有残胶现象，不仅避免了UV减粘保护膜在使用过程中由于摩擦作用产生静电，还能提高UV减粘保护膜在UV照射前的剥离强度以及降低UV减粘保护膜在UV照射后的剥离强度。

Description

一种抗静电半导体UV减粘胶层及保护膜
技术领域
本发明涉及半导体保护膜技术领域，具体涉及一种抗静电半导体UV减粘胶层及保护膜。
背景技术
在半导体制作过程中，进行半导体晶圆切割、打磨时，为降低硅薄层缺陷密度，常常使用晶圆切割减粘保护膜。减粘保护膜是指在使用时粘合力强，而在后期剥离过程中，粘合力减弱以便剥离。
目前市场上的减粘保护膜多为UV减粘保护膜，是指在UV照射前具有高度粘合力，贴附性好，在UV照射后粘合力明显下降，易于剥离。国内市场上用于晶圆切割和捡取工艺等保护的UV减粘胶多以日本、中国台湾为主，国内UV减粘胶也有几家在研发推广，但性能尚未完全稳定。并且，UV减粘保护膜的基材在使用过程中由于摩擦作用很容易产生静电，在用于静电要求较高的电子零件领域的使用受到限制，比如容易吸附灰尘，然后转移到贴合的产品表面，或者静电电压过高，导致零件产生不良等。
目前的UV减粘保护膜一般在存储约3个月后，胶层中的小分子会迁移到胶层表面，虽然后期剥离时经过UV照射后粘合力变小，但胶粘层的小分子会残留在被贴合物体表面，给被贴合物体造成污染。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明的第一方面提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40-60份、抗静电剂1-5份、光引发剂1.5-8份、分散剂0.5-2份。
作为本发明的一种优选技术方案，所述带有交联网络体系的聚合物包括交联型的丙烯酸树脂；所述交联型的丙烯酸树脂的制备原料包括二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐。
作为本发明的一种优选技术方案，所述带有交联网络体系的聚合物还包括三维交联网络聚合物；所述三维交联网络聚合物的制备原料包括线性聚合物、缩水甘油醚。
作为本发明的一种优选技术方案，所述线性聚合物选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚丙烯腈中的一种或多种。
作为本发明的一种优选技术方案，所述抗静电剂选自石墨烯、碳纳米管、纳米银线、巴斯夫LQ01、巴斯夫P18、巴斯夫P22中的一种或多种的混合。
作为本发明的一种优选技术方案，所述光引发剂选自2-异丙基硫杂蒽酮、1-羟基环己基苯基甲酮、安息香双甲醚、二甲苯酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基-1-丙酮、2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化膦中的一种或多种。
作为本发明的一种优选技术方案，所述分散剂选自BYK-170、BYK-180、BYK-182、BYK-P104S、Lencolo1105中的一种或多种。
本发明的第二方面提供了一种抗静电半导体UV减粘保护膜，所述UV减粘保护膜包括上述UV减粘胶层。
作为本发明的一种优选技术方案，所述UV减粘保护膜还包括基材膜、离型膜；所述基材膜选自PO膜、PET离型膜、PVC膜中的任一种。
本发明的第三方面提供了一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法，包括如下步骤：将UV减粘胶层的制备原料涂布于基材膜表面，预烘后在UV减粘胶层上贴合离型膜，在50-70℃熟化24-72h，即得所述抗静电半导体UV减粘保护膜。
有益效果：本发明提供了一种抗静电半导体UVUV减粘胶层，采用带有交联网络体系的聚合物可以延长储存时间，储存六个月也没有残胶现象，通过加入多壁碳纳米管，不仅避免了UV减粘保护膜在使用过程中由于摩擦作用产生静电，还能提高UV减粘保护膜在UV照射前的剥离强度以及降低UV减粘保护膜在UV照射后的剥离强度。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明提供技术方案中的技术特征作进一步清楚、完整的描述，并非对其保护范围的限制。
本发明中的词语“优选的”、“更优选的”等是指，在某些情况下可提供某些有益效果的本发明实施方案。然而，在相同的情况下或其他情况下，其他实施方案也可能是优选的。此外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用，也并非旨在将其他实施方案排除在本发明的范围之外。
“聚合物”意指通过聚合相同或不同类型的单体所制备的聚合化合物。通用术语“聚合物”包含术语“均聚物”、“共聚物”、“三元共聚物”与“共聚体”。“共聚体”意指通过聚合至少两种不同单体制备的聚合物。通用术语“共聚体”包括术语“共聚物”(其一般用以指由两种不同单体制备的聚合物)与术语“三元共聚物”(其一般用以指由三种不同单体制备的聚合物)。其亦包含通过聚合四或更多种单体而制造的聚合物。“共混物”意指两种或两种以上聚合物通过物理的或化学的方法共同混合而形成的聚合物。
为了解决上述技术问题，本发明第一个方面提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40-60份、抗静电剂0.1-0.3份、光引发剂0.2-1份、分散剂0.5-2份。
在一些优选的实施方式中，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物50份、抗静电剂0.2份、光引发剂0.5份、分散剂1份。
带有交联网络体系的聚合物
在一些实施方式中，所述带有交联网络体系的聚合物包括交联型的丙烯酸树脂；所述交联型的丙烯酸树脂的制备原料包括二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐。
在一些优选的实施方式中，所述交联型的丙烯酸树脂的制备原料包括二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐；所述二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐的摩尔比为1：(15-30)：(2-6)。
本发明所述交联型的丙烯酸树脂的制备方法，包括如下步骤：将二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐加入乙酸乙酯中，再加入热引发剂，均匀混合，在70-80℃进行自由基聚合反应，即得所述交联型的丙烯酸树脂；
所述二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐的摩尔比为1：22.5：4；
所述乙酸乙酯的含量为原料总质量的35wt％；
所述热引发剂为过氧化苯甲酸叔丁酯；所述过氧化苯甲酸叔丁酯的含量为原料总质量的1wt％。
在一些优选的实施方式中，所述带有交联网络体系的聚合物还包括三维交联网络聚合物；所述三维交联网络聚合物的制备原料包括线性聚合物、缩水甘油醚；所述线性聚合物、缩水甘油醚的质量比为(3-8)：1。
在一些优选的实施方式中，所述线性聚合物、缩水甘油醚的质量比为5：1。
在一些优选的实施方式中，所述线性聚合物选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚丙烯腈中的一种或多种。
在一些优选的实施方式中，所述线性聚合物为聚甲基丙烯酸甲酯。
在一些优选的实施方式中，所述缩水甘油醚包括聚乙二醇二缩水甘油醚和双酚A二缩水甘油醚；所述聚乙二醇二缩水甘油醚和双酚A二缩水甘油醚的质量比为1：1。
在一些优选的实施方式中，所述三维交联网络聚合物的制备原料还包括聚醚胺和N,N-二甲基乙酰胺；所述聚醚胺、N,N-二甲基乙酰胺占合成三维交联网络聚合物原料总质量的6wt％、70wt％。
本发明所述三维交联网络聚合物的制备，包括如下步骤：将线性聚合物、缩水甘油醚、聚醚胺和N,N-二甲基乙酰胺混合，加热至80-100℃，恒温反应18-36h，即得所述三维交联网络聚合物。
在一些优选的实施方式中，所述交联型的丙烯酸树脂、三维交联网络聚合物的质量比为(3-5)：1。
在一些优选的实施方式中，所述交联型的丙烯酸树脂、三维交联网络聚合物的质量比为4：1。
本发明人在研究过程中意外的发现采用带有交联网络体系的聚合物，尤其是交联型的丙烯酸树脂、三维交联网络聚合物的质量比为(3-5)：1制备的UV减粘保护膜可以长时间储存，且UV照射前的剥离力强。发明人猜测的原因可能是由于三维交联网络聚合物与交联型的丙烯酸树脂共同作用，带有交联网络体系的聚合物在熟化过程中会消耗小分子，减少小分子的残留，避免小分子迁移到胶层表面而造成剥离力升高，从而延长储存时间。且带有交联网络体系的聚合物在较小的作用力下，即可形成牢固的粘合力，无需借助其他手段，便可与被粘物紧密粘结，提高UV减粘保护膜使用时的粘合力。但发明人发现带有交联网络体系的聚合物在后期剥离过程中，不易剥离，减粘效果差，可能是由于带有交联网络体系的聚合物经UV照射后自身不能再产生交联反应，导致带有交联网络体系的聚合物经UV照射后体积收缩的程度比多官能度低聚物、多官能度单体经UV照射后体积收缩的程度小，UV减粘保护膜与被粘合物体表面之间不易产生褶皱和微孔，减粘作用弱。而本发明人在研究过程中意外的发现向体系中加入碳纳米管，尤其是多壁碳纳米管，不仅可以避免UV减粘保护膜使用过程中由于摩擦作用产生静电，还能提高减粘作用。发明人猜测的原因可能是多壁碳纳米管表面结合有大量的表面基团，如羧基等，可以与带有交联网络体系的聚合物相互作用，且加上多壁碳纳米管局部区域的凸凹现象加上六边形结构，使得带有交联网络体系的聚合物的体积进一步收缩，从而使UV减粘保护膜与被粘合物体表面之间产生褶皱并在褶皱大的位置产生微孔，使UV减粘保护膜与被粘合物体表面之间接触面积减小，从而实现减粘作用。
抗静电剂
在一些实施方式中，所述抗静电剂选自石墨烯、碳纳米管、纳米银线、巴斯夫LQ01、巴斯夫P18、巴斯夫P22中的一种或多种的混合。
在一些优选的实施方式中，所述抗静电剂为碳纳米管。
在一种优选的实施方式中，所述碳纳米管为多壁碳纳米管。
所述多壁碳纳米管购买自江苏先丰纳米材料科技有限公司。
光引发剂
在一些实施方式中，所述光引发剂选自2-异丙基硫杂蒽酮、1-羟基环己基苯基甲酮、安息香双甲醚、二甲苯酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基-1-丙酮、2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化膦中的一种或多种。
在一种优选的实施方式中，所述光引发剂为2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化膦(CAS号为75980-60-8)。
分散剂
在一些实施方式中，所述分散剂选自BYK-170、BYK-180、BYK-182、BYK-P104S、Lencolo1105中的一种或多种。
在一种优选的实施方式中，所述分散剂为BYK-P104S，购买自佛山市千佑化工有限公司。
本发明所述UV减粘胶层的制备方法，包括如下步骤：将带有交联网络体系的聚合物、抗静电剂、光引发剂、分散剂混合，搅拌均匀，即得所述UV减粘胶层。
本发明的第二方面提供了一种抗静电半导体UV减粘保护膜，所述UV减粘保护膜包括上述UV减粘胶层。
所述UV减粘胶层的厚度根据实际需求进行选择。
在一些实施方式中，所述UV减粘保护膜还包括基材膜、离型膜。
基材膜
在一些实施方式中，所述基材膜选自PO膜、PET离型膜、PVC膜中的任一种。
在一种优选的实施方式中，所述基材膜为PO膜。
所述PO膜为聚烯烃膜，所述PO膜的厚度根据实际需求进行选择，例如但不局限于：90μm、150μm。
离型膜
在一些实施方式中，所述离型膜为PET离型膜。
所述PET离型膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯离型膜，所述PET离型膜的厚度根据实际需求进行选择，例如但不局限于：25μm、36μm、38μm、50μm。
本发明的第三方面提供了一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法，包括如下步骤：将UV减粘胶层的制备原料涂布于基材膜表面，预烘后在UV减粘胶层上贴合离型膜，在50-70℃熟化24-72h，即得所述抗静电半导体UV减粘保护膜。
下面通过实施例对本发明进行具体描述。有必要在此指出的是，以下实施例只用于对本发明作进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，该领域的专业技术人员根据上述本发明的内容做出的一些非本质的改进和调整，仍属于本发明的保护范围。
另外，如果没有其它说明，所用原料都是市售的。
实施例
实施例1
实施例1提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40份、抗静电剂0.1份、光引发剂0.2份、分散剂0.5份；
所述带有交联网络体系的聚合物包括交联型的丙烯酸树脂；所述交联型的丙烯酸树脂的制备方法，包括如下步骤：将二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐加入乙酸乙酯中，再加入热引发剂，均匀混合，在75℃进行自由基聚合反应，即得所述交联型的丙烯酸树脂；所述二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐的摩尔比为1：22.5：4；所述乙酸乙酯的含量为原料总质量的35wt％；所述热引发剂为过氧化苯甲酸叔丁酯；所述过氧化苯甲酸叔丁酯的含量为原料总质量的1wt％；
所述带有交联网络体系的聚合物还包括三维交联网络聚合物；所述三维交联网络聚合物的制备，包括如下步骤：将线性聚合物、缩水甘油醚、聚醚胺和N,N-二甲基乙酰胺混合，加热至90℃，恒温反应24h，即得所述三维交联网络聚合物；所述线性聚合物、缩水甘油醚的质量比为5：1；所述线性聚合物为聚甲基丙烯酸甲酯；所述缩水甘油醚包括聚乙二醇二缩水甘油醚和双酚A二缩水甘油醚；所述聚乙二醇二缩水甘油醚和双酚A二缩水甘油醚的质量比为1：1；所述聚醚胺、N,N-二甲基乙酰胺占合成三维交联网络聚合物原料总质量的6wt％、70wt％；
所述交联型的丙烯酸树脂、三维交联网络聚合物的质量比为4：1；
所述抗静电剂为多壁碳纳米管，购买自江苏先丰纳米材料科技有限公司；
所述光引发剂为2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化膦(CAS号为75980-60-8)；
所述分散剂为BYK-P104S，购买自佛山市千佑化工有限公司；
所述UV减粘胶层的制备方法，包括如下步骤：将带有交联网络体系的聚合物、抗静电剂、光引发剂、分散剂混合，搅拌均匀，即得所述UV减粘胶层。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜，依次包括基材膜、UV减粘胶层和离型膜；
所述UV减粘胶层的厚度为15μm；
所述基材膜为PO膜；所述PO膜的厚度为90μm；
所述离型膜为PET离型膜；所述PET离型膜的厚度为36μm。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法，包括如下步骤：将UV减粘胶层的制备原料涂布于基材膜表面，预烘后在UV减粘胶层上贴合离型膜，在60℃熟化48h，即得所述抗静电半导体UV减粘保护膜。
实施例2
实施例2提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物60份、抗静电剂0.3份、光引发剂1份、分散剂2份；
所述带有交联网络体系的聚合物同实施例1；
所述抗静电剂为多壁碳纳米管，购买自江苏先丰纳米材料科技有限公司；
所述光引发剂为同实施例1；
所述分散剂为BYK-P104S，购买自佛山市千佑化工有限公司；
所述UV减粘胶层的制备方法同实施例1。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜，依次包括基材膜、UV减粘胶层和离型膜；
所述UV减粘胶层的厚度为15μm；
所述基材膜为PO膜；所述PO膜的厚度为90μm；
所述离型膜为PET离型膜；所述PET离型膜的厚度为36μm。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法同实施例1。
实施例3
实施例3提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物50份、抗静电剂0.2份、光引发剂0.5份、分散剂1份；
所述带有交联网络体系的聚合物同实施例1；
所述抗静电剂为多壁碳纳米管，购买自江苏先丰纳米材料科技有限公司；
所述光引发剂为同实施例1；
所述分散剂为BYK-P104S，购买自佛山市千佑化工有限公司；
所述UV减粘胶层的制备方法同实施例1。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜，依次包括基材膜、UV减粘胶层和离型膜；
所述UV减粘胶层的厚度为15μm；
所述基材膜为PO膜；所述PO膜的厚度为90μm；
所述离型膜为PET离型膜；所述PET离型膜的厚度为36μm。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法同实施例1。
实施例4
实施例4提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物50份、抗静电剂0.2份、光引发剂0.5份、分散剂1份；
所述带有交联网络体系的聚合物同实施例1，不同之处在于所述交联型的丙烯酸树脂、三维交联网络聚合物的质量比为3：1；
所述抗静电剂为多壁碳纳米管，购买自江苏先丰纳米材料科技有限公司；
所述光引发剂为同实施例1；
所述分散剂为BYK-P104S，购买自佛山市千佑化工有限公司；
所述UV减粘胶层的制备方法同实施例1。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜，依次包括基材膜、UV减粘胶层和离型膜；
所述UV减粘胶层的厚度为15μm；
所述基材膜为PO膜；所述PO膜的厚度为90μm；
所述离型膜为PET离型膜；所述PET离型膜的厚度为36μm。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法同实施例1。
实施例5
实施例5提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物50份、抗静电剂0.2份、光引发剂0.5份、分散剂1份；
所述带有交联网络体系的聚合物同实施例1，不同之处在于所述交联型的丙烯酸树脂、三维交联网络聚合物的质量比为5：1；
所述抗静电剂为多壁碳纳米管，购买自江苏先丰纳米材料科技有限公司；
所述光引发剂为同实施例1；
所述分散剂为BYK-P104S，购买自佛山市千佑化工有限公司；
所述UV减粘胶层的制备方法同实施例1。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜，依次包括基材膜、UV减粘胶层和离型膜；
所述UV减粘胶层的厚度为15μm；
所述基材膜为PO膜；所述PO膜的厚度为90μm；
所述离型膜为PET离型膜；所述PET离型膜的厚度为36μm。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法同实施例1。
实施例6
实施例6提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物50份、抗静电剂0.2份、光引发剂0.5份、分散剂1份；
所述带有交联网络体系的聚合物同实施例1，不同之处在于所述交联型的丙烯酸树脂、三维交联网络聚合物的质量比为0：1；
所述抗静电剂为多壁碳纳米管，购买自江苏先丰纳米材料科技有限公司；
所述光引发剂为同实施例1；
所述分散剂为BYK-P104S，购买自佛山市千佑化工有限公司；
所述UV减粘胶层的制备方法同实施例1。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜，依次包括基材膜、UV减粘胶层和离型膜；
所述UV减粘胶层的厚度为15μm；
所述基材膜为PO膜；所述PO膜的厚度为90μm；
所述离型膜为PET离型膜；所述PET离型膜的厚度为36μm。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法同实施例1。
实施例7
实施例7提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物50份、抗静电剂0.2份、光引发剂0.5份、分散剂1份；
所述带有交联网络体系的聚合物同实施例1，不同之处在于所述交联型的丙烯酸树脂、三维交联网络聚合物的质量比为1：0；
所述抗静电剂为多壁碳纳米管，购买自江苏先丰纳米材料科技有限公司；
所述光引发剂为同实施例1；
所述分散剂为BYK-P104S，购买自佛山市千佑化工有限公司；
所述UV减粘胶层的制备方法同实施例1。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜，依次包括基材膜、UV减粘胶层和离型膜；
所述UV减粘胶层的厚度为15μm；
所述基材膜为PO膜；所述PO膜的厚度为90μm；
所述离型膜为PET离型膜；所述PET离型膜的厚度为36μm。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法同实施例1。
实施例8
实施例8提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物50份、抗静电剂0.2份、光引发剂0.5份、分散剂1份；
所述带有交联网络体系的聚合物同实施例1；
所述抗静电剂为纳米石墨烯，购买自江苏先丰纳米材料科技有限公司；
所述光引发剂为同实施例1；
所述分散剂为BYK-P104S，购买自佛山市千佑化工有限公司；
所述UV减粘胶层的制备方法同实施例1。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜，依次包括基材膜、UV减粘胶层和离型膜；
所述UV减粘胶层的厚度为15μm；
所述基材膜为PO膜；所述PO膜的厚度为90μm；
所述离型膜为PET离型膜；所述PET离型膜的厚度为36μm。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法同实施例1。
实施例9
实施例9提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括丙烯酸压敏胶树脂45份、多官能度低聚物5份、交联剂0.3份、抗静电剂0.2份、光引发剂0.5份、分散剂1份；
所述丙烯酸压敏胶树脂的型号为STS0123OP，购买自上海东洋油墨制造有限公司；
所述多官能度低聚物的型号为UX-5805W，购买自化药化工(无锡)有限公司；
所述交联剂型号为N3390，购买自德国拜耳公司；
所述抗静电剂为多壁碳纳米管，购买自江苏先丰纳米材料科技有限公司；
所述光引发剂为同实施例1；
所述分散剂为BYK-P104S，购买自佛山市千佑化工有限公司；
所述UV减粘胶层的制备方法同实施例1。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜，依次包括基材膜、UV减粘胶层和离型膜；
所述UV减粘胶层的厚度为15μm；
所述基材膜为PO膜；所述PO膜的厚度为90μm；
所述离型膜为PET离型膜；所述PET离型膜的厚度为36μm。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法同实施例1。
实施例10
实施例10提供了一种抗静电半导体UV减粘胶层，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物50份、抗静电剂0份、光引发剂0.5份、分散剂1份；
所述带有交联网络体系的聚合物同实施例1；
所述抗静电剂为多壁碳纳米管，购买自江苏先丰纳米材料科技有限公司；
所述光引发剂为同实施例1；
所述分散剂为BYK-P104S，购买自佛山市千佑化工有限公司；
所述UV减粘胶层的制备方法同实施例1。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜，依次包括基材膜、UV减粘胶层和离型膜；
所述UV减粘胶层的厚度为15μm；
所述基材膜为PO膜；所述PO膜的厚度为90μm；
所述离型膜为PET离型膜；所述PET离型膜的厚度为36μm。
一种抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法同实施例1。
性能测试
1.残留性：将实施例1-10所述抗静电半导体UV减粘保护膜常温25℃储存6个月后，贴附于玻璃板表面，按照GB-2792-81测试180oUV照射后是否有残胶，测试结果见表1。
2.剥离强度：将实施例1-10所述抗静电半导体UV减粘保护膜，贴附于玻璃板表面，按照GB-2792-81测试180oUV照射前剥离力；UV照射后的剥离力，测试结果见表1。
3.抗静电性：将实施例1-10所述抗静电半导体UV减粘保护膜用烟灰实验法来判断静电程度，将实施例1-10所述抗静电半导体UV减粘保护膜摩擦之后，在不远的地方上放上烟灰，观察吸附烟灰的程度，吸附的程度可以分为四级，一级效果最差，四级的效果最好(基本不吸灰)，测试结果见表1。
表1实施例1-10性能测试结果
Figure BDA0002469933060000131
前述的实例仅是说明性的，用于解释本发明所述方法的一些特征。所附的权利要求旨在要求可以设想的尽可能广的范围，且本文所呈现的实施例仅是根据所有可能的实施例的组合的选择的实施方式的说明。因此，申请人的用意是所附的权利要求不被说明本发明的特征的示例的选择限制。在权利要求中所用的一些数值范围也包括了在其之内的子范围，这些范围中的变化也应在可能的情况下解释为被所附的权利要求覆盖。

Claims (10)

1.一种抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，按重量份计，所述UV减粘胶层的制备原料包括带有交联网络体系的聚合物40-60份、抗静电剂1-5份、光引发剂1.5-8份、分散剂0.5-2份。
2.根据权利要求1所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述带有交联网络体系的聚合物包括交联型的丙烯酸树脂；所述交联型的丙烯酸树脂的制备原料包括二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、顺丁烯二酸酐。
3.根据权利要求2所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述带有交联网络体系的聚合物还包括三维交联网络聚合物；所述三维交联网络聚合物的制备原料包括线性聚合物、缩水甘油醚。
4.根据权利要求3所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述线性聚合物选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚丙烯腈中的一种或多种。
5.根据权利要求1-4中任一项所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述抗静电剂选自石墨烯、碳纳米管、纳米银线、巴斯夫LQ01、巴斯夫P18、巴斯夫P22中的一种或多种的混合。
6.根据权利要求1-4中任一项所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述光引发剂选自2-异丙基硫杂蒽酮、1-羟基环己基苯基甲酮、安息香双甲醚、二甲苯酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基-1-丙酮、2,4,6-(三甲基苯甲酰基)-二苯基氧化膦中的一种或多种。
7.根据权利要求1-4中任一项所述抗静电半导体UV减粘胶层，其特征在于，所述分散剂选自BYK-170、BYK-180、BYK-182、BYK-P104S、Lencolo1105中的一种或多种。
8.一种抗静电半导体UV减粘保护膜，其特征在于，所述UV减粘保护膜包括权利要求1-7中任一项所述UV减粘胶层。
9.根据权利要求8所述抗静电半导体UV减粘保护膜，其特征在于，所述UV减粘保护膜还包括基材膜、离型膜；所述基材膜选自PO膜、PET离型膜、PVC膜中的任一种。
10.一种根据权利要求9所述抗静电半导体UV减粘保护膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将UV减粘胶层的制备原料涂布于基材膜表面，预烘后在UV减粘胶层上贴合离型膜，在50-70℃熟化24-72h，即得所述抗静电半导体UV减粘保护膜。
CN202010345534.3A 2020-04-27 2020-04-27 一种抗静电半导体uv减粘胶层及保护膜 Active CN111334225B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010345534.3A CN111334225B (zh) 2020-04-27 2020-04-27 一种抗静电半导体uv减粘胶层及保护膜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010345534.3A CN111334225B (zh) 2020-04-27 2020-04-27 一种抗静电半导体uv减粘胶层及保护膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111334225A true CN111334225A (zh) 2020-06-26
CN111334225B CN111334225B (zh) 2021-08-31

Family

ID=71181254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010345534.3A Active CN111334225B (zh) 2020-04-27 2020-04-27 一种抗静电半导体uv减粘胶层及保护膜

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111334225B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112920731A (zh) * 2021-01-27 2021-06-08 东莞市清鸿新材料科技有限公司 一种关于uv减粘保护膜及制作方法
CN116023875A (zh) * 2023-03-15 2023-04-28 江苏康辉新材料科技有限公司 一种用于晶圆切割的uv解粘保护膜

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005105857A1 (en) * 2004-04-27 2005-11-10 Ashland Inc. Polyester-polyether hybrid urethane acrylate oligomer for uv curing pressure sensitive adhesives
CN107022319A (zh) * 2017-04-01 2017-08-08 东莞市睿泰涂布科技有限公司 抗静电uv减粘组合物、保护膜及该保护膜的制备工艺
CN108441135A (zh) * 2018-02-02 2018-08-24 苏州城邦达力材料科技有限公司 一种uv减粘组合物、uv减粘膜及其制备方法
CN109735256A (zh) * 2019-01-28 2019-05-10 苏州世华新材料科技股份有限公司 一种耐可见光的单组分的uv减粘保护膜的制备方法
CN110791204A (zh) * 2019-10-21 2020-02-14 萍乡高恒材料科技有限公司 一种单组份uv减粘丙烯酸酯压敏胶及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005105857A1 (en) * 2004-04-27 2005-11-10 Ashland Inc. Polyester-polyether hybrid urethane acrylate oligomer for uv curing pressure sensitive adhesives
CN107022319A (zh) * 2017-04-01 2017-08-08 东莞市睿泰涂布科技有限公司 抗静电uv减粘组合物、保护膜及该保护膜的制备工艺
CN108441135A (zh) * 2018-02-02 2018-08-24 苏州城邦达力材料科技有限公司 一种uv减粘组合物、uv减粘膜及其制备方法
CN109735256A (zh) * 2019-01-28 2019-05-10 苏州世华新材料科技股份有限公司 一种耐可见光的单组分的uv减粘保护膜的制备方法
CN110791204A (zh) * 2019-10-21 2020-02-14 萍乡高恒材料科技有限公司 一种单组份uv减粘丙烯酸酯压敏胶及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112920731A (zh) * 2021-01-27 2021-06-08 东莞市清鸿新材料科技有限公司 一种关于uv减粘保护膜及制作方法
CN116023875A (zh) * 2023-03-15 2023-04-28 江苏康辉新材料科技有限公司 一种用于晶圆切割的uv解粘保护膜
CN116023875B (zh) * 2023-03-15 2023-10-31 江苏康辉新材料科技有限公司 一种用于晶圆切割的uv解粘保护膜

Also Published As

Publication number Publication date
CN111334225B (zh) 2021-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4876289B2 (ja) 帯電防止シリコン離型フィルム
CN111334225B (zh) 一种抗静电半导体uv减粘胶层及保护膜
JP5063008B2 (ja) 両面粘着テープ又はシート
CN106574161B (zh) 粘合剂组合物、使其交联而成的粘合剂、遮蔽薄膜用粘合剂、耐热粘合薄膜用粘合剂、遮蔽用耐热粘合薄膜和其使用方法
US20100233926A1 (en) Thermally conductive adhesives and adhesive tape using the same
JP2007152930A (ja) 帯電防止ポリエステルフィルム
JP5357406B2 (ja) 固形タイプのゴム系粘着剤組成物とその粘着シート
JP6163622B2 (ja) 粘着シート
JP2016524633A (ja) アクリルフォーム粘着テープおよびこれを適用したフラットパネルディスプレイ
KR101229029B1 (ko) 대전방지 실리콘 이형필름
TWI773640B (zh) 黏著薄片
CN111117466A (zh) 碳纳米管改性阻燃性水性聚氨酯涂料与胶粘剂的制备方法
JP6656222B2 (ja) 半導体加工用シート
JP6164791B2 (ja) 基材レス両面粘着シート用ポリエステルフィルム
JP5671923B2 (ja) 離型剤組成物、離型フィルム及びこれを用いた接着フィルム
JP2012180507A (ja) 粘接着剤
JP2012137567A (ja) 偏光板用離型ポリエステルフィルム
KR20110082333A (ko) 편광판 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR101354707B1 (ko) 대전방지 실리콘 이형필름
KR101960490B1 (ko) 박리 특성을 개선한 실리콘 이형필름
KR101491596B1 (ko) 대전방지 폴리에스테르 이형필름 및 그의 제조방법
JPH10278203A (ja) 離型フィルム
JP4917344B2 (ja) 静電防止性多層フィルム
KR20140088431A (ko) 긴 측쇄 알킬기를 가지는 이타콘산 에스테르를 포함하는 이형필름용 수지 조성물
KR101556704B1 (ko) 코팅외관이 우수한 실리콘 이형필름

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 512000 chlor alkali characteristic industrial base of hougongdu Economic Development Zone, Rucheng Town, Ruyuan County, Shaoguan City, Guangdong Province

Patentee after: Guangdong Shuocheng Technology Co.,Ltd.

Address before: 512000 chlor alkali characteristic industrial base of hougongdu Economic Development Zone, Rucheng Town, Ruyuan County, Shaoguan City, Guangdong Province

Patentee before: GUANGDONG SHUOCHENG TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: An anti-static semiconductor UV adhesive layer and protective film

Granted publication date: 20210831

Pledgee: Guangdong Ruyuan Rural Commercial Bank Co.,Ltd.

Pledgor: Guangdong Shuocheng Technology Co.,Ltd.

Registration number: Y2024980013062

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right