CN111323443A - Sono刻蚀样品制备及检测方法 - Google Patents
Sono刻蚀样品制备及检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111323443A CN111323443A CN202010144106.4A CN202010144106A CN111323443A CN 111323443 A CN111323443 A CN 111323443A CN 202010144106 A CN202010144106 A CN 202010144106A CN 111323443 A CN111323443 A CN 111323443A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sono
- structure layer
- channel hole
- etching sample
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000005464 sample preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/2202—Preparing specimens therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/006—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation at wafer scale level, i.e. wafer scale integration [WSI]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明提供一种SONO刻蚀样品制备及检测方法，包括：提供一闪存前端器件，去除预设深度的所述衬底堆叠结构层，在所述预设深度范围内剩余所述SONO堆叠结构层；去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层，采用闪存前端器件去层的方法，得到想要检测深度的SONO刻蚀样品，采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测，减少SONO刻蚀样品制备及检测的时间，检测观察面积大，增大闪存晶圆的检测范围。
Description
技术领域
本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种SONO刻蚀样品制备及检测方法。
背景技术
随着闪存存储器的发展，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。闪存器件根据存储单元的结构可分为叠置栅极型和分离栅极型，并且根据电荷存储层的形状分为浮置栅极器件和SONO(硅-氧化物-氮化物-氧化物)器件。其中，SONO型闪存器件具有比浮置栅极型闪存器件更优的可靠性，并能够以较低的电压执行编程和擦除操作，且SONO型闪存器件具有很薄的单元，并且便于制造。
SONO刻蚀是3D NAND很重要的一个工艺步骤，具体为：沟道孔(深孔)的侧壁和底部形成有SONO堆叠结构层，通过SONO刻蚀步骤刻蚀去除位于沟道孔(深孔)底部的SONO堆叠结构层，以暴露出硅外延层。SONO刻蚀形貌决定沟道孔上下连接的结构的功能以及影响良率大小，因此在3D NAND工艺中是非常重要的步骤，可以通过检测SONO刻蚀形貌以判断SONO刻蚀工艺的好坏。
SONO刻蚀形貌是一个很重要的参数，实验室一般采用FIB/TEM切片来观测SONO的形貌。采用透射电子显微镜(TEM)进行检测时，首先需要采用聚焦离子束(Focused IonBeam,FIB)技术切割晶圆(Wafer)来获得待检测的样片，沟道孔(CH，Channel Hole)因为深宽比较大，且底部的尺寸较顶部尺寸小，所以FIB样品制备比较久，需要耗费较多的时间和成本，FIB样品制备例如需花费4小时制备，且TEM拍摄厚度要求比较高，观测一个样品经常需要耗费例如1小时以上时间。而且TEM样片的制作精度等对于检测结果的误差影响很大，特别是由于TEM样片的制备限制，只能对于晶圆的一部分如中心或者边缘进行检测，而难以通过检测结果反映出整个晶圆的刻蚀情况。
发明内容
本发明的目的在于提供一种SONO刻蚀样品制备及检测方法，减少SONO刻蚀样品制备及检测的时间，观察面积大，增大晶圆的检测范围。
一种SONO刻蚀样品制备及检测方法，包括：
提供一闪存前端器件，所述闪存前端器件包括衬底，所述衬底上形成有衬底堆叠结构层，所述衬底堆叠结构层中形成有栅极线孔和沟道孔，所述沟道孔的侧壁形成有SONO堆叠结构层，所述沟道孔包括连通的上沟道孔和下沟道孔；
去除预设深度的所述衬底堆叠结构层，在所述预设深度范围内剩余所述SONO堆叠结构层；剩余的所述衬底堆叠结构层的顶部不低于所述下沟道孔的顶部；
去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层，得到SONO刻蚀样品；
采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测。
进一步的，采用HF酸腐蚀去除所述预设深度的所述衬底堆叠结构层。
进一步的，采用HF酸腐蚀去除所述预设深度的所述衬底堆叠结构层具体过程为：将所述闪存前端器件截成1～1.5cm*1～1.5cm大小，放入45％～55％的HF酸中浸泡8s-12s。
进一步的，采用抛光垫研磨去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层。
进一步的，采用抛光垫研磨去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层具体过程为：先采用抛光垫研磨1～3次，然后在90～110转/分的转速下用清水转15～17圈，再进行超声波清洗4～6分钟。
进一步的，采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测包括：检测所述沟道孔的侧壁上的所述SONO堆叠结构层上是否有缺陷、所述SONO堆叠结构层形貌是否规整、所述上沟道孔和所述下沟道孔是否对齐中的至少一项。
进一步的，在得到SONO刻蚀样品之后，采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测之前，包括：在所述SONO刻蚀样品表面镀铂金属层。
进一步的，所述栅极线孔在所述闪存前端器件的厚度方向上终止于所述上沟道孔和所述下沟道孔的交界处高度。
进一步的，所述衬底堆叠结构包括多个层叠单元，所述层叠单元为依次堆叠的氧化硅层和氮化硅层。
进一步的，剩余的所述衬底堆叠结构层的顶部高于所述下沟道孔的顶部。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明提供一种SONO刻蚀样品制备及检测方法，包括：提供一闪存前端器件，去除预设深度的所述衬底堆叠结构层，在所述预设深度范围内剩余所述SONO堆叠结构层；去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层，采用闪存前端器件去层的方法，得到想要检测深度的SONO刻蚀样品，采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测，减少SONO刻蚀样品制备及检测的时间，检测观察面积大，增大闪存晶圆的检测范围。
附图说明
图1为本发明实施例的一种SONO刻蚀样品制备及检测方法流程示意图。
图2至图5为本发明实施例的SONO刻蚀样品制备及检测方法各步骤示意图。
图6为本发明实施例的SONO刻蚀形貌的检测样品SEM拍摄俯视图。
图7为本发明实施例的SONO刻蚀形貌的检测样品SEM拍摄俯视图中缺陷部位放大图。
其中，附图标记如下：
1-闪存前端器件；10-衬底；20-衬底堆叠结构层；21-氧化硅层；22-氮化硅层；30-栅极线孔；40-沟道孔；50-SONO堆叠结构层；60-硅外延层；70-缺陷。
具体实施方式
基于上述研究，本发明实施例提供了一种SONO刻蚀样品制备及检测方法。以下结合附图和具体实施例对本发明进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需要说明的是，附图均采用非常简化的形式且使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明实施例提供了一种SONO刻蚀样品制备及检测方法，如图1所示，包括：
提供一闪存前端器件，所述闪存前端器件包括衬底，所述衬底上形成有衬底堆叠结构层，所述衬底堆叠结构层中形成有栅极线孔和沟道孔，所述沟道孔的侧壁形成有SONO堆叠结构层，所述沟道孔包括连通的上沟道孔和下沟道孔；
去除预设深度的所述衬底堆叠结构层，在所述预设深度范围内剩余所述SONO堆叠结构层；剩余的所述衬底堆叠结构层的顶部不低于所述下沟道孔的顶部；
去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层，得到SONO刻蚀样品；
采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测。
下面结合图2至图5介绍本发明实施例的SONO刻蚀样品制备及检测方法的各步骤。
如图2所示，提供一闪存前端器件1，所述闪存前端器件1包括衬底10，所述衬底上形成有衬底堆叠结构层20，所述衬底堆叠结构层20中形成有栅极线孔30和沟道孔40，所述沟道孔40的侧壁形成有SONO堆叠结构层50，所述沟道孔包括连通的上沟道孔40a和下沟道孔40b。
闪存前端器件1的具体形成过程为：提供衬底10。沉积衬底堆叠结构20，所述衬底表面形成多层交错堆叠的氧化硅层21及氮化硅层22，所述氮化硅层22形成于相邻的氧化硅层21之间，从而形成O/N堆叠结构(O/N Stacks)。刻蚀衬底堆叠结构20，刻蚀所述氧化硅层21及氮化硅层22以形成沟道孔40，所述沟道孔40通至所述衬底10并形成一定深度的第一硅槽。沟道孔40较深，工艺上很难一次做到位，分两次刻蚀形成，分别形成连通的上沟道孔40a和下沟道孔40b，上沟道孔40a和下沟道孔40b理想状态是上下直径一致的孔，实际工艺做不到会有些偏差，实际形成上大下小的锥形孔。形成硅外延层60，在所述第一硅槽处进行硅的外延生长形成硅外延层(SEG)60。形成SONO堆叠结构层50，在所述沟道孔40的侧壁及硅外延层60的表面上沉积SONO堆叠结构层50，所述SONO堆叠结构层50为(多晶硅层/氧化物层/氮化物层/氧化物层)堆叠结构层。刻蚀位于所述沟道孔40的底部硅外延层60上的沟道孔堆叠结构50暴露出硅外延层60，同时去除覆盖所述衬底堆叠结构20顶面的所述沟道孔堆叠结构50。刻蚀形成栅极线孔30，所述栅极线孔30在厚度方向上终止于上沟道孔40a和下沟道孔40b的交界处高度。
如图3所示，去除预设深度h1的所述衬底堆叠结构层20，在所述预设深度h1范围内剩余SONO堆叠结构层50；衬底堆叠结构层20中形成有沟道孔40，沟道孔40的侧壁形成有SONO堆叠结构层，因此，在去除预设深度h1的所述衬底堆叠结构层20后，在所述预设深度范围h1内剩余的SONO堆叠结构层为环状薄壁结构。应当理解在所述剩余的SONO堆叠结构层(环状薄壁结构)50上还可能会残留少部分衬底堆叠结构层20。
具体的，采用HF酸腐蚀去除预设深度h1的所述衬底堆叠结构层20，利用HF酸可以与氧化硅反应机理，HF酸对氧化硅的选择比很高(易发生反应)。将刻蚀形成栅极线孔30后的闪存前端器件1截成1～1.5cm*1～1.5cm大小，放入45％～55％的HF酸中浸泡一段时间，浸泡时间例如为8-12s，HF酸会腐蚀去除预设深度h1的所述衬底堆叠结构层20，取出吹净。参见图2和图3，HF酸进入栅极线孔30，腐蚀掏空栅极线孔30两侧的衬底堆叠结构层20(例如20a和20b)，HF酸还可从顶部腐蚀位于相邻的沟道孔40之间的衬底堆叠结构层20(例如20c)。
预设深度范围内的衬底堆叠结构层20中的氧化硅层21均被HF腐蚀掉，虽然氮化硅层22不与HF酸发生反应，但是氮化硅层因为周围没有支撑，也会被HF酸一起漂走，只剩下SONO堆叠结构层50。SONO堆叠结构层50最外层的氧化层会被HF酸腐蚀，但SONO堆叠结构层50中的氮化硅层不与HF酸腐蚀，所以剩下SONO堆叠结构层50。此过程中，HF酸也进入沟道孔40，沟道孔40底部暴露出的硅外延层60基本上与HF酸不发生反应。栅极线孔30底部因有氮化硅层22的阻挡，因此HF酸从栅极线孔30两侧掏空衬底堆叠结构层20，栅极线孔30底部向下的方向基本上不被HF酸腐蚀。
如图3至图5所示，去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层50，得到SONO刻蚀样品。具体的，研磨所述预设深度h1范围内所述剩余的SONO堆叠结构层50，应当理解在所述剩余的SONO堆叠结构层50(环状薄壁结构)上还可能会残留少部分衬底堆叠结构层20，也被一并研磨去除。具体的，例如使用研磨抛光垫推(研磨)例如1～3次，接着在90～110转/分的转速下用清水转15～17圈，转完之后，进行超声波清洗，例如超声波震4-6分钟，即可去除所述预设深度范围h1内所述剩余的SONO堆叠结构层50。
剩余的所述衬底堆叠结构层20的顶部不低于所述下沟道孔40b的顶部。如图4所示，剩余的所述衬底堆叠结构层20a的顶部位于所述下沟道孔40b的顶部(上沟道孔40a和下沟道孔40b的交界处)。如图5所示，剩余的所述衬底堆叠结构层20b的顶部高于所述下沟道孔40b的顶部(上沟道孔40a和下沟道孔40b的交界处)。
SONO刻蚀样品检测包括：检测沟道孔40侧壁上的SONO堆叠结构层50上是否有缺陷、形貌是否规整；硅外延层(SEG)60是否暴露出、上沟道孔40a和下沟道孔40b是否对齐等。
当剩余的所述衬底堆叠结构层20的顶部低于所述下沟道孔40b的顶部(即得到的SONO刻蚀检测样品的上沟道孔40a被完全去除)时，无法检测上沟道孔40a和下沟道孔40b是否对齐，而且位于下沟道孔40b靠上被去除部分的形貌也无法检测，沟道孔40为深孔，缺陷易形成在下沟道孔40b中，因此下沟道孔40b为重点检测对象。
接着，在所述SONO刻蚀样品表面镀铂金属层，具体的，所述铂金属层覆盖所述衬底堆叠结构层的表面和所述沟道孔的侧壁和底部。铂金属层导电，消除或减轻SEM(扫描电子显微镜)观测过程中SONO刻蚀样品上的电荷存储累积效应。
采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测。具体的，SEM观察所述SONO刻蚀检测样品的沟道孔40中的SONO堆叠结构层形貌。进行SEM俯视观测和截面观测，图6为SEM拍摄俯视图，图7为拍摄俯视图中缺陷部位放大图，采用闪存前端器件去层(Delayer)的方法，得到想要检测深度的SONO刻蚀样品，剩余厚度的闪存前端器件的沟道孔40深度变浅，易于观测。如图6所示，SEM俯视范围内包含多个沟道孔40，检测观察面积大，增大闪存晶圆的检测范围。
本实施例的SONO刻蚀样品只需要5-10分钟SEM拍摄时间。采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测：检测沟道孔40侧壁上的SONO堆叠结构层50上是否有缺陷、形貌是否规整；硅外延层(SEG)60是否暴露出、上沟道孔40a和下沟道孔40b是否对齐等。
综上所述，本发明实时例的SONO刻蚀样品制备及检测方法速度较快，操作简单，大大提高观测沟道孔底部形貌准确性和效率。容易观测到沟道孔侧壁的SONO堆叠结构层形貌以及是否有损坏情况。相比现有的一种方法需要花费例如5个小时以上时间才能完成样品制备到拍摄，而且只能得到一个区域里的形貌。本发明实时例的SONO刻蚀样品制备及检测方法在较短时间(例如1小时)内完成样品制备到拍摄；而且可以观察到很多位置的形貌，获得信息更多。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的方法而言，由于与实施例公开的器件相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，包括：
提供一闪存前端器件，所述闪存前端器件包括衬底，所述衬底上形成有衬底堆叠结构层，所述衬底堆叠结构层中形成有栅极线孔和沟道孔，所述沟道孔的侧壁形成有SONO堆叠结构层，所述沟道孔包括连通的上沟道孔和下沟道孔；
去除预设深度的所述衬底堆叠结构层，在所述预设深度范围内剩余所述SONO堆叠结构层；剩余的所述衬底堆叠结构层的顶部不低于所述下沟道孔的顶部；
去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层，得到SONO刻蚀样品；
采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测。
2.如权利要求1所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，采用HF酸腐蚀去除所述预设深度的所述衬底堆叠结构层。
3.如权利要求2所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，采用HF酸腐蚀去除所述预设深度的所述衬底堆叠结构层具体过程为：将所述闪存前端器件截成1～1.5cm*1～1.5cm大小，放入45％～55％的HF酸中浸泡8s-12s。
4.如权利要求1所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，采用抛光垫研磨去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层。
5.如权利要求4所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，采用抛光垫研磨去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层具体过程为：
先采用抛光垫研磨1～3次，然后在90～110转/分的转速下用清水转15～17圈，再进行超声波清洗4～6分钟。
6.如权利要求1至5任意一项所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测包括：检测所述沟道孔的侧壁上的所述SONO堆叠结构层上是否有缺陷、所述SONO堆叠结构层形貌是否规整、所述上沟道孔和所述下沟道孔是否对齐中的至少一项。
7.如权利要求1至5任意一项所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，在得到SONO刻蚀样品之后，采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测之前，包括：在所述SONO刻蚀样品表面镀铂金属层。
8.如权利要求1至5任意一项所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，所述栅极线孔在所述闪存前端器件的厚度方向上终止于所述上沟道孔和所述下沟道孔的交界处高度。
9.如权利要求1至5任意一项所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，所述衬底堆叠结构包括多个层叠单元，所述层叠单元为依次堆叠的氧化硅层和氮化硅层。
10.如权利要求1至5任意一项所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，剩余的所述衬底堆叠结构层的顶部高于所述下沟道孔的顶部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010144106.4A CN111323443B (zh) | 2020-03-04 | 2020-03-04 | Sono刻蚀样品制备及检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010144106.4A CN111323443B (zh) | 2020-03-04 | 2020-03-04 | Sono刻蚀样品制备及检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111323443A true CN111323443A (zh) | 2020-06-23 |
| CN111323443B CN111323443B (zh) | 2023-12-01 |
Family
ID=71173134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010144106.4A Active CN111323443B (zh) | 2020-03-04 | 2020-03-04 | Sono刻蚀样品制备及检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111323443B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112490140A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-12 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种监测沟道通孔的开封方法 |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010005633A1 (en) * | 1999-08-03 | 2001-06-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for monitoring second gate over-etch in a semiconductor device |
| US20070131973A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | Flash memory device and method of manufacturing the same |
| WO2007114559A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Excel Semiconductor Inc, | Self-aligned flash memory cell and method of manufacturing the same |
| US20080054337A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Cheol Sang Kwak | Flash Memory Device and Method for Manufacturing the Flash Memory Device |
| US20090203190A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd | Method of forming a mask stack pattern and method of manufacturing a flash memory device including an active area having rounded corners |
| CN107507787A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-22 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种沟道孔的检测方法 |
| CN107579070A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-12 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种3d nand存储器件的堆叠层及其制造方法 |
| CN107863305A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-03-30 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种sono刻蚀工艺的检测方法 |
| CN107968058A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-04-27 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种深孔刻蚀底部硅衬底形貌的量测表征方法 |
| CN107994027A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-05-04 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种sono刻蚀中负载效应影响的减轻方法 |
| CN109496358A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-03-19 | 长江存储科技有限责任公司 | 3dnand存储器件的结构及其形成方法 |
| WO2019091200A1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof |
| US20190157290A1 (en) * | 2017-11-23 | 2019-05-23 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and method of manufacturing the same |
| CN110062958A (zh) * | 2019-03-04 | 2019-07-26 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于形成三维存储器件的方法 |
| CN110114879A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-08-09 | 长江存储科技有限责任公司 | 具有氮氧化硅栅极到栅极电介质层的存储堆叠体及其形成方法 |
| CN110634760A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-12-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法 |
| US20200058674A1 (en) * | 2018-08-16 | 2020-02-20 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Methods for forming structurally- reinforced semiconductor plug in three-dimensional memory device |
-
2020
- 2020-03-04 CN CN202010144106.4A patent/CN111323443B/zh active Active
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010005633A1 (en) * | 1999-08-03 | 2001-06-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for monitoring second gate over-etch in a semiconductor device |
| US20070131973A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | Flash memory device and method of manufacturing the same |
| WO2007114559A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Excel Semiconductor Inc, | Self-aligned flash memory cell and method of manufacturing the same |
| US20080054337A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Cheol Sang Kwak | Flash Memory Device and Method for Manufacturing the Flash Memory Device |
| US20090203190A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd | Method of forming a mask stack pattern and method of manufacturing a flash memory device including an active area having rounded corners |
| CN107507787A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-22 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种沟道孔的检测方法 |
| CN107579070A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-12 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种3d nand存储器件的堆叠层及其制造方法 |
| WO2019091200A1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof |
| CN107863305A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-03-30 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种sono刻蚀工艺的检测方法 |
| CN107994027A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-05-04 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种sono刻蚀中负载效应影响的减轻方法 |
| CN107968058A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-04-27 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种深孔刻蚀底部硅衬底形貌的量测表征方法 |
| US20190157290A1 (en) * | 2017-11-23 | 2019-05-23 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and method of manufacturing the same |
| US20200058674A1 (en) * | 2018-08-16 | 2020-02-20 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Methods for forming structurally- reinforced semiconductor plug in three-dimensional memory device |
| CN109496358A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-03-19 | 长江存储科技有限责任公司 | 3dnand存储器件的结构及其形成方法 |
| CN110062958A (zh) * | 2019-03-04 | 2019-07-26 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于形成三维存储器件的方法 |
| CN110114879A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-08-09 | 长江存储科技有限责任公司 | 具有氮氧化硅栅极到栅极电介质层的存储堆叠体及其形成方法 |
| CN110634760A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-12-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112490140A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-12 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种监测沟道通孔的开封方法 |
| CN112490140B (zh) * | 2020-11-18 | 2023-08-01 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种监测沟道通孔的开封方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111323443B (zh) | 2023-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107863305B (zh) | 一种sono刻蚀工艺的检测方法 | |
| CN104078343B (zh) | 一种栅氧化层缺陷原貌的失效分析方法 | |
| CN102044461B (zh) | 用于半导体器件失效分析的检测方法 | |
| CN107507787B (zh) | 一种沟道孔的检测方法 | |
| CN110634760B (zh) | 一种双堆叠结构中检测沟道孔侧壁刻蚀损伤的方法 | |
| CN102254845A (zh) | 接触插塞底部轮廓的检测方法 | |
| CN107968058B (zh) | 一种深孔刻蚀底部硅衬底形貌的量测表征方法 | |
| CN106206597B (zh) | 避免多晶硅刻蚀残留的方法及分栅快闪存储器制造方法 | |
| CN104795340B (zh) | 一种Flash产品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法 | |
| CN111323443B (zh) | Sono刻蚀样品制备及检测方法 | |
| JP4631152B2 (ja) | シリコン基板を用いた半導体装置の製造方法 | |
| CN103700603B (zh) | 一种钨接触栓塞高阻的检测方法 | |
| CN1077332C (zh) | 用于半导体器件缺陷调查的试验片的制造方法 | |
| CN103887147A (zh) | 用于多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测晶圆的制作方法 | |
| CN114813808B (zh) | 一种半导体芯片截面结构的检测方法 | |
| CN110553601B (zh) | 刻蚀结构的形貌分析方法及装置 | |
| US8058081B2 (en) | Method of testing an integrity of a material layer in a semiconductor structure | |
| CN103824802A (zh) | 半导体结构的形成方法 | |
| CN111354643B (zh) | 存储器的制造方法 | |
| CN112928038B (zh) | 一种检测方法 | |
| CN110687144A (zh) | 一种ped样品及其制备方法 | |
| CN112908882B (zh) | 一种检测方法 | |
| CN113782461B (zh) | 半导体结构的测试方法以及测试样品 | |
| CN109473432A (zh) | 提高flash数据保持能力的工艺方法 | |
| CN109003901B (zh) | 半导体器件的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |