CN111308739B - 光学调制器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种光学调制器，其包括：波导，其由半导体制成，光被输入到波导的一端；以及第一电极，其设置在波导上并与波导的一部分重叠，其中，波导从一端起沿光的传播方向具有第一区域至第三区域，第二区域在传播方向上位于第一区域侧的部分以及第一区域均不与第一电极重叠，第二区域在传播方向上位于第三区域侧的部分以及第三区域与第一电极重叠，第二区域的第二宽度大于第一区域的第一宽度和第三区域的第三宽度。

Description

光学调制器
技术领域
本发明涉及一种光学调制器。
背景技术
开发了一种包括半导体层并调制光的光学调制器(例如，参见M.Yuda,M.Fukudaand H.Miyazawa,Degradation mode in semiconductor optical modulators,ELECTRONICS LETTERS,1995,
September 28th,Vol.31,No.20,pp.1778-1779)。
发明内容
当将光输入到光学调制器并且将电压施加到光学调制器的电极时，光学调制器运行。光学调制器的半导体层吸收光并产生电流。由于光吸收引起的电流，会发生短路击穿(short breakage)。因此，本发明的目的是提供一种能够抑制短路击穿的光学调制器。
根据本发明的一个方面，提供了一种光学调制器，其包括：波导，其由半导体制成，光被输入到波导的一端；以及第一电极，其设置在波导上并与波导的一部分重叠，其中，波导从一端起沿光的传播方向依次具有第一区域、第二区域和第三区域，第二区域在传播方向上位于第一区域侧的部分以及第一区域均不与第一电极重叠，第二区域在传播方向上位于第三区域侧的部分以及第三区域均与第一电极重叠，第一区域具有第一宽度，第二区域具有第二宽度，第三区域具有第三宽度，并且第二宽度大于第一宽度和第三宽度。
附图说明
图1示出了根据第一实施例的光学调制器的波导的平面图；
图2示出了根据第一实施例的光学调制器的平面图；
图3示出了将调制电极周围的部分放大的平面图；
图4A和图4B示出了分支波导周围的剖视图；
图5示出了调制电极及其附近被放大的比较例的平面图；
图6A和图6B示出了比较例的I-V特性；并且
图7A和图7B示出了第一实施例的I-V特性。
具体实施方式
[本发明的实施例的描述]
首先，如下面所列举地那样描述本发明的实施例的主题。
本发明的实施例是：(1)一种光学调制器，其包括：波导，其由半导体制成，光被输入到波导的一端；以及第一电极，其设置在波导上并与波导的一部分重叠，其中，波导从一端起沿光的传播方向依次具有第一区域、第二区域和第三区域，第二区域在传播方向上位于第一区域侧的部分以及第一区域均不与第一电极重叠，第二区域在传播方向上位于第三区域侧的部分以及第三区域均与第一电极重叠，第一区域具有第一宽度，第二区域具有第二宽度，第三区域具有第三宽度，并且第二宽度大于第一宽度和第三宽度。当第二宽度较大时，光的密度降低。并且，由光吸收引起的电流密度降低。因此，降低了由电流引起的热量。并且抑制了电流的增加。因此，抑制了短路击穿。并且，当第三宽度较小时，可以抑制不必要的导模(guided mode)的发生。
(2)波导可以具有沿传播方向在第一区域和第二区域之间的第四区域。波导可以具有沿传播方向在第二区域和第三区域之间的第五区域。第四区域的宽度可以从第一区域侧朝向第二区域侧增加。第五区域的宽度可以从第二区域侧朝向第三区域侧减小。第四区域和第五区域相对于传播方向的倾斜角的正切可以为0.002以上且0.05以下。
当波导的宽度在第四区域和第五区域中逐渐变化时，可以抑制不必要模式的发生和调制效率的降低。
(3)第二宽度可以是第一宽度的两倍以上。在这种情况下，电流密度降低。因此，可以有效地抑制短路击穿。
(4)第二宽度可以是2μm以上且5μm以下。在这种情况下，电流密度降低。因此，可以有效地抑制短路击穿。并且可以抑制不必要的导模的发生。
(5)第三宽度可以等于第一宽度。当第一区域和第三区域具有较小宽度时，可以抑制不必要的导模的发生。
(6)光学调制器还可以包括：基板；第一半导体层，其设置在基板上并具有第一导电类型；芯层，其设置在第一半导体层上；第二半导体层，其设置在芯层上并具有第二导电类型；以及第二电极，其与第一半导体层电连接。第一电极可以与第二半导体层电连接。波导可以包括第一半导体层、芯层和第二半导体层。当在第一电极和第二电极之间施加直流电压时，沿层的堆叠方向产生电场。当芯层吸收在波导中传导的光时，电流在芯层、第一半导体层和第二半导体层中流动。当波导的宽度增大时，电流密度减小。因此，可以抑制短路击穿。
(7)第一半导体层和第二半导体层可以包含磷化铟和铟镓砷。芯层可以包含镓铟砷磷。波导的增大的宽度抑制了层的断裂(breaking)。
[本发明的实施例的细节]
以下，参照附图，对根据本发明的实施例的光学调制器的具体实例进行说明。应当注意，本发明不限于这些实例，而是由权利要求示出，并且意图是所有修改都包括在权利要求的等同形式和权利要求的范围中。
第一实施例
(光学调制器)图1示出了根据第一实施例的光学调制器100的波导的平面图。X轴表示分支波导34a和34b所延伸的方向。Y轴表示分支波导34a和34b(波导)的宽度方向。Z轴表示波导中半导体层的堆叠方向。这些方向彼此垂直。
如图1所示，光学调制器100具有这样的结构：其中在基板10上设置有输入波导31a、输出波导31b、光耦合器32a、光耦合器32b以及马赫-曾德尔光学调制器30。输入波导31a、输出波导31b以及光耦合器32a和32b由台面状波导形成。光耦合器32a和32b是MMI(多模干涉仪)型光耦合器。马赫-曾德尔光学调制器30具有多个台面状波导组合的结构。从输入波导31a输入的光被光耦合器32a分叉。分叉的光穿过马赫-曾德尔光学调制器30，并被光耦合器32b多路复用。多路复用的光从输出波导31b输出。光学调制器100的尺寸例如为10mm×4mm。
马赫-曾德尔光学调制器30具有两个光耦合器33a和33b以及连接在光耦合器33a和33b之间的两个分支波导34a和34b的结构。光耦合器33a和33b以及分支波导34a和34b由台面状波导形成。
光耦合器33a将从输入波导31a输入的光分叉。两个分支波导34a和34b沿X轴方向延伸。由光耦合器33a分叉的分叉光在分支波导34a和34b中从-X侧向+X侧传播。光耦合器33b多路复用在两个分支波导34a和34b中传播的光。光耦合器33a和33b是MMI型光耦合器。例如，在分支波导34a和34b中传播的光是具有基模(fundamental mode)的光。
图2示出了光学调制器100的平面图。在图2中，布线图案用实线表示，并且基于图1说明的波导用细虚线表示。在第一实施例的光学调制器100中，台面状波导被树脂掩埋。
布线图案包括调制电极35、接地电极36和用于相位调节的电极37。调制电极35设置在马赫-曾德尔光学调制器30的分支波导34a和34b上，并且经由连接布线41连接至用于信号的接合盘(焊盘)38。接地电极36设置在分支波导管34a与分支波导管34b之间，并经由连接布线41连接至接地用的接合盘39。用于相位调节的电极37设置在马赫-曾德尔光学调制器30的分支波导34a和34b上，并连接至DC电极盘40。用于相位调节的电极37的位置与调制电极35的位置不同。
当从接合盘38向调制电极35提供高频电信号时，高频(例如20GHz等)电信号在接地电极36和调制电极35之间流动。因此，分支波导34a和34b的衍射指数改变。并且，在分支波导34a和34b中传播的光的相位改变。在分支波导34a和34b中传播的光经受相位调制。并且，从输出波导31b输出经调制的光信号。在直流电压被提供给调制电极35之前，将直流电压叠加在高频电信号上。
当从直流电极盘40向用于相位调节的电极37施加另一直流电压时，分支波导34a和34b的衍射指数偏移给定值。将该另一直流电压设置为一个值(最佳值)，使得在分支波导34a和34b中传播的光由提供给调制电极35的电信号有利地调制。即，用于相位调节的电极37调节分支波导34a和34b中传播的光的相位，使得在分支波导34a和34b中传播的光被有利地调制。两个分支波导34a和34b可以称为分支波导34。
提供给用于相位调节的电极37的直流电压的最佳值取决于分支波导34a和34b之间的光程差。分支波导34a和34b之间的光程差随着在分支波导34a和34b中传播的光的波长而变化。在第一期间(term)，在1530nm至1570nm的波长范围的第一波长的光输入到光学调制器100中。在第二期间，在1530nm至1570nm的波长范围的第二波长的光输入到光学调制器100中。第二期间与第一期间不同。第二波长与第一波长不同。因此，预先制作输入光的波长与所提供的直流电压之间的关系表。在光学调制器100的运行期间，基于该关系表确定直流电压的值。分支波导34a和34b之间的光程差随着分支波导34a和34b之间的温度差而变化。因此，TEC(热电冷却器)将安装在TEC上的光学调制器100的温度保持在恒定温度(例如70℃)。
调制电极35沿X轴方向的长度例如为3mm。在分支波导34a和34b与调制电极35之间开始重叠的、长度范围为几十μm至几百μm的部分称为区域R0。
图3示出了光学调制器100的平面图。在图3中，在图2的区域R0中的调制电极35周围的部分被放大。如图3所示，分支波导34具有区域R1、R2、R3、R4和R5。区域R1至R5从-X侧到+X侧排列。区域R1和R2与调制电极35不重叠。区域R3的在区域R1侧的部分与调制电极35不重叠。区域R3的在区域R5侧的部分与调制电极35重叠。区域R4和区域R5与调制电极35重叠。在图3中，光在波导中从区域R1朝向区域R5传播。
区域R1(第一区域)具有宽度W1(第一宽度)。宽度W1例如为1.5μm。区域R2(第四区域)的宽度从-X侧到+X侧逐渐增大。区域R3(第二区域)具有宽度W2(第二宽度)。宽度W2例如为3μm。区域R4(第五区域)的宽度从-X侧到+X侧逐渐减小。区域R5(第三区域)具有宽度W1。即，分支波导34的宽度在与调制电极35不重叠的区域中较大，而在与调制电极35重叠的区域中较小。调制电极35的边缘设置在区域R3中。
在区域R3和R5中，分支波导34的侧边缘沿X轴方向具有直线形状。区域R3的长度例如为60μm。在区域R2和R4中，分支波导34的侧边缘具有直线形状或曲线形状。区域R2和R4不具有诸如宽度迅速变化的台阶等部分。因此，分支波导34的宽度连续变化。在区域R2和R4中，分支波导34的侧边缘相对于X轴的倾斜角由θ表示。即，从区域R1的后端(+X侧边缘)到区域R3的前端(-X侧边缘)的角度是θ。并且，从区域R3的后端到区域R5的前端的角度是θ。例如，θ为3度以下。角度θ的正切(tanθ)为0.002以上且0.05以下。
图4A和图4B示出了分支波导34周围的剖视图。图4A示出了沿图3的区域R3中的线A-A截取的剖视图。图4B示出了沿图4B的区域R5中的线B-B截取的剖视图。如图4A和图4B所示，下覆层12、下覆层13、芯层14、上覆层16和接触层18依次堆叠在基板10上。
基板10是由半绝缘磷化铟(InP)制成的半导体基板。例如，下覆层12和13由掺杂有硅(Si)的n型InP制成。下覆层12的厚度例如为500nm。下覆层13的厚度例如为800nm。芯层14是厚度为500nm的镓铟砷磷(GaInAsP)并且具有多量子阱(MQW)结构。上覆层16由掺杂有锌(Zn)的p型InP制成。例如，p型InP具有1300nm的厚度。接触层18由掺杂有Zn的p型InGaAs制成。例如，p型InGaAs具有200nm的厚度。
基板10上的化合物半导体层(下覆层12、下覆层13、芯层14、上覆层16和接触层18)形成分支波导34a和34b。从分支波导34a延伸到分支波导34b的下覆层12将分支波导34a和分支波导34b电联接。下覆层13、芯层14、上覆层16和接触层18形成台面部。图3中描述的分支波导34的宽度是台面部在Y轴方向上的宽度。图4A和图4B的层的厚度在区域R3至R5之间彼此相等。可以在未形成调制电极35的区域R1和R2中去除接触层18。
基板10上形成有树脂层20和21以及绝缘膜22、23、24和25。绝缘膜22覆盖基板10的上表面、下覆层12的侧表面和上表面以及分支波导34a和34b的侧表面。绝缘膜22与下覆层13、芯层14和上覆层16各自的侧表面直接接触。树脂层20设置在绝缘膜22的上表面上并且掩埋分支波导34a、34b的侧表面。绝缘膜23设置在树脂层20的上表面上。树脂层21设置在绝缘膜23的上表面上。绝缘膜24设置在树脂层21的上表面上。绝缘膜25设置在绝缘膜24的上表面上。
分支波导34上依次堆叠有欧姆层28、镀层26和布线层27。欧姆层28、镀层26和布线层27用作调制电极35。欧姆层28与接触层18的上表面接触。镀层26与欧姆层28的上表面接触。布线层27与镀层26的上表面接触。
欧姆层28具有这样的结构：厚度为30nm的Pt层、厚度为50nm的Ti层、厚度为50nm的Pt层和厚度为200nm的Au层依次堆叠。欧姆层28的宽度例如为1μm。例如，镀层26和布线层27均是这样金属层(TiW/Pt/Au)：厚度为50nm的钛钨(TiW)层、厚度为50nm的铂(Pt)层、以及厚度为50nm的金(Au)层依次堆叠。镀层26的厚度例如为1μm。布线层27的厚度例如为4μm。
接地电极36设置在分支波导34a和34b之间的下覆层12上。接地电极36包括依次堆叠的n电极36a和电极36b。接地电极36与图2所示的接合盘38电联接。例如，n电极36a由Au、锗(Ge)和镍(Ni)的合金制成并且具有200nm的厚度。电极36b具有这样的结构：厚度为50nm的Ti层、厚度为50nm的Pt层和厚度为900nm的Au层依次堆叠。n电极36a的宽度例如为17μm。电极36b的宽度例如为15μm。
绝缘膜25覆盖绝缘膜24和布线层27。图2中所示的接合盘38和39设置在化合物半导体层的台面部上方。接合盘38和39设置在绝缘膜22的上表面上。
树脂层20和21由BCB(苯并环丁烯)等制成。树脂层20的厚度例如为2.5μm。树脂层21的厚度例如为3.5μm。绝缘膜24是例如具有0.3μm的厚度的二氧化硅(SiO2)膜。绝缘膜22、23和25是具有0.3μm的厚度的氧氮化硅(SiON)膜。
将光输入到分支波导34。在调制电极35和接地电极36之间施加振幅为0.3伏、频率为20GHz的高频电信号。在调制电极35和接地电极36之间，与高频电信号一起施加数伏的负直流电压，即数伏的反向偏置电压。因此，通过电信号和直流电压来进行光的调制。
接地电极36与作为n型半导体层的下覆层12接触。下覆层12和13设置在芯层14的下方。调制电极35与作为p型半导体层的接触层18接触。接触层18和上覆层16设置在芯层14上。因此，当在电极35与电极36之间施加反向电压时，产生了电场并且电场沿Z轴方向施加至芯层14。
当芯层14吸收光时，芯层14产生一对电子和空穴。这些载流子根据电场流向+Z侧或-Z侧。因此，电流沿Z轴方向在分支波导34中流动。当电流的密度(电流密度)较大时，分支波导34中可能会发生短路击穿。
在第一实施例中，如图3至图4B所示，分支波导34的区域R3的宽度W2大于分支波导34的其他区域(例如区域R1)的宽度。因此，分支波导34中光的功率密度在区域R3中比在区域R1中小。由于在分支波导34中产生的电流密度取决于光的功率密度，因此降低了区域R3中的电流密度。另外，由于电流密度与分支波导34的宽度成反比，因此也降低了电流密度。在这种情况下，抑制了短路击穿。如图4B所示，区域R5中分支波导34的宽度比区域R3中的窄。尽管分支波导34的宽度较小，但是光的功率密度足够小从而避免在区域R5中的短路击穿。这是因为光由于区域R3和R4中芯层14中的吸收而变弱。在区域R5中分支波导34的较小宽度是优选的，以避免产生不必要的模式。
(测量结果)对于第一实施例和比较例，测量了光学调制器的I-V特性(电流-电压)。除了分支波导34的宽度以外，比较例的光学调制器与第一实施例的光学调制器相同。图5示出了比较例的平面图，其中调制电极35及其附近被放大。如图5所示，在比较例中，分支波导34的宽度是W1，其是恒定值。在第一实施例和比较例中，材料和尺寸为如上所述的。
图6A和图6B示出了比较例的I-V特性。图7A和图7B示出了第一实施例的I-V特性。横轴表示施加在调制电极35和接地电极36之间的电压。纵轴表示在电极之间流动的电流。
在图6A和图7A的测量中，将具有1.57μm的波长并且具有恒定的光学强度的光输入到分支波导34中，在电极之间施加反向偏置电压，并且测量I-V特性。在图6A和图7A的测量之后，将IQ调制的经调制信号(IQ调制)输入到光学调制器中，而不将光输入到光学调制器中，并测量I-V特性。图6B和图7B示出了在不输入光的情况下的I-V特性。
如图6A所示，在比较例中，在-20V附近电流中存在不连续点，并且电流从大约-3000μA迅速变为大约-5000μA。根据该结果，认为在–20V的反向偏置电压下可能发生了短路击穿。如图6B所示，在图6A的测量之后，当将反向电压施加到光学调制器时，电流流动。即，I-V特性不显示整流特性。根据该结果，认为因为在图6A的测量中由于输入光而产生的电流，所以比较例的光学调制器引起短路击穿。
认为在比较例中发生了以下现象。当芯层14吸收光时，电流在分支波导34中流动并且产生热量。当产生热量时，芯层14的光吸收系数增加并且电流增加。因此，产生了更多的热量和更大的电流。通过正反馈，电流迅速增加，芯层14发生短路击穿。
如图7A所示，在第一实施例中，电流与反向偏置电压从0V到-30V的变化一起沿曲线连续变化。因此，认为不会发生短路击穿。如图7B所示，在第一实施例中，当施加正向电压时，电流流动。当施加反向电压时，电流不流动。即，I-V特性具有整流特性。因此，第一实施例的光学调制器100不会引起在图6A的测量中的短路击穿。
在第一实施例中，如图3所示，分支波导34具有区域R1至R5。区域R3的在区域R1侧的部分和区域R1与调制电极35不重叠。区域R1具有宽度W1。区域R3的宽度W2大于W1。因此，降低了光密度和由光吸收引起的电流密度。当电流密度降低时，发热被抑制。并且，抑制了芯层14的光吸收系数的增加。因此，电流不增加，并且短路击穿被抑制。
当分支波导34的区域R1至R3采用宽度W2时，可以抑制短路击穿。但是，趋向于生成不必要的光学导模，例如高阶模式。被引导的高阶模式相互干扰。在这种情况下，光的输出强度波动。并且可能降低调制效率。在第一实施例中，在分支波导34中，与调制电极35重叠的区域R5的宽度W1小于宽度W2。因此，可以抑制不必要的导模的发生。并且可以抑制光输出强度的波动和调制效率的降低。
当减小光的输入强度和/或直流电压时，可以抑制短路击穿。然而，在这种情况下，为了获得具有高强度的输出光，需要诸如光学放大器等额外设备，从而导致包括光学调制器100和放大器的模块封装的尺寸增大。因此，优选将具有大的强度的光输入到光学调制器。当调制电极35上的直流电压太低时，难以获得优选的光学调制特性。因此，施加给定电压以实现调制的目的。在第一实施例中，随着分支波导34的宽度在调制电极35的边缘之前、在区域R2中变大，短路击穿被抑制。因此，不一定必须要减小光学强度和电压。并且可以调制具有较大强度的光。
在区域R1与区域R3之间的区域R2中，宽度逐渐增加。在区域R3与区域R5之间的区域R4中，宽度逐渐减小。区域R2和区域R4相对于X轴方向的倾斜角度为θ。例如，θ为3度以下。即，角度θ的正切(tanθ)为0.002以上且0.05以下。当tanθ为0.05以下时，宽度不会迅速变化。在区域R2和区域R4中宽度连续且缓慢地变化。因此，可以抑制不必要模式的激发。当tanθ为0.002以上时，宽度发生变化的区域R2和区域R4较短。宽度大于W1的区域较短。分支波导34的大部分(例如80％以上或90％以上)具有宽度W1。因此，可以抑制调制效率的降低。
优选的是，宽度W2是宽度W1的两倍以上。宽度W2可以是宽度W1的2.5倍。宽度W2可以是宽度W1的3倍。宽度W2越大，电流密度越低。因此，可以有效地抑制短路击穿。当宽度W2较大时，发生不必要的导模。出于抑制短路击穿并抑制不必要的导模的目的，宽度W2例如为2μm以上且5μm以下。
区域R1和区域R5具有共同的宽度W1。换言之，分支波导34的除了区域R2至R4之外的部分具有宽度W1。分支波导34的大部分比区域R3窄。因此，抑制了不必要的导模。可以传播具有期望模式(诸如基模)的光。区域R1的宽度和区域R5的宽度可以小于宽度W2。此外，区域R1的宽度可以不同于区域R5的宽度。
下覆层12、下覆层13、芯层14、上覆层16和接触层18设置在基板10上。下覆层12和下覆层13是n型层并且与接地电极36电连接。上覆层16和接触层18是p型层并且与调制电极35电连接。电场沿Z轴方向施加到芯层14上。因此，由光吸收引起的电流沿Z轴方向流动。当分支波导34在与Z轴方向相交的方向(Y轴方向)上的宽度从W1增大到W2时，电流密度降低。因此，可以抑制短路击穿。特别地，优选改变沿垂直于电场的方向的宽度。接地电极36与下覆层12的上表面接触。然而，接地电极36可以设置在另一个位置上，诸如基板10的下表面上。当在分支波导34中发生沿Z轴方向的电场时，接地电极36的位置不受限制。
如图4A和图4B所示，分支波导34的宽度沿Z轴方向从下覆层13到接触层18是恒定的。因此，电场在宽度方向上基本恒定不变。换言之，除了分支波导34的侧面附近的区域可能由于表面状态而使电场稍微改变以外，在宽度方向上的电场是恒定不变的。当分支波导34的宽度在W1和W2之间变化时，电流密度可以减小。调制电极35和接地电极36的宽度可以不必改变。
下覆层12和下覆层13由n型InP制成。上覆层16由p型InP制成。接触层18由p型InGaAs制成。芯层由GaInAsP制成。当电流增加时，这些层可能会熔化，从而导致短路击穿。特别地，包含P的层的熔点低于不包含P的其他层的熔点。包含P的层比不包含P的其他层更容易损坏。在第一实施例中，可以抑制上述化合物半导体层的短路击穿。分支波导34的层可以由诸如AlInAs或AlGaInAs的其他化合物半导体制成。
在第一实施例中，如图3所示，相比于分支波导34与调制电极35重叠的另一部分相比，分支波导34在前侧(-X侧)的部分具有较大的宽度。并且分支波导34在调制电极35下方具有较小的宽度。将直流电压施加到图2所示的用于相位调节的电极37，以及调制电极35上。因此，电极37下方的分支波导34吸收光并产生电流。为了抑制短路击穿，分支波导34的宽度在与用于相位调节的电极37重叠之前可以较大，而在用于相位调节的电极37下方可以较小。
位置越靠近输入端(输入波导31a的端部)，则光的强度越大。强度从+X侧到–X侧减小。更有效的是将第一实施例应用于光学强度较大的调制电极35附近。在两个分支波导34彼此接合的部分中，光学强度提高。因此，与接合位置相比，将第一实施例应用于分支波导34的后面部分(latter part)是有效的。

Claims (9)

1.一种光学调制器，包括：
波导，其由半导体制成，光被输入到所述波导的一端，所述波导包括第一分支波导和第二分支波导；以及
第一电极，其设置在所述第一分支波导和所述第二分支波导中的每一个上，并且与所述第一分支波导和所述第二分支波导重叠，
其中，所述第一分支波导和所述第二分支波导中的每一个从所述一端起沿所述光的传播方向依次具有第一区域、第二区域和第三区域，
所述第二区域在所述传播方向上位于所述第一区域侧的部分以及所述第一区域均不与所述第一电极重叠，
所述第二区域在所述传播方向上位于所述第三区域侧的部分以及所述第三区域均与所述第一电极重叠，
所述第一区域具有第一宽度，
所述第二区域具有第二宽度，
所述第三区域具有第三宽度，
所述第二宽度大于所述第一宽度和所述第三宽度。
2.根据权利要求1所述的光学调制器，其中，所述波导具有沿所述传播方向在所述第一区域和所述第二区域之间的第四区域，
所述波导具有沿所述传播方向在所述第二区域和所述第三区域之间的第五区域，
所述第四区域的宽度从所述第一区域侧朝向所述第二区域侧增加，
所述第五区域的宽度从所述第二区域侧朝向所述第三区域侧减小，
所述第四区域和所述第五区域相对于所述传播方向的倾斜角的正切为0.002以上且0.05以下。
3.根据权利要求1或2所述的光学调制器，其中，所述第二宽度为所述第一宽度的两倍以上。
4.根据权利要求1所述的光学调制器，其中，所述第二宽度为2μm以上且5μm以下。
5.根据权利要求1所述的光学调制器，其中，所述第三宽度等于所述第一宽度。
6.根据权利要求1所述的光学调制器，还包括：
基板；
第一半导体层，其设置在所述基板上并具有第一导电类型；
芯层，其设置在所述第一半导体层上；
第二半导体层，其设置在所述芯层上并具有第二导电类型；以及
第二电极，其与所述第一半导体层电连接，
其中，所述第一电极与所述第二半导体层电连接，
所述波导包括所述第一半导体层、所述芯层和所述第二半导体层。
7.根据权利要求6所述的光学调制器，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层包含磷化铟和铟镓砷，
所述波导包含镓铟砷磷。
8.根据权利要求6所述的光学调制器，其中，所述波导的宽度在从所述第一半导体层到所述第二半导体层的方向上是恒定的。
9.根据权利要求1所述的光学调制器，其中，所述波导包括输入波导、第一光耦合器和第二光耦合器，
所述第一光耦合器将从所述输入波导输入的光分叉到所述第一分支波导和所述第二分支波导中，
所述第二光耦合器多路复用在所述第一分支波导和所述第二分支波导中传播的所述光。
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