CN111293160B - 一种显示面板、其制备方法以及显示装置 - Google Patents
一种显示面板、其制备方法以及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111293160B CN111293160B CN202010127407.6A CN202010127407A CN111293160B CN 111293160 B CN111293160 B CN 111293160B CN 202010127407 A CN202010127407 A CN 202010127407A CN 111293160 B CN111293160 B CN 111293160B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- planarization
- layer
- display panel
- blocks
- block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 7
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示面板、其制备方法以及显示装置。所述显示面板包括衬底层、位于所述衬底层上的薄膜晶体管层、位于所述薄膜晶体管层上且阵列分布的平坦化区块、位于所述平坦化区块的间隙内的像素定义层。由于相邻的平坦化区块之间具有一定的间隙,从而使得平坦化区块可达到较高的平坦度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、其制备方法以及显示装置。
背景技术
现有技术的显示面板,采用喷墨打印的技术形成像素电极,其中,喷墨打印的墨水打印到像素区是流动的,为获得均匀良好的铺展性,重要的影响因素之一是像素区基底的平坦度,即最大段差越小越好。然而,薄膜晶体管制作完成后形成高低不一的非均一表面,目前使用平坦化层来填平薄膜晶体管的非均一表面。若是平坦化层还不能达到显示面板对平坦能力的要求,往往会形成墨水烘干后膜厚不均的情况,将对整个器件的发光效果产生影响。
现有技术通过增加平坦化层的膜厚来加强其平坦能力,但是当底部落差达到一定程度时,平坦化层增加至很厚也未能达到要求;其次过厚的平坦化层物料消耗高、成膜后有脱膜风险,对平坦化层的后续开孔工艺增加困难,过深的开孔也会对其后成膜沉积造成爬坡断线等风险。故,有必要改善这一缺陷。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板,用于解决现有技术的显示面板,采用喷墨打印技术形成像素电极,由于薄膜晶体管制作完成后形成高低不一的非平坦表面,导致最大段差过大,若通过增加平坦化层的膜厚来加强其平坦能力,会导致平坦化层物料消耗高、成膜后有脱膜风险,对平坦化层的后续开孔工艺增加困难,过深的开孔也会对在其后成膜的膜层沉积造成爬坡断线等风险的技术问题。
本发明实施例提供一种显示面板,包括衬底层、位于所述衬底层上的薄膜晶体管层、位于所述薄膜晶体管层上且阵列分布的平坦化区块、位于所述平坦化区块的间隙内的像素定义层、位于所述平坦化区块上的像素电极层、位于所述像素电极层上的有机发光层、以及位于所述像素定义层和所述有机发光层上的公共电极层。
进一步的,所述平坦化区块的材料为有机感光材料。
进一步的,所述平坦化区块的高度范围为大于0且小于或者等于3微米。
进一步的,所述像素定义层的高度大于所述平坦化区块的高度。
本发明实施例提供一种显示面板的制备方法,包括步骤:提供一衬底层;在所述衬底层上制备薄膜晶体管层;在所述薄膜晶体管层上整面涂布平坦化材料;将所述平坦化材料图案化,形成阵列分布的平坦化区块;在所述平坦化区块的间隙内制备像素定义层;在所述平坦化区块上制备像素电极层;在所述像素电极层上制备有机发光层;在所述像素定义层和所述有机发光层上制备公共电极层。
进一步的,所述将所述平坦化材料图案化,形成阵列分布的平坦化区块的步骤具体包括:在所述平坦化材料上涂布一层光阻进行曝光、显影,蚀刻形成图案化的平坦化区块;将所述图案化的平坦化区块进行烘烤、流平、固化,形成阵列分布的平坦化区块。
进一步的,所述平坦化材料为有机感光材料。
进一步的,所述平坦化区块的高度范围为大于0且小于或者等于3微米。
进一步的,所述像素定义层的高度大于所述平坦化区块的高度。
本发明实施例提供一种显示装置,包括上述的显示面板。
有益效果:本发明实施例提供的一种显示面板,通过将平坦化层设置为阵列分布的平坦化区块,将平坦化区块设置在需求较高平坦度的喷墨打印区,由于相邻的平坦化区块之间具有一定的间隙,从而使得平坦化区块在烘烤、流平时的应力得以充分的释放,提高其流平效率,可达到较高的平坦度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的显示面板的基本结构示意图。
图2是本发明实施例提供的显示面板的制备方法流程图。
图3a~3f是本发明实施例提供的显示面板的制备工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,本发明实施例提供的显示面板的基本结构示意图,从图中可以很直观地看到本发明的各组成部分,以及各组成部分之间的相对位置关系,所述显示面板包括衬底层101、位于所述衬底层101上的薄膜晶体管层102、位于所述薄膜晶体管层102上且阵列分布的平坦化区块103、位于所述平坦化区块103的间隙内的像素定义层104、位于所述平坦化区块103上的像素电极层105、位于所述像素电极层105上的有机发光层106、以及位于所述像素定义层104和所述有机发光层106上的公共电极层107。其中,所述平坦化区块103的宽度W1大于所述显示面板的子像素的发光区的宽度W2。
需要说明的是,显示面板的单个子像素之间具有一定的间隔,本发明实施例通过将整面型的平坦化层区块化,且平坦化区块的宽度W1大于所述显示面板的子像素的发光区的宽度W2,通过制造平坦化区块之间的间隙来释放平坦化材料烘烤流平时所带来的应力,从而提高平坦化材料的流平效率,可达到较高的平坦性。
需要说明的是,本发明实施例所提供的阵列分布的平坦化区块是设置于显示面板的发光区,即像素电极材料的喷墨打印区,且平坦化区块的宽度W1大于显示面板的发光区的宽度W2,能满足显示面板对像素区基底的平坦度要求,不会造成像素区基底的段差较大,不会影响显示面板的发光效果。
在一种实施例中,所述平坦化区块103的材料为有机感光材料。具体地,有机感光材料指的是一种具有光敏特性的半导体材料,其在无光的状态下呈绝缘性,在有光的状态下呈导电性。
在一种实施例中,所述平坦化区块103的高度范围为大于0且小于或者等于3微米。本发明实施例不用额外增加平坦化区块的膜厚,可以节约生产成本,且可以避免成膜后脱模的风险,也不会对平坦化区块后续的开孔工艺造成影响,不会出现爬坡断线的问题。
在一种实施例中,所述像素定义层104的高度大于所述平坦化区块103的高度。本发明实施例通过设置阵列分布的平坦化区块,在平坦化区块的间隙中制备高/窄的像素定义层结构,可节省较多像素定义层的膜材,同时制作方法简便,可用于透明显示等打印产品。
如图2所示,本发明实施例提供的显示面板的制备方法流程图,所述制备方法包括步骤:
S201、提供一衬底层;
S202、在所述衬底层上制备薄膜晶体管层;
S203、在所述薄膜晶体管层上整面涂布平坦化材料;
S204、将所述平坦化材料图案化,形成阵列分布的平坦化区块;
S205、在所述平坦化区块的间隙内制备像素定义层;
S206、在所述平坦化区块上制备像素电极层;
S207、在所述像素电极层上制备有机发光层;
S208、在所述像素定义层和所述有机发光层上制备公共电极层。
在一种实施例中,所述步骤S204中的将所述平坦化材料图案化,形成阵列分布的平坦化区块的步骤具体包括:
S2041、在所述平坦化材料上涂布一层光阻进行曝光、显影,蚀刻形成图案化的平坦化区块;
S2042、将所述图案化的平坦化区块进行烘烤、流平、固化,形成阵列分布的平坦化区块。
需要说明的是,本发明实施例通过将整面型的平坦化层区块化,通过制造平坦化区块之间的间隙来释放平坦化材料烘烤流平时所带来的应力,从而提高平坦化材料的流平效率,可达到较高的平坦性。
在一种实施例中,所述平坦化材料为有机感光材料。具体地,有机感光材料指的是一种具有光敏特性的半导体材料,其在无光的状态下呈绝缘性,在有光的状态下呈导电性。
在一种实施例中,所述平坦化区块的高度范围为大于0且小于或者等于3微米。本发明实施例不用额外增加平坦化区块的膜厚,可以节约生产成本,且可以避免成膜后脱模的风险,也不会对平坦化区块后续的开孔工艺造成影响,不会出现爬坡断线的问题。
在一种实施例中,所述像素定义层的高度大于所述平坦化区块的高度。本发明实施例通过设置阵列分布的平坦化区块,在平坦化区块的间隙中制备高/窄的像素定义层结构,可节省较多像素定义层的膜材,同时制作方法简便,可用于透明显示等打印产品。
如图3a~3f所示,本发明实施例提供的显示面板的制备工艺流程图,首先在衬底层301上制备薄膜晶体管层302,由于制备好的薄膜晶体管层302在发光区有部分凹凸不平,需要进行平坦化。平坦化的步骤包括:首先整面涂布一层平坦化材料303,在一些实施例中,所述平坦化材料303为有机感光材料;接下来进行黄光制程,对平坦化材料303进行挖孔的同时将平坦化材料图案化,形成图案化的平坦化区块304,其中,挖孔的作用是实现像素电极层307与薄膜晶体管层302的连接,图案化的平坦化区块304在发光区仍然凹凸不平;接下来对图案化的平坦化区块304进行烘烤、流平,由于图案化的平坦化区块304之间存在一定的间隔,在流平的过程中可以缓解一部分应力,可以提高流平效率,从而提高了发光区的平坦度;流平后进行固化,形成阵列分布的平坦化区块305。
接下来,在阵列分布的平坦化区块305的间隙之间制备像素定义层306,然后在阵列分布的平坦化区块305上制备像素电极层307,其中,像素电极层307使用喷墨打印工艺制备,喷墨打印的墨水在阵列分布的平坦化区块305上可以流平,不会产生膜厚不均的现象;最后在像素电极层307上制备有机发光层308,在像素定义层306和有机发光层308上制备公共电极层309,制得所述显示面板。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述的显示面板。本发明实施例提供的显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
综上所述,本发明实施例提供的一种显示面板,通过将平坦化层设置为阵列分布的平坦化区块,将平坦化区块设置在需求较高平坦度的喷墨打印区,由于相邻的平坦化区块之间具有一定的间隙,从而使得平坦化区块在烘烤、流平时的应力得以充分的释放,提高其流平效率,可达到较高的平坦度,解决了现有技术的显示面板,采用喷墨打印技术形成像素电极,由于薄膜晶体管制作完成后形成高低不一的非平坦表面,导致最大段差过大,若通过增加平坦化层的膜厚来加强其平坦能力,会导致平坦化层物料消耗高、成膜后有脱膜风险,对平坦化层的后续开孔工艺增加困难,过深的开孔也会对在其后成膜的膜层沉积造成爬坡断线等风险的技术问题。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板、其制备方法以及显示装置进行了详细介绍。应理解,本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的,用于帮助理解本发明的方法及其核心思想,而并不用于限制本发明。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底层、位于所述衬底层上的薄膜晶体管层、位于所述薄膜晶体管层远离所述衬底层的一侧表面且阵列分布的平坦化区块、位于所述平坦化区块的间隙内的像素定义层、位于所述平坦化区块上的像素电极层、位于所述像素电极层上的有机发光层、以及位于所述像素定义层和所述有机发光层上的公共电极层。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述平坦化区块的材料为有机感光材料。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述平坦化区块的高度范围为大于0且小于或者等于3微米。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层的高度大于所述平坦化区块的高度。
5.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供一衬底层;
在所述衬底层上制备薄膜晶体管层;
在所述薄膜晶体管层远离所述衬底层的一侧表面整面涂布平坦化材料;
将所述平坦化材料图案化,形成阵列分布的平坦化区块;
在所述平坦化区块的间隙内制备像素定义层;
在所述平坦化区块上制备像素电极层;
在所述像素电极层上制备有机发光层;
在所述像素定义层和所述有机发光层上制备公共电极层。
6.如权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述将所述平坦化材料图案化,形成阵列分布的平坦化区块的步骤具体包括:
在所述平坦化材料上涂布一层光阻进行曝光、显影,蚀刻形成图案化的平坦化区块;
将所述图案化的平坦化区块进行烘烤、流平、固化,形成阵列分布的平坦化区块。
7.如权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述平坦化材料为有机感光材料。
8.如权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述平坦化区块的高度范围为大于0且小于或者等于3微米。
9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述像素定义层的高度大于所述平坦化区块的高度。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至4任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010127407.6A CN111293160B (zh) | 2020-02-28 | 2020-02-28 | 一种显示面板、其制备方法以及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010127407.6A CN111293160B (zh) | 2020-02-28 | 2020-02-28 | 一种显示面板、其制备方法以及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111293160A CN111293160A (zh) | 2020-06-16 |
CN111293160B true CN111293160B (zh) | 2022-12-06 |
Family
ID=71020575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010127407.6A Active CN111293160B (zh) | 2020-02-28 | 2020-02-28 | 一种显示面板、其制备方法以及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111293160B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108346685A (zh) * | 2018-02-12 | 2018-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN109346502A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-02-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种woled背板及其制备方法 |
CN110098219A (zh) * | 2018-04-24 | 2019-08-06 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素结构及其制备方法 |
-
2020
- 2020-02-28 CN CN202010127407.6A patent/CN111293160B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108346685A (zh) * | 2018-02-12 | 2018-07-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN110098219A (zh) * | 2018-04-24 | 2019-08-06 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素结构及其制备方法 |
CN109346502A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-02-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种woled背板及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111293160A (zh) | 2020-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109585688B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
TWI622161B (zh) | 高解析度有機發光二極體裝置、顯示器及相關方法 | |
CN107591432B (zh) | 像素界定层、显示基板及制造方法、显示装置 | |
US10497764B2 (en) | Substrate, method of preparing the same, and display device | |
WO2020199651A1 (en) | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate | |
CN111146215B (zh) | 一种阵列基板、其制作方法及显示装置 | |
CN108899349B (zh) | 显示面板及其制造方法和显示装置 | |
US20220271258A1 (en) | Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate | |
CN109920825B (zh) | 像素界定结构及其制作方法、显示面板及显示装置 | |
CN111987136B (zh) | Oled显示面板及其制备方法 | |
CN105826355A (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN104952905A (zh) | 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置 | |
EP3719843A1 (en) | Pixel defining layer, display substrate, display device and inkjet printing method | |
CN113141779A (zh) | 显示基板及其制作方法和显示装置 | |
WO2020164317A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | |
US20210399067A1 (en) | Display Substrate and Manufacturing Method Thereof, Display Device, and Inkjet Printing Method | |
EP3767680B1 (en) | Display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus | |
CN101960369B (zh) | 显示面板、阵列基板、滤色器基板以及显示面板的制造方法 | |
CN111293160B (zh) | 一种显示面板、其制备方法以及显示装置 | |
US20140055878A1 (en) | Display device, color filter substrate and method for manufacturing the same | |
CN109390278B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
CN111146255B (zh) | 显示面板、显示面板的制备方法和显示装置 | |
CN109817692B (zh) | 像素界定层、彩色滤光膜及制造方法、自发光显示面板 | |
US11011591B2 (en) | Organic light emitting diode display panel and method for fabricating same | |
CN111490072B (zh) | 显示器件及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |