CN111276392B - 一种固相键合装置及一种固相键合方法 - Google Patents

一种固相键合装置及一种固相键合方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111276392B
CN111276392B CN201811474585.5A CN201811474585A CN111276392B CN 111276392 B CN111276392 B CN 111276392B CN 201811474585 A CN201811474585 A CN 201811474585A CN 111276392 B CN111276392 B CN 111276392B
Authority
CN
China
Prior art keywords
bonded
sample
base
plate
facing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811474585.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111276392A (zh
Inventor
王英辉
陈诚
陆阳婷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Microelectronics Technology Research Institute
Original Assignee
Kunshan Microelectronics Technology Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan Microelectronics Technology Research Institute filed Critical Kunshan Microelectronics Technology Research Institute
Priority to CN201811474585.5A priority Critical patent/CN111276392B/zh
Publication of CN111276392A publication Critical patent/CN111276392A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111276392B publication Critical patent/CN111276392B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H01L21/187Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

本发明公开了一种固相键合装置,包括相对设置的底座和凸块板,凸块板通过加压部件会向底座移动,底座朝向凸块板表面依次设置第一待键合样品以及第二待键合样品;凸块板朝向底座一侧表面为凸起的弧面。当凸块板弧面的顶点与第二待键合样品接触并施加压力时,凸块板会发生形变,从而造成第二待键合样品翘曲。但是由于凸块板朝向底座一侧表面为凸起的弧面,当凸块板的顶点与第二待键合样品接触时,在凸块板与第二待键合样品之间的接触点向边沿延伸的区域具有可以容纳第二待键合样品发生形变的空间,从而实现第二待键合样品与第一待键合样品之间相互完全键合。本发明还提供了一种固相键合方法,同样具有上述有益效果。

Description

一种固相键合装置及一种固相键合方法
技术领域
本发明涉及先进制造技术领域,特别是涉及一种固相键合装置及一种固相键合方法。
背景技术
固相键合是先进制造技术上的一项关键技术,在半导体、精密仪器、电子制造、航空航天等领域中存在着广泛的应用。常用的固相键合技术有粘结键合、阳极氧化键合、共晶键合等。其中,固相直接键合技术,不需要使用额外粘结材料或焊料就能将经过抛光的两面直接键合在一起,具有结构特性稳定、可靠性高、工艺简单等优点。然而,针对大尺寸的键合部件,在键合过程中容易出现中间或边缘键合不充分的情形。目前业界迫切需要一个有效的解决方案。
发明内容
本发明的目的是提供一种固相键合装置,可以使大尺寸的键合部件相互完全键合;本发明的另一目的在于提供一种固相键合方法,可以使大尺寸的键合部件相互完全键合。
为解决上述技术问题,本发明提供一种固相键合装置,包括底座、凸块板和加压部件;
所述底座与所述凸块板相对设置,所述底座朝向所述凸块板一侧表面用于设置第一待键合样品以及位于所述第一待键合样品朝向所述凸块板一侧表面的第二待键合样品;所述凸块板朝向所述底座一侧表面为凸起的弧面,所述底座表面对应所述第二待键合样品的区域与所述凸块板朝向所述底座一侧表面的顶点相对应;
所述凸块板与所述加压部件相接触,所述加压部件用于驱动所述凸块板向所述底座移动。
可选的,所述底座表面对应所述第二待键合样品中心的区域与所述凸块板朝向所述底座一侧表面的顶点相对应。
可选的,所述凸块板朝向所述底座一侧表面的顶点位于所述凸块板朝向所述底座一侧表面的中心。
可选的,所述凸块板朝向所述底座一侧表面的顶点与所述凸块板朝向所述底座一侧表面的边沿之间的高度差的取值范围为0.3mm至3mm,包括端点值。
可选的,所述固相键合装置还包括外壳体和位于所述外壳体内的加热部件;
所述底座和所述凸块板位于所述外壳体内,所述加热部件用于将所述外壳体内空间温度加热至预设温度。
本发明还提供了一种固相键合方法,包括:
将第一待键合样品置于固相键合装置的底座朝向凸块板一侧表面,并将第二待键合样品置于所述第一待键合样品背向所述底座一侧表面;其中,所述固相键合装置包括所述底座、所述凸块板和加压部件;所述底座与所述凸块板相对设置,所述凸块板朝向所述底座一侧表面为凸起的弧面,所述底座表面对应所述第二待键合样品的区域与所述凸块板朝向所述底座一侧表面的顶点相对应;
通过所述加压部件驱动所述凸块板向所述底座移动,以在所述第一待键合样品与所述第二待键合样品之间施加预设压强,至所述第一待键合样品晶圆与所述第二待键合样品相互键合;其中,所述凸块板与所述加压部件相接触。
可选的,所述通过所述加压部件驱动所述凸块板向所述底座移动包括:
通过所述加压部件驱动所述凸块板朝向所述底座一侧表面的顶点向所述第二待键合样品朝向所述凸块板一侧表面的中心移动。
可选的,所述通过所述加压部件驱动所述凸块板朝向所述底座移动,以在所述第一待键合样品与所述第二待键合样品之间施加预设压强包括:
通过所述加压部件驱动所述凸块板朝向所述底座移动,以在所述第一待键合样品与所述第二待键合样品之间施加预设压强;其中,所述预设压强的取值范围为5MPa至50MPa,包括端点值。
可选的,在所述将第一待键合样品置于固相键合装置的底座朝向凸块板一侧表面,并将第二待键合样品置于所述第二待键合样品背向所述底座一侧表面之后,所述方法还包括:
通过加热部件加热所述第一待键合样品和所述第二待键合样品至预设温度;其中,所述固相键合装置还包括外壳体和位于所述外壳体内的加热部件,所述底座和所述凸块板位于所述外壳体内。
可选的,所述通过加热部件加热所述第一待键合样品和所述第二待键合样品至预设温度包括:
通过加热部件加热所述第一待键合样品和所述第二待键合样品至预设温度;其中,所述预设温度的取值范围为20℃至400℃,包括端点值。
本发明所提供的一种固相键合装置,包括相对设置的底座和凸块板,凸块板通过加压部件会向底座移动,底座朝向凸块板表面依次设置第一待键合样品以及第二待键合样品;凸块板朝向底座一侧表面为凸起的弧面。当凸块板弧面的顶点与第二待键合样品接触并施加压力时,凸块板会发生形变,通常是第二待键合样品中越远离第二待键合样品与凸块板相接触的区域,其形变量越大,从而造成第二待键合样品翘曲。但是由于凸块板朝向底座一侧表面为凸起的弧面,当凸块板的顶点与第二待键合样品接触时,在凸块板与第二待键合样品之间的接触点向边沿延伸的区域具有可以容纳第二待键合样品发生形变的空间,从而保证第二待键合样品与第一待键合样品之间可以完全接触,从而实现第二待键合样品与第一待键合样品之间相互完全键合。
本发明还提供了一种固相键合方法,同样具有上述有益效果,在此不再进行赘述。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的一种固相键合装置的结构示意图;
图2为图1中凸块板的结构示意图;
图3为本发明实施例所提供的一种具体的固相键合装置的结构示意图;
图4与图5为本发明实施例所提供的一种固相键合方法的工艺流程图;
图6为本发明实施例所提供的一种具体的固相键合方法的流程图。
图中:1.底座、2.凸块板、31.第一待键合样品、32.第二待键合样品、4.加压部件、5.外壳体、6.加热部件。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种固相键合装置。在现有技术中,将两个待键合样品直接键合时,由于施加压力,会使得键合样品发生形变而造成待键合样品翘曲。当待键合样品翘曲时会使得两个待键合样品之间无法完全接触,从而在键合过程中容易出现中间或边缘键合不充分的情形。
而本发明所提供的一种固相键合装置,包括相对设置的底座和凸块板,凸块板通过加压部件会向底座移动,底座朝向凸块板表面依次设置第一待键合样品以及第二待键合样品;凸块板朝向底座一侧表面为凸起的弧面。当凸块板弧面的顶点与第二待键合样品接触并施加压力时,凸块板会发生形变,通常是第二待键合样品中越远离第二待键合样品与凸块板相接触的区域,其形变量越大,从而造成第二待键合样品翘曲。但是由于凸块板朝向底座一侧表面为凸起的弧面,当凸块板的顶点与第二待键合样品接触时,在凸块板与第二待键合样品之间的接触点向边沿延伸的区域具有可以容纳第二待键合样品发生形变的空间,从而保证第二待键合样品与第一待键合样品之间可以完全接触,从而实现第二待键合样品与第一待键合样品之间相互完全键合。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参考图1与图2,图1为本发明实施例所提供的一种固相键合装置的结构示意图;图2为图1中凸块板的结构示意图。
参见图1,在本发明实施例中,所述固相键合装置包括底座1、凸块板2和加压部件4;所述底座1与所述凸块板2相对设置,所述底座1朝向所述凸块板2一侧表面用于设置第一待键合样品以及位于所述第一待键合样品31朝向所述凸块板2一侧表面的第二待键合样品32;所述凸块板2朝向所述底座1一侧表面为凸起的弧面,所述底座1表面对应所述第二待键合样品32的区域与所述凸块板2朝向所述底座1一侧表面的顶点相对应;所述凸块板2与所述加压部件4相接触,所述加压部件4用于驱动所述凸块板2向所述底座1移动。
上述底座1与凸块板2需要相对设置。通常情况下,凸块板2位于底座1的正上方,其中底座1的上表面用于设置第一待键合样品31,而第二待键合样品32通常放置于第一待键合样品31背向底座1一侧表面,即第一待键合样品31的上表面。通常情况下,要求底座1朝向凸块板2一侧表面为平整表面,不能具有明显的凸起,以防止在对第一待键合样品31以及第二待键合样品32施加压力时损坏第一待键合样品31。
上述凸块板2用于在键合时与第二待键合样品32直接接触并向第二待键合样品32施加一定的压力。在本发明实施例中,所述凸块板2朝向所述底座1一侧表面为凸起的弧面,即凸块板2朝向底座1一侧表面具有一个凸起的顶点;可以理解的是,该顶点通常不位于凸块板2朝向底座1一侧表面的边沿处,该表面的边沿通常为该表面的最低点,使得凸块板2朝向底座1一侧表面的顶点与该凸块板2朝向底座1一侧表面的边沿之间具有一定的高度差。
通常情况下,在本发明实施例中,所述底座1表面对应所述第二待键合样品32的区域与所述凸块板2朝向所述底座1一侧表面的顶点相对应,即在本发明实施例中当凸块板2对第二待键合样品32施加压力时,具体是凸块板2朝向底座1一侧表面的顶点与第二待键合样品32相接触;而由上述凸块板2朝向底座1一侧表面的顶点与该凸块板2朝向底座1一侧表面的边沿之间的高度差所形成的空间即为第二待键合样品32形变所预留的空间。
具体的,在本发明实施例中,所述凸块板2朝向所述底座1一侧表面的顶点与所述凸块板2朝向所述底座1一侧表面的边沿之间的高度差的取值范围为0.3mm至3mm,包括端点值;即上述高度差的取值可以恰好为0.3mm或3mm。将上述高度差设置在上述范围内可以保证凸块板2与第二待键合样品32之间具有足够的空间容纳第二待键合样品32的形变,同时在第二待键合样品32形变时凸块板2仍然可以对第二待键合样品32施加比较均匀的压力。
由于上述相对设置的底座1以及凸块板2需要向第一待键合样品31以及第二待键合样品32施加一定的压力,相应的上述底座1以及凸块板2的材料在本发明实施例中需要具有一定的硬度。具体的,在本发明实施例中为了便于加工成上述凸块板2的形状,上述凸块板2的材料可以是金属、陶瓷、玻璃中的一种或由多种复合而成。
上述凸块板2的形状具体可以是立方体型、圆柱型或其他形状,有关上述凸块板2的形状在本发明实施例中并不做具体限定,只要保证凸块板2朝向底座1一侧表面为凸起的弧面即可。上述底座1的形状在本发明实施例中同样不做具体限定,通常情况下,底座1朝向凸块板2一侧表面设置有卡槽,该卡槽用于放置上述第一待键合样品31以及第二待键合样品32。
作为优选的,为了便于第一待键合样品31与第二待键合样品32之间的键合,所述底座1表面对应所述第二待键合样品32中心的区域与所述凸块板2朝向所述底座1一侧表面的顶点相对应;即在将第一待键合样品31与第二待键合样品32相互压合时,凸块板2朝向底座1一侧表面的顶点会与第二待键合样品32的中心相接触,从而使得第二待键合样品32的中心首先受力,保证第二待键合样品32各个方向上的形变均匀分布,进而便于第一待键合样品31与第二待键合样品32之间完全键合。
进一步的,为了保证当第二待键合样品32发生形变时,凸块板2可以均匀的向第二待键合样品32施加压力,在本发明实施例中所述凸块板2朝向所述底座1一侧表面的顶点通常位于所述凸块板2朝向所述底座1一侧表面的中心。将凸块板2朝向底座1一侧表面的顶点设置在该表面的中心可以保证当凸块板2与第二待键合样品32相接触时,凸块板2与第二待键合样品32之间的预留的空间分布比较均匀,从而便于当第二待键合样品32发生形变时,凸块板2均匀的向第二待键合样品32施加压力。
在本发明实施例中,所述凸块板2与所述加压部件4相接触,所述加压部件4用于驱动所述凸块板2向所述底座1移动。即在本发明实施例中,上述加压部件4用于驱动凸块板2向底座1移动,以在键合过程中对位于底座1与凸块板2之间的第一待键合样品31和第二待键合样品32施加预设的压强。有关上述加压部件4的具体结构可以参考现有技术,在此不再进行赘述。需要说明的是,在键合过程中需要保证上述凸块板2朝向底座1一侧弧面与第二待键合样品32直接接触,上述凸块板2可以是上述加压部件4的压头,也可以是用于固定第一待键合样品31与第二带键合样品的固定夹板,即上述凸块板2可以与加压部件4固定连接可以不固定连接。有关凸块板2与加压部件4之间具体的连接关系可以根据实际情况自行设定,在此不再进行赘述。
本发明实施例所提供的一种固相键合装置,包括相对设置的底座1和凸块板2,凸块板2通过加压部件4会向底座1移动,底座1朝向凸块板2表面依次设置第一待键合样品31以及第二待键合样品32;凸块板2朝向底座1一侧表面为凸起的弧面。当凸块板2弧面的顶点与第二待键合样品32接触并施加压力时,凸块板2会发生形变,通常是第二待键合样品32中越远离第二待键合样品32与凸块板2相接触的区域,其形变量越大,从而造成第二待键合样品32翘曲。但是由于凸块板2朝向底座1一侧表面为凸起的弧面,当凸块板2的顶点与第二待键合样品32接触时,在凸块板2与第二待键合样品32之间的接触点向边沿延伸的区域具有可以容纳第二待键合样品32发生形变的空间,从而保证第二待键合样品32与第一待键合样品31之间可以完全接触,从而实现第二待键合样品32与第一待键合样品31之间相互完全键合。
有关本发明所提供的固相键合装置的具体结构将在下述发明实施例中做详细介绍。
请参考图3,图3为本发明实施例所提供的一种具体的固相键合装置的结构示意图。
区别于上述发明实施例,本发明实施例是在上述发明实施例的基础上,进一步的对固相键合装置的结构进行具体限定。其余内容已在上述发明实施例中进行了详细介绍,在此不再进行赘述。
参见图3,在本发明实施例中,所述固相键合装置还包括外壳体5和位于所述外壳体5内的加热部件6;所述底座1和所述凸块板2位于所述外壳体5内,所述加热部件6用于将所述外壳体5内空间温度加热至预设温度。
在本发明实施例中,固相键合装置包括有一外壳体5,外壳体5形成一内腔。而上述相对设置的凸块板2以及底座1均位于上述外壳体5内,从而可以在外壳体5内进行第一待键合样品31与第二待键合样品32之间的键合。通常情况下,上述加压部件4通常也位于上述外壳体5内,以便对第一待键合样品31与第二待键合样品32施加压力。
在本发明实施例中,加热部件6位于外壳体5内,该加热部件6用于将外壳体5内空间温度加热至预设温度。具体的,上述加热部件6用于在键合过程中,将第一待键合样品31与第二待键合样品32的温度加热至预设温度。对第一待键合样品31以及第二待键合样品32进行加热,可以加快分子热运动,增加第一待键合样品31与第二待键合样品32之间接触面的表面活性,从而可以减少将第一待键合样品31与第二待键合样品32相互键合所需要的时间。
需要说明的是,由于在外壳体5内设置有加热部件6,上述外壳体5通常需要起到隔热保温的作用。有关该外壳体5的具体材质以及具体形状在本发明实施例中并不做具体限定,视具体情况而定。
本发明实施例所提供的一种固相键合装置,可以通过加热部件6在键合时增加第一待键合样品31与第二待键合样品32的温度,从而减少键合所需时间。
下面对本发明所提供的一种固相键合方法进行介绍,下面描述的键合方法应用到上述发明实施例所提供的固相键合装置,该键合方法与上述描述的键合装置的结构可以相互对应参照。
请参考图4与图5,图4与图5为本发明实施例所提供的一种固相键合方法的工艺流程图。
参见图4,在本发明实施例中,所述固相键合方法包括:
S101:将第一待键合样品置于固相键合装置的底座朝向凸块板一侧表面,并将第二待键合样品置于第一待键合样品背向底座一侧表面。
在本发明实施例中,所述固相键合装置包括所述底座1、凸块板2和加压部件4;所述底座1与所述凸块板2相对设置,所述凸块板2朝向所述底座1一侧表面为凸起的弧面,所述底座1表面对应所述第二待键合样品32的区域与所述凸块板2朝向所述底座1一侧表面的顶点相对应。
有关上述底座1以及凸块板2的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍,在此不再进行赘述。在本步骤中,会在底座1朝向凸块板2一侧表面依次放置第一待键合样品31以及第二待键合样品32。有关第一待键合样品31以及第二待键合样品32的具体结构以及具体材质在本发明实施例中均不作具体限定,视具体情况而定。
S102:通过加压部件驱动凸块板向底座移动,以在第一待键合样品与第二待键合样品之间施加预设压强,至第一待键合样品晶圆与第二待键合样品相互键合。
在本发明实施例中,所述凸块板2与所述加压部件4相接触。有关加压部件4的具体结构,以及凸块板2与加压部件4之间具体的连接关系已在上述发明实施例中做详细介绍,在此不再进行赘述。
参见图5,在本步骤中,会通过加压部件4驱动凸块板2移动,以在第一待键合样品31与所述第二待键合样品32之间施加预设压强,并保持预设时长,直至第一待键合样品31与第二待键合样品32之间相互键合。优选的,在本步骤中,具体可以通过加压部件4驱动凸块板2朝向底座1一侧表面的顶点向第二待键合样品32朝向凸块板2一侧表面的中心移动,从而使得在键合过程中凸块板2表面的顶点会与第二待键合样品32朝向凸块板2一侧表面的中心相接触,并且凸块板2会从第二待键合样品32的中心首先向第二待键合样品32施加压力。使凸块板2与第二待键合样品32的中心相接触可以使得第二待键合样品32的中心首先受力,保证第二待键合样品32各个方向上的形变均匀分布,进而便于第一待键合样品31与第二待键合样品32之间完全键合。
具体的,在本步骤中,在通过凸块板2对第一待键合样品31以及第二待键合样品32施加压力时,所述第一待键合样品31与第二待键合样品32之间压强的取值范围为5MPa至50MPa,包括端点值;即上述预设压强的取值范围为5MPa至50MPa,包括端点值。需要说明的是,上述预设压强的取值可以恰好为5MPa或50MPa。还需要说明的是,在对第一待键合样品31与第二待键合样品32施加压力时,需要保证不会损坏第一待键合样品31以及第二待键合样品32。
本发明实施例所提供的一种固相键合方法,在对第一待键合样品31以及第二待键合样品32施加压力时,会通过具有凸起弧面的凸块板2对第二待键合样品32施加压力,其中该弧面的顶点会与第二待键合样品32相接触。通过该凸块板2在键合时会与第二待键合样品32之间形成可以容纳第二待键合样品32发生形变的空间,从而保证第二待键合样品32与第一待键合样品31之间可以完全接触,从而实现第二待键合样品32与第一待键合样品31之间相互完全键合。
为了进一步加快键合速率,可以通过加热部件6将第一待键合样品31以及第二待键合样品32加热至预设温度。详细内容请参考下述发明实施例。
请参考图6,图6为本发明实施例所提供的一种具体的固相键合方法的流程图。
参见图6,在本发明实施例中,所述固相键合方法包括:
S201:将第一待键合样品置于固相键合装置的底座朝向凸块板一侧表面,并将第二待键合样品置于第一待键合样品背向底座一侧表面。
本步骤与上述发明实施例中S101基本相同,详细内容请参考上述发明实施例,在此不再进行赘述。
S202:通过加热部件加热第一待键合样品和第二待键合样品至预设温度。
在本发明实施例中,所述固相键合装置还包括外壳体5和位于所述外壳体5内的加热部件6,所述底座1和所述凸块板2位于所述外壳体5内。有关上述外壳体5以及加热装置的相关内容已在上述发明实施例中做详细介绍,在此不再进行赘述。
在本步骤中,会通过加热部件6加热第一待键合样品31以及第二待键合样品32,以加快分子热运动,增加第一待键合样品31与第二待键合样品32之间接触面的表面活性,从而减少将第一待键合样品31与第二待键合样品32相互键合所需要的时间。
具体的,在本步骤中,在通过加热部件6对第一待键合样品31以及第二待键合样品32加热时,所述第一待键合样品31与第二待键合样品32的温度的取值范围为20℃至400℃,包括端点值;即上述预设温度的取值范围为20℃至400℃,包括端点值。需要说明的是,上述预设温度的取值可以恰好为20℃或400℃。
S203:通过加压部件驱动凸块板向底座移动,以在第一待键合样品与第二待键合样品之间施加预设压强,至第一待键合样品晶圆与第二待键合样品相互键合。
本步骤与上述发明实施例中S102基本相同,详细内容请参考上述发明实施例,在此不再进行赘述。需要说明的是,在本发明实施例中S202与S203通常是同时并列的执行,即S202与S203之间通常并没有先后顺序。当然,在本发明实施例中也可以先将第一待键合样品31与第二待键合样品32的温度升高至预设温度,再通过加压部件4对第一待键合样品31与第二待键合样品32施加预设压强。
本发明实施例所提供的一种固相键合方法,通过加热部件6可以将第一待键合样品31与第二待键合样品32的温度提高至预设温度,从而减少键合所需时间。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处,各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。
专业人员还可以进一步意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现,为了清楚地说明硬件和软件的可互换性,在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块,或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种固相键合装置及一种固相键合方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种固相键合装置,其特征在于,包括底座、凸块板和加压部件;
所述底座与所述凸块板相对设置,所述底座朝向所述凸块板一侧表面用于设置第一待键合样品以及位于所述第一待键合样品朝向所述凸块板一侧表面的第二待键合样品;所述凸块板朝向所述底座一侧表面为凸起的弧面,所述底座表面对应所述第二待键合样品的区域与所述凸块板朝向所述底座一侧表面的顶点相对应;
所述凸块板与所述加压部件相接触,所述加压部件用于驱动所述凸块板向所述底座移动;
所述弧面形成容纳所述第二待键合样品加压时形变的空间,同时保持对所述第二待键合样品施加均匀的压力。
2.根据权利要求1所述的固相键合装置,其特征在于,所述底座表面对应所述第二待键合样品中心的区域与所述凸块板朝向所述底座一侧表面的顶点相对应。
3.根据权利要求2所述的固相键合装置,其特征在于,所述凸块板朝向所述底座一侧表面的顶点位于所述凸块板朝向所述底座一侧表面的中心。
4.根据权利要求1所述的固相键合装置,其特征在于,所述凸块板朝向所述底座一侧表面的顶点与所述凸块板朝向所述底座一侧表面的边沿之间的高度差的取值范围为0.3mm至3mm,包括端点值。
5.根据权利要求1至4任一项权利要求所述的固相键合装置,其特征在于,所述固相键合装置还包括外壳体和位于所述外壳体内的加热部件;
所述底座和所述凸块板位于所述外壳体内,所述加热部件用于将所述外壳体内空间温度加热至预设温度。
6.一种固相键合方法,其特征在于,包括:
将第一待键合样品置于固相键合装置的底座朝向凸块板一侧表面,并将第二待键合样品置于所述第一待键合样品背向所述底座一侧表面;其中,所述固相键合装置包括所述底座、所述凸块板和加压部件;所述底座与所述凸块板相对设置,所述凸块板朝向所述底座一侧表面为凸起的弧面,所述底座表面对应所述第二待键合样品的区域与所述凸块板朝向所述底座一侧表面的顶点相对应;
通过所述加压部件驱动所述凸块板向所述底座移动,以在所述第一待键合样品与所述第二待键合样品之间施加预设压强,至所述第一待键合样品晶圆与所述第二待键合样品相互键合;其中,所述凸块板与所述加压部件相接触;
所述弧面形成容纳所述第二待键合样品加压时形变的空间,同时保持对所述第二待键合样品施加均匀的压力。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述通过所述加压部件驱动所述凸块板向所述底座移动包括:
通过所述加压部件驱动所述凸块板朝向所述底座一侧表面的顶点向所述第二待键合样品朝向所述凸块板一侧表面的中心移动。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述通过所述加压部件驱动所述凸块板朝向所述底座移动,以在所述第一待键合样品与所述第二待键合样品之间施加预设压强包括:
通过所述加压部件驱动所述凸块板朝向所述底座移动,以在所述第一待键合样品与所述第二待键合样品之间施加预设压强;其中,所述预设压强的取值范围为5MPa至50MPa,包括端点值。
9.根据权利要求6至8任一项权利要求所述的方法,其特征在于,在所述将第一待键合样品置于固相键合装置的底座朝向凸块板一侧表面,并将第二待键合样品置于所述第二待键合样品背向所述底座一侧表面之后,所述方法还包括:
通过加热部件加热所述第一待键合样品和所述第二待键合样品至预设温度;其中,所述固相键合装置还包括外壳体和位于所述外壳体内的加热部件,所述底座和所述凸块板位于所述外壳体内。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述通过加热部件加热所述第一待键合样品和所述第二待键合样品至预设温度包括:
通过加热部件加热所述第一待键合样品和所述第二待键合样品至预设温度;其中,所述预设温度的取值范围为20℃至400℃,包括端点值。
CN201811474585.5A 2018-12-04 2018-12-04 一种固相键合装置及一种固相键合方法 Active CN111276392B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811474585.5A CN111276392B (zh) 2018-12-04 2018-12-04 一种固相键合装置及一种固相键合方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811474585.5A CN111276392B (zh) 2018-12-04 2018-12-04 一种固相键合装置及一种固相键合方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111276392A CN111276392A (zh) 2020-06-12
CN111276392B true CN111276392B (zh) 2023-02-28

Family

ID=70999953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811474585.5A Active CN111276392B (zh) 2018-12-04 2018-12-04 一种固相键合装置及一种固相键合方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111276392B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024103220A1 (zh) * 2022-11-14 2024-05-23 上海显耀显示科技有限公司 一种补偿键合形变量的键合治具

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582493A (ja) * 1991-03-11 1993-04-02 Hitachi Ltd ウエハ接着装置およびその装置を用いたウエハの接着方法
CN103295937A (zh) * 2013-05-21 2013-09-11 北京京东方光电科技有限公司 芯片的绑定设备和方法
CN105580131A (zh) * 2013-10-10 2016-05-11 三菱综合材料株式会社 自带散热器的功率模块用基板及其制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI283906B (en) * 2001-12-21 2007-07-11 Esec Trading Sa Pick-up tool for mounting semiconductor chips

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582493A (ja) * 1991-03-11 1993-04-02 Hitachi Ltd ウエハ接着装置およびその装置を用いたウエハの接着方法
CN103295937A (zh) * 2013-05-21 2013-09-11 北京京东方光电科技有限公司 芯片的绑定设备和方法
CN105580131A (zh) * 2013-10-10 2016-05-11 三菱综合材料株式会社 自带散热器的功率模块用基板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111276392A (zh) 2020-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5717477A (en) Support bearing electric conductors having an electronic component with contact warts coated with graphite contacting the conductors and method of contacting
JPH01256140A (ja) 基板に半導体デバイスを固着する方法及び装置
CN111276392B (zh) 一种固相键合装置及一种固相键合方法
US8785292B2 (en) Anodic bonding method and method of producing acceleration sensor
JP2007294607A (ja) 押圧ヘッド及び押圧装置
EP3205437B1 (en) Electrical bonding method and electrical bonding device
US10148054B2 (en) Method for solderless electrical press-in contacting of electrically conductive press-in pins in circuit boards
JP2010067922A (ja) 熱圧着装置及び電気部品の実装方法
CN111276419B (zh) 一种固相键合装置
JP2022085509A (ja) セパレータの製造方法
JP2002289630A (ja) パワー半導体モジュール
JP2006066566A (ja) ボンディング装置
US3655177A (en) Assembly including carrier for devices
KR101133660B1 (ko) 웨이퍼 위치 교정 장치, 웨이퍼 본더, 및 웨이퍼 본더용 지그
JP2008084957A (ja) アクチュエータの実装構造及び実装方法
US11852907B2 (en) Aging pallet
KR101888596B1 (ko) 열간 가압 접합용 지그
CN100423218C (zh) 将电路部件粘接到电路衬底上的方法
JP2010087425A (ja) 基板保持部材および接合装置
WO2022172898A1 (ja) 基材接着方法、基材接着システムおよびマイクロ流体デバイス
JP6044570B2 (ja) 基板保持部材および接合装置
JP5391151B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法
JPH07243856A (ja) 固着用治具
US3452915A (en) Plano-convex,contoured substrate holder for lead attachment
JP2000199908A (ja) 液晶表示素子の製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 215347 7th floor, IIR complex, 1699 Weicheng South Road, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant after: Kunshan Microelectronics Technology Research Institute

Address before: 215347 7th floor, complex building, No. 1699, Zuchongzhi South Road, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province

Applicant before: KUNSHAN BRANCH, INSTITUTE OF MICROELECTRONICS OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant