CN111261638A - 包括图案化的导电层的显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及包括图案化的导电层的显示设备，该显示设备包括：栅线，包括栅线部分并且在第一方向上延伸；数据线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；晶体管，包括连接到栅线的栅电极、连接到数据线的源电极、以及漏电极；以及连接构件，被布置在数据线与源电极之间，连接到数据线和源电极，并在第一方向上延伸以与栅电极的栅电极边缘相交，其中数据线的数据线边缘和连接构件的连接构件边缘彼此连接的连接部分在平面图中与栅线和栅电极不重叠，数据线包括与栅线相交的第一数据线部分以及连接到第一数据线部分并且在平面图中与栅线不重叠的第二数据线部分，第二数据线部分包括连接部分，并且第一数据线部分的第一宽度大于第二数据线部分的第二宽度。

Description

包括图案化的导电层的显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年11月14日提交至韩国知识产权局的第10-2018-0139825号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的公开通过引用整体合并于此。
技术领域
本公开涉及显示设备，更具体地，涉及包括图案化的导电层的显示设备。
背景技术
诸如液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器的显示设备包括显示面板，显示面板包括显示图像的多个像素以及多条信号线。每个像素可以包括接收数据信号的像素电极，并且像素电极可以连接到至少一个晶体管以接收数据信号。显示面板可以包括堆叠在基板上的多个层。
显示面板的堆叠在基板上的多个层可以通过诸如光刻工艺的图案化工艺被图案化成各种形状。
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本公开的背景的理解，并且因此上述信息可以包含不形成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开提供了一种显示设备。显示设备包括具有增强的图案精度的导电层，从而通过减少或防止经过晶体管的漏电流，来提高修复缺陷像素的成功率并提高显示质量。
根据本公开的示例性实施例的显示设备包括：栅线，包括栅线部分并且在第一方向上延伸；数据线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；晶体管，包括连接到栅线的栅电极、连接到数据线的源电极、以及漏电极；以及连接构件，被布置在数据线与源电极之间，连接到数据线和源电极，并在第一方向上延伸以与栅电极的栅电极边缘相交，其中数据线的数据线边缘和连接构件的连接构件边缘彼此连接的连接部分在平面图中与栅线和栅电极不重叠，其中数据线包括与栅线相交的第一数据线部分以及连接到第一数据线部分并且在平面图中与栅线不重叠的第二数据线部分，其中第二数据线部分包括连接部分，并且其中第一数据线部分的第一宽度大于第二数据线部分的第二宽度。
数据线的第二数据线部分包括在由数据线、连接构件、栅电极边缘以及栅线的栅线部分包围的区域中。
数据线可以包括两个面对的数据线边缘，并且两个面对的数据线边缘中的第一数据线边缘可以直接连接到连接构件，并且可以在第一数据线部分和第二数据线部分连接的位置处弯曲以形成弯曲边缘。
显示设备可以进一步包括：半导体层，与数据线、连接构件、源电极以及漏电极重叠，并且半导体层可以包括布置在源电极与漏电极之间的沟道区。
栅线的栅线部分可以包括相对于第二数据线部分而彼此面对的第一栅线部分和第二栅线部分。
连接构件可以包括连接到数据线的第一连接构件部分以及布置在第一连接构件部分与源电极之间的第二连接构件部分，并且第一连接构件部分的第三宽度可以小于第二连接构件部分的第四宽度。
第一连接构件部分可以在平面图中与栅电极不重叠，并且连接构件的第一连接构件部分包括在由数据线、连接构件、栅电极边缘以及栅线的栅线部分包围的区域中。
第二连接构件部分可以与栅电极边缘相交。
栅线的栅线部分可以弯曲以形成弯曲边缘。
栅线部分可以具有均匀的宽度。
栅线的栅线部分的弯曲边缘可以包括在由数据线、连接构件、栅电极边缘以及栅线的栅线部分包围的区域中。
根据示例性实施例的显示设备包括：栅线，包括栅线部分并且在第一方向上延伸；数据线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；晶体管，包括连接到栅线的栅电极、连接到数据线的源电极、以及漏电极；以及连接构件，被布置在数据线与源电极之间，连接到数据线和源电极，并在第一方向上延伸以与栅电极的栅电极边缘相交，其中数据线的数据线边缘和连接构件的连接构件边缘彼此连接的连接部分在平面图中与栅线和栅电极不重叠，其中连接构件包括连接到数据线的第一连接构件部分以及布置在第一连接构件部分与源电极之间的第二连接构件部分，其中第一连接构件部分包括连接部分，并且其中第一连接构件部分的第一宽度小于第二连接构件部分的第二宽度。
第一连接构件部分可以在平面图中与栅电极不重叠。
连接构件的第一连接构件部分可以包括在由数据线、连接构件、栅电极边缘以及栅线的栅线部分包围的区域中。
第二连接构件部分可以与栅电极边缘相交。
栅线的栅线部分可以包括相对于第一连接构件部分而彼此面对的第一栅线部分和第二栅线部分。
根据示例性实施例的显示设备包括：栅线，包括栅线部分并且在第一方向上延伸；数据线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；晶体管，包括连接到栅线的栅电极、连接到数据线的源电极、以及漏电极；以及连接构件，被布置在数据线与源电极之间，连接到数据线和源电极，并在第一方向上延伸以与栅电极的栅电极边缘相交，其中数据线的数据线边缘和连接构件的连接构件边缘彼此连接的连接部分在平面图中与栅线和栅电极不重叠，并且其中栅线的栅线部分弯曲以形成弯曲边缘。
栅线部分可以具有均匀的宽度。
栅线的栅线部分的弯曲边缘可以包括在由数据线、连接构件、栅电极边缘以及栅线的栅线部分包围的区域中。
栅线的栅线部分可以包括相对于连接部分而彼此面对的第一栅线部分和第二栅线部分。
附图说明
图1是根据示例性实施例的显示设备的一个像素的布局图，
图2是图1所示的显示设备的一部分的放大图，
图3是沿线IIIa-IIIb截取的图2所示的显示设备的截面图，
图4是示出根据示例性实施例的显示设备的制造工艺中使用的光掩模的一部分的平面结构的俯视图，以及与该光掩模的一部分对应的显示设备的图案，
图5、图6、图7和图8是根据各种示例性实施例的显示设备的一个像素的一部分的放大的俯视图，
图9是示出根据示例性实施例的显示设备的制造工艺中使用的光掩模的一部分的平面结构的俯视图，以及与该光掩模的一部分对应的显示设备的图案，并且
图10、图11和图12是根据示例性实施例的显示设备的一个像素的一部分的放大的俯视图。
具体实施方式
下文中将参考其中示出了本公开的示例性实施例的附图来更充分地描述本公开。如本领域技术人员将认识到的那样，所描述的实施例可以以各种不同的方式和形式来修改，而不脱离本公开的精神或范围。
附图和说明书在本质上应被视为示例性的而非限制性的。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。
此外，为了更好理解和便于描述，在附图中，每个元件的尺寸和厚度是任意表示的，并且本公开不限于此。在附图中，为了清楚、更好理解和便于描述，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在该另一元件上，或者在该元件和该另一元件之间也可以存在一个或多个介于中间的元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，在该元件和该另一元件之间可以不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……之上”意味着被放置在对象部分上或下方，并且不一定意味着被放置在基于重力方向的对象部分的上侧。
另外，除非明确的相反描述，词语“包括”和其变体(诸如“包含”)将被理解为意味着包括所述的元件，但不排除任何其他元件。
在该整个说明书和随附的权利要求中，平面图意味着当观察与彼此相交的两个方向(例如，第一方向DR1和第二方向DR2)平行的表面时的视图，并且截面图意味着当观察在垂直于与第一方向DR1和第二方向DR2平行的表面的方向(例如，第三方向DR3)上切割的表面的视图。另外，除非另有说明，否则重叠两个元件意味着两个元件可以在第三方向DR3(例如，垂直于基板的上表面的方向)上彼此重叠。
首先，参考图1至图3描述根据示例性实施例的显示设备的结构。
图1是根据示例性实施例的显示设备的一个像素的布局图，图2是图1所示的显示设备的一部分的放大图，并且图3是沿线IIIa-IIIb截取的图2所示的显示设备的截面图。
根据示例性实施例的显示设备可以是各种显示设备中的一种，例如，液晶显示器。如图3所示，根据示例性实施例的显示设备可以包括第一显示面板100和第二显示面板200以及在截面图中布置在两个显示面板100与200之间的液晶层3。
在平面图中，显示设备包括用于显示图像的显示区域，并且显示区域包括多个像素PX。
第一显示面板100包括基板110、包括栅线121的栅导电层、存储电极线131以及布置在基板110上的虚设图案129。基板110可以由诸如玻璃、塑料和类似物的绝缘材料制成。
栅线121可以主要在第一方向DR1上延伸，并且可以传输栅信号。栅线121可以包括布置在像素PX中的第一栅电极124a和第二栅电极124b。第一栅电极124a和第二栅电极124b可以被布置成在第一方向DR1上彼此相邻并且彼此连接。栅线121可以包括连接到第一栅电极124a和第二栅电极124b的一个或多个线部分，并且栅线121的线部分可以与第一数据线171a和第二数据线171b相交。第一数据线171a和第二数据线171b可以被统称为数据线。在一些实施例中，栅线121可以通过以上描述的线部分连接到第一栅电极124a和第二栅电极124b。根据一个实施例，第一栅电极124a和第二栅电极124b的边缘可以以直角直接连接到栅线121的线部分，并且在第二方向DR2上延伸。
参考图2，第二栅电极124b的下边缘可以具有向下突出(在第二方向DR2上)的部分，而栅线121的线部分的下边缘在第一方向DR1上延伸而没有突出部分。在此情况下，如图1所示，包括突出部分的第二栅电极124b的下边缘可以被布置成与稍后将被描述的遮光构件220重叠。
栅线121可以包括与像素PX对应布置的开口20a和20b。开口20a可以被布置成与第一栅电极124a的左侧相邻，并且开口20b可以被布置成与第二栅电极124b的右侧相邻。因此，栅线121可以包括布置在彼此面对的开口20a和20b的上方和下方的两个线部分21a和21b。开口20a和开口20b可以具有相同的形状和尺寸。栅线121的线部分21a和21b可以与第一数据线171a和第二数据线171b相交。
存储电极线131可以包括与栅线121基本上平行地(例如，在第一方向DR1上)延伸的横向部分131a以及连接到横向部分131a的纵向部分131b。存储电极线131的纵向部分131b可以沿像素PX的边缘(例如，在第二方向DR2上)延伸。
虚设图案129可以被布置在存储电极线131的横向部分131a与栅线121之间。根据一个实施例，一对虚设图案129可以被布置在像素PX中。在此情况下，该对虚设图案129中的每个虚设图案可以具有布置在像素PX中的岛形状。
栅绝缘层140被布置在栅导电层上。栅绝缘层140可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiOxNy)等的绝缘材料。
包括第一半导体154a和第二半导体154b的半导体层151被布置在栅绝缘层140上。第一半导体154a可以与第一栅电极124a重叠，并且第二半导体154b可以与第二栅电极124b重叠。
半导体层151可以包括非晶硅、多晶硅、金属氧化物等。
包括一个或多个欧姆接触的欧姆接触层161可以被布置在半导体层151上。在一个实施例中，一对欧姆接触163a和165a可以被布置在第一半导体154a上，并且另一对欧姆接触可以被布置在第二半导体154b上。在一个实施例中，欧姆接触层161可以由诸如n+氢化非晶硅(其中诸如磷光体的n型杂质以高密度被掺杂)或硅化物的材料制成。在一些实施例中，欧姆接触层161可以被省略。
数据导电层可以被布置在欧姆接触层161上。数据导电层可以包括包含第一数据线171a和第二数据线171b的多条数据线、包括第一源电极173a和第二源电极173b的多个源电极、多个连接构件73a和73b、以及包括第一漏电极175a和第二漏电极175b的多个漏电极。
第一数据线171a和第二数据线171b传输数据信号，并且主要在第二方向DR2上延伸，从而与栅线121和存储电极线131的横向部分131a相交。
与像素PX对应的第一数据线171a和第二数据线171b可以分别传输具有用于表示一个图像的不同亮度的数据电压的数据信号。例如，由第二数据线171b传输的用于图像(例如，以灰度表示)的数据电压可以等于或低于由第一数据线171a传输的另一数据电压。布置在相邻像素PX中的每个像素PX中的第一数据线171a和第二数据线171b可以传输用于另一图像的不同的数据信号。
第一源电极173a在平面图中与第一栅电极124a的至少一部分重叠，并且连接到第一数据线171a。第二源电极173b在平面图中与第二栅电极124b的至少一部分重叠，并且连接到第二数据线171b。第一源电极173a和第二源电极173b中的每个源电极可以被弯曲成U形状。
第一源电极173a可以通过连接构件73a连接到第一数据线171a，并且连接构件73a可以直接连接到第一数据线171a。类似地，第二源电极173b可以通过连接构件73b连接到第二数据线171b，并且连接构件73b可以直接连接到第二数据线171b。连接构件73a和73b可以分别连接到第一数据线171a和第二数据线171b，并且被分别布置在数据线171a和171b中的相应一个与源电极173a和173b中的相应一个之间。连接构件73a和73b中的每个连接构件主要在第一方向DR1上延伸，从而与第一栅电极124a和第二栅电极124b的边缘相交。也就是说，连接构件73a和73b中的每个连接构件可以包括与第一栅电极124a和第二栅电极124b重叠的一区域以及在平面图中与栅电极124a和124b不重叠的另一区域，该一区域和该另一区域由栅电极124a和124b的边缘分开。
连接构件73a和73b可以分别从第一数据线171a和第二数据线171b延伸，并且基本上垂直于第一数据线171a和第二数据线171b。在其中连接构件73a和73b以及数据线171a和171b的边缘连接的部分被称为连接部分CP，如图4所示。连接部分CP可以具有最大曲率半径。
如果连接构件73a和73b完全垂直地连接到第一数据线171a和第二数据线171b，则连接部分CP可以形成完全直角。连接部分CP可以在平面图中与栅线121以及栅电极124a和124b分开而不与它们重叠。在一个实施例中，连接部分CP可以在平面图中与开口20a和20b中的一个开口重叠。
第一漏电极175a和第二漏电极175b可以包括具有条形状的一端以及分别具有第一延伸部177a和第二延伸部177b的宽端。第一漏电极175a的第一延伸部177a和第二漏电极175b的第二延伸部177b可以被布置在存储电极线131与栅线121之间。
第一漏电极175a和第二漏电极175b中的每个漏电极可以与栅导电层的虚设图案129的至少一部分重叠。第一漏电极175a和第二漏电极175b的条形状的一端可以在平面图中分别被第一源电极173a和第二源电极173b部分地包围。
第一栅电极124a、第一源电极173a和第一漏电极175a与第一半导体154a一起形成第一晶体管Qa，并且第二栅电极124b、第二源电极173b和第二漏电极175b与第二半导体154b一起形成第二晶体管Qb。第一晶体管Qa的沟道可以形成在第一半导体154a中并且被布置在第一源电极173a与第一漏电极175a之间。第二晶体管Qb的沟道可以形成在第二半导体154b中并且被布置在第二源电极173b与第二漏电极175b之间。第一晶体管Qa和第二晶体管Qb的沟道区可以分别与第一半导体154a和第二半导体154b对应。
在平面图中，半导体层151可以被布置成与在其中布置有数据导电层的区域重叠。也就是说，半导体层151可以被布置成从下方与数据导电层重叠。在平面图中，数据导电层的形状可以与半导体层151的除第一晶体管Qa和第二晶体管Qb的沟道区之外的形状类似。在平面图中，数据导电层的平面尺寸可以等于或小于半导体层151的除第一晶体管Qa和第二晶体管Qb的沟道区之外的平面尺寸。当数据导电层的平面尺寸等于半导体层151的不包括第一晶体管Qa和第二晶体管Qb的沟道区的平面尺寸时，数据导电层的边缘可以与半导体层151的边缘基本上对齐，从而在平面图中彼此重合。当数据导电层的平面尺寸小于半导体层151的除第一晶体管Qa和第二晶体管Qb的沟道区之外的平面尺寸时，数据导电层的边缘可以在平面图中位于半导体层151的边缘内部，并且与半导体层151的边缘基本上平行地延伸。
在此情况下，在显示设备的制造工艺中，数据导电层、欧姆接触层161和半导体层151可以使用包括半色调区域的一个光掩模通过光刻工艺来形成。
布置在像素PX中的第一晶体管Qa和第二晶体管Qb可以被排列在栅线121在其上延伸的第一方向DR1上。另外，在平面图中，第一晶体管Qa和第二晶体管Qb可以被布置在与像素PX对应的第一数据线171a与第二数据线171b之间。
第一晶体管Qa和第二晶体管Qb可以被用作用于根据由栅线121传输的栅信号而传输由第一数据线171a和第二数据线171b传输的数据信号的开关元件。
栅线121的开口20a可以与第一数据线171a的一部分以及连接构件73a的一部分重叠，并且栅线121的开口20b与第二数据线171b的一部分以及连接构件73b的一部分重叠。
在其中布置有栅线121、存储电极线131的横向部分131a以及第一晶体管Qa和第二晶体管Qb的区域可以被遮光构件220覆盖。遮光构件220可以基本上在第一方向DR1上延伸，以形成像素PX的遮光区域。
第一绝缘层180a可以被布置在数据导电层上。第一绝缘层180a可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
多个滤色器230a和230b可以被布置在第一绝缘层180a上。
滤色器230a和230b中的每个滤色器可以显示诸如红色、绿色和蓝色的三原色或包括相同或不同颜色的四原色的原色中的一种。要注意的是，滤色器230a和230b不限于包括红色、绿色和蓝色的三原色，并且可以显示诸如青色、品红色、黄色和白色的其他原色。与在第一方向DR1上相邻的像素PX分别对应的滤色器230a和230b可以表示不同的颜色。在非限制性示例中，滤色器230a可以表示红色，并且滤色器230b可以表示绿色。
滤色器230a和230b中的每个滤色器可以在第二方向DR2上延伸，以与布置在一列中的多个像素PX对应。
两个或更多个滤色器230a和230b可以在沿第一方向DR1相邻的两个像素PX之间彼此重叠，并且彼此重叠的两个滤色器230a和230b可以用作遮光构件(除了遮光构件220之外)，用于防止两个相邻像素PX之间的漏光。
滤色器230a和230b可以分别包括分别与第一漏电极175a和第二漏电极175b的延伸部177a和177b重叠的开口235a和235b。
第二绝缘层180b可以被布置在滤色器230a和230b上。第二绝缘层180b可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。具体地，包括有机绝缘材料的第二绝缘层180b可有助于形成基本上平坦的上表面。
第一绝缘层180a和第二绝缘层180b可以具有暴露第一漏电极175a的第一延伸部177a的至少一部分的接触孔185a以及暴露第二漏电极175b的第二延伸部177b的至少一部分的接触孔185b。在平面图中，接触孔185a和185b可以分别被布置在滤色器230a的开口235a和滤色器230b的开口235b中。
包括像素电极和屏蔽电极199的像素电极层可以被布置在第二绝缘层180b上。像素电极可以包括多个子像素电极，该多个子像素电极包括第一子像素电极191a和第二子像素电极191b。与第一晶体管Qa和第二晶体管Qb对应地，第一子像素电极191a可以被布置在像素PX的一侧，并且第二子像素电极191b可以被布置在像素PX的另一侧。
第一子像素电极191a和第二子像素电极191b中的每个子像素电极可以在平面图中具有四边形形状。第一子像素电极191a可以包括包含彼此相交的横向主干192a和纵向主干193a的十字形主干以及从十字形主干延伸的多个分支194a。类似地，第二子像素电极191b可以包括包含彼此相交的横向主干192b和纵向主干193b的十字形主干以及从十字形主干延伸的多个分支194b。
根据一个实施例，第一子像素电极191a在平面图中的尺寸可以小于第二子像素电极191b在平面图中的尺寸，如图1所示。在其他实施例中，第一子像素电极191a和第二子像素电极191b可以具有基本上相同的尺寸，或者第二子像素电极191b的尺寸可以小于第一子像素电极191a的尺寸。
第一子像素电极191a可以包括朝向第一漏电极175a的第一延伸部177a突出的延伸部分195a以及连接到延伸部分195a的一端的接触部分196a，并且第二子像素电极191b可以包括朝向第二漏电极175b的第二延伸部177b突出的延伸部分195b以及连接到延伸部分195b的一端的接触部分196b。接触部分196a可以通过接触孔185a而电连接到第一漏电极175a的第一延伸部177a，并且接触部分196b可以通过接触孔185b而电连接到第二漏电极175b的第二延伸部177b。
如果第一晶体管Qa和第二晶体管Qb被导通，则第一子像素电极191a和第二子像素电极191b可以分别接收来自第一漏电极175a和第二漏电极175b的数据信号。
屏蔽电极199可以在沿第一方向DR1彼此相邻的像素PX之间在第二方向DR2上延伸，从而防止相邻像素PX之间的耦合和漏光。屏蔽电极199可以与存储电极线131的纵向部分131b的至少一部分重叠。
像素电极层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、金属薄膜等的透明导电材料。
在本示例性实施例中描述的像素PX的布置和形状、第一晶体管Qa和第二晶体管Qb的结构以及像素电极的形状仅仅是示例，并且在不偏离本公开的范围的情况下它们的许多变型是可能的。
取向层11可以被布置(例如，通过涂布工艺涂布)在像素电极层和第二绝缘层180b上。取向层11可以是垂直取向层。取向层11可以在至少一个方向上被摩擦，或者可以是包括光反应材料的光取向层。
第二显示面板200可以包括基板210和被布置在基板210上(或者如图3所示在基板210之下)的遮光构件220。基板210可以包括诸如玻璃、塑料等的绝缘材料。如以上所描述的，遮光构件220包括在第一方向DR1上延伸的部分，并且可以与包括在像素PX中的第一晶体管Qa和第二晶体管Qb重叠。根据另一示例性实施例，遮光构件220可以被布置在第一显示面板100中，而不被布置在第二显示面板200中。
公共电极270可以被布置在遮光构件220上(或者如图3所示在遮光构件220之下)。公共电极270可以连续地形成在基板210的整个表面之上。也就是说，可以形成公共电极270而没有诸如狭缝等的图案。公共电极270可以传输预定大小的公共电压。
公共电极270可以包括诸如ITO、IZO、金属薄膜等的透明导电材料。
取向层21可以被布置(例如，通过涂布工艺涂布)在公共电极270上(或者如图3所示在公共电极270之下)。取向层21可以是垂直取向层。取向层21可以在至少一个方向上被摩擦，并且可以是包括光反应材料的光取向层。在一个实施例中，取向层11和21可以由包括相同的光反应材料的相同的光取向层形成。
液晶层3包括多个液晶分子31。液晶分子31可以具有负介电各向异性，并且可以在液晶层3中没有电场产生时相对于基板110和210基本上垂直地被取向。当液晶层3中没有电场产生时，液晶分子31可以在预定方向上预倾斜。例如，液晶分子31可以在与第一子像素电极191a的分支194a和第二子像素电极191b的分支194b基本上平行的方向上预倾斜。
供给光的背光可以被布置在第一显示面板100上或第一显示面板100的后侧。
在显示设备的制造工艺期间，可能需要修复缺陷像素PX。在一个示例性实施例中，激光可以通过开口20a和20b被照射到图2所示的栅线121的线部分21a和21b的部分A、B、C、D、E、F、G和H中的至少一部分，以将第一晶体管Qa和/或第二晶体管Qb与传输栅信号的栅线121电隔离并断开，从而通过将缺陷像素PX关闭来修复缺陷像素PX。与此一起，或单独地，激光可以通过开口20a和20b被照射到第一源电极173a的连接构件73a的部分I和/或第二源电极173b的连接构件73b的部分J，以将第一晶体管Qa和/或第二晶体管Qb与对应的数据线171a和/或171b电隔离，从而通过将缺陷像素PX关闭来修复缺陷像素PX。激光可以从图3所示的基板110的底部被照射。
在修复工艺期间，激光需要精确地被照射到预期位置(例如，部分A、B、C、D、E、F、G、H、I和J)。然而，在与数据线171a和171b以及连接构件73a和73b连接在一起的部分对应的连接部分CP处不存在精确地形成的图案(例如，图4所示的拐角图案50c)的情况下，连接部分CP附近的边缘可以形成为具有圆角形状。在此情况下，由开口20a和20b中的数据线171a和171b、连接构件73a和73b以及栅线121的线部分21a和21b包围的区域AA、BB、CC和DD可以被减小，使区域AA、BB、CC和DD难以获得用于确保激光照射需要的空间的足够的余量。结果，可能损害激光照射的精度，并且可能降低成功修复像素PX的比率。
具体地，当通过使用一个光掩模的光刻工艺来图案化数据导电层、欧姆接触层161和半导体层151时，布置在这些层的底部处的半导体层151可以被形成为从在其中数据线171a和171b以及连接构件73a和73b连接的区域中的数据导电层的边缘向外突出。结果，开口20a和20b中的区域AA、BB、CC和DD可以进一步减小，使得可能无法获得激光照射需要的足够的空间。另外，如果半导体层151从在其中数据线171a和171b以及连接构件73a和73b连接的连接部分CP处或附近的数据导电层的边缘向外过度地突出，则通过第一晶体管Qa和第二晶体管Qb的漏电流可以通过可以到达半导体层151的突出部分的光被增加。然后，可能出现诸如污点的显示质量缺陷。
参考图4至图12连同以上描述的图1至图3来描述用于防止这些困难、问题和缺陷的各种示例性实施例。
图4是一起示出根据示例性实施例的显示设备的制造工艺中使用的光掩模500的一部分的平面结构的俯视图、以及与光掩模500的一部分对应的显示设备的图案(由虚线指示)。
光刻胶被涂布以图案化数据导电层、欧姆接触层161和半导体层151。光掩模500可以包括分别与图4所示的第一数据线171a和连接构件73a对应的区域50a和区域50b。在负型光刻胶的情况下，光掩模500的区域50a和50b可以与透射光的透光区域对应，并且剩余区域可以与遮光区域对应，并且在正型光刻胶的情况下，光掩模500的区域50a和50b可以与遮光区域对应，并且剩余区域可以与透光区域对应。在本示例性实施例中，以负性光刻胶为例。
根据一个实施例，光掩模500可以包括与连接部分CP对应的拐角图案50c。拐角图案50c可以具有用于防止连接部分CP被图案化成圆角的光学邻近校正(OPC)的各种形状。例如，拐角图案50c可以是诸如四边形或三角形的多边形，或圆形。拐角图案50c可以具有从数据导电层的连接部分CP的边缘向内凹陷的凹形形状。
根据一个实施例，在通过包括拐角图案50c的光掩模500照射光之后，通过显影和刻蚀工艺形成的连接部分CP可以具有如图4所示的具有基本上锐利的直角的形状。半导体层151可以具有与由第一数据线171a和第二数据线171b以及连接构件73a和73b形成的边缘基本上平行的边缘。在半导体层151的这些边缘中，与连接部分CP对应地急剧弯曲的弯曲边缘51a和51b也可以具有凹形形状。另外，当完整地制造显示设备时，由数据线171a和171b、连接构件73a和73b以及栅线121的线部分21a和21b包围的区域AA和BB可以不减小，并且即使区域AA和BB减小，与没有形成拐角图案50c的情况相比，区域AA和BB中的减少的量可以不显著。因此，可以改善在连接部分CP附近的数据导电层、欧姆接触层161和半导体层151的图案化精度，并且可以获得用于确保在像素PX的修复工艺中激光照射需要的空间的足够的余量，从而保持或增加修复像素PX的成功率。此外，可以在连接部分CP附近抑制或防止半导体层151的不期望的向外突出，从而减小或防止通过晶体管Qa和Qb的漏电流。
图5、图6、图7和图8是根据各种示例性实施例的显示设备的一个像素的一部分的放大的俯视图。为了便于说明，省略了对重复组件、层、图案、特征等的描述，并且可以仅描述与以上描述的实施例的不同。
首先，参考图5，根据本示例性实施例的显示设备与以上描述的显示设备基本上类似，除了连接部分CP附近的数据线171a和171b的形状之外。在下文中，作为示例描述了第一数据线171a和连接构件73a，但相同的结构可以应用于第二数据线171b和连接构件73b。
第一数据线171a可以包括与栅线121的线部分21a和21b相交的主要部分72以及在平面图中与栅线121的线部分21a和21b不重叠的较薄部分71。在平面图中，较薄部分71可以被布置在栅线121的两个线部分21a与21b之间的开口20a中。
连接构件73a可以连接到较薄部分71，并且较薄部分71和连接构件73a可以包括连接部分CP。第一数据线171a的两个边缘在主要部分72和较薄部分71的连接位置处弯曲，从而形成弯曲边缘。较薄部分71的宽度W1可以小于主要部分72的宽度W2。在一个实施例中，较薄部分71的宽度W1可以为大约3微米或更大。
半导体层151的边缘与第一数据线171a和连接构件73a的边缘平行地形成，从而具有在第一数据线171a的主要部分72和较薄部分71的连接位置处向内弯曲的弯曲边缘52。在半导体层151的边缘中，与连接部分CP对应地弯曲的弯曲边缘51c和51d与弯曲边缘52相邻，并且可以具有凹形形状。也就是说，半导体层151的边缘中的弯曲边缘51c和51d具有凹形形状而在开口20a中不向外突出，因此区域AA和BB可以不减小。因此，可以改善在连接部分CP附近的数据导电层、欧姆接触层161和半导体层151的图案化精度，并且可以获得用于确保在像素PX的修复工艺中激光照射需要的空间的足够的余量，从而保持或增加修复像素PX的成功率。此外，可以在连接部分CP附近抑制或防止半导体层151的不期望的向外突出，从而减小或防止通过晶体管Qa和Qb的漏电流的增加。
与图5不同，根据曝光装置的性能，半导体层151的弯曲边缘51c和51d可以基本上以直角或圆角形成。在此情况下，半导体层151可以在开口20a中不过度地向外突出，使得可以确保区域AA和BB的足够的面积。
接下来，参考图6，根据本示例性实施例的显示设备与以上描述的图5所示的显示设备基本上类似，除了连接部分CP附近的数据线171a和171b的形状之外。
第一数据线171a可以包括以上描述的主要部分72以及在平面图中与栅线121的线部分21a和21b不重叠的较薄部分71a。在平面图中，较薄部分71a可以被布置在栅线121的两个线部分21a与21b之间的开口20a中。与图5不同，在第一数据线171a的两个边缘中，仅直接连接到连接构件73a的边缘在主要部分72和较薄部分71a的连接位置处弯曲，以形成弯曲边缘，并且相对的边缘与主要部分72的边缘对齐以形成基本上的直线。较薄部分71a的宽度W1a可以小于主要部分72的宽度W2。在一个实施例中，较薄部分71a的宽度W1a可以为大约3微米或更大。
根据图6所示的示例性实施例的效果可以与根据图5所示的示例性实施例的效果基本上相同。也就是说，半导体层151可以具有在第一数据线171a的连接到连接构件73a的较薄部分71a的边缘和主要部分72的边缘的连接位置处弯曲的弯曲边缘52。此外，在半导体层151的边缘中，弯曲边缘51c和51d可以与连接部分CP对应地弯曲，以与弯曲边缘52相邻并且具有凹形形状。也就是说，半导体层151的弯曲边缘51c和51d具有凹形形状而不向外突出，因此区域AA和BB可以不减小。因此，可以改善在连接部分CP附近的数据导电层、欧姆接触层161和半导体层151的图案化精度，并且可以获得用于确保在像素PX的修复工艺中激光照射需要的空间的足够的余量，从而保持或增加修复像素PX的成功率。此外，可以在连接部分CP附近抑制或防止半导体层151的不期望的向外突出，从而减小或防止通过晶体管Qa和Qb的漏电流的增加。
与图6不同，根据曝光装置的性能，半导体层151的弯曲边缘51c和51d可以基本上以直角或圆角形成。在此情况下，半导体层151可以在开口20a中不过度地向外突出，使得可以确保区域AA和BB的足够的面积。
接下来，参考图7，根据本示例性实施例的显示设备与以上描述的示例性实施例基本上类似，除了连接构件73a的形状之外。
连接构件73a可以包括直接连接到第一数据线171a的较薄部分73aa以及布置在较薄部分73aa与第一源电极173a之间的主要部分73ab。连接构件73a的两个边缘可以在主要部分73ab和较薄部分73aa的连接位置处弯曲以形成弯曲边缘。较薄部分73aa可以包括连接部分CP。在平面图中，较薄部分73aa可以被布置在栅线121的两个线部分21a与21b之间的开口20a中。较薄部分73aa的宽度W3可以小于主要部分73ab的宽度W4。在一个实施例中，较薄部分73aa的宽度W3可以为大约3微米或更大。
换句话说，连接构件73a可以包括布置在连接部分CP附近并且连接到第一数据线171a的凹陷部分70。连接构件73a的包括凹陷部分70的部分与较薄部分73aa对应。
在平面图中，较薄部分73aa或凹陷部分70可以与第一栅电极124a不重叠。
半导体层151可以具有与连接部分CP对应地弯曲以形成凹形形状的弯曲边缘51e和51f。半导体层151的弯曲边缘51e和51f具有凹形形状而在开口20a中不向外突出，因此区域AA和BB可以不减小。因此，可以改善在连接部分CP附近的数据导电层、欧姆接触层161和半导体层151的图案化精度，并且可以获得用于确保在像素PX的修复工艺中激光照射需要的空间的足够的余量，从而保持或增加修复像素PX的成功率。此外，可以在连接部分CP附近抑制或防止半导体层151的不期望的向外突出，从而减小或防止通过晶体管Qa和Qb的漏电流的增加。
与图7不同，根据曝光装置的性能，半导体层151的弯曲边缘51e和51f可以基本上以直角或圆角形成。在此情况下，半导体层151可以在开口20a中不过度地向外突出，使得可以确保区域AA和BB的足够的面积。
根据本示例性实施例的显示设备的第一数据线171a可以具有基本上均匀的厚度，而不包括较薄部分71和71a。
接下来，参考图8，根据本示例性实施例的显示设备与以上描述的示例性实施例基本上类似，除了栅线121的形状之外。
栅线121可以包括布置在开口20c的上方和下方彼此面对的线部分21c和21d。与以上描述的线部分21a和21b不同，线部分21c和21d可以形成从开口20c向外弯曲的弯曲边缘。每个线部分21c和21d可以折叠至少两次。
具体地，线部分21c可以包括基本上在第一方向DR1上延伸的上端边缘21cc以及相对于第一方向DR1和第二方向DR2倾斜的倾斜边缘21cd。上端边缘21cc可以在平面图中被布置在比第一栅电极124a的上端边缘24c更上方的外侧上，并且倾斜边缘21cd可以连接线部分21c的上端边缘21cc和第一栅电极124a的上端边缘24c。
线部分21d可以包括基本上在第一方向DR1上延伸的下端边缘21dd以及相对于第一方向DR1和第二方向DR2倾斜的倾斜边缘21de。下端边缘21dd可以被布置在比第一栅电极124a的下端边缘24d更下方的外侧上，并且倾斜边缘21de可以连接线部分21d的下端边缘21dd和第一栅电极124a的下端边缘24d。
下端边缘21dd的从第一栅电极124a的下端边缘24d向下突出的突出部分的长度可以与第二栅电极124b的下边缘的从栅线121的线部分向下突出的突出部分的长度类似。也就是说，下端边缘21dd也可以被布置在与以上描述的遮光构件220重叠的区域中。
栅线121的与第一数据线171a重叠的开口20c可以具有大致八边形或近似圆形形状，而不是四边形形状。此外，与以上描述的示例性实施例的区域AA和BB相比，由开口20c中的第一数据线171a、连接构件73a以及栅线121的线部分21c和21d包围的区域AAL和BBL可以增大。
根据一个实施例，线部分21c和21d的宽度可以是基本上均匀的。
在平面图中，连接部分CP可以被布置在栅线121的线部分21c与21d之间。
半导体层151的边缘中的与连接部分CP对应的弯曲边缘51g和51h可以具有凹形形状，并且可以向外突出。然而，由于限定区域AAL和BBL的边界的栅线121的线部分21c和21d弯曲，因此与以上描述的示例性实施例的区域AA和BB相比，区域AAL和BBL可以基本上不减小。因此，可以获得用于在像素PX的修复工艺中确保激光照射需要的空间的足够的余量，从而保持或增加修复像素PX的成功率。
根据一个实施例，第一数据线171a和连接构件73a在栅线121附近可以具有基本上均匀的厚度。
图9是一起示出根据示例性实施例的显示设备的制造工艺中使用的光掩模500a的一部分的平面结构的俯视图、以及与光掩模500a的一部分对应的显示设备的图案(由虚线指示)。
参考图9，根据本示例性实施例的通过光掩模500a制造的显示设备与以上描述的显示设备基本上类似。为了便于图示和说明，图9示出了栅线121的两个线部分21a和21b中的线部分21b。因此，图9示出了由线部分21b限定的区域BB。因此，根据本示例性实施例的光掩模500a与以上描述的光掩模500基本上类似，除了光掩模500a可以包括拐角图案50c，该拐角图案50c仅与图4所示的一对连接部分CP中的被布置为更靠近线部分21b的连接部分CP对应。
半导体层151的边缘中的在下侧处与连接部分CP对应地弯曲的弯曲边缘51b与第一数据线171a的边缘基本上平行，并且连接构件73a可以形成凹形形状，并且由第一数据线171a、连接构件73a和栅线121的线部分21b包围的区域BB可以不减小。因此，可以改善在连接部分CP附近的数据导电层、欧姆接触层161和半导体层151的图案化精度，并且可以获得用于确保在像素PX的修复工艺中激光照射需要的空间的足够的余量，从而保持或增加修复像素PX的成功率。此外，可以在连接部分CP附近抑制或防止半导体层151的不期望的向外突出，从而减小或防止通过晶体管Qa和Qb的漏电流的增加。
相反，半导体层151的边缘中的在上侧处与连接部分CP对应地弯曲的弯曲边缘51可以具有不同于在下侧处与连接部分CP对应的弯曲边缘51b的形状。例如，弯曲边缘51可以具有比弯曲边缘51b更圆的凹形形状，或者可以向外突出。
图10、图11和图12是根据示例性实施例的显示设备的一个像素的一部分的放大的俯视图。
首先，参考图10，根据本示例性实施例的显示设备与根据以上描述的图5或图6所示的示例性实施例的显示设备基本上类似。为了便于图示和说明，图10示出了栅线121的两个线部分21a和21b中的线部分21b。因此，图10示出了由线部分21b限定的区域BB。
根据本示例性实施例的第一数据线171a可以包括如以上描述的主要部分72和较薄部分71b。在第一数据线171a的两个边缘中，仅连接到连接构件73a的下边缘的边缘在主要部分72和较薄部分71b的连接位置处弯曲以形成弯曲边缘，并且相对边缘与主要部分72的边缘基本上对齐以形成直线。较薄部分71b可以包括连接部分CP。较薄部分71b的宽度W1b可以小于主要部分72的宽度W2。在一个实施例中，较薄部分71b的宽度可以为大约3微米或更大。
根据图10所示的示例性实施例的效果可以与根据图5或图6所示的示例性实施例的效果基本上相同。也就是说，半导体层151可以具有在第一数据线171a的连接到连接构件73a的较薄部分71b的边缘和主要部分72的边缘的连接位置处弯曲的弯曲边缘52。此外，在半导体层151的边缘中，弯曲边缘51d可以与下侧的连接部分CP对应地弯曲以与弯曲边缘52相邻，并且形成凹形形状。也就是说，半导体层151的弯曲边缘51d具有凹形形状而不向外突出，因此区域BB可以不减小。因此，可以改善在连接部分CP附近的数据导电层、欧姆接触层161和半导体层151的图案化精度，并且可以获得确保在像素PX的修复工艺中到栅线121的线部分21b上的激光照射需要的空间的足够的余量，从而保持或增加修复像素PX的成功率。此外，通过抑制或防止连接部分CP附近的半导体层151的不期望的向外突出，可以减少或防止通过晶体管Qa和Qb的漏电流的增加。
在半导体层151的边缘中，在上侧与连接部分CP对应地弯曲的弯曲边缘51可以具有不同于在下侧与连接部分CP对应的弯曲边缘51d的形状。例如，弯曲边缘51可以具有比弯曲边缘51d更圆的凹形形状，或者可以向外突出。
现在参考图11，根据本示例性实施例的显示设备与根据图7所示的示例性实施例的显示设备基本上类似。为了便于图示和说明，图11示出了栅线121的两个线部分21a和21b中的线部分21b。因此，图11示出了由线部分21b限定的区域BB。
根据本示例性实施例的连接构件73a可以包括直接连接到第一数据线171a的较薄部分73ac以及布置在较薄部分73ac与第一源电极173a之间的主要部分73ad。在连接构件73a的两个边缘中，下边缘可以在主要部分73ad和较薄部分73ac的连接位置处弯曲以形成弯曲边缘。较薄部分73ac可以包括连接部分CP。较薄部分73ac的宽度可以小于主要部分73ad的宽度。在一个实施例中，较薄部分73ac的宽度可以为大约3微米或更大。
换句话说，连接构件73a的两个边缘中的下边缘可以包括布置在连接部分CP附近并且连接到第一数据线171a的凹陷部分70。连接构件73a的包括凹陷部分70的部分与较薄部分73ac对应。
半导体层151可以具有与形成凹形形状的连接部分CP对应地弯曲的弯曲边缘51f。也就是说，半导体层151的弯曲边缘51f具有凹形形状而不向外突出，因此区域BB可以不减小。因此，可以改善在连接部分CP附近的数据导电层、欧姆接触层161和半导体层151的图案化精度，并且可以确保在像素PX的修复工艺中到栅线121的线部分21b上的激光照射需要的空间的足够的余量，从而保持或增加修复像素PX的成功率。此外，通过抑制或防止连接部分CP附近的半导体层151的不期望的向外突出，可以减少或防止通过晶体管Qa和Qb的漏电流的增加。
在半导体层151的边缘中，在上侧与连接部分CP对应地弯曲的弯曲边缘51可以具有不同于在下侧与连接部分CP对应的弯曲边缘51f的形状。例如，弯曲边缘51可以具有比弯曲边缘51f更圆的凹形形状，或者可以向外突出。
现在参考图12，根据本示例性实施例的显示设备与根据图8所示的示例性实施例的显示设备基本上类似。为了便于图示和说明，图12示出了栅线121的两个线部分21c和21d中的线部分21d。因此，图12示出了由线部分21d限定的区域BBL。
在半导体层151的边缘中，与连接部分CP对应的弯曲边缘51g和51h可以具有凹形形状或者可以向外突出。然而，由于限定区域BBL的边界的栅线121的线部分21d是向外面弯曲，因此与以上描述的示例性实施例的区域BB相比，区域BBL可以基本上不减小。因此，可以获得用于在像素PX的修复工艺中确保激光照射需要的空间的足够的余量，从而保持或增加修复像素PX的成功率。
以上描述的各种示例性实施例的两个或更多个特征可以同时应用于同一显示设备。
虽然已经结合一些实用的示例性实施例描述了本公开，但应理解，本公开并不限于所公开的实施例，而是相反，意在覆盖在本公开的精神和范围内的各种修改和等同设置。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
栅线，包括栅线部分并且在第一方向上延伸；
数据线，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；
晶体管，包括连接到所述栅线的栅电极、连接到所述数据线的源电极、以及漏电极；以及
连接构件，被布置在所述数据线与所述源电极之间，连接到所述数据线和所述源电极，并在所述第一方向上延伸以与所述栅电极的栅电极边缘相交，
其中所述数据线的数据线边缘和所述连接构件的连接构件边缘彼此连接的连接部分在平面图中与所述栅线和所述栅电极不重叠，
其中所述数据线包括与所述栅线相交的第一数据线部分、以及连接到所述第一数据线部分并且在所述平面图中与所述栅线不重叠的第二数据线部分，
其中所述第二数据线部分包括所述连接部分，并且
其中所述第一数据线部分的第一宽度大于所述第二数据线部分的第二宽度。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述数据线的所述第二数据线部分包括在由所述数据线、所述连接构件、所述栅电极边缘以及所述栅线的所述栅线部分包围的区域中。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述数据线包括两个面对的数据线边缘，并且所述两个面对的数据线边缘中的第一数据线边缘直接连接到所述连接构件，并且在所述第一数据线部分和所述第二数据线部分连接的位置处弯曲以形成弯曲边缘。
4.根据权利要求3所述的显示设备，进一步包括：
半导体层，与所述数据线、所述连接构件、所述源电极以及所述漏电极重叠，
其中所述半导体层包括布置在所述源电极与所述漏电极之间的沟道区。
5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，
所述栅线的所述栅线部分包括相对于所述第二数据线部分而彼此面对的第一栅线部分和第二栅线部分。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述连接构件包括连接到所述数据线的第一连接构件部分以及布置在所述第一连接构件部分与所述源电极之间的第二连接构件部分，并且
所述第一连接构件部分的第三宽度小于所述第二连接构件部分的第四宽度。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，
所述第一连接构件部分在所述平面图中与所述栅电极不重叠，并且
所述连接构件的所述第一连接构件部分包括在由所述数据线、所述连接构件、所述栅电极边缘以及所述栅线的所述栅线部分包围的区域中。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，
所述第二连接构件部分与所述栅电极边缘相交。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述栅线的所述栅线部分弯曲以形成弯曲边缘。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，
所述栅线部分具有均匀的宽度。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，
所述栅线的所述栅线部分的所述弯曲边缘包括在由所述数据线、所述连接构件、所述栅电极边缘以及所述栅线的所述栅线部分包围的区域中。
12.一种显示设备，包括：
栅线，包括栅线部分并且在第一方向上延伸；
数据线，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；
晶体管，包括连接到所述栅线的栅电极、连接到所述数据线的源电极、以及漏电极；以及
连接构件，被布置在所述数据线与所述源电极之间，连接到所述数据线和所述源电极，并在所述第一方向上延伸以与所述栅电极的栅电极边缘相交，
其中所述数据线的数据线边缘和所述连接构件的连接构件边缘彼此连接的连接部分在平面图中与所述栅线和所述栅电极不重叠，
其中所述连接构件包括连接到所述数据线的第一连接构件部分以及布置在所述第一连接构件部分与所述源电极之间的第二连接构件部分，
其中所述第一连接构件部分包括所述连接部分，并且
其中所述第一连接构件部分的第一宽度小于所述第二连接构件部分的第二宽度。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，
所述第一连接构件部分在所述平面图中与所述栅电极不重叠。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，
所述连接构件的所述第一连接构件部分包括在由所述数据线、所述连接构件、所述栅电极边缘以及所述栅线的所述栅线部分包围的区域中。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，
所述第二连接构件部分与所述栅电极边缘相交。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，
所述栅线的所述栅线部分包括相对于所述第一连接构件部分而彼此面对的第一栅线部分和第二栅线部分。
17.一种显示设备，包括：
栅线，包括栅线部分并且在第一方向上延伸；
数据线，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；
晶体管，包括连接到所述栅线的栅电极、连接到所述数据线的源电极、以及漏电极；以及
连接构件，被布置在所述数据线与所述源电极之间，连接到所述数据线和所述源电极，并在所述第一方向上延伸以与所述栅电极的栅电极边缘相交，
其中所述数据线的数据线边缘和所述连接构件的连接构件边缘彼此连接的连接部分在平面图中与所述栅线和所述栅电极不重叠，并且
其中所述栅线的所述栅线部分弯曲以形成弯曲边缘。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，
所述栅线部分具有均匀的宽度。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，
所述栅线的所述栅线部分的所述弯曲边缘包括在由所述数据线、所述连接构件、所述栅电极边缘以及所述栅线的所述栅线部分包围的区域中。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，
所述栅线的所述栅线部分包括相对于所述连接部分而彼此面对的第一栅线部分和第二栅线部分。
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