CN105425435A - 像素阵列及像素单元的修补方法 - Google Patents

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Abstract

一种像素阵列及像素单元的修补方法。像素阵列包括多个像素单元，其中每一个像素单元包括第一子像素以及第二子像素。第一子像素包括第一主动元件以及与第一主动元件的漏极电性连接的第一像素电极。第二子像素包括第二主动元件以及与第二主动元件的漏极电性连接的第二像素电极，其中第一像素电极与第二主动元件的漏极具有交叠处且形成第一电容。本发明还提供了一种像素单元的修补方法。

Description

像素阵列及像素单元的修补方法
技术领域
本发明涉及一种像素阵列及像素单元的修补方法，特别是一种利于进行暗点化的像素阵列及像素单元的修补方法。
背景技术
近年来，虽然平面显示器技术已趋成熟，但显示面板的组成元件，如主动元件阵列基板，在制造过程之中难免会产生一些点瑕疵(dotdefect)。一般来说，若能通过修补方式将上述的点瑕疵修补成暗点，就可以不需要报废丢弃这些有瑕疵的显示面板。
现行的像素单元的修补方式通常是采用激光熔接(laserwelding)及激光切割(lasercutting)的搭配来进行，以将像素电极连接至共用电位，进而达到暗点化效果。然而，由于显示面板的结构趋于复杂，因此像素电极在修补后仍有可能未确实地连接至共用电位，而使得暗点化失败。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种像素阵列，其结构有利于对瑕疵像素进行暗点化。
本发明另一目的是提供一种像素阵列，其具有经暗点化的瑕疵像素。
本发明还一目的是提供一种像素单元的修补方法，其可达到将瑕疵像素确实暗点化的目的。
为了实现上述目的，本发明提供了一种像素阵列，包括多个像素单元，其中每一个像素单元包括第一子像素以及第二子像素。第一子像素包括第一主动元件以及与第一主动元件的漏极电性连接的第一像素电极。第二子像素包括第二主动元件以及与第二主动元件的漏极电性连接的第二像素电极，其中第一像素电极与第二主动元件的漏极具有交叠处且形成第一电容。
为了更好地实现上述目的，本发明还提供了一种像素阵列，包括多个像素单元，其中每一个像素单元包括第一子像素、第二子像素、第一电极以及第二电极。第一子像素包括第一主动元件以及与第一主动元件的漏极电性连接的第一像素电极。第二子像素包括第二主动元件以及与第二主动元件的漏极电性连接的第二像素电极，其中第一像素电极与第二主动元件的漏极的交叠处具有第一熔接点。第一像素电极与第二像素电极经由第一熔接点与共同电位电性连接。
为了更好地实现上述目的，本发明还提供了一种像素单元的修补方法包括以下步骤：提供像素单元，其包括第一子像素、第二子像素、第一电极以及第二电极。第一子像素包括第一主动元件以及与第一主动元件的漏极电性连接的第一像素电极。第二子像素包括第二主动元件以及与第二主动元件的漏极电性连接的第二像素电极，其中第一像素电极与第二主动元件的漏极具有第一交叠处。进行激光切割工艺，切割提供信号至第一主动元件与第二主动元件的信号线。进行激光熔接工艺，以于第一交叠处形成第一熔接点，其中第一像素电极与第二像素电极经由第一熔接点与共同电位电性连接。
本发明的技术效果在于：
在本发明之像素阵列的第一与第二子像素中，第一像素电极与第二主动元件的漏极具有交叠处且形成电容。当像素单元中的第一或第二子像素发生瑕疵时，第二子像素可以经由第一子像素与熔接点而电性连接至共同电位，即可达到将像素单元暗点化的目的。因此，本发明的像素阵列的设计有利于对像素单元进行修补，使得采用此像素阵列的显示面板具有良好的显示品质。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A为本发明一实施例的像素阵列的示意图；
图1B为图1A像素单元的局部放大示意图；
图1C为图1B的像素单元的等效电路示意图；
图2A为对图1B的像素单元进行修补后的示意图；
图2B为图2A的经修补的像素单元的等效电路示意图；
图3A为本发明一实施例的像素阵列的示意图；
图3B为图3A像素单元的局部放大示意图；
图3C为图3B的像素单元的等效电路示意图；
图4A为对图3B的像素单元进行修补后的示意图；
图4B为图4A的经修补的像素单元的等效电路示意图；
图5A为本发明一实施例的像素阵列的示意图；
图5B为图5A像素单元的局部放大示意图；
图5C为图5B的像素单元的等效电路示意图；
图6A为对图5B的像素单元进行修补后的示意图；
图6B为图6A的经修补的像素单元的等效电路示意图；
图7A为本发明一实施例的像素阵列的示意图；
图7B为图7A像素单元的局部放大示意图；
图7C为图7B的像素单元的等效电路示意图；
图8A为对图7B的像素单元进行修补后的示意图；
图8B为图8A的经修补的像素单元的等效电路示意图；
图9A为本发明一实施例的像素单元的等效电路示意图；
图9B为本发明一实施例的经修补的像素单元的等效电路示意图。
其中，附图标记
10、10a、10b、10c像素阵列
100、100a、100b、100c像素单元
110电容电极
C1、C2、C3、CLC1、CLC2、CST1、CST2电容
CH1、CH2、CHsh、CHst通道层
CL共同线
CS切割处
D1、D2、Dsh、Dst漏极
DL数据线
DL1第一数据线
DL2第二数据线
E1第一电极
E2第二电极
E3第三电极
E4电极
G1、G2、Gsh栅极
GL扫描线
P1第一子像素
P2第二子像素
PE1第一像素电极
PE2第二像素电极
Pw路径
S1、S2、Ssh源极
SL信号线
T1第一主动元件
T2第二主动元件
Tsh分享开关元件
VCS、VCOM共同电位
W1第一熔接点
W2第二熔接点
W3第三熔接点
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述
图1A为本发明一实施例的像素阵列的示意图，图1B为图1A像素单元的局部放大示意图，图1C为图1B的像素单元的等效电路示意图。为了说明方便，在图1A中是以像素阵列包括2x2个像素单元为例，但本发明不以此为限。
请同时参照图1A至图1C，像素阵列10包括多个像素单元100。每一个像素单元100包括第一子像素P1、第二子像素P2、扫描线GL以及数据线DL。第一子像素P1包括第一主动元件T1以及第一像素电极PE1。第一主动元件T1例如是包括栅极G1、通道层CH1、源极S1以及漏极D1。栅极G1与扫描线GL电性连接，源极S1与数据线DL电性连接。通道层CH1例如是配置于栅极G1上方且位于源极S1与漏极D1之间。第一像素电极PE1与漏极D1电性连接。第二子像素P2包括第二主动元件T2以及第二像素电极PE2。第二主动元件T2例如是包括栅极G2、通道层CH2、源极S2以及漏极D2。栅极G2与扫描线GL电性连接，源极S2与数据线DL电性连接。通道层CH2例如是配置于栅极G2上方且位于源极S2与漏极D2之间。第二像素电极PE2与漏极D2电性连接。
第一像素电极PE1与第二主动元件T2的漏极D2具有第一交叠处且形成第一电容C1。在本实施例中，漏极D2包括用以电性连接至数据线DL的部分以及经由通孔与第二像素电极PE2电性连接的部分。此外，漏极D2还包括位于第一像素电极PE1下方以形成第一交叠处的部分。在本实施例中，与第二主动元件T2的漏极D2交叠的第一像素电极PE1例如是位于电性连接至漏极D1的通孔附近。也就是说，第一像素电极PE1例如是由漏极D1上方进一步延伸至第二主动元件T2的漏极D2上方。
在本实施例中，像素单元100例如是还包括第一电极E1、第二电极E2以及第三电极E3。在本实施例中，第一电极E1、第二电极E2以及第三电极E3例如是构成分享电容器。第一电极E1例如是与第一像素电极PE1电性连接。第二电极E2例如是与第一电极E1具有第二交叠处且形成第二电容C2。第三电极E3例如是电性连接至共同电位VCS且与第二电极E2具有第三交叠处且形成第三电容C3。在本实施例中，第三电极E3例如是经由通孔与共同线CL电性连接，但本发明不限于此，在其他实施例中，第三电极E3也可以实质上属于共同线CL的一部分。在本实施例中，第一电极E1与第一像素电极PE1例如是一体成形。在本实施例中，例如是还包括电容电极110，用以与共同线CL形成电容。在图1C中，CLC1、CLC2表示液晶电容，CST1、CST2表示储存电容，VCOM表示彩色滤光基板侧的共同电极(未绘示)的共同电位，VCS表示像素阵列侧的共同线CL的共同电位，此为本领域所周知，于此不赘述。在本实施例中，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2分别与彩色滤光基板侧的共同电极(电位为VCOM)之间形成液晶电容CLC1和CLC2，但不以此为限。
在本实施例中，像素单元100例如是还包括与扫描线GL平行设置的信号线SL以及分享开关元件Tsh，其中分享开关元件Tsh例如是包括栅极Gsh、通道层CHsh、源极Ssh以及漏极Dsh。分享开关元件Tsh的栅极Gsh例如是与信号线SL电性连接。通道层CHsh例如是配置于栅极Gsh上方且位于源极Ssh与漏极Dsh之间。在本实施例中，分享开关元件Tsh的源极Ssh例如是与第二主动元件T2的漏极D2电性连接。分享开关元件Tsh的漏极Dsh例如是与第二电极E2电性连接。在本实施例中，分享开关元件Tsh的源极Ssh与第二主动元件T2的漏极D2例如是一体成形。分享开关元件Tsh的漏极Dsh与第二电极E2例如是一体成形。
如图1C所示，在本实施例中，第一像素电极PE1与第二主动元件T2的漏极D2形成第一电容C1，第二电极E2与第一电极E1(与第一像素电极PE1电性连接)形成第二电容C2，电性连接至共同电位VCS的第三电极E3与第二电极E2形成第三电容C3。因此，当第二子像素P2发生瑕疵时，可藉由电性连接第一像素电极PE1、第一电极E1、第二电极E2以及第三电极E3，使得第二主动元件T2的漏极D2电性连接至共同电位VCS，以达到确实使第二子像素P2暗点化的目的。
应用前述的像素阵列，针对像素单元进行修补举例说明如下。图2A为对图1B的像素单元进行修补后的示意图，以及图2B为图2A的经修补的像素单元的等效电路示意图。
请同时参照图2A与图2B，当像素单元100中的第一子像素P1或第二子像素P2发生瑕疵时，藉由使第二子像素P2、第一子像素P1及第一至第三电极E1、E2、E3彼此电性连接，可形成一连接至共同电位VCS的路径Pw(如粗线箭头所示)，以使得第一子像素P1与第二子像素P2被暗点化，详细说明如下。首先，进行激光切割工艺，切割提供信号至第一主动元件T1与第二主动元T2的数据线DL。也就是说，数据线DL具有一切割处CS，使得第一主动元件T1与第二主动元件T2与扫描线GL电性连接但与数据线DL经由切割处CS电性分离。接着，对第二子像素P2的漏极D2与第一像素电极PE1的第一交叠处进行熔接可形成第一熔接点W1，以使第二子像素P2的漏极D2与第一子像素P1的第一像素电极PE1电性连接。然后，对第一电极E1与第二电极E2的第二交叠处进行熔接可形成第二熔接点W2，以经由第一电极E1使第一像素电极PE1与第二电极E2电性连接。而后，对第二电极E2与第三电极E3的第三交叠处进行熔接可形成第三熔接点W3，以经由第二电极E2使第一电极E1电性连接至共同电位VCS。如此一来，第二子像素P2经由路径Pw电性连接至共同电位VCS，以被暗点化。
在本实施例中，第二子像素P2也有可能经由漏极D2、分享开关元件Tsh的源极Ssh、第二电极E2、第三熔接点W3以及第三电极E3的路径而电性连接至共同电位VCS，进而被暗点化。然而，由于此路径需经过分享开关元件Tsh，而分享开关元件Tsh的栅极Gsh关闭会使第二子像素P2的电容浮接，电位易受耦合影响，进而容易导致暗点化失败。因此，本实施例藉由第一子像素P1的第一像素电极PE1与第二子像素P2的漏极D2延伸而彼此重叠的设计，使第二子像素P2能经由漏极D2、第一熔接点W1、第一子像素P1的第一像素电极PE1、第一电极E1、第二熔接点W2、第二电极E2、第三熔接点W3以及第三电极E3的路径Pw电性连接至共同电位VCS。由于此路径Pw不须经过分享开关元件Tsh，因此能使第二子像素P2被确实暗点化。如此一来，达到修补像素单元100进行的目的。
图3A为本发明一实施例的像素阵列的示意图，图3B为图3A像素单元的局部放大示意图，图3C为图3B的像素单元的等效电路示意图。图3A的像素阵列与图1A相似，以下就不同处进行说明。在本实施例中，漏极D2与第一像素电极PE1具有第一交叠处且形成第一电容C1。第一电极E1例如是第一像素电极PE1的一部分，以及第二电极E2例如是共同线CL的一部分。第二电极E2与第一电极E1具有第二交叠处且形成第二电容C2。第三电极E3例如是电性连接至共同电位VCS且与另一电极E4具有第三交叠处且形成第二电容C3。
图4A为对图3B的像素单元进行修补后的示意图，以及图4B为图4A的经修补的像素单元的等效电路示意图。
请参照图4A与图4B，当像素单元100a中的第一子像素P1或第二子像素P2发生瑕疵时，藉由使第二子像素P2、第一子像素P1及第一电极E1与第二电极E2彼此电性连接，可形成一连接至共同电位VCS的路径Pw(如粗线箭头所示)，以使得第一子像素P1与第二子像素P2被暗点化，详细说明如下。首先，进行激光切割工艺，切割提供信号至第一主动元件T1与第二主动元T2的数据线DL。接着，对第二子像素P2的漏极D2与第一像素电极PE1的第一交叠处进行熔接可形成第一熔接点W1，以使第二子像素P2的漏极D2与第一子像素P1的第一像素电极PE1电性连接。然后，对第一电极E1与第二电极E2的第二交叠处进行熔接可形成第二熔接点W2，以经由第一电极E1使第一像素电极PE1电性连接至具有共同电位VCS的第二电极E2。如此一来，第二子像素P2经由路径Pw电性连接至共同电位VCS，以被确实暗点化。
在本实施例中，藉由第一子像素P1的第一像素电极PE1与第二子像素P2的漏极D2延伸而彼此重叠的设计，使第二子像素P2能经由漏极D2、第一熔接点W1、第一像素电极PE1、第一电极E1、第二熔接点W2以及第二电极E2的路径Pw电性连接至共同电位VCS，以达到确实使第一子像素P1与第二子像素P2暗点化的目的，进而修补像素单元100a。
图5A为本发明一实施例的像素阵列的示意图，图5B为图5A像素单元的局部放大示意图，图5C为图5B的像素单元的等效电路示意图。图5A的像素阵列与图1A相似，不同处在于本实施例的像素阵列不具有分享开关元件，以及本实施例的像素阵列具有电阻调配元件(divider)以及于不同位置处形成储存电容。因此，在图5A的像素阵列10b与图1A的像素阵列10中，使用相同或相似的标号来表示相同或相似的元件，且相关说明皆可参照前文。以下，将仅针对两者之间的差异进行说明。
请同时参照图5A至图5C，在本实施例中，第一像素电极PE1与第二主动元件T2的漏极D2具有第一交叠处且形成第一电容C1(标示于图5C)。像素单元100b例如是包括第一电极E1、第二电极E2以及电阻调配元件Rst。第一电极E1例如是与第一像素电极PE1电性连接。在本实施例中，第一电极E1与第一像素电极PE1例如是一体成形。第二电极E2例如是电性连接至共同电位VCS且与第一电极E1具有第二交叠处且形成第二电容C2。在本实施例中，第二电极E2例如是与共同线CL一体成形。在本实施例中，第二像素电极PE2例如是进一步延伸而与第二电极E2具交叠处且形成CST2。电阻调配元件Rst例如是包括栅极Gst、通道层CHst、源极Sst以及漏极Dst，其中源极Sst与第一主动元件T1的漏极D1电性连接。漏极Dst例如是电性连接至共同电位VCS。在本实施例中，源极Sst与第一主动元件T1的漏极D1例如是一体成形。在本实施例中，像素单元100b例如是还包括电容电极110。
图6A为对图5B的像素单元进行修补后的示意图，以及图6B为图6A的经修补的像素单元的等效电路示意图。
请参照图6A与图6B，当像素单元100b中的第一子像素P1或第二子像素P2发生瑕疵时，藉由使第二子像素P2、第一子像素P1及第一电极E1与第二电极E2彼此电性连接，可形成一连接至共同电位VCS的路径Pw(如粗线箭头所示)，以使得第一子像素P1与第二子像素P2被暗点化，详细说明如下。首先，进行激光切割工艺，切割提供信号至第一主动元件T1与第二主动元T2的数据线DL。也就是说，数据线DL具有一切割处CS，使得第一主动元件T1与第二主动元件T2与扫描线GL电性连接但与数据线DL经由切割处CS电性分离。接着，对第二子像素P2的漏极D2与第一像素电极PE1的第一交叠处进行熔接可形成第一熔接点W1，以使第二子像素P2的漏极D2与第一子像素P1的第一像素电极PE1电性连接。然后，对第一电极E1与第二电极E2的第二交叠处进行熔接可形成第二熔接点W2，以经由第二电极E2使第一电极E1电性连接至共同电位VCS。如此一来，第二子像素P2经由路径Pw电性连接至共同电位VCS，以被暗点化。
在本实施例中，藉由第一子像素P1的第一像素电极PE1与第二子像素P2的漏极D2延伸而彼此重叠的设计，使第二子像素P2能经由漏极D2、第一熔接点W1、第一像素电极PE1、第一电极E1、第二熔接点W2以及第二电极E2的路径Pw电性连接至共同电位VCS，以达到确实使第一子像素P1与第二子像素P2暗点化的目的，进而修补像素单元100b。
图7A为本发明一实施例的像素阵列的示意图，图7B为图7A像素单元的局部放大示意图，图7C为图7B的像素单元的等效电路示意图。图7A的像素阵列的构件与图1A大致相同，不同处在于本实施例的第一子像素与第二子像素分别连接至不同的数据线，以及本实施例的像素阵列于不同位置处形成储存电容且不具有分享开关元件。因此，在图7A的像素阵列10c与图1A的像素阵列10中，使用相同或相似的标号来表示相同或相似的元件，且相关说明皆可参照前文。以下，将仅针对两者之间的差异进行说明。
请同时参照图7A至图7C，在本实施例中，像素阵列10c包括多个像素单元100c。每一个像素单元100c包括第一子像素P1、第二子像素P2、扫描线GL、第一数据线DL1以及第二数据线DL2。其中，第一子像素P1的第一主动元件T1的栅极G1与扫描线GL电性连接，第一主动元件T1的源极S1与第一数据线DL1电性连接。第二子像素P2的第二主动元件T2的栅极G2与扫描线GL电性连接，第二主动元件T2的源极S2与第二数据线DL2电性连接。
第一像素电极PE1与第二主动元件T2的漏极D2具有第一交叠处且形成第一电容C1。像素单元100c例如是还包括第一电极E1与第二电极E2。第一电极E1例如是与第一像素电极PE1电性连接。在本实施例中，第一电极E1与第一像素电极PE1例如是一体成形。第二电极E2例如是电性连接至共同电位VCS且与第一电极E1具有第二交叠处且形成第二电容C2。在本实施例中，第二电极E2实质上与共同线CL一体成形。在本实施例中，第二像素电极PE2例如是进一步延伸而与第二电极E2具有交叠处且形成CST2。
图8A为对图7B的像素单元进行修补后的示意图，以及图8B为图8A的经修补的像素单元的等效电路示意图。
请参照图8A与图8B，当像素单元100c中的第一子像素P1或第二子像素P2发生瑕疵时，藉由使第二子像素P2、第一子像素P1及第一电极E1与第二电极E2彼此电性连接，可形成一连接至共同电位VCS的路径Pw(如粗线箭头所示)，以使得第一子像素P1与第二子像素P2被暗点化被暗点化，详细说明如下。首先，进行激光切割工艺，切割提供信号至第一主动元件T1与第二主动元件T2的第一数据线DL1与第二数据线DL2。也就是说，第一数据线DL1与第二数据线DL2分别具有一切割处CS1、CS2，使得第一主动元件T1与第二主动元件T2与扫描线GL电性连接但与第一数据线DL1与第二数据线DL2经由切割处CS1、CS2电性分离。接着，对第二子像素P2的漏极D2与第一像素电极PE1的第一交叠处进行熔接可形成第一熔接点W1，以使第二子像素P2的漏极D2与第一子像素P1的第一像素电极PE1电性连接。然后，对第一电极E1与第二电极E2的第二交叠处进行熔接可形成第二熔接点W2，以经由第二电极E2使第一电极E1电性连接至共同电位VCS。如此一来，第二子像素P2经由路径Pw电性连接至共同电位VCS，以被确实暗点化。
在本实施例中，藉由第一子像素P1的第一像素电极PE1与第二子像素P2的漏极D2延伸而彼此重叠的设计，使第二子像素P2能经由漏极D2、第一熔接点W1、第一像素电极PE1、第一电极E1、第二熔接点W2以及第二电极E2的路径Pw电性连接至共同电位VCS，以达到确实使第一子像素P1与第二子像素P2暗点化的目的，进而修补像素单元100c。
由上述实施例可知，当像素单元100、100a、100b、100c中的第一子像素P1或第二子像素P2发生瑕疵时，可经由第一熔接点W1电性连接至共同电位VCS，达到将第一子像素P1与第二子像素P2确实暗点化的目的，如图9A与图9B所示。更进一步而言，当像素单元中的第一子像素P1或第二子像素P2发生瑕疵时，可藉由使第二子像素P2、第一子像素P1及第一与第二电极E1、E2(或第一至第三电极E1、E2、E3)经由第一熔接点W1与第二熔接点W2彼此电性连接而连接至共同电位VCS，达到将第一子像素P1与第二子像素P2确实暗点化的目的。因此，采用此像素阵列10、10a、10b、10c的显示面板具有良好的显示品质。
综上所述，本发明的像素阵列的第一与第二子像素中，第一子像素的像素电极与第二子像素的漏极延伸至彼此交叠以形成电容。当像素单元中的第一子像素或第二子像素发生瑕疵时，可以经由切割与熔接使得第二子像素经由第一子像素与第一电极以及第二电极(或第一电极连接至第二电极与第三电极)电性连接至共同电位，即可达到将第一子像素与第二子像素确实暗点化的目的。故，本发明的像素单元的结构有利于对子像素进行确实暗点化，使得采用此像素阵列的显示面板具有良好的显示品质。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (20)

1.一种像素阵列，包括多个像素单元，其特征在于，每一个像素单元包括
一第一子像素，包括一第一主动元件以及与该第一主动元件的一漏极电性连接的一第一像素电极；以及
一第二子像素，包括一第二主动元件以及与该第二主动元件的一漏极电性连接的一第二像素电极，其中该第一像素电极与该第二主动元件的该漏极具有交叠处且形成一第一电容。
2.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，还包括
一第一电极，与该第一像素电极电性连接；以及
一第二电极，与该第一电极具有交叠处且形成一第二电容。
3.如权利要求2所述的像素阵列，其特征在于，该第一像素电极与该第一电极一体成形。
4.如权利要求2所述的像素阵列，其特征在于，该第二电极电性连接至一共同电位。
5.如权利要求2所述的像素阵列，其特征在于，还包括一第三电极，电性连接至一共同电位，该第三电极与该第二电极具有交叠处且形成一第三电容。
6.如权利要求2所述的像素阵列，其特征在于，还包括
一信号线；以及
一分享开关元件，包括一栅极、一源极以及一漏极，其中该分享开关元件的该栅极与该信号线电性连接，该分享开关元件的该源极与该第二主动元件的该漏极电性连接，以及该分享开关元件的该漏极与该第二电极电性连接。
7.如权利要求2所述的像素阵列，其特征在于，该第二像素电极与该第二电极具有交叠处。
8.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，还包括一扫描线与一数据线，其中该第一主动元件及该第二主动元件分别与该扫描线及该数据线电性连接。
9.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，还包括一电阻调配元件，包括一栅极、一源极以及一漏极，其中该电阻调配元件的该源极与该第一主动元件的该漏极电性连接。
10.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，还包括一扫描线、一第一数据线以及一第二数据线，其中该第一主动元件与该扫描线及该第一数据线电性连接，该第二主动元件与该扫描线及该第二数据线电性连接。
11.一种像素阵列，包括多个像素单元，其特征在于，每一个像素单元包括
一第一子像素，包括一第一主动元件以及与该第一主动元件的一漏极电性连接的一第一像素电极；以及
一第二子像素，包括一第二主动元件以及与该第二主动元件的一漏极电性连接的一第二像素电极，其中该第一像素电极与该第二主动元件的该漏极的交叠处具有一第一熔接点，其中该第一像素电极与该第二像素电极经由该第一熔接点与该共同电位电性连接。
12.如权利要求11所述的像素阵列，其特征在于，还包括一第一电极与一第二电极，该第一电极与该第一像素电极电性连接，该第二电极电性连接至一共同电位且与该第一电极的交叠处具有一第二熔接点。
13.如权利要求12所述的像素阵列，其特征在于，还包括一第三电极，电性连接至该共同电位，该第三电极与该第二电极的交叠处具有一第三熔接点，该第二电极经由该第三熔接点电性连接至该共同电位。
14.如权利要求12所述的像素阵列，其特征在于，该第一像素电极与该第一电极一体成形。
15.如权利要求12所述的像素阵列，其特征在于，还包括
一信号线；以及
一分享开关元件，包括一栅极、一源极以及一漏极，其中该分享开关元件的该栅极与该信号线电性连接，该分享开关元件的该源极与该第二主动元件的该漏极电性连接，以及该分享开关元件的该漏极与该第二电极电性连接。
16.如权利要求12所述的像素阵列，其特征在于，该第二像素电极与该第二电极具有交叠处。
17.如权利要求11所述的像素阵列，其特征在于，还包括一扫描线与一数据线，其中该数据线具有一切割处，该第一主动元件与该第二主动元件与该扫描线电性连接但与该数据线经由该切割处电性分离。
18.如权利要求11所述的像素阵列，其特征在于，还包括一电阻调配元件，包括一栅极、一源极以及一漏极，其中该电阻调配元件的该源极与该第一主动元件的该漏极电性连接。
19.如权利要求11所述的像素阵列，其特征在于，还包括一扫描线、一第一数据线以及一第二数据线，其中该第一数据线与该第二数据线分别具有一切割处，该第一主动元件与该扫描线电性连接但与该第一数据线经由该切割处电性分离，该第二主动元件与该扫描线电性连接但与该第二数据线经由该切割处电性分离。
20.一种像素单元的修补方法，其特征在于，包括
提供一像素单元，其包括
一第一子像素，包括一第一主动元件以及与该第一主动元件的一漏极电性连接的一第一像素电极；以及
一第二子像素，包括一第二主动元件以及与该第二主动元件的一漏极电性连接的一第二像素电极，其中该第一像素电极与该第二主动元件的该漏极具有一第一交叠处；
进行一激光切割工艺，切割提供信号至该第一主动元件与该第二主动元件的信号线；以及
进行一激光熔接工艺，以于该第一交叠处形成一第一熔接点，其中该第一像素电极与该第二像素电极经由该第一熔接点与该共同电位电性连接。
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