CN111261497A - 外延晶片的制造方法及装置 - Google Patents

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Abstract

一种在进行多站式处理的情况下能够使外延晶片的品质稳定的外延晶片的制造方法和装置。具有：具有石英制的上侧拱顶（12）的单片式的外延生长炉（1）、载置晶片（W）的承载器（16）、向外延生长炉的腔（11）内供给反应气体或清洗气体的气体供给系统（3）、加热腔内的卤素灯（15）、检测晶片的表面的温度的红外线放射温度传感器（4）、和控制加热器的输出以使得检测到的温度为规定温度范围且控制气体供给系统的控制器（5）；控制器将结束清洗处理后直到将第一次的晶片投入腔内为止的待机时间设定为加热器的输出的变动率落入规定范围的时间，直到结束清洗处理后的时间到达待机时间为止，禁止第一次的晶片的投入。

Description

外延晶片的制造方法及装置
技术领域
本发明涉及外延晶片的制造方法及装置。
背景技术
在硅外延晶片的制造中，在对多个硅晶片同时进行外延生长处理的批量方式的外延生长装置之外，使用也能够对应大口径的硅晶片的单片式的外延生长装置。这种单片式的外延生长装置在外延生长炉的腔内将载置于承载器的晶片加热至高温并令其旋转，通过氢载体而导入硅反应气体，在晶片的表面上令硅薄膜生长。作为硅外延生长的反应气体，使用甲硅烷气体(SiH4)、氯硅烷气体(SiH2Cl2,SiHCl3)等。
在该反应过程中，非晶硅、氯硅烷聚合物等材料气体的产物附着并沉积在腔内的壁面、承载器等上。如果该沉积物在外延生长过程中剥离而附着在晶片上，则有可能作为杂质而混入晶片的薄膜内而晶片的品质降低。因此，在依次进行的晶片的外延生长处理期间，进行向腔内供给氯化氢气体、三氟化氯气体等清洗气体而用于去除沉积物的清洗处理。另外，如果每一张晶片的外延生长处理都进行清洗处理，则生产率降低，因此还有时进行在连续实施多次外延生长处理后实施一次腔内的清洗处理的所谓多站式处理方法(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-26776号公报。
发明内容
发明要解决的课题
然而，基于设备结构，硅晶片的表面的硅外延薄膜品质也进一步高品质化、高精度化，如果进行上述多站式处理方法，则在实施腔内的清洗处理后的第一次的外延生长处理所得到的外延层的品质(例如膜厚)、和第二次以后的外延生长处理所得到的外延层的品质(例如膜厚)出现偏差，存在品质不稳定的问题。
本发明要解决的课题在于提供一种外延晶片的制造方法及装置，在进行连续实施多次外延生长处理后实施一次腔内的清洗处理的多站式处理的情况下，能够使外延晶片的品质稳定、且将外延生长处理条件等设备状态保持为一定。
用于解决问题的手段
本发明通过下述外延晶片的制造方法而解决上述课题，所述外延晶片的制造方法中，
向外延生长炉的腔内每次一张地投入晶片，
通过非接触式温度传感器测定前述晶片的表面的温度，同时控制加热前述腔内的加热器的输出，使得该检测到的温度为规定温度范围，
向前述腔内供给反应气体，同时在晶片的表面上令外延层气相生长，
连续实施多次外延生长处理后，实施一次去除在前述腔内沉积的沉积物的清洗处理，
其中，
将结束前述清洗处理后直到将第一次的晶片投入前述腔内为止的待机时间设定为实施前述多次外延生长处理时的前述加热器的输出的变动率落入规定范围的时间，实施外延生长处理。
本发明中，更优选前述待机时间是结束前述清洗处理后实施第一次的外延生长处理时的前述加热器的输出与实施第二次以后的外延生长处理时的前述加热器的输出的变动率落入±0.5%的范围的时间。
本发明中，在前述外延生长炉的上部设置有石英制上侧拱顶，前述非接触式温度传感器能够构成为从前述外延生长炉的外方经由前述石英制拱顶检测前述晶片的表面的温度。
本发明中，前述非接触式温度传感器是例如红外线放射温度传感器。
此外，本发明还通过下述外延晶片的制造装置而解决上述课题，所述外延晶片的制造装置具有：
至少具有石英制上侧拱顶的单片式的外延生长炉、
载置晶片的承载器、
向前述外延生长炉的腔内供给反应气体或清洗气体的气体供给系统、
加热前述腔内的加热器、
从前述腔外方经由前述石英制上侧拱顶检测前述晶片的表面的温度的红外线放射温度传感器、和
控制前述加热器的输出以使得由前述红外线放射温度传感器检测到的温度为规定温度范围、并且控制前述气体供给系统的控制器，
在所述外延晶片的制造装置中，
前述控制器为，
控制前述气体供给系统，以便在连续实施多次外延生长处理后实施一次去除在前述腔内沉积的沉积物的清洗处理，
将结束前述清洗处理后直到将第一次的晶片投入前述腔内为止的待机时间设定为实施前述多次外延生长处理时的前述加热器的输出的变动率落入规定范围的时间，
直到结束前述清洗处理后的时间到达前述待机时间为止，禁止前述第一次的晶片的投入，若结束前述清洗处理后的时间超过前述待机时间，则允许前述第一次的晶片的投入。
发明效果
根据本发明，将结束清洗处理后至将第一次的晶片投入腔内为止的待机时间设定为实施多次外延生长处理时的加热器的输出的变动率落入规定范围的时间，因此在进行多站式处理的情况下，能够使外延晶片的品质稳定，且能够将外延生长处理条件等设备状态保持为一定。
附图说明
图1是示出本发明的外延晶片的制造装置的一个实施方式的框图。
图2是示出本发明的外延晶片的制造方法的一实施方式的处理工序(多站式处理)的温度推移的图。
图3是示出将待机时间设为0秒~300秒时测定了外延层的相对膜厚的确认实验的结果的图。
图4是示出将待机时间设为0秒~300秒时测定了硅晶片表面的相对温度的确认实验的结果的图。
图5是示出将待机时间设为0秒~300秒时测定了卤素灯的相对输出的确认实验的结果的图。
图6是示出将待机时间设为0秒~300秒时测定了上侧拱顶的相对温度的确认实验的结果的图。
图7是示出测定了待机时间与第一次至第三次外延生长处理时的上侧拱顶的相对温度的关系的结果的图。
具体实施方式
以下，基于附图说明本发明的实施方式。图1是示出本发明的外延晶片的制造装置A的一个实施方式的框图。
如图1所示那样，外延生长炉1具有用于在硅晶片W上形成外延层的腔11。该腔11包括上侧拱顶12、下侧拱顶13、以及固定并支承这些上侧拱顶12和下侧拱顶13的拱顶安装体14。上侧拱顶12和下侧拱顶13由石英等透明材料构成，利用在外延生长炉1的上方和下方多个地配置的多个卤素灯15，对后述承载器16和载置在承载器16上硅晶片W进行加热。多个卤素灯15如图1中示出其一部分那样地在外延生长炉1的上方和下方的各自以环状配置，借助驱动部24控制各卤素灯15的输出，该驱动部24由来自控制器5的控制信号控制。卤素灯15相当于本发明所涉及的加热器的一例。
外延生长炉1进一步具有将腔11区隔为上部空间11a和下部空间11b的承载器16。承载器16为圆板形状，借助与承载器旋转轴17连接的支承臂18而被固定于其下表面的外周部，通过旋转驱动承载器旋转轴17而旋转。此外，在承载器16的外周部，朝向其周方向而每隔120度地形成总计三个贯穿孔。各贯穿孔中，松插有使硅晶片W升降的升降销19。升降销19的升降通过抬升臂20进行。这些承载器旋转轴17的旋转驱动、抬升臂20的升降驱动由驱动部21进行，该驱动部21由来自控制器5的指令信号控制。
另外，承载器16的材质为了防止在形成外延层时混入杂质，承载器16的表面由SiC形成即可，被涂覆材料的材质没有特别限定。一般而言，大多使用在碳基材的表面上涂覆有碳化硅(SiC)覆膜的物质，但也可以承载器16的整体由SiC形成。
在拱顶安装体14的与承载器16的上表面大致相等的高度位置，对置地配置气体供给口22和气体排出口23。外延生长处理时，从气体供给口22向腔11的内部相对于硅晶片W的上部表面平行(水平方向)地供给混合气体，所述混合气体是将三氯硅烷(SiHCl3)等硅反应气体用氢气(H2气体)等运载气体稀释、并向其中根据需要而微量混合有乙硼烷(B2H6)等掺杂剂而成的。该供给的混合气体经过硅晶片W的表面而令外延层生长后，从气体排出口23向腔11外排出。
另一方面，清洗处理时，在利用未图示的晶片运输机构经过未图示的闸门阀而将硅晶片W从腔11运出的状态下，按照规定的步骤将氯化氢(HCl)气体等清洗气体从气体供给口22导入腔11，从气体排出口23排出。由此，通过干式蚀刻而去除在承载器16等上附着的沉积物。这样的反应气体、清洗气体的供给/排出通过气体供给系统3而进行，该气体供给系统3由来自控制器5的控制信号控制。
在外延生长炉1的上方的中央部，设置有红外线放射温度传感器4，经由上侧拱顶12而光学地检测从硅晶片W放射的红外线的量，由此非接触地检测硅晶片W的表面的温度。另外，物体从其表面放射红外线，物体表面的温度根据红外线的量而确定时，红外线具有在空间中传输而传递能量的特征。红外线放射温度传感器4光学地读取在该空间中传输来的红外线，测定温度而不使物体与传感器接触。由红外线放射温度传感器4检测到的检测信号被读出到控制器5，控制器根据由此检测到的硅晶片W的表面温度，由驱动部24对卤素灯15的输出进行例如PID控制(Proportional Integral Differential Controller)。即，外延生长处理时，控制驱动部24而控制各卤素灯15的输出，使得硅晶片W的表面温度为规定温度范围。例如，执行下述控制：检测到的硅晶片W的表面温度低于规定温度范围的情况下，增加卤素灯15的输出，高于规定温度范围的情况下，减少卤素灯15的输出。
控制器5由具有CPU、ROM和RAM等的计算机构成，控制未图示的晶片运输机构和闸门阀、气体供给系统3、卤素灯15的驱动部24、承载器16的驱动部21。因此确立了用于制造外延晶片的工艺顺序和控制参数(温度、压力、气体的种类和气体的流量、时间等控制目标值)相关的装置的处理程序(以下也称为工艺配方)、及用于清洗外延生长炉和排气管的工艺顺序和控制参数相关的处理程序(以下也称为清洗配方)被确立，外延生长处理时，读取工艺配方，控制晶片运输机构、闸门阀、气体供给系统3、卤素灯15的驱动部24和承载器16的驱动部21，清洗处理时，读取清洗配方，控制晶片运输机构、闸门阀、气体供给系统3、卤素灯15的驱动部24和承载器16的驱动部21。
本实施方式的外延晶片的制造装置A中，执行所谓多站式处理。多站式处理是指在连续实施多次外延制造处理后实施一次去除在腔11内沉积的沉积物的清洗处理的作业方式。多站式处理的一例示于图2。图示的例子中，连续实施第一次、第二次和第三次这三次外延生长处理后，实施一次清洗处理，将其反复进行。
在外延生长炉1的一个侧面上，设置有未图示的闸门阀和装载室，外延生长处理前的硅晶片W从装载室经由闸门阀而被投入腔11内，外延生长处理后的硅晶片W经由闸门阀而被取出至装载室。即，打开未图示的闸门阀，从腔11将成膜后的硅外延晶片W通过未图示的晶片运输机构经由闸门阀运出。并且，关闭闸门阀，控制驱动部24而控制卤素灯15的输出，将外延生长炉1的腔11内的温度升温至规定温度，控制气体供给系统3，向腔11内以规定时间供给氯化氢气体、三氟化氯气体等清洗气体，去除沉积物(清洗处理)。接着，将卤素灯15设为OFF，同时将外延生长炉1的腔11内用氢气吹扫并冷却。在此，向前述规定温度(清洗处理温度)的升温优选为1130℃至1250℃，温度越高则能够缩短清洗气体的供给时间。并且，供给前述清洗气体的规定时间设定为去除在腔内沉积的硅沉积物、也去除在石英制的上侧拱顶12的内壁上附着的硅沉积物的程度的时间。清洗处理温度优选设定为比后述的外延生长处理的温度更高。由此，能够在短时间内清洗硅沉积物。
如果结束清洗处理，则向腔11内投入成膜前的硅晶片W后，控制驱动部24而控制卤素灯15的输出，将腔11的内部温度升温至1000~1200℃之间的规定温度，控制气体供给系统3，向腔11内，与氢气或非活性气体等运载气体一起以规定时间供给甲硅烷气体(SiH4)、氯硅烷气体(SiH2Cl2,SiHCl3)等反应气体，在硅晶片W的表面上成膜外延层(外延生长处理)。接着，将卤素灯15设为OFF，并且将腔11内用氢气吹扫并冷却后，从腔11运出成膜后的硅外延晶片W，并且投入下一成膜前的硅晶片W，与第一次的外延生长处理同样地进行外延生长处理。反复进行三次这样的外延生长处理后，进行上述清洗处理。
在此，本申请的发明人探究的结果表明后发现，在将清洗处理温度设定为高于外延生长处理温度的条件下，根据结束清洗处理后直到进行第一次的外延生长处理为止之间的时间，所成膜的硅外延晶片W的膜厚存在偏差。图3是示出确认实验的结果的图，所述确认实验为，在将清洗处理温度设定为高于外延生长处理温度的条件下，使用相同外延晶片的制造装置A在相同条件下进行清洗处理和三次外延生长处理的情况下，将结束清洗处理后直到进行第一次的外延生长处理为止之间的时间(以下也称为待机时间，也是腔11的冷却时间)设为0秒、60秒、120秒、180秒、240秒和300秒时，测定外延层的晶片的中心的相对膜厚。另外，在外延厚度为4μm的情况下进行。根据该确认实验的结果可知，第二次的膜厚与第三次的膜厚的增减率在哪个水准下均为0.2%以下的增加或减少，几乎没有差异，但第一次的膜厚与第二次以后的膜厚的增减率以超过0.5%的值减少，这大至无法忽视的程度。并且，待机时间越短，则第一次的膜厚越厚，待机时间越长，则第一次的膜厚越薄。因此可知，只要选定适当的时间，减少第一次的膜厚与第二次以后的膜厚的增减率变小。另外，前述增减率设为用((第(n+1)次的值[μm]-第n次的值[μm])的绝对值)/第n次的值[μm]×100[%](其中，n为1以上的数值)定义的值。
外延生长处理时的外延层的膜厚为，硅晶片W的表面温度越高则越厚，因此控制器5根据由红外线放射温度传感器4检测到的硅晶片W的表面温度来对卤素灯15的输出进行PID控制，以硅晶片W的表面温度变为规定温度范围的方式进行控制。图4是示出上述确认实验中的由红外线放射温度传感器4检测到的硅晶片W的表面的相对温度的测定结果的图。根据该结果，从第一次到第三次硅晶片W的表面温度被维持为规定温度范围。尽管这样地硅晶片W的表面温度被维持为规定温度范围，如图3所示那样第一次的膜厚与第二次以后的膜厚之差变大。另外，硅晶片W的表面温度的变动优选为±1度以下。
另外，图5是示出上述确认实验中的测定了卤素灯15的相对输出的变动的结果的图。根据该结果，待机时间越短则卤素灯15的输出被控制为越小，待机时间越长则卤素灯15的输出被控制为越大。认为这是为了待机时间越短则外延生长炉1的内部温度被维持在高的状态，因此执行卤素灯15的输出变小的方向的控制，待机时间越长则外延生长炉1的内部温度降低，因此执行卤素灯15的输出变大的方向的控制。
然而，如图4和图5所示那样，尽管以由红外线放射温度传感器4检测到的硅晶片W的表面温度处于规定温度范围的方式对卤素灯15的输出进行PID控制，如图3所示那样第一次的膜厚也发生偏差，推测存在某种其他原因。因此，本发明人着眼于上侧拱顶12的温度，使用图中未记载的能够测定石英表面的红外线放射温度传感器，在外延生长处理时测定上述确认实验中的上侧拱顶12的温度。其结果示于图6。图6是示出在将清洗处理温度设定为高于外延生长处理的温度的条件下，测定了将待机时间设为0秒、60秒、120秒、180秒、240秒和300秒时的上侧拱顶12的相对温度的确认实验的结果的图。根据该结果，待机时间越短则上侧拱顶12的温度越高，待机时间越长则上侧拱顶12的温度越低。即，综合图6的结果与图3的结果，得到上侧拱顶12的温度越高则第一次的膜厚越厚、上侧拱顶12的温度越低则第一次的膜厚越薄的结果，温度与膜厚的关系相整合。因此，推测如果控制上侧拱顶12的温度，则能够抑制图3所示的第一次的膜厚的偏差。另外，能够测定石英表面的红外线放射温度传感器设为与红外线放射温度传感器4不同的测定波长。具体而言，红外线放射温度传感器4的检测范围为0.9~0.97μm，相对与此，使用4.8~5.2μm。
图7是使用在上述确认实验中使用的相同外延晶片的制造装置A，在相同条件下进行清洗处理和三次外延生长处理的情况下，测定了待机时间与从第一次至第三次外延生长处理时的上侧拱顶12的相对温度的关系的结果的图。根据该结果，仅在第一次的外延生长处理的情况下，上侧拱顶12的温度发生偏差，第二次和第三次外延生长处理时的上侧拱顶12的温度几乎为一定。因此，推测如果主要控制第一次的外延生长处理时的上侧拱顶12的温度、即清洗处理后的待机时间，则能够抑制图3所示的第一次的膜厚的偏差。进一步，可以以下述方式设定前述待机时间：上侧拱顶12的温度利用前述能够测定石英表面的红外线放射温度传感器而在全部外延生长处理时中为±10度以下、优选为±5度以下。
这样的由于上侧拱顶12的温度而第一次的外延生长处理后的膜厚发生偏差的情况可以推测因以下的理由而导致。即，可以推测，在待机时间短的情况下，通过PID控制而抑制了卤素灯15的输出，但上侧拱顶12的温度高，因来自上侧拱顶12的辐射热，硅晶片W的实际的表面温度比通过红外线放射温度传感器4检测到的温度高。因此，实际的膜厚比目标膜厚更厚。与此相对地，在待机时间长的情况下，上侧拱顶12的温度充分降低，来自该上侧拱顶12的辐射热的影响极小。因此，可以推测，硅晶片W的实际的表面温度与由红外线放射温度传感器4检测到的硅晶片W的表面温度的偏离变小，变为与经PID控制的卤素灯15的输出对应的表面温度，因此变为目标膜厚。
通过以上的确认实验，本实施方式的外延晶片的制造装置A中，不用准备多个外延生长处理时的工艺配方，通过将待机时间设定为外延晶片的制造装置A的固有值就能够减小图3所示的第一次的外延生长处理后的膜厚与第二次以后的外延生长处理后的膜厚的偏差。待机时间预想根据外延晶片的制造装置A的个体差异、工艺配方的条件而不同，因此对每个外延晶片的制造装置A和每个工艺配方，预先通过实验或计算机模拟而获取设定多个待机时间的情况下的第一次的外延生长处理时的外延层的膜厚与第二次以后的外延生长处理时的膜厚的数据，预先获取这些膜厚的增减率落入规定的允许范围时的待机时间的范围。并且，实际的生产时，使用这样获取的待机时间的范围，利用控制器5进行控制，使得在结束清洗处理后的时间处于待机时间的范围的情况下，许可下一晶片的投入，在结束清洗处理后的时间不在待机时间的范围的情况下，禁止下一晶片的投入。进一步，还能够同样地预先获取上侧拱顶温度，获取上侧拱顶温度落入规定的允许范围时的待机时间的范围。通过使设备状态中的特别是石英制上侧拱顶处温度稳定，还能够使卤素灯15的输出进一步稳定。下一晶片的投入的许可和禁止能够通过由控制器5控制未图示的晶片运输机构而进行。另外，增减率的规定的范围优选为±0.5%以下、更优选为±0.2%以下。在此，用±表示时表示增加和减少方向。
如上所述，多站式处理中的第一次的外延生长处理时的膜厚和第二次以后的外延生长处理时的膜厚与上侧拱顶12的温度有很强相关性，因此可以如图6所示那样，测量相对于多个待机时间的上侧拱顶12的温度，预先求出第一次的外延生长处理时的上侧拱顶12的温度与第二次以后的外延生长处理时的上侧拱顶12的温度的变动率落入规定范围内的待机时间的范围。此外，替代这些，多站式处理中的第一次的外延生长处理时的膜厚和第二次以后的外延生长处理时的膜厚与卤素灯15的输出也有很强相关性，因此也可以如图5所示那样，测量相对于多个待机时间的卤素灯15的输出，预先求出第一次的外延生长处理时的卤素灯15的输出与第二次以后的外延生长处理时的卤素灯15的输出的变动率落入规定范围内的待机时间的范围。
图5所示的卤素灯15的输出的变动率与图3所示的外延膜的增减率的结果示于表1。另外，将卤素灯15的输出的变动率定义为(第二次以后的外延生长处理时的卤素灯15的输出-第一次的外延生长处理时的卤素灯15的输出)÷(第一次的外延生长处理时的卤素灯15的输出)。此外，外延层的膜厚的增减率基于上述定义，将第一次与第二次的膜厚的增减率示于表1。
【表1】
待机时间 卤素灯的输出的变动率 外延膜厚的增减率
0秒 1.64% 0.55%
60秒 1.25% 0.42%
120秒 0.50% 0.18%
180秒 0.25% 0.03%
240秒 -0.49% 0.13%
300秒 -0.98% 0.16%
图5所示的外延晶片的制造装置A的结果中，待机时间为0秒时的变动率为1.64%，60秒时的变动率为1.25%，120秒时的变动率为0.50%，180秒时的变动率为0.25%，240秒时的变动率为-0.49%，300秒时的变动率为-0.98%。与此相对地，图3所示的第一次与第二次的膜厚的增减率在待机时间为0秒时的膜厚增减率为0.55%，60秒时的膜厚增减率为0.42%，120秒时的膜厚增减率为0.18%，180秒时的膜厚增减率为0.03%，240秒时的膜厚增减率为0.13%，300秒时的膜厚增减率为0.16%。如果将外延层的膜厚的增减率的允许范围设为0.20%以下，则在卤素灯15的输出的变动率处于±0.98%的范围的情况下，膜厚的偏差被抑制。
附图标记说明
A…外延晶片的制造装置
1…外延生长炉
11…腔
12…上侧拱顶
13…下侧拱顶
14…拱顶安装体
15…卤素灯
16…承载器
16a…外周部
17…承载器旋转轴
18…支承臂
19…升降销
20…抬升臂
21…驱动部
22…气体供给口
23…气体排出口
24…驱动部
3…气体供给系
4…红外线放射温度传感器
5…控制器
W…硅晶片。

Claims (5)

1.一种外延晶片的制造方法，
向外延生长炉的腔内每次一张地投入晶片，
通过非接触式温度传感器测定前述晶片的表面的温度，同时控制对前述腔内进行加热的加热器的输出，以使该测量到的温度变为规定温度范围，
向前述腔内供给反应气体，同时在前述晶片的表面上令外延层气相生长，
连续实施多次外延生长处理后，实施一次去除在前述腔内沉积的沉积物的清洗处理，
在所述外延晶片的制造方法中，
将结束前述清洗处理后直到将第一次的晶片投入前述腔内为止的待机时间设定为实施前述多次外延生长处理时的前述加热器的输出的变动率落入规定范围的时间，实施外延生长处理。
2.根据权利要求1所述的外延晶片的制造方法，其特征在于，前述待机时间是结束前述清洗处理后实施第一次的外延生长处理时的前述加热器的输出与实施第二次以后的外延生长处理时的前述加热器的输出的变动率落入±0.5%的范围的时间。
3.根据权利要求1或2所述的外延晶片的制造方法，其特征在于，
在前述外延生长炉的上部设置有石英制上侧拱顶，
前述非接触式温度传感器从前述外延生长炉的外方经由前述石英制上侧拱顶而检测前述晶片的表面的温度。
4.根据权利要求1或2所述的外延晶片的制造方法，其特征在于，前述非接触式温度传感器是红外线放射温度传感器。
5. 一种外延晶片的制造装置，具有：
至少具有石英制上侧拱顶的单片式的外延生长炉、
载置晶片的承载器、
向前述外延生长炉的腔内供给反应气体或清洗气体的气体供给系统、
对前述腔内进行加热的加热器、
从前述腔外方经由前述石英制上侧拱顶检测前述晶片的表面的温度的红外线放射温度传感器、和
控制前述加热器的输出以使得由前述红外线放射温度传感器检测到的温度变为规定温度范围、并且控制前述气体供给系统的控制器，
在所述外延晶片的制造装置中，
前述控制器为，
控制前述气体供给系统，使得在连续实施多次外延生长处理后实施一次去除在前述腔内沉积的沉积物的清洗处理，
将结束前述清洗处理后直到将第一次的晶片投入前述腔内为止的待机时间设定为实施前述多次外延生长处理时的前述加热器的输出的变动率落入规定范围的时间，
直到结束前述清洗处理后的时间到达前述待机时间为止，禁止前述第一次的晶片的投入，若结束前述清洗处理后的时间超过了前述待机时间，则允许前述第一次的晶片的投入。
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