CN111244011A - 微元件的转移装置以及转移方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及微元件处理技术领域，公开了一种微元件的转移装置以及微元件的转移方法。该转移装置包括：主体以及转移头；主体设有第一流体通道以及连接第一流体通道的流体入口、流体出口；转移头与主体连接，其内部设有吸附通道，吸附通道的第一端用于吸附微元件，其第二端与第一流体通道连通；其中，第一流体通道用于通过自流体入口至流体出口的内部流体，内部流体的流速大于转移头内吸附通道处的流体流速，从而在转移头内外形成压差以吸附微元件。通过上述方式，本发明能够提高微元件的转移效率。
Description
技术领域
本发明涉及微元件处理技术领域，特别是涉及一种微元件的转移装置以及微元件的转移方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种光电半导体元件，其具有低功耗、尺寸小亮度高、易与集成电路匹配、可靠性高等优点，作为光源被广泛应用。并且，随着LED技术的成熟，直接利用LED作为自发光显示点像素的LED显示器或Micro LED(微型发光二极管)显示器的技术也逐渐被广泛应用。
其中，Micro LED显示屏综合了TFT-LCD和LED显示屏的技术特点，其显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，之后将Micro LED从最初的生长衬底上转移到电路基板上，目前Micro LED技术发展的难点之一就在于Micro LED的转移过程。
发明内容
有鉴于此，本发明主要解决的技术问题是提供一种微元件的转移装置以及微元件的转移方法，能够提高微元件的转移效率。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种微元件的转移装置，该转移装置包括：主体以及转移头；主体设有第一流体通道以及连接第一流体通道的流体入口、流体出口；转移头与主体连接，其内部设有吸附通道，吸附通道的第一端用于吸附微元件，其第二端与第一流体通道连通；其中，第一流体通道用于通过自流体入口至流体出口的内部流体，内部流体的流速大于转移头内吸附通道处的流体流速，从而在转移头内外形成压差以吸附微元件。
为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种微元件的转移方法，该转移方法包括：将转移装置的转移头与生长基板上的微元件对准；其中，转移装置包括主体以及转移头；主体设有第一流体通道以及连接第一流体通道的流体入口、流体出口；转移头与主体连接，其内部设有吸附通道，吸附通道的第一端用于吸附微元件，其第二端与第一流体通道连通；向第一流体通道的流体入口通入内部流体，以使转移头吸附微元件；其中，内部流体的流速大于转移头内吸附通道处的流体流速，转移头内外形成有压差；将微元件转移至接收基板上对应的安装位置，停止向流体入口通入内部流体，以释放微元件。
本发明的有益效果是：区别于现有技术，本发明提供一种微元件的转移装置。该转移装置的第一流体通道中可通入流体，以形成自流体入口至流体出口的内部流体。由于内部流体的流速大于转移头内吸附通道的流体流速，流体间的流速差使得转移头内外形成压差，并且在该压差作用下，转移头能够吸附微元件，用于完成微元件的转移。可见，本发明通过控制第一流体通道中流体的流速，实现微元件的高效吸附拾取，从而提高微元件的转移效率。
附图说明
图1是本发明微元件的转移装置第一实施例的结构示意图；
图2是图1所示转移装置的第一流体通道一实施例的结构示意图；
图3是图1所示转移装置的第一流体通道另一实施例的结构示意图；
图4是现有技术转移头吸附微元件一实施例的结构示意图；
图5是现有技术转移头吸附微元件另一实施例的结构示意图；
图6是图1所示转移装置吸附微元件一实施例的结构示意图；
图7是本发明微元件的转移装置第二实施例的仰视结构示意图；
图8是本发明微元件的转移装置第三实施例的俯视结构示意图；
图9是图8所示转移装置的主体一实施例的结构示意图；
图10是本发明微元件的转移方法一实施例的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
为解决现有技术中微元件转移效率较低的技术问题，本发明提供一种微元件的转移装置，该转移装置包括：主体以及转移头；主体设有第一流体通道以及连接第一流体通道的流体入口、流体出口；转移头与主体连接，其内部设有吸附通道，吸附通道的第一端用于吸附微元件，其第二端与第一流体通道连通；其中，第一流体通道用于通过自流体入口至流体出口的内部流体，内部流体的流速大于转移头内吸附通道处的流体流速，从而在转移头内外形成压差以吸附微元件。以下进行详细阐述。
Micro LED显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素实现图像显示的显示器，每一个像素可定址、单独驱动点亮，将像素点距离从毫米级降低至微米级，Micro LED显示器和有机发光二极管显示器一样属于自发光显示器。
微转移技术是目前制备Micro LED显示器的主流方法，其具体制备过程为：首先在蓝宝石基板生长出Micro LED，然后通过激光剥离技术将Micro LED从蓝宝石基板上分离，随后使用转移头将Micro LED从蓝宝石上吸附到接收基板预留的位置上，然后释放，即完成将Micro LED转移到接收基板上的工作，故而制得Micro LED显示器。
目前转移头一般采用通电吸附或PDMS方式粘附进行转移，然而PDMS剥离时较难控制剥离效果，静电吸附需要对每个转移头进行导通，不仅复杂而且效果欠佳。除此之外，还可以通过控制磁流变液的状态实现Micro LED与转移头之间进行物理连接，但这种方式不仅效率低，而且容易造成磁流变液的泄漏，导致对Micro LED造成污染。在上述Micro LED的转移过程中，由于Micro LED的尺寸微小，对Micro LED的操作存在非常大的限制，因此包括上述几种转移方式在内的现有转移方法均存在转移效率较低且产品良率较低的问题。
有鉴于此，本实施例提供一种微元件的转移装置，以解决现有技术中所存在包括上述Micro LED在内的微元件的转移效率较低的技术问题。
请参阅图1，图1是本发明微元件的转移装置第一实施例的结构示意图。
在本实施例中，转移装置1应用于包括Micro LED在内的微元件(以下简称微元件)的转移工作。转移装置1包括主体11以及转移头12。主体11内部中空，其内部空腔形成第一流体通道111，并且第一流体通道111的两端与外界连通，该两端即为连接第一流体通道111的流体入口112、流体出口113。其中，流体入口112用于通入流体，流体出口113用于排放流体。由于所通入的流体具备一定的流速，因此由流体入口112通入的流体会沿第一流体通道111流动至流体出口113排出。
转移头12与主体11连接，其内部设置有吸附通道121。吸附通道121的第一端122用于吸附微元件，使得微元件卡设于吸附通道121内，从而使转移头12携带着微元件移动，进行微元件的转移。吸附通道121的第二端123与主体11的第一流体通道111连通，即转移头12内部的流体空间(吸附通道121)与主体11内部的空腔(第一流体通道111)连通。
第一流体通道111用于通过自流体入口112至流体出口113的内部流体，即流体入口112通入的流体形成该内部流体，并沿第一流体通道111流动至流体出口113。由于第一流体通道111内不断通入流体，使得第一流体通道111内的流体始终处于流动状态，其相较于第一流体通道111外相对静止的流体而言，上述内部流体的流速要大于第一流体通道111外相对静止的流体。第一流体通道111外相对静止的流体就包括转移头12内吸附通道121处的流体，即内部流体的流速大于转移头12内吸附通道121处的流体流速。如此一来，第一流体通道111与吸附通道121之间形成压差，使得吸附通道121处的流体通过吸附通道121的第二端123流入第一流体通道111中，进一步在转移头12内外形成压差，使得吸附通道121外的流体向吸附通道121内流动，从而在流体压强作用下，驱使吸附通道121外的微元件进入吸附通道121并卡设于吸附通道121内，即转移头12吸附拾取微元件。
需要说明的是，上述流体压差的实现是基于流体力学中的伯努利原理，即当流体速度加快时，物体与流体接触的界面上的压力会减小。伯努利原理往往被表述为P+1/2ρv2+ρgh＝constant，式中P为流体中某点的压强，v为流体该点的流速，ρ为流体密度，g为重力加速度，h为该点所在高度，constant是一个常量。基于伯努利原理，本实施例通过加快第一流体通道111内流体的流速，使得第一流体通道111内流体压强明显降低，利用内外压差形成吸附力实现微元件的高效吸附拾取，能够提高微元件的转移效率。同时避免了真空吸附、电磁吸附等转移手段需要复杂的仪器设备的缺点，能够明显降低微元件的转移成本。
进一步地，为增大转移头12的吸附力，第一流体通道111沿其延伸方向划分为第一通道区域114以及第二通道区域115。第一通道区域114的第一流体通道111部分其通道竖截面面积小于第二通道区域115的第一流体通道111部分，使得第一通道区域114的第一流体通道111部分的流体流速较快，从而使得第一通道区域114的第一流体通道111部分内外压差较大，即第一流体通道111连通吸附通道121的位置与外界流体的压差增大，进而增大转移头12的吸附力，保证转移头12可靠拾取微元件，降低微元件从转移头12脱落的风险。其中，第一流体通道111的竖截面为其沿竖直方向截取的截面。
当然，第一流体通道111可以划分有多个第一通道区域114以及多个第二通道区域115，第一通道区域114与第二通道区域115一一交替设置，如图1所示。各第一通道区域114的第一流体通道111部分连通有转移头12的吸附通道121，使得主体11上可以连接有多个转移头12，实现微元件的批量吸附拾取。同时转移头12均设置在直径减小的第一通道区域114，能够增大转移头12的吸附力。
更进一步地，第一通道区域114的第一流体通道111部分的竖截面面积在越临近连通吸附通道121位置处越小，使得第一通道区域114的第一流体通道111部分在其连通吸附通道121位置处的流体流速明显大于其他位置，从而进一步增大第一流体通道111其连通吸附通道121的位置与外界流体的压差，即进一步增大作用于微元件的流体压力，进而增大转移头12的吸附力，保证转移头12可靠拾取微元件，降低微元件从转移头12脱落的风险。
需要说明的是，第二通道区域115的第一流体通道111部分其通道的竖截面面积为第一流体通道111连通吸附通道121的位置的竖截面面积的1～4倍，例如2倍、3倍等，能够在保证转移装置1结构稳定以及第一流体通道111内部的流体流动稳定的前提下，最大限度地增大第一流体通道111其连通吸附通道121的位置与外界流体的压差。
上述第一流体通道111的竖截面面积在越临近连通吸附通道121位置处越小。优选地，第一流体通道111的竖截面面积可以沿靠近连通吸附通道121位置处逐渐减小，该部分第一流体通道111所对应的主体11侧壁呈现锥面，吸附通道121连通于第一流体通道111的锥顶位置。
当然，第一流体通道21的竖截面面积可以呈现阶梯式递减，对应地，该部分第一流体通道21所对应的主体侧壁22具备若干阶梯结构23，如图2所示；或是第一流体通道31的竖截面面积可以呈现曲线形式递减，对应地，该部分第一流体通道31所对应的主体侧壁32具备弧形过渡结构33，如图3所示。
需要说明的是，本实施例以竖截面面积缩小部分的第一流体通道111所对应的主体11侧壁呈现锥面为例进行阐述，并非因此对本实施例所阐述第一流体通道111的竖截面面积的变化形式造成限定。
在本实施例中，转移头12的吸附通道121其第一端122的端口面积大于其第二端123的端口面积，即转移头12的吸附通道121呈现倒置漏斗形的结构，其开口较大端(第一端122)用于吸附拾取微元件，其开口较小端(第二端123)用于与第一流体通道111连通，同时阻挡吸附通道121内的微元件进入第一流体通道111。吸附通道121所对应的转移头12侧壁可以呈现锥面，即吸附通道121的通道横截面面积自吸附通道121的第一端122至第二端123逐渐减小，能够适配不同尺寸的微元件(可以适配尺寸小于吸附通道121第一端122尺寸的微元件)，具体为不同尺寸的微元件在转移头12的吸引下运动至卡固于吸附通道121的某一位置，从而固定微元件与吸附通道121的相对位置，用于进行微元件的转移作业。当然，吸附通道121所对应的转移头12侧壁也可以呈现阶梯状，在此不做限定。其中，吸附通道121的通道横截面为其沿水平方向截取的截面。
请参阅图4-5。传统基于真空原理的转移头，其需要保证管路内部的真空环境，才能实现吸附力的施加。在实际应用中，对于高度存在误差和/或表面不平整的微元件，转移头无法与微元件之间形成密封，存在漏气的现象，因此无法实现有效吸附。图4展示了基于真空原理的转移头41对于高度存在误差的微元件42，转移头41与微元件42表面之间无法接触形成密封，造成漏气，致使转移头41无法吸附微元件42。图5展示了基于真空原理的转移头51对于表面不平整的微元件52，转移头51在接触微元件52表面后，二者之间存在空挡，造成漏气，致使转移头51无法吸附微元件52。
请参阅图6。而本实施例所阐述的转移装置1，利用第一流体通道111内外的流体流速差所产生的压差，使得微元件13靠近转移头12位置的流体压强小于其远离转移头12位置的流体压强，进而使微元件13向转移头12内的吸附通道121运动并卡设于吸附通道121中。本实施例所阐述的转移装置1并不要求第一流体通道111需要保持真空环境，对转移头12与微元件13之间的密封效果要求较低，因此转移头12与微元件13之间即便存在漏气现象，也能够通过流体流速差所产生的压差实现有效吸附。即便微元件13高度存在误差和/或表面不平整，微元件13也可被吸附至吸附通道121中的某一位置并卡设于吸附通道121中，从而实现转移装置1的高效吸附拾取微元件13。
此外，相较于传统柱状转移头适配微元件的尺寸单一，本实施例中转移头12的吸附通道121呈现倒置漏斗形，能够适配更多尺寸的微元件，提高转移头12的复用性能。
进一步地，虽然本实施例所阐述的转移装置1利用内外流体流速差产生压差实现微元件的吸附，其原理不同于真空吸附需要保持管路内部的真空环境稳定，即需要形成密封。但在应用本实施例所阐述的转移装置1的环境中，如若能使得微元件与转移头12之间形成密封，也会大大改善本实施例所阐述转移头12吸附微元件的稳定性。
有鉴于此，转移头12的吸附通道121内表面可以设置有柔性覆盖层124，柔性覆盖层124在微元件被吸入吸附通道121后与微元件接触，利用柔性覆盖层124的弹性机制与微元件表面紧密贴合，形成密封，以提高转移头12吸附微元件的稳定性。
当然，转移头12与微元件形成密封的方式并不局限于上文所述。例如，转移头12本身也可以为弹性体，其内壁在吸附微元件后与微元件接触并紧密贴合，形成密封等诸多方式均可应用于本实施例的转移头12，在此不做限定。
需要说明的是，本实施例所阐述的转移装置1在微元件的转移过程中，整个转移工作系统位于一流体氛围中，转移装置1内外的流体氛围相同，即同处于气体氛围，或是同处于液体氛围。由于例如Micro LED等微元件在完成封装后，其具备足够的隔绝水汽的性能，因此其内部结构稳定度不会受转移工序所处流体氛围的影响。
综上所述，本发明所提供的微元件的转移装置，其第一流体通道中可通入流体，以形成自流体入口至流体出口的内部流体。由于内部流体的流速大于转移头内吸附通道的流体流速，流体间的流速差使得转移头内外形成压差，并且在该压差作用下，转移头能够吸附微元件，用于完成微元件的转移。本发明通过控制第一流体通道中流体的流速，实现微元件的高效吸附拾取，从而提高微元件的转移效率。
请参阅图7，图7是本发明微元件的转移装置第二实施例的仰视结构示意图。
在本实施例中，转移装置6包括主体61以及转移头62。主体61内部中空，其内部空腔形成第一流体通道611，并且第一流体通道611的两端与外界连通，该两端即为连接第一流体通道611的流体入口612、流体出口613。转移头62与主体61连接，其内部设置有吸附通道。吸附通道的第一端用于吸附微元件，吸附通道的第二端与主体61的第一流体通道611连通。
第一流体通道611用于容纳自流体入口612至流体出口613的内部流体，即流体入口612通入的流体形成该内部流体，并沿第一流体通道611流动至流体出口613。第一流体通道611与吸附通道之间形成压差，进一步在转移头62内外形成压差以吸附微元件。
本实施例与上述实施例的不同之处在于，转移装置6包括多个主体61，多个主体61并排设置，并且相邻主体61之间通过第二流体通道63连通，使得多个主体61形成转移头62网络，能够实现更大规模的微元件批量转移。
如图7所示。为方便转移装置6的控制，转移装置6中各主体61的流体入口612同侧分布，流体出口613同侧分布。各主体61上均设置有转移头62，并且相邻主体61之间的第二流体通道63上同样设置有转移头62，以进一步增大转移装置6批量转移微元件的数量。
请参阅图8-9，图8是本发明微元件的转移装置第三实施例的俯视结构示意图，图9是图8所示转移装置的主体一实施例的结构示意图。
在本实施例中，转移装置7包括主体71以及转移头72。主体71内部中空，其内部空腔形成第一流体通道711，并且第一流体通道711的两端与外界连通，该两端即为连接第一流体通道711的流体入口712、流体出口713。转移头72与主体71连接，其内部设置有吸附通道721。吸附通道721的第一端722用于吸附微元件，吸附通道721的第二端723与主体71的第一流体通道711连通。
第一流体通道711用于形成自流体入口712至流体出口713的内部流体，即流体入口712通入的流体形成该内部流体，并沿第一流体通道711流动至流体出口713。第一流体通道711与吸附通道721之间形成压差，进一步在转移头72内外形成压差以吸附微元件。
本实施例与上述实施例的不同之处在于，转移装置7包括多个主体71，多个主体71同层分布并以阵列形式排布。部分主体71位于该多个主体71所形成的阵列中部，为方便位于阵列中部的主体71的流体的导入与输出，各主体71的第一流体通道711端部弯折，以形成上述流体入口712、流体出口713。并且多个主体71同层分布，能够使得各主体71上的转移头72均具备良好的吸附拾取效果。此外，各主体71的流体入口712、流体出口713分布于同一侧，方便控制流体导入的同时，也方便微元件转移工作的开展。
并且，各主体71的第一流体通道711上连接有若干转移头72。可以理解的是，同一主体71上的转移头72工作与否是同时控制的，即主体71上的流体入口712通入流体，则该主体71上的所有转移头72同时工作，吸附拾取微元件。而不同主体71之间的控制是相互独立的，只有流体入口712通入有流体的主体71才可执行吸附拾取微元件的动作。如此一来，本实施例的转移装置7可以单独控制部分主体71工作，以吸附拾取微元件，进行微元件的转移，使得转移装置7可选择性的完成拾取动作，转移装置7的复用性能够得到大幅度改善。即便同一转移装置7用于不同的Micro LED显示面板的工序(不同的Micro LED显示面板其内部的Micro LED的设置位置以及数量不同)，转移装置7也能够选择性地完成拾取微元件(Micro LED)，同一转移装置7可以应用于不同的微元件转移工序。
在替代实施例中，多个主体可并排设置，而并非是以阵列形式排布。相邻主体之间仍然保持互不连通的状态。在该情况下，各主体的第一流体通道的端部则无需弯折，以形成相应的流体入口、流体出口。
请参阅图10，图10是本发明微元件的转移方法一实施例的流程示意图。
S101：将转移装置的转移头与生长基板上的微元件对准；
转移装置包括主体以及转移头；主体设有第一流体通道以及连接第一流体通道的流体入口、流体出口；转移头与主体连接，其内部设有吸附通道，吸附通道的第一端用于吸附微元件，其第二端与第一流体通道连通。其中，生长基板为微元件制备工序的载体。
S102：向第一流体通道的流体入口通入内部流体，以使转移头吸附微元件；
由于第一流体通道内通入有内部流体，内部流体的流速大于转移头内吸附通道处的流体流速，使得转移头内外形成有压差，在转移头内外压差的作用下，转移头吸附拾取微元件。
S103：将微元件转移至接收基板上对应的安装位置，停止向流体入口通入内部流体，以释放微元件；
其中，接收基板为微元件的应用载体，接收基板上通常设置有驱动电路，在微元件与接收基板完成安装后，驱动电路可电连接微元件，以驱动微元件发光。
需要说明的是，本实施例所阐述的转移装置与上述实施例中所阐述的转移装置的结构以及工作原理相同，在此就不再赘述。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种微元件的转移装置，其特征在于，所述转移装置包括：
主体以及转移头；
所述主体设有第一流体通道以及连接所述第一流体通道的流体入口、流体出口；
所述转移头与所述主体连接，其内部设有吸附通道，所述吸附通道的第一端用于吸附所述微元件，其第二端与所述第一流体通道连通；
其中，所述第一流体通道用于通过自所述流体入口至所述流体出口的内部流体，所述内部流体的流速大于所述转移头内吸附通道处的流体流速，从而在所述转移头内外形成压差以吸附所述微元件。
2.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述第一流体通道划分有多个所述第一通道区域以及多个所述第二通道区域，所述第一通道区域与所述第二通道区域交替设置，各所述第一通道区域的所述第一流体通道部分连通一所述转移头的吸附通道。
3.根据权利要求2所述的转移装置，其特征在于，所述第一通道区域的通道竖截面面积小于所述第二通道区域的通道竖截面面积。
4.根据权利要求3所述的转移装置，其特征在于，所述第一通道区域的通道竖截面面积在越邻近连通所述吸附通道位置处越小。
5.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述吸附通道的第一端的端口面积大于所述第二端的端口面积。
6.根据权利要求5所述的转移装置，其特征在于，所述吸附通道的通道横截面面积自所述吸附通道的第一端至所述第二端逐渐减小。
7.根据权利要求6所述的转移装置，其特征在于，所述吸附通道的内表面设置有柔性覆盖层。
8.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置包括多个所述主体，相邻所述主体之间通过第二流体通道连通，并且相邻所述主体之间的第二流体通道上设置有所述转移头。
9.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置包括多个所述主体，各所述主体的所述第一流体通道端部弯折，以形成所述流体入口、所述流体出口，各所述主体的所述第一流体通道上连接有若干所述转移头，并且所述多个主体同层分布并以阵列形式排布。
10.一种微元件的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：
将转移装置的转移头与生长基板上的微元件对准；其中，所述转移装置包括主体以及所述转移头；所述主体设有第一流体通道以及连接所述第一流体通道的流体入口、流体出口；所述转移头与所述主体连接，其内部设有吸附通道，所述吸附通道的第一端用于吸附所述微元件，其第二端与所述第一流体通道连通；
向所述第一流体通道的流体入口通入内部流体，以使所述转移头吸附所述微元件；其中，所述内部流体的流速大于所述转移头内吸附通道处的流体流速，所述转移头内外形成有压差；
将所述微元件转移至接收基板上对应的安装位置，停止向所述流体入口通入所述内部流体，以释放所述微元件。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO2022041256A1 (zh) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 转移装置与转移方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW430019U (en) * | 2000-05-04 | 2001-04-11 | Sengton Transp Implements Co L | Exhaust returning air induction device for motorcycle with speed limiter |
| CN1661215A (zh) * | 2004-02-25 | 2005-08-31 | 臼井国际产业株式会社 | 内燃机的增压系统 |
| US20080148558A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for transferring semiconductor chip and method of transferring semiconductor chip using the same |
| US20130234194A1 (en) * | 2012-03-09 | 2013-09-12 | Robostar Co., Ltd. | Light-emitting diode (led) wafer picker |
| CN107039298A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-08-11 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备 |
| CN108019272A (zh) * | 2016-10-28 | 2018-05-11 | 长城汽车股份有限公司 | 管路结构、冷却系统和发动机的冷却液循环方法 |
-
2018
- 2018-11-29 CN CN201811447677.4A patent/CN111244011B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW430019U (en) * | 2000-05-04 | 2001-04-11 | Sengton Transp Implements Co L | Exhaust returning air induction device for motorcycle with speed limiter |
| CN1661215A (zh) * | 2004-02-25 | 2005-08-31 | 臼井国际产业株式会社 | 内燃机的增压系统 |
| US20080148558A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for transferring semiconductor chip and method of transferring semiconductor chip using the same |
| US20130234194A1 (en) * | 2012-03-09 | 2013-09-12 | Robostar Co., Ltd. | Light-emitting diode (led) wafer picker |
| CN108019272A (zh) * | 2016-10-28 | 2018-05-11 | 长城汽车股份有限公司 | 管路结构、冷却系统和发动机的冷却液循环方法 |
| CN107039298A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-08-11 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022041256A1 (zh) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 转移装置与转移方法 |
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| Publication number | Publication date |
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