CN220986089U - 一种硅基oled微显示器件制备装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于硅基OLED技术领域的硅基OLED微显示器件制备装置。包括装置箱体(1)，装置箱体(1)内部底面设置载台(2)，载台(2)侧面的底面上连通释放管路(3)，释放管路(3)的释放管口(4)向装置箱体(1)上方位置延伸，释放管口(4)高度高于载台(2)高度。本实用新型所述的硅基OLED微显示器件制备装置，结构简单，在硅基OLED微显示器件制备过程中，装置箱体内部从真空状态切换为大气状态时，确保待制备微显示器件的盖板和基底之间不会偏移，确保盖板和基底贴合后的产品不会受到影响，贴合精度达到工艺目标，提升了产品良率，增加了微显示器件产品的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型属于硅基OLED技术领域，更具体地说，是涉及一种硅基OLED微显示器件制备装置。
背景技术
目前在半导体微显示行业内，硅基OLED器件的制作都是以一定厚度的硅晶圆作为基底，以一定厚度的玻璃作为盖板，二者在真空环境下进行对位贴合，再经历紫外线固化、高温固化、冷却等工艺后成为合板产品。当前真空设备内部的真空释放装置口都位于腔室内壁上，位置高度与基板放置高度持平，腔室从真空状态转换为大气状态时，会从装置口先充入氮气，再充入干燥空气，此过程中瞬间气流量增大，会造成盖板基板被冲击带动偏移，最后导致贴合后产品精度偏移。
现有技术中有名称为“一种便于散热的硅基OLED微显示器的制备方法”、公开号为“112420802A”的技术，该技术具体为一种便于散热的硅基OLED微显示器的制备方法。本发明的方法制备的硅基OLED微显示器，采用晶圆减薄工艺，芯片厚度只有传统硅基OLED芯片的约1/30-1/7，提升了硅基OLED器件的散热性能。本发明的技术方案制备的硅基OLED产品，可以进行一定的弯曲，使得硅基OLED微显示器适配于更多的光学模组和终端产品。
然而，该技术没有涉及本申请的技术问题和技术方案。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种结构简单，在硅基OLED微显示器件制备过程中，装置箱体内部从真空状态切换为大气状态时，有效避免底基和玻璃遭到通入的气体冲击而导致带动偏移，解决两者贴合精度受到影响问题的硅基OLED微显示器件制备装置。
要解决以上所述的技术问题，本实用新型采取的技术方案为：
本实用新型为一种硅基OLED微显示器件制备装置，包括装置箱体，装置箱体内部底面设置载台，载台侧面的底面上连通释放管路，释放管路的释放管口向装置箱体上方位置延伸，释放管口高度高于载台高度。
所述的释放管路包括管路垂直段和管路水平段，管路垂直段和管路水平段设置为呈L型结构。
所述的载台上设置为能够放置待制备微显示器件的结构，待制备微显示器件包括基底和盖板。
所述的释放管路的管路水平段的高度设置为高于载台上放置的待制备微显示器件的上表面的高度的结构。
所述的释放管路的管路垂直段下端连通装置箱体内部底面上的气体供应管孔，管路垂直段上端连通管路水平段一端，管路水平段另一端为释放管口。
所述的载台一侧的底面上按间隙设置多个释放管路，载台另一侧的底面上按间隙设置多个释放管路。
所述的装置箱体内部底面上的载台一侧的底面上的一个释放管路的释放管口和载台另一侧的底面上的一个释放管路的释放管口方向相对。
所述的装置箱体为镀镍合金材料制成的结构。
所述的释放管路通入的气体为氮气。
采用本实用新型的技术方案，工作原理及有益效果如下所述：
本实用新型所述的硅基OLED微显示器件制备装置，结构设置时，装置箱体内部底面设置载台，载台用于待制备微显示器件的基底和盖板的放置和贴合。而设置释放管路，释放管路的释放管口向装置箱体上方位置延伸，释放管口高度高于载台高度，也就是说，释放管路的释放管口通入气体时，避免释放管口直接对准待制备微显示器件，气体释放的位置是在载台上的待制备微显示器件的上方位置，气体释放时不会直接冲击待制备微显示器件。这样，保证在真空释放过程中，在正常通入气体的情况下，待制备微显示器件的盖板和基底之间不会受到影响，自然也不会偏移，确保盖板和基底贴合后的产品不会受到影响，贴合精度达到工艺目标，提升了产品良率，增加了产品的可靠性。本实用新型所述的硅基OLED微显示器件制备装置，结构简单，在硅基OLED微显示器件制备过程中，装置箱体内部从真空状态切换为大气状态时，确保待制备微显示器件的盖板和基底之间不会受到影响，不会偏移，确保盖板和基底贴合后的产品不会受到影响，贴合精度达到工艺目标，提升了产品良率，增加了微显示器件产品的可靠性。
附图说明
下面对本说明书各附图所表达的内容及图中的标记作出简要的说明：
图1为本实用新型所述的硅基OLED微显示器件制备装置的结构示意图；
图2为本实用新型所述的硅基OLED微显示器件制备装置的剖视结构示意图；
附图中标记分别为：1、装置箱体；2、载台；3、释放管路；4、释放管口；5、基底；6、盖板；7、管路垂直段；8、管路水平段；9、气体供应管孔。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本实用新型的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步的详细说明：
如附图1、附图2所示，本实用新型为一种硅基OLED微显示器件制备装置，包括装置箱体1，装置箱体1内部底面设置载台2，载台2侧面的底面上连通释放管路3，释放管路3的释放管口4向装置箱体1上方位置延伸，释放管口4高度高于载台2高度。上述结构，针对现有技术中的不足，提出改进的技术方案。结构设置时，装置箱体1内部底面设置载台2，载台2用于待制备微显示器件的基底5和盖板6的放置和贴合。而设置释放管路，释放管路3的释放管口4向装置箱体1上方位置延伸，释放管口4高度高于载台2高度，也就是说，释放管路的释放管口通入气体时，避免释放管口直接对准待制备微显示器件，气体释放的位置是在载台2上的待制备微显示器件的上方位置，气体释放时不会直接冲击待制备微显示器件。这样，保证在真空释放过程中，在正常通入气体的情况下，待制备微显示器件的盖板和基底之间不会受到影响，自然也不会偏移，确保盖板6和基底5贴合后的产品不会受到影响，贴合精度达到工艺目标，提升了产品良率，增加了产品的可靠性。本实用新型所述的硅基OLED微显示器件制备装置，结构简单，在硅基OLED微显示器件制备过程中，装置箱体内部从真空状态切换为大气状态时，有效避免底基和玻璃遭到通入的气体冲击而导致带动偏移，解决两者贴合精度容易受到影响问题。
所述的释放管路3包括管路垂直段7和管路水平段8，管路垂直段7和管路水平段8设置为呈L型结构。上述结构，释放管路3向装置箱体1上方位置延伸，而释放管口4水平向外吹出气体，改变装置箱体内的环境，使得装置箱体按照要求从真空状态转变为大气状态。
所述的载台2上设置为能够放置待制备微显示器件的结构，待制备微显示器件包括基底5和盖板6。上述结构，微显示器件制备时在装置箱体内部的载台上完成。制备时以一定厚度的硅晶圆作为基底5，以一定厚度的玻璃作为盖板6，二者在装置箱体内的真空环境下对位贴合，再经历紫外线固化、高温固化、冷却等工艺后成为合板产品。
所述的释放管路3的管路水平段8的高度设置为高于载台2上放置的待制备微显示器件的上表面的高度的结构。上述结构，管路水平段8的高度高于载台2上放置的待制备微显示器件的上表面的高度。这样，气体从释放管路的释放管口释放时，不会直接对着待制备微显示器件，而是从待制备微显示器件上方一定高度的位置水平释放。
所述的释放管路3的管路垂直段7下端连通装置箱体1内部底面上的气体供应管孔9，管路垂直段7上端连通管路水平段8一端，管路水平段8另一端为释放管口4。上述结构，释放管口4的高度高于待制备微显示器件的高度，同时为进一步降低释放管口释放的气体对待制备微显示器件的影响，可以尽量减小释放管口4的开口尺寸。
所述的载台2一侧的底面上按间隙设置多个释放管路3，载台2另一侧的底面上按间隙设置多个释放管路3。所述的装置箱体1内部底面上的载台2一侧的底面上的一个释放管路3的释放管口4和载台2另一侧的底面上的一个释放管路3的释放管口4方向相对。上述结构，根据不同的装置箱体的尺寸和需求，选择释放管路的数量和布置位置。
所述的装置箱体1为镀镍合金材料制成的结构。上述结构，装置箱体1使用镀镍合金制造，表面经过抛光处理，避免发尘，提高性能。
所述的释放管路3通入的气体为氮气。
本实用新型所述的硅基OLED微显示器件制备装置，装置箱体1内部底面设置载台2，载台2用于待制备微显示器件的基底5和盖板6的放置和贴合。设置释放管路3，释放管路3的释放管口4向装置箱体1上方位置延伸，释放管口4高度高于载台2高度，也就是说，释放管路的释放管口通入气体时，避免释放管口直接对准待制备微显示器件，气体释放的位置是在载台2上的待制备微显示器件的上方位置，气体释放时不会直接冲击待制备微显示器件。这样，保证在真空释放过程中，在正常通入气体的情况下，待制备微显示器件的盖板和基底之间不会受到影响，自然也不会偏移，确保盖板6和基底5贴合后的产品不会受到影响，贴合精度达到工艺目标，提升了产品良率，增加了产品的可靠性。本实用新型所述的硅基OLED微显示器件制备装置，在硅基OLED微显示器件制备过程中，装置箱体内部从真空状态切换为大气状态时，确保待制备微显示器件的盖板和基底之间不会受到影响，不会偏移，确保盖板6和基底5贴合后的产品不会受到影响，贴合精度达到工艺目标，提升了产品良率，增加了产品的可靠性。
上面结合附图对本实用新型进行了示例性的描述，显然本实用新型具体的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其他场合的，均在本实用新型的保护范围内。
Claims (9)
1.一种硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：包括装置箱体(1)，装置箱体(1)内部底面设置载台(2)，载台(2)侧面的底面上连通释放管路(3)，释放管路(3)的释放管口(4)向装置箱体(1)上方位置延伸，释放管口(4)高度高于载台(2)高度。
2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的释放管路(3)包括管路垂直段(7)和管路水平段(8)，管路垂直段(7)和管路水平段(8)设置为呈L型结构。
3.根据权利要求1或2所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的载台(2)上设置为能够放置待制备微显示器件的结构，待制备微显示器件包括基底(5)和盖板(6)。
4.根据权利要求3所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的释放管路(3)的管路水平段(8)的高度设置为高于载台(2)上放置的待制备微显示器件的上表面的高度的结构。
5.根据权利要求2所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的释放管路(3)的管路垂直段(7)下端连通装置箱体(1)内部底面上的气体供应管孔(9)，管路垂直段(7)上端连通管路水平段(8)一端，管路水平段(8)另一端为释放管口(4)。
6.根据权利要求3所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的载台(2)一侧的底面上按间隙设置多个释放管路(3)，载台(2)另一侧的底面上按间隙设置多个释放管路(3)。
7.根据权利要求6所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的装置箱体(1)内部底面上的载台(2)一侧的底面上的一个释放管路(3)的释放管口(4)和载台(2)另一侧的底面上的一个释放管路(3)的释放管口(4)方向相对。
8.根据权利要求1或2所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的装置箱体(1)为镀镍合金材料制成的结构。
9.根据权利要求1或2所述的硅基OLED微显示器件制备装置，其特征在于：所述的释放管路(3)通入的气体为氮气。
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