CN112889141A - 微型发光二极管位置误差校正载体及微型发光二极管转移系统 - Google Patents

微型发光二极管位置误差校正载体及微型发光二极管转移系统 Download PDF

Info

Publication number
CN112889141A
CN112889141A CN201980069324.1A CN201980069324A CN112889141A CN 112889141 A CN112889141 A CN 112889141A CN 201980069324 A CN201980069324 A CN 201980069324A CN 112889141 A CN112889141 A CN 112889141A
Authority
CN
China
Prior art keywords
micro led
micro
position error
error correction
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201980069324.1A
Other languages
English (en)
Inventor
安范模
朴胜浩
边圣铉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Point Engineering Co Ltd
Original Assignee
Point Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Point Engineering Co Ltd filed Critical Point Engineering Co Ltd
Publication of CN112889141A publication Critical patent/CN112889141A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及一种可校正微型发光二极管的位置误差的微型发光二极管位置误差校正载体及使用所述微型发光二极管位置误差校正载体的微型发光二极管转移系统。所述微型发光二极管位置误差校正载体的特征在于包括:具有底表面及倾斜部以容纳微型发光二极管的装载槽;以及配置在装载槽的周边的非装载面。

Description

微型发光二极管位置误差校正载体及微型发光二极管转移 系统
技术领域
本发明涉及一种校正微型发光二极管(LED)的位置的微型LED位置误差校正载体及包括其的微型LED转移系统。
背景技术
当前,显示器市场仍然以液晶显示器(LCD)为主流,但其中有机发光二极管(OLED)迅速地替代LCD并逐渐成为主流。在显示器企业参与OLED市场成为热潮的形势下,最近微型LED(Micro LED)(以下称为“微型LED”)显示器正逐渐成为另一种下一代显示器。微型LED不是指被成形的树脂等覆盖的封装类型,而是指从用于结晶生长的晶片切出的状态。LCD与OLED的核心原材料分别是液晶(Liquid Crystal)、有机材料,反之,微型LED显示器是将1微米~100微米单位的LED芯片本身用作发光材料的显示器。
科锐(Cree)公司在1999年申请有关“提高光输出的微型发光二极管阵列”的专利(注册专利公报注册编号第0731673号)而出现术语微型LED以来,相关研究论文接连发表,并且进行研究开发。作为为了将微型LED应用于显示器而应解决的课题,需要开发一种使微型LED元件以挠性(Flexible)原材料/元件为基础的定制型微芯片,并需要一种微米尺寸的LED芯片的转移(transfer)技术与准确地安装(Mounting)到显示像素电极的技术。
特别是,关于将微型LED元件移送到显示基板的转移(transfer)方面,由于LED大小变小到1微米~100微米(μm)单位,无法使用以往的取放(pick&place)设备,因此需要以更高精密度移送的转移头技术。关于这种转移头技术,提出了在以下阐述的几种结构。
美国的勒克斯维(Luxvue)公司提出了一种使用静电头(electrostatic head)转移微型LED的方法(公开专利公报公开编号第2014-0112486号,以下称为“现有发明1”)。现有发明1的转移原理是通过对由硅材质制成的头部分施加电压并通过带电现象而与微型LED产生密着力的原理。
美国的X-赛勒普(X-Celeprint)公司提出了一种应用具有弹性的高分子物质作为转移头而将晶片上的微型LED移送到期望的基板的方法(公开专利公报公开编号第2017-0019415号)。
韩国光技术院提出了一种使用纤毛接着结构头来转移微型LED的方法(注册专利公报注册编号1754528号)。
韩国机械研究院提出了一种在辊上涂覆接着剂来转移微型LED的方法(注册专利公报注册编号第1757404号)。
三星显示器提出了一种在阵列基板浸入于溶液中的状态下对阵列基板的第一电极、第二电极施加负电压,通过静电感应现象将微型LED转移到阵列基板的方法(公开专利公报第10-2017-0026959号)。
LG电子提出了一种在多个拾取头与基板之间布置头保持器并随着多个拾取头的运动使其形状变形以向多个拾取头提供自由度的方法(公开专利公报第10-2017-0024906号)。
然而,即使使用具有高精密度的微型LED转移头,由于配置有微型LED的第一基板上的微型LED对准位置的误差,也会发生转移错误问题。具体来说,如果在第一基板上的微型LED对准存在位置误差,则在转移头吸附微型LED时会吸附具有位置误差的微型LED。因此,即使在微型LED转移到的第二基板上的接合焊盘的制造产率高,也会带来不能将各个微型LED准确地定位在各个接合焊盘的转移错误的问题。
图1是概略性示出作为本发明的构思背景的技术的图。如图1所示,转移头(1000)吸附第一基板(1001)上的微型LED(100)。在此情况下,转移头(1000)具有高精密度,且第二基板(1002)的接合焊盘(1002a)处于对准精密度高的状态。另一方面,第一基板(1001)的微型LED(100)处于在对准中存在位置误差的状态。在转移头(1000)吸附此种第一基板(1001)的微型LED(100)的情况下,具有位置误差的微型LED(100)被吸附到转移头(1000)。因此,在将微型LED(100)转移到第二基板(1002)上的接合焊盘(1002a)的上表面时,在微型LED(100)与接合焊盘(1002a)之间出现对准误差问题。因此,存在产生不良产品的问题。
换句话说,即使转移头(1000)的转移精密度高且第二基板(1002)上的接合焊盘(1002a)的制造产率高,但若在配置有微型LED(100)的第一基板(1001)上的微型LED(100)对准中存在位置误差,则转移以后会发生对准错误。存在此种错误结果会使不良产生的问题。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]韩国注册专利公报注册编号第0731673号
[专利文献2]韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号
[专利文献3]韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号
[专利文献4]韩国注册专利公报注册编号第1754528号
[专利文献5]韩国注册专利公报注册编号第1757404号
[专利文献6]韩国公开专利公报第10-2017-0026959号
[专利文献7]韩国公开专利公报第10-2017-0024906号
发明内容
发明所要解决的问题
对此,本发明的目的在于提供一种微型LED位置误差校正载体及微型LED转移系统,所述微型LED位置误差校正载体在将微型LED转移到第二基板之前校正微型LED的位置误差,从而在将微型LED转移到第二基板并进行安装时,可将与第二基板上的接合焊盘的对准误差最小化。
解决问题的技术手段
根据本发明一特征的微型LED位置误差校正载体,其特征在于包括:装载槽,具有底表面及倾斜部以容纳微型LED;以及非装载面,配置在所述装载槽的周边。
另外,特征在于所述底表面使用吸附力来吸附所述微型LED。
另外,特征在于所述吸附力为真空吸入力、范德瓦耳斯力、静电力及磁力中的至少任一种。
根据本发明另一特征的微型LED位置误差校正载体的特征在于包括:引导部件,具有倾斜部与非装载面;以及支撑部件,在所述引导部件的下部结合,以封闭所述倾斜部的下部来构成装载槽。
另外,特征在于所述支撑部件使用吸附力吸附微型LED。
另外,特征在于所述支撑部件包括具有任意的或垂直的气孔的多孔性部件,对所述气孔施加真空以真空吸附微型LED。
另外,特征在于所述引导部件由弹性材质形成。
根据本发明另一特征的微型LED转移系统,其特征在于包括:转移头,转移微型LED;以及微型LED位置误差校正载体,包括具有底表面及倾斜部以容纳微型LED的装载槽、及配置在所述装载槽的周边的非装载面,配置在所述转移头的所述微型LED中的与所述装载槽对应的所述微型LED通过所述微型LED位置误差校正载体进行转移,且与所述非装载面对应的所述微型LED不转移到所述微型LED位置误差校正载体。
根据本发明另一特征的微型LED转移系统,其特征在于包括:基板,配置有微型LED;以及微型LED位置误差校正载体,包括具有底表面及倾斜部以容纳微型LED的装载槽、及配置在所述装载槽的周边的非装载面,配置在所述基板的所述微型LED中的与所述装载槽对应的所述微型LED通过所述微型LED位置误差校正载体进行转移,且与所述非装载面对应的所述微型LED不转移到所述微型LED位置误差校正载体。
根据本发明另一特征的微型LED转移系统,其特征在于包括:微型LED位置误差校正载体,包括具有底表面及倾斜部以容纳微型LED的装载槽、及配置在所述装载槽的周边的非装载面;电路基板,配置有与所述微型LED的端子连接的接合焊盘;以及转移头,将安装在所述微型LED位置误差校正载体的所述微型LED转移到所述电路基板。
发明的效果
如上所述,根据本发明的微型LED位置误差校正载体及微型LED转移系统在转移到第二基板之前通过微型LED位置误差校正载体校正微型LED的位置误差,从而将微型LED与接合焊盘间的对准误差最小化。因此,具有可使不良产品的量产最小化并提高微型LED转移效率的效果。
附图说明
图1是概略性示出本发明的背景的图。
图2是示出成为本发明的对象的微型LED的图。
图3是示出根据本发明优选实施例的微型LED位置误差校正载体的图。
图4是从上方观察并示出本发明的微型LED位置误差校正载体的图。
图5是从下方观察并示出吸附第一基板的微型LED的转移头的吸附面的图。
图6至图8是概略性示出本发明的微型LED转移系统的图。
具体实施方式
以下的内容仅例示发明的原理。因此即便未在本说明书中明确地进行说明或图示,相应领域的技术人员也可实现发明的原理并发明包含于发明的概念与范围的各种装置。另外,本说明书所列举的所有条件部术语及实施例在原则上应理解为仅是作为明确地用于理解发明的概念的目的,并不限制于如上所述特别列举的实施例及状态。
所述的目的、特征及优点通过与附图相关的下文的详细说明而进一步变明了,因此在发明所属的技术领域内的普通技术人员可容易地实施发明的技术思想。
将参考作为本发明的理想例示图的剖面图来说明本说明中记述的实施例。为了有效地说明技术内容,对这些附图所示的区域的厚度、宽度及孔洞的直径等进行夸张表现。例示图的形态会因制造技术和/或公差等变形。另外,附图所示的微型LED的个数仅例示性地在附图中表示一部分。因此,本发明的实施例并不限于所示的特定形态,还包括根据制造工艺生成的形态的变化。
在说明各种实施例的过程中,即使实施例不同,为了方便起见也对执行相同功能的构成要素赋予相同的名称及相同的参照编号。另外,为了方便起见,将省略已经在其他实施例中说明的构成及操作。
以下,参照附图详细地说明本发明的优选实施例。
图2是示出在本发明优选实施例的微型LED位置误差校正载体中位置误差被校正的多个微型LED(100)的图。微型LED(100)在生长基板(1001)上进行制作并定位。
生长基板(101)可包括导电性基板或绝缘性基板。例如,生长基板(101)可由蓝宝石、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、及Ga2O3中的至少任一种形成。
微型LED(100)可包括第一半导体层(102)、第二半导体层(104)、形成于第一半导体层(102)与第二半导体层(104)之间的有源层(103)、第一接触电极(106)以及第二接触电极(107)。第一半导体层(102)、有源层(103)以及第二半导体层(104)可利用有机金属化学沉积法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)、化学沉积法(ChemicalVapor Deposition,CVD)、等离子体化学沉积法(Plasma-Enhanced Chemical VaporDeposition,PECVD)、分子束生长法(Molecular Beam Epitaxy,MBE)、氢化物气相生长法(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)等方法来形成。
第一半导体层(102)例如可由p型半导体层实现。p型半导体层可选自具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料、例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等,且可掺杂Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等p型掺杂剂。第二半导体层(104)例如可包括n型半导体层而形成。n型半导体层可选自具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料、例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等,且可掺杂Si、Ge、Sn等n型掺杂剂。
但,本发明并不限定于此,第一半导体层(102)包含n型半导体层,第二半导体层(104)也可包含p型半导体层。
有源层(103)为电子与空穴再结合的区域,随着电子与空穴再结合而转变为低的能量阶,从而可生成具有与其相应的波长的光。有源层(103)例如可包含具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料而形成,可由单量子阱结构或多量子阱结构(Multi Quantum Well,MQW)形成。另外,还可包括量子线(Quantum wire)结构或量子点(Quantum dot)结构。
可在第一半导体层(102)形成第一接触电极(106)、第二接触电极(107)。第一接触电极(106)和/或第二接触电极(107)可由包含金属、导电性氧化物及导电性聚合物的各种导电性材料形成。
在图2中,“p”表示微型LED(100)之间的节距间隔,“s”表示微型LED(100)之间的隔开距离,“w”表示微型LED(100)的宽度。
图3是概略性示出根据本发明优选实施例的微型LED位置误差校正载体(10)的图。
微型LED位置误差校正载体(10)可从转移头(1000)或如生长基板或临时基板的第一基板(1001)接收微型LED(100)。微型LED位置误差校正载体(10)可校正此种微型LED(100)的对准位置。因此,在将微型LED(100)转移到配置有接合焊盘(1002a)的第二基板(1002)(例如,电路基板等)上时,可获得将微型LED(100)与接合焊盘(1002a)的对准误差最小化的效果。
在将微型LED(100)转移到第二基板(1002)时,如果第一基板(1001)上的微型LED(100)的对准不准确,则即使转移头的转移精密度或第二基板上的接合焊盘的对准准确度高,也存在发生不良的问题。因此,重要的是在将微型LED(100)转移到第二基板(1002)之前,校正第一基板(1001)上的微型LED(100)的对准位置。本发明的微型LED位置误差校正载体(10)可包括具有底表面(11a)及倾斜部(11b)的装载槽(11)来构成。本发明在具有倾斜部(11b)的装载槽(11)中容纳微型LED(100),以在将微型LED(100)转移到第二基板(1002)之前准确地校正微型LED(100)的对准位置。在此情况下,微型LED位置误差校正载体(10)可直接接收第一基板(1001)上的微型LED(100)并校正位置误差。或者,可从已吸附有第一基板(1001)上的微型LED(100)的转移头(1000)接收微型LED(100)来校正位置误差。
以下,将参照附图具体地进行说明。
如图3所示,微型LED位置误差校正载体(10)可包括装载槽(11)及非装载面(12)来构成。微型LED位置误差校正载体(10)可校正从转移头(1000)或第一基板(1001)接收的微型LED(100)的位置误差。与图3的微型LED位置误差校正载体(10)隔开并配置在上部的部件可为转移头(1000)或第一基板(1001)。另外,配置在转移头(1000)或第一基板(1001)的微型LED(100)可为红色(Red)、绿色(Green)或蓝色(Blue)微型LED(100a、100b、100c)。
装载槽(11)可配置有底表面(11a)及倾斜部(11b)。此种装载槽(11)容纳从转移头(1000)或第一基板(1001)接收的微型LED(100)。
装载槽(11)的底表面(11a)的宽度以比倾斜部(11b)的宽度小的宽度形成。底表面(11a)的宽度小于倾斜部(11b)的宽度,且可与微型LED(100)的宽度相同地形成。因此,精确地校正了通过倾斜部(11b)导引而安装在底表面(11a)的微型LED(100)的位置。
倾斜部(11b)的宽度以比底表面(11a)的宽度大的宽度形成。倾斜部(11b)的宽度形成得比底表面(11a)的宽度的大,从而形成倾斜角度。倾斜部(11b)倾斜地形成,使得其宽度以底表面(11a)为基准向上方向增大。因此,倾斜部(11b)起到将从转移头(1000)或第一基板(1001)拆卸的微型LED(100)导引到底表面(11a)的功能。具体来说,可将微型LED(100)导引到底表面(11a)并进行安装。参照将图3的装载槽(11)的一部分放大的图,拆卸的微型LED(100)向装载槽(11)的底表面(11a)方向掉落。掉落时,微型LED(100)处于位置错误的状态。倾斜部(11b)的宽度以朝向底表面(11a)侧变小的方式形成。因此,使已进入到倾斜部(11b)的宽度范围内的微型LED(100)与底表面(11a)的位置误差减小,同时将微型LED(100)准确地安装在底表面(11a)的上表面。
在倾斜部(11b)的宽度大于底表面(11a)的宽度的情况下,在将微型LED(100)容纳在装载槽(11)时,可容纳装载槽(11)与微型LED(100)间的位置误差的范围变大。具体地进行说明,倾斜部(11b)从底表面(11a)向上方向延伸的同时形成装载槽(11)的开口部。装载槽(11)的开口部的宽度可为倾斜部(11b)的宽度中的最大宽度。转移头或第一基板(1001)的微型LED(100)可在装载槽(11)的开口部的宽度范围内从上部向装载槽(11)方向掉落。在此情况下,即使转移头或第一基板(1001)与微型LED位置误差校正载体(10)之间的位置对准精密度相对低,也可在装载槽(11)容纳微型LED(100)。因此,在形成装载槽(11)的开口部的倾斜部(11b)的宽度大的情况下,装载槽(11)与微型LED(100)之间的位置误差容纳范围可变大。
供微型LED(100)安装的底表面(11a)可使用吸附力来吸附微型LED(100)。此种吸附力可为真空吸入力、范德瓦耳斯力、静电力及磁力中的至少任一种。在本发明中,作为一例,将说明使用真空吸入力将微型LED(100)吸附在底表面(11a)的情况。
在底表面(11a)使用真空吸入力吸附微型LED(100)的情况下,可在倾斜部(11b)的下部配置可产生吸附力的部件。因此,底表面(11a)可通过真空吸入力吸附微型LED(100)。
反之,底表面(11a)可起到仅安装微型LED(100)的功能。在此情况下,微型LED(100)可通过倾斜部(11b)安装在底表面(11a)。在底表面(11a)仅起到安装微型LED(100)的功能的情况下,底表面(11a)是通过将倾斜部(11b)的下部封闭而不使用单独部件来构成,或可配置不具有产生吸附力的功能的单独的部件来构成。底表面(11a)可起到使用吸附力或不使用吸附力来安装微型LED(100)的功能。
在下文中,作为一例,将说明底表面(11a)使用吸附力安装微型LED(100)的情况。本发明的底表面(11a)可使用吸附力以可将微型LED(100)更准确地容纳在装载槽(11)。
如图3所示,在倾斜部(11b)的下部配置可产生吸附力的部件。因此,可通过封闭倾斜部(11b)的下部来构成底表面(11a)。构成底表面(11a)的部件可产生吸附力。因此,底表面(11a)可使用吸附力吸附微型LED(100)。
微型LED位置误差校正载体(10)在装载槽(11)的周边配置非装载面(12)。非装载面(12)可由水平面形成,从而可与未容纳在装载槽(11)中的微型LED(100)位置对应。
图4是从上方观察并示出本发明的微型LED位置误差校正载体(10)的图。如图4所示,多个装载槽(11)隔开形成。在此种装载槽(11)的周边配置非装载面(12)。考虑到将实现像素的红色、绿色及蓝色的微型LED(100)转移到第二基板(1002),装载槽(11)可隔开形成。
图5是从下方观察并示出吸附有第一基板(1001)的微型LED(100)的转移头(1000)的吸附面的图。因此,如图5所示,第一基板(1001)的微型LED(100)可在x、y方向上以一倍距离布置。
装载槽(11)可隔开形成。因此,在将红色、绿色、蓝色的微型LED(100a、100b、100c)中的每一者转移到第二基板时,可转移位置误差被校正的微型LED。例如,微型LED位置误差校正载体(10)校正红色微型LED(100a)的位置误差。在此情况下,微型LED位置误差校正载体(10)直接从第一基板(1001)接收红色微型LED(100a)。在装载槽(11)中仅容纳与装载槽(11)对应的微型LED(100a)。换句话说,仅第一基板(1001)的红色微型LED(100a)中的与装载槽(11)对应的位置处的红色微型LED(100a)被传递并容纳在装载槽(11)中。容纳在微型LED位置误差校正载体(10)的装载槽(11)中的红色微型LED(100a)可通过作为微型LED移送单元的转移头(1000)被吸附。在此情况下,在转移头(1000)中按照装载槽(11)的隔开距离隔开以吸附红色微型LED(100a)。吸附的红色微型LED(100a)被转移到第二基板(1002)。在由于装载槽(11)而预先形成能够实现像素的隔开距离的状态下将红色微型LED(100a)转移到第二基板(1002)。在红色微型LED(100a)的隔开距离内转移绿色及蓝色微型LED(100c)。绿色、蓝色的微型LED(100a、100b、100c)也可如上所述通过装载槽(11)形成隔开距离而转移到第二基板(1002)。红色、绿色及蓝色微型LED(100a、100b、100c)转移到的第二基板(1002)可实现像素。在上文中,作为一例,已经说明首先将红色微型LED(100a)转移到第二基板(1002),再转移绿色及蓝色微型LED(100a、100b、100c)的情况。然而,转移到第二基板(1002)的微型LED(100)的顺序不限于此。可按照将红色、绿色及蓝色微型LED(100c)中的每一者各一个包括在第二基板(1002)中以可构成一个像素的顺序来转移微型LED。
与上述不同,微型LED位置误差校正载体(10)可校正从转移头(1000)接收的微型LED(100)的位置误差。例如,被传递的微型LED是红色微型LED(100a)。在转移头(1000)可吸附红色微型LED(100a),如图5所示。转移头(1000)可吸附具有如图5所示的排列的红色微型LED(100a)。转移头(1000)可将红色微型LED(100a)传递到微型LED位置误差校正载体(10)。吸附在转移头(1000)的红色微型LED(100a)可通过装载槽(11)的底表面(11a)的吸附力而容纳在装载槽(11)中。在图5中用虚线边框标记的一部分红色微型LED(100a)可为与装载槽(11)对应的位置处的红色微型LED。如上所述,仅与装载槽(11)对应的位置处的红色微型LED可被传递到微型LED位置误差校正载体(10)。然后,还可通过微型LED位置误差校正载体(10)对绿色及蓝色微型LED(100a、100b、100c)分别进行位置误差校正。微型LED位置误差校正载体(10)的装载槽(11)隔开形成,从而可有效地实现第二基板(1002)的像素。下文将对以下过程进行详细说明:在将红色、绿色及蓝色微型LED(100c)转移到第二基板(1002)之前,通过微型LED位置误差校正载体(10)校正各个位置误差,并转移到第二基板(1002)以实现像素。
在装载槽(11)的周边配置非装载面(12)。装载槽(11)隔开形成并在周边配置非装载面(12),使得即使增大装载槽(11)的入口宽度,由于非装载面(12)也不会产生装载槽(11)与装载槽(11)间的干涉。换句话说,即使增大装载槽(11)的开口部的宽度,也不会发生侵入装载槽(11)间的区域的问题。因此,装载槽(11)可以可有效地接收微型LED(100)的开口部的宽度形成。
微型LED位置误差校正载体(10)可包括以下构成:引导部件(13),具有倾斜部(11b)与非装载面(12);以及支撑部件(14),在引导部件(13)的下部结合,以将倾斜部(11b)的下部封闭来构成装载槽(11)。
再次参照图3,微型LED位置误差校正载体(10)可包括以下构成:引导部件(13),具有倾斜部(11b)与非装载面(12);以及支撑部件(14),在引导部件(13)的下部结合,以将倾斜部(11b)的下部封闭来构成装载槽(11)。
具有倾斜部(11b)与非装载面(12)的引导部件(13)通过在下部结合支撑部件(14),从而封闭倾斜部(11b)的下部。因此,在倾斜部(11b)的下部构成底表面(11a),并形成具有底表面(11a)及倾斜部(11b)的装载槽(11)。
由于倾斜部(11b),装载槽(11)可形成为上宽下窄形态的矩形剖面。倾斜部(11b)可形成为比从底表面(11a)向上方向的底表面(11a)的宽度大的宽度。因此,容纳在装载槽(11)的微型LED(100)可沿着倾斜部(11b)准确地安装在装载槽(11)的底表面(11a)。
引导部件(13)可由弹性材质形成。因此,在从转移头(1000)或第一基板(1001)传递的微型LED(100)与微型LED位置误差校正载体(10)接触时,可发挥缓冲效果。
具体地进行说明,将微型LED(100)从转移头(1000)或第一基板(1001)传递到微型LED位置误差校正载体(10)。随着转移头(1000)或第一基板(1001)向引导部件(13)侧下降,配置在转移头(1000)或第一基板(1001)的微型LED(100)的下表面可与引导部件(13)接触。详细来说,微型LED(100)的下表面与引导部件(13)的非装载面(12)的上表面接触。
在传递微型LED(100)的单元是第一基板(1001)的情况下,可执行激光剥离(LaserLift OFF,LLO)工艺以将第一基板(1001)的微型LED(100)传递到微型LED位置误差校正载体(10)。可仅对与装载槽(11)对应的位置处的微型LED(100)选择性地执行LLO工艺。在执行LLO工艺时,可能会发生微型LED(100)的飞溅现象。为了防止由于飞溅现象而未将微型LED(100)容纳在装载槽(11)中,可执行使第一基板(1001)进一步向微型LED位置误差校正载体(10)侧下降的过程。此时,使与引导部件(13)的非装载面(12)对应的位置处的微型LED(100)与非装载面(12)密着。引导部件(13)由弹性材质制成,从而可执行缓冲功能使得与非装载面(12)密着的微型LED(100)不会被损坏。因此,即使存在微型LED(100)的飞溅现象,也可更有效地执行装载槽(11)的微型LED(100)的位置误差校正,且可防止未被容纳在装载槽(11)的微型LED(100)被损坏。
结合到引导部件(13)的下部的支撑部件(14)可使用吸附力来吸附微型LED(100)。在此情况下,支撑部件(14)所使用的吸附力可为真空吸入力、范德瓦耳斯力、静电力及磁力中的至少任一种。由于支撑部件(14)是形成装载槽(11)的构成,因此装载槽(11)的底表面(11a)可利用支撑部件(14)所使用的吸附力来吸附微型LED(100)。在下文中,将说明支撑部件(14)使用真空吸入力的情况。
支撑部件(14)可由具有任意或垂直的气孔的多孔性部件形成。支撑部件(14)可通过对多孔性部件的气孔施加真空来真空吸附传递的微型LED(100)。
多孔性部件就形状方面而言可为粉末、涂膜、块状,粉末的情况可为球形、中空球形、纤维状、管状等各种形状,也存在直接使用粉末的情况,但也可将其作为触发物质制造成涂膜、块状形状来使用。
在具有任意气孔的支撑部件(14)中,在内部具有一定排列或无序的气孔结构的多个气孔彼此连接,且在水平方向上可存在空气的流动。因此,真空可传递到多个装载槽(11)的底表面(11a)。具有任意气孔的支撑部件(14)可均匀地形成真空压以吸附微型LED(100)。
另一方面,支撑部件(14)可由具有垂直气孔的多孔性部件形成。支撑部件(14)被垂直形状的气孔上下贯通并形成空气流路。支撑部件(14)可对此种气孔施加真空来将微型LED(100)真空吸附到装载槽(11)。
支撑部件(14)可由阳极氧化膜形成。在本发明中,示出并说明支撑部件(14)由阳极氧化膜形成的情况。
阳极氧化膜的气孔形成一定的排列。阳极氧化膜是指对作为母材的金属进行阳极氧化而形成的膜,气孔是指在对金属进行阳极氧化而形成阳极氧化膜的过程中形成的孔洞。例如,在作为母材的金属是铝(Al)或铝合金的情况下,在对母材进行阳极氧化时,在母材的表面形成阳极氧化铝(Al2O3)材质的阳极氧化膜。如上所述形成的阳极氧化膜分为在内部不形成气孔的阻挡层与在内部形成气孔的多孔层。阻挡层位于母材的上部,而多孔层位于阻挡层的上部。如上所述,在从在表面形成具有阻挡层与多孔层的阳极氧化膜的母材中去除母材时,仅残留阳极氧化铝(Al2O3)材质的阳极氧化膜。
阳极氧化膜具有直径均匀且以垂直的形态形成并具有规则排列的气孔。因此,若去除阻挡层,则具有沿上下垂直贯通气孔的结构,由此易于沿垂直方向形成真空压。
阳极氧化膜的内部可通过垂直形状的气孔而形成垂直形态的空气流路。气孔的内部宽度具有数纳米至数百纳米的大小。例如,在欲真空吸附的微型LED的尺寸为30μm×30μm的情况而气孔的内部宽度为数纳米的情况下,可利用大约数千万个气孔对微型LED(ML)进行真空吸附。
另一方面,将微型LED(100)传递到微型LED位置误差校正载体(10)的转移头(1000)可由阳极氧化膜形成。转移头(1000)可通过阳极氧化膜的气孔吸附微型LED(100)。另外,可通过使用蚀刻在构成装载槽(11)的支撑部件(14)的至少一部分形成孔。因此,支撑部件(14)可形成比转移头(1000)大的真空压。具体来说,可在与支撑部件(14)的装载槽(11)的底表面(11a)对应的位置处形成孔。形成孔的位置可为将装载槽(11)的底表面(11a)封闭的位置。孔可贯通支撑部件(14)的上、下形成。孔可以小于装载槽(11)的底表面(11a)的宽度且小于微型LED(100)的宽度的方式形成。支撑部件(14)可通过此种孔形成比转移头(1000)的吸附部的真空压大的真空压。因此,可有效地使与装载槽(11)对应的微型LED脱落并进行吸附。
如上所述,微型LED位置误差校正载体(10)可通过将微型LED(100)容纳在装载槽(11)来校正微型LED(100)的位置误差。优选为可在将微型LED(100)转移到第二基板(1002)之前校正微型LED(100)的位置。因此,可将与第二基板(1002)的接合焊盘(1002a)的对准误差最小化。
微型LED(100)在被转移到第二基板(1002)之前,可根据微型LED位置误差校正载体(10)的装载槽(11)的排列形成隔开距离,以准确地校正位置误差。本发明不仅通过装载槽(11)校正微型LED(100)的位置误差,而且可形成考虑到像素实现的隔开距离。因此,可减少由位置误差引起的不良率并提高微型LED转移的效率。
如上所述的微型LED位置误差校正载体(10)可形成在微型LED转移系统(1)以校正微型LED(100)的位置误差。
首先,对以下过程进行说明:微型LED转移系统(1)配置有微型LED位置误差校正载体(10)与转移头(1000)以校正微型LED的位置误差。
图6是示出包括本发明的微型LED位置误差校正载体(10)及转移头(1000)的微型LED转移系统(1)的图。在下文中,说明转移头(1000)可通过真空吸入力来吸附微型LED(100)的情况。然而,转移头(1000)的吸附力不限于此。
微型LED位置误差校正载体(10)从转移头(1000)接收将进行位置校正的微型LED(100)。在图6中概略性示出微型LED位置误差校正载体(10)从转移头(1000)接收微型LED(100)并校正微型LED的位置误差的过程。
微型LED转移系统(1)可包括以下构成:转移头(1000),转移微型LED(100);以及微型LED位置误差校正载体(10),包括具有底表面(11a)及倾斜部(11b)并容纳微型LED(100)的装载槽(11)、及配置在装载槽(11)的周边的非装载面(12)。
配置在本发明的微型LED转移系统(1)的微型LED位置误差校正载体(10)可利用吸附力来吸附微型LED(100),或者不利用吸附力来容纳微型LED(100)。
以下,示出并说明微型LED位置误差校正载体(10)通过将具有装载槽(11)及非装载面(12)的引导部件(13)与利用吸附力的支撑部件(14)结合构成的情况。因此,装载槽(11)可使用吸附力吸附并容纳微型LED(100)。非装载面(12)可配置在装载槽(11)的周边。
将微型LED(100)传递到微型LED位置误差校正载体(10)的转移头(1000)可包括吸附微型LED(100)的吸附部来构成。在转移头(1000)吸附第一基板(1001)上的微型LED(100)并传递到微型LED位置误差校正载体(10)的情况下,吸附部可以与第一基板(1001)上的微型LED(100)的x、y方向相同的节距间隔形成。因此,转移头(1000)可批量吸附第一基板(1001)的微型LED(100)并传递到微型LED位置误差校正载体(10)。
首先,将参照上述图5说明转移头(1000)批量吸附第一基板(1001)的微型LED(100)的状态。如图5所示,转移头(1000)的吸附部以与第一基板(1001)的微型LED(100)的x、y方向相同的节距间隔形成,从而在转移头(1000)批量吸附第一基板(1001)的微型LED(100)。转移头(1000)的吸引部与第一基板(1001)的微型LED(100)的节距间隔相同。因此,图5所示的微型LED(100)的排列可为第一基板(1001)上的微型LED(100)的排列。
此后,如图6(a)所示,吸附第一基板(1001)的微型LED(100)的转移头(1000)位于微型LED位置误差校正载体(10)的上部。
然后,如图6(b)所示,转移头(1000)向微型LED位置误差校正载体(10)侧下降。转移头(1000)可下降到微型LED位置误差校正载体(10)的非装载面(12)的上表面与微型LED(100)的下表面接触时为止。在此情况下,转移头(1000)的下降停止位置可在非装载面(12)的上表面与微型LED(100)的下表面接触之前。然而,为了将微型LED(100)更准确地传递到微型LED位置误差校正载体(10)的装载槽(11),可优选为在非装载面(12)的上表面与对应的微型LED(100)的下表面接触时停止。具有倾斜部(11b)及非装载面(12)的引导部件(13)可由弹性材质形成。因此,在将微型LED(100)传递到装载槽(11)时,即使非装载面(12)与微型LED(100)接触也可防止微型LED(100)的损坏。
然后,如图6(c)所示,转移头(1000)将微型LED(100)传递到微型LED位置误差校正载体(10)。微型LED位置误差校正载体(10)可配置装载槽(11),所述装载槽(11)具有与第一基板(1001)的微型LED(100)在x、y方向上的三倍距离相同的节距间隔。因此,吸附到转移头(1000)的微型LED(100)可按照在图5的图中x、y方向上的三倍距离隔开而转移到装载槽(11)。这在微型LED位置误差校正载体(10)中使用转移头(1000)或单独的移送单元将已校正位置误差的微型LED(100)转移到第二基板(1002)时可更有效地实现像素。
在吸附在转移头(1000)的微型LED(100)中,对应于装载槽(11)的微型LED(100)被转移到微型LED位置误差校正载体(10),且对应于非装载面(12)的微型LED(100)不被转移到微型LED位置误差校正载体(10)。
参照图6(c)及图6(d),在图6的微型LED位置误差校正载体(10)中,将图中最左侧的装载槽称为第一装载槽。另一方面,吸附在图6的转移头(1000)的微型LED(100)中,图中最左侧的微型LED(100)被称为第一微型LED。在此情况下,第一微型LED对应于第一装载槽,因此第一微型LED被容纳在第一装载槽。装载槽(11)通过在第一基板(1001)的微型LED(100)的x、y方向上以三倍距离形成节距间隔,从而配置在微型LED位置误差校正载体(10)。因此,可在与第一装载槽隔开三倍距离的第二装载槽容纳第四微型LED。另外,在与第二装载槽隔开三倍距离的第三装载槽容纳第七微型LED。然后,与各个装载槽对应的微型LED也转移并容纳在第四装载槽、第五装载槽及第六装载槽中。
如上所述,仅与各个装载槽(11)对应的微型LED(100)被转移并容纳到微型LED位置误差校正载体(10)。装载槽(11)具有底表面(11a)及倾斜部(11b)。微型LED(100)可通过装载槽(11)的倾斜部(11b)被准确地导引到底表面(11a)。在引导部件(13)的下部配置有使用吸附力吸附微型LED(100)的支撑部件(14)。因此,装载槽(11)的底表面(11a)可通过支撑部件(14)的吸附力吸附微型LED(100)。支撑部件(14)的吸附力可以比转移头(1000)的吸附力大的方式形成。因此,可将微型LED(100)更容易地安装在装载槽(11)。
如图6(d)所示,仅与各个装载槽(11)对应的微型LED(100)被转移到微型LED位置误差校正载体(10)。然后,转移头(1000)上升。转移头(1000)可将并未转移到微型LED位置误差校正载体(10)的微型LED(100)转移到另一位置误差校正载体。
如图6(d)所示,安装在微型LED位置误差校正载体(10)的微型LED(100)可通过如转移头(1000)等移送单元转移到如电路基板(1002)等第二基板(1002)。
在参照图6说明的微型LED转移系统(1)中,通过微型LED位置误差校正载体(10)进行位置校正的微型LED(100)可为红色、绿色及蓝色微型LED(100a、100b、100c)。各个微型LED可通过转移头(1000)传递到微型LED位置误差校正载体(10)。各个微型LED可相同地执行如上所述的过程,以在微型LED位置误差校正载体(10)中校正位置误差。
以下,参照图7对以下过程进行说明:本发明的微型LED转移系统(1)配置有微型LED位置误差校正载体(10)与包括第一基板(1001)的基板(1001),从而校正微型LED(100)的位置误差。在微型LED转移系统(1)配置基板(1001)以通过微型LED位置误差校正载体(10)校正微型LED(100)的位置误差的情况下,传递微型LED(100)的单元除了是基板(1001)以外的所有构成可与配置有上述转移头(1000)的微型LED转移系统(1)相同。因此,将省略相同的说明。
图7是示出包括本发明的微型LED位置误差校正载体(10)及配置有微型LED(100)的基板(1001)的微型LED转移系统(1)的图。微型LED转移系统(1)的基板(1001)可包括配置有微型LED(100)的第一基板(1001)。因此,为了方便起见,将使用与第一基板(1001)相同的符号进行表示并说明。
微型LED转移系统(1)可包括以下构成:基板(1001),配置有微型LED(100);以及微型LED位置误差校正载体(10),包括具有底表面(11a)及倾斜部(11b)以容纳微型LED(100)的装载槽(11)、及配置在装载槽(11)的周边的非装载面(12)。
微型LED位置误差校正载体(10)可从基板(1001)直接接收将进行位置校正的微型LED(100)。
在基板(1001)中可以在图5的图中在x、y方向上的一倍距离配置微型LED(100)。
基板(1001)的微型LED(100)可处于发生位置误差的状态。基板(1001)可为生长基板。在生长基板的情况下,必须使用LLO来从生长基板剥除微型LED(100),且在通过LLO剥除微型LED(100)的过程中可能会发生微型LED(100)的位置误差。当使用如转移头(1000)等移送单元将此种微型LED(100)按原样转移到第二基板(1002)的情况下,与第二基板(1002)的接合焊盘(1002a)会产生对准误差,因此产生不良产品。因此,在转移头(1000)吸附配置在基板(1001)的微型LED(100)并转移到第二基板(1002)之前,可通过微型LED位置误差校正载体(10)来校正位置误差。
如图7(a)所示,配置有微型LED(100)的基板(1001)位于微型LED位置误差校正载体(10)的上部。
然后,如图7(b)所示,基板(1001)向微型LED位置误差校正载体(10)侧下降。基板(1001)可下降直到微型LED位置误差校正载体(10)的非装载面(12)的上表面与微型LED(100)的下表面接触时为止。或者,可下降直到非装载面(12)的上表面与微型LED(100)的下表面接触之前为止。然而,在基板(1001)的微型LED(100)传递到微型LED位置误差校正载体(10)的情况下,执行LLO工艺。执行LLO工艺时,可能会发生微型LED的飞溅现象。因此,为了防止由于飞溅现象而未将微型LED(100)容纳在装载槽(11)中的情况,可优选为使基板(1001)下降直到基板(1001)的微型LED(100)的下表面与微型LED位置误差校正载体(10)的非装载面(12)接触时为止。在下文中,将说明在基板(1001)的微型LED(100)的下表面与非装载面(12)接触之后执行LLO工艺的情况。
如图7(b)所示,基板(1001)下降,且基板(1001)的微型LED(100)的下表面与非装载面(12)接触。然后,如图7(c)所示,对与各个装载槽(11)对应的微型LED(100)选择性地执行LLO工艺。可仅对与装载槽(11)对应的微型LED(100)选择性地执行LLO工艺。图7(c)所示的箭头是指对与装载槽(11)对应的微型LED(100)选择性地执行LLO工艺的情况。因此,仅将配置在基板(1001)的微型LED(100)中的与装载槽(11)对应的微型LED(100)转移到微型LED位置误差校正载体(10),且与非装载面(12)对应的微型LED(100)未转移到微型LED位置误差校正载体(10)。
在图7(c)的图中,对与第一装载槽相对应的第一微型LED执行LLO工艺。另外,对与第二加载凹槽对应的第四微型LED执行LLO工艺。另外,对与第三装载槽至第六装载槽对应的各个微型LED执行LLO工艺。执行LLO工艺时,由于气体压而可能产生微型LED的飞溅现象。因此,优选为进一步降低基板(1001)以使装载槽(11)与微型LED(100)间的高度差最小。具有非装载面(12)的引导部件(13)由弹性材质制成。非装载面(12)可形成为围绕装载槽(11)的周边的形态。因此,当基板(1001)进一步下降且微型LED(100)接触到非装载面(12)时,引导部件(13)可被压缩以起到缓冲功能。因此,在对与装载槽(11)对应的微型LED(100)执行LLO工艺时,可防止损坏与非装载面(12)对应的微型LED(100)。
如图7(c)所示,对与各个装载槽(11)对应的微型LED(100)选择性地执行LLO工艺。
然后,如图7(d)所示,将微型LED(100)容纳在装载槽(11)。装载槽(11)具有底表面(11a)及倾斜部(11b)。微型LED(100)可通过装载槽(11)的倾斜部(11b)准确地安装在底表面(11a)。换句话说,倾斜部(11b)可起到位置导引功能,从而可将微型LED(100)准确地定位在装载槽(11)的底表面(11a)。装载槽(11)的底表面(11a)可通过在引导部件(13)的下部结合使用吸附力的支撑部件(14)来构成。因此,装载槽(11)的底表面可通过支撑部件(14)的吸附力吸附微型LED(100)。装载槽(11)利用吸附力吸附微型LED(100)。通过装载槽(11)的倾斜部(11b)安装在底表面(11a)的微型LED(100)可由于底表面(11a)的吸附力将微型LED(100)更准确地吸附在装载槽(11)。
如图7(e)所示,配置有与非装载面(12)对应且未转移到微型LED位置误差校正载体(10)的微型LED(100)的基板(1001)上升。可将未转移到微型LED位置误差校正载体(10)的微型LED(100)安装在另一位置误差校正载体。
如图7(e)所示,安装在微型LED位置误差校正载体(10)的微型LED(100)可通过如转移头(1000)等移送单元转移到如电路基板(1002)等第二基板(1002)。下文将述将安装在微型LED位置误差校正载体(10)的微型LED(100)转移到如电路基板(1002)等第二基板(1002)的过程。
在如上所述参照图7说明的微型LED转移系统(1)中,通过微型LED位置误差校正载体(10)进行位置校正的微型LED(100)可为红色、绿色及蓝色微型LED(100a、100b、100c)。各个微型LED可从基板(1001)传递到微型LED位置误差校正载体(10)。各个微型LED可相同地执行如上所述的过程,以在微型LED位置误差校正载体(10)中校正位置误差。
图8是概略性示出以下过程的图:在微型LED转移系统(1)中,将安装在微型LED位置误差校正载体(10)的微型LED(100)转移到配置有与微型LED(100)的端子连接的接合焊盘(1002a)的电路基板(1002)。
微型LED转移系统(1)可包括以下构成:微型LED位置误差校正载体(10),包括具有底表面(11a)及倾斜部(11b)以容纳微型LED(100)的装载槽(11)、及配置在装载槽(11)的周边的非装载面(12);电路基板(1002),配置有与微型LED(100)的端子连接的接合焊盘(1002a);以及转移头(1000),将安装在微型LED位置误差校正载体(10)的微型LED(100)转移到电路基板(1002)。
在此情况下,配置有与微型LED(100)的端子连接的接合焊盘(1002a)的电路基板(1002)可与上述的第二基板(1002)相同。因此,电路基板(1002)标记为与第二基板(1002)相同的符号来说明。
另外,将微型LED(100)转移到电路基板(1002)的转移头(1000)可与将微型LED(100)传递到所述的微型LED位置误差校正载体(10)的转移头(1000)相同。因此,本发明中提及的转移头(1000)使用相同的符号。
安装在微型LED转移系统(1)所配置的微型LED位置误差校正载体(10)的微型LED(100)可为红色、绿色或蓝色微型LED(100a、100b、100c)。
在此情况下,如上所述,安装在微型LED位置误差校正载体(10)的微型LED(100)可为从转移头(1000)传递的微型LED(100)。或者,可为从包括第一基板(1001)的基板(1001)传递的微型LED(100)。
另一方面,可将微型LED转移到电路基板(1002),以使得在电路基板(1002)的x方向、y方向上红色、绿色及蓝色微型LED(100a、100b、100c)可构成一个像素。具体来说,可以如下方式转移微型LED:在电路基板(1002)上沿x方向依次布置红色、绿色及蓝色微型LED(100a、100b、100c),从而可在x方向上形成多个像素。另外,可以如下方式转移微型LED:在电路基板(1002)的y方向上依次布置红色、绿色及蓝色微型LED(100a、100b、100c),从而可在y方向上形成多个像素。
在下文中,仅例示性示出电路基板(1002)的x方向的剖面。因此,对以下过程进行说明:沿电路基板(1002)的x方向转移红色、绿色及蓝色微型LED(100c)以构成多个像素。然而,这是在电路基板(1002)实现像素的排列中的一例。因此,实现电路基板(1002)的像素的排列不限于此。
另外,在下文中说明的转移到电路基板(1002)的红色、绿色或蓝色微型LED(100c)的顺序也不进行限制。
在下文中,说明将由微型LED位置误差校正载体(10)进行位置校正的微型LED中的红色微型LED(100a)首先转移到电路基板(1002)的情况。然后,按照绿色微型LED(100b)、蓝色微型LED(100c)的顺序转移到电路基板(1002)。
图8(a)所示的微型LED是红色微型LED(100a)。微型LED转移系统(1)可将安装在微型LED位置误差校正载体(10)的红色微型LED(100a)转移到电路基板(1002)。在此情况下,红色微型LED(100a)通过转移头(1000)转移到电路基板(1002)。转移头(1000)吸附通过微型LED位置误差校正载体(10)校正位置误差的红色微型LED(100a)。此时,微型LED位置误差校正载体(10)的装载槽(11)隔开形成。装载槽(11)的隔开距离是第一基板(1001)的微型LED(100)在x、y方向上的三倍距离。微型LED位置误差校正载体(10)仅转移与装载槽(11)对应的微型LED(100a)。因此,当转移头(1000)从微型LED位置误差校正载体(10)吸附微型LED(100a)时,可以在x、y方向上的三倍距离隔开吸附微型LED(100a)。因此,在转移头(1000)中在与装载槽(11)对应的位置处吸附红色微型LED(100a),且以在图5的图中的x、y方向上的三倍距离隔开吸附。
转移头(1000)将在微型LED位置误差校正载体(10)中位置误差已校正的红色微型LED(100a)批量转移到电路基板(1002)。因此,可使装配在电路基板(1002)的红色微型LED(100a)与接合焊盘(1002a)的对准误差最小化。
如图8(a)的图中左侧图所示,红色微型LED(100a)在微型LED位置误差校正载体(10)中校正位置误差。转移头(1000)吸附此种红色微型LED(100a)并如图8(a)的图中右侧图所示将红色微型LED(100a)批量转移到电路基板(1002)。在转移头(1000)中使红色微型LED(100a)处于在图5的图中的x、y方向上以三倍距离隔开吸附的状态。因此,红色微型LED(100a)以在图8(a)的图中在x方向上以三倍距离隔开转移到电路基板(1002)。此时,红色微型LED(100a)可以与接合焊盘(1002a)的对准误差最小化的方式来安装。这是由于在将红色微型LED(100a)转移到电路基板(1002)之前,通过微型LED位置误差校正载体(10)预先校正了位置误差。
如上所述,本发明在包括红色微型LED(100a)的微型LED(100)被转移到电路基板(1002)之前,通过微型LED位置误差校正载体(10)来校正位置误差,可使微型LED(100)与接合焊盘(1002a)之间的对准误差最小化。因此,具有可将不良产品的批量生产最小化并提高微型LED转移效率的效果。
然后,转移头(1000)可将绿色微型LED(100b)转移到电路基板(1002)。如图8(b)的图中左侧图所示,微型LED位置误差校正载体(10)安装绿色微型LED(100b)并校正位置误差。在此情况下,微型LED位置误差校正载体(10)可与安装有红色微型LED(100a)的微型LED位置误差校正载体(10)不同地与绿色微型LED(100b)对应配置。
安装在微型LED位置误差校正载体(10)的绿色微型LED(100b)被转移头(1000)吸附。绿色微型LED(100b)以按照装载槽(11)的隔开距离形成节距间距的状态吸附到转移头(1000)。转移头(1000)可将吸附的绿色微型LED(100b)转移到电路基板(1002)。此时,绿色微型LED(100b)可以与红色微型LED(100a)隔开的状态沿电路基板(1002)的x方向以三倍距离批量转移。转移头(1000)可沿首先转移到电路基板(1002)的红色微型LED(100a)的x方向以一倍距离向右侧移动来批量转移绿色微型LED(100b)。
在绿色微型LED(100b)被转移到电路基板(1002)之前,通过微型LED位置误差校正载体(10)校正位置误差,从而可将与接合焊盘(1002a)的对准误差最小化。
然后,转移头(1000)可将蓝色微型LED(100c)转移到电路基板(1002)。如图8(c)的图中左侧图所示,微型LED位置误差校正载体(10)安装有蓝色微型LED(100c)。蓝色微型LED(100c)为在微型LED位置误差校正载体(10)中已校正位置误差的状态。转移头(1000)吸附安装在微型LED位置误差校正载体(10)的蓝色微型LED(100c)。此时,蓝色微型LED(100c)以按照装载槽(11)的隔开距离形成节距间隔的状态被吸附到转移头(1000)。转移头(1000)可将吸附的蓝色微型LED(100c)批量转移到电路基板(1002)。此时,蓝色微型LED(100c)可以与绿色微型LED(100b)隔开的状态沿电路基板(1002)的x方向以三倍距离批量转移。转移头(1000)可沿首先转移到电路基板(1002)的绿色微型LED(100b)的x方向以一倍距离向右侧移动来批量转移蓝色微型LED(100c)。
在将蓝色微型LED(100c)转移到电路基板(1002)之前,通过微型LED位置误差校正载体(10)校正位置误差,从而可将与接合焊盘(1002a)的对准误差最小化。
在转移有红色、绿色及蓝色微型LED(100a、100b、100c)全部的电路基板(1002)可为在x、y方向依次布置红色、绿色及蓝色微型LED(100a、100b、100c)以构成多个像素组的形态。
在电路基板(1002)的x方向上依次布置红色、绿色及蓝色微型LED(100a、100b、100c),且在y方向上排列相同颜色的微型LED(100a、100b、100c)以形成多个像素组的形态可在转移头(1000)在微型LED位置误差校正载体(10)与电路基板(1002)之间多次往复运动的同时形成。详细来说,可在转移头(1000)往返移动9次的同时形成。
与此不同,相同颜色的微型LED可沿对角线方向排列以形成多个像素组。首先,转移头(1000)从安装有红色微型LED(100a)的微型LED位置误差校正载体(10)吸附红色微型LED(100b)。转移头(1000)将红色微型LED(100a)批量转移到电路基板(1002)。如上所述的过程可在一次转移时执行。
然后,转移头(1000)从安装有绿色微型LED(100b)的微型LED位置误差校正载体(10)吸附绿色微型LED(100b)。转移头(1000)沿首先转移到电路基板(1002)的红色微型LED(100a)的x方向向图中的右侧移动一倍距离,并将绿色微型LED(100b)批量转移到电路基板(1002)。如上所述的过程可在二次转移时执行。
然后,转移头(1000)从安装有蓝色微型LED(100c)的微型LED位置误差校正载体(10)吸附蓝色微型LED(100c)。转移头(1000)沿首先转移到电路基板(1002)的绿色微型LED(100b)的x方向向图中的右侧移动一倍距离,并将蓝色微型LED(100c)批量转移到电路基板(1002)。如上所述的过程可在三次转移时执行。
然后,转移头(1000)从安装有蓝色微型LED(100c)的微型LED位置误差校正载体(10)吸附蓝色微型LED(100c)。转移头(1000)沿首先转移到电路基板(1002)的红色微型LED(100a)的y方向向图中的下侧移动一倍距离,并将蓝色微型LED(100c)批量移动到电路基板(1002)。如上所述的过程可在四次转移时执行。
然后,转移头(1000)从安装有红色微型LED(100a)的微型LED位置误差校正载体(10)吸附红色微型LED(100a)。当进行四次转移时,转移头(1000)沿所转移的蓝色微型LED(100c)的x方向上向图中的右侧移动一倍距离,并批量转移红色微型LED(100a)。如上所述的过程可在五次转移时执行。
然后,转移头(1000)从安装有绿色微型LED(100c)的微型LED位置误差校正载体(10)吸附绿色微型LED(100c)。转移头(1000)沿五次转移时所转移的红色微型LED(100a)的x方向向图中的右侧移动一倍距离,并将绿色微型LED(100c)批量转移。如上所述的过程可在六次转移时执行。
然后,转移头(1000)从安装有绿色微型LED(100b)的微型LED位置误差校正载体(10)吸附绿色微型LED(100b)。转移头(1000)沿四次转移时所转移的蓝色微型LED(100c)的y方向向图中的下侧移动一倍距离,并将绿色微型LED(100b)批量转移。如上所述的过程可在七次转移时执行。
然后,转移头(1000)从安装有蓝色微型LED(100b)的微型LED位置误差校正载体(10)吸附蓝色微型LED(100b)。转移头(1000)沿七次转移时所转移的绿色微型LED(100b)的x方向向图中的右侧移动一倍距离,并将蓝色微型LED(100c)批量转移。如上所述的过程可在八次转移时执行。
然后,转移头(1000)从安装有红色微型LED(100a)的微型LED位置误差校正载体(10)吸附红色微型LED(100a)。转移头(1000)沿八次转移时所转移的蓝色微型LED(100c)的x方向向图中的右侧移动一倍距离,并将红色微型LED(100a)批量转移。如上所述的过程可在九次转移时执行。
在电路基板(1002)的对角线方向上依次布置红色、绿色及蓝色微型LED(100a、100b、100c)以形成多个像素组的情况下,如上所述转移头(1000)可在微型LED位置误差校正载体(10)与电路基板(1002)之间往返九次形成。然而,这可根据在电路基板(1002)构成像素的形态而变化。
在本发明中,如上所述,可通过9次转移将在微型LED位置误差校正载体(10)中校正了位置误差的微型LED(100)转移到电路基板(1002)。因此,可在电路基板(1002)形成多个像素以实现像素。
本发明可在通过微型LED位置误差校正载体(10)将微型LED(100)转移到配置有接合焊盘(1002a)的第二基板(1002)之前校正微型LED(100)的位置误差。另外,可通过原样吸附发生位置误差的微型LED(100)来校正转移头(1000)的发生吸附位置误差的微型LED(100)的位置误差。因此,通过微型LED位置误差校正载体(10)吸附位置误差已被校正的微型LED(100)的高精密度转移头(1000)可进一步提高转移效率。另外,通过本发明,可在如配置有接合焊盘(1002a)的电路基板(1002)等第二基板(1002)中将接合焊盘(1002a)与微型LED(100)之间的对准误差最小化。因此,具有可提高微型LED的转移效率,并降低由与接合焊盘(1002a)的对准误差带来的不良产品产生率的效果。
如上所述,参照本发明的优选实施例进行说明,但相应技术领域的通常技术人员可在不脱离上述权利要求所记载的本发明的思想及领域的范围内对本发明实施各种修正或变形。
[符号的说明]
1:微型LED转移系统
10:微型LED位置误差校正载体
11:装载槽
11a:底表面11b:倾斜部
12:非装载面13:引导部件
14:支撑部件100:微型LED
1000:转移头1001:第一基板,基板
1002:第二基板,电路基板1002a:接合焊盘

Claims (10)

1.一种微型发光二极管位置误差校正载体,包括:
装载槽,具有底表面及倾斜部以容纳微型发光二极管;以及
非装载面,配置在所述装载槽的周边。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管位置误差校正载体,其中,
所述底表面使用吸附力来吸附所述微型发光二极管。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管位置误差校正载体,其中,
所述吸附力为真空吸入力、范德瓦耳斯力、静电力及磁力中的至少任一种。
4.一种微型发光二极管位置误差校正载体,包括:
引导部件,具有倾斜部与非装载面;以及
支撑部件,在所述引导部件的下部结合,以封闭所述倾斜部的下部来构成装载槽。
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管位置误差校正载体,其中,
所述支撑部件使用吸附力吸附微型发光二极管。
6.根据权利要求4所述的微型发光二极管位置误差校正载体,其中,
所述支撑部件包括具有任意的或垂直的气孔的多孔性部件,
对所述气孔施加真空以真空吸附微型发光二极管。
7.根据权利要求4所述的微型发光二极管位置误差校正载体,其中,
所述引导部件由弹性材质形成。
8.一种微型发光二极管转移系统,包括:
转移头,转移微型发光二极管;以及
微型发光二极管位置误差校正载体,包括具有底表面及倾斜部以容纳微型发光二极管的装载槽、及配置在所述装载槽的周边的非装载面,
配置在所述转移头的所述微型发光二极管中的与所述装载槽对应的所述微型发光二极管通过所述微型发光二极管位置误差校正载体进行转移,且与所述非装载面对应的所述微型发光二极管不转移到所述微型发光二极管位置误差校正载体。
9.一种微型发光二极管转移系统,包括:
基板,配置有微型发光二极管;以及
微型发光二极管位置误差校正载体,包括具有底表面及倾斜部以容纳微型发光二极管的装载槽、及配置在所述装载槽的周边的非装载面,
配置在所述基板的所述微型发光二极管中的与所述装载槽对应的所述微型发光二极管通过所述微型发光二极管位置误差校正载体进行转移,且与所述非装载面对应的所述微型发光二极管不转移到所述微型发光二极管位置误差校正载体。
10.一种微型发光二极管转移系统,包括:
微型发光二极管位置误差校正载体,包括具有底表面及倾斜部以容纳微型发光二极管的装载槽、及配置在所述装载槽的周边的非装载面;
电路基板,配置有与所述微型发光二极管的端子连接的接合焊盘;以及
转移头,将安装在所述微型发光二极管位置误差校正载体的所述微型发光二极管转移到所述电路基板。
CN201980069324.1A 2018-11-09 2019-11-05 微型发光二极管位置误差校正载体及微型发光二极管转移系统 Withdrawn CN112889141A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180137230A KR20200053841A (ko) 2018-11-09 2018-11-09 마이크로 led 위치 오차 보정 캐리어 및 마이크로 led 전사시스템
KR10-2018-0137230 2018-11-09
PCT/KR2019/014921 WO2020096325A1 (ko) 2018-11-09 2019-11-05 마이크로 led 위치 오차 보정 캐리어 및 마이크로 led 전사시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112889141A true CN112889141A (zh) 2021-06-01

Family

ID=70611024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980069324.1A Withdrawn CN112889141A (zh) 2018-11-09 2019-11-05 微型发光二极管位置误差校正载体及微型发光二极管转移系统

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210407830A1 (zh)
KR (1) KR20200053841A (zh)
CN (1) CN112889141A (zh)
WO (1) WO2020096325A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112259671B (zh) * 2020-10-23 2021-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动背板、显示面板及显示装置
TWI776349B (zh) * 2021-01-07 2022-09-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 電子元件的轉移方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105723528A (zh) * 2015-11-04 2016-06-29 歌尔声学股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN107978665A (zh) * 2017-11-16 2018-05-01 歌尔股份有限公司 Micro LED制备方法
CN108258006A (zh) * 2017-12-21 2018-07-06 厦门市三安光电科技有限公司 微发光元件
CN108470526A (zh) * 2018-01-15 2018-08-31 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3085352A (en) * 1960-10-10 1963-04-16 Farrington Sanford Corp Food processing tray
US4557514A (en) * 1984-07-18 1985-12-10 At&T Technologies, Inc. Vacuum pick and place robotic hand
GB8922069D0 (en) * 1989-09-29 1989-11-15 Alcan Int Ltd Separation devices incorporating porous anodic films
US5749614A (en) * 1995-12-04 1998-05-12 Motorola, Inc. Vacuum pickup tool for placing balls in a customized pattern
US6230963B1 (en) * 1997-01-28 2001-05-15 Eric L. Hertz Method and apparatus using colored foils for placing conductive preforms
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
US8544165B2 (en) * 2010-03-29 2013-10-01 Hong Kong Applied Science & Technology Research Institute Co., Ltd. Apparatus for aligning electronic components
AU2012339938B2 (en) 2011-11-18 2015-02-19 Apple Inc. Method of forming a micro led structure and array of micro led structures with an electrically insulating layer
US9105492B2 (en) * 2012-05-08 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
EP3157858B1 (en) 2014-06-18 2018-12-26 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
KR101757404B1 (ko) 2015-07-24 2017-07-12 한국기계연구원 점착력 제어 필름 기반 선택적 연속 전사 장치
KR102402189B1 (ko) 2015-08-26 2022-05-25 엘지전자 주식회사 마이크로 디바이스의 픽업 헤드유닛
US10468361B2 (en) * 2015-08-27 2019-11-05 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method of manufacturing light emitting diodes having a supporting layer attached to temporary adhesive
KR102465382B1 (ko) 2015-08-31 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR101754528B1 (ko) 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 건식 접착구조를 갖는 led 구조체 어레이의 전사체와 이를 이용한 led 구조체 어레이의 이송방법 및 led 구조체
US10096740B1 (en) * 2017-05-23 2018-10-09 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for manufacturing color micro light-emitting diode array substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105723528A (zh) * 2015-11-04 2016-06-29 歌尔声学股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN107978665A (zh) * 2017-11-16 2018-05-01 歌尔股份有限公司 Micro LED制备方法
CN108258006A (zh) * 2017-12-21 2018-07-06 厦门市三安光电科技有限公司 微发光元件
CN108470526A (zh) * 2018-01-15 2018-08-31 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210407830A1 (en) 2021-12-30
WO2020096325A1 (ko) 2020-05-14
KR20200053841A (ko) 2020-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9911764B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US10872828B2 (en) Inspection and replacement method for micro LED
US10163870B2 (en) Light emitting device package and light emitting device package module
US20190304817A1 (en) Transfer head for micro led
KR20170026957A (ko) 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법
US20220123165A1 (en) Micro led suction body, and method of manufacturing micro led display using same
US20220223754A1 (en) Method for manufacturing micro led display, and micro led display using same
US10889009B2 (en) Transfer head
US11152534B2 (en) Transfer head and method of manufacturing micro LED display using same
US10840115B2 (en) Micro LED transfer head
CN112889141A (zh) 微型发光二极管位置误差校正载体及微型发光二极管转移系统
CN110544661A (zh) 微led转印头及利用其的微led转印系统
CN111524844A (zh) 微发光二极管转移头
CN110504188A (zh) 微发光二极管转印系统
CN110504204A (zh) 微led吸附体
CN110739375A (zh) 发光二极管芯片、发光二极管显示设备及其制造方法
US11581210B2 (en) Micro LED transfer system
KR101501018B1 (ko) 칩 본딩 시스템 및 리플로우 장치
CN112397430A (zh) 利用转印头的微发光二极管显示器的制造方法
US20210265522A1 (en) Micro led transfer method and display device using same
US11049759B2 (en) Micro LED transfer head
US20230268204A1 (en) Micro element carrier and micro element transfer system including same, and manufacturing method for electronic product in which micro element is mounted
WO2022025595A1 (ko) 미소 소자 이송체 및 이를 이용한 미소 소자 정렬 방법
CN113424305A (zh) 微发光二极管吸附体
KR20200015081A (ko) 마이크로 led 전사헤드

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20210601