CN113424305A - 微发光二极管吸附体 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种真空吸附微发光二极管的微发光二极管真空吸附体，特别是涉及一种在吸附微发光二极管时可防止微发光二极管破损问题的微发光二极管吸附体。

Description

微发光二极管吸附体
技术领域
本发明涉及一种吸附微发光二极管的吸附体。
背景技术
目前，显示器市场仍以液晶显示器为主流，但其中有机发光二极管正在迅速地取代液晶显示器并逐渐成为主流。最近，在显示器企业参与有机发光二极管市场成为热潮的情况下，Micro LED(以下称为“微LED”)显示器正成为又一代显示器。液晶显示器与有机发光二极管的核心原材料分别为液晶(Liquid Crystal)、有机材料，与此相反，微LED显示器是将1微米到100微米单位的LED芯片自身用作发光材料的显示器。
科锐公司在1999年申请有关“提高光输出的微发光二极管阵列”的专利(韩国注册专利公报注册编号第0731673号)而出现微LED的用语以来，陆续发表相关研究论文，并且进行研究开发。作为为了将微LED应用于显示器而需解决的课题，需开发一种基于柔性原材料/元件的微LED元件的定制型微芯片，需要一种用于将微米尺寸的LED芯片转移(transfer)的技术与准确地安装(Mounting)到显示器像素电极的技术。
特别是，关于将微LED元件移送到显示基板的转移(transfer)方面，由于LED大小变小到1微米(μm)到100微米单位，无法使用既有的取放(pick&place)设备，因此需要以更高精密度移送的转移头技术。关于此种转移头技术，如以下阐述所示提出了几种结构，但各提案技术具有几种缺点。
美国的勒克斯维公司提出了一种使用静电头(electrostatic head)转移微LED的方法(韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号，以下称为“现有发明1”)。现有发明1的转移原理是通过对由硅材质制成的头部分施加电压并通过带电现象而与微LED产生密着力的原理。此方法由于在静电感应时施加到头的电压而会产生由带电现象引起的对微LED的损伤问题。
美国的X-赛勒普公司提出了一种应用具有弹性的高分子物质作为转移头而将晶片上的微LED移送到期望的基板的方法(韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号，以下称为“现有发明2”)。与静电头方式相比，此方法不存在损伤LED的问题，但存在以下缺点：在转移过程中，只有弹性转移头的粘着力大于目标基板的粘着力才可稳定地移送微LED，且需要追加用以形成电极的工艺。另外，持续地保持弹性高分子物质的粘着力也作为非常重要的因素发挥作用。
韩国光技术院提出了一种使用纤毛粘着结构头来转移微LED的方法(韩国注册专利公报注册编号1754528号，以下称为“现有发明3”)。但是，现有发明3存在难以制作纤毛的粘着结构的缺点。
韩国机械研究院提出了一种在辊上涂覆粘着剂来转移微LED的方法(韩国注册专利公报注册编号第1757404号，以下称为“现有发明4”)。但是，现有发明4存在如下缺点：需要连续使用粘着剂，并且在对辊加压时也可能会损伤微LED。
三星显示器提出了一种在阵列基板浸入于溶液中的状态下对阵列基板的第一电极、第二电极施加负电压，通过静电感应现象将微LED转移到阵列基板的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0026959号，以下称为“现有发明5”)。但是，现有发明5存在如下缺点：在将微LED浸入于溶液来转移到阵列基板方面需要单独的溶液，且之后需要干燥工艺。
LG电子提出了一种在多个拾取头与基板之间配置头保持器并随着多个拾取头的运动使其形状变形以向多个拾取头提供自由度的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0024906号，以下称为“现有发明6”)。但是，现有发明6存在如下缺点：在将具有粘着力的粘合物质涂布到多个拾取头的粘着面来转移微LED的方式方面，需要将粘合物质涂布到拾取头的单独的工艺。
为了解决如上所述的现有发明的问题，要在继续采用现有发明所选择的基本原理的同时改善上述缺点，而这些缺点源于现有发明所采用的基本原理，因此在保持基本原理的同时改善缺点方面存在限制。对此，本发明的申请人不限于改善此种以往技术的缺点，而是提出一种在现有发明中根本没有考虑的新方式。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]韩国注册专利公报注册编号第0731673号
[专利文献2][专利文献2]韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号
[专利文献3]韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号
[专利文献4]韩国注册专利公报注册编号第1754528号
[专利文献5]韩国注册专利公报注册编号第1757404号
[专利文献6]韩国公开专利公报第10-2017-0026959号
[专利文献7]韩国公开专利公报第10-2017-0024906号
发明内容
发明所要解决的问题
对此，本发明解决目前提出的微LED吸附体的问题点，目的在于提供一种配置在吸附微LED时可防止微LED损坏的部件以可有效地吸附微LED的微LED吸附体。
解决问题的技术手段
根据本发明一特征的微LED吸附体，其特征在于包括：主体部，布置有真空吸入路径；以及缓冲部，配置在所述主体部的表面，以在吸附微LED时缓和冲击。
另外，特征在于所述主体部为真空吸入路径上下贯通的非多孔性部件。
另外，特征在于所述主体部为多孔性部件。
另外，特征在于所述多孔性部件具有任意气孔。
另外，特征在于所述多孔性部件具有垂直气孔。
另外，特征在于所述多孔性部件由具有垂直气孔的阳极氧化膜形成，且具有比所述气孔的宽度大的宽度的贯通孔形成所述真空吸入路径。
另外，特征在于所述缓冲部的暴露表面具有粘着力。
另外，特征在于所述缓冲部的暴露表面不具有粘着力。
另外，特征在于所述缓冲部包含金属材质。
根据本发明另一特征的微LED吸附体，其特征在于包括：主体部，配置有具有气孔的阳极氧化膜及贯通所述阳极氧化膜的贯通孔；以及缓冲部，配置在所述主体部的表面，且在吸附微LED时缓和冲击。
另外，特征在于所述缓冲部的开口具有与所述贯通孔对应的面积。
发明的效果
如以上所述，本发明的微LED吸附体配置有缓冲部，从而在吸附微LED时可防止微LED吸附体与微LED直接接触而损坏微LED的问题。因此，可得到降低微LED损坏发生率，并提高微LED吸附体的转移效率的效果。
附图说明
图1是示出本发明实施例的作为移送对象的微LED的图。
图2是通过本发明实施例移送并安装到显示基板的微LED结构物的图。
图3是概略性示出本发明优选第一实施例的微LED吸附体的图。
图4至图7是示出关于本发明的缓冲部的实施例的图。
图8是示出本发明第一实施例的变形例的图。
图9是概略性示出本发明优选第二实施例的微LED吸附体的图。
图10及图11是概略性示出本发明优选第三实施例的微LED吸附体的图。
具体实施方式
以下的内容仅例示发明的原理。因此即便未在本说明书中明确地进行说明或图示，相应领域的技术人员也可实现发明的原理并发明包含于发明的概念与范围内的各种装置。另外，本说明书所列举的所有条件部用语及实施例在原则上应理解为仅是作为明确地用于理解发明的概念的目的，并不限制于如上所述特别列举的实施例及状态。
所述的目的、特征及优点通过与附图相关的下文的详细说明而进一步变明了，因此在发明所属的技术领域内的技术人员可容易地实施发明的技术思想。
将参考作为本发明的理想例示图的剖面图和/或立体图来说明本说明书中记述的实施例。为了有效地说明技术内容，对这些附图所示的膜及区域的厚度及孔的直径等进行夸张表现。例示图的形态可因制造技术和/或公差等变形。另外，附图所示的微LED的个数仅例示性地在附图中表示一部分。因此，本发明的实施例并不限于所示的特定形态，还包括根据制造工艺生成的形态的变化。
在说明各种实施例的过程中，即使实施例不同，为了方便起见也对执行相同功能的构成要素赋予相同的名称及相同的参考编号。另外，为了方便起见，将省略已经在其他实施例中说明的构成及操作。
以下，参照附图对本发明的优选实施例进行详细说明，如下所述。
图1是示出根据本发明优选实施例的作为微LED吸附体的移送对象的多个微LED(100)的图。微LED(100)在生长基板(101)上进行制作定位。
生长基板(101)可包括导电性基板或绝缘性基板。例如，生长基板(101)可由蓝宝石、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge及Ga203中的至少任一种形成。
微LED(100)可包括第一半导体层(102)、第二半导体层(104)、形成于第一半导体层(102)与第二半导体层(104)之间的有源层(103)、第一接触电极(106)以及第二接触电极(107)。
第一半导体层(102)、有源层(103)以及第二半导体层(104)可利用有机金属化学沉积法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)、化学沉积法(ChemicalVapor Deposition，CVD)、等离子体化学沉积法(Plasma-Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)、分子束生长法(Molecular Beam Epitaxy，MBE)、氢化物气相生长法(Hydride Vapor Phase Epitaxy，HVPE)等方法来形成。
第一半导体层(102)例如可由p型半导体层实现。p型半导体层可选自具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料、例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等，且可掺杂Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等p型掺杂剂。
第二半导体层(104)例如可包括n型半导体层而形成。n型半导体层可选自具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料、例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InNInAlGaN、AlInN等，且可掺杂Si、Ge、Sn等n型掺杂剂。
但，本发明并不限于此，第一半导体层(102)包括n型半导体层，第二半导体层(104)也可包括p型半导体层。
有源层(103)为电子与空穴再结合的区域，随着电子与空穴再结合而跃迁至低的能量阶，从而可生成具有与其相应的波长的光。有源层(103)例如可包含具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料而形成，可由单量子阱结构或多量子阱结构(Multi Quantum Well，MQW)形成。另外，还可包括量子线(Quantum wire)结构或量子点(Quantum dot)结构。
可在第一半导体层(102)形成第一接触电极(106)，在第二半导体层(104)形成第二接触电极(107)。第一接触电极(106)和/或第二接触电极(107)可包括一个以上的层，可由包含金属、导电性氧化物及导电性聚合物的各种导电性材料形成。
可利用激光等沿切割线对形成于生长基板(101)上的多个微LED(100)进行切割或通过刻蚀工艺分离为单个，并通过激光剥离(laser lift off)工艺使多个微LED(100)成为可从生长基板(101)分离的状态。
在图1中，“p”是指微LED(100)间的节距间隔，“s”是指微LED(100)间的隔开距离，“w”是指微LED(100)的宽度。
图2是示出通过本发明优选实施例的微LED吸附体移送并安装到显示基板而形成的微LED结构物的图。
显示基板(301)可包含各种原材料。例如，显示基板(301)可由以SiO2作为主成分的透明的玻璃材质形成。但是，显示基板(301)并非必须限定于此，可由透明的塑料材质形成而具有可用性。塑料材质可为选自由作为绝缘性有机物的聚醚砜(polyethersulphone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PAR)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene napthalate，PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterepthalate，PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚烯丙酯(polyallylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(celluloseacetate propionate，CAP)所组成的群组中的有机物。
在为图像朝显示基板(301)方向实现的背面发光型的情况下，显示基板(301)应由透明的材质形成。但是，在为图像朝显示基板(301)的相反方向实现的前面发光型的情况下，显示基板(301)无需必须由透明的材质形成。在此情况下，可由金属形成显示基板(301)。
在由金属形成显示基板(301)的情况下，显示基板(301)可包含选自由铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(SUS)、因瓦合金、因科镍合金及可瓦合金所组成的群组中的一种以上，但并不限定于此。
显示基板(301)可包括缓冲层(311)。缓冲层(311)可提供平坦面，可阻断异物或湿气渗透。例如，缓冲层(311)可含有氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛等无机物、或聚酰亚胺、聚酯、丙烯酸等有机物，且可由例示的材料中的多个层叠体形成。
薄膜晶体管(TFT)可包括有源层(310)、栅极电极(320)、源极电极(330a)及漏极电极(330b)。
以下，对薄膜晶体管(TFT)为依序形成有源层(310)、栅极电极(320)、源极电极(330a)及漏极电极(330b)的顶栅极型(top gate type)的情况进行说明。但是，本实施例并不限定于此，可采用底栅极型(bottom gate type)等各种类型的薄膜晶体管(TFT)。
有源层(310)可包含半导体物质，例如非晶硅(amorphous silicon)或多晶硅(poly crystalline silicon)。但是，本实施例并不限定于此，有源层(310)可含有各种物质。作为选择性实施例，有源层(310)可含有有机半导体物质等。
作为另一选择性实施例，有源层(310)可含有氧化物半导体物质。例如，有源层(310)可包含选自锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)等12、13、14族金属元素及其等的组合的物质的氧化物。
在有源层(310)上形成栅极绝缘膜(gate insulating layer)(313)。栅极绝缘膜(313)起到将有源层(310)与栅极电极(320)绝缘的作用。栅极绝缘膜(313)中包含氧化硅和/或氮化硅等无机物质的膜可形成为多层或单层。
栅极电极(320)形成于栅极绝缘膜(313)的上部。栅极电极(320)可与对薄膜晶体管(TFT)施加接通/断开信号的栅极线(未图示)连接。
栅极电极(320)可包含低电阻金属物质。考虑到与相邻层的密着性、层叠的层的表面平坦性以及加工性等，栅极电极(320)可例如由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一种以上的物质形成为单层或多层。
在栅极电极(320)上形成层间绝缘膜(315)。层间绝缘膜(315)使源极电极(330a)及漏极电极(330b)与栅极电极(320)绝缘。层间绝缘膜(315)中包含无机物质的膜可形成为多层或单层。例如，无机物质可为金属氧化物或金属氮化物，具体来说，无机物质可包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、或氧化锌(ZrO2)等。
在层间绝缘膜(315)上形成源极电极(330a)及漏极电极(330b)。源极电极(330a)及漏极电极(330b)可由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一种以上的物质形成为单层或多层。源极电极(330a)及漏极电极(330b)分别电连接到有源层(310)的源极区域与漏极区域。
在薄膜晶体管(TFT)上形成平坦化层(317)。平坦化层(317)以覆盖薄膜晶体管(TFT)的方式形成，减少由薄膜晶体管(TFT)引起的阶差而使上表面变平坦。平坦化层(317)中包含有机物质的膜可形成为单层或多层。有机物质可包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)等通常广泛应用的高分子、具有苯酚系群组的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳基醚系高分子、酰胺系高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子及其等的共混物等。另外，平坦化层(317)还可由无机绝缘膜与有机绝缘膜的复合层叠物形成。
在平坦化层(317)上定位有第一电极(510)。第一电极(510)可与薄膜晶体管(TFT)电连接。具体来说，第一电极(510)可通过形成于平坦化层(317)的接触孔与漏极电极(330b)电连接。第一电极(510)可具有各种形态，例如可以岛形态图案化而形成。可在平坦化层(317)上设置定义像素区域的堤层(400)。堤层(400)可包括收容微LED(100)的凹部。作为一例，堤层(400)可包括形成凹部的第一堤层(410)。第一堤层(410)的高度可由微LED(100)的高度及视角决定。凹部的大小(宽度)可由显示装置的分辨率、像素密度等决定。在一实施例中，微LED(100)的高度可大于第一堤层(410)的高度。凹部可为矩形剖面形状，但本发明的实施例不限定于此，且凹部可具有多边形、矩形、圆形、圆锥形、椭圆形、三角形等各种剖面形状。
堤层(400)还可包括第一堤层(410)上部的第二堤层(420)。第一堤层(410)与第二堤层(420)具有阶差，且第二堤层(420)的宽度可小于第一堤层(410)的宽度。可在第二堤层(420)的上部设置导电层(550)。导电层(550)可沿与数据线或扫描线平行的方向设置，并与第二电极(530)电连接。但，本发明并不限定于此，可省略第二堤层(420)而在第一堤层(410)上设置导电层(550)。或者，还可省略第二堤层(420)及导电层(500)而将第二电极(530)作为像素(P)所共有的公共电极形成在基板(301)整体上。第一堤层(410)及第二堤层(420)可包含吸收光的至少一部分的物质、或光反射物质、或光散射物质。第一堤层(410)及第二堤层(420)可包含相对于可见光(例如，380nm或750nm波长范围的光)而言半透明或不透明的绝缘物质。
作为一例，第一堤层(410)及第二堤层(420)可由以下物质形成，但并不限定于此：聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜、聚乙烯醇缩丁醛、聚苯醚、聚酰胺、聚醚酰亚胺、降冰片烯系(norbornene system)树脂、甲基丙烯酸树脂、环状聚烯烃系等热可塑性树脂、环氧树脂、酚醛树脂、氨基甲酸酯树脂、丙烯酸树脂、乙烯基酯树脂、酰亚胺系树脂、氨基甲酸酯系树脂、尿素(urea)树脂、三聚氰胺(melamine)树脂等热固性树脂、或聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚碳酸酯等有机绝缘物质。
作为另一例，第一堤层(410)及第二堤层(420)可由SiOx、SiNx、SiNxOy、AlOx、TiOx、TaOx、ZnOx等无机氧化物、无机氮化物等无机绝缘物质形成，但并不限定于此。在一实施例中，第一堤层(410)及第二堤层(420)可由黑色矩阵(black matrix)材料等不透明材料形成。作为绝缘性黑色矩阵材料，可包含有机树脂、玻璃浆料(glass paste)及包含黑色颜料的树脂或浆料、金属粒子例如镍、铝、钼及其合金、金属氧化物粒子(例如，氧化铬)、或金属氮化物粒子(例如，氮化铬)等。在变形例中，第一堤层(410)及第二堤层(420)可为具有高反射率的分布布拉格反射体(DBR)或由金属形成的镜像反射体。
在凹部设置微LED(100)。微LED(100)可在凹部与第一电极(510)电连接。
微LED(100)发出具有红色、绿色、蓝色、白色等波长的光，还可通过利用荧光物质或对色进行组合而实现白色光。微LED(100)具有1μm至100μm的大小。可通过利用本发明实施例的转移头从生长基板(101)上拾取(pick up)单个或多个微LED(100)并转移到显示基板(301)，微LED(100)可被收容在显示基板(301)的凹部。
微LED(100)包括p-n二极管、设置于p-n二极管的一侧的第一接触电极(106)及位于与第一接触电极(106)相反侧的第二接触电极(107)。第一接触电极(106)与第一电极(510)连接，第二接触电极(107)可与第二电极(530)连接。
第一电极(510)可配置有由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其等的化合物等形成的反射膜与形成于反射膜上的透明或半透明的电极层。透明或半透明的电极层可具有选自包含如下的群组中的至少一种以上：氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)、氧化铟(indium oxide，In2O3)、氧化铟镓(indium gallium oxide，IGO)及氧化铝锌(aluminum zinc oxide，AZO)。
钝化层(520)包围凹部内的微LED(100)。钝化层(520)通过填充堤层(400)与微LED(100)之间的空间，从而覆盖凹部及第一电极(510)。钝化层(520)可由有机绝缘物质形成。例如，钝化层(520)可由丙烯酸、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、丙烯酸酯、环氧树脂及聚酯等形成，但并不限定于此。
钝化层(520)以并不覆盖微LED(100)的上部、例如第二接触电极(107)的高度形成，从而暴露出第二接触电极(107)。可在钝化层(520)上部形成与微LED(100)的暴露出的第二接触电极(107)电连接的第二电极(530)。
第二电极(530)可设置在微LED(100)与钝化层(520)上。第二电极(530)可由ITO、IZO、ZnO或In2O3等透明导电性物质形成。
本发明的微LED吸附体可利用真空吸入力吸附微LED(100)。微LED吸附体的结构的情况，只要是能够产生真空吸入力的结构则对其结构没有限制。
微LED吸附体可为从转移微LED的转移头或生长基板(101)或临时基板传递微LED(100)的载体，且可包括微LED转移头，所述微LED转移头吸附如生长基板(101)或临时基板等第一基板的微LED(100)，并将其转移到如显示基板(301)等第二基板。
本发明的微LED吸附体可在产生吸附微LED(100)的真空吸入力的部件的表面配置缓冲部。因此，形成在吸附微LED时缓冲部与微LED(100)直接接触的结构，从而可防止损坏微LED(100)的问题。
产生微LED吸附体的真空吸入力的部件的情况，可由刚性高的材质制成以防止产品变形。因此，当与微LED(100)直接接触时可能会导致损坏微LED(100)的问题。
本发明可通过在产生微LED吸附体的真空吸入力的部件的表面配置缓冲部来形成在吸附微LED时使缓冲部位于微LED吸附体与微LED(100)之间的结构。因此，在吸附微LED(100)时，缓冲部与微LED(100)直接接触，通过缓冲部缓和导致微LED(100)损坏的冲击，从而可防止微LED损坏问题。
在下文中，作为可利用真空吸入力吸附微LED(100)的微LED吸附体(1)，将微LED转移头作为实施例进行例示并说明。
以下，将参照图3至图11对本发明的优选实施例进行说明。
图3是示出本发明优选第一实施例的微LED吸附体(1)吸附微LED(100)的状态的图。图3中分割微LED(100)的基板(S)可为第一基板(例如，生长基板(101)或临时基板)或第二基板(例如，显示基板(301))。
如图3所示，微LED吸附体(1)可包括以下构成：主体部(10)，布置有真空吸入路径(10a)；缓冲部(20)，配置在主体部(10)的表面；以及真空室(30)，配置在主体部(10)的上部。
真空室(30)起到以下功能：根据真空端口(未示出)的操作向主体部(10)的真空吸入路径(10a)施加真空或解除施加到真空吸入路径(10a)的真空。将真空室(30)结合到主体部(10)的结构只要是适合在向主体部(10)施加真空或解除施加的真空时防止向其他部位泄漏真空的结构，则对其并不限制。
在真空吸附微LED(100)时，施加到真空室(30)的真空被传递到主体部(10)的真空吸入路径(10a)以产生对微LED(100)的真空吸附力。另一方面，在解吸微LED(100)时，由于施加到真空室(30)的真空被解除，也对主体部(10)的真空吸入路径(10a)解除真空，因此去除对微LED(100)的真空吸附力。
布置有真空吸入路径(10a)的主体部(10)可为非多孔性部件。在此情况下，真空吸入路径(10a)可贯通主体部(10)的上、下来形成。
真空吸入路径(10a)可以与设置在第一基板(例如，生长基板(101)或临时基板)或第二基板(例如，显示基板(301))的微LED(100)的个数及位置对应的方式形成。或者，为了选择性地吸附微LED(100)，可具有固定的节距间隔来形成。
如图3所示，在主体部(10)的表面配置缓冲部(20)。缓冲部(20)可为配置在主体部(10)的表面且配置在真空吸入路径(10a)的周边的状态。此种缓冲部(20)配置在主体部(10)的除了真空吸入路径(10a)的开口之外的表面，从而可形成由真空吸入路径(10a)形成的开口(20a)。因此，缓冲部(20)的开口(20a)可以与真空吸入路径(10a)相同的个数及固定的间隔形成，且可形成在与真空吸入路径(10a)对应的位置处。
另外，缓冲部(20)的开口(20a)的面积可形成为与真空吸入路径(10a)的面积相同的面积。真空吸入路径(10a)的情况，可在主体部(10)配置缓冲部(20)之后通过对主体部(10)进行刻蚀来形成。
在此情况下，在附着到主体部(10)的表面时的缓冲部(20)可为形成有开口(20a)的形态或也可为未形成开口(20a)的形态。当以在缓冲部(20)中形成开口(20a)的形态在主体部(10)的表面配置缓冲部(20)以形成真空吸入路径(10a)的情况下，可在与缓冲部(20)的开口相同的位置处形成与缓冲部(20)的开口相同面积的真空吸入路径(10a)。或者，也可在主体部(10)的表面配置未形成开口(20a)的形态的缓冲部(20)。在此情况下，可同时对缓冲部(20)与主体部(10)进行激光加工或刻蚀以形成缓冲部(20)的开口与真空吸入路径(10a)。因此，缓冲部(20)的开口(20a)的面积与真空吸入路径(10a)的面积可相同地形成。
另一方面，在主体部(10)中首先形成真空吸入路径(10a)之后，可在主体部(10)的表面配置缓冲部(20)。在此情况下，真空吸入路径(10a)可通过激光加工或刻蚀形成。当在主体部(10)的表面首先形成真空吸入路径(10a)之后配置缓冲部(20)的情况，缓冲部(20)的开口(20a)的面积是与真空吸入路径(10a)的面积相同的面积，或者也可形成为比真空吸入路径(10a)的面积小的面积。
即使缓冲部(20)的开口(20a)的面积小于真空吸入路径(10a)的面积，也可通过施加到真空吸入路径(10a)的真空形成的真空压力充分吸附微LED(100)。因此，当在形成有真空吸入路径(10a)的主体部(10)配置缓冲部(20)的情况下，缓冲部(20)的开口(20a)的面积等于真空吸入路径(10a)的面积或者也可小于真空吸入路径(10a)的面积。
另外，缓冲部(20)的开口(20a)的面积可以比微LED(100)的上部面的水平面积小的方式形成。当缓冲部(20)的开口(20a)的面积以比微LED(100)的上部面的水平面积小的方式形成时，本发明可实现为如图3所示的实施例。
在通过施加到真空吸入路径(10a)的真空将微LED(100)吸附到真空吸入路径(10a)的开口侧的情况下，具有如上所述的面积的开口(20a)的缓冲部(20)可防止由于主体部(10)与微LED(100)直接接触带来的冲击而损坏微LED(100)的问题。
以下，将参照图4至图7对本发明的缓冲部(20)的实施例进行说明。以下参照图4至图7的本发明的缓冲部(20)的开口(20a)被示出为具有圆形剖面，但可具有矩形剖面，且缓冲部(20)的剖面的形状不限于此。
图4是从下方观察并示出图3所示的本发明第一实施例的微LED吸附体(1)所配置的缓冲部(20)的图。
在图1所示的生长基板(101)上的微发光二极管(100)的列方向节距间隔为P(n)且行方向节距间隔为P(m)的情况下，缓冲部(20)的开口(20a)可以与生长基板(101)上的微LED(100)的节距间隔相同的节距间隔形成。由于缓冲部(20)的开口(20a)在与主体部(10)的真空吸入路径(10a)对应的位置处以相同个数及固定的节距间隔形成，因此真空吸入路径(10a)也以与生长基板(101)上的微LED(100)的节距间隔相同的节距间隔形成。
根据如上所述的构成，在布置有真空吸入路径(10a)的主体部(10)的表面配置有缓冲部(20)的微LED吸附体(1)可一次性真空吸附生长基板(101)上的微LED(100)整体。
缓冲部(20)的开口(20a)的面积可以比生长基板(101)上的微LED(100)的上部面的水平面积小的方式形成。因此，在微LED(100)的上部面的水平面积中除了缓冲部(20)的开口(20a)的面积之外，微LED(100)的上部面的水平面积可与缓冲部(20)的暴露表面接触并被吸附到微LED吸附体(1)。由于与微LED(100)直接接触的部分是缓冲部(20)的暴露表面，因此微LED(100)可被吸附到微LED吸附体(1)而不会被损坏。
与微LED(100)直接接触的缓冲部(20)的暴露表面可具有粘着力。当缓冲部(20)的暴露表面存在粘着力时，与不存在粘着力的构成相比，在微LED(100)的吸附方面可能更有利。
具体地进行说明，微LED吸附体(1)可产生能够利用施加到真空吸入路径(10a)的真空来真空吸附微LED(100)的真空吸附力。然而，当施加到真空吸入路径(10a)的真空是低真空时，用于吸附微LED(100)的真空吸附力可能形成得弱。这会导致在吸附微LED(100)时微LED(100)没有被适当地吸附到微LED吸附体(1)的问题。
但本发明中，使缓冲部(20)的与微LED(100)的上部面的至少一部分接触的暴露表面存在粘着力，从而即使在微LED吸附体(1)形成弱真空吸附力也可毫无问题地吸附微LED(100)。
另一方面，与微LED(100)直接接触的缓冲部(20)的暴露表面可不具有粘着力。在此情况下，微LED吸附体(1)可为充分形成吸附微LED(100)的真空吸附力的状态。
缓冲部(20)的暴露表面可经表面处理或在缓冲部(20)的暴露表面配置单独的层，以使缓冲部(20)的暴露表面不存在粘着力。
缓冲部(20)的暴露表面不存在粘着力的情况与存在粘着力的构成相比，在使微LED(100)从微LED吸附体(1)脱离方面可能更有利。
具体地进行说明，当微LED吸附体(1)处于以足够的真空吸附力吸附微LED(100)的状态时，微LED(100)的上部面的至少一部分可为接触并吸附到缓冲部(20)的暴露表面的状态。此时，解除施加到微LED吸附体(1)的真空吸入路径(10a)的真空，从而可使微LED(100)从微LED吸附体(1)脱离。由于在缓冲部(20)的暴露表面不存在粘着力，因此在解除微LED吸附体(1)的真空的同时可容易地使微LED(100)脱离。
缓冲部(20)可包含金属材料。因此，可预先有效地去除妨碍微LED吸附体(1)的微LED(100)转移工艺的静电力。
具体地进行说明，在通过微LED吸附体(1)进行的微LED(100)转移过程中，由于摩擦等原因在第一基板(例如，生长基板(101)或临时基板)与微LED吸附体(1)之间或第二基板(例如，显示基板(301))与微LED吸附体(1)之间可能会因未预料到的带电而产生静电力。
这种未预料到的静电力即使是由小电荷引起的静电力也会对具有1微米至100微米(μm)的大小的微LED(100)带来很大影响。
话句话说，在微LED吸附体(1)从第一基板吸附微LED(100)之后，在将微LED(100)安装到第二基板上的卸载工艺中，当产生静电力时会产生以下问题：微LED(100)随之贴附在微LED吸附体(1)而以错误的位置卸载到第二基板，或者不执行卸载过程。
在这种情况下，本发明使缓冲部(20)包含金属材质构成并将其配置在主体部(10)的表面，从而可去除在通过微LED吸附体(1)进行的微LED(100)转移过程中产生的不利的静电力。
缓冲部(20)的开口(20a)可与图4所示的缓冲部(20)的开口(20a)列方向节距间隔、行方向节距间隔不同地来配置。由于缓冲部(20)的开口(20a)以与布置在主体部(10)的真空吸入路径(10a)相同的方式形成，因此图4至图7所示的缓冲部(20)的开口(20a)的列方向节距间隔、行方向节距间隔可以与布置在主体部(10)的真空吸入路径(10a)的列方向节距间隔、行方向节距间隔相同。
图5至图7是示出改变本发明的缓冲部(20)的列方向节距间隔或行方向节距间隔的实施例的图。
如图5所示，当生长基板(101)上的微型发光二极管(100)的列方向节距间隔为P(n)且行方向节距间隔为P(m)时，缓冲部(20)的开口(20a)的列方向节距间隔可为3P(n)且行方向节距间隔为P(m)。此处，3P(n)的含义是指图4所示的列方向节距间隔的P(n)的3倍。根据如上所述的构成，可仅真空吸附并移送与三倍数列对应的微LED(100)。此处，以三倍数列移送的微LED(100)可为红色(Red)、绿色(Green)、蓝色(BLUE)、白色(White)LED中的任一种。根据如上所述的构成，可以3P(n)的间隔隔开转移安装在第二基板(例如，显示基板(301))的相同发光颜色的微LED(100)。
如图6所示，在生长基板(101)上的微LED(100)的列方向节距间隔为P(n)且行方向节距间隔为P(m)的情况下，缓冲部(20)的开口(20a)的列方向节距间隔可为P(n)且行方向节距间隔为3P(m)。此处，3P(m)的含义是指图4所示的行方向节距间隔P(m)的3倍。根据如上所述的构成，可可仅真空吸附并移送三倍数行对应的微LED(100)。此处，以三倍数列移送的微LED(100)可为红色(Red)、绿色(Green)、蓝色(BLUE)、白色(White)LED中的任一种。根据如上所述的构成，可以3P(m)的间隔隔开转移安装在显示基板(301)的相同发光颜色的微LED(100)。
如图7所示，在生长基板(101)上的微LED(100)的列方向节距间隔为P(n)且行方向节距间隔为P(m)的情况下，缓冲部(20)的开口(20a)可沿对角线方向形成，使列方向与行方向的节距间隔分别形成为3P(n)及3P(m)。此处，移送到三倍数行及三倍数列的微LED(100)可为红色(Red)、绿色(Green)、蓝色(BLUE)、白色(White)LED中的任一种。根据如上所述的构成，可使安装在显示基板(301)的相同的微LED(100)以3P(n)及3P(m)的间隔隔开，从而可沿对角线方向转移相同发光颜色的微LED(100)。
如图4至图7所示，缓冲部(20)可配置在主体部(10)的除了真空吸入路径(10a)的开口之外的整个表面，并配置在主体部(10)的表面中的至少一部分，且可以围绕真空吸入路径(10a)的开口周围的形态配置。
图8是示出本发明第一实施例的变形例的图。变形例的微LED吸附体(1)的不同之处在于以下方面：布置在主体部(10)中的真空吸入路径(10a)以图3所示的第一实施例的微LED吸附体(1)的真空吸入路径(10a)的列方向节距间隔的三倍距离配置；以及配置在主体部(10)的表面的缓冲部(20)以在主体部(10)的表面的至少一部分包围真空吸入路径(10a)的开口的方式配置。
图8所示的变形例的情况，可以如图5及图7所示的节距间隔形成缓冲部(20)的开口(20a)。
如图8所示，缓冲部(20)围绕真空吸入路径(10a)的开口配置且可仅配置在主体部(10)的表面的至少一部分。在此情况下，缓冲部(20)可为以下形态：仅配置在主体部(10)的表面的至少一部分且仅围绕各个真空吸入路径(10a)的开口的周围，并且以与真空吸入路径(10a)对应的方式分别配置。
在此情况下，缓冲部(20)的开口(20a)以比微LED(100)的上部面的水平面积小的方式形成，且缓冲部(20)的除了缓冲部(20)的开口(20a)之外的其余面积可等于或大于微LED(100)的上部面水平面积中除了缓冲部(20)的开口(20a)的面积之外的面积。根据如上所述的构成，当利用微LED吸附体(1)吸附微LED(100)时，缓冲部(20)可缓和导致微LED(100)的损坏的冲击。
图9是示意性示出根据本发明优选第二实施例的微LED吸附体(1')的图。第二实施例与第一实施例的不同之处在于：布置有真空吸入路径(10a)的主体部(10)是多孔性部件。由于除此之外的所有构成是相同的，因此将参照前述说明省略对相同构成的说明。
如图9所示，第二实施例的微LED吸附体(1')可包括以下构成：本体部(10)，布置有真空吸入路径(10a)；缓冲部(20)，配置在本体部(10)的表面；以及真空室(30)。
如图9所示，主体部(10)可为多孔性部件。多孔性部件包含在内部含有大量气孔的物质构成，且可通过固定排列或无序的气孔结构以具有大0.2至0.95左右的气孔率的粉末、薄膜/厚膜及块状形态构成。多孔性部件的气孔根据其大小可分为直径为2nm以下的微(micro)气孔、2nm至50nm的中(meso)气孔、50nm以上的大(macro)孔，且包括这些气孔的至少一部分。多孔性部件可根据其构成成分分为有机、无机(陶瓷)、金属、混合型多孔性原材料。多孔性部件在形状方面可为粉末、涂膜或块体，粉末的情况可为球形、中空球形、纤维状、管状等各种形状，也存在直接使用粉末的情况，但也可将其作为触发物质制造为涂膜、块形态来使用。
多孔性部件可具有任意气孔。具有任意气孔的多孔性部件可具有无序的气孔结构。在多孔性部件的气孔具有无序的气孔结构的情况下，多孔性部件的内部多个气孔彼此连接以形成连接多孔性部件的上、下的流路。此种多孔性部件通过将包括无机材料性微粒的骨材与将骨材相互结合的结合体烧结，可形成多孔质。在此情况下，多孔性部件中多个气孔彼此不规则地连接以形成气体流路，且通过此种气体流路使多孔性部件的表面与后表面彼此连通。通过气体流路使由多孔性部件制成的主体部(10)可布置有真空吸入路径。
可在如上所述的主体部(10)的表面配置缓冲部(20)。如上所述，具有任意气孔的多孔性部件可通过彼此不规则地连接的气孔形成气体流路，从而布置真空吸入路径。因此，如图9所示，具有任意气孔的多孔性部件在多孔性部件的内部可通过彼此不规则地连接的气孔在内部整体布置真空吸入路径。
第二实施例中，由于在具有任意气孔的多孔性部件的内部整体布置有真空吸入路径，因此多孔性部件的下表面整体可形成为能够吸附微LED(100)的吸附表面。因此，当在此种多孔性部件的表面配置缓冲部(20)的情况下，缓冲部(20)的开口(20a)所在的部分可成为实质上吸附微LED(100)的微LED吸附区域。换句话说，第二实施例通过在多孔性部件的表面配置缓冲部(20)，实质上可限制吸附微LED(100)的吸附区域。
缓冲部(20)是具有多个开口(20a)及非开口部的形态，或者在与和待吸附的微LED(100)的节距间隔相同的节距间隔吸附的微LED(100)对应的位置处以独立的形态配置。
缓冲部(20)以具有多个开口(20a)及非开口部的形态配置的情况，如图9所示，缓冲部(20)的未形成开口(20a)的非开口部可堵塞具有任意气孔的多孔性部件的下部的一部分表面，且在缓冲部(20)的开口(20a)中形成大的真空吸附力。如上所述结构的缓冲部(20)不仅起到在吸附微LED(100)时缓和冲击并防止微LED(100)损坏的功能，而且还起到可使微LED吸附区域的真空吸附力形成得更大的掩模的功能。
另一方面，缓冲部(20)的情况，可为以独立的形态配置且具有开口(20a)的形态，且可通过开口(20a)形成能够吸附微LED(100)的真空吸附力。在缓冲部(20)以独立的形态配置的情况下，由于配置在与微LED(100)对应的位置处，因此可为在主体部(10)的表面配置有多个缓冲部(20)的形态。此种缓冲部(20)可与微LED(100)的上部面的至少一部分接触，缓和微LED(100)的冲击的同时使微LED(100)被吸附到微LED吸附体(1)。
当在具有任意气孔的多孔性部件配置缓冲部(20)的情况下，可配置如上所述具有多个开口(20a)及非开口部的缓冲部(20)或具有开口(20a)的独立形态的缓冲部，但优选为可配置具有多个开口(20a)及非开口部的缓冲部(20)以通过开口(20a)形成更大的真空压力来有效地吸附微LED(100)。
另一方面，主体部(10)可为具有垂直气孔的多孔性部件。可通过激光或刻蚀等来实现具有垂直气孔的多孔性部件。具有垂直气孔的多孔性部件可通过贯通多孔性部件的上、下的垂直形状的气孔形成空气流路。
具有垂直气孔的多孔性部件的垂直气孔可为形成用于吸附微LED(100)的真空吸附力的真空吸入路径。或者，具有垂直气孔的多孔性部件可配置具有比垂直气孔的宽度大的宽度的单独的真空吸入路径。
在具有垂直气孔的多孔性部件的表面可配置具有多个开口(20a)及非开口部的缓冲部(20)、或者在与和待吸附的微LED(100)相同的节距间隔吸附的微LED(100)对应的位置处具有独立配置的开口(20a)的缓冲部(20)。
当在垂直气孔起到真空吸入路径的作用的多孔性部件的表面配置缓冲部(20)的情况，缓冲部(20)的形成开口(20a)的位置可为实质上吸附微LED(100)的微LED吸附区域。
另一方面，当在具有垂直气孔的多孔性部件布置具有比垂直气孔的宽度大的宽度的单独真空吸入路径时，缓冲部(20)的开口(20a)可配置在与真空吸入路径(10a)对应的位置处。
作为一例，具有垂直气孔的多孔性部件可由具有垂直气孔的阳极氧化膜形成。以下，将参照图10对主体部(10)由具有垂直气孔的阳极氧化膜形成的本发明第三实施例的微LED吸附体(1”)进行说明。
图10是示意性地示出本发明优选第三实施例的微LED吸附体(1”)的图。第三实施例与第一实施例的不同之处在于：主体部(10)由具有气孔的阳极氧化膜形成。除此之外所有构成与第一实施例相同，因此将参照前述说明省略对相同构成的详细说明。
如图10所示，第三实施例包括以下构成：主体部(10)，配置有具有气孔的阳极氧化膜及贯通阳极氧化膜的贯通孔(10a)；缓冲部(20)，配置在主体部(10)的表面；以及真空室(30)。
阳极氧化膜是指将作为母材的金属阳极氧化而形成的膜，气孔是指在对金属进行阳极氧化形成阳极氧化膜的过程中形成的孔洞。例如，在作为母材的金属为铝(Al)或铝合金的情况，对母材进行阳极氧化则会在母材的表面形成阳极氧化铝(Al2O3)材质的阳极氧化膜。如上所述形成的阳极氧化膜分为在内部不形成气孔的障壁层与在内部形成有气孔的多孔层。障壁层位于母材的上部而多孔层位于障壁层的上部。如此，在从表面形成有具有障壁层与多孔层的阳极氧化膜的母材去除母材时，仅留下阳极氧化铝(Al2O3)材质的阳极氧化膜。
阳极氧化膜具有直径均匀、以垂直形态形成并具有排列规则的气孔。因此，当去除障壁层时，气孔具有上下垂直贯通的结构，由此容易在垂直方向上形成真空压力。
如图10所示，在如上所述的阳极氧化膜中配置上下贯通阳极氧化膜的贯通孔(10a)。贯通孔(10a)可以具有比气孔的宽度大的宽度形成。可通过此种贯通孔(10a)形成实质上吸附微LED(100)的真空吸入路径(10a)。
阳极氧化膜的情况，由于存在垂直形态的气孔以能够在垂直方向上形成真空压力，因此即使不具有单独的贯通孔(10a)也可吸附微LED(100)。因此，阳极氧化膜的气孔可形成吸附微LED(100)的真空吸入路径。
然而，本发明可配置有能够形成比阳极氧化膜的气孔相对大的真空压力的贯通孔(10a)，以可更有效地吸附微LED(100)，从而形成实质上吸附微LED(100)的真空吸入路径(10a)。如上所述，由于贯通孔(10a)形成真空吸入路径(10a)，因此赋予相同的符号进行说明。
可在主体部(10)、即阳极氧化膜的表面配置在吸附微LED(100)时缓和冲击的缓冲部(20)。缓冲部(20)配置在阳极氧化膜的表面，以在吸附微LED时缓和微LED吸附体(1)与微LED(100)之间对微LED(100)损坏的冲击，从而可防止微LED(100)的损坏。
缓冲部(20)可以具有多个开口(20a)及非开口部的形态或以围绕贯通孔(10a)的周围且仅配置在主体部(10)的表面的至少一部分的独立形态配置。以独立形态配置的缓冲部(20)的情况，可以在主体部(10)的表面包围贯通孔(10a)的周围的方式形成且具有开口(20a)。
如上所述的缓冲部(20)的开口(20a)可具有与贯通孔(10a)对应的面积。贯通孔(10a)可以比阳极氧化膜的气孔的宽度大且比微LED(100)的上部面水平面积小的方式形成。因此，缓冲部(20)的开口可以比阳极氧化膜的气孔的宽度大且比微LED(100)的上部面水平面积小的方式形成。为此，在利用微LED吸附体(1”)吸附微LED(100)的情况下，微LED(100)不与主体部(10)的表面直接接触，而是与缓冲部(20)的表面接触。因此，可防止损坏微LED(100)的问题。
另一方面，缓冲部(20)的开口(20a)也可以比微LED(100)的上部面水平面积小且比贯通孔(10a)的宽度小的方式形成。在此情况下，缓冲部(20)可通过开口(20a)充分形成吸附微LED(100)的真空吸附力，同时使微LED(100)不与主体部(10)的表面直接接触。
在缓冲部(20)具有多个开口(20a)及非开口部且配置在主体部(10)的表面的情况下，可实现为如图10所示的形态。在此情况下，缓冲部(20)配置在主体部(10)、即阳极氧化膜的表面并由非开口部阻塞气孔，从而可通过开口(10a)形成能够吸附微LED(100)的大真空吸附力。
另一方面，缓冲部(20)可以围绕贯通孔(10a)的周围且仅配置在主体部(10)的表面的至少一部分的独立形态配置。贯通孔(10a)在主体部(10)、即阳极氧化膜中形成有多个，因此独立形态的缓冲部(20)可以与贯通孔(10a)对应的方式配置有多个。
独立形态的缓冲部(20)的开口(20a)可以比微LED(100)的上部面水平面积小且以与贯通孔(10a)的宽度相同地形成，或以比微LED(100)的上部面水平面积小且比贯通孔(10a)的宽度小的方式形成。如上所述的缓冲部(20)可在吸附微LED(100)时在微LED吸附体(1)与微LED(100)之间与微LED(100)直接接触，以缓和吸附微LED(100)时产生的冲击。
如上所述的缓冲部(20)在其暴露表面可具有粘着力或不具有粘着力。
在缓冲部(20)的暴露表面具有粘着力的情况下，第三实施例的微LED吸附体(1”)在与微LED(100)直接接触的缓冲部(20)的暴露表面存在粘着力，因此即使微LED吸附体(1")对微LED(100)的真空吸附力相对弱，也可容易吸附微LED(100)，因此在微LED(100)吸附方面可更有效地吸附微LED(100)。
另一方面，在缓冲部(20)的暴露表面不具有粘着力的情况下，第三实施例的微LED吸附体(1”)在吸附第一基板(例如，生长基板(101))的微LED(100)并转移到第二基板(例如，显示基板(301))时，只需解除微LED吸附体(1”)的真空即可容易地使微LED(100)脱离。因此，在使微LED(100)脱离的方面可为更有效的。
缓冲部(20)可包含金属材质构成。包含金属材质构成的缓冲部(20)可去除在利用微LED吸附体(1”)吸附微LED(100)进行转移的过程中产生的静电力。第三实施例的微LED吸附体(1”)配置有如上所述的缓冲部(20)，从而在吸附微LED(100)进行转移的过程中去除妨碍转移的不利因素，从而可得到提高微LED(100)转移效率的效果。
图11是示意性地示出根据本发明第三实施例的变形例的微LED吸附体(1”)的图。第三实施例的变形例与第三实施例的不同之处在于：主体部(10)、即阳极氧化膜所配置的贯通孔(10a)的节距间隔不同。除此之外所有构成均相同，因此省略对相同构成的说明。
如图11所示，变形例的微LED吸附体(1”)可以真空吸入路径(10a)、即贯通孔(10a)是图10所示的第三实施例的微LED吸附体(1”)的真空吸入路径(10a)、即贯通孔(10a)的列方向节距间隔的三倍距离配置。
图11所示的第三变形例的情况，可配置以与图5及图7相同的节距间隔形成开口(20a)的缓冲部(20)。
或者，缓冲部(20)可围绕真空吸入路径(10a)的开口的周围且仅配置在主体部(10)、即阳极氧化膜的表面的至少一部分并以独立形态配置有多个。
变形例的微LED吸附体(1”)改变贯通孔(10a)的节距间隔来吸附微LED(100)，且可匹配改变的贯通孔(10a)的节距间隔来配置缓冲部(20)。根据如上所述的构成，变形例的微LED吸附体(1)形成有贯通孔(10a)的微LED吸附体(1”)可以3P(n)的间隔隔开并转移安装在第二基板(例如，显示基板(301))的相同发光颜色的微LED(100)，或者以3P(n)及3P(m)的间隔隔开而沿对角线方向转移安装在第二基板(例如，显示基板(301))的相同发光颜色的微LED(100)。
本发明在如上所述形成吸附微LED(100)的真空吸附力的主体部(10)的表面配置缓冲部(20)，从而在吸附微LED(100)时可使缓冲部(20)位于微LED吸附体(1)与微LED(100)之间。根据如上所述的结构，在吸附微LED时，缓冲部(20)的表面与微LED(100)可直接接触，从而可防止微LED(100)直接接触主体部(10)的表面而被损坏的问题。因此，可得到降低微LED(100)的损坏产发生率并提高微LED吸附体(1、1'、1")的转移效率的效果。
如上所述，虽然参照本发明的优选实施例进行了说明，但是相应技术领域的普通技术人员可在不脱离上述权利要求所记载的本发明的思想及领域的范围内对本发明实施各种修改或变形。
[符号的说明]
1、1'、1"：微LED吸附体
10：主体部 10a：贯通孔，真空吸入路径
20：缓冲部 20a：开口
30：真空室 100：微LED。

Claims (11)

1.一种微发光二极管吸附体，是利用真空吸入力吸附微发光二极管的微发光二极管吸附体，其特征在于，包括：
主体部，布置有真空吸入路径；以及
缓冲部，配置在所述主体部的表面，以在吸附所述微发光二极管时缓和冲击。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管吸附体，其特征在于，
所述主体部为所述真空吸入路径上下贯通的非多孔性部件。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管吸附体，其特征在于，
所述主体部为多孔性部件。
4.根据权利要求3所述的微发光二极管吸附体，其特征在于，
所述多孔性部件具有任意气孔。
5.根据权利要求3所述的微发光二极管吸附体，其特征在于，
所述多孔性部件具有垂直气孔。
6.根据权利要求5所述的微发光二极管吸附体，其特征在于，
所述多孔性部件由具有垂直气孔的阳极氧化膜形成，且具有比所述气孔的宽度大的宽度的贯通孔形成所述真空吸入路径。
7.根据权利要求1所述的微发光二极管吸附体，其特征在于，
所述缓冲部的暴露表面具有粘着力。
8.根据权利要求1所述的微发光二极管吸附体，其特征在于，
所述缓冲部的暴露表面不具有粘着力。
9.根据权利要求1所述的微发光二极管吸附体，其特征在于，
所述缓冲部包含金属材质。
10.一种微发光二极管吸附体，其特征在于，包括：
主体部，配置有具有气孔的阳极氧化膜及贯通所述阳极氧化膜的贯通孔；以及
缓冲部，配置在所述主体部的表面，且在吸附微发光二极管时缓和冲击。
11.根据权利要求10所述的微发光二极管吸附体，其特征在于，
所述缓冲部的开口具有与所述贯通孔对应的面积。
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