KR20190131311A - 마이크로 led 흡착체 - Google Patents

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KR20190131311A KR1020180056021A KR20180056021A KR20190131311A KR 20190131311 A KR20190131311 A KR 20190131311A KR 1020180056021 A KR1020180056021 A KR 1020180056021A KR 20180056021 A KR20180056021 A KR 20180056021A KR 20190131311 A KR20190131311 A KR 20190131311A
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박승호
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Abstract

본 발명은 현재까지 제안된 마이크로 LED 전사시스템의 문제점을 해결하고 마이크로 LED를 비접촉 상태로 흡착하여 전사할 수 있는 마이크로 LED 흡착체에 관한 것이다.

Description

마이크로 LED 흡착체{MICRO LED ADSORPTION BODY}
본 발명은 마이크로 LED 흡착체에 관한 것이다.
현재 디스플레이 시장은 아직은 LCD가 주류를 이루고 있는 가운데 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하,‘마이크로 LED’라 함) 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다. LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100마이크로미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이다.
Cree사가 1999년에 "광 적출을 향상시킨 마이크로-발광 다이오드 어레이"에 관한 특허를 출원하면서(등록특허공보 등록번호 제0731673호), 마이크로 LED 라는 용어가 등장한 이래 관련 연구 논문들이 잇달아 발표되면서 연구개발이 이루어지고 있다. 마이크로 LED를 디스플레이에 응용하기 위해 해결해야 할 과제로 마이크로 LED 소자를 Flexible 소재/소자를 기반으로 하는 맞춤형 마이크로 칩 개발이 필요하고, 마이크로 미터 사이즈의 LED 칩의 전사(transfer)와 디스플레이 픽셀 전극에 정확한 실장(Mounting)을 위한 기술이 필요하다.
특히, 마이크로 LED 소자를 표시 기판에 이송하는 전사(transfer)와 관련하여, LED 크기가 1~100 마이크로미터(㎛) 단위까지 작아짐에 따라 기존의 픽앤플레이스(pick & place) 장비를 사용할 수 없고, 보다 고정밀도로 이송하는 전사 헤드기술이 필요하게 되었다. 이러한 전사 헤드 기술과 관련하여, 이하에서 살펴보는 바와 같은 몇 가지의 구조들이 제안되고 있으나 각 제안 기술은 몇 가지의 단점들을 가지고 있다.
미국의 Luxvue사는 정전헤드(electrostatic head)를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호, 이하 ‘선행발명1’이라 함). 선행발명1의 전사원리는 실리콘 재질로 만들어진 헤드 부분에 전압을 인가함으로써 대전현상에 의해 마이크로 LED와 밀착력이 발생하게 하는 원리이다. 이 방법은 정전 유도시 헤드에 인가된 전압에 의해 대전 현상에 의한 마이크로 LED 손상에 대한 문제가 발생할 수 있다.
미국의 X-Celeprint사는 전사 헤드를 탄성이 있는 고분자 물질로 적용하여 웨이퍼 상의 마이크로 LED를 원하는 기판에 이송시키는 방법을 제안하였다(공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호, 이하 ‘선행발명2’라 함). 이 방법은 정전헤드 방식에 비해 LED 손상에 대한 문제점은 없으나, 전사 과정에서 목표기판의 접착력 대비 탄성 전사 헤드의 접착력이 더 커야 안정적으로 마이크로 LED를 이송시킬 수 있으며, 전극 형성을 위한 추가 공정이 필요한 단점이 있다. 또한, 탄성 고분자 물질의 접착력을 지속적으로 유지하는 것도 매우 중요한 요소로 작용하게 된다.
한국광기술원은 섬모 접착구조 헤드를 이용하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1754528호, 이하 ‘선행발명3’이라 함). 그러나 선행발명3은 섬모의 접착구조를 제작하는 것이 어렵다는 단점이 있다.
한국기계연구원은 롤러에 접착제를 코팅하여 마이크로 LED를 전사하는 방법을 제안하였다(등록특허공보 등록번호 제1757404호, 이하 ‘선행발명4’라 함). 그러나 선행발명4는 접착제의 지속적인 사용이 필요하고, 롤러 가압 시 마이크로 LED가 손상될 수도 있는 단점이 있다.
삼성디스플레이는 어레이 기판이 용액에 담겨 있는 상태에서 어레이 기판의 제1,2전극에 마이너스 전압을 인가하여 정전기 유도 현상에 의해 마이크로 LED를 어레이 기판에 전사하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0026959호, 이하 ‘선행발명5’라 함). 그러나 선행발명 5는 마이크로 LED를 용액에 담가 어레이 기판에 전사한다는 점에서 별도의 용액이 필요하고 이후 건조공정이 필요하다는 단점이 있다.
엘지전자는 헤드홀더를 복수의 픽업헤드들과 기판 사이에 배치하고 복수의 픽업 헤드의 움직임에 의해 그 형상이 변형되어 복수의 픽업 헤드들에게 자유도를 제공하는 방법을 제안하였다(공개특허공보 제10-2017-0024906호, 이하 ‘선행발명6’이라 함). 그러나 선행발명 6은 복수의 픽업헤드들의 접착면에 접착력을 가지는 본딩물질을 도포하여 마이크로 LED를 전사하는 방식이라는 점에서, 픽업헤드에 본딩물질을 도포하는 별도의 공정이 필요하다는 단점이 있다.
위와 같은 선행발명들의 문제점을 해결하기 위해서는 선행발명들이 채택하고 있는 기본 원리를 그대로 채용하면서 전술한 단점들을 개선해야 하는데, 이와 같은 단점들은 선행발명들이 채용하고 있는 기본 원리로부터 파생된 것이어서 기본 원리를 유지하면서 단점들을 개선하는 데에는 한계가 있다. 이에 본 발명의 출원인은 이러한 종래기술의 단점들을 개선하는데 그치지 않고, 선행 발명들에서는 전혀 고려하지 않았던 새로운 방식을 제안하고자 한다.
특히, 선행발명들은 전사헤드가 마이크로 LED를 흡착하는 과정에서 충돌에 따른 마이크로 LED의 파손의 문제를 해결하지 못하고 있다.
등록특허공보 등록번호 제0731673호 공개특허공보 공개번호 제2014-0112486호 공개특허공보 공개번호 제2017-0019415호 등록특허공보 등록번호 제1754528호 등록특허공보 등록번호 제1757404호 공개특허공보 제10-2017-0026959호 공개특허공보 제10-2017-0024906호
이에 본 발명은 현재까지 제안된 마이크로 LED 전사시스템의 문제점을 해결하고 마이크로 LED를 비접촉 상태로 흡착하여 전사할 수 있는 마이크로 LED 흡착체를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체는, 마이크로 LED를 향하여 기체를 분출하여 상기 마이크로 LED와의 사이에 음압을 발생시켜 상기 마이크로 LED를 비접촉 상태에서 흡착하는 것을 특징으로 한다.
또한, 기공을 갖는 다공성 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 마이크로 LED와 대향되는 면에 형성되는 유속 저항부; 및 상기 유속저항부의 주변에 형성되며 상기 유속저항부의 기체 제2분출속도보다 더 큰 제1분출속도를 형성하는 유속 비저항부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 다공질 세라믹; 및 상기 기체가 분출되는 상기 다공질 세라믹의 표면에 형성되며, 상기 마이크로 LED와 대향되는 면에 구비되는 유속 저항부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 유속 저항부는 양극산화막으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 유속 저항부는 상기 기체의 분출을 차단하는 차폐부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체는, 다공질 세라믹; 및 관통홀이 형성되어 상기 다공질 세라믹의 표면에 구비되는 유속 저항부;를 포함하여, 상기 다공질 세라믹 및 상기 유속 저항부를 통과하여 마이크로 LED를 향하여 분출되는 기체의 제1분출속도보다 상기 다공질 세라믹 및 상기 관통홀을 통과하여 상기 마이크로 LED의 주변으로 분출되는 기체의 제2분출속도를 더 크게 하여, 상기 마이크로 LED와의 사이에 음압을 발생시켜 상기 마이크로 LED를 비접촉 상태에서 흡착하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 다공질 세라믹의 표면과 상기 유속 저항부 표면 사이의 형성되어 상기 다공질 세라믹을 통과한 기체가 상기 유속 저항부로 유입되는 것을 차단하는 차폐부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체는, 기공을 갖는 다공성 부재; 및
관통홀이 형성되어 상기 다공질 세라믹의 표면에 구비되는 유속 저항부;를 포함하여, 상기 다공질 부재 및 상기 유속 저항부를 통과하여 마이크로 LED를 향하여 분출되는 기체의 제2분출속도보다 상기 다공질 부재 및 상기 관통홀을 통과하여 상기 마이크로 LED의 주변으로 분출되는 기체의 제1분출속도를 더 크게 하여, 상기 마이크로 LED와의 사이에 음압을 발생시켜 상기 마이크로 LED를 비접촉 상태에서 흡착하고, 상기 다공질 부재 및 상기 관통홀을 통과하여 상기 마이크로 LED의 주변으로 분출되는 기체는 상기 마이크로 LED의 수평 변위를 제한하는 에어커튼부를 형성하는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체는, 관통홀이 형성된 유속 저항부; 및 상기 유속 저항부를 통과하여 마이크로 LED를 향하여 분출되는 기체의 제2분출속도보다 더 큰 제1분출속도를 갖도록 상기 관통홀에 기체를 공급하는 유속 증가부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체는, 기공을 갖는 다공성 부재; 및 감압챔버와 연통되며 상기 다공성 부재를 관통하여 형성되는 감압라인;를 포함하는 마이크로 LED 흡착체로서, 상기 다공성 부재를 통하여 기체를 분출하여 마이크로 LED와 상기 다공성 부재 사이에 기체 쿠션을 형성하고, 상기 감압라인을 통하여 상기 기체 쿠션으로부터 기체를 흡입하여 상기 마이크로 LED와 상기 다공성 부재 사이에 음압을 형성하여 상기 마이크로 LED를 비접촉 상태에서 흡착하는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 마이크로 LED 흡착체는, 기공을 갖는 다공성 부재; 및 압력챔버와 연통되며 상기 다공성 부재를 관통하여 형성되는 압력라인;를 포함하는 마이크로 LED 흡착체로서, 상기 압력라인를 통하여 기체를 분출하여 마이크로 LED와 상기 다공성 부재 사이에 기체 쿠션을 형성하고, 상기 다공성 부재를 통하여 상기 기체 쿠션으로부터 기체를 흡입하여 상기 마이크로 LED와 상기 다공성 부재 사이에 음압을 형성하여 상기 마이크로 LED를 비접촉 상태에서 흡착하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 다공성 부재의 표면에는 상기 마이크로 LED의 수평 변위를 제한하는 가이드부가 구비된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가이드부는, 가이드 경사면이 구비된 홈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 마이크로 LED 흡착체는, 마이크로 LED 흡착체가 마이크로 LED를 흡착하기 위해 접촉함에 따라 마이크로 LED가 마이크로 LED 흡착체에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있게 되고, 흡착 응력에 의한 손상 역시 방지할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 실시예의 전사 대상이 되는 마이크로 LED를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 의해 표시기판에 이송되어 실장된 마이크로 LED 구조체의 도면.
도 3은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체를 도시한 도면.
도 5은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체를 이용한 흡착 및 전사방법을 도시한 도면
도 6은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체에 차폐부가 추가된 것을 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체의 변형례를 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체를 도시한 도면.
도 9는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체의 변형례를 도시한 도면.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 및 구멍들의 지름 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 마이크로 LED의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.
다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체의 흡착 대상이 되는 복수의 마이크로 LED(100)를 도시한 도면이다. 마이크로 LED(100)는 성장 기판(101) 위에서 제작되어 위치한다.
성장 기판(101)은 전도성 기판 또는 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 성장 기판(101)은 사파이어, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, 및 Ga203 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
마이크로 LED(100)는 제1 반도체층(102), 제2 반도체층(104), 제1 반도체층(102)과 제2 반도체층(104) 사이에 형성된 활성층(103), 제1 컨택전극(106) 및 제2 컨택전극(107)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(102), 활성층(103), 및 제2 반도체층(104)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
제1 반도체층(102)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 반도체층(104)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다. n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InNInAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
다만, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 제1 반도체층(102)이 n형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(104)이 p형 반도체층을 포함할 수도 있다.
활성층(103)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층(103)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
제1 반도체층(102)에는 제1 컨택전극(106)이 형성되고, 제2 반도체층(104)에는 제2 컨택전극(107)이 형성될 수 있다. 제1 컨택 전극(106) 및/또는 제2 컨택 전극(107)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다.
성장 기판(101) 위에 형성된 복수의 마이크로 LED(100)를 커팅 라인을 따라 레이저 등을 이용하여 커팅하거나 에칭 공정을 통해 낱개로 분리하고, 레이저 리프트 오프 공정으로 복수의 마이크로 LED(100)를 성장 기판(101)으로부터 분리 가능한 상태가 되도록 할 수 있다.
도 1에서 ‘p’는 마이크로 LED(100)간의 피치간격을 의미하고, ‘s’는 마이크로 LED(100)간의 이격 거리를 의미하며, ‘w’는 마이크로 LED(100)의 폭을 의미한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체에 의해 표시 기판으로 이송되어 실장됨에 따라 형성된 마이크로 LED 구조체를 도시한 도면이다.
표시 기판(300)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 기판(300)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 표시 기판(300)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가용성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
화상이 표시 기판(300)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 표시 기판(300)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 표시 기판(300)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 표시 기판(300)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 표시 기판(300)을 형성할 수 있다.
금속으로 표시 기판(300)을 형성할 경우 표시 기판(300)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
표시 기판(300)은 버퍼층(311)을 포함할 수 있다. 버퍼층(311)은 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(311)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)을 포함할 수 있다.
이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 활성층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(TFT)가 채용될 수 있다.
활성층(310)은 반도체 물질, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(310)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(310)은 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있다.
또 다른 선택적 실시예로서, 활성층(310)은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다. 예컨대, 활성층(310)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(313:gate insulating layer)은 활성층(310) 상에 형성된다. 게이트 절연막(313)은 활성층(310)과 게이트 전극(320)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(313)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(320)은 게이트 절연막(313)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(320)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.
게이트 전극(320)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 게이트 전극(320)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(320)상에는 층간 절연막(315)이 형성된다. 층간 절연막(315)은 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)과 게이트 전극(320)을 절연한다. 층간 절연막(315)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.
층간 절연막(315) 상에 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)이 형성된다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 소스 전극(330a) 및 드레인 전극(330b)은 활성층(310)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결된다.
평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT) 상에 형성된다. 평탄화층(317)은 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 형성되어, 박막 트랜지스터(TFT)로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 한다. 평탄화층(317)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(317)은 무기 절연막과 유기절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.
평탄화층(317)상에는 제1 전극(510)이 위치한다. 제1 전극(510)은 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(510)은 평탄화층(317)에 형성된 컨택홀을 통하여 드레인 전극(330b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(510)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 평탄화층(317)상에는 픽셀 영역을 정의하는 뱅크층(400)이 배치될 수 있다. 뱅크층(400)은 마이크로 LED(100)가 수용될 오목부를 포함할 수 있다. 뱅크층(400)은 일 예로, 오목부를 형성하는 제1 뱅크층(410)를 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)의 높이는 마이크로 LED(100)의 높이 및 시야각에 의해 결정될 수 있다. 오목부의 크기(폭)는 표시 장치의 해상도, 픽셀 밀도 등에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 뱅크층(410)의 높이보다 마이크로 LED(100)의 높이가 더 클 수 있다. 오목부는 사각 단면 형상일 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않고, 오목부는 다각형, 직사각형, 원형, 원뿔형, 타원형, 삼각형 등 다양한 단면 형상을 가질 수 있다.
뱅크층(400)은 제1 뱅크층(410) 상부의 제2 뱅크층(420)를 더 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410)와 제2 뱅크층(420)는 단차를 가지며, 제2 뱅크층(420)의 폭이 제1 뱅크층(410)의 폭보다 작을 수 있다. 제2 뱅크층(420)의 상부에는 전도층(550)이 배치될 수 있다. 전도층(550)은 데이터선 또는 스캔선과 평행한 방향으로 배치될 수 있고, 제2 전극(530)과 전기적으로 연결된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 제2 뱅크층(420)는 생략되고, 제1 뱅크층(410) 상에 전도층(550)이 배치될 수 있다. 또는, 제2 뱅크층(420) 및 전도층(500)을 생략하고, 제2 전극(530)을 픽셀(P)들에 공통인 공통전극으로서 기판(301) 전체에 형성할 수도 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 광의 적어도 일부를 흡수하는 물질, 또는 광 반사 물질, 또는 광 산란물질을 포함할 수 있다. 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 가시광(예를 들어, 380nm 내지 750nm 파장 범위의 광)에 대해 반투명 또는 불투명한 절연 물질을 포함할 수 있다.
일 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰, 폴리비닐부티랄, 폴리페닐렌에테르, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 노보넨계(norbornene system) 수지, 메타크릴 수지, 환상 폴리올레핀계 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 아크릴수지, 비닐 에스테르 수지, 이미드계 수지, 우레탄계 수지, 우레아(urea)수지, 멜라민(melamine) 수지 등의 열경화성 수지, 혹은 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카보네이트 등의 유기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 예로, 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx 등의 무기산화물, 무기질화물 등의 무기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 제1뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 블랙 매트릭스(black matrix) 재료와 같은 불투명 재료로 형성될 수 있다. 절연성 블랙 매트릭스 재료로는 유기 수지, 글래스 페이스트(glass paste) 및 흑색 안료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예를 들어, 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자(예를 들어, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 변형례에서 제1 뱅크층(410) 및 제2 뱅크층(420)는 고반사율을 갖는 분산된 브래그 반사체(DBR) 또는 금속으로 형성된 미러 반사체일 수 있다.
오목부에는 마이크로 LED(100)가 배치된다. 마이크로 LED(100)는 오목부에서 제1 전극(510)과 전기적으로 연결될 수 있다.
마이크로 LED(100)는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 파장을 가지는 빛을 방출하며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 백색광도 구현이 가능하다. 마이크로 LED(100)는 1 ㎛ 내지 100 ㎛ 의 크기를 갖는다. 마이크로 LED(100)는 개별적으로 또는 복수 개가 본 발명의 실시예에 따른 흡착체에 의해 성장 기판(101) 상에서 픽업(pick up)되어 표시 기판(300)에 전사됨으로써 표시 기판(300)의 오목부에 수용될 수 있다.
마이크로 LED(100)는 p-n 다이오드, p-n 다이오드의 일측에 배치된 제1 컨택 전극(106) 및 제1 컨택 전극(106)과 반대측에 위치한 제2 컨택 전극(107)을 포함한다. 제1 컨택 전극(106)은 제1 전극(510)과 접속하고, 제2 컨택 전극(107)은 제2 전극(530)과 접속할 수 있다.
제1 전극(510)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO;aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
패시베이션층(520)은 오목부 내의 마이크로 LED(100)를 둘러싼다. 패시베이션층(520)은 뱅크층(400)과 마이크로 LED(100) 사이의 공간을 채움으로써, 오목부 및 제1 전극(510)을 커버한다. 패시베이션층(520)은 유기 절연물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(520)은 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
패시베이션층(520)은 마이크로 LED(100)의 상부, 예컨대 제2 컨택 전극(107)은 커버하지 않는 높이로 형성되어, 제2 컨택 전극(107)은 노출된다. 패시베이션층(520) 상부에는 마이크로 LED(100)의 노출된 제2 컨택 전극(107)과 전기적으로 연결되는 제2 전극(530)이 형성될 수 있다.
제2 전극(530)은 마이크로 LED(100)와 패시베이션층(520)상에 배치될 수 있다. 제2 전극(530)은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전도성 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체
이하 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)에 대해 설명한다.
본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)는 마이크로 LED(100)를 향하여 기체를 분출하여 마이크로 LED(100)와의 사이에 음압을 발생시켜 마이크로 LED(100)를 비접촉 상태에서 흡착하는 구성이다.
도 3을 참조하면, 마이크로 LED 흡착체(1000)는 마이크로 LED(100)를 향하는 방향으로 공기, 아르곤 또는 질소 등의 기체를 분출한다. 도 3의 경우에 마이크로 LED(100)가 마이크로 LED 흡착체(1000)의 아랫 부분에 위치하므로 기체의 분출방향은 아랫 방향이 된다. 이와는 다르게 마이크로 LED(100)가 마이크로 LED 흡착체(1000)의 윗 부분에 위치하면 기체의 분출방향은 윗 방향이 된다.
마이크로 LED 흡착체(1000)에서 분출되는 기체의 분출속도는 서로 다르게 구성될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 마이크로 LED(100)의 상면에서 분출되는 기체의 제2분출속도(V2)는 마이크로 LED(100)의 주변으로 분출되는 기체의 제1분출속도(V1)보다 작게 형성될 수 있다. 다시 말해, 마이크로 LED(100)의 주변으로 분출되는 기체의 제1분출속도(V1)는 마이크로 LED(100)의 상면에서 분출되는 기체의 제2분출속도(V2)보다 더 크게 형성될 수 있다.
이와 같은 기체의 제1,2분출속도의 차이로 인하여 마이크로 LED 흡착체(1000)와 마이크로 LED(100)의 대향 면에는 음압이 발생하게 되고, 이러한 음압을 이용하여 마이크로 LED(100)를 마이크로 LED 흡착체(1000) 측으로 끌어당기게 된다. 이때 마이크로 LED(100)의 상면으로는 기체가 분출되고 있기 때문에 이러한 기체의 정압과 상술한 음압의 균형상태를 만들어 마이크로 LED(100)가 소정 간격(h)으로 이격된 채 마이크로 LED 흡착체(1000)와 비접촉 상태에서 흡착된다.
마이크로 LED 흡착체(1000)가 마이크로 LED(100)를 비접촉 상태로 흡착하게 되는 구성에 따르면 마이크로 LED 흡착체가 마이크로 LED를 흡착하기 위해 접촉함에 따라 마이크로 LED가 파손되는 것을 방지할 수 있게 되고, 흡착 응력에 의한 손상 역시 방지할 수 있게 된다.
한편, 마이크로 LED 흡착체(1000)가 마이크로 LED(100)를 비접촉 상태로 흡착하고 있다고는 하나, 이러한 비접촉 흡착상태에서는 마이크로 LED(100)가 수평방향으로의 변위 저항력이 없기 때문에 수평방향으로의 변위가 유발될 수 있다. 하지만, 마이크로 LED(100)의 주변으로 분출되는 기체는 비접촉 상태로 흡착된 마이크로 LED(100)의 수평 변위를 제한하는 에어커튼부로서 기능하게 된다. 그러므로 마이크로 LED 흡착체(1000)가 마이크로 LED(100)를 흡착하여 제1기판에서 제2기판으로 이동할 때에 에어커튼부를 통해 마이크로 LED(100)의 수평 변위를 제한할 수 있게 된다.
마이크로 LED 흡착체(1000)는 기공을 갖는 다공성 부재를 포함한다.
다공성 부재는 내부에 기공이 다수 함유되어 있는 물질을 포함하여 구성되며, 일정 배열 또는 무질서한 기공구조로 0.2~0.95 정도의 기공도를 가지는 분말, 박막/후막 및 벌크 형태로 구성될 수 있다. 다공성 부재의 기공은 그 크기에 따라 직경 2 nm 이하의 마이크로(micro)기공, 2~50 nm 메조(meso)기공, 50 nm 이상의 마크로(macro)기공으로 구분할 수 있는데, 이들의 기공들을 적어도 일부를 포함한다. 다공성 부재는 그 구성 성분에 따라서 유기, 무기(세라믹), 금속, 하이브리드형 다공성 소재로 구분이 가능하다. 다공성 부재는 기공이 일정 배열로 형성되는 양극산화막을 포함한다. 다공성 부재는 형상의 측면에서 분말, 코팅막, 벌크가 가능하고, 분말의 경우 구형, 중공구형, 화이버, 튜브형등 다양한 형상이 가능하며, 분말을 그대로 사용하는 경우도 있지만, 이를 출발물질로 코팅막, 벌크 형상을 제조하여 사용하는 것도 가능하다.
다공성 부재의 기공이 무질서한 기공구조를 갖는 경우에는, 다공성 부재의 내부는 다수의 기공들이 서로 연결되면서 다공성 부재의 상, 하를 연결하는 유로를 형성하게 된다. 이러한 다공성 부재는 무기질 재료성 분립체로 구성되는 골재와 골재 상호를 결합하는 결합제를 소결함으로써 다공질이 될 수 있다. 이 경우 다공성 부재는 복수의 기공이 서로 불규칙적으로 이어져서 기체 유로를 형성되며, 이러한 기체 유로에 의해 다공성 부재의 표면과 배면이 서로 연통되게 된다.
다공성 부재는 금속을 양극산화하여 형성된 기공을 갖는 양극산화막일 수 있다. 양극산화막은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 기공은 금속을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질의 양극산화막이 형성된다. 위와 같이, 형성된 양극산화막은 내부에 기공(1303)이 형성되지 않은 배리어층과, 내부에 기공이 형성된 다공층으로 구분된다. 배리어층은 모재의 상부에 위치하고, 다공층은 배리어층의 상부에 위치한다. 이처럼, 배리어층과 다공층을 갖는 양극산화막이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 양극산화알루미늄(Al2O3) 재질의 양극산화막만이 남게 된다. 양극산화막은, 지름이 균일하고, 수직한 형태로 형성되면서 규칙적인 배열을 갖는 기공을 갖게 된다. 따라서, 배리어층을 제거하면, 기공은 상, 하로 수직하게 관통된 구조를 갖게 되며, 이를 통해 수직한 방향으로 기체 유로를 형성하는 것이 용이하게 된다. 기공의 내부 폭은 수 nm 내지 수 백 nm의 크기를 갖는다.
도 4를 참조하면, 마이크로 LED 흡착체(1000)는 다공성 부재(1100) 및 유속저항부(2000)를 포함한다. 여기서 다공성 부재(1100)는 유속저항부(2000)를 통과하는 기체의 통과속도보다 큰 통과속도를 갖는 것이라면 전술한 다공성 부재(1100) 중 어느 것을 채용해도 무방하다. 한편 유속 저항부(2000)는 다공성 부재(1100)의 기체 통과속도보다 낮은 통과속도를 갖는 것이라면 전술한 다공성 부재 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
유속 저항부(2000)는 마이크로 LED(100)와 대향되는 면에 형성되고, 유속 비저항부는 유속저항부(2000)의 주변에 형성된다. 유속 비저항부에서의 기체의 제1분출속도(V1)은 유속 저항부(2000)에서의 기체의 제2분출속도(V2)보다 더 큰 분출속도를 갖는다. 다시 말해 도 4에서 A부분에서의 기체의 제1분출속도(V1)은 B부분에서의 기체의 제2분출속도(V2)보다 크게 된다.
바람직하게는, 다공성 부재(1100)는 무기질 재료성 분립체로 구성되는 골재와 골재 상호를 결합하는 결합제를 소결하여 형성되는 다공질 세라믹으로 구성될 수 있고, 유속 저항부(2000)는 양극산화막으로 구성될 수 있다.
다공성 부재(1100)의 상부에는 챔버(1200)가 구비된다. 챔버(1200)는 다공성 부재(1100)의 배면측의 압력을 일정하게 형성하는 기능을 한다.
다공성 부재(1100)의 하부 표면에는 유속 저항부(2000)가 구비된다. 유속 저항부(2000)는 다공성 부재(1100)를 관통하는 기체의 분출 속도를 낮추는 기능을 한다. 유속 저항부(2000)에는 관통홀(2001)이 형성된다. 따라서 관통홀(2001)이 없는 영역이 유속 저항 영역이 되는 것이고, 관통홀(2001)이 있는 영역이 유속 비저항부가 되는 것이다.
다공성 부재(1100) 및 유속 저항부(2000)를 통과하여 마이크로 LED(100)를 향하여 분출되는 기체의 제2분출속도(V2)는 다공성 부재(1100) 및 관통홀(2001)를 통과하여 마이크로 LED(100)를 향하여 분출되는 기체의 제1분출속도(V1)보다 속도가 작다. 다시 말해 다공성 부재(1100) 및 관통홀(2001)를 통과하여 마이크로 LED(100)를 향하여 분출되는 기체의 제1분출속도(V1)는 다공성 부재(1100) 및 유속 저항부(2000)를 통과하여 마이크로 LED(100)를 향하여 분출되는 기체의 제2분출속도(V2)보다 속도가 크다.
이와 같은 기체의 제1,2분출속도의 차이로 인하여 마이크로 LED 흡착체(1000)와 마이크로 LED(100) 사이의 대향 면에 음압을 발생시켜 마이크로 LED(100)를 비접촉 상태로 흡착할 수 있게 된다. 또한, 마이크로 LED(100)의 주변으로 분출되는 기체는 비접촉 상태로 흡착된 마이크로 LED(100)의 수평 변위를 제한하는 에어커튼부로서 기능하게 된다.
마이크로 LED 흡착체(1000)는 그 테두리에는 기체의 분출 경로를 수직방향으로 유동하기 위한 스토퍼(1500)가 구비될 수 있다. 마이크로 LED 흡착체(1000)가 마이크로 LED(100)를 흡착하기 위하여 기판(S)측으로 상대 이동할 때, 스토퍼(1500)는 기판(S)의 상면 또는 기판(S)을 지지하는 지지부재(미도시)의 상면과 접촉한다. 이를 통해 마이크로 LED 흡착체(1000)와 마이크로 LED(100)가 서로 접촉되지 않고 이격된 상태를 유지할 수 있는 기능을 발휘한다.
이하에서는 도 5를 참조하여 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)가 마이크로 LED(100)를 비접촉 상태로 흡착하여 이송하는 과정을 설명한다.
도 5a를 참조하면, 기판(S) 상에는 마이크로 LED(100)가 존재한다. 여기서 기판(S)는 도 1에 도시된 성장기판(101)일 수 있고, 성장기판(101)과 도 2의 표시기판(300) 사이에 구비될 수 있는 임시기판일 수 있다.
마이크로 LED 흡착체(1000)가 마이크로 LED(100)를 흡착하기 위하여, 마이크로 LED 흡착체(1000)는 기판(S)측으로 상대 이동한다. 이때 마이크로 LED 흡착체(1000)의 스토퍼(1500)는 기판(S)의 상면에 접촉하게 된다. 한편 스토퍼(1500)는 기판(S)의 상면이 아닌, 기판(S)을 지지하는 지지부재(미도시)의 상면과 접촉할 수도 있다.
이 상태에서 다공성 부재(1100)측에 기체를 공급한다. 챔버(1200)를 통해 간접으로 다공성 부재(1100)측에 기체를 공급할 수 있고, 이와는 다르게 다공성 부재(1100) 측에 직접 기체를 공급할 수도 있다.
다공성 부재(1100)를 통과한 기체는, 관통홀(2001)을 통해 바로 분출되어 제1분출속도(V1)을 형성하는 한편, 유속 저항부(2000)를 또 다시 통과하면서 속도가 저하된 후 제1분출속도(V1)보다 낮은 크기의 제2분출속도(V2)를 형성한다.
이러한 분출속도의 차이로 인해, 마이크로 LED(100)와 마이크로 LED 흡착체(1000) 사이의 대향 면에는 음압이 발생하게 된다.
도 5b를 참조하면, 마이크로 LED(100)와 마이크로 LED 흡착체(1000) 사이에 발생한 음압에 의해 마이크로 LED(100)를 부양시키는 부양력(F)이 발생하게 되어 마이크로 LED(100)가 마이크로 LED 흡착체(1000) 측으로 상승하게 된다. 이때 마이크로 LED 흡착체(1000)는 지속적으로 기체를 분출하므로 음압과 정압의 균형상태로 인해, 마이크로 LED(100)는 마이크로 LED 흡착체(1000)에 접촉하지 않으면서 이격된 상태로 흡착된 상태로 유지하게 된다. 또한 마이크로 LED(100)의 주변으로 분출되는 기체는 에어커튼부로서 기능하여 비접촉 상태로 흡착된 마이크로 LED(100)의 수평 변위를 제한한다.
그 다음 도 5c를 참조하면, 마이크로 LED 흡착체(1000)는 마이크로 LED(100)를 비접촉 상태로 흡착한 상태에서 제2기판 또는 표시기판(300)측으로 이동하게 된다. 표시기판(300)측으로 이동한 마이크로 LED 흡착체(1000)는 다공성 부재(1100)측으로 기체 공급을 중단하여 제2기판 또는 표시기판(300)의 상면으로 마이크로 LED(100)를 전사하게 된다.
도 6을 참조하면, 도 6에 도시된 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 다공성 부재(1100)의 표면과 유속 저항부(2000)의 표면 사이에는 다공성 부재(1100)를 통과한 기체가 유속 저항부(2000)로 유입되는 것을 차단하는 차폐부(2500)가 추가로 구비된다.
차폐부(2500)는 유속저항부(2000)를 통과하는 기체의 분출속도(V2)를 더욱 낮추는 기능을 수행하여 마이크로 LED 흡착체(1000)와 마이크로 LED(100) 사이의 음압 발생 효율을 향상시키는 기능을 한다.
일례로, 차폐부(2500)는 다공성 부재(1100)의 표면의 기공을 막는 구성으로 형성될 수 있다. 다공성 부재(1100)의 표면의 기공을 막는 기능을 수행할 수 있는 것이라면 그 재질, 형상, 두께에는 한정이 없다. 바람직하게는 포토레지스트(PR, Dry Film PR포함) 또는 금속 재질로 추가로 형성될 수 있고, 다공성 부재(1100)를 이루는 자체 구성에 의해서도 형성 가능하다.
한편, 차폐부(2500)는 유속 저항부(2500)가 양극산화막으로 구성되는 경우에, 양극산화막의 상, 하 표면 중에서 적어도 일부 표면을 형성되어 표면의 기공을 막는 구성으로 형성될 수 있다. 차폐부(2500)는 양극산화막의 표면으로 노출되는 기공의 입구를 막는 기능을 수행할 수 있는 것이라면 그 재질, 형상, 두께에는 한정이 없다. 바람직하게 차례부는 포토레지스트(PR, Dry Film PR포함) 또는 금속 재질로 추가로 형성될 수 있고, 배리어층일 수 있다.
이하 도 7을 참조하여 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 변형례에 대해 설명한다.
바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 변형례는, 관통홀(2001)이 형성된 유속 저항부(2000) 및 유속 저항부(2000)를 통과하여 마이크로 LED(100)를 향하여 분출되는 기체의 제2분출속도(V2)보다 더 큰 제1분출속도(V1)를 갖도록 관통홀(2001)에 기체를 공급하는 유속 증가부(3000)를 포함한다.
바람직한 제1실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 변형례는 도 6에 도시된 구성과는 달리, 다공성 부재(1100)를 통해 제1분출속도(V1)를 갖는 기체를 마이크로 LED(100)의 주변부로 분출하는 것이 아니라, 유속 증가부(3000)를 통해 제1분출속도(V1)를 갖는 기체를 마이크로 LED(100)의 주변부로 분출하는 구성이라는 점에서 구성상의 차이가 있다.
다시 말해 도 7을 참조하면, 유속 증가부(3000)는 제1수평관로(3100)와 제1수평관로(3100)로부터 분기되는 제2수평관로(3200)로 구성된다. 제2수직관로(3200)는 마이크로 LED(100)의 주변부로 제1분출속도(V1)을 갖는 기체를 분출한다. 이와 같은 구성을 통해, 다공성 부재(1100)를 통해 분출되는 기체의 제1분출속도(V1)보다 더 큰 제1분출속도(V1)를 갖도록 할 수 있다. 이를 통해 마이크로 LED 흡착체(1000)와 마이크로 LED(100) 사이의 음압 발생 효율을 향상시키는 기능을 한다.
본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체
이하 도 8를 참조하여 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)에 대해 설명한다.
본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 기공을 갖는 다공성 부재(1100) 및 감압챔버(1200)와 연통되며 다공성 부재(1100)를 관통하여 형성되는 감압라인(4100)를 포함한다.
다공성 부재(1100)의 배면(상측)에는 압력챔버(4000)가 구비된다. 압력챔버(1200)는 다공성 부재(1100)측으로 기체를 주입하는 기능을 하는 공간이다. 물론 다공성 부재(1100)는 압력챔버(1200)를 통하지 않고 직접 기체를 공급받을 수 있다.
다공성 부재(1100)를 통과한 기체(G1)는 마이크로 LED(100)의 상면으로 분출되어 마이크로 LED(100)와 다공성 부재(1100) 사이에 기체 쿠션을 형성한다.
감압라인(4100)은 다공성 부재(1100)를 관통하여 다공성 부재(1100)의 표면 측과 연통되도록 형성된다. 감압라인(4100)은 감압챔버(4000)와 연통되며 감압챔버(4000)는 진공 펌프와 연결되어 감압챔버(4000) 내부를 감압한다. 진공 펌프가 작동되면, 감압라인(4100)은 기체 쿠션으로부터 기체(G2)를 흡입하여 마이크로 LED(100)와 다공성 부재(1100) 사이에 음압을 형성한다.
이와 같이 제2실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)는, 다공성 부재(1100)를 통하여 기체(G1)를 분출하여 마이크로 LED(100)와 다공성 부재(1100) 사이에 기체 쿠션을 형성하고, 감압라인(4100)을 통하여 기체 쿠션으로부터 기체(G2)를 흡입하여 마이크로 LED(100)와 다공성 부재(1100) 사이에 음압을 형성하여 마이크로 LED(100)를 비접촉 상태에서 흡착한다.
다공성 부재(1100)의 표면에는 마이크로 LED(100)의 수평 변위를 제한하는 가이드부(5000)가 구비된다. 가이드부(5000)는 가이드 경사면(5002)이 구비된 홈(5001)을 포함한다.
마이크로 LED(100)는 홈(5001) 내부에 위치하게 되므로, 제2실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)가 마이크로 LED(100)를 흡착하여 이송할 때 마이크로 LED(100)의 수평 변위를 제한하는 기능을 하게 된다.
한편 홈(5001)은 가이드 경사면(5002)이 형성되어 제2실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)가 마이크로 LED(100)를 흡착할 때 마이크로 LED(100)가 가이드 경사면(5002)을 따라 부드럽게 홈(5001) 내부로 유인되게 할 수 있게 한다.
도 9는 제2실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 변형례를 도시한 도면이다. 제2실시예에 따른 마이크로 LED 흡착체(1000)의 변형례는, 기공을 갖는 다공성 부재(1100) 및 압력챔버(4000)와 연통되며 다공성 부재(1100)를 관통하여 형성되는 압력라인(4100)를 포함한다. 도 9를 참조하면, 도 8의 압력챔버(1200)가 도 9에서는 감압챔버(1200)로서의 기능을 하고, 도 8의 감압챔버(4000)가 도 9에서는 압력챔버(4000)로서의 기능을 한다는 점에서만 차이가 있다.
이를 통해 압력라인(4100)를 통하여 기체(G1)를 분출하여 마이크로 LED(100)와 다공성 부재(1100) 사이에 기체 쿠션을 형성하고, 다공성 부재(1100)를 통하여 기체 쿠션으로부터 기체(G2)를 흡입하여 마이크로 LED(100)와 다공성 부재(1100) 사이에 음압을 형성하여 마이크로 LED(100)를 비접촉 상태에서 흡착한다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
100 : 마이크로 LED 1000: 마이크로 LED 흡착체
2000: 유속 저항부

Claims (14)

  1. 마이크로 LED를 향하여 기체를 분출하여 상기 마이크로 LED와의 사이에 음압을 발생시켜 상기 마이크로 LED를 비접촉 상태에서 흡착하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  2. 제1항에 있어서,
    기공을 갖는 다공성 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 마이크로 LED와 대향되는 면에 형성되는 유속 저항부; 및
    상기 유속저항부의 주변에 형성되며 상기 유속저항부의 기체 제2분출속도보다 더 큰 제1분출속도를 형성하는 유속 비저항부를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  4. 제1항에 있어서,
    다공질 세라믹; 및
    상기 기체가 분출되는 상기 다공질 세라믹의 표면에 형성되며, 상기 마이크로 LED와 대향되는 면에 구비되는 유속 저항부를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  5. 제3항 또는 4항에 있어서,
    상기 유속 저항부는 양극산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  6. 제3항 또는 4항에 있어서,
    상기 유속 저항부는 상기 기체의 분출을 차단하는 차폐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  7. 다공질 세라믹; 및
    관통홀이 형성되어 상기 다공질 세라믹의 표면에 구비되는 유속 저항부;를 포함하여,
    상기 다공질 세라믹 및 상기 유속 저항부를 통과하여 마이크로 LED를 향하여 분출되는 기체의 제1분출속도보다 상기 다공질 세라믹 및 상기 관통홀을 통과하여 상기 마이크로 LED의 주변으로 분출되는 기체의 제2분출속도를 더 크게 하여, 상기 마이크로 LED와의 사이에 음압을 발생시켜 상기 마이크로 LED를 비접촉 상태에서 흡착하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 다공질 세라믹의 표면과 상기 유속 저항부 표면 사이의 형성되어 상기 다공질 세라믹을 통과한 기체가 상기 유속 저항부로 유입되는 것을 차단하는 차폐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  9. 기공을 갖는 다공성 부재; 및
    관통홀이 형성되어 상기 다공질 세라믹의 표면에 구비되는 유속 저항부;를 포함하여,
    상기 다공질 부재 및 상기 유속 저항부를 통과하여 마이크로 LED를 향하여 분출되는 기체의 제2분출속도보다 상기 다공질 부재 및 상기 관통홀을 통과하여 상기 마이크로 LED의 주변으로 분출되는 기체의 제1분출속도를 더 크게 하여, 상기 마이크로 LED와의 사이에 음압을 발생시켜 상기 마이크로 LED를 비접촉 상태에서 흡착하고,
    상기 다공질 부재 및 상기 관통홀을 통과하여 상기 마이크로 LED의 주변으로 분출되는 기체는 상기 마이크로 LED의 수평 변위를 제한하는 에어커튼부를 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  10. 관통홀이 형성된 유속 저항부; 및
    상기 유속 저항부를 통과하여 마이크로 LED를 향하여 분출되는 기체의 제2분출속도보다 더 큰 제1분출속도를 갖도록 상기 관통홀에 기체를 공급하는 유속 증가부를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  11. 기공을 갖는 다공성 부재; 및
    감압챔버와 연통되며 상기 다공성 부재를 관통하여 형성되는 감압라인;를 포함하는 마이크로 LED 흡착체로서,
    상기 다공성 부재를 통하여 기체를 분출하여 마이크로 LED와 상기 다공성 부재 사이에 기체 쿠션을 형성하고,
    상기 감압라인을 통하여 상기 기체 쿠션으로부터 기체를 흡입하여 상기 마이크로 LED와 상기 다공성 부재 사이에 음압을 형성하여 상기 마이크로 LED를 비접촉 상태에서 흡착하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  12. 기공을 갖는 다공성 부재; 및
    압력챔버와 연통되며 상기 다공성 부재를 관통하여 형성되는 압력라인;를 포함하는 마이크로 LED 흡착체로서,
    상기 압력라인를 통하여 기체를 분출하여 마이크로 LED와 상기 다공성 부재 사이에 기체 쿠션을 형성하고,
    상기 다공성 부재를 통하여 상기 기체 쿠션으로부터 기체를 흡입하여 상기 마이크로 LED와 상기 다공성 부재 사이에 음압을 형성하여 상기 마이크로 LED를 비접촉 상태에서 흡착하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 다공성 부재의 표면에는 상기 마이크로 LED의 수평 변위를 제한하는 가이드부가 구비된 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 가이드부는,
    가이드 경사면이 구비된 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 흡착체.

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