CN111223506A - 基于自旋轨道矩的mram存储单元及存储阵列 - Google Patents

基于自旋轨道矩的mram存储单元及存储阵列 Download PDF

Info

Publication number
CN111223506A
CN111223506A CN201811424809.1A CN201811424809A CN111223506A CN 111223506 A CN111223506 A CN 111223506A CN 201811424809 A CN201811424809 A CN 201811424809A CN 111223506 A CN111223506 A CN 111223506A
Authority
CN
China
Prior art keywords
spin
tunnel junction
magnetic tunnel
layer
orbit torque
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811424809.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111223506B (zh
Inventor
何世坤
刘少鹏
熊保玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETHIK Group Ltd
Hikstor Technology Co Ltd
Original Assignee
CETHIK Group Ltd
Hikstor Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETHIK Group Ltd, Hikstor Technology Co Ltd filed Critical CETHIK Group Ltd
Priority to CN201811424809.1A priority Critical patent/CN111223506B/zh
Publication of CN111223506A publication Critical patent/CN111223506A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111223506B publication Critical patent/CN111223506B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
    • G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种基于自旋轨道矩的MRAM存储单元及存储阵列。存储单元包括：自旋轨道矩提供线、磁隧道结、选择器以及晶体管，磁隧道结自由层一侧接触自旋轨道矩提供线，固定层一侧与选择器的一端连接，该连接端作为存储单元的第一引出端，选择器的另一端与自旋轨道矩提供线连接，连接点位于磁隧道结接触点的一侧；晶体管的漏极连接至自旋轨道矩提供线长度方向上的一端，且连接点位于磁隧道结接触点的另一侧，晶体管的源极作为存储单元的第二引出端，晶体管的栅极作为存储单元的第三引出端；其中，第一引出端用于连接位线，第二引出端用于连接源线，第三引出端用于连接字线。本发明能够简化存储单元结构，节省存储单元的面积。

Description

基于自旋轨道矩的MRAM存储单元及存储阵列
技术领域
本发明涉及磁存储器技术领域，尤其涉及一种基于自旋轨道矩的MRAM存储单元及存储阵列。
背景技术
磁存储器(Magnetic Random Access Memory，简称MRAM)的存储单元的核心部分是磁隧道结MTJ，MTJ是一个由多层膜组成的两端口结构器件，其核心部分主要由三层薄膜组成，两个铁磁层被一个隧穿势垒层分隔开，其中一个铁磁层的磁化方向是固定不变的，被称为固定层或者参考层，另一个铁磁层的磁化方向可以改变，被称为自由层。
最初的磁存储器，对MTJ的写入操作依赖于固定层对自由层的自旋转移力矩，需要在MTJ两端施加较大电压，重复操作会对势垒层造成损伤，从而降低MTJ的耐久性。为了提高MTJ的寿命，出现了一种利用自旋轨道矩效应(spin orbit torque，SOT)的磁存储器，通过在MTJ的自由层下方增加一条具备自旋轨道矩效应的薄膜材料(如重金属)，流经重金属薄膜的薄膜面内电流能产生纵向自旋流，产生力矩以驱动自由层的磁化翻转。基于自旋轨道矩的磁存储器具有读写分离，读信息基于MTJ的隧道磁电阻TMR。信息写入基于自旋轨道矩(包括但不限于自旋霍尔效应，Rashba效应)，只需在自由层底部的一条写入线中通过电流即可。写电流不经过MTJ，不会导致MTJ的耐久性问题。
如图1所示，为现有自旋轨道矩MRAM存储单元(也称为位元，BitCell)的一种电路结构示意图，存储单元中包括两个晶体管，分别用于控制读和写。读操作时，打开RWL上的晶体管，电流通过MTJ。写操作时，打开WWL上的晶体管，电流通过自旋轨道矩提供线。该存储单元设置有SL(源线)，BL(位线)，WWL(写字线)，RWL(读字线)四条金属线。如图2所示。为现有自旋轨道矩MRAM存储单元的一种实际物理结构示意图。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下技术问题：
现有自旋轨道矩MRAM存储单元金属线较多，连接复杂，导致存储单元的面积较大。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种基于自旋轨道矩的MRAM存储单元及存储阵列，电路结构更简单，物理实现时能够节省存储单元的面积。
第一方面，本发明提供一种基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，包括：自旋轨道矩提供线、磁隧道结、选择器以及晶体管，所述磁隧道结自由层一侧接触所述自旋轨道矩提供线，固定层一侧与所述选择器的一端连接，该连接端作为存储单元的第一引出端，所述选择器的另一端与所述自旋轨道矩提供线连接，连接点位于磁隧道结接触点的一侧；
所述晶体管的漏极连接至所述自旋轨道矩提供线长度方向上的一端，且连接点位于磁隧道结接触点的另一侧，所述晶体管的源极作为存储单元的第二引出端，所述晶体管的栅极作为存储单元的第三引出端；
其中，所述第一引出端用于连接位线，所述第二引出端用于连接源线，所述第三引出端用于连接字线。
可选地，在物理实现时，所述选择器处于所述磁隧道结的上层，二者通过金属互联工艺实现电连接。
可选地，所述磁隧道结自由层和所述自旋轨道矩提供线之间还包括一层非磁性层，用于改善自旋流穿透界面的效率或者辅助自由层获得更优的晶体结构及磁性能。
可选地，所述自旋轨道矩提供线的材料为重金属、拓扑绝缘体或者反铁磁合金。
可选地，所述选择器具有双向导通功能，导通阈值电压介于0.05V-1V之间。
可选地，所述选择器的材料为CuGeSe或者HfO。
可选地，所述磁隧道结的磁化方向处于所述自旋轨道矩提供线和所述磁隧道结界面面内，并且与所述自旋轨道矩提供线的长度方向平行或者具有一个小于30度的夹角。
可选地，所述磁隧道结还包括一垂直磁化层，位于固定层的上层，磁化方向为垂直于所述自旋轨道矩提供线和所述磁隧道结界面方向，所述垂直磁化层用于为自由层提供垂直方向的偏置磁场，所述垂直磁化层和固定层之间还具有一层非磁性金属，用于隔离所述垂直磁化层和固定层。
可选地，所述磁隧道结的磁化方向为垂直于所述自旋轨道矩提供线和所述磁隧道结界面方向。
可选地，所述磁隧道结还包括一水平磁化层，位于固定层的上层，磁化方向位于所述自旋轨道矩提供线和所述磁隧道结界面面内，所述水平磁化层用于为自由层提供水平方向的偏置磁场，所述水平磁化层和固定层之间还具有一层非磁性金属，用于隔离所述水平磁化层和固定层。
第二方面，本发明提供一种MRAM存储阵列，所述MRAM存储阵列包括多条位线、多条源线、多条字线以及多个上述基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，每个MRAM存储单元的第一引出端连接其中一条位线，第二引出端连接其中一条源线，第三引出端连接其中一条字线。
本发明提供的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，在电路结构上只需要一个晶体管，相对于现有技术，省掉了RWL金属线及其对应的晶体管，结构更简单，同时按照现有的设计规则限制，在物理实现时，能够省掉一条金属线条Metal宽度、1个连接孔(Via)大小以及Via与Metal间距离。在28纳米节点下，至少节省80nm的宽度，因此，本发明能够节省存储单元的面积，提高器件密度。
附图说明
图1为现有自旋轨道矩MRAM存储单元的电路结构示意图；
图2为现有自旋轨道矩MRAM存储单元的物理结构示意图；
图3为本发明的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元的一个实施例的电路结构示意图；
图4为本发明的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元的一个实施例的物理结构示意图；
图5为本发明的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元的读操作过程；
图6为本发明的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元的写第一状态的过程；
图7为本发明的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元的写第二状态的过程；
图8为本发明的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元的磁隧道结一种实现形式；
图9为本发明的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元的磁隧道结另一种实现形式；
图10为本发明的MRAM存储阵列的一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，如图3所示，存储单元包括：自旋轨道矩提供线11、磁隧道结12、选择器13以及晶体管14，磁隧道结12自由层一侧接触自旋轨道矩提供线11，固定层一侧与选择器13的一端连接，该连接端作为存储单元的第一引出端，选择器13的另一端与自旋轨道矩提供线11连接，连接点位于磁隧道结接触点的一侧；
晶体管14的漏极连接至自旋轨道矩提供线11长度方向上的一端，且连接点位于磁隧道结接触点的另一侧，晶体管14的源极作为存储单元的第二引出端，晶体管14的栅极作为存储单元的第三引出端；
其中，第一引出端用于连接位线BL，第二引出端用于连接源线SL，第三引出端用于连接字线WL。
分析图3的结构可知，自旋轨道矩提供线11的长度大于磁隧道结12的特征长度，并且线电阻远小于MTJ电阻，选择器13相当于一个双向导通开关，用于控制存储单元的读写。磁隧道结12和选择器13为电学并联关系。另外说明的是，磁隧道结12自由层和自旋轨道矩提供线11之间还包括一层非磁性层，用于改善自旋流穿透界面的效率或者辅助自由层获得更优的晶体结构及磁性能。非磁性层的材料为Mo或者Ir等。
在物理实现时，理论上选择器13和磁隧道结12应处在同一层，考虑到选择器13和磁隧道结12处在同一层可能工艺加工上有困难，因此，选择器13和磁隧道结12物理实现上不需要处于同一层，可以是选择器13处于磁隧道结12的上层，二者通过金属互联(铜互联工艺)实现对应电路连接。图4为本发明的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元的一种物理结构示意图，该物理结构中选择器13与磁隧道结12处于同一层。
分析图4可以发现，本发明实施例提供的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，在电路结构上只需要一个晶体管，相对于现有技术，省掉了RWL金属线及其对应的晶体管，结构更简单，同时按照现有的设计规则限制，在物理实现时，能够省掉一条金属线条Metal宽度、1个连接孔(Via)大小以及Via与Metal间距离。在28纳米节点下，至少节省80nm的宽度，因此，本发明能够节省存储单元的面积，提高器件密度。
进一步地，自旋轨道矩提供线11可以选择的材料有：重金属，如Pt，Ta，W，Ir，Hf，Ru，Tl，Bi，Au，Os，拓扑绝缘体BiSe合金，如Bi2Se3，BiTe合金，BiSeTe合金，TlBiSe，或者反铁磁合金，如PtMn，IrMn等。
选择器13具有双向导通功能(可双向开启，既可以在正向电压下开启，也可以在负向电压下开启，只要满足施加电压大于开启电压)，导通阈值电压Vth(开启电压)高于MTJ读电压，同时低于MTJ利用传统自旋转移力矩效应(STT)写入时的写入电压，一般介于0.05V-1V之间。即选择器13在读操作时关断，在写操作时开启，用于实现控制存储单元读写。选择器13的材料可以为CuGeSe或者HfO等材料，也可以是传统的双向二极管。
如图5所示，展示了本发明的存储单元的读操作过程。晶体管14用于选中要读写的存储单元。读取信息时，WL加压，开启晶体管14；BL上施加读电压Vr小于选择器开启电压Vth，选择器13关断，读电流只通过MTJ，读取MTJ的电阻并获取信息。MTJ低电阻态：第一状态，MTJ高电阻态：第二状态
图6和图7分别展示了本发明的存储单元的写入两种数据状态的操作过程。如图6所示，BL上加写电压(+Vw1)，电压大于选择器的开启电压Vth，(Vw1>Vth)，电流通过选择器进入自旋轨道矩提供线，并改变自由层状态为A状态。A状态为第一或第二状态。该过程中选择器与MTJ两端压降显著低于MTJ的击穿电压，MTJ中流过较小电流，可以辅助提供自旋转移力矩(STT)，但不会对MTJ的耐久性造成影响。
如图7所示，BL上加写电压(-Vw2)，电压大于选择器的开启电压Vth，(Vw2>Vth)，电流通过自旋轨道矩提供线进入选择器，并改变自由层状态为B状态。B为第二或第一状态。该过程中选择器与MTJ两端压降显著低于MTJ的击穿电压，MTJ中流过较小电流，可以辅助提供自旋转移力矩(STT)，但不会对MTJ的耐久性造成影响。
写入过程中也可以对SL施加电压，BL接地，只要满足上述相对电压大小关系即可。
对于存储单元的核心器件磁隧道结MTJ，可以采取多种的结构形式，可参考图8和图9。图8a中，磁隧道结MTJ自由层和固定层的磁化方向处于自旋轨道矩提供线和磁隧道结界面面内，并且与自旋轨道矩提供线的长度方向平行或者具有一个小于30度的夹角。图8b中，磁隧道结MTJ在固定层的上方还包括一垂直磁化层，磁化方向为垂直于自旋轨道矩提供线和磁隧道结界面方向，用于为自由层提供垂直方向的偏置磁场，实现自旋轨道矩确定性翻转。另外，垂直磁化层和固定层之间可以设置一层或多层非磁性金属，用于隔离垂直磁化层和固定层。
图9a中，磁隧道结MTJ自由层和固定层的磁化方向为垂直于自旋轨道矩提供线和磁隧道结界面方向。图9b中，磁隧道结MTJ在固定层的上方还包括一水平磁化层，磁化方向位于自旋轨道矩提供线和磁隧道结界面面内，用于为自由层提供水平方向的偏置磁场，实现自旋轨道矩的确定性翻转。另外，水平磁化层和固定层之间可以设置一层或多层非磁性金属，用于隔离水平磁化层和固定层。
本发明实施例还提供一种MRAM存储阵列，所述MRAM存储阵列包括：多条位线、多条源线、多条字线以及多个上述实施例的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，每个所述MRAM存储单元的第一引出端连接其中一条位线，第二引出端连接其中一条源线，第三引出端连接其中一条字线。如图10所示，为一个3X3的MRAM存储阵列示意图。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，其特征在于，包括：自旋轨道矩提供线、磁隧道结、选择器以及晶体管，所述磁隧道结自由层一侧接触所述自旋轨道矩提供线，固定层一侧与所述选择器的一端连接，该连接端作为存储单元的第一引出端，所述选择器的另一端与所述自旋轨道矩提供线连接，连接点位于磁隧道结接触点的一侧；
所述晶体管的漏极连接至所述自旋轨道矩提供线长度方向上的一端，且连接点位于磁隧道结接触点的另一侧，所述晶体管的源极作为存储单元的第二引出端，所述晶体管的栅极作为存储单元的第三引出端；
其中，所述第一引出端用于连接位线，所述第二引出端用于连接源线，所述第三引出端用于连接字线。
2.根据权利要求1所述的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，其特征在于，在物理实现时，所述选择器处于所述磁隧道结的上层，二者通过金属互联工艺实现电连接。
3.根据权利要求1所述的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，其特征在于，所述磁隧道结自由层和所述自旋轨道矩提供线之间还包括一层非磁性层，用于改善自旋流穿透界面的效率或者辅助自由层获得更优的晶体结构及磁性能。
4.根据权利要求1所述的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，其特征在于，所述自旋轨道矩提供线的材料为重金属、拓扑绝缘体或者反铁磁合金。
5.根据权利要求1所述的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，其特征在于，所述选择器具有双向导通功能，导通阈值电压介于0.05V-1V之间。
6.根据权利要求1所述的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，其特征在于，所述选择器的材料为CuGeSe或者HfO。
7.根据权利要求1所述的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，其特征在于，所述磁隧道结的磁化方向处于所述自旋轨道矩提供线和所述磁隧道结界面面内，并且与所述自旋轨道矩提供线的长度方向平行或者具有一个小于30度的夹角。
8.根据权利要求7所述的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，其特征在于，所述磁隧道结还包括一垂直磁化层，位于固定层的上层，磁化方向为垂直于所述自旋轨道矩提供线和所述磁隧道结界面方向，所述垂直磁化层用于为自由层提供垂直方向的偏置磁场，所述垂直磁化层和固定层之间还具有一层非磁性金属，用于隔离所述垂直磁化层和固定层。
9.根据权利要求1所述的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，其特征在于，所述磁隧道结的磁化方向为垂直于所述自旋轨道矩提供线和所述磁隧道结界面方向。
10.根据权利要求9所述的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，其特征在于，所述磁隧道结还包括一水平磁化层，位于固定层的上层，磁化方向位于所述自旋轨道矩提供线和所述磁隧道结界面面内，所述水平磁化层用于为自由层提供水平方向的偏置磁场，所述水平磁化层和固定层之间还具有一层非磁性金属，用于隔离所述水平磁化层和固定层。
11.一种MRAM存储阵列，其特征在于，包括多条位线、多条源线、多条字线以及多个如权利要求1至10中任一项所述的基于自旋轨道矩的MRAM存储单元，每个MRAM存储单元的第一引出端连接其中一条位线，第二引出端连接其中一条源线，第三引出端连接其中一条字线。
CN201811424809.1A 2018-11-27 2018-11-27 基于自旋轨道矩的mram存储单元及存储阵列 Active CN111223506B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811424809.1A CN111223506B (zh) 2018-11-27 2018-11-27 基于自旋轨道矩的mram存储单元及存储阵列

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811424809.1A CN111223506B (zh) 2018-11-27 2018-11-27 基于自旋轨道矩的mram存储单元及存储阵列

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111223506A true CN111223506A (zh) 2020-06-02
CN111223506B CN111223506B (zh) 2021-08-20

Family

ID=70830356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811424809.1A Active CN111223506B (zh) 2018-11-27 2018-11-27 基于自旋轨道矩的mram存储单元及存储阵列

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111223506B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112199041A (zh) * 2020-09-24 2021-01-08 浙江驰拓科技有限公司 存储元件、存储电路、数据存取方法及数据存取装置
CN117500282A (zh) * 2024-01-02 2024-02-02 致真存储(北京)科技有限公司 磁存储器及其制备方法、电子设备
CN117500281A (zh) * 2024-01-02 2024-02-02 致真存储(北京)科技有限公司 磁存储器及其制备方法、电子设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180033954A1 (en) * 2016-03-17 2018-02-01 Cornell University Nanosecond-timescale low-error switching of 3-terminal magnetic tunnel junction circuits through dynamic in-plane-field assisted spin-hall effect
CN107689416A (zh) * 2016-08-04 2018-02-13 株式会社东芝 磁存储器
JP2018098468A (ja) * 2016-12-16 2018-06-21 株式会社東芝 磁気メモリ
CN108538328A (zh) * 2018-03-07 2018-09-14 北京航空航天大学 一种磁性存储器的数据写入方法
US20180285723A1 (en) * 2017-04-03 2018-10-04 Gyrfalcon Technology Inc. Memory subsystem in cnn based digital ic for artificial intelligence

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180033954A1 (en) * 2016-03-17 2018-02-01 Cornell University Nanosecond-timescale low-error switching of 3-terminal magnetic tunnel junction circuits through dynamic in-plane-field assisted spin-hall effect
CN107689416A (zh) * 2016-08-04 2018-02-13 株式会社东芝 磁存储器
JP2018098468A (ja) * 2016-12-16 2018-06-21 株式会社東芝 磁気メモリ
US20180285723A1 (en) * 2017-04-03 2018-10-04 Gyrfalcon Technology Inc. Memory subsystem in cnn based digital ic for artificial intelligence
CN108538328A (zh) * 2018-03-07 2018-09-14 北京航空航天大学 一种磁性存储器的数据写入方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112199041A (zh) * 2020-09-24 2021-01-08 浙江驰拓科技有限公司 存储元件、存储电路、数据存取方法及数据存取装置
CN117500282A (zh) * 2024-01-02 2024-02-02 致真存储(北京)科技有限公司 磁存储器及其制备方法、电子设备
CN117500281A (zh) * 2024-01-02 2024-02-02 致真存储(北京)科技有限公司 磁存储器及其制备方法、电子设备
CN117500282B (zh) * 2024-01-02 2024-04-02 致真存储(北京)科技有限公司 磁存储器及其制备方法、电子设备
CN117500281B (zh) * 2024-01-02 2024-04-12 致真存储(北京)科技有限公司 磁存储器及其制备方法、电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN111223506B (zh) 2021-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6280195B1 (ja) 磁気メモリ
US9324402B2 (en) High density low power GSHE-STT MRAM
CN110660420B (zh) Mram存储单元
EP1593126B1 (en) Mram architecture for low power consumption and high selectivity
US7835210B2 (en) Magnetic random access memory and data read method of the same
US8514605B2 (en) MRAM diode array and access method
US8711608B2 (en) Memory with separate read and write paths
CN110660435B (zh) Mram存储器单元、阵列及存储器
KR20150130980A (ko) 스핀 홀 mtj 디바이스들을 갖는 교차점 어레이 mram
CN104393169A (zh) 一种无需外部磁场的自旋轨道动量矩磁存储器
US7154773B2 (en) MRAM cell with domain wall switching and field select
US8531876B2 (en) Unipolar spin-transfer switching memory unit
KR20000017086A (ko) 비휘발성 자기 메모리 셀 및 디바이스
US6392924B1 (en) Array for forming magnetoresistive random access memory with pseudo spin valve
CN111223506B (zh) 基于自旋轨道矩的mram存储单元及存储阵列
CN110544499B (zh) 静态随机存取存储器结构
US20140252438A1 (en) Three-Dimensional Magnetic Random Access Memory With High Speed Writing
JP5488833B2 (ja) Ｍｒａｍ混載システム
JP5146846B2 (ja) 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
JP2003332535A (ja) 半導体記憶装置
JP3884399B2 (ja) 磁気記憶装置
JPH1186528A (ja) 磁気記憶装置
JPWO2009044609A1 (ja) 磁気抵抗記憶素子、磁気抵抗記憶装置及び磁気抵抗記憶装置の動作方法
JPWO2007049353A1 (ja) 磁気メモリ装置及びその書き込み方法
JP2001101859A (ja) 磁気記憶装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant