CN111200912A - 一种改善精度的精细线路制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种改善精度的精细线路制作方法，工艺流程如下：步骤A：对待线路制作的基板铜表面进行微蚀处理；步骤B：在铜表面真空贴膜；步骤C：将线路图形曝光转移到干膜上；步骤D：将干膜图形显影出；步骤E：烘干；步骤F：等离子处理去除线距S处干膜根部边缘残；步骤G：真空蚀刻去除基材上无干膜覆盖处的铜层，然后脱膜去除干膜层，显现出线路图形。采用本发明可以制作线宽公差±20μm以下、±10μm以上的精细线路，提高精细线路的精度，提升线路制作良率。

Description

一种改善精度的精细线路制作方法
技术领域
本发明涉及柔性电路板的技术领域，特别是指一种改善精度的精细线路制作方法。
背景技术
随着电子产品的高速发展趋势，作为元器件支撑体与传输电信号载体的柔性电路板也逐渐朝向微型化、轻量化、高密度与多功能化方向发展，因此，对柔性电路板的性能提出更高的要求，特别是线路的精度要求越来越高，即线宽公差要求越来越小，而现有常规线路蚀刻工艺，线宽公差为±30μm，较好的为±20μm，对于高精度细线路的线宽公差要求在±20μm以下，因此需要对精细线路的制作工艺进行研究优化改善。
有鉴于此，本设计人针对柔性线路板的精细线路制作工艺上未臻完善所导致的诸多缺失与不便深入构思，且积极研究改良试做而开发设计出本发明。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种改善精度的精细线路制作方法。
为了达成上述目的，本发明的解决方案是：
一种改善精度的精细线路制作方法，工艺流程如下：
步骤A：微蚀处理，在待线路制作的基板进行铜表面微蚀处理，微蚀粗化和清洁铜表面，提高铜表面与干膜的结合力；
步骤B：真空贴膜，在铜表面上真空压合干膜，干膜的厚度为10-30μm；
步骤C：线路曝光，将线路图形曝光转移到干膜上，采用LDI曝光机曝光或平行曝光机和玻璃菲林曝光，21阶曝光尺，曝光能量等级为5-8；
步骤D：干膜显影，将干膜图形显影出，显影点为50-70％；
步骤E：烘干，烘干板子上水分，烘干温度80-120℃，烘干时间15-45min；
步骤F：等离子处理，等离子处理去除线距S处干膜根部边缘残，使干膜边缘整齐，改善蚀刻时线路毛边不良，提高线路精度；
步骤G：蚀刻脱膜，真空蚀刻去除基材上无干膜覆盖处的铜层，然后脱膜去除干膜层，显现出线路图形。
进一步，步骤A微蚀处理中，微蚀量为0.3-0.8μm。
进一步，步骤B真空贴膜中，干膜厚度为15或20μm，干膜解析度≤35μm。
进一步，步骤C线路曝光中，曝光能量等级为6。
进一步，步骤D干膜显影中，显影点为65％。
进一步，步骤E烘干中，烘干温度100℃，烘干时间30min。
进一步，步骤F等离子处理中，等离子工艺气体为氮气、氧气和四氟化碳。
进一步，步骤G蚀刻脱膜，蚀刻均匀性≥95。
采用上述方案后，本发明采用微蚀处理和真空贴膜工艺，提高干膜与铜面的结合力；采用LDI曝光机曝光或平行曝光机和玻璃菲林曝光，完成精细线路图形转移；在显影步骤后，采用烘干和等离子处理工艺，除去干膜根部边缘残胶，改善蚀刻时线路毛边不良，提高线路精度；采用真空蚀刻工艺，完成线路图形蚀刻，改善蚀刻时水池效应，提高蚀刻因子；采用本发明可以制作线宽公差±20μm以下、±10μm以上的精细线路，提高精细线路的精度，提升线路制作良率。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图。
图2为待线路制作的基板结构示意图。
图3为本发明步骤B(真空贴膜)后的结构示意图。
图4A为本发明步骤D(干膜显影)后的结构示意图。
图4B为本发明步骤D(干膜显影)后的平面示意图。
图5A为本发明步骤F(等离子处理)后的结构示意图。
图5B为本发明步骤F(等离子处理)后的平面示意图。
图6A为本发明步骤G(蚀刻脱模)后的结构示意图。
图6B为本发明步骤G(蚀刻脱模)后的平面示意图。
具体实施方式
为了进一步解释本发明的技术方案，下面通过具体实施例来对本发明进行详细阐述。
如图1所示，本发明是一种改善精度的精细线路制作方法，工艺流程如下：
步骤A：微蚀处理，在待线路制作的基板1进行铜表面微蚀处理，微蚀粗化和清洁铜表面，提高铜表面与干膜的结合力，基板如图2所示；
步骤B：真空贴膜，在铜表面上真空压合干膜2，干膜2的厚度为10-30μm，如图3所示；
步骤C：线路L曝光，将线路图形曝光转移到干膜2上，采用LDI曝光机曝光或平行曝光机和玻璃菲林曝光，21阶曝光尺，曝光能量等级为5-8；
步骤D：干膜显影，将干膜图形显影出，显影点为50-70％，如图4A和图4B所示；
步骤E：烘干，烘干板子上水分，烘干温度80-120℃，烘干时间15-45min；
步骤F：等离子处理，等离子处理去除线距S处干膜根部边缘残胶21，使干膜边缘整齐，改善蚀刻时线路毛边不良，提高线路精度，如图5A和图5B所示；
步骤G：蚀刻脱膜，真空蚀刻去除基材11上无干膜覆盖处的铜层12，然后脱膜去除干膜层，显现出线路图形，如图6A和图6B所示。
进一步，步骤A(微蚀处理)中，微蚀量为0.3-0.8μm。
进一步，步骤B(真空贴膜)中，干膜厚度为15或20μm，干膜解析度≤35μm。
进一步，步骤C(线路曝光)中，曝光能量等级为6。
进一步，步骤D(干膜显影)中，显影点为65％。
进一步，步骤E(烘干)中，烘干温度100℃，烘干时间30min。
进一步，步骤F(等离子处理)中，等离子工艺气体为氮气、氧气和四氟化碳。
进一步，步骤G(蚀刻脱膜)，蚀刻均匀性≥95。
采用上述方案后，本发明采用微蚀处理和真空贴膜工艺，提高干膜与铜面的结合力；采用LDI曝光机曝光或平行曝光机和玻璃菲林曝光，完成精细线路图形转移；在显影步骤后，采用烘干和等离子处理工艺，除去干膜根部边缘残胶，改善蚀刻时线路毛边不良，提高线路精度；采用真空蚀刻工艺，完成线路图形蚀刻，改善蚀刻时水池效应，提高蚀刻因子；采用本发明可以制作线宽公差±20μm以下、±10μm以上的精细线路，提高精细线路的精度，提升线路制作良率。
上述实施例和图式并非限定本发明的产品形态和式样，任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本发明的专利范畴。

Claims (8)

1.一种改善精度的精细线路制作方法，其特征在于，工艺流程如下：
步骤A：微蚀处理，在待线路制作的基板进行铜表面微蚀处理，微蚀粗化和清洁铜表面；
步骤B：真空贴膜，在铜表面上真空压合干膜，干膜的厚度为10-30μm；
步骤C：线路曝光，将线路图形曝光转移到干膜上，采用LDI曝光机曝光或平行曝光机和玻璃菲林曝光，21阶曝光尺，曝光能量等级为5-8；
步骤D：干膜显影，将干膜图形显影出，显影点为50-70％；
步骤E：烘干，烘干板子上水分，烘干温度80-120℃，烘干时间15-45min；
步骤F：等离子处理，等离子处理去除线距S处干膜根部边缘残；
步骤G：蚀刻脱膜，真空蚀刻去除基材上无干膜覆盖处的铜层，然后脱膜去除干膜层，显现出线路图形。
2.如权利要求1所述的一种改善精度的精细线路制作方法，其特征在于：步骤A微蚀处理中，微蚀量为0.3-0.8μm。
3.如权利要求1所述的一种改善精度的精细线路制作方法，其特征在于：步骤B真空贴膜中，干膜厚度为15或20μm，干膜解析度≤35μm。
4.如权利要求1所述的一种改善精度的精细线路制作方法，其特征在于：步骤C线路曝光中，曝光能量等级为6。
5.如权利要求1所述的一种改善精度的精细线路制作方法，其特征在于：步骤D干膜显影中，显影点为65％。
6.如权利要求1所述的一种改善精度的精细线路制作方法，其特征在于：步骤E烘干中，烘干温度100℃，烘干时间30min。
7.如权利要求1所述的一种改善精度的精细线路制作方法，其特征在于：步骤F等离子处理中，等离子工艺气体为氮气、氧气和四氟化碳。
8.如权利要求1所述的一种改善精度的精细线路制作方法，其特征在于：步骤G蚀刻脱膜，蚀刻均匀性≥95。
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