CN111195770B - 剥离层状结构的方法与设备以及修复有机发光装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种剥离层状结构的方法与设备以及修复有机发光装置的方法。根据示范性实施例的剥离层状结构的方法包含：提供包括具有第一层的第一单元结构和具有第二层的第二单元结构的层状结构，第二层具有不同于第一层的热膨胀系数；通过在至少一部分区域处发射激光将热能传输到层状结构的表面的至少一部分区域；以及通过因热能所致的第一单元结构与第二单元结构的热膨胀之间的差异从第一单元结构剥离第二单元结构的至少部分。

Description

剥离层状结构的方法与设备以及修复有机发光装置的方法
技术领域
本公开涉及一种剥离层状结构的方法、修复有机发光装置(organic light-emitting device；OLED)的方法以及用于剥离层状结构的设备。更确切地说，本公开涉及一种剥离层状结构的方法、修复OLED的方法以及用于剥离层状结构的设备，通过在层状结构的表面处发射激光来剥离层状结构的部分。
背景技术
在各种领域(如液晶显示器(liquid crystal display；LCD)、有机发光二极管(organic light-emitting diode；OLED)、等离子显示面板(plasmadisplaypanel；PDP)、发光二极管(light-emitting diode；LED)、半导体以及二次电池组电极)中利用由多个层构成的层状结构已制成许多产品，且开发相关技术。层状结构基本上用于各种领域。然而，粒子或外来物质在层状结构的制造中出现于构成包括多个层的层状结构的层合物之间，使得缺陷会在所制造层状结构中出现。此外，可能需要在制造产品的过程期间剥离层合物。使用物理或化学法的层合物的剥离影响层合物的周边，且缺陷由此出现于其中。当由外来物质或类似物导致的缺陷出现时，在现有技术中，直接破坏外来物质，或舍弃缺陷性层合物结构。
举例来说，由于有机发光装置具有外部湿气或氧气所致的劣化的特征，OLED需要通过使用薄膜包封层或类似物来密封以保护OLED免于外部湿气或氧气。然而，随着用于制造形成有机发光装置基座的面板的玻璃的大小近来增大，在所述过程期间出现因粒子或热变形所致的缺陷性面板的机率正增大。在沉积用于防止湿气渗透过有机发光装置的薄膜包封层的过程中形成的粒子导致针孔，且当湿气从其穿过时，导致薄膜包封层的提升(或隆起)。当在后处理的转移或激光剥离(laserlift-off；LLO)过程期间所述提升导致破坏薄膜包封层时，破坏的薄膜包封层的残余物附着到相邻正常单元，且缺陷由此出现于其中。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1：韩国专利公开案第10-2013-0134467号
发明内容
本公开提供剥离层状结构的方法和设备，所述方法和设备在层状结构的表面处发射激光以引起热膨胀之间的差异，进而剥离层状结构的部分。
本公开还提供修复有机发光装置(OLED)的方法，所述方法在OLED结构的表面处发射激光以引起热膨胀之间的差异，进而从OLED结构剥离具有缺陷的薄膜包封层。
根据示范性实施例，剥离层状结构的方法包含：提供包括具有第一层的第一单元结构和具有第二层的第二单元结构的层状结构，第二层具有不同于第一层的热膨胀系数；通过在至少一部分区域处发射激光将热能传输到层状结构的表面的至少一部分区域；以及通过因热能所致的第一单元结构与第二单元结构的热膨胀之间的差异从第一单元结构剥离第二单元结构的至少部分。
方法可进一步包含通过沿至少一部分区域的边缘发射激光来确定剥离区。
方法可进一步包含改变在剥离区的确定或热能的传输中所用的激光的累积能量。
在剥离区的确定中所用的激光的累积能量可高于在热能的传输中所用的激光的累积能量。
累积能量的改变可包含：调整在层状结构的表面处发射的激光的能量密度；和/或调整在层状结构的表面处发射的激光的发射重叠率。
在热能的传输中所用的激光可以是连续激光，且在剥离区的确定中所用的激光可以是脉冲激光；或在热能的传输中所用的激光可以是具有第一脉宽的脉冲激光，且在剥离区的确定中所用的激光可以是具有第二脉宽的脉冲激光，第二脉宽短于第一脉宽。
根据另一示范性实施例，修复有机发光装置(OLED)的方法包含：提供包含以下的OLED结构：有机发光层合物、设置于有机发光层合物上以改善光学特征的覆盖层以及形成于覆盖层上以防止湿气渗透的薄膜包封层；检查在薄膜包封层中形成的缺陷；通过在至少一部分区域处发射激光将热能传输到具有所检查缺陷的OLED结构的表面的至少一部分区域；以及通过因热能所致的覆盖层与薄膜包封层的不同热膨胀之间的差异从覆盖层剥离薄膜包封层的至少部分。
可将OLED结构设置为多个OLED结构，且多个OLED结构中的每一个可通过设置于多个OLED结构之间的分隔部分独立地设置。
覆盖层可由氟化物形成，且具有交替地层合的有机层和无机层的薄膜包封层的最下部层可由无机层形成。
方法可进一步包含通过沿具有缺陷的OLED结构的某一区域的边缘发射激光来确定剥离区。
方法可进一步包含改变在剥离区的确定或热能的传输中所用的激光的累积能量。
在剥离区的确定中所用的激光的累积能量可高于在热能的传输中所用的激光的累积能量。
累积能量的改变可包含：调整在OLED结构的表面处发射的激光的能量密度；和/或调整在OLED结构的表面处发射的激光的重叠率。
在热能的传输中所用的激光可以是连续激光，且在剥离区的确定中所用的激光是脉冲激光；或在热能的传输中所用的激光可以是具有第一脉宽的脉冲激光，且在剥离区的确定中所用的激光是具有第二脉宽的脉冲激光，第二脉宽短于第一脉宽。
根据又一示范性实施例，用于剥离层状结构的设备包含：支撑件，配置成支撑包含具有第一层的第一单元结构和具有第二层的第二单元结构的层状结构，第二层具有不同于第一层的热膨胀系数；模式选择单元，配置成选择多个发射模式中的任一个，在所述多个发射模式中激光的累积能量彼此不同；控制单元，配置成根据由模式选择单元选择的模式来产生激光控制信号；以及激光发射单元，配置成通过接收激光控制信号来在层状结构的表面处发射具有对应于所选模式的累积能量的激光，其中多个发射模式包括剥离模式，且当模式选择单元选择剥离模式时，激光发射单元通过在层状结构的表面的至少一部分区域处发射激光将热能传输到至少一部分区域，从而通过因热能所致的第一单元结构与第二单元结构的热膨胀之间的差异从第一单元结构剥离第二单元结构的至少部分。
多个发射模式可进一步包含剥离区确定模式，其中累积能量高于在剥离模式中所用的激光的累积能量。
激光发射单元可通过当选择剥离区确定模式时沿至少一部分区域的边缘发射激光来去除第二单元结构的边缘。
控制单元可包含累积能量改变单元，所述累积能量改变单元配置成根据多个发射模式来改变激光的累积能量。
累积能量改变单元可包含：能量密度改变单元，配置成改变在激光吸收表面处发射的激光的能量密度；和/或发射重叠率改变单元，配置成改变在激光吸收表面处发射的激光的发射重叠率。
在剥离模式中所用的激光可以是连续激光，且在剥离区确定模式中所用的激光可以是脉冲激光；或在剥离模式中所用的激光可以是具有第一脉宽的脉冲激光，且在剥离区确定模式中所用的激光可以是具有第二脉宽的脉冲激光，第二脉宽短于第一脉宽。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述可更详细地理解示范性实施例，在所述附图中：
图1是说明根据示范性实施例的剥离层状结构的方法的流程图。
图2a至图2c是根据示范性实施例的其中从第一单元结构剥离第二单元结构的图像。
图3a与图3b是根据示范性实施例的说明确定剥离区的过程和传输热能的过程的图像。
图4是根据示范性实施例的说明修复有机发光装置(OLED)的方法的流程图。
图5是说明OLED结构和薄膜包封层从OLED结构提升的图像。
图6是根据示范性实施例的说明用于剥离层状结构的设备的框图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细地描述特定实施例。然而，本发明可用不同形式实施，且不应解释为限于本文所阐述的实施例。确切地说，提供这些实施例是为了使得本公开将是透彻且完整的，且这些实施例将把本发明的范围完整地传达给所属领域的技术人员。在图中，相同组件由相同附图标号标示，出于说明清楚起见，可部分地放大所述图的尺寸。相似附图标号在全文中指代相似元件。
图1是说明根据示范性实施例的剥离层状结构100(见图2a至图2c)的方法的流程图。图2a至图2c是根据示范性实施例的其中从第一单元结构110(见图2a至图2c)剥离第二单元结构120(见图2a至图2c)的图像。图3a与图3b是根据示范性实施例的说明确定剥离区的过程和传输热能的过程的图像。
参考图1，根据示范性实施例的剥离层状结构100的方法可包含：提供包含具有第一层的第一单元结构110和具有第二层的第二单元结构120的层状结构100的过程(过程S10)，第二层具有不同于第一层的热膨胀系数；通过在至少一部分区域处发射激光将热能传输到层状结构100的表面的所述至少一部分区域的过程(过程S20)；以及通过因热能所致的第一单元结构110与第二单元结构120的热膨胀之间的差异从第一单元结构110剥离第二单元结构120的至少部分的过程(过程S30)。
首先，执行提供包含具有第一层的第一单元结构110和具有第二层的第二单元结构120的层状结构100的过程(过程S10)，第二层具有不同于第一层的热膨胀系数。
第一单元结构110可包含单层或多个层，且第一层可包含于其中。第二单元结构120也可包含单层或多个层，且其中的第二层具有不同于第一层的热膨胀系数。根据示范性实施例的层状结构100可含有具有充分厚度的第一层和第二层，第一层和第二层可设置成彼此邻近或彼此直接接触，且第二层的热膨胀系数可大于第一层的热膨胀系数。因此，第一单元结构110和第二单元结构120的热膨胀系数可由第一层和第二层确定。此外，第一单元结构110和第二单元结构120可由相对弱的连接力连接。
接着，执行通过在至少一部分区域处发射激光将热能传输到层状结构100的表面的所述至少一部分区域的过程(过程S20)。
可通过在至少一部分区域处发射激光将热能传输到构成层状结构100的第一单元结构110或第二单元结构120的表面的所述至少一部分区域。此外，可通过在所述至少一部分区域处发射激光将热能传输到第一单元结构110或第二单元结构120的表面的所述至少一部分区域。根据示范性实施例，可通过在所述至少一部分区域处发射激光将热能传输到具有第二层的第二单元结构120的表面的所述至少一部分区域，第二层具有相对较高的热膨胀系数。然而，传输热能的过程仅是说明性的，且可通过在所述至少一部分区域处发射激光来将热能传输到具有相对较高热膨胀系数的另一单元结构。同时，当在层状结构100的表面的所述至少一部分区域处发射激光时，也可通过调整在具体区域处发射的激光的行进路径来在所述至少一部分区域处以点形式发射激光。此外，可通过在所述至少一部分区域处发射直线光束或表面型激光来将热能传输到所述至少一部分区域。参考图3b，可通过在整个所述至少一部分区域处发射激光来将热能均匀地传输到所述至少一部分区域。此外，激光可容易地用于需要薄膜分隔而不管除激光将发射到的所述至少一部分区域之外没有效果的衬底的过程中，这是因为激光也可局部地发射且可提供热能而几乎没有因激光所致的热变形。
接着，执行通过因热能所致的第一单元结构110与第二单元结构120的热膨胀之间的差异从第一单元结构110剥离第二单元结构120的所述至少一部分区域的过程(过程S30)。
根据示范性实施例，可通过在所述至少一部分区域处发射激光将热能传输到具有第二层的第二单元结构120的表面的所述至少一部分区域，第二层的热膨胀系数相对高于第一单元结构110的第一层的热膨胀系数。在第二单元结构120的表面的所述至少一部分区域处发射的激光的热能可逐渐从第二单元结构120传输到第一单元结构110。
第一单元结构110和第二单元结构120可通过所发射热能进行热膨胀。在这种情况下，第二单元结构120比第一单元结构110热膨胀得相对更多，所述第二单元结构包含具有相对较高热膨胀系数的第二层且已接收热能。因此，第一单元结构110与第二单元结构120的张力之间的差异导致位移差异。当位移差异导致剪应力，且剪应力超出第一单元结构110与第二单元结构120之间的连接力时，自剥离(self-stripping)会发生使得第二单元结构120的所述至少部分从第一单元结构110剥离。当分别包含于第一单元结构110和第二单元结构120中的第一层与第二层的热膨胀系数之间的差异是大致两倍到四倍或大于四倍时，根据示范性实施例的自剥离会发生，且差异可以是四倍或大于四倍。当热膨胀系数之间的差异小于2倍时，因热膨胀所致的第一单元结构110与第二单元结构120之间的位移差异减小，且自剥离由此不会发生。此外，第一层或第二层可含有有机或无机材料，且有机材料的热膨胀系数可大于无机材料的热膨胀系数。详细地说，有机材料的热膨胀系数可介于大致106×10-6/K到大致198×10-6/K的范围内，且无机材料的热膨胀系数可介于大致5×10-6/K到大致40×10-6/K的范围内。随着热膨胀系数之间的差异变得更高，因热能所致的自剥离可容易地发生。
参考图2a至图2c，在图2a中连接第一单元结构110和第二单元结构120，且可通过在所述至少一部分区域处发射激光L将热能传输到第二单元结构120的表面的所述至少一部分区域。参考图2b，可看出第一单元结构110和第二单元结构120由通过发射激光传输的热能张紧(tensioned)，含有具有相对更高热膨胀系数的第二层的第二单元结构120比第一单元结构110热膨胀得相对更多，且剪应力由此出现。此外，可通过在第二单元结构120处发射激光来通过热量传输将热能传输到第一单元结构110。参考图2c，可看出已通过第二单元结构120与第一单元结构110的热膨胀之间的差异而出现的剪应力超出第一单元结构110与第二单元结构120之间的连接力，且第二单元结构120由此从第一单元结构110自剥离。
所述方法可进一步包含通过沿所述至少一部分区域的边缘发射激光来确定剥离区的过程。
根据示范性实施例，可在通过在含有具有相对较高热膨胀系数的第二层的第二单元结构120的表面的所述至少一部分区域处发射激光将热能传输到所述至少一部分区域之前通过沿所述至少一部分区域的边缘发射激光来去除构成物。因此，可首先确定剥离区，且随后可通过在所述至少一部分区域处发射激光将热能传输到所述至少一部分区域。因此，其中确定了剥离区的所述至少一部分区域可自剥离。在确定剥离区后，可去除边缘。因此，可在传输热能的过程中将激光的热能传输到仅所述至少一部分区域，且可不将热能传输到剥离区外部，这是因为去除了剥离区的边缘。
所述方法可进一步包含改变在剥离区的确定的过程或传输热能的过程中所用的激光的累积能量的过程。在确定剥离区的过程中所用的激光的累积能量可高于在传输热能的过程中所用的激光的累积能量。
可能需要改变激光的累积能量的过程，因为在确定剥离区的过程和传输热能的过程中所用的激光可相同。根据示范性实施例，在确定剥离区的过程和传输热能的过程中所用的激光可彼此相同或不同。当使用不同激光时，可不执行改变激光的累积能量的过程。
当在确定剥离区的过程和传输热能的过程中所用的激光相同时，需要改变激光的累积能量的过程。原因在于在确定剥离区的过程中所用的激光的累积能量与在传输热能的过程中所用的激光的累积能量需要是不同的。参考图3a，可沿对应于单元结构的表面的至少一部分区域的外部区的边缘发射激光。沿边缘发射的激光具有高累积能量。切除过程由此发生，通过所述切除过程从单元结构去除发射激光处的所述至少一部分区域的构成物，且剥离区可得到确定。切除过程需要高能量。原因在于仅由形成第二单元结构120的构成物制成的所述至少一部分区域需要通过沿边缘发射的激光的高能量去除。在确定剥离区的过程中所用的激光的累积能量需要高于在传输热能的过程中所用的激光的累积能量。原因在于切除过程需要通过沿层状结构100的所述至少一部分区域的边缘发射具有高累积能量的激光来在所述至少一部分区域上执行，如上文所描述。如稍后将描述，根据示范性实施例，传输激光能量的同时显著地减少外周区域变形的在确定剥离区的过程中所用的激光可具有脉宽且可具有数飞秒脉宽。原因在于高能量仅传输到所述至少一部分区域，且可通过于较短时间内在所述至少一部分区域处瞬时地发射高能量而不对外周区域有影响。激光可用于剥离任何层状结构而不管衬底的过程，这是因为通过改变激光的累积能量，因激光所致的热变形很少发生。然而，激光仅是说明性的，但本公开不限于此。
相反地，在传输热能的过程中所用的激光的累积能量可低于在确定剥离区的过程中所用的激光的累积能量。原因在于热能需要通过在整个所述至少一部分区域处发射激光来传输到所述至少一部分区域处。举例来说，原因在于甚至相对低的累积能量允许热能传输到层状结构100的所述至少一部分区域，进而实现自剥离，且不同于确定剥离区的过程的并不需要高累积能量的原因在于切除过程并非必要。如果仅预定量的热能可施加到层状结构，那么热能可传输到其上，且剥离可由此发生。
改变累积能量的过程可包含：调整在层状结构100的表面处发射的激光的能量密度的过程；和/或调整在层状结构100的表面处发射的激光的发射重叠率的过程。也就是说，改变累积能量的过程可包含调整能量密度的过程和调整发射重叠率的过程当中的至少任一个。
可通过调整在激光吸收表面处发射的激光的能量密度和/或激光的发射重叠率来改变激光的累积能量。
激光的能量密度可由(激光能量)/(激光束大小)定义。将在其处发射激光的材料具有能够接收热应力的临限能量密度，且材料可由此维持为具有恰当水准的能量密度使得适当的热应力施加到其上。调整能量密度的过程可通过执行控制在激光吸收表面处发射的激光的输出的过程和/或控制在激光吸收表面处发射的激光束的大小的过程来调整激光的能量密度。
可通过调整入射到聚焦透镜上的激光束大小来执行控制激光束大小的过程。举例来说，当光束大小调整单元增大入射到聚焦透镜上的激光束大小时，在激光吸收表面处发射的激光束大小减小。因此，能量密度可增大。控制激光输出的过程可通过调整激光的输出能量来调整累积能量，激光通过所述输出能量而振荡。
调整激光的发射重叠率的过程可包含根据在激光吸收表面处发射的激光的行进路径来控制激光的移动速度的过程，和/或调整在激光吸收表面处发射的激光的频率的过程。此外，本文中所使用的激光可以是脉冲激光而非连续激光。
在激光吸收表面处发射的激光可具有预定大小的区域，且可在激光吸收表面处发射具有预定大小区域的激光。通过光学单元、具有预定大小的区域且在激光吸收表面处发射的激光，根据在激光吸收表面处发射的激光的行进路径来控制激光的移动速度的过程允许两束激光之间的距离中的差异通过空间移动而出现。移动速度可增大。因此，两束激光之间的距离增大，且各自具有预定区域的两束激光之间的重叠区减小。因此，两束激光的累积能量可减小。调整在激光吸收表面处发射的激光频率的过程可缩短在激光吸收表面处发射的激光的发射之间的时间间隔，使得可在激光吸收表面处多次发射激光，进而使得施加到一个点的激光的脉冲数目升高。举例来说，在一个点处发射的累积能量可通过增加激光吸收表面处的激光的发射次数而增强。以此方式，可通过提高发射重叠率来执行使用激光的切除过程。因此，可将能量集中地传输到在其处发射激光的仅所述至少一部分区域。因此，可准确地去除仅边缘而对外周区域没有影响。
同时，根据示范性实施例，当沿层状结构100的所述至少一部分区域的边缘发射在确定剥离区的过程中所用的激光时，可将激光调整到具有大于或等于95％到小于100％的发射重叠率。可发射具有相对高累积能量的在确定剥离区的过程中所用的激光，这是因为激光具有这种高发射重叠率。因此，可将激光能量传输到仅所述至少一部分区域的边缘，且外周区域可不由激光能量损坏。相反地，在传输热能的过程中所用的激光可具有大于0％到小于95％的发射重叠率。甚至当在层状结构100的表面的所述至少一部分区域处发射具有相对低累积能量的激光时，可将足够热源传递到所述至少一部分区域。因此，具有第二层的第二单元结构120可从第一单元结构110自剥离。同时，由于发射重叠率与生产效率成反比，因此除低累积能量的实施方案以外，减小发射重叠率的方法可减少处理时间。因此，可在根据情形将适当的发射重叠率应用于其时发射激光。然而，发射重叠率仅是说明性的。本公开不限于以上数值。
根据示范性实施例，在传输热能的过程中所用的激光可以是连续激光，且在确定剥离区的过程中所用的激光可以是脉冲激光。在传输热能的过程中所用的激光是具有第一脉宽的脉冲激光，且在确定剥离区的过程中所用的激光是具有第二脉宽的脉冲激光，第二脉宽短于第一脉宽。也就是说，在传输热能的过程中所用的激光与在确定剥离区的过程中所用的激光的组合可以是连续激光与脉冲激光的组合，或具有第一脉宽的脉冲激光与具有第二脉宽的脉冲激光的组合。
举例来说，可使用脉冲激光与连续激光的组合、具有不同脉宽的脉冲激光的组合或具有可调整脉宽的脉冲激光。根据示范性实施例，在传输热能的过程和确定剥离区的过程中所用的激光可彼此相同或不同，如上文所描述。在传输热能的过程中所用的激光甚至当以比在确定剥离区的过程中所用的激光的能量低的能量瞬时地发射时允许剥离。
相反地，在确定剥离区的过程中所用的激光当以高能量在所述至少一部分区域处瞬时地发射时允许切除过程，且激光的高能量可不对除所述至少一部分区域(在此处发射具有短脉宽的激光)之外的区域有影响。当激光具有相同输出，且其脉宽是短的时，热量传输时间减小。因此，具有相同输出的激光需要在短时间内振荡。因此，由于在高能级下瞬时地发射激光，且仅在短时间内发射高能量，因此高能量可不对除所述至少一部分区域之外的区域有影响。因为所述差异，在传输热能的过程和确定剥离区的过程中所用的激光可相同或还可彼此不同。当激光彼此不同时，在传输热能的过程中所用且并不需要瞬时高能量的激光可以是连续激光，且在确定剥离区的过程中所用且需要瞬时高能量的激光可以是脉冲激光。在这种情况下，其脉宽可以是数纳秒到数飞秒，且可以是数飞秒。
相反地，为使用相同激光，需要调整瞬时能量。因此，相同激光可以是脉冲激光。在传输热能的过程中所用且并不需要瞬时高能量的激光可以是具有第一脉宽的脉冲激光，且在确定剥离区的过程中所用且需要瞬时高能量的激光可以是具有第二脉宽的脉冲激光，第二脉宽短于第一脉宽。具有第二脉宽的脉冲激光可具有数飞秒脉宽。使用相同层的原因是为了考虑到过程简化且易于装置配置。
同时，以上所用的所有激光可使用红外线(infrared ray；IR)、绿光或紫外(紫外；UV)波长，且根据示范性实施例的激光可具有数飞秒脉宽且可以是具有IR波长的纤维激光器。纤维激光器相对便宜且具有小尺寸。然而，所述激光仅是说明性的。本公开不限于以上示范性实施例。
从层状结构剥离构成层状结构的单元结构可应用于层状结构的各种领域。在其中缺陷或类似物出现的区域处可发射激光以将热能传输到其上。因此，可选择性地剥离层的全部或仅一部分，且在必要时，还可剥离在过程期间需要剥离的区域。此外，由于通过使用激光来传输热能，因此可从层状结构的所要区域选择性地去除部分而没有热影响或物理影响。此外，在需要薄膜分隔而不管衬底的过程中可容易地使用激光，这是因为可局部地发射激光且激光可提供热能而几乎没有因激光所致的热变形。
图4是根据示范性实施例的说明修复有机发光装置(OLED)的方法的流程图。图5是说明OLED结构600和薄膜包封层640从OLED结构600提升(或隆起)的图像。在下文中，将参考附图详细描述本公开的示范性实施例。不管附图标号如何，相同或对应元件由相同附图标号标示，且其冗余描述可省略或简单地加以描述。
参考图4，根据示范性实施例的修复OLED的方法可包含：提供包含以下的OLED结构600的过程(过程S100)：有机发光层合物620、设置于有机发光层合物620上以改善光学特征的覆盖层630以及形成于覆盖层630上以防止湿气渗透的薄膜包封层640；检查薄膜包封层640中形成的缺陷的过程(过程S200)；通过在至少一部分区域处发射激光将热能传输到具有所检查缺陷的OLED结构600的表面的所述至少一部分区域的过程(过程S300)；以及通过因热能所致的覆盖层630与薄膜包封层640的热膨胀之间的差异从覆盖层630剥离薄膜包封层640的至少部分的过程(过程S400)。
执行提供包含以下的OLED结构600的过程(过程S100)：有机发光层合物620、设置于有机发光层合物620上以改善光学特征的覆盖层630以及形成于覆盖层630上以防止湿气渗透的薄膜包封层640。
OLED结构600包含有机发光层合物620、覆盖层630以及薄膜包封层640，且有机发光层合物620包含形成于载体玻璃601上的膜层602以及形成于膜层602上的OLED 603。覆盖层630可设置于OLED 603上，且可由保护OLED 603且具有光透射特征的无机膜或有机膜形成，或可由含有无机粒子的有机膜形成。根据示范性实施例的覆盖层630可由无机膜形成。薄膜包封层640可设置于覆盖层630上，且可用于防止空气和湿气渗透过OLED 603。可提供包含此类元件的OLED结构600(或单位单元)。
接着，执行检查薄膜包封层640中形成的缺陷的过程(过程S200)。
参看图5，随着当制造面板时形成包含OLED结构600的面板的基座的载体玻璃601的大小变大，在过程期间因粒子、热变形以及类似原因所致的缺陷性面板出现的机率已增大。确切地说，当由粒子、热变形以及类似物形成的缺陷在OLED结构600的制造中出现于沉积提供用来防止湿气渗透的薄膜包封层640的过程中时，老化或有机物质破坏会出现于OLED 603中。此外，缺陷会导致薄膜包封层640提升，且当在后处理期间无意地撕破提升的薄膜包封层640时产生的粒子或残余物会附着到正常OLED结构600。因此，正常OLED 603的薄膜包封层640会在转移过程或激光剥离(LLO)过程期间断开。为解决所述问题，根据示范性实施例，执行检查薄膜包封层640中形成的缺陷的过程，且可通过在所述至少一部分区域处发射激光且将热能传输到其上来去除具有缺陷的所述至少一部分区域，如下文所描述。检查缺陷的过程可通过从外部检查缺陷来识别缺陷的位置，或还可在执行修复方法时检查缺陷。
接着，执行通过在所述至少一部分区域处发射激光将热能传输到具有所检查缺陷的OLED结构600的表面的所述至少一部分区域的过程(过程S300)。
根据示范性实施例，可通过在表面处发射激光将热能传输到构成OLED结构600的薄膜包封层640的表面。在这种情况下，可通过在所述至少一部分区域处发射激光将热能传输到具有缺陷的薄膜包封层640的所述至少一部分区域。当在层状结构100的表面的所述至少一部分区域处发射激光时，可通过改变在具体区域处发射的激光的行进路径来在所述至少一部分区域处以点形式发射激光，且也可以直线光束形式在所述至少一部分区域处发射激光。
执行通过因热能所致的覆盖层630与薄膜包封层640的热膨胀之间的差异从覆盖层630剥离薄膜包封层640的至少部分的过程(过程S400)。
根据示范性实施例，可通过在所述至少一部分区域处发射激光将热能传输到薄膜包封层640的表面的所述至少一部分区域，所述薄膜包封层的热膨胀系数相对大于覆盖层630的热膨胀系数。可将在薄膜包封层640的表面的所述至少一部分区域处发射的激光的热能从薄膜包封层640逐渐传输到覆盖层630。
所传输的热能可使覆盖层630和薄膜包封层640热膨胀，且具有相对更高热膨胀系数的薄膜包封层640比具有相对较小热膨胀系数的覆盖层630张紧得相对更多。因此，位移差异因张力之间的差异而出现。当位移差异引起剪应力时，剪应力超出覆盖层630与薄膜包封层640之间的连接力，自剥离可发生使得从覆盖层630剥离薄膜包封层640的所述至少一部分区域。举例来说，当薄膜包封层640的热膨胀系数是0.00015/K时，覆盖层630的热膨胀系数是0.000037/K，100K的热量传输到薄膜包封层640，且50K的热量传输到覆盖层630，薄膜包封层640张紧大致1.5毫米，且覆盖层630张紧大致0.185毫米。因此，大致1.315毫米的位移差异出现于薄膜包封层640与覆盖层630之间。当位移差异引起剪应力，且剪应力超出覆盖层640与薄膜包封层630之间的连接力时，薄膜包封层640从覆盖层630自剥离。薄膜包封层640的去除可不用于从其剥离薄膜包封层640的OLED结构600的再利用，且可通过预先去除污染源来防止污染整个OLED结构600，所述污染源可在后处理期间产生，如上文所描述。缺陷易于出现于从其去除薄膜包封层640的OLED结构600中，这是因为湿气穿过OLED结构600。因此，可通过从OLED结构自剥离具有缺陷的薄膜包封层640且通过后处理在OLED结构600上或在下文将描述的多个OLED结构600上重新产生薄膜包封层640来再利用不具有缺陷的OLED结构600。在这种情况下，重新产生薄膜包封层640的方法可通过使用用于沉积薄膜包封层640的常规物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)或化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)过程来沉积薄膜包封层640，且可通过在从其去除缺陷的OLED结构600上提供先前制造的薄膜包封层640且在薄膜包封层640处发射激光或类似物来在OLED 603上沉积薄膜包封层640。
参看图5，可将OLED结构600设置为多个OLED结构600，且多个OLED结构600中的每一个可通过设置于多个OLED结构600之间的分隔部分610独立地设置。
多个OLED结构600可设置于载体玻璃601(或母玻璃)上，且OLED结构600可通过设置于载体玻璃601上且定位于多个OLED结构600之间的分隔部分610独立地形成。分隔部分610可包含氧化物和/或氮化物。当连续定位多个OLED结构600而彼此不独立时，缺陷可能出现于形成一个OLED的薄膜包封层640中，且OLED结构600可能无法防止湿气和空气的渗透。当缺陷出现时，湿气或类似物可通过其中已出现缺陷的一些OLED结构600而在相邻的其它OLED结构600中流动，从而影响其它OLED结构600，进而导致其中的多个缺陷。因此，可彼此独立地设置多个OLED结构600。此外，每一OLED结构600可用于面板，且还可通过切割来用作单独单元面板。通过提供彼此独立的OLED结构600，可稍后切割且舍弃其中因缺陷或类似原因所致的故障已发生的一些OLED结构600，且其剩余部分可用作有机发光面板，或可通过在其上重新形成薄膜包封层640而重新用作有机发光面板。以此方式，可剥离且去除其中缺陷已发生的区域，或可剥离所述区域，且随后薄膜包封层640可重新形成于OLED结构600上，进而改善良率且减小成本。OLED结构600还可用于大的面板。因此，可制造大的面板而不含缺陷。
覆盖层630可由氟化物形成，且具有交替地层合的有机层和无机层的薄膜包封层640的最下部层可由无机层形成。
根据示范性实施例的覆盖层630可由在氟化物当中具有相对较低热膨胀系数的氟化锂(LiF)形成。LiF的热膨胀系数是37×10-6/K。此外，覆盖层630可由无机材料形成，所述无机材料具有大致5×10-6/K到大致40×10-6/K的热膨胀系数。
薄膜包封层640可具有其中交替地层合有机层和无机层的结构，且有机层可由单体或其聚合物形成。有机层的材料可以是聚乙烯类树脂，且有机层可包含聚乙二醇二甲基丙烯酸酯单体和/或聚乙二醇二丙烯酸酯单体。此外，有机层可包含季戊四醇四丙烯酸酯和/或季戊四醇四甲基丙烯酸酯。无机层可包含氮化物、氧化物以及氮氧化物中的至少一种，且根据示范性实施例的无机层可由SiNx形成。构成薄膜包封层640的有机层各自具有若干微米到数十微米的厚度，且无机层各自具有数十纳米到数百纳米的厚度且形成薄膜包封层640。薄膜包封层640可具有设置为单层或多个层的有机层和无机层。当沉积构成薄膜包封层640的无机层时，因粒子或类似物所致的缺陷可极有可能出现。
形成薄膜包封层640的有机层与无机层之间的厚度中的差异大致是102倍。由于无机层相较于有机层相对较薄，因此当通过在薄膜包封层处发射激光将热能传输到薄膜包封层640时，无机层取决于有机层的热膨胀而热膨胀而不管其内部热膨胀系数如何。因此，根据有机层的热膨胀系数确定薄膜包封层640的热膨胀系数，且薄膜包封层640的热膨胀系数可介于106×10-6/K到198×10-6/K的范围内。根据示范性实施例的覆盖层630与薄膜包封层640之间的热膨胀系数中的差异可以是大致两倍到大致四倍或大于四倍。当热膨胀系数之间的差异小于2倍时，因热膨胀所致的覆盖层630与薄膜包封层640之间的位移差异减小，且自剥离可由此不发生。
薄膜包封层640的最下部层可由无机层形成，且形成无机层的SiNx与作为覆盖层630的无机材料的LiF可由弱连接力健结。原因在于氟化物中的氟可由于形成氟化物的元件之间的强化学键结而显著地减小与其它材料(或元件)的键结力。也就是说，薄膜包封层640可不牢固地连接到覆盖层630，这是因为氟形成仅形成氟化物的元件之间的键联，且并不形成覆盖层630上所键结且最新设置的元件之间的键联。当通过在所述至少一部分区域处发射激光将热能传输到薄膜包封层640的表面的所述至少一部分区域时，薄膜包封层640和覆盖层630通过热膨胀系数之间的差异而膨胀，具有相对更高热膨胀系数的薄膜包封层640比覆盖层630热膨胀得更多，且当因位移差异所致的剪应力超出薄膜包封层640与覆盖层630之间的弱连接力时，自剥离可由此发生。在剥离薄膜包封层640的有机层和无机层之前可剥离覆盖层630和薄膜包封层640，这是因为薄膜包封层640的无机层与有机层之间的连接力大于薄膜包封层640与覆盖层630之间的连接力。
所述方法可进一步包含通过沿具有缺陷的OLED结构600的某一区域(也就是说，至少一部分区域)的边缘发射激光来确定剥离区的过程。
如上文所描述，根据示范性实施例，可沿对应于薄膜包封层640的表面的某一区域的外部区的边缘发射激光。沿所述边缘发射激光。因此，切除过程发生，通过激光的能量从覆盖层630去除在其处发射激光的某一区域的形成薄膜包封层640的构成物，且可确定剥离区。
所述方法可进一步包含改变在确定剥离区的过程或传输热能的过程中所用的激光的累积能量。在确定剥离区的过程中所用的激光的累积能量可高于在传输热能的过程中所用的激光的累积能量。
如上文所描述，可需要改变激光的累积能量的过程，这是因为在确定剥离区的过程和传输热能的过程中所用的激光可相同。当在确定剥离区的过程和传输热能的过程中所用的激光相同时，需要改变激光的累积能量的过程。原因在于在确定剥离区的过程中所用的激光的累积能量与在传输热能的过程中所用的激光的累积能量需要是不同的。在确定剥离区的过程中所用的激光需要高于在传输热能的过程中所用的激光。原因在于可沿层状结构100的所述至少一部分区域的边缘发射具有高累积能量的激光，切除过程可出现于所述至少一部分区域上，且仅可去除至少一部分区域。在确定剥离区后，可去除边缘。因此，可在传输热能的过程中将激光的热能传输到仅所述至少一部分区域，且可不将热能传输到剥离区外部，这是因为去除了剥离区的边缘。
相反地，在传输热能的过程中所用的激光的累积能量可低于在确定剥离区的过程中所用的激光的累积能量。原因在于热能需要通过在整个所述至少一部分区域处发射激光来传输到所述至少一部分区域处。因此，甚至相对低的累积能量允许热能传输到薄膜包封层640的所述至少一部分区域，进而实现自剥离。
改变累积能量的过程可包含：调整在OLED结构600的表面处发射的激光的能量密度的过程；和/或调整在OLED结构600的表面处发射的激光的重叠率(或发射重叠率)的过程。也就是说，改变累积能量的过程可包含调整能量密度的过程和调整重叠率的过程当中的至少任一个。
如上文所描述，可通过调整在激光吸收表面处发射的激光的能量密度和/或激光的重叠率来改变激光的累积能量。
激光的能量密度可由(激光能量)/(激光束大小)定义。将在其处发射激光的材料具有能够接收热应力的临限能量密度，且材料可由此维持为具有恰当水准的能量密度使得适当的热应力施加到其上。调整能量密度的过程可通过执行控制在激光吸收表面处发射的激光的输出的过程和/或控制在激光吸收表面处发射的激光束的大小的过程来调整激光的能量密度。
调整激光的发射重叠率的过程可包含控制在激光吸收表面处发射的激光的移动速度的过程，和/或调整在激光吸收表面处发射的激光的频率的过程。此外，本文中所使用的激光可以是脉冲激光而非连续激光。
根据示范性实施例，在传输热能的过程中所用的激光可以是连续激光，且在确定剥离区的过程中所用的激光可以是脉冲激光。在传输热能的过程中所用的激光是具有第一脉宽的脉冲激光，且在确定剥离区的过程中所用的激光是具有第二脉宽的脉冲激光，第二脉宽短于第一脉宽。也就是说，在传输热能的过程中所用的激光与在确定剥离区的过程中所用的激光的组合可以是连续激光与脉冲激光的组合，或具有第一脉宽的脉冲激光与具有第二脉宽的脉冲激光的组合。
举例来说，可使用脉冲激光与连续激光的组合、具有不同脉宽的脉冲激光的组合或具有可调整脉宽的脉冲激光。根据示范性实施例，在传输热能的过程和确定剥离区的过程中所用的激光可相同或还可彼此不同，如上文所描述。在传输热能的过程中所用的激光甚至当以比在确定剥离区的过程中所用的激光的能量低的能量瞬时地发射时允许剥离。
相反地，在确定剥离区的过程中所用的激光当以高能量在所述至少一部分区域处瞬时地发射时允许切除过程，且激光的高能量可不对除所述至少一部分区域之外的区域有影响，在所述至少一部分区域处发射具有短脉宽的激光。当激光具有相同输出时，其脉宽是短的，且热量传输时间减少，具有相同输出的激光需要在短时间内振荡。因此，由于在高能级下瞬时地发射激光且仅在短时间内发射其高能量，因此高能量可不对除所述区域之外的区域有影响。因为所述差异，在传输热能的过程和确定剥离区的过程中所用的激光可相同或还可彼此不同。当激光彼此不同时，在传输热能的过程中所用且并不需要瞬时高能量的激光可以是连续激光，且在确定剥离区的过程中所用且需要瞬时高能量的激光可以是脉冲激光。在这种情况下，脉宽可以是数纳秒到数飞秒，且可以是数飞秒。
相反地，为使用相同激光，需要调整瞬时能量。因此，相同激光可以是脉冲激光。在传输热能的过程中所用且并不需要瞬时高能量的激光可以是具有第一脉宽的脉冲激光，且在确定剥离区的过程中所用且需要瞬时高能量的激光可以是具有第二脉宽的脉冲激光，第二脉宽短于第一脉宽。具有第二脉宽的脉冲激光可具有数飞秒脉宽。使用相同层的原因是为了考虑到过程简化且易于装置配置。
同时，以上所用的所有激光可使用IR、绿光或UV波长，且根据示范性实施例的激光可具有数飞秒脉宽且可以是具有IR波长的纤维激光器。纤维激光器相对便宜且具有小尺寸。然而，激光仅是说明性的，但本公开不限于此。
图6是根据示范性实施例的说明用于剥离层状结构100的设备的框图。在下文中，将参考附图详细描述本公开的示范性实施例。不管附图标号如何，相同或对应元件由相同附图标号标示，且其冗余描述可省略或简单地加以描述。
参考图6，根据示范性实施例的用于剥离层状结构100的设备包含：支撑件500，支撑包含具有第一层的第一单元结构110和具有第二层的第二单元结构120的层状结构100，第二层具有不同于第一层的热膨胀系数；模式选择单元200，选择多个发射模式中的任一个，在所述多个发射模式中激光的累积能量彼此不同；控制单元300，根据由模式选择单元200选择的模式产生激光控制信号；以及激光发射单元400，通过接收激光控制信号来在层状结构100的表面处发射具有对应于所选模式的累积能量的激光L。多个发射模式包括剥离模式。当模式选择单元选择剥离模式时，激光发射单元400通过在层状结构100的表面的至少一部分区域处发射激光将热能传输到至少一部分区域，从而通过因热能所致的第一单元结构110与第二单元结构120的热膨胀之间的差异从第一单元结构110剥离第二单元结构120的至少部分。
支撑件500可固定层状结构100或移动所固定的层状结构100使得可执行剥离。构成层状结构100的第一单元结构110可包含单层或多个层，且第一层可包含于其中。第二单元结构120也可包含单层或多个层，且其中的第二层具有不同于第一层的热膨胀系数。根据示范性实施例的层状结构100可含有具有充分厚度的第一层和第二层，第一层和第二层可设置成彼此邻近或彼此直接接触，且第二层的热膨胀系数可大于第一层的热膨胀系数。因此，第一单元结构110和第二单元结构120的热膨胀系数可由第一层和第二层确定。此外，第一单元结构110和第二单元结构120可由相对弱的连接力连接。
模式选择单元200可选择多个发射模式中的任一个，在所述多个发射模式中在至少一部分区域处发射的激光的累积能量取决于所选模式而彼此不同，稍后将描述的控制单元300的累积能量改变单元310可改变激光的累积能量。
控制单元300可根据由模式选择单元200选择的模式产生激光控制信号。控制单元300可包含控制信号产生单元320，且由控制信号产生单元320产生的激光控制信号可传输到激光发射单元400。
激光发射单元400可接收激光控制信号，且在层状结构100的表面的至少一部分区域处发射具有对应于所选模式的累积能量的激光。根据示范性实施例，可在构成层状结构100的第一单元结构110和第二单元结构120中的含有具有相对更高热膨胀系数的第二层的第二单元结构120的表面的至少一部分区域处发射激光。
激光发射单元400可包含使激光振荡的激光振荡单元和改变振荡激光的行进路径的光学单元。光学单元可由控制单元300控制，且可响应于由控制单元300产生的控制信号通过改变振荡激光的行进路径来改变在至少一部分区域处发射的激光的行进路径。光学单元可包含改变所发射激光的行进路径的电流计镜、将所发射激光转换成直线光束的直线光束形成单元或通过增大所发射激光的面积将所发射激光转换成表面型光束的光束形成单元中的至少一个。电流计镜可包含调整X轴的X轴电流计镜和调整Y轴的Y轴电流计镜，且通过控制X轴电流计镜或Y轴电流计镜可在层状结构100的整个至少一部分区域处发射所发射激光。当在层状结构100的至少一部分区域处发射激光时，直线光束形成单元可将所发射激光转换成直线光束。此外，光束形成单元可增大在层状结构100的所述至少一部分区域处发射的激光的面积，使得可在整个所述至少一部分区域处发射激光。
多个发射模式可包含剥离模式，且在选择剥离模式时，控制单元300可产生激光控制信号，且激光发射单元400可在含有具有相对较高热膨胀系数的第二层的第二单元结构120的表面的所述至少一部分区域处发射激光，以将热能传输到所述至少一部分区域。可通过热量传输将在第二单元结构120处发射的热能传输到第一单元结构110。
包含具有相对更高热膨胀系数的第二层的第二单元结构120可通过将热能传输到第二单元结构120而比包含具有相对较小热膨胀系数的第一层的第一单元结构110热膨胀得更多，且可从第一单元结构110剥离通过第一单元结构110与第二单元结构120的热膨胀之间的差异而热膨胀相对更多的第二单元结构120。
多个发射模式可进一步包含剥离区确定模式，其中累积能量高于在剥离模式中所用的激光的累积能量。激光发射单元400可通过当选择剥离区确定模式时通过沿所述至少一部分区域的边缘发射激光执行的切除过程来去除形成第二单元结构120的边缘的构成物。
多个发射模式可包含如上文所提及的剥离模式，且在剥离区确定模式中所用的激光的累积能量可高于在剥离模式中所用的激光的累积能量。当模式选择单元200选择剥离区确定模式时，控制单元300可产生激光控制信号且将产生的激光控制信号传输到激光发射单元400，且激光发射单元400可接收所传输的激光控制信号且发射具有比剥离模式的累积能量相对高的累积能量的激光。具有响应于所选剥离区确定模式而接收的激光控制信号的激光发射单元400可沿层状结构100的所述至少一部分区域的边缘发射激光。通过在层状结构100的待剥离的所述至少一部分区域的外部区处发射具有相对较高累积能量的激光来执行切除过程。因此，可通过去除在其处发射激光的所述至少一部分区域的构成物而几乎不对除所述至少一部分区域的外周区域之外的区域有影响来确定剥离区。
控制单元300可包含累积能量改变单元310，所述累积能量改变单元根据多个发射模式来改变激光的累积能量。累积能量改变单元310可包含：能量密度改变单元311，改变在激光吸收表面处发射的激光的能量密度；和/或发射重叠率改变单元312，改变在激光吸收表面处发射的激光的发射重叠率。也就是说，累积能量改变单元310可包含能量密度改变单元311和发射重叠率改变单元312当中的至少任何一个。
控制单元300可包含累积能量改变单元310，所述累积能量改变单元能够根据多个发射模式来改变激光的累积能量从而改变累积能量。如上文所描述，能够改变累积能量的元件可以是极其重要的，以通过使用一个激光将热能传输到层状结构100的所述至少一部分区域，或在层状结构100的所述至少一部分区域的边缘处发射具有高累积能量的激光。
可通过调整在激光吸收表面处发射的激光的能量密度和/或激光的发射重叠率来改变累积能量。改变激光能量密度的能量密度改变单元311可包含控制在激光吸收表面处发射的激光的输出的输出调整单元和/或控制在激光吸收表面处发射的激光束的大小的光束大小调整单元。改变在激光吸收表面处发射的激光发射重叠率的发射重叠率改变单元312可包含控制在激光吸收表面处发射的激光移动速度的移动速度调整单元和/或调整在激光吸收表面处发射的激光频率的频率调整单元。此外，本文中所使用的激光可以是脉冲激光而非连续激光。
根据示范性实施例，在剥离模式中所用的激光可以是连续激光，且在剥离区确定模式中所用的激光可以是脉冲激光。替代地，在剥离模式中所用的激光是具有第一脉宽的脉冲激光，且在剥离区确定模式中所用的激光是具有第二脉宽的脉冲激光，所述第二脉宽短于第一脉宽。也就是说，在剥离模式中所用的激光与在剥离区确定模式中所用的激光的组合可以是连续激光与脉冲激光的组合，或具有第一脉宽的脉冲激光与具有第二脉宽的脉冲激光的组合。
根据示范性实施例，在剥离模式和剥离区确定模式中所用的激光可相同或还可彼此不同，如上文所描述。在剥离模式中所用的激光甚至当以比在剥离区确定模式中所用的激光的能量低的能量瞬时地发射时允许剥离。相反地，在剥离区确定模式中所用的激光当在具有高能量的所述至少一部分区域处瞬时地发射时可不对除所述至少一部分区域之外的区域有因能量所致的影响。因为所述差异，在剥离模式和剥离区确定模式中所用的激光可相同或还可彼此不同。当激光彼此不同时，在剥离模式中所用且并不需要瞬时高能量的激光可以是连续激光，且在剥离区确定模式中所用且需要瞬时高能量的激光可以是脉冲激光。在这种情况下，脉宽可以是数纳秒到数飞秒，且可以是数飞秒。
相反地，为使用相同激光，需要调整瞬时能量。因此，相同激光可以是脉冲激光。在剥离模式中所用且并不需要瞬时高能量的激光可以是具有第一脉宽的脉冲激光，且在剥离区确定模式中所用且需要瞬时高能量的激光可以是具有第二脉宽的脉冲激光，所述第二脉宽短于第一脉宽。具有第二脉宽的脉冲激光可具有数飞秒脉宽。使用相同层的原因是为了考虑到过程简化且易于装置配置。通过切除过程去除在其处发射在剥离区确定模式中所用的激光的层状结构的边缘，且当在所述至少一部分区域处发射剥离模式中所用的激光时可由此不将热能传输到层状结构的边缘的外部区。因此，可选择性地和容易地剥离仅所要区域。
同时，以上所用的所有激光可使用IR、绿光或UV波长，且根据示范性实施例的激光可具有数飞秒脉宽且可以是具有IR波长的纤维激光器。纤维激光器相对便宜且具有小尺寸。然而，激光仅是说明性的，但本公开不限于此。
根据示范性实施例的剥离层状结构的方法和设备可在包含多个单元结构的层状结构的表面处发射激光，从而将热能传输到其上，进而通过其不同热膨胀系数使得单元结构从层状结构自剥离。
举例来说，包含于单元结构中的层具有不同热膨胀系数。因此，当在包含具有相对较高热膨胀系数的层的单元结构处发射激光以将热能传输到其上时，单元结构可通过所述层而热膨胀，且热膨胀之间的差异可使得包含具有相对较高热膨胀系数的层的单元结构从层状结构自剥离。
此外，也可通过将热能传输到所述至少一部分区域而非层状结构的整个区域来剥离层状结构的仅至少部分。可沿所述至少一部分区域的边缘发射具有比传输热能的激光的累积能量高的累积能量的激光，从而确定从层状结构剥离的剥离区，进而在所要区域中从层状结构选择性地去除仅所述至少部分而没有热影响或物理影响。
此外，激光可容易地用于需要薄膜剥离而不管衬底的过程，这是因为可局部地发射激光且激光可提供热能而几乎没有因激光所致的热变形。
根据示范性实施例的修复有机发光装置(OLED)的方法可检查薄膜包封层中形成的缺陷，且可在具有缺陷的所述至少一部分区域处发射激光以将热能传输到其上，从而导致具有缺陷的薄膜包封层通过不同热膨胀系数而热膨胀，进而使得薄膜包封层从OLED结构自剥离。
举例来说，OLED结构包含覆盖层和具有不同热膨胀系数的薄膜包封层，且当在具有相对较高热膨胀系数的薄膜包封层的表面处发射激光以将热能传输到其上时，薄膜包封层可从OLED结构选择性地自剥离而没有热影响或物理影响。因此，可在后处理期间减小缺陷性面板出现的比率，进而改善过程良率和减小成本。
此外，激光可不对待剥离的除薄膜包封层之外的部分有影响，这是因为可局部地发射激光且激光可提供热能而几乎没有因激光所致的热变形。
此外，也可通过将热能传输到至少一部分区域而非OLED结构的整个区域来剥离OLED结构的仅至少部分。此外，可沿具有缺陷的某一区域的边缘发射具有比传输热能的激光的累积能量高的累积能量的激光，从而确定从OLED结构剥离的剥离区，进而从OLED结构去除仅所述至少部分。
虽然已参照特定实施例描述了剥离层状结构的方法、修复OLED的方法以及用于剥离层状结构的设备。然而，在不脱离本发明的范围的情况下可对其作出各种修改和变化。因此，本发明的范围不限于上述实施例且应由所附权利要求书和所述权利要求书的等效物定义。

Claims (14)

1.一种剥离层状结构的方法，包括：
提供包括具有第一层的第一单元结构和具有第二层的第二单元结构的层状结构，所述第二层具有不同于所述第一层的热膨胀系数；
通过沿所述层状结构的表面的至少一部分区域的边缘发射激光来确定剥离区；
通过发射所述激光将热能传输到所述剥离区的表面；以及
通过因所述热能所致的所述剥离区中所述第一单元结构与所述第二单元结构各自的热膨胀，通过所述第一单元结构与所述第二单元结构的热膨胀之间的差异从所述第一单元结构剥离所述第二单元结构的所述剥离区，
其中在所述剥离区的确定中所用的所述激光的单位面积累积能量高于在所述热能的传输中所用的所述激光的单位面积累积能量。
2.根据权利要求1所述的剥离层状结构的方法，进一步包括改变在所述剥离区的确定或所述热能的传输中所用的所述激光的单位面积累积能量。
3.根据权利要求2所述的剥离层状结构的方法，其中所述累积能量的改变包括：
调整在所述层状结构的所述表面处发射的所述激光的能量密度；和/或
调整在所述层状结构的所述表面处发射的所述激光的发射重叠率。
4.根据权利要求1所述的剥离层状结构的方法，其中在所述热能的传输中所用的所述激光是连续激光，且在所述剥离区的确定中所用的所述激光是脉冲激光，或
在所述热能的传输中所用的所述激光是具有第一脉宽的脉冲激光，且在所述剥离区的确定中所用的所述激光是具有第二脉宽的脉冲激光，所述第二脉宽短于所述第一脉宽。
5.一种修复有机发光装置的方法，包括：
提供包括以下的有机发光装置结构：有机发光层合物、设置于所述有机发光层合物上以改善光学特征的覆盖层以及形成于所述覆盖层上以防止湿气渗透的薄膜包封层；
检查所述薄膜包封层中形成的缺陷；
通过沿具有所检查的所述缺陷的所述有机发光装置结构的表面的至少一部分区域的边缘发射激光来确定剥离区；
通过发射所述激光将热能传输到所述剥离区的表面；以及
通过因所述热能所致的所述剥离区中所述覆盖层与所述薄膜包封层各自的热膨胀，通过所述覆盖层与所述薄膜包封层的具有不同热膨胀系数的热膨胀之间的差异从所述覆盖层剥离所述薄膜包封层的所述剥离区，
其中在所述剥离区的确定中所用的所述激光的单位面积累积能量高于在所述热能的传输中所用的所述激光的单位面积累积能量。
6.根据权利要求5所述的修复有机发光装置的方法，其中将所述有机发光装置结构设置为多个有机发光装置结构，且
所述多个有机发光装置结构中的每一个通过设置于所述多个有机发光装置结构之间的分隔部分独立地设置。
7.根据权利要求5所述的修复有机发光装置的方法，其中所述覆盖层由氟化物形成，且
包括交替地层合的有机层和无机层的所述薄膜包封层的最下部层由所述无机层形成。
8.根据权利要求5所述的修复有机发光装置的方法，进一步包括改变在所述剥离区的确定或所述热能的传输中所用的所述激光的单位面积累积能量。
9.根据权利要求8所述的修复有机发光装置的方法，其中所述累积能量的改变包括：
调整在所述有机发光装置结构的所述表面处发射的所述激光的能量密度；和/或
调整在所述有机发光装置结构的所述表面处发射的所述激光的重叠率。
10.根据权利要求5所述的修复有机发光装置的方法，其中在所述热能的传输中所用的所述激光是连续激光，且在所述剥离区的确定中所用的所述激光是脉冲激光，或
在所述热能的传输中所用的所述激光是具有第一脉宽的脉冲激光，且在所述剥离区的确定中所用的所述激光是具有第二脉宽的脉冲激光，所述第二脉宽短于所述第一脉宽。
11.一种用于剥离层状结构的设备，包括：
支撑件，配置成支撑包括具有第一层的第一单元结构和具有第二层的第二单元结构的层状结构，所述第二层具有不同于所述第一层的热膨胀系数；
模式选择单元，配置成选择多个发射模式中的任一个，在所述多个发射模式中激光的单位面积累积能量彼此不同；
控制单元，配置成根据由所述模式选择单元选择的模式来产生激光控制信号；以及
激光发射单元，配置成通过接收所述激光控制信号来在所述层状结构的表面处发射具有对应于所选模式的累积能量的激光，
其中所述多个发射模式包含剥离模式和剥离区确定模式，在所述剥离区确定模式中所述激光的单位面积累积能量高于在所述剥离模式中所用的所述激光的单位面积累积能量，
当所述模式选择单元选择所述剥离区确定模式时，所述激光发射单元通过沿所述层状结构的所述表面的至少一部分区域的边缘发射所述激光来确定剥离区和去除所述第二单元结构的所述剥离区的边缘，且
当所述模式选择单元选择所述剥离模式时，所述激光发射单元将热能传输到所述剥离区同时在所述剥离区的表面处发射所述激光，从而通过因所述热能所致的所述剥离区中所述第一单元结构与所述第二单元结构各自的热膨胀，通过所述第一单元结构与所述第二单元结构的热膨胀之间的差异从所述第一单元结构剥离所述第二单元结构的所述剥离区。
12.根据权利要求11所述的用于剥离层状结构的设备，其中所述控制单元包括累积能量改变单元，所述累积能量改变单元配置成根据所述多个发射模式来改变所述激光的所述单位面积累积能量。
13.根据权利要求12所述的用于剥离层状结构的设备，其中所述累积能量改变单元包括：
能量密度改变单元，配置成改变在激光吸收表面处发射的所述激光的能量密度；和/或
发射重叠率改变单元，配置成改变在所述激光吸收表面处发射的所述激光的发射重叠率。
14.根据权利要求11所述的用于剥离层状结构的设备，其中在所述剥离模式中所用的所述激光是连续激光，且在所述剥离区确定模式中所用的激光是脉冲激光，或
在所述剥离模式中所用的所述激光是具有第一脉宽的脉冲激光，且在所述剥离区确定模式中所用的所述激光是具有第二脉宽的脉冲激光，所述第二脉宽短于所述第一脉宽。
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