CN111175993A - 一种埃米抗反射抗红外光镜片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种埃米抗反射抗红外光镜片,包括基片和设置在所述基片内表面的膜层,所述膜层包括由内向外依次层叠的第一到第九薄膜层,其中,第一薄膜层、第四薄膜层、第六薄膜层和第九薄膜层为低折射率层,第二薄膜层和第七薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层或镍镀膜层中的一种或者多种组合,第三薄膜层、第五薄膜层和第八薄膜层为高折射率层。本发明所述埃米抗反射抗红外光镜片波长400‑700nm平均反射率小于1.5%,波长750‑1100nm平均透过率小于29%,有效的减小反射光强度、降低红外光对眼睛的伤害,保护佩戴者的眼睛。
Description
技术领域
本发明涉及一种功能镜片制备技术,尤其是埃米抗反射抗红外光镜片及其制备方法。
背景技术
当光线穿过某一介质到达另一介质时,可发生不同程度的反射、折射、散射和吸收等现象,这取决于相关介质的特性和光在介质中的移动方向。作用好的介质,如晶状体可以折射大部分可见光,只有很少一部分被反射、散射和吸收。一般的玻璃及塑料透镜,约92%的光线可被折射而到达眼内。为了最大限度减少反射,现有技术中使用抗反射涂层,覆盖在透镜内表面,可减少反射,从而使到达眼内的光线增加,然而,这种抗反射效果通常针对的不仅仅是可见光,紫外光及红外线也在之列,而要额外增加抗红外效果,通常要在透镜外表面沉积多层薄膜,相当于同一透镜内表面和外表面要同时沉积薄膜层,工艺多而复杂,不容易操作,成本高。
例如中国发明专利申请CN102998724A公开了一种镜片,其包括光学部和环绕该光学部的非光学部。该光学部用于允许光线穿透以实现光学成像,该光学部具有相对的第一表面和第二表面。该第一表面的曲率大于零,且该第一表面沉积有抗反射膜。该抗反射膜在400nm-850nm的波长范围内的反射率小于 2%。而850nm已经进入红外光区,由于眼球含有较多的液体,对红外线吸收较强,因而一定强度的红外线直接照射眼睛时可引起白内障。白内障的产生与短波红外线的作用有关;波长大于1.5微米的红外线不引起白内障,换句话说, 800-1500纳米的光线对人眼存在危害,应在保证可见光的抗反射效果同时,尽可能降低800-1500纳米波长到达人眼的几率。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有镜片难以同时在一面表面实现抗反射和抗红外效果的问题,提供一种埃米抗反射抗红外光镜片,通过硒、铟、镍材料特性以及多层重叠结构,在镜片的内表面由内向外依次层叠的第一到第九薄膜层,第一、四、六、九薄膜层为低折射率层,第二、七薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层、镍镀膜层中的一种或者多种组合,第三、五、八薄膜层为高折射率层。其中所述低折射率层的折射率为1.35-1.50,优选为1.40-1.45;所述高折射率层的的折射率为2.00-2.50,优选为2.20-2.40。
本发明还提供所述埃米抗反射抗红外光镜片的制备方法,包括基片前处理、基片的内表面进行真空镀膜、镀保护层等步骤,其制备工艺可控性强,普通操作人员就可以完成,具有较好的市场前景。
具体方案如下:
一种埃米抗反射抗红外光镜片,所述埃米抗反射抗红外光镜片包括基片和设置在所述基片表面的膜层,所述膜层包括由内向外依次层叠的第一到第九薄膜层,其中,第一薄膜层、第四薄膜层、第六薄膜层和第九薄膜层为低折射率层,第二薄膜层和第七薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层或镍镀膜层中的一种或者多种组合,第三薄膜层、第五薄膜层和第八薄膜层为高折射率层;所述低折射率层的折射率为1.35-1.50,所述高折射率层的的折射率为2.00-2.50。
进一步的,所述膜层覆盖在所述基片的内表面。
进一步的,所述基片为亚克力基片、聚碳酸酯基片、尼龙基片、CR-39基片或玻璃基片的任意一种。
进一步的,所述高折射率层为材料为ZrO2、Ti3O5或Ta2O5中的任意一种;
任选的,所述低折射率层为SiO2、硅铝混合物或MgF2中的任意一种;
任选的,所述第二薄膜层和第七薄膜层皆为依次层叠的硒镀膜层、铟镀膜层和镍镀膜层的组合层,其中各层的厚度分别为:硒镀膜层100-300埃米、铟镀膜层50-100埃米、镍镀膜层100-300埃米。
进一步的,所述第一薄膜层的厚度为400-800埃米,所述第二薄膜层的厚度为200-700埃米,所述第三薄膜层的厚度为300-700埃米,所述第四薄膜层的厚度为500-900埃米,所述第五薄膜层厚度为200-500埃米,所述第六薄膜层厚度为600-1000埃米,所述第七薄膜层厚度为200-700,所述第八薄膜层厚度为 200-500埃米,所述第九薄膜层厚度为500-900埃米。
进一步的,所述第一薄膜层的厚度为500-700埃米,所述第二薄膜层的厚度为400-600埃米,所述第三薄膜层的厚度为400-600埃米,所述第四薄膜层的厚度为600-800埃米,所述第五薄膜层厚度为300-400埃米,所述第六薄膜层厚度为700-900埃米,所述第七薄膜层厚度为400-600,所述第八薄膜层厚度为 300-400埃米,所述第九薄膜层厚度为600-800埃米。
进一步的,所述埃米抗反射抗红外光镜片还包括保护层,所述保护层覆盖在所述第九薄膜层的外表面,所述保护层的厚度为50-300埃米。
进一步的,所述第一薄膜层为SiO2,厚度为650埃米,所述第二薄膜层和所述第七薄膜层皆为硒镀膜层、铟镀膜层和镍镀膜层的组合层,其中各层的厚度分别为:所述硒镀膜层200埃米、所述铟镀膜层50埃米、所述镍镀膜层300 埃米,所述第三薄膜层为Ti3O5镀膜层,厚度530埃米,所述第四薄膜层为SiO2,厚度800埃米,所述第五薄膜层为Ti3O5,厚度330埃米,所述第六薄膜层为SiO2,厚度820埃米,所述第八薄膜层为Ti3O5,厚度350埃米,所述第九薄膜层为SiO2,厚度750埃米,所述保护层为防水保护层,厚度280埃米。
本发明还保护所述埃米抗反射抗红外光镜片的制备方法,包括以下步骤:
(1)对基片进行清洗、烘干,烘烤温度40-65℃,时间1-2小时;
(2)依次对基片的内表面进行真空镀膜;
A、将烘干的基片摆放在治具上,送入真空腔室抽真空;
B、当真空腔室真空度达到小于或等于5*10-5Torr时,开启离子源,对基片进行表面清洗;
C、对基片内表面依次进行真空镀膜
当真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,并控制真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第一薄膜层材料,材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第一薄膜层蒸镀速率为第一薄膜层最终形成后的厚度为400-800埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第二薄膜层材料,材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第二薄膜层蒸镀速率为第二薄膜层最终形成后的厚度为200-700埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第三薄膜层材料,第三薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第三薄膜层蒸镀速率为第三薄膜层最终形成后的厚度为300-700埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第四薄膜层材料,第四薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第四薄膜层蒸镀速率为第四薄膜层最终形成后的厚度为500-900埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第五薄膜层材料,第五薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第五薄膜层蒸镀速率为第五薄膜层最终形成后的厚度为200-500埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第六薄膜层材料,第六薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第六薄膜层材料蒸镀速率为第六薄膜层材料最终形成后的厚度为600-1000埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第七薄膜层材料,第七薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第七薄膜层蒸镀速率为第十薄膜层最终形成后的厚度为200-700埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第八薄膜层材料,第八薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第八薄膜层蒸镀速率为第八薄膜层最终形成后的厚度为200-500埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第九薄膜层材料,第九薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第九薄膜层蒸镀速率为第九薄膜层最终形成后的厚度为500-900埃米。
进一步的,还包括步骤(3),在完成第九薄膜层的制备之后,对基片内表面进行镀保护层镀膜:保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用钨舟加热第十薄膜层的膜材防水材料,第十薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第十薄膜层蒸镀速率为第十薄膜层最终形成后的厚度为50-300埃米,形成保护层。
有益效果:
1、本发明所述埃米抗反射抗红外光镜片波长400-700nm平均反射率小于 1.5%,波长750-1100nm平均透过率小于29%,有效的减小反射光强度、降低红外光对眼睛的伤害,保护佩戴者的眼睛;
2、本发明在镜片的同一表面同时实现抗反射和抗红外光效果,相比与需要两侧表面分别镀膜达到效果而言,简化工艺流程、可操作性强、降低生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例,而非对本发明的限制。
图1是本发明一个实施例提供的镜片反射率光谱数据图;
图2是本发明一个实施例提供的镜片透过率光谱数据图。
具体实施方式
下面给出本发明中使用的部分术语的定义,其他未述及的术语具有本领域所公知的定义和含义:
基片:为亚克力基片、聚碳酸酯基片、尼龙基片、CR-39基片或玻璃基片的任意一种,可以是平面镜片,也可以是具有一定弧度的镜片。
内表面:本发明中内表面是指镜片在使用状态下,相对于直接接受光源光线的外表面,位于内侧的一面。
本发明提供的埃米抗反射抗红外光镜片中,所述基片的厚度为0.1-5mm,优选为1-5mm,例如2mm,例如3mm,例如4mm。
本发明提供的埃米抗反射抗红外光镜片中,所述第一薄膜层为低折射率薄膜层,材料为SiO2、硅铝混合物或MgF2中的任意一种。所述第一薄膜层作为打底层,使后续镀膜的膜附着性、硬度、镀层结合力更好,厚度为400-800埃米,优选为500-700埃米,更优选为580-680埃米,例如590埃米,例如620埃米,例如650埃米。所述硅铝混合物可以是SiO2与Al2O3的混合物,例如Al2O3占硅铝混合物总重的2-6%,更优选为Al2O3占硅铝混合物总重的3-3.5%。该材料可以自制,也可以采用市售产品,如真空镀膜材料L5,中国通用名称“硅铝混合物”,“L5”是其德国通用名称,该材料可由默克光学公司、南阳恺瑞特光学新材料有限公司或苏州普京真空技术有限公司提供,常用规格为1-3mm散粒,白色。
本发明提供的埃米抗反射抗红外光镜片中,第二、七薄膜层的材料为硒、铟、镍其中一种或者多种组合,设计该层的主要作用是减少红外光透过镜片伤害眼镜,当材料为多种组份组合时,优选为硒、铟、镍混合,厚度分别为硒100-300 埃米、50-100埃米、100-300埃米。为了保证抗红外光效果,所述第二、七薄膜层的厚度为200-700埃米,优选为400-600埃米,例如450埃米,例如500埃米,例如550埃米。
本发明提供的埃米抗反射抗红外光镜片中,第三、五、八薄膜层为高折射率层,材料为ZrO2、Ti3O5或Ta2O5中的任意一种,第四、六、九薄膜层为低折射率层,材料为硅铝混合物、SiO2或MgF2中的任意一种,通过高低折射率薄膜层堆叠设计减小镜片在400-700nm波长反射光强度,保护佩戴者眼镜。
本发明提供的埃米抗反射抗红外光镜片中,所述第三薄膜层为高折射率层所述第三薄膜层的厚度为300-700埃米,优选为400-600埃米,例如450埃米,例如500埃米,例如550埃米。
本发明提供的埃米抗反射抗红外光镜片中,所述第四薄膜层为低折射率层,所述第四薄膜层的厚度为500-900埃米,优选为600-800埃米,例如650埃米,例如720埃米,例如780埃米。
本发明提供的埃米抗反射抗红外光镜片中,所述第五薄膜层为高折射率层,所述第五薄膜层的厚度为200-500埃米,优选为300-400埃米,例如320埃米,例如350埃米,例如380埃米。
本发明提供的埃米抗反射抗红外光镜片中,所述第六薄膜层为低折射率层,所述第六薄膜层的厚度为600-1000埃米,优选为700-900埃米,例如760埃米,例如810埃米,例如860埃米。
本发明提供的埃米抗反射抗红外光镜片中,所述第八薄膜层为高折射率层,所述第八薄膜层的厚度为200-500埃米,优选为300-400埃米,例如330埃米,例如360埃米,例如390埃米。
本发明提供的埃米抗反射抗红外光镜片中,所述第九薄膜层为低折射率层,所述第九薄膜层的厚度为500-900埃米,优选为600-800埃米,例如660埃米,例如700埃米,例如750埃米。
本发明提供的埃米抗反射抗红外光镜片中,还可以包含保护层,材质为防水材料,所述保护层的厚度为50-300埃米,优选为100-200埃米,例如130埃米,例如160埃米,例如190埃米。
下面将更详细地描述本发明的优选实施方式。虽然以下描述了本发明的优选实施方式,然而应该理解,可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施方式所限制。实施例中未注明具体技术或条件者,按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市购获得的常规产品。在下面的实施例中,如未明确说明,“%”均指重量百分比。
以下使用的测试方法包括:
反射率测试:使用分光光度计U-2900H测试400-1100nm透过率;
使用分光光度计U-3900H测试400-780nm反射率。
实施例1
一种埃米抗反射抗红外光镜片,包括基片和膜层,膜层位于基片内表面。膜层由靠近基片的一侧开始向外延伸,包括依次层叠的第一到第十薄膜层,其中,第一薄膜层、第四薄膜层、第六薄膜层和第九薄膜层为低折射率层,第二薄膜层和第七薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层或镍镀膜层中的一种或者多种组合,第三薄膜层、第五薄膜层和第八薄膜层为高折射率层,第十薄膜层为防水保护层。
具体的,第一薄膜层为SiO2,厚度为650埃米,第二薄膜层和第七薄膜层皆为硒镀膜层、铟镀膜层和镍镀膜层的组合层,其中各层的厚度分别为:硒镀膜层200埃米、铟镀膜层50埃米、镍镀膜层300埃米,第三薄膜层为Ti3O5镀膜层,厚度530埃米,第四薄膜层为SiO2,厚度800埃米,第五薄膜层为Ti3O5,厚度330埃米,第六薄膜层为SiO2,厚度820埃米,第八薄膜层为Ti3O5,厚度 350埃米,第九薄膜层为SiO2,厚度750埃米,第十薄膜层为防水保护层,厚度 280埃米。
对镜片进行测试,其反射率情况见图1和表1,透过率情况见图2和表2。
表1镜片反射率检测结果表(R表示反射率)
nm | %R | nm | %R | nm | %R | nm | %R | nm | %R | nm | %R |
780 | 1.7 | 715 | 0.4 | 650 | 1 | 585 | 0.8 | 520 | 0.4 | 455 | 0.5 |
775 | 1.3 | 710 | 0.4 | 645 | 1 | 580 | 0.7 | 515 | 0.4 | 450 | 0.6 |
770 | 1 | 705 | 0.4 | 640 | 1 | 575 | 0.7 | 510 | 0.3 | 445 | 1 |
765 | 0.9 | 700 | 0.6 | 635 | 1 | 570 | 0.6 | 505 | 0.3 | 440 | 1.3 |
760 | 0.8 | 695 | 0.6 | 630 | 1 | 565 | 0.6 | 500 | 0.3 | 435 | 1.7 |
755 | 0.6 | 690 | 0.6 | 625 | 1 | 560 | 0.6 | 495 | 0.3 | 430 | 2.7 |
750 | 0.6 | 685 | 0.7 | 620 | 1 | 555 | 0.5 | 490 | 0.3 | 425 | 3 |
745 | 0.5 | 680 | 0.7 | 615 | 1 | 550 | 0.5 | 485 | 0.3 | 420 | 4.3 |
740 | 0.4 | 675 | 0.8 | 610 | 1 | 545 | 0.4 | 480 | 0.2 | 415 | 5.1 |
735 | 0.4 | 670 | 0.8 | 605 | 1 | 540 | 0.4 | 475 | 0.2 | 410 | 6.2 |
730 | 0.4 | 665 | 0.9 | 600 | 0.9 | 535 | 0.4 | 470 | 0.2 | 405 | 7.5 |
725 | 0.4 | 660 | 1 | 595 | 0.9 | 530 | 0.4 | 465 | 0.3 | 400 | 8.9 |
720 | 0.4 | 655 | 1 | 590 | 0.9 | 525 | 0.4 | 460 | 0.3 |
表2镜片透过率检测结果表(T表示透过率)
nm | %T | nm | %T | nm | %T | nm | %T | nm | %T | nm | %T |
1100 | 20.987 | 980 | 24.652 | 860 | 26.876 | 740 | 18.866 | 620 | 12.405 | 500 | 11.625 |
1090 | 21.178 | 970 | 25.001 | 850 | 26.636 | 730 | 18.035 | 610 | 12.278 | 490 | 11.115 |
1080 | 21.383 | 960 | 25.331 | 840 | 26.323 | 720 | 17.246 | 600 | 12.201 | 480 | 10.577 |
1070 | 21.606 | 950 | 25.663 | 830 | 25.878 | 710 | 16.524 | 590 | 12.136 | 470 | 9.86 |
1060 | 21.842 | 940 | 25.945 | 820 | 25.317 | 700 | 15.585 | 580 | 12.135 | 460 | 9.211 |
1050 | 22.102 | 930 | 26.230 | 810 | 24.625 | 690 | 15.211 | 570 | 12.234 | 450 | 8.55 |
1040 | 22.385 | 920 | 26.486 | 800 | 23.866 | 680 | 14.605 | 560 | 12.297 | 440 | 8.002 |
1030 | 22.726 | 910 | 26.698 | 790 | 23.081 | 670 | 14.079 | 550 | 12.326 | 430 | 7.497 |
1020 | 23.072 | 900 | 26.867 | 780 | 22.297 | 660 | 13.633 | 540 | 12.394 | 420 | 7.245 |
1010 | 23.484 | 890 | 27.019 | 770 | 21.476 | 650 | 13.249 | 530 | 12.373 | 410 | 6.989 |
1000 | 23.895 | 880 | 27.067 | 760 | 20.616 | 640 | 12.910 | 520 | 12.205 | 400 | 6.894 |
990 | 24.283 | 870 | 27.003 | 750 | 19.72 | 630 | 12.612 | 510 | 11.997 |
从表1和表2可以得到,本发明所述埃米抗反射抗红外光镜片波长 400-700nm平均反射率小于1.5%,波长750-1100nm平均透过率小于29%,有效的减小反射光强度、降低红外光对眼睛的伤害,保护佩戴者的眼睛。
实施例2
一种埃米抗反射抗红外光镜片,包括基片和膜层,膜层位于基片内表面。膜层由靠近基片的一侧开始向外延伸,包括依次层叠的第一到第十薄膜层,其中,第一薄膜层、第四薄膜层、第六薄膜层和第九薄膜层为低折射率层,第二薄膜层和第七薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层和镍镀膜层的组合层,第三薄膜层、第五薄膜层和第八薄膜层为高折射率层,第十薄膜层为防水保护层。
具体的,第一薄膜层为SiO2层,厚度为600埃米,第二薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层和镍镀膜层的组合层,厚度分别为150埃米、60埃米、280埃米,第三薄膜层为Ti3O5层,厚度为490埃米,第四薄膜层为SiO2层,厚度为690埃米,第五薄膜层为Ti3O5层,厚度为335埃米,第六薄膜层为SiO2层,厚度为 799埃米,第七薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层和镍镀膜层的组合层,厚度分别为 150埃米、60埃米、280埃米,第八薄膜层为Ti3O5层,厚度为350埃米,第九薄膜层为SiO2层,厚度为688埃米,第十薄膜层为防水保护层,厚度为168埃米。
实施例3
一种埃米抗反射抗红外光镜片,包括基片和膜层,膜层位于基片内表面。膜层由靠近基片的一侧开始向外延伸,包括依次层叠的第一到第十薄膜层,其中,第一薄膜层、第四薄膜层、第六薄膜层和第九薄膜层为低折射率层,第二薄膜层和第七薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层或镍镀膜层的组合层,第三薄膜层、第五薄膜层和第八薄膜层为高折射率层,第十薄膜层为防水保护层。
具体的,第一薄膜层为SiO2层,厚度为630埃米,第二薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层和镍镀膜层的组合层,厚度分别为300埃米、70埃米、200埃米,第三薄膜层为Ta2O5层,厚度为510埃米,第四薄膜层为SiO2层,厚度为708埃米,第五薄膜层为Ta2O5层,厚度为355埃米,第六薄膜层为SiO2层,厚度为 808埃米,第七薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层和镍镀膜层的组合层,厚度分别为 300埃米、70埃米、200埃米,第八薄膜层为Ta2O5层,厚度为369埃米,第九薄膜层为SiO2层,厚度为703埃米,第十薄膜层为防水保护层,厚度为180埃米。
实施例4
一种埃米抗反射抗红外光镜片,包括基片和膜层,膜层位于基片内表面。膜层由靠近基片的一侧开始向外延伸,包括依次层叠的第一到第十薄膜层,其中,第一薄膜层、第四薄膜层、第六薄膜层和第九薄膜层为低折射率层,第二薄膜层和第七薄膜层为硒镀膜层,第三薄膜层、第五薄膜层和第八薄膜层为高折射率层,第十薄膜层为防水保护层。
具体的,第一薄膜层为SiO2层,厚度为650埃米,第二薄膜层为硒层,厚度为400埃米,第三薄膜层为Ta2O5层,厚度为530埃米,第四薄膜层为SiO2层,厚度为720埃米,第五薄膜层为Ta2O5层,厚度为350埃米,第六薄膜层为 SiO2层,厚度为850埃米,第七薄膜层为硒层,厚度为400埃米,第八薄膜层为Ta2O5层,厚度为375埃米,第九薄膜层为SiO2层,厚度为730埃米,第十薄膜层为防水保护层,厚度为160埃米。
实施例5
一种埃米抗反射抗红外光镜片,包括基片和膜层,膜层位于基片内表面。膜层由靠近基片的一侧开始向外延伸,包括依次层叠的第一到第十薄膜层,其中,第一薄膜层、第四薄膜层、第六薄膜层和第九薄膜层为低折射率层,第二薄膜层和第七薄膜层为镍镀膜,第三薄膜层、第五薄膜层和第八薄膜层为高折射率层,第十薄膜层为防水保护层。
具体的,第一薄膜层为SiO2层,厚度为635埃米,第二薄膜层为镍层,厚度为500埃米,第三薄膜层为ZrO2层,厚度为550埃米,第四薄膜层为SiO2层,厚度为780埃米,第五薄膜层为ZrO2层,厚度为380埃米,第六薄膜层为 SiO2层,厚度为860埃米,第七薄膜层为镍层,厚度为500埃米,第八薄膜层为ZrO2层,厚度为390埃米,第九薄膜层为SiO2层,厚度为750埃米,第十薄膜层为防水保护层,厚度为280埃米。
实施例6
一种埃米抗反射抗红外光镜片,包括基片和膜层,膜层位于基片内表面。膜层由靠近基片的一侧开始向外延伸,包括依次层叠的第一到第十薄膜层,其中,第一薄膜层、第四薄膜层、第六薄膜层和第九薄膜层为低折射率层,第二薄膜层和第七薄膜层为镍镀膜,第三薄膜层、第五薄膜层和第八薄膜层为高折射率层,第十薄膜层为防水保护层。
具体的,第一薄膜层为硅铝混合物层,厚度为590埃米,第二薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层和镍镀膜层的组合层,厚度分别为100埃米、50埃米、300 埃米,第三薄膜层为Ti3O5层,厚度为450埃米,第四薄膜层为硅铝混合物层,厚度为650埃米,第五薄膜层为Ti3O5层,厚度为320埃米,第六薄膜层为硅铝混合物层,厚度为760埃米,第七薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层和镍镀膜层的组合层,厚度分别为100埃米、50埃米、300埃米,第八薄膜层为Ti3O5层,厚度为330埃米,第九薄膜层为硅铝混合物层,厚度为660埃米,第十薄膜层为防水保护层,厚度为130埃米。
实施例7
制备埃米抗反射抗红外光镜片,方法如下:
(1)对基片进行清洗、烘干,烘烤温度40-65℃,时间1-2小时;
(2)依次对基片的内表面进行真空镀膜;
A、将烘干的基片摆放在治具上,送入真空腔室抽真空;
B、当真空腔室真空度达到小于或等于5*10-5Torr时,开启离子源,对基片进行表面清洗;
C、对基片内表面依次进行真空镀膜
当真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,并控制真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第一薄膜层材料,材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第一薄膜层蒸镀速率为第一薄膜层最终形成后的厚度为400-800埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第二薄膜层材料,材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第二薄膜层蒸镀速率为第二薄膜层最终形成后的厚度为200-700埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第三薄膜层材料,第三薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第三薄膜层蒸镀速率为第三薄膜层最终形成后的厚度为300-700埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第四薄膜层材料,第四薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第四薄膜层蒸镀速率为第四薄膜层最终形成后的厚度为500-900埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第五薄膜层材料,第五薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第五薄膜层蒸镀速率为第五薄膜层最终形成后的厚度为200-500埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第六薄膜层材料,第六薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第六薄膜层材料蒸镀速率为第六薄膜层材料最终形成后的厚度为600-1000埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第七薄膜层材料,第七薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第七薄膜层蒸镀速率为第十薄膜层最终形成后的厚度为200-700埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第八薄膜层材料,第八薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第八薄膜层蒸镀速率为第八薄膜层最终形成后的厚度为200-500埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第九薄膜层材料,第九薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第九薄膜层蒸镀速率为第九薄膜层最终形成后的厚度为500-900埃米;
(3)在完成第九薄膜层的制备之后,对基片内表面进行镀保护层镀膜:保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在 40-60℃,采用钨舟加热第十薄膜层的膜材防水材料,第十薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第十薄膜层蒸镀速率为第十薄膜层最终形成后的厚度为50-300埃米,形成保护层。
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (10)
1.一种埃米抗反射抗红外光镜片,其特征在于:所述埃米抗反射抗红外光镜片包括基片和设置在所述基片表面的膜层,所述膜层包括由内向外依次层叠的第一到第九薄膜层,其中,第一薄膜层、第四薄膜层、第六薄膜层和第九薄膜层为低折射率层,第二薄膜层和第七薄膜层为硒镀膜层、铟镀膜层或镍镀膜层中的一种或者多种组合,第三薄膜层、第五薄膜层和第八薄膜层为高折射率层;所述低折射率层的折射率为1.35-1.50,所述高折射率层的的折射率为2.00-2.50。
2.根据权利要求1所述埃米抗反射抗红外光镜片,其特征在于:所述膜层覆盖在所述基片的内表面。
3.根据权利要求1所述埃米抗反射抗红外光镜片,其特征在于:所述基片为亚克力基片、聚碳酸酯基片、尼龙基片、CR-39基片或玻璃基片的任意一种。
4.根据权利要求1所述埃米抗反射抗红外光镜片,其特征在于:所述高折射率层为材料为ZrO2、Ti3O5或Ta2O5中的任意一种;
任选的,所述低折射率层为SiO2、硅铝混合物或MgF2中的任意一种;
任选的,所述第二薄膜层和第七薄膜层皆为依次层叠的硒镀膜层、铟镀膜层和镍镀膜层的组合层,其中各层的厚度分别为:硒镀膜层100-300埃米、铟镀膜层50-100埃米、镍镀膜层100-300埃米。
5.根据权利要求1所述埃米抗反射抗红外光镜片,其特征在于:所述第一薄膜层的厚度为400-800埃米,所述第二薄膜层的厚度为200-700埃米,所述第三薄膜层的厚度为300-700埃米,所述第四薄膜层的厚度为500-900埃米,所述第五薄膜层厚度为200-500埃米,所述第六薄膜层厚度为600-1000埃米,所述第七薄膜层厚度为200-700,所述第八薄膜层厚度为200-500埃米,所述第九薄膜层厚度为500-900埃米。
6.根据权利要求5所述埃米抗反射抗红外光镜片,其特征在于:所述第一薄膜层的厚度为500-700埃米,所述第二薄膜层的厚度为400-600埃米,所述第三薄膜层的厚度为400-600埃米,所述第四薄膜层的厚度为600-800埃米,所述第五薄膜层厚度为300-400埃米,所述第六薄膜层厚度为700-900埃米,所述第七薄膜层厚度为400-600,所述第八薄膜层厚度为300-400埃米,所述第九薄膜层厚度为600-800埃米。
7.根据权利要求1-6任一项所述埃米抗反射抗红外光镜片,其特征在于:还包括保护层,所述保护层覆盖在所述第九薄膜层的外表面,所述保护层的厚度为50-300埃米。
8.根据权利要求7所述埃米抗反射抗红外光镜片,其特征在于:所述第一薄膜层为SiO2,厚度为650埃米,所述第二薄膜层和所述第七薄膜层皆为硒镀膜层、铟镀膜层和镍镀膜层的组合层,其中各层的厚度分别为:所述硒镀膜层200埃米、所述铟镀膜层50埃米、所述镍镀膜层300埃米,所述第三薄膜层为Ti3O5镀膜层,厚度530埃米,所述第四薄膜层为SiO2,厚度800埃米,所述第五薄膜层为Ti3O5,厚度330埃米,所述第六薄膜层为SiO2,厚度820埃米,所述第八薄膜层为Ti3O5,厚度350埃米,所述第九薄膜层为SiO2,厚度750埃米,所述保护层为防水保护层,厚度280埃米。
9.一种权利要求1-7任一项所述埃米抗反射抗红外光镜片的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)对基片进行清洗、烘干,烘烤温度40-65℃,时间1-2小时;
(2)依次对基片的内表面进行真空镀膜;
A、将烘干的基片摆放在治具上,送入真空腔室抽真空;
B、当真空腔室真空度达到小于或等于5*10-5Torr时,开启离子源,对基片进行表面清洗;
C、对基片内表面依次进行真空镀膜
当真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,并控制真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第一薄膜层材料,材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第一薄膜层蒸镀速率为第一薄膜层最终形成后的厚度为400-800埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第二薄膜层材料,材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第二薄膜层蒸镀速率为第二薄膜层最终形成后的厚度为200-700埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第三薄膜层材料,第三薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第三薄膜层蒸镀速率为第三薄膜层最终形成后的厚度为300-700埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第四薄膜层材料,第四薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第四薄膜层蒸镀速率为第四薄膜层最终形成后的厚度为500-900埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第五薄膜层材料,第五薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第五薄膜层蒸镀速率为第五薄膜层最终形成后的厚度为200-500埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第六薄膜层材料,第六薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第六薄膜层材料蒸镀速率为第六薄膜层材料最终形成后的厚度为600-1000埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第七薄膜层材料,第七薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第七薄膜层蒸镀速率为第十薄膜层最终形成后的厚度为200-700埃米;
保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时,同时保持真空腔室的温度在40-60℃,采用电子枪轰击第八薄膜层材料,第八薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面,同时控制第八薄膜层蒸镀速率为第八薄膜层最终形成后的厚度为200-500埃米;
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