CN111164725A - 用于带电粒子束检查的样本预充电方法和设备 - Google Patents
用于带电粒子束检查的样本预充电方法和设备 Download PDFInfo
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Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title description 30
- 230000005405 multipole Effects 0.000 claims abstract description 105
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 47
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0048—Charging arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
本文公开了一种设备，该设备包括：带电粒子源，被配置为沿设备的主束轴发射带电粒子束；聚束透镜，被配置为使得束围绕主束轴集中；开孔；第一多极透镜；第二多极透镜；其中第一多极透镜相对于聚束透镜处于下游、并且相对于第二多极透镜处于上游；其中第二多极透镜相对于第一多极透镜处于下游、并且相对于开孔处于上游。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年9月29日提交的美国申请62/566,153的优先权，其以整体通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及用于对器件制造过程(诸如，集成电路(IC)制造)中使用的样本(诸如晶片和掩模)进行检查(例如，观察、测量和成像)的方法和设备。
背景技术
器件制造过程可以包括将期望的图案施加到衬底上。备选地称为掩模或掩模版的图案形成装置可以用于生成期望的图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的一部分)上。图案的转印通常经由成像到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。单个衬底可以包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。光刻设备可以用于该转印。一种类型的光刻设备被称为步进器，其中，每个目标部分通过在一次中将整个图案曝光到目标部分上来照射。另一类型的光刻设备被称为扫描器，在扫描器中，每个目标部分通过在平行于或反平行于给定方向扫描衬底的同时，同步地通过辐射束在给定方向上来扫描图案来照射。通过将图案压印到衬底上，也可以将图案从图案形成装置转印到衬底。
为了监测器件制造过程的一个或多个步骤(例如，曝光、抗蚀剂处理、蚀刻、显影、烘烤等)，样本(例如，通过器件制造过程或本文使用的图案形成装置而被图案化的衬底)可以被检查，其中样本的一个或多个参数可以被测量。一个或多个参数可以包括例如边缘位置误差(EPE)，边缘位置误差是衬底或图案形成装置上的图案边缘与图案的预期设计的对应边缘之间的距离。检查还可以发现图案缺陷(例如，不合格的连接或不合格的分离)和不期望的粒子。
在器件制造过程中使用的衬底和图案形成装置的检查可以帮助改进产量。从检查中获得的信息可以用于标识缺陷或调整器件制造过程。
发明内容
本文公开了一种设备，包括：带电粒子源，被配置为沿该设备的主束轴发射带电粒子束；聚束透镜，被配置为使得束围绕主束轴而集中；开孔；第一多极透镜；第二多极透镜；其中第一多极透镜相对于聚束透镜处于下游、并且相对于第二多极透镜处于上游；其中第二多极透镜相对于第一多极透镜处于下游、并且相对于开孔处于上游。
根据一个实施例，该设备还包括扫描偏转器，被配置为相关于样本将束进行扫描。
根据一个实施例，该设备还包括物镜，被配置为将束聚焦到样本上。
根据一个实施例，该设备还包括第三多极透镜和第四多极透镜；其中第三多极透镜相对于开孔处于下游；其中第四多极透镜相对于第三多极透镜处于下游。
根据一个实施例，第一多极透镜和第二多极透镜是静电透镜。
根据一个实施例，第一多极透镜和第二多极透镜均具有至少四个极。
根据一个实施例，极均具有环的一部分的截面形状。
根据一个实施例，极均是棱柱形或圆柱形。
根据一个实施例，极中的每一个极由间隙或电介质与其相邻极分离。
根据一个实施例，极被配置为具有被施加到该极上的不同电压。
根据一个实施例，第一多极透镜被配置为在第一方向上拉伸束、并且在第二方向上压缩束；第二多极透镜被配置为在第二方向上拉伸束、并且在第一方向上压缩束。
本文公开了一种方法，包括：将带电粒子束设置为第一配置，第一配置适合于对样本进行预充电；使用处于第一配置中的带电粒子束对样本区域进行预充电；将带电粒子束设置为第二配置，第二配置适合于对样本进行成像；使用处于第二配置的带电粒子束对区域进行成像。
根据一个实施例，带电粒子束在设备中生成，该设备包括：带电粒子源，被配置为沿该设备的主束轴发射带电粒子束；聚束透镜，被配置为使得束围绕主束轴集中；开孔；第一多极透镜；第二多极透镜；其中第一多极透镜相对于聚束透镜处于下游、并且相对于第二多极透镜处于上游；其中第二多极透镜相对于第一多极透镜处于下游、并且相对于开孔处于上游。
根据一个实施例，将束设置为第一配置包括：对第一多极透镜和第二多极透镜进行激励。
根据一个实施例，将束设置为第二配置包括：对第一多极透镜和第二多极透镜中的至少一项进行去激励。
根据一个实施例，该设备还包括第三多极透镜和第四多极透镜；其中第三多极透镜相对于开孔处于下游；其中第四多极透镜相对于第三多极透镜处于下游。
根据一个实施例，将束设置为第一配置包括：对第三多极透镜和第四多极透镜进行激励。
根据一个实施例，将束设置为第二配置包括：对第三多极透镜和第四多极透镜中的至少一项进行去激励。
本文公开了计算机程序产品，该计算机程序产品包括在其上记录有指令的非暂态计算机可读介质，该指令在由计算机执行时实现上述任何方法。
附图说明
图1示意性地示出了可以执行带电粒子束检查的设备。
图2A示意性地示出了根据一个实施例的可以执行带电粒子束检查的设备，其中带电粒子束可以用于预充电和成像二者。
图2B示意性地示出了具有被激励的两个多极透镜的图2A的设备。
图3示意性地示出了作为图2A和图2B的设备中的多极透镜的一个示例的四极透镜的截面。
图4示意性地示出了在图2B的设备中，束在开孔处(左图)和在样本处(右图)的截面形状的示例。
图5A示意性地示出了作为图2A和图2B的设备中的多极透镜的一个示例的另一四极透镜的俯视图。
图5B示意性地示出了图5A的四极透镜的截面图。
图6A示意性地示出了根据一个实施例的带电粒子束检查，其中带电粒子束用于预充电以及用于成像二者。
图6B示出了图6A中的用于预充电的斑点和用于成像的探测斑点的交替扫描中的斑点路径，而未示出探测斑点的路径。
图6C示出了图6A中的用于预充电的斑点和用于成像的探测斑点的交替扫描中的探测斑点的路径，而未示出斑点的路径。
图7A示意性地示出了根据一个实施例的带电粒子束检查，其中带电粒子束用于预充电以及用于成像二者。
图7B示出了图7A中用于预充电的斑点和用于成像的探测斑点的交替扫描中的斑点的路径，而未示出探测斑点的路径。
图7C示出了图7A中用于预充电的斑点和用于成像的探测斑点的交替扫描中的探测斑点的路径，而未示出斑点的路径。
图8A示意性地示出了根据一个实施例的带电粒子束检查，其中带电粒子束用于预充电以及用于成像二者。
图8B示出了图8A中用于预充电的斑点和用于成像的探测斑点的交替扫描中的斑点的路径，而未示出探测斑点的路径。
图8C示出了图8A中用于预充电的斑点和用于成像的探测斑点的交替扫描中的探测斑点的路径，而未示出斑点的路径。
图9示意性地示出了根据一个实施例的用于带电粒子束检查的方法的流程图。
具体实施方式
存在用于检查样本(例如，衬底和图案形成装置)的多种技术。一种检查技术是光学检查，其中光束被引导到衬底或图案形成装置，并且表示光束和样本的相互作用(例如，散射、反射、衍射)的信号被记录。另一种检查技术是带电粒子束检查，其中带电粒子(例如，电子)束被引导到样本，并且表示带电粒子与样本之间的相互作用(例如，二次发射和背散射发射)的信号被记录。
图1示意性地示出了可以执行带电粒子束检查的设备100。设备100可以包括被配置为生成和控制带电粒子束的组件，例如，可以在自由空间中产生带电粒子的源10、束提取电极11、聚束透镜12、束消隐(beam blanking)偏转器13、开孔14、扫描偏转器15和物镜16。设备100可以包括被配置为检测表示带电粒子束和样本的相互作用的信号的组件，例如，E×B带电粒子绕行(detour)装置17、信号检测器21。设备100还可以包括被配置为处理信号或控制其他组件的组件(例如，处理器)。
在检查过程的一个示例中，带电粒子束18被引导到样本9(例如，晶片或掩模)，样本9被定位在平台30上。表示束18与样本9的相互作用的信号20由E×B带电粒子绕行装置17导向至信号检测器21。处理器可以使得平台30移动或使得束18扫描。
带电粒子束检查可以具有比光学检查更高的分辨率，这是因为用于带电粒子束检查的带电粒子的波长比用于光学检查的光的波长短。由于衬底和图案形成装置上图案的尺寸随着器件制造工艺的发展而变得越来越小，带电粒子束检查变得更广泛地被使用。
在带电粒子束检查中，电荷可以在对区域成像之前被施加到样本的区域，以更好地揭示区域中的某些特征(例如，电压对比缺陷)。在成像之前施加电荷的过程可以被称为预充电。预充电可以减少区域中电荷分布不均匀对成像的不利影响，或者可以通过利用区域中的各特征之中的电荷的相互作用的差异来增强对比度。
预充电可以通过至少两种技术来实现：淹没(flooding)和预扫描。在淹没技术中，电荷的分离源(有时被称为“淹没枪”)被用来提供相对大量的电荷以对区域充电。在区域充满电荷之后，带电粒子束用于对区域成像。样本在淹没期间可能移动。淹没可以持续以分钟为量级的时段。从淹没切换到成像可能花费几秒钟。用于淹没的相对长的时段减少检查的生产量。
在预扫描技术中，带电粒子束既用于预充电又用于成像。使用相同的带电粒子束用于预充电和成像二者允许精确控制预充电。在处于适合于成像的配置的带电粒子束跨区域进行扫描之前，处于适合于预充电的不同配置的相同带电粒子束跨区域进行扫描。
在这些配置之间的切换应相对快速。然而，如果用于成像相比，用于预充电(例如，揭露铜互连件中的薄空隙)需要更高的束电流密度，则在这些配置之间快速切换可能是困难的。束的电流可以通过增加通过开孔的束的电流密度来增加。基本上，在不改变开孔大小的情况下，较高的电流密度导致较多的每单位时间通过开孔的电荷。电流密度可以通过增加聚束透镜(例如，图1中的聚束透镜12)的强度、或通过在开孔之前添加额外的静电圆形透镜来增加。
聚束透镜可以是磁透镜。为了增加磁透镜的强度，磁透镜中磁体的励磁电流应当被改变。改变励磁电流很慢，并且精确控制励磁电流的幅度可能是困难的。此外，作为励磁电流的函数的磁透镜强度具有磁滞。
聚束透镜可以是静电圆形透镜。为了增加静电圆形透镜的强度，施加到静电圆形透镜上的电压应当增加。以高幅度的电压的改变(例如，＞1000V)可能被需要以用于针对预充电的配置与针对成像的配置之间的切换，但是这样的改变可能是缓慢的。
图2A示意性地示出了根据一个实施例的可以执行带电粒子束检查的设备2000，其中带电粒子束可以用于预充电和用于成像二者。设备2000具有带电粒子源2001、聚束透镜2002和开孔2007。源2001被配置为沿设备2000的主束轴2010发射带电粒子束。聚束透镜2002被配置为使得束围绕主束轴2010而集中。增加聚束透镜2002的强度会增加通过开孔2007的束的电流密度。设备2000还具有第一多极透镜2003和第二多极透镜2004。第一多极透镜2003相对于聚束透镜2002处于下游，而相对于第二多极透镜2004处于上游。第二多极透镜2004相对于第一多极透镜2003处于下游，而相对于开孔2007处于上游。在本文中使用的表述“组件A相对于组件B处于上游”表示在设备的正常操作中，带电粒子束将在到达组件B之前到达组件A。如本文所使用的表述“组件B相对于组件A处于下游”意指在设备的正常操作中，带电粒子束将在到达组件A之后到达组件B。设备2000可以进一步包括：扫描偏转器2008，被配置为相关于样本2030将束进行扫描；以及物镜2009，被配置为将束聚焦到样本2030上。设备2000可以可选地还包括第三多极透镜2005和第四多极透镜2006。第三多极透镜2005相对于开孔2007处于下游。第四多极透镜2006相对于第三多极透镜2005处于下游。如图2A所示的设备2000的第一多极透镜2003或第二多极透镜2004未被激励。束的外轮廓2041示出束的仅一小部分穿过开孔2007。该部分具有外轮廓2042。如图2B所示的设备2000具有被激励的第一多极透镜2003和第二多极透镜2004，这使得束的大得多的一部分穿过开孔2007。束具有外轮廓2043。第三多极透镜2005和第四多极透镜2006可以被用来在用于预充电的配置中、或用于成像的配置中将束成形。
设备2000中的多极透镜2003-2006可以是静电透镜。在一个实施例中，多极透镜2003-2006均具有至少四个极。例如，多极透镜2003-2006可以是四极透镜。图3示意性地示出了作为多极透镜2003-2006的一个示例的四极透镜的截面。四极透镜具有四个极3001-3004。极3001-3004可以均具有环的一部分的截面形状。极3001-3004中的每一个极可以由间隙或通过电介质与其相邻极分离。极3001和3003彼此相对设置；极3002和3004彼此相对设置。在使用期间，极3001和3003具有被施加到其上的正电压；极3002和3004具有被施加到其上的负电压；正电压和负电压具有相同的绝对值。在带电粒子携带负电荷(例如，带电粒子是电子)的假设下，束沿连接极3001和3003的线被拉伸，并且沿连接极3002和3004的线被压缩。即，四极透镜使得束具有椭圆形的截面3999。例如，第一多极透镜2003可以沿第一方向拉伸束、并且沿第二方向压缩束，第二方向不同于(例如，垂直于)第一方向；第二多极透镜2004可以沿第二方向拉伸束、并且沿第一方向压缩束。
图4示意性地示出了当多极透镜2003-2006被激励时，设备2000中束在开孔2007处(左图)、以及在样本2030处(右图)的截面形状的示例。尽管样本2030处的束可能不具有跨截面的均匀的电流密度分布，但是因为束均匀性对于预充电目的不是很重要，该束仍可以用于预充电。
图5A示意性地示出了作为多极透镜2003-2006的一个示例的另一四极透镜的俯视图。图5B示意性地示出了图5A的四极透镜的截面图。该四极透镜具有四个棱柱极或圆柱极5001-5004。极5001-5004中的每一个极可以由间隙或通过电介质与其相邻极分离。极5001与极5003彼此相对设置；极5002和5004彼此相对设置。在使用期间，极5001和5003具有被施加到其上的正电压；极5002和5004具有被施加到其上的负电压；正电压和负电压具有相同的绝对值。在带电粒子携带负电荷(例如，带电粒子是电子)的假设下，束沿连接极5001和5003的线被拉伸、并且沿连接极5002和5004的线被压缩。
图6A示意性地示出了根据一个实施例的带电粒子束检查，其中带电粒子束既用于预充电又用于成像。为了方便起见，在参考系(“RF”)中定义了两个方向x和y，参考系不具有相对于样本的移动。x和y方向相互垂直。在该实施例中，束处于适合于预充电的配置，并且在样本上形成斑点(spot)6001。斑点6001具有直径D1。斑点6001在-y方向上扫描了长度L，从而对D1×L的区域预充电。斑点6001以在y方向上的长度L、以及在x方向上的适当的长度(例如，(D1-D2)/2)而迅速折回(snap back)，并且束改变为适合于成像的配置、并且在样本上形成探测斑点6002；或者，束改变为适合于成像的配置、并且在样本上形成探测斑点6002，并且探测斑点6002以在y方向上的长度L、以及在x方向上的适当的长度(例如，(D1-D2)/2)而迅速折回。D2是探测斑点6002的直径。表示束和样本相互作用的信号在探测斑点6002跨D1×L的区域进行扫描时，从探测斑点6002而被记录。例如，探测斑点6002可以在-y方向上扫描L，然后以在y方向上的长度L和在-x方向上的D2而迅速折回。探测斑点6002的该往返扫描可以重复，直到探测斑点6002扫描D1×L的区域的整体。探测斑点6002以在y方向上的长度L，以及在-在x方向的适当的长度(例如，(D1+D2)/2)而迅速折回，并且束改变为适合于预充电的配置、并且在样本上形成斑点6001；或者，束改变为适合于预充电的配置、并且在样本上形成斑点6001，并且斑点6001以在y方向上的长度L、以及在-x方向上的适当的长度(例如(D1+D2)/2)而迅速折回。用于预充电的斑点6001和用于成像的探测斑点6002的交替扫描可以被重复来检查样本上的区域。虚线箭头表示斑点6001或探测斑点6002的快速折回。粗实线箭头表示斑点6001的路径，样本的某些区域沿该路径被预充电。细实线箭头表示探测斑点6002的路径，样本的某些区域沿该路径被成像。
图6B示出了图6A中的用于预充电的斑点6001、以及用于成像的探测斑点6002的交替扫描中斑点6001的路径，而未示出探测斑点6002的路径。图6C示出了图6A中的用于预充电的斑点6001和用于成像的探测斑点6002的交替扫描中的探测斑点6002的路径，而未示出斑点6001的路径。
图7A示意性地示出了根据一个实施例的带电粒子束检查，其中带电粒子束既用于预充电又用于成像。为了方便起见，在参考系(“RF”)中定义了两个方向x和y，参考系不具有相对于样本的移动。x和y方向相互垂直。在该实施例中，束处于适合于预充电的配置、并且在样本上形成斑点6001。斑点6001在-y方向上扫描了长度L，从而对D1×L的区域预充电。斑点6001在x方向上迅速折回适当的长度(例如，(D1-D2)/2)，并且束改变为适合于成像的配置、并且在样本上形成探测斑点6002；或束改变为适合于成像的配置、并且在样本上形成探测斑点6002，并且探测斑点6002在x方向迅速折回适当的长度(例如，(D1-D2)/2)。表示束和样本相互作用的信号在探测斑点6002跨D1×L的区域进行扫描时，从探测斑点6002而被记录。例如，探测斑点6002可以以在y方向上的L进行扫描，并且以在-y方向上的长度L以及在-x方向上的D2而迅速折回。探测斑点6002的该往返扫描可以重复，直到探测斑点6002扫描D1×L区域的整体。探测斑点6002在-x方向上迅速折回适当的长度(例如，(D1+D2)/2)，并且束改变为适合于预充电的配置、并且在样本上形成斑点6001；或者，束改变为适合于预充电的配置、并且在样本上形成斑点6001，并且斑点6001在-x方向上迅速折回适当的长度(例如，(D1+D2)/2)。该用于预充电的斑点6001和用于成像的探测斑点6002的交替扫描可以重复来检查样本上的区域。虚线箭头表示斑点6001或探测斑点6002的快速折回。粗实线箭头表示斑点6001的路径，样本的某些区域沿该路径被预充电。细实线箭头表示探测斑点6002的路径，样本的某些区域沿该路径被成像。
图7B示出了在图7A中的用于预充电的斑点6001和用于成像的探测斑点6002的交替扫描中的斑点6001的路径，而未示出探测斑点6002的路径。图7C示出了图7A中的用于预充电的斑点6001和用于成像的探测斑点6002的交替扫描中的探测斑点6002的路径，而未示出斑点6001的路径。
图8A示意性地示出了根据一个实施例的带电粒子束检查，其中带电粒子束既用于预充电又用于成像。为了方便起见，在参考系(“RF”)中定义了两个方向x和y，参考系相对于样本没有移动。x和y方向相互垂直。在该实施例中，束处于适合于预充电的配置中、并且在样本上形成斑点6001。斑点6001在-y方向上以长度L扫描，从而对D1×L的区域进行预充电。斑点6001以在y方向上的长度L、以及在x方向上的D1而迅速折回。斑点6001的往返扫描被重复，直到nD1×L(n为正整数)的整个区域通过斑点6001进行预充电。斑点6001以在y方向上的长度L、以及在x方向上的适当的长度(例如，(n-1)D1+(D1-D2)/2)而迅速折回，并且束改变为适合于成像的配置、并且在样本上形成探测斑点6002；或者，束改变为适合于成像的配置、并且在样本上形成探测斑点6002，并且斑点6001以在y方向上的长度L、以及在x方向上的适当的长度(例如，(n-1)D1+(D1-D2)/2)而迅速折回。表示束和样本相互作用的信号在探测斑点6002跨nD1×L区域进行扫描时，从探测斑点6002而被记录。例如，探测斑点6002可以以在-y方向上的L进行扫描，并且以在y方向上的长度L、以及在-x方向上的D2而快速折回。探测斑点6002的该往返扫描可以重复，直到探测斑点6002扫描nD1×L区域的整体。虚线箭头表示斑点6001或探测斑点6002的迅速折回。粗实线箭头表示斑点6001的路径，样本的某些区域沿该路径被预充电。细实线箭头表示探测斑点6002的路径，样本的某些区域沿该路径被成像。
图8B示出了图8A中的用于预充电的斑点6001和用于成像的探测斑点6002的交替扫描中的斑点6001的路径，而未示出探测斑点6002的路径。图8C示出了图8A中的用于预充电的斑点6001和用于成像的探测斑点6002的交替扫描中的探测斑点6002的路径，而未示出斑点6001的路径。
图9示意性地示出了根据一个实施例的用于带电粒子束检查的方法的流程图。在步骤9010中，带电粒子束被设置为适合于对样本进行预充电的配置。在步骤9020中，样本区域使用处于适合于预充电的配置的带电粒子束来进行预充电。在步骤9030中，相同的带电粒子束被设置为适合于对样本成像的配置。在步骤9040中，样本区域使用处于适合于成像的配置的带电粒子束而进行成像。流程可以返回到步骤9010。步骤9030不一定在步骤9020之后立即执行。在一个示例中，其中带电粒子束使用上述设备2000来生成，将束设置为适合于预充电的配置可以包括对第一多极透镜2003和第二多极透镜2004进行激励，以及可选地对第三多极透镜2005和第四多极透镜2006(在它们存在的情况下)进行激励。将束设置为适合于成像的配置可以包括对第一多极透镜2003和第二多极透镜2004中的至少一项进行去激励，以及可选地对第三多极透镜2005和第四多极透镜2006(在它们存在的情况下)中至少一项进行去激励。
实施例可以使用以下条款来进一步描述：
1.一种设备，包括：
带电粒子源，被配置为沿设备的主束轴发射带电粒子束；
聚束透镜，配置为使得束围绕主束轴集中；
开孔；
第一多极透镜；
第二多极透镜；
其中第一多极透镜相对于聚束透镜处于下游、并且相对于第二多极透镜处于上游。
其中第二多极透镜相对于第一多极透镜处于下游、并且相对于开孔处于上游。
2.根据条款1所述的设备，还包括扫描偏转器，被配置为相关于样本将束进行扫描。
3.根据条款1或2中的任一项所述的设备，还包括物镜，被配置为将束聚焦到样本上。
4.根据条款1至3中的任一项所述的设备，还包括第三多极透镜和第四多极透镜；
其中第三多极透镜相对于开孔处于下游；
其中第四多极透镜相对于第三多极透镜处于下游。
5.根据条款1至4中的任一项所述的设备，其中第一多极透镜和第二多极透镜是静电透镜。
6.根据条款1至5中的任一项所述的设备，其中第一多极透镜和第二多极透镜均具有至少四个极。
7.根据条款6所述的设备，其中极均具有环的一部分的截面形状。
8.根据条款6所述的设备，其中极均是棱柱形或圆柱形。
9.根据条款6所述的设备，其中极中的每一个极由间隙或电介质与其相邻极分离。
10.根据条款6所述的设备，其中极被配置为具有被施加到该极上的不同电压。
11.根据条款1至10中的任一项所述的设备，其中第一多极透镜被配置为在第一方向上拉伸束、并且在第二方向上压缩束；其中第二多极透镜被配置为在第二方向上拉伸束、并且在第一方向上压缩束。
12.一种方法，包括：
将带电粒子束设置为第一配置，第一配置适合于对样本进行预充电；
使用处于第一配置的带电粒子束对样本的区域进行预充电；
将带电粒子束设置为第二配置，第二配置适合对样本进行成像；
使用处于第二配置的带电粒子束对该区域进行成像。
13.根据条款12所述的方法，其中带电粒子束在设备中生成，该设备包括：
带电粒子源，被配置为沿该设备的主束轴发射带电粒子束；
聚束透镜，配置为使得束围绕主束轴而集中；
开孔；
第一多极透镜；
第二多极透镜；
其中第一多极透镜相对于聚束透镜处于下游、并且相对于第二多极透镜处于上游。
其中第二多极透镜相对于第一多极透镜处于下游、并且相对于开孔处于上游。
14.根据条款13所述的方法，其中将束设置为第一配置包括：对第一多极透镜和第二多极透镜进行激励。
15.根据条款13所述的方法，其中将束设置为第二配置包括：对第一多极透镜和第二多极透镜中的至少一项进行去激励。
16.根据条款13所述的方法，其中设备还包括第三多极透镜和第四多极透镜；
其中第三多极透镜相对于开孔处于下游；
其中第四多极透镜相对于第三多极透镜处于下游。
17.根据条款16所述的方法，其中将束设置为第一配置包括：对第三多极透镜和第四多极透镜进行激励。
18.根据条款16所述的方法，其中将束设置为第二配置包括：对第三多极透镜和第四多极透镜中的至少一项进行去激励。
19.一种计算机程序产品，包括其上记录有指令的非暂态计算机可读介质，该指令在由计算机执行时实现根据条款12至18中的任一项所述的方法。
尽管本文所公开的概念可以用于检查样本(例如，硅晶片)或图案形成装置(例如，玻璃上的铬)，但是应当理解，所公开的概念可以用于任何类型的样本(例如，对除硅晶片以外的样本的检查)。
上面的描述旨在是例示性的，而不是限制性的。因此，对于本领域的技术人员将显而易见的是，可以在不脱离下面阐述的权利要求的范围的情况下进行描述的修改。
Claims (15)
1.一种设备，包括：
带电粒子源，被配置为沿所述设备的主束轴发射带电粒子束；
聚束透镜，被配置为使得所述束围绕所述主束轴而集中；
开孔；
第一多极透镜；以及
第二多极透镜，
其中所述第一多极透镜相对于所述聚束透镜处于下游、并且相对于所述第二多极透镜处于上游，并且
其中所述第二多极透镜相对于所述第一多极透镜处于下游、并且相对于所述开孔处于上游。
2.根据权利要求1所述的设备，还包括扫描偏转器，被配置为相关于样本将所述束进行扫描。
3.根据权利要求1所述的设备，还包括物镜，被配置为将所述束聚焦到样本上。
4.根据权利要求1所述的设备，还包括第三多极透镜和第四多极透镜；
其中所述第三多极透镜相对于所述开孔处于下游；并且
其中所述第四多极透镜相对于所述第三多极透镜处于下游。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一多极透镜和所述第二多极透镜是静电透镜。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一多极透镜和所述第二多极透镜均具有至少四个极。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述极均具有环的一部分的截面形状。
8.根据权利要求6所述的设备，其中所述极均是棱柱形或圆柱形。
9.根据权利要求6所述的设备，其中所述极中的每个极由间隙或电介质与所述每个极的相邻极分离。
10.根据权利要求6所述的设备，其中所述极被配置为具有施加到所述极的不同电压。
11.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一多极透镜被配置为在第一方向上拉伸所述束、并且在第二方向上压缩所述束；并且其中所述第二多极透镜被配置为在所述第二方向上拉伸所述束、并且在所述第一方向上压缩所述束。
12.一种方法，包括：
将带电粒子束设置为第一配置，所述第一配置适合于对样本进行预充电；
使用处于所述第一配置的所述带电粒子束对所述样本的区域进行预充电；
将所述带电粒子束设置为第二配置，所述第二配置适合于对所述样本进行成像；以及
使用处于所述第二配置的所述带电粒子束对所述区域进行成像。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述带电粒子束在设备中生成，所述设备包括：
带电粒子源，被配置为沿所述设备的主束轴发射所述带电粒子束；
聚束透镜，被配置为使得所述束围绕所述主束轴而集中；
开孔；
第一多极透镜；以及
第二多极透镜，
其中所述第一多极透镜相对于所述聚束透镜处于下游、并且相对于所述第二多极透镜处于上游，并且
其中所述第二多极透镜相对于所述第一多极透镜处于下游、并且相对于所述开孔处于上游。
14.根据权利要求13所述的方法，其中将所述束设置为所述第一配置包括：对所述第一多极透镜和所述第二多极透镜进行激励。
15.一种计算机程序产品，包括非暂态计算机可读介质，所述非暂态计算机可读介质具有被记录在所述非暂态计算机可读介质上的指令，所述指令在由计算机执行时，实现根据权利要求12所述的方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311033092.9A CN116864359A (zh) | 2017-09-29 | 2018-09-25 | 用于带电粒子束检查的样本预充电方法和设备 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762566153P | 2017-09-29 | 2017-09-29 | |
| US62/566,153 | 2017-09-29 | ||
| PCT/EP2018/075996 WO2019063561A1 (en) | 2017-09-29 | 2018-09-25 | SAMPLE PRE-LOADING METHODS AND APPARATUSES FOR CHARGED PARTICLE BEAM INSPECTION |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311033092.9A Division CN116864359A (zh) | 2017-09-29 | 2018-09-25 | 用于带电粒子束检查的样本预充电方法和设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111164725A true CN111164725A (zh) | 2020-05-15 |
| CN111164725B CN111164725B (zh) | 2023-08-29 |
Family
ID=63713859
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311033092.9A Pending CN116864359A (zh) | 2017-09-29 | 2018-09-25 | 用于带电粒子束检查的样本预充电方法和设备 |
| CN201880063509.7A Active CN111164725B (zh) | 2017-09-29 | 2018-09-25 | 用于带电粒子束检查的样本预充电方法和设备 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311033092.9A Pending CN116864359A (zh) | 2017-09-29 | 2018-09-25 | 用于带电粒子束检查的样本预充电方法和设备 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11676792B2 (zh) |
| JP (2) | JP7442441B2 (zh) |
| KR (3) | KR20200044097A (zh) |
| CN (2) | CN116864359A (zh) |
| IL (1) | IL273526A (zh) |
| TW (1) | TWI726244B (zh) |
| WO (1) | WO2019063561A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL292290A (en) | 2019-10-18 | 2022-06-01 | Asml Netherlands Bv | Systems and methods for stress contrast defect detection |
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| US4075488A (en) | 1974-09-06 | 1978-02-21 | Agency Of Industrial Science & Technology | Pattern forming apparatus using quadrupole lenses |
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| US6924488B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-08-02 | Jeol Ltd. | Charged-particle beam apparatus equipped with aberration corrector |
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| JP2004363085A (ja) | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Ebara Corp | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP4276929B2 (ja) | 2003-11-18 | 2009-06-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線色収差補正装置および該収差補正装置を搭載した荷電粒子線装置 |
| JP4620981B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2011-01-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
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| WO2015045468A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
| JP6267543B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2018-01-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 収差補正器及びそれを用いた荷電粒子線装置 |
| JP6324241B2 (ja) * | 2014-07-07 | 2018-05-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および収差補正器 |
| JP6554288B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2019-07-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
-
2018
- 2018-09-25 KR KR1020207008914A patent/KR20200044097A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-09-25 JP JP2020515860A patent/JP7442441B2/ja active Active
- 2018-09-25 CN CN202311033092.9A patent/CN116864359A/zh active Pending
- 2018-09-25 US US16/652,025 patent/US11676792B2/en active Active
- 2018-09-25 CN CN201880063509.7A patent/CN111164725B/zh active Active
- 2018-09-25 WO PCT/EP2018/075996 patent/WO2019063561A1/en active Application Filing
- 2018-09-25 KR KR1020247020389A patent/KR20240097977A/ko active Search and Examination
- 2018-09-25 KR KR1020227032422A patent/KR20220132053A/ko active Application Filing
- 2018-09-28 TW TW107134288A patent/TWI726244B/zh active
-
2020
- 2020-03-23 IL IL273526A patent/IL273526A/en unknown
-
2023
- 2023-05-08 US US18/144,821 patent/US20230360877A1/en active Pending
- 2023-11-13 JP JP2023192768A patent/JP2024009062A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020535587A (ja) | 2020-12-03 |
| KR20240097977A (ko) | 2024-06-27 |
| CN111164725B (zh) | 2023-08-29 |
| US11676792B2 (en) | 2023-06-13 |
| KR20200044097A (ko) | 2020-04-28 |
| JP2024009062A (ja) | 2024-01-19 |
| US20230360877A1 (en) | 2023-11-09 |
| IL273526A (en) | 2020-05-31 |
| JP7442441B2 (ja) | 2024-03-04 |
| TWI726244B (zh) | 2021-05-01 |
| WO2019063561A1 (en) | 2019-04-04 |
| US20200266023A1 (en) | 2020-08-20 |
| CN116864359A (zh) | 2023-10-10 |
| KR20220132053A (ko) | 2022-09-29 |
| TW201923810A (zh) | 2019-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |