CN111151504A - 多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法，其中，多晶硅清洗机包括：本体和惰性气体喷吹装置，本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；惰性气体喷吹装置包括输气管道和多个风刀喷口，输气管道伸入本体内并延伸至酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽上方；多个风刀喷口设在输气管道上并沿输气管道的走向间隔分布，且多个风刀喷口分别独立地朝向酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽区域。该多晶硅清洗机结构简单、安装方便、投资小、见效快，能有效解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料二次污染的问题，保证清洗质量和清洗效果。

Description

多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法

技术领域

本发明属于太阳能领域，具体而言，涉及多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法。

背景技术

现有多晶硅清洗的工艺中，主要是将受到表面沾污的多晶硅块料浸泡在硝酸和氢氟酸的混合溶液中，通过酸与多晶硅表面发生的化学反应从而使多晶硅表面沾污杂质脱离多晶硅表面，以此提高多晶硅表面纯度，为后期铸锭或者单晶工艺提供优质原材料。多晶硅自动清洗设备是近年来在太阳能领域广泛使用的一种新技术，目前，现有的工艺技术主要从设备主体的密封方面进行改进，提高设备自身的密封性能，但是并不能防止空气的进入，无法解决物料从酸槽到快排纯水槽移动过程中产生的氧化现象，因此也就无法确保多晶硅的清洗质量和清洗效果，也为后期的分选包装及后续工序的使用造成了极大地影响。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法。该多晶硅清洗机不仅结构简单、安装方便、投资小、见效快，而且能有效解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料二次污染的问题，保证清洗质量和清洗效果，提高产品质量、降低劳动强度。

根据本发明的第一个方面，本发明提出了一种多晶硅清洗机。根据本发明的实施例，该多晶硅清洗机包括：

本体，所述本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；

惰性气体喷吹装置，所述惰性气体喷吹装置包括：

输气管道，所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽上方；

多个风刀喷口，多个所述风刀喷口设在所述输气管道上并沿所述输气管道的走向间隔分布，且多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽区域。

本发明上述实施例的多晶硅清洗机不仅结构简单、安装方便、投资小、见效快，而且对多晶硅进行清洗时，可以通过喷吹惰性气体在最易发生氧化的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽上方及二者的中间位置和边缘区域形成惰性气体正压环境，显著减少或杜绝多晶硅在清洗和转运过程中与空气接触，保证多晶硅在清洗和转运过程中不发生表面氧化，达到降低二次污染，提高清洗效率及清洗效果、同时降低后期分选劳动强度，提高下道工序的产品合格率和转化效果目的，有效解决了多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料二次污染的问题。具体地，采用该多晶硅清洗机对多晶硅进行清洗后，物料表面黑、黄色氧化点明显降低，95％的物料清洗后表面无氧化点，达到了一级块料标准；并且，采用该多晶硅清洗机可以大大提高对表面沾污的多晶硅物料的处理能力和处理效果，使后期分选难度降低90％以上。

另外，根据本发明上述实施例的多晶硅清洗机还可以具有如下附加的技术特征：

在本发明的一些实施例中，所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽和所述第二快速冲洗槽上方，多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽和所述第二快速冲洗槽区域；或者，所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽、所述第二快速冲洗槽和所述纯水过渡槽上方，多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽、所述第二快速冲洗槽和所述纯水过渡槽区域。

在本发明的一些实施例中，相邻两个所述风刀喷口的水平间距为60～120mm。

在本发明的一些实施例中，多个所述风刀喷口沿所述输气管道的走向均匀分布。

在本发明的一些实施例中，所述风刀喷口为扇形风刀喷口。

在本发明的一些实施例中，所述风刀喷口的喷吹方向与竖直方向的夹角不大于60度，优选不大于45度。

在本发明的一些实施例中，所述输气管路呈直线、曲线、U形、回形、矩形或椭圆形布置。

在本发明的一些实施例中，所述惰性气体喷吹装置包括多根平行分布的输气管道。

在本发明的一些实施例中，相邻两根所述输气管道的管间距为500～700mm。

在本发明的一些实施例中，所述输气管道与所述酸腐蚀槽和/或所述第一快速冲洗槽之间的垂直距离为600～900mm；或者，所述输气管道与所述酸腐蚀槽和/或所述第一快速冲洗槽和/或所述第二快速冲洗槽和/或所述纯水过渡槽之间的垂直距离为600～900mm。

在本发明的一些实施例中，所述输气管道上设有压力控制阀。

根据本发明的第二个方面，本发明提出了一种利用上述多晶硅清洗机清洗多晶硅的方法。根据本发明的实施例，该方法是在清洗流程中利用所述惰性气体喷吹装置向所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽区域喷吹惰性气体，以便在多晶硅的清洗和转运区域内形成惰性气体正压环境。采用该方法可以显著减少或杜绝多晶硅在清洗和转运过程中与空气接触，由此可以保证多晶硅在清洗和转运过程中不发生表面氧化，达到降低二次污染，提高清洗效率及清洗效果、同时降低后期分选劳动强度，提高下道工序的产品合格率和转化效果目的。具体地，采用该方法对多晶硅进行清洗后，物料表面黑、黄色氧化点明显降低，95％的物料清洗后表面无氧化点，达到了一级块料标准；并且，采用该方法可以大大提高对表面沾污的多晶硅物料的处理能力和处理效果，使后期分选难度降低90％以上。

在本发明的一些实施例中，在清洗流程中利用所述惰性气体喷吹装置向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽和所述第二快速冲洗槽区域喷吹惰性气体；或者，在清洗流程中利用所述惰性气体喷吹装置向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽、所述第二快速冲洗槽和所述纯水过渡槽区域喷吹惰性气体。

在本发明的一些实施例中，所述惰性气体喷吹压力为0.4～0.5MPa。

在本发明的一些实施例中，所述惰性气体为氮气或氩气。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本发明一个实施例的多晶硅清洗机的结构示意图。

图2是根据本发明再一个实施例的多晶硅清洗机的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

发明人发现，现有的多晶硅清洗机中，多晶硅经过酸洗后用机械手抓取放入快速冲洗槽，由于清洗机是不完全封闭的，存在空气，经过酸洗后的多晶硅料用机械手抓取放入快速冲洗槽，在转运过程所需的固有时间内(例如6s)，暴露在空气中的硅料会发生氧化，本发明中通过在清洗机中增加惰性气体喷吹装置可以保持清洗机内部为惰性气体微正压环境或局部微正压环境，从而防止硅料氧化。

根据本发明的第一个方面，本发明提出了一种多晶硅清洗机。根据本发明的实施例，如图1所示，该多晶硅清洗机包括：本体100和惰性气体喷吹装置200，惰性气体喷吹装置200包括输气管道210和多个风刀喷口220。该多晶硅清洗机不仅结构简单、安装方便、投资小、见效快，而且能完全解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料的二次污染的问题。下面参考图1～2对本发明的多晶硅清洗机进行详细描述。

本体100

根据本发明的实施例，本体100内设有机械手110和顺序布置的酸腐蚀槽120、第一快速冲洗槽130、第二快速冲洗槽140和纯水过渡槽150。由此对多晶硅进行清洗时，可以利用机械手将多晶硅先送入酸腐蚀槽进行酸洗，酸洗后再送入第一快速冲洗槽去除表面的酸液，然后再依次经过第二快速冲洗槽和纯水过渡槽。

根据本发明的一个具体实施例，纯水过渡槽150的出口可以位于本体100外，以便更有利于将清洗后的多晶硅物料输出；本体100的中下部靠近机械手110和酸腐蚀槽120处设有上料台160，通过上料台160将多晶硅物料转移至多晶硅清洗机中进行清洗。

根据本发明的再一个具体实施例，本体100可以进一步包括观测窗170，观测窗170可以设在本体100中上部的侧壁上，由此可以在清洗机外部直接监测多晶硅的清洗进度和清洗效果。

惰性气体喷吹装置200

根据本发明的实施例，惰性气体喷吹装置200包括输气管道210和多个风刀喷口220，输气管道210伸入本体100内并延伸至酸腐蚀槽120和第一快速冲洗槽130上方；多个风刀喷口220设在输气管道210上并沿输气管道220的走向间隔分布，且多个风刀喷口220分别独立地朝向酸腐蚀槽120和第一快速冲洗槽130区域。由此，在多晶硅的清洗流程中，可以利用惰性气体喷吹装置向最易发生氧化的酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽区域喷吹惰性气体，使酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽上方及二者的中间位置和边缘区域形成惰性气体正压环境，显著减少或杜绝多晶硅在清洗和转运过程中与空气接触，保证多晶硅在清洗和转运过程中不发生表面氧化，达到降低二次污染，提高清洗效率及清洗效果、同时降低后期分选劳动强度，提高下道工序的产品合格率和转化效果目的。

根据本发明的一个具体实施例，如图2所示，输气管道210可以伸入本体100内并延伸至酸腐蚀槽120、第一快速冲洗槽130和第二快速冲洗槽140上方，多个风刀喷口220可以分别独立地朝向酸腐蚀槽120、第一快速冲洗槽130和第二快速冲洗槽140区域；或者，输气管道210可以伸入本体100内并延伸至酸腐蚀槽120、第一快速冲洗槽130、第二快速冲洗槽140和纯水过渡槽150上方，多个风刀喷口220可以分别独立地朝向酸腐蚀槽120、第一快速冲洗槽130、第二快速冲洗槽140和纯水过渡槽150区域。由此可以进一步在酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽(和纯水过渡槽)上方及相邻两槽的中间位置和边缘区域形成惰性气体正压环境，进而进一步避免多晶硅在清洗和转运过程中与空气接触，保证多晶硅在清洗和转运过程中不发生表面氧化，达到降低二次污染，提高清洗效率及清洗效果、同时降低后期分选劳动强度，提高下道工序的产品合格率和转化效果目的。

需要说明的是，酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽区域包括酸腐蚀槽及其上方和边缘区域、第一快速冲洗槽及其上方和边缘区域以及二槽之间的空间区域；同样，酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽和第二快速冲洗槽区域以及酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽区域也包括各槽上方和各槽边缘区域以及相邻两槽之间的空间区域。另外，输气管道可以位于酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽的左上方、右上方、正上方或斜上方等，优选位于侧上方。

根据本发明的再一个具体实施例，相邻两个风刀喷口的水平间距可以为60～120mm，例如可以为60mm、70mm、80mm、90mm、100mm、110mm或120mm等，由此可以进一步有利于在酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽区域，或酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽和第二快速冲洗槽区域，或酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽区域，即在包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体区域形成稳定的惰性气体正压环境。

根据本发明的又一个具体实施例，多个风刀喷口220可以沿输气管道210的走向均匀分布，由此可以更有利于在包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体区域形成均匀、稳定的惰性气体正压环境。

根据本发明的又一个具体实施例，风刀喷口220可以为扇形风刀喷口，本发明中采用扇形风刀喷口向在包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体区域喷吹惰性气体时，可以形成惰性气体风帘，由此可以进一步避免氧气进入多晶硅的清洗和转运区域，保证多晶硅在清洗和转运过程中不会发生表面氧化现象，达到降低二次污染，提高清洗效率及清洗效果。

根据本发明的又一个具体实施例，风刀喷口220的喷吹方向与竖直方向的可以夹角不大于60度，发明人发现，若风刀喷口的喷吹方向与竖直方向的夹角过大，难以保证在包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体区域形成稳定的惰性气体正压保护区，本发明中通过控制上述喷吹方向可以确保在多晶硅的清洗和转运区域能够形成稳定的惰性气体正压保护区。优选地，风刀喷口220的喷吹方向与竖直方向的可以夹角可以不大于45度，由此可以进一步有利于在多晶硅的清洗和转运区域形成稳定的惰性气体正压保护区，从而更有利于避免空气进入多晶硅清洗和转运区域内与多晶硅发生氧化。

根据本发明的又一个具体实施例，本发明中输气管路210的布置方式并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，只需满足使酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽区域能够形成正压环境即可。例如，输气管路210可以呈直线、曲线、U形、回形、矩形或椭圆布置，再例如输气管路210可以呈直线或U形布置在至少包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体的正上方，或沿至少包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体的中心线呈曲线、U形、回形、矩形或椭圆形对称分布在各槽体的上方，由此可以更有利于在多晶硅的清洗和转运区域形成稳定的惰性气体正压环境。

根据本发明的又一个具体实施例，输气管道210的个数并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如惰性气体喷吹装置200可以包括一根或多根呈直线、曲线、U形、回形、矩形或椭圆形布置的输气管道210；再例如，惰性气体喷吹装置200可以包括多根平行分布的输气管道210，多根平行分布的输气管道210优选沿包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体的中心线对称分别，本发明中通过设置多根平行分布的输气管道210，还可以在包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体区域内形成多层惰性气体保护气帘，由此可以进一步避免空气进入多晶硅清洗和转运区域内与多晶硅发生氧化。进一步地，相邻两根输气管道的管间距可以为500～700mm，例如可以为500mm、550mm、600mm、650mm或700mm等，由此可以更有利于使包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体区域形成均匀的惰性气体正压环境。需要说明的是，本发明中所述的管间距为水平管间距或垂直管间距。

根据本发明的又一个具体实施例，输气管道210与酸腐蚀槽120和/或第一快速冲洗槽130之间的垂直距离可以为600～900mm，例如可以为600mm、650mm、700mm、750mm、800mm、850mm或900mm等，或者输气管道210与酸腐蚀槽120和/或第一快速冲洗槽130和/或第二快速冲洗槽140和/或纯水过渡槽150之间的垂直距离可以为600～900mmmm，例如可以为600mm、650mm、700mm、750mm、800mm、850mm或900mm等，发明人发现，距离输气管道的距离越远，惰性气体形成的正压越弱，因此若该垂直距离过大，难以在靠近各槽体的多晶硅的清洗和转运区域形成足够的惰性气体正压环境，并且若该垂直距离过大所需的喷吹压力也较大，容易导致清洗机内部气流紊乱；而若该垂直距离过小，不仅影响机械手的操作空间，还难以保证在包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体上方区域形成惰性气体正压环境。本发明中通过控制该垂直距离为600～900mm，可以更有利于在多晶硅的清洗和转运区域形成稳定的惰性气体正压环境，保证多晶硅在清洗和转运过程中不会发生表面氧化现象。

根据本发明的又一个具体实施例，输气管道210上可以设有压力控制阀(未示出)，由此可以根据实际需要控制惰性气体的喷吹压力，从而进一步有利于在包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体区域形成稳定的惰性气体正压环境。

根据本发明的又一个具体实施例，惰性气体喷吹压力可以为0.4～0.5MPa，例如可以为0.4MPa、0.45MPa或0.5MPa等，发明人发现，若惰性气体的喷吹压力过大，容易导致清洗机内气流紊乱，而若喷吹压力过小，又难以在包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体区域形成稳定的惰性气体正压环境，本发明中通过控制上述惰性气体喷吹压力，可以在多晶硅的清洗和转运区域形成稳定的惰性气体正压保护区，避免氧气进入，从而有效解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料的二次污染的问题。其中，惰性气体的种类并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如惰性气体可以为氮气或氩气等。

根据本发明的又一个具体实施例，多晶硅自动清洗机中引入有氮气输送管道，氮气输送管道上设有不锈钢手动球阀控制氮气的输送，不锈钢手动球阀位于本体外，氮气输送管道可以为PP管，在氮气输送管道上每隔80mm设置一个扇形风刀喷口，向氮气输送管道通入氮气(压力0.4MP)，使氮气从扇形风刀喷口吹出而形成风帘阻止空气进入，防止氧化。同时因为氮气充盈使酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽区域内保持氮气正压，避免空气进入造成氧化。

综上所述，采用本发明上述实施例的多晶硅清洗机对多晶硅进行清洗时，可以利用机械手将多晶硅先送入酸腐蚀槽进行酸洗，酸洗后再送入第一快速冲洗槽去除表面的酸液，然后再依次经过第二快速冲洗槽和纯水过渡槽。在该流程中，可以利用惰性气体喷吹装置向包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体区域喷吹惰性气体，使最易发生氧化的酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽，以及任选地第二快速冲洗槽和纯水过渡槽上方及其周边区域形成惰性气体正压环境，显著减少或杜绝多晶硅在清洗和转运过程中与空气接触，由此可以保证多晶硅在清洗和转运过程中不发生表面氧化，达到降低二次污染，提高清洗效率及清洗效果、同时降低后期分选劳动强度，提高下道工序的产品合格率和转化效果目的。由此，该多晶硅清洗机不仅结构简单、安装方便、投资小、见效快，而且能完全解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料的二次污染，从而保证清洗质量和清洗效果，提高产品质量、降低劳动强度。具体地，采用该多晶硅清洗机对多晶硅进行清洗后，物料表面黑、黄色氧化点明显降低，95％的物料清洗后表面无氧化点，达到了一级块料标准；并且，采用该多晶硅清洗机可以大大提高对表面沾污的多晶硅物料的处理能力和处理效果，使后期分选难度降低90％以上。

根据本发明的第二个方面，本发明提出了一种利用上述多晶硅清洗机清洗多晶硅的方法。根据本发明的实施例，该方法是在清洗流程中利用惰性气体喷吹装置向酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽区域喷吹惰性气体，以便在多晶硅的清洗和转运区域内形成惰性气体正压环境。采用该方法能完全解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料二次污染的问题，保证清洗质量和清洗效果，达到提高产品质量、降低劳动强度的目的。

根据本发明的一个具体实施例，优选在进行酸洗之前开启惰性气体喷吹装置，以便在酸洗之前预先排出清洗机内的空气，由此可以进一步避免多晶硅在清洗和转运过程中发生氧化。

根据本发明的再一个具体实施例，可以在清洗流程中利用惰性气体喷吹装置向酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽和第二快速冲洗槽区域喷吹惰性气体，或者在清洗流程中利用惰性气体喷吹装置向酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽区域喷吹惰性气体。由此可以进一步在多晶硅的清洗和各个转运区域均形成惰性气体正压环境，进而进一步避免多晶硅在清洗和转运过程中与空气接触，保证多晶硅在清洗和转运过程中不发生表面氧化，达到降低二次污染，提高清洗效率及清洗效果、同时降低后期分选劳动强度，提高下道工序的产品合格率和转化效果目的。

根据本发明的又一个具体实施例，惰性气体喷吹压力可以为0.4～0.5MPa，例如可以为0.4MPa、0.45MPa或0.5MPa等，发明人发现，若惰性气体的喷吹压力过大，容易导致清洗机内气流紊乱，而若喷吹压力过小，又难以在包括酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽在内的槽体区域形成稳定的惰性气体正压环境，本发明中通过控制上述惰性气体喷吹压力，可以在多晶硅的清洗和转运区域形成稳定的惰性气体正压保护圈，避免氧气进入，从而有效解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料的二次污染的问题。

根据本发明的又一个具体实施例，惰性气体的种类并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如惰性气体可以为氮气或氩气等。

需要说明的是，上述针对多晶硅清洗机所描述的特征和效果同样适用于该清洗多晶硅的方法，此处不再一一赘述。

综上所述，采用本发明上述实施例的清洗多晶硅的方法可以显著减少或杜绝多晶硅在清洗和转运过程中与空气接触，由此可以保证多晶硅在清洗和转运过程中不发生表面氧化，达到降低二次污染，提高清洗效率及清洗效果、同时降低后期分选劳动强度，提高下道工序的产品合格率和转化效果目的。具体地，采用该方法对多晶硅进行清洗后，物料表面黑、黄色氧化点明显降低，95％的物料清洗后表面无氧化点，达到了一级块料标准；并且，采用该方法可以大大提高对表面沾污的多晶硅物料的处理能力和处理效果，使后期分选难度降低90％以上。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种多晶硅清洗机，其特征在于，包括：

本体，所述本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；

惰性气体喷吹装置，所述惰性气体喷吹装置包括：

输气管道，所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽上方；

多个风刀喷口，多个所述风刀喷口设在所述输气管道上并沿所述输气管道的走向间隔分布，且多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽区域。

2.根据权利要求1所述的多晶硅清洗机，其特征在于，

所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽和所述第二快速冲洗槽上方，多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽和所述第二快速冲洗槽区域；或者，

所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽、所述第二快速冲洗槽和所述纯水过渡槽上方，多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽、所述第二快速冲洗槽和所述纯水过渡槽区域。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅清洗机，其特征在于，相邻两个所述风刀喷口的水平间距为60～120mm；

任选地，多个所述风刀喷口沿所述输气管道的走向均匀分布。

4.根据权利要求3所述的多晶硅清洗机，其特征在于，所述风刀喷口为扇形风刀喷口；

任选地，所述风刀喷口的喷吹方向与竖直方向的夹角不大于60度，优选不大于45度。

5.根据权利要求1或4所述的多晶硅清洗机，其特征在于，所述输气管路呈直线、曲线、U形、回形、矩形或椭圆形布置。

6.根据权利要求5所述的多晶硅清洗机，其特征在于，所述惰性气体喷吹装置包括多根平行分布的输气管道；

任选地，相邻两根所述输气管道的管间距为500～700mm。

7.根据权利要求1或6所述的多晶硅清洗机，其特征在于，所述输气管道与所述酸腐蚀槽和/或所述第一快速冲洗槽之间的垂直距离为600～900mm；或者，

所述输气管道与所述酸腐蚀槽和/或所述第一快速冲洗槽和/或所述第二快速冲洗槽和/或所述纯水过渡槽之间的垂直距离为600～900mm。

8.根据权利要求7所述的多晶硅清洗机，其特征在于，所述输气管道上设有压力控制阀。

9.一种利用权利要求1～8中任一项所述的多晶硅清洗机清洗多晶硅的方法，其特征在于，

在清洗流程中利用所述惰性气体喷吹装置向所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽区域喷吹惰性气体，以便在多晶硅的清洗和转运区域内形成惰性气体正压环境。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在清洗流程中利用所述惰性气体喷吹装置向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽和所述第二快速冲洗槽区域喷吹惰性气体；或者在清洗流程中利用所述惰性气体喷吹装置向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽、所述第二快速冲洗槽和所述纯水过渡槽区域喷吹惰性气体；

任选地，所述惰性气体喷吹压力为0.4～0.5MPa；

任选地，所述惰性气体为氮气或氩气。

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