CN111690979A - 一种水冷热屏用清洁装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种水冷热屏用清洁装置及单晶炉，包括充气环路，所述充气环路用于设置在水冷热屏上方，且大小与所述水冷热屏相适应，所述充气环路下方设有气孔，所述气孔与所述水冷热屏相对设置；充气法兰，所述充气法兰与所述充气环路连通，所述充气法兰设有进口，所述进口用于充气；空心柱体，所述空心柱体的一端与所述充气法兰连接，另一端与充气环路连接，用于导入气体并定位所述充气环路的位置。根据本发明实施例的水冷热屏用清洁装置，能过在单晶炉中清洁水冷热屏，减少水冷热屏表面附着物，提升水冷热屏对单晶的冷却效果，保证单晶生长过程稳定。此外提高氩气流量及压力，保证吹扫效果。且该装置结构简单，便于生产和制造。
Description
技术领域
本发明主要涉及晶体材料加工设备技术领域，具体涉及一种水冷热屏用清洁装置。
背景技术
随着单晶生长周期的不断延长，单晶炉中的水冷热屏上的附着物会不断累积增加，导致水冷热屏对单晶生长过程中的冷却效果因附着物的累积而不断降低，对单晶生产过程的稳定性造成一定影响。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种水冷热屏用清洁装置，用以清洁水冷热屏表面的附着物，避免附着物影响水冷热屏对单晶的冷却效果。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
根据本发明第一方面实施例的水冷热屏用清洁装置，包括：
充气环路，所述充气环路用于设置在水冷热屏上方，且大小与所述水冷热屏相适应，所述充气环路下方设有气孔，所述气孔与所述水冷热屏相对设置；
充气法兰，所述充气法兰与所述充气环路连通，所述充气法兰设有进口，所述进口用于充气；
空心柱体，所述空心柱体的一端与所述充气法兰连接，另一端与充气环路连接，用于导入气体并定位所述充气环路的位置。
所述装置还包括：
控制阀，所述控制阀与所述充气法兰的进口连接，用于控制向所述充气法兰注入气体。
优选地，所述充气气体是氩气。
优选地，所述充气环路为圆形环路。
优选地，所述充气环路上的所述气孔为多个，多个所述气孔均布在所述充气环路的下表面，与所述水冷热屏相对。
优选地，装置还包括：
导气软管，所述导气软管的一端与所述控制阀连接，另一端与所述充气法兰连接。
优选地，所述导气软管是金属材料件。
优选地，所述气体在所述充气环路中的流速大于200L/min。
优选地，所述气体在所述充气环路中对所述充气环路的侧壁压力大于0.2Mpa。
根据本发明第二方面实施例的一种单晶炉，包括上述所述的水冷热屏用清洁装置和水冷热屏，所述水冷热屏用清洁装置设置在所述水冷热屏的开口的上方。
本发明的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：
根据本发明实施例的水冷热屏用清洁装置，能够在单晶生长过程中清洁水冷热屏，减少水冷热屏表面附着物，提升水冷热屏对单晶的冷却效果，保证单晶生长过程稳定。此外，提高氩气流量及压力，保证吹扫效果。且该装置结构简单，便于生产和制造。
附图说明
图1为本发明实施例的水冷热屏用清洁装置的结构示意图；
图2为本发明实施例的单晶炉内水冷热屏用清洁装置的安装示意图。
附图标记：
充气环路10；
充气法兰20；进口21；
空心柱体30；
导气软管40；
控制阀50
水冷热屏60。
具体实施方式
下面首先结合附图具体描述根据本发明第一方面实施例的水冷热屏用清洁装置。
如图1所示，根据本发明第一方面实施例的水冷热屏用清洁装置，包括充气环路10，充气法兰20，空心柱体30。
具体地，充气环路10用于设置在水冷热屏60上方，且大小与水冷热屏60相适应，充气环路10下方设有气孔(未图示)，气孔与水冷热屏60相对设置，充气法兰20与充气环路10连通，充气法兰20设有进口21，进口21用于充气，空心柱体30的一端与充气法兰20连接，另一端与充气环路10连接，用于导入气体并定位充气环路10的位置。
也就是说，水冷热屏60的上方一段距离设有充气环路10，充气环路10与水冷热屏60相对的下表面设有气孔，气体从充气环路10的气孔喷出，达到一个吹扫水冷热屏60的效果，充气环路10的上表面通过空心柱体30与充气法兰20连通，其中，空心柱体30可以有一根或多根，如图1所示，充气环路10的上表面通过4根空心柱体30与充气法兰20连通，根据本申请的一个实施例，充气环路10和空心柱体30可以采用不锈钢材料件，不锈钢材料件具有强度高、稳定耐腐蚀等优点，空心柱体30的上方与充气法兰20连通，充气法兰20设有进口21，用于充气，这样，气体进入充气法兰20，通过空心柱体30可以进入充气环路10，从充气环路10的气孔排出，达到吹扫水冷热屏60的效果，根据本申请的一个实施例，充气法兰20固定安装在单晶炉里，这样，通过不锈钢材料件的空心柱体30，可以固定充气环路10的位置，使得充气环路10水冷热屏60相对设置，充气环路10的气孔吹出气体能有效吹扫水冷热屏60。
由此，根据本发明实施例的水冷热屏用清洁装置，能够对水冷热屏60进行吹送，进而减少水冷热屏60表面附着物，提升水冷热屏60对单晶的冷却效果，保证单晶生长过程稳定，提高了产品的质量。
根据本申请的一个实施例，装置还包括控制阀50，控制阀50与充气法兰20的进口21连接，用于控制向充气法兰20注入气体，也就是说，当控制阀50的开启时，可以向充气法兰20注入气体，当控制阀50关闭时，停止向充气法兰20注入气体。
根据本申请的一个实施例，充气气体是氩气，其中，是一种惰性气体，在常温下与其他物质均不起化学反应，安全性高，根据本申请的一个实施例，通过充气法兰20的进口21向充气法兰20充入氩气，氩气通过空心柱体30进入充气环路10，再从充气环路10的气孔排吹，吹扫到水冷热屏60的表面附着物。
根据本申请的一个实施例，充气环路10为圆形环路，其中圆形环路的充气环路10与水冷热屏60的形状相适应，圆形环路的气孔围绕成一个圈，排出气体能够达到更好的吹扫水冷热屏60表面附着物的效果。
根据本申请的一个实施例，充气环路10上的气孔为多个，多个气孔均布在充气环路10的下表面，与水冷热屏60相对，其中，在实际应用中，设置气孔的大小为直径大小1mm的圆孔，气孔之间2cm均匀排列，能够达到理想的吹扫水冷热屏60的表面附着物的效果。
根据本申请的一个实施例，还包括导气软管40，导气软管40的一端与控制阀50连接，另一端与充气法兰20连接，也就是说，当开启控制阀50时，氩气气体通过导气软管40进入充气法兰20，其中，导气软管40的长度可以根据实际情况设置。
根据本申请的一个实施例，导气软管40是金属材料件，其中，导气软管40使用的金属材料件具有耐磨损，不易损坏的优点，能够达到一个较长的使用周期。
根据本申请的一个实施例，气体在充气环路10中的流速大于200L/min，也就是说，通过加大氩气进气流量，使得氩气在充气环路10中的流速大于200L/min，这样，氩气在充气环路10的气孔排出的出气量增加，吹扫水冷热屏60时，能够达到一个较好的清洁水冷热屏60的效果。
根据本申请的一个实施例，气体在充气环路10中对充气环路10的侧壁压力大于0.2Mpa，其中，为了达到一个较好的清洁水冷热屏60的效果，加大了氩气气体的吹扫压力，也就是说，氩气在充气环路10中对充气环路10的侧壁压力大于0.2Mpa，氩气在充气环路10的气孔排出的速度增加，能够达到一个较好的清洁水冷热屏60的效果。
根据本发明实施例的水冷热屏用清洁装置，能够在单晶炉中清洁水冷热屏60，减少水冷热屏60表面附着物，提升水冷热屏60对单晶的冷却效果，保证单晶生长过程稳定。此外提高氩气流量及压力，保证吹扫效果。且该装置结构简单，便于生产和制造。
根据本发明第二方面实施例的单晶炉，包括上述实施例的水冷热屏用清洁装置和水冷热屏60，水冷热屏用清洁装置设置在水冷热屏60的开口的上方。
如图2所示，水冷热屏用清洁装置设置在水冷热屏60的开口的上方，与单晶炉自带的充气法兰20通过空心柱体30固定连接，其中，充气法兰20的进口21与单晶炉自带管网系统连接，用于进气。
由于根据本发明上述实施例的水冷热屏用清洁装置具有上述技术效果，因此，根据本发明实施例的单晶炉也具有相应的技术效果，即，能够在单晶炉中清洁水冷热屏，减少水冷热屏表面附着物，提升水冷热屏对单晶的冷却效果，保证单晶生长过程稳定。此外提高氩气流量及压力，保证吹扫效果。且该装置结构简单，便于生产和制造。
根据本发明实施例水冷热屏用清洁装置及单晶炉的其他结构和操作对于本领域技术人员而言都是可以理解并且容易实现的，因此不再详细描述。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种水冷热屏用清洁装置，其特征在于，包括：
充气环路，所述充气环路用于设置在水冷热屏上方，且大小与所述水冷热屏相适应，所述充气环路下方设有气孔，所述气孔与所述水冷热屏相对设置；
充气法兰，所述充气法兰与所述充气环路连通，所述充气法兰设有进口，所述进口用于充气；
空心柱体，所述空心柱体的一端与所述充气法兰连接，另一端与充气环路连接，用于导入气体并定位所述充气环路的位置。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
控制阀，所述控制阀与所述充气法兰的进口连接，用于控制向所述充气法兰注入气体。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述充气气体是氩气。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述充气环路为圆形环路。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述充气环路上的所述气孔为多个，多个所述气孔均布在所述充气环路的下表面，与所述水冷热屏相对。
6.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括：
导气软管，所述导气软管的一端与所述控制阀连接，另一端与所述充气法兰连接。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述导气软管是金属材料件。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气体在所述充气环路的流速大于200L/min。
9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气体在所述充气环路中对所述充气环路的侧壁压力大于0.2Mpa。
10.一种单晶炉，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的水冷热屏用清洁装置和水冷热屏，所述水冷热屏用清洁装置设置在所述水冷热屏的开口的上方。
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