CN111123931B - 一种agv双驱动磁导航的拐弯方法及存储装置 - Google Patents

一种agv双驱动磁导航的拐弯方法及存储装置 Download PDF

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Abstract

本发明的AGV双驱动磁导航的拐弯方法及存储装置，该方法包括以下步骤：a.AGV以v1速度向岔路口行驶，地标读卡器读取岔路卡后，控制模块生成控制第一驱动单元的第一拐弯指令；b.第一磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第一驱动单元发出第一拐弯指令；c.第一拐弯指令生成时，控制模块检测第二驱动单元行驶L距离后，则生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令；d.第二磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第二驱动单元发出第二拐弯指令。本发明的AGV双驱动磁导航的拐弯方法，第一拐弯指令生成时，控制模块通过检测第二驱动单元行驶L距离后才生成第二拐弯指令，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，使用可靠。

Description

一种AGV双驱动磁导航的拐弯方法及存储装置
技术领域
本发明属于自动导航小车技术领域，具体涉及一种AGV双驱动磁导航的拐弯方法及存储装置。
背景技术
随着工业自动化的发展，AGV在工厂里面的应用越来越广泛，AGV在工厂里面担当的角色也越来越重要。相应地，AGV应用的场景也是越来越复杂，AGV的智能化程度的要求也越来越高。以前，AGV只是单纯的，沿着环形的磁条轨道，单向行驶，走圈来搬运货物就可以了，而现在，AGV的行驶轨道已经是多岔路口，多分支的轨道了。
磁导航AGV是靠提前埋在地面的RFID地标卡，识别前方有岔路口，以及该岔路口的站点分配的(即左分支，右分支，直走分支各自能够去哪些范围的站点)。然后，AGV再根据自身要去的目的站点，来判断出在岔路口应该往哪个方向选择。这些程序都是在一瞬间就完成的，当AGV通过磁寻迹传感器检测到岔路口的磁条时，就会马上做出响应，该往那边拐弯，就往那边拐弯(AGV通过磁寻迹传感器以及AGV的导航算法，能够识别出前方岔路口，左分支，右分支，直走分支的)。
但是，对应双驱动轮AGV，其包括第一驱动单元11和第二驱动单元12，AGV前进的时候，第一驱动单元11通过第一磁寻迹传感器读取的磁条路径进行行驶，第二驱动单元12 通过第二磁寻迹传感器读取的磁条路径进行行驶，由于其采用磁条导航的方式，在岔路口比较密集的地方，就容易出现“误拐弯”的问题了，具体的，参见附图图2，在AGV行驶的道路中，存在两个岔路口，分别为岔路口A21和岔路口B22，岔路口A21和岔路口B22之间的距离是AGV两驱动轮间距离L的1到1.5倍，AGV根据路线规划要在岔路口A21进行拐弯，当AGV的第一驱动单元11直走经过岔路口B22准备来到岔路口A21处时，第二驱动单元12 仍没经过岔路口B22，位于AGV前侧的地标卡读取器读取到岔路卡A31后(根据当前任务，岔路口B22不是AGV当前拐弯的岔路)，控制模块同时生成分别控制第一驱动单元11和第二驱动单元12的拐弯指令，则当第一磁寻迹传感器读取到岔路口的磁条时，则第一驱动单元11执行拐弯指令，同样地，当第二磁寻迹传感器读取到岔路口B22的磁条时，则第二驱动单元12执行拐弯指令。从而导致了第一驱动单元11在岔路口A21处拐弯了，而第二驱动单元12在岔路口B22处也拐弯，则AGV以平行方式同时在岔路口A21和岔路口B22的弯道行驶，使得AGV不能按照原定规划路径行驶，导致AGV不能完成指派的任务。这是由于两个岔路口之间的距离相对较近而导致的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种防止磁导航AGV在相邻较近的岔路口拐错弯的AGV双驱动磁导航的拐弯方法及存储装置。
为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种AGV双驱动磁导航的拐弯方法，所述AGV包括车体、和设于AGV车体上的控制模块、地标读卡器、设于AGV车体前后的第一驱动单元和第二驱动单元上、对应第一驱动单元的第一磁寻迹传感器及对应第二驱动单元的第二磁寻迹传感器，所述第一驱动单元和第二驱动单元的中心间距为L，所述第一磁寻迹传感器和第二磁寻迹传感器用于读取地面上磁条并导航对应的驱动轮；所述方法包括以下步骤：
a.AGV以v1速度向岔路口行驶，地标读卡器读取岔路卡后，控制模块生成控制第一驱动单元的第一拐弯指令。
b.第一磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第一驱动单元发出第一拐弯指令。
c.第一拐弯指令生成时，控制模块检测第二驱动单元行驶L距离后，则生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令。
d.第二磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第二驱动单元发出第二拐弯指令。
与现有技术相比，本发明的AGV双驱动磁导航的拐弯方法，第一拐弯指令生成时，控制模块通过检测第二驱动单元行驶L距离后才生成第二拐弯指令，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，保证AGV的前后驱动轮在相同的岔路口进行拐弯，使用可靠。
进一步的，所述控制模块检测第二驱动单元行驶L距离的方式有两种：
第一种方式：步骤c中，所述第一拐弯指令生成延时t＝L/v1后，控制模块生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令；通过这样设置，控制模块通过采用延时t＝L/v1生成第二拐弯指令的方式，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，设置方便。
第二种方式：步骤c中，第一拐弯指令生成时，控制模块通过编码器获取第二驱动单元的转圈数达到n＝L/D后，则生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令，其中D为第二驱动单元轮子的周长；通过这样设置，控制模块通过采用读取第二驱动单元的转圈数达到n＝L/D 后，才生成第二拐弯指令，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，设置方便。
进一步的，所述控制模块通过设置在车体上的速度传感器获取AGV的移动速度v1；通过这样设置，便于AGV准确获取自身的行驶移动速度。
进一步的，所述L一般为0.8-1.5m，具体也可以根据AGV的需求而设定，所述v1为0.3至1m/s；通过这样设置，避免AGV以过快的速度拐弯造成侧翻。
一种存储装置，该存储装置存储多条执行指令，其特征在于，所述执行指令用于控制模块加载并执行以下操作：
a.AGV以v1速度向岔路口行驶，地标读卡器读取岔路卡后，控制模块生成控制第一驱动单元的第一拐弯指令。
b.第一磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第一驱动单元发出第一拐弯指令。
c.第一拐弯指令生成时，控制模块检测第二驱动单元行驶L距离后，则生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令。
d.第二磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第二驱动单元发出第二拐弯指令。
与现有技术相比，本发明的存储装置，第一拐弯指令生成时，控制模块通过检测第二驱动单元行驶L距离后才生成第二拐弯指令，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，保证AGV的前后驱动轮在相同的岔路口进行拐弯，使用可靠。
进一步的，所述控制模块检测第二驱动单元行驶L距离的方式有两种：
第一种方式：步骤c中，所述第一拐弯指令生成延时t＝L/v1后，控制模块生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令；通过这样设置，控制模块通过采用延时t＝L/v1生成第二拐弯指令的方式，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，设置方便。
第二种方式：步骤c中，第一拐弯指令生成时，控制模块通过编码器获取第二驱动单元的转圈数达到n＝L/D后，则生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令，其中D为第二驱动单元轮子的周长；通过这样设置，控制模块通过采用读取第二驱动单元的转圈数达到n＝L/D 后，才生成第二拐弯指令，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，设置方便。
附图说明
图1为应用本发明的AGV双驱动磁导航的拐弯方法后AGV的行驶情况
图2为背景技术中AGV在相邻较近的岔路口拐错弯的行驶情况
具体实施方式
以下结合附图说明本发明的技术方案：
实施例一：
参见图1，本发明的AGV双驱动磁导航的拐弯方法，所述AGV包括车体、和设于车体上的控制模块、地标读卡器、设于AGV车体前后的第一驱动单元11和第二驱动单元12上、对应第一驱动单元11的第一磁寻迹传感器及对应第二驱动单元12的第二磁寻迹传感器，所述第一驱动单元11和第二驱动单元12优选均为舵轮机构或差速驱动轮等，所述第一驱动单元11和第二驱动单元12的间距为L，所述间距为L是指第一驱动单元11和第二驱动单元12的中心之间的距离；所述方法包括以下步骤：
a.AGV以v1速度向岔路口行驶，地标读卡器读取岔路卡后，控制模块生成控制第一驱动单元11的第一拐弯指令。
b.第一磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第一驱动单元11发出第一拐弯指令。
c.第一拐弯指令生成时，控制模块检测第二驱动单元12行驶L距离后，则生成控制第二驱动单元12的第二拐弯指令。
d.第二磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第二驱动单元12发出第二拐弯指令。
与现有技术相比，本发明的AGV双驱动磁导航的拐弯方法，第一拐弯指令生成时，控制模块通过检测第二驱动单元12行驶L距离后才生成第二拐弯指令，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，保证AGV的前后驱动轮在相同的岔路口进行拐弯，使用可靠。
在一种实施例中，在步骤c中，所述第一拐弯指令生成延时t＝L/v1后，控制模块生成控制第二驱动单元12的第二拐弯指令；通过这样设置，控制模块通过采用延时t＝L/v1生成第二拐弯指令的方式，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，设置方便。在相邻较近的岔路口道路时，延时时长设计为t＝L/v1，使得经过t时间后，第二驱动单元 12已经越过岔路口B22，避免第二驱动单元12在岔路口B22拐弯。
应用本发明延时方式的AGV双驱动磁导航的拐弯方法时，例如在AGV行驶的道路中，存在两个岔路口，分别为岔路口A21和岔路口B22，岔路口A21和岔路口B22之间的距离是AGV两驱动单元间距离L的1到1.5倍，AGV根据路线规划要在岔路口A21进行拐弯，当AGV 的第一驱动单元11直走经过岔路口B22准备来到岔路口A21处时，第二驱动单元12仍没经过岔路口B22，位于AGV前侧的地标卡读取器读取到岔路卡A31后(根据路线规划，岔路口B22不是AGV当前要拐的岔路口)，控制模块生成控制第一驱动单元11的第一拐弯指令，并且延时t＝L/v1后，生成控制第二驱动单元12的第二拐弯指令，在t时间内，当第一磁寻迹传感器读取到岔路口A21的磁条时，则第一驱动单元11执行第一拐弯指令，而第二磁寻迹传感器读取到岔路口B22磁条时，由于第二驱动单元12没有接收到第二执行拐弯指令，则第二驱动单元12直线穿过岔路口B22，经过时间t＝L/v1后，第二驱动单元12已经路过岔路口B22，控制模块才生成第二拐弯指令，则当第二磁寻迹传感器读取到岔路口A21的磁条时，第二驱动单元12执行第二拐弯指令，与第一驱动单元11一样在岔路口A21拐弯，按照原定规划路径行驶。
在一种实施例中，在步骤c中，所述第一拐弯指令生成延时t＝L/v1后，控制模块生成控制第二驱动单元12的第二拐弯指令；通过这样设置，控制模块通过采用延时t＝L/v1生成第二拐弯指令的方式，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，设置方便。
在一种替换的实施例中，步骤c中，第一拐弯指令生成时，控制模块通过编码器获取第二驱动单元12的转圈数达到n＝L/D后，则生成控制第二驱动单元12的第二拐弯指令，其中D为第二驱动单元12轮子的周长；通过这样设置，控制模块通过采用读取第二驱动单元12的转圈数达到n＝L/D后，才生成第二拐弯指令，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，设置方便。
在一种实施例中，所述控制模块通过设置在车体上的速度传感器获取AGV的移动速度 v1；通过这样设置，便于AGV准确获取自身的行驶移动速度。
在一种实施例中，所述L一般为0.8-1.5m，具体也可以根据AGV的的需求来设定，所述v1为0.3至1m/s；通过这样设置，避免AGV以过快的速度拐弯造成侧翻。
实施例二：
参见图1，本发明的存储装置，该存储装置存储多条执行指令，其特征在于，所述执行指令用于控制模块加载并执行以下操作：
a.AGV以v1速度向岔路口行驶，地标读卡器读取岔路卡后，控制模块生成控制第一驱动单元11的第一拐弯指令。
b.第一磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第一驱动单元11发出第一拐弯指令。
c.第一拐弯指令生成延时t＝L/v1后，控制模块生成控制第二驱动单元12的第二拐弯指令。
d.第二磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第二驱动单元12发出第二拐弯指令。
与现有技术相比，本发明的存储装置，第一拐弯指令生成时，控制模块通过检测第二驱动单元12行驶L距离后才生成第二拐弯指令，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，保证AGV的前后驱动轮在相同的岔路口进行拐弯，使用可靠。
在一种实施例中，在步骤c中，所述第一拐弯指令生成延时t＝L/v1后，控制模块生成控制第二驱动单元12的第二拐弯指令；通过这样设置，控制模块通过采用延时t＝L/v1生成第二拐弯指令的方式，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，设置方便。在相邻较近的岔路口道路时，延时时长设计为t＝L/v1，使得经过t时间后，第二驱动单元 12位于AGV读取岔路口A21和岔路口B22之间的岔路卡的位置，保证第二驱动单元12已经越过岔路口B22，避免第二驱动单元12在岔路口B22拐弯。
在一种替换的实施例中，在步骤c中，第一拐弯指令生成时，控制模块通过编码器获取第二驱动单元12的转圈数达到n＝L/D后，则生成控制第二驱动单元12的第二拐弯指令，其中D为第二驱动单元12轮子的周长；通过这样设置，控制模块通过采用读取第二驱动单元12的转圈数达到n＝L/D后，才生成第二拐弯指令，有效避免AGV后驱动轮在相邻较近的岔路口拐错弯，设置方便。
根据上述说明书的揭示和教导，本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本发明构成任何限制。

Claims (9)

1.一种AGV双驱动磁导航的拐弯方法，AGV的第一驱动单元和第二驱动单元的中心间距为L，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
a.AGV以v1速度向岔路口行驶，地标读卡器读取岔路卡后，控制模块生成控制第一驱动单元的第一拐弯指令；
b.第一磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第一驱动单元发出第一拐弯指令；
c.第一拐弯指令生成时，控制模块检测第二驱动单元行驶L距离后，则生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令；
d.第二磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第二驱动单元发出第二拐弯指令。
2.根据权利要求1所述的AGV双驱动磁导航的拐弯方法，其特征在于：步骤c中，第一拐弯指令生成延时t＝L/v1后，控制模块生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令。
3.根据权利要求1所述的AGV双驱动磁导航的拐弯方法，其特征在于：步骤c中，第一拐弯指令生成时，控制模块通过编码器获取第二驱动单元的转圈数达到n＝L/D后，则生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令，其中D为第二驱动单元轮子的周长。
4.根据权利要求1至3任一项所述的AGV双驱动磁导航的拐弯方法，其特征在于：所述控制模块通过设置在车体上的速度传感器获取AGV的移动速度v1。
5.根据权利要求1至3任一项所述的AGV双驱动磁导航的拐弯方法，其特征在于：所述L为0.8-1.5m。
6.根据权利要求2所述的AGV双驱动磁导航的拐弯方法，其特征在于：v1为0.3至1m/s。
7.一种存储装置，该存储装置存储多条执行指令，其特征在于，所述执行指令用于控制模块加载并执行以下操作：
a.AGV以v1速度向岔路口行驶，地标读卡器读取岔路卡后，控制模块生成控制第一驱动单元的第一拐弯指令；
b.第一磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第一驱动单元发出第一拐弯指令；
c.第一拐弯指令生成时，控制模块检测第二驱动单元行驶L距离后，则生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令；
d.第二磁寻迹传感器读取到岔路磁条时，反馈信号至控制模块向第二驱动单元发出第二拐弯指令。
8.根据权利要求7所述的存储装置，其特征在于：步骤c中，第一拐弯指令生成延时t＝L/v1后，控制模块生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令。
9.根据权利要求7所述的存储装置，其特征在于：步骤c中，第一拐弯指令生成时，控制模块通过编码器获取第二驱动单元的转圈数达到n＝L/D后，则生成控制第二驱动单元的第二拐弯指令，其中D为第二驱动单元轮子的周长。
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