CN111106533A - 一种vcsel芯片及其制造方法 - Google Patents

一种vcsel芯片及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111106533A
CN111106533A CN201911331992.5A CN201911331992A CN111106533A CN 111106533 A CN111106533 A CN 111106533A CN 201911331992 A CN201911331992 A CN 201911331992A CN 111106533 A CN111106533 A CN 111106533A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
grating structure
vcsel chip
grating
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911331992.5A
Other languages
English (en)
Inventor
仇伯仓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangxi Mingde Semiconductor Technology Co ltd
Original Assignee
Jiangxi Deray Photoelectric Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangxi Deray Photoelectric Technology Co ltd filed Critical Jiangxi Deray Photoelectric Technology Co ltd
Priority to CN201911331992.5A priority Critical patent/CN111106533A/zh
Publication of CN111106533A publication Critical patent/CN111106533A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1231—Grating growth or overgrowth details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明提供一种VCSEL芯片及其制造方法，所述VCSEL芯片包括芯片主体，所述芯片主体上设有出光窗口，所述出光窗口内设置有光栅结构，所述光栅结构的光栅周期随其中心距的增大而减少。本发明通过直接在VCSEL芯片的出光窗口内、设置光栅周期随其中心距的增大而减少的光栅结构，以通过光栅的衍射作用对VCSEL芯片的光束进行整形，相比于现有设置光学整形透镜系统的方案，无疑降低了VCSEL芯片的整体成本，并保证了VCSEL芯片的整体厚度，有利于小型化。

Description

一种VCSEL芯片及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体激光技术领域，特别涉及一种VCSEL芯片及其制造方法。
背景技术
VCSEL全名为垂直共振腔表面放射激光(Vertical Cavity Surface EmittingLaser)，简称面射型激光，又称VCSEL芯片，与传统的边发射激光器不同，VCSEL的激光出射方向垂直于衬底表面。VCSEL芯片具有阈值电流低、面发射、发光效率高、功耗极低、光束质量好，易于光纤耦合、超窄的线宽、极高的光束质量、高偏振比和造价便宜等特点，广泛应用于激光显示、信息存储、激光通讯、光传感等领域。
其中，VCSEL芯片一般在衬底材料(如GaAs)上外延生长而成，如图1所示，一个典型的VCSEL芯片的外延结构包含n型限制层、非掺杂的有源区以及p型限制层，现今的VCSEL芯片输出光形状为一扩散的光斑，如图1所示，为了使VCSEL芯片输出平行光束或者聚焦光束，则需要对VCSEL芯片的光束进行整形。
现有技术当中，目前通过在后续的封装中加上复杂的光学整形透镜系统对VCSEL芯片的光束进行整形，而光学整形透镜系统成本高且占用一定体积，无疑增加了VCSEL芯片的整体成本和体积，不利于小型化。
发明内容
基于此，本发明的目的是提供一种VCSEL芯片及其制造方法，以解决现有技术当中VCSEL芯片的整体成本高的技术问题。
本发明实施例提供一种VCSEL芯片，包括芯片主体，所述芯片主体上设有出光窗口，所述出光窗口内设置有光栅结构，所述光栅结构的光栅周期随其中心距的增大而减少。
进一步地，所述光栅结构的光栅周期Λ和中心距r之间满足以下条件式：
Λ＝k/rn，n为任意正数，k为比例系数。
进一步地，所述光栅结构的深度大于或等于所述VCSEL芯片的发射光线在所述光栅结构中的波长。
进一步地，所述光栅结构的深度大于或等于268nm。
进一步地，所述光栅结构为圆形光栅或条形光栅，所述光栅结构通过蚀刻成型。
进一步地，所述光栅结构的材料为半导体材料或所述芯片主体的介质材料。
进一步地，所述芯片主体包括依次层叠的n型限制层、有源区以及p型限制层，所述光栅结构设置在所述p型限制层的顶部。
进一步地，所述p型限制层内设有限流圈，所述p型限制层顶部设有上电极，所述n型限制层底部设有下电极，所述上电极的中心部位围成所述出光窗口。
进一步地，所述芯片主体经刻蚀形成一台面，所述台面分布在所述n型限制层、所述有源区以及所述p型限制层上。
本发明实施例另一方面还提出一种VCSEL芯片制造方法，所述VCSEL芯片为上述的VCSEL芯片，所述制造方法包括：
在衬底材料上外延生长形成芯片主体，所述芯片主体包括依次层叠的n型限制层、有源区以及p型限制层；
对所述芯片主体进行刻蚀，以在所述芯片主体上形成一台面；
在所述p型限制层内氧化成型限流圈；
在所述p型限制层的顶部成型上电极，并在所述n型限制层底部成型下电极，所述上电极的中心部位围成出光窗口。
在所述出光窗口中蚀刻光栅结构。
本发明的有益效果：通过直接在VCSEL芯片的出光窗口内、设置光栅周期随其中心距的增大而减少的光栅结构，以通过光栅的衍射作用对VCSEL芯片的光束进行整形，相比于现有设置光学整形透镜系统的方案，无疑降低了VCSEL芯片的整体成本，并保证了VCSEL芯片的整体厚度，有利于小型化。
附图说明
图1为现有技术当中的VCSEL芯片的结构图；
图2为本发明第一实施例中的VCSEL芯片的结构图；
图3为图2当中I处的放大图；
图4为本发明第一实施例中的光栅结构的俯视图；
图5为本发明第二实施例中的光栅结构的俯视图；
图6为本发明第三实施例中的VCSEL芯片制造方法的流程图；
图7为本发明第三实施例中的芯片主体的结构图。
主要元件符号说明：
芯片主体 11 光栅结构 12
限流圈 13 上电极 14
下电极 15 出光窗口 11a
遮光圈 121 n型限制层 111
有源区 112 p型限制层 113
台面 11b
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例一
请参阅图2和图4，所示为本发明第一实施例中的VCSEL芯片，包括芯片主体11、光栅结构12、限流圈13、上电极14及下电极15，其中：
芯片主体11上设有出光窗口11a，光栅结构12设置在出光窗口11a内，并且光栅结构12的光栅周期Λ随其中心距r的增大而减少，优选地，光栅结构12的光栅周期Λ和中心距r之间满足以下条件式：
Λ＝k/rn，n为任意正数，k为比例系数。即光栅结构12的光栅周期Λ与中心距rn成反比，例如当n为1时，光栅周期Λ与中心距r成反比，当n为2时，光栅周期Λ与中心距r2成反比。K可以为任意正数，例如，当k选择为4，n为1时，最内圈的光栅的光栅周期Λ和中心距r的对应值如下表格1所示：
表格1：
Figure BDA0002329873840000041
在本实施例当中，光栅结构12为圆形光栅，且为圆对称结构，请参阅图3和图4，光栅结构12由向外扩散式排布的若干遮光圈121组成，相邻两个遮光圈中线之间的区域为一个光栅周期Λ，遮光圈中线到光栅结构中心的距离为中心距r(因光栅结构12为圆形光栅，中心距r也为光栅半径)，各遮光圈121的宽度随距离光栅中心的距离的增大而减小。当芯片的发射光线从出光窗口11a发出时，基于光栅衍射原理，圆形的光栅结构12对光进行相应的傅立叶变换，以对发射光线进行聚焦，形成聚焦光束，如图3所示。
在具体实施时，可以通过蚀刻半导体材料或蚀刻芯片主体11的介质材料(SiO2或SiN)来成型光栅结构12。
其中，芯片主体11具体包括依次层叠的n型限制层111、有源区112以及p型限制层113，有源区112为非掺杂的有源区，有源区112包括发光的量子阱及其势垒层。n型限制层111和p型限制层113均由两种不同组份的材料(如Al0.1GaAs和Al0.9GaAs)组成，两种不同组份的材料逐层交替布置，因采用两种不同组份的材料组成，从而具有不同的折射率。在其它实施例当中，n型限制层111和p型限制层113也可以均由同组份的材料组成。
具体地，光栅结构12设置在p型限制层113的顶部。限流圈13设置在p型限制层113内，上电极14设置在p型限制层的顶部，上电极的中心部位围成出光窗口11a，下电极15设置在n型限制层111的底部。限流圈13形成的目的在于将电流限制在一定的区域范围内，这样不仅可以保证芯片有较小的阈值电流，而且更重要的是可以保证芯片的输出光模式可以满足设计需求。
此外，为了设计外形需要，芯片主体11经刻蚀形成一台面11b，台面11b分布在n型限制层111、有源区112以及p型限制层113上，台面11b可以为但不限于圆柱形、正方柱形、六方柱形等。
为了保证光栅结构12能够有效地对发射光束进行调控，光栅结构12的深度需要足够深，为此限定，光栅结构12的深度大于或等于VCSEL芯片的发射光线在光栅结构12中传播的波长。例如，对于发射光线的波长为940nm的VCSEL芯片，而GaAs材料的折射率大约为3.5，则发射光线在经过光栅结构12的波长大约为268nm，则光栅结构12的深度大于或等于268nm。
综上，本实施例当中的VCSEL芯片，通过直接在VCSEL芯片的出光窗口11a内、蚀刻光栅周期随其中心距的增大而减少的圆形的光栅结构12，以通过光栅的衍射作用对VCSEL芯片的光束进行整形，以最终形成聚焦光束发出，相比于现有设置光学整形透镜系统的方案，无疑降低了VCSEL芯片的整体成本，并保证了VCSEL芯片的整体厚度，有利于小型化。
实施例二
请参阅图5，所述为本发明第二实施例当中的VCSEL芯片的光栅结构12的结构图，本实施例当中的VCSEL芯片与第一实施例当中的VCSEL芯片的不同之处在于：
在本实施例当中，光栅结构12为条形光栅，请参阅图5，光栅结构12由向外扩散式排布的若干遮光条122组成，相邻两个遮光条中线之间的区域为一个光栅周期Λ，遮光条中线到光栅结构中心o的距离为中心距r，各遮光条122的宽度也随距离光栅中心的距离的增大而减小，光栅结构12的光栅周期Λ和中心距r之间同样满足以下条件式：
Λ＝k/rn，n为任意正数，k为比例系数。
当芯片的发射光线从出光窗口11a发出时，基于光栅衍射原理，条形的光栅结构12对光进行相应的傅立叶变换，以对发射光线进行调控，形成平行的条形光束输出，无需设置光学整形透镜系统即完成了平行光束的输出，降低了VCSEL芯片的整体成本，并保证了VCSEL芯片的整体厚度，有利于小型化。
需要指出的是，本发明第二实施例所提供的装置，其实现原理及产生的技术效果和第一实施例相同，为简要描述，本实施例未提及之处，可参考第一实施例中相应内容。
实施例三
本发明另一方面还提出一种VCSEL芯片制造方法，请参阅图6，所示为本发明第二实施例当中的VCSEL芯片制造方法，可用于制造上述任一实施例当中的VCSEL芯片，所述VCSEL芯片制造方法包括步骤S001-步骤S005。
步骤S001，在衬底材料上外延生长形成芯片主体，所述芯片主体包括依次层叠的n型限制层、有源区以及p型限制层。
在具体实施时，可以采用分子束外延(MBE)或金属有机化学气相沉积(MOCVD)等方法按照预先设计的结构在相应的衬底材料如GaAs上外延生长而成型芯片主体。步骤S001形成的芯片主体如图7所示。
步骤S002，对所述芯片主体进行刻蚀，以在所述芯片主体上形成一台面。
在具体实施时，可采用干法蚀刻、湿法蚀刻、化学蚀刻等方式刻蚀掉芯片主体多余部分，以在芯片主体上形成所需台面。
步骤S003，在所述p型限制层内氧化成型限流圈。
在具体实施时，可以采用氧化工艺在设计位置上氧化成型该限流圈。
步骤S004，在所述p型限制层的顶部成型上电极，并在所述n型限制层底部成型下电极，所述上电极的中心部位围成出光窗口。
在具体实施时，可以采用高温喷镀的方式在p型限制层的顶部和n型限制层的底部喷镀电极材质，以成型该上电极和该下电极。
步骤S005，在所述出光窗口中蚀刻光栅结构。
在具体实施时，可以在芯片主体的出光窗口中、通过蚀刻半导体材料或蚀刻芯片主体的介质材料(SiO2或SiN)来成型光栅结构，所述光栅结构与上述任一实施例当中的光栅结构12的结构相同，即可以在出光窗口中蚀刻圆形或条形的光栅结构，具体按输出光束的要求来确定。最终成型后的VCSEL芯片，如图2-图4所示。
综上，本实施例当中的VCSEL芯片制造方法，通过直接在VCSEL芯片的出光窗口11a内、蚀刻光栅结构12，以通过光栅的衍射作用对VCSEL芯片的光束进行整形，相比于现有设置光学整形透镜系统的方案，无疑降低了VCSEL芯片的整体成本，并保证了VCSEL芯片的整体厚度，有利于小型化。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种VCSEL芯片，包括芯片主体，其特征在于，所述芯片主体上设有出光窗口，所述出光窗口内设置有光栅结构，所述光栅结构的光栅周期随其中心距的增大而减少。
2.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述光栅结构的光栅周期Λ和中心距r之间满足以下条件式：
Λ＝k/rn，n为任意正数，k为比例系数。
3.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述光栅结构的深度大于或等于所述VCSEL芯片的发射光线在所述光栅结构中的波长。
4.根据权利要求3所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述光栅结构的深度大于或等于268nm。
5.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述光栅结构为圆形光栅或条形光栅，所述光栅结构通过蚀刻成型。
6.根据权利要求5所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述光栅结构的材料为半导体材料或所述芯片主体的介质材料。
7.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述芯片主体包括依次层叠的n型限制层、有源区以及p型限制层，所述光栅结构设置在所述p型限制层的顶部。
8.根据权利要求7所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述p型限制层内设有限流圈，所述p型限制层顶部设有上电极，所述n型限制层底部设有下电极，所述上电极的中心部位围成所述出光窗口。
9.根据权利要求8所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述芯片主体经刻蚀形成一台面，所述台面分布在所述n型限制层、所述有源区以及所述p型限制层上。
10.一种VCSEL芯片制造方法，其特征在于，所述VCSEL芯片为权利要求1-9任一项所述的VCSEL芯片，所述制造方法包括：
在衬底材料上外延生长形成芯片主体，所述芯片主体包括依次层叠的n型限制层、有源区以及p型限制层；
对所述芯片主体进行刻蚀，以在所述芯片主体上形成一台面；
在所述p型限制层内氧化成型限流圈；
在所述p型限制层的顶部成型上电极，并在所述n型限制层底部成型下电极，所述上电极的中心部位围成出光窗口。
在所述出光窗口中蚀刻光栅结构。
CN201911331992.5A 2019-12-21 2019-12-21 一种vcsel芯片及其制造方法 Pending CN111106533A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911331992.5A CN111106533A (zh) 2019-12-21 2019-12-21 一种vcsel芯片及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911331992.5A CN111106533A (zh) 2019-12-21 2019-12-21 一种vcsel芯片及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111106533A true CN111106533A (zh) 2020-05-05

Family

ID=70422814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911331992.5A Pending CN111106533A (zh) 2019-12-21 2019-12-21 一种vcsel芯片及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111106533A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114188426A (zh) * 2022-02-17 2022-03-15 福建慧芯激光科技有限公司 一种高带宽高响应度的光电探测器
US11418009B2 (en) * 2018-03-08 2022-08-16 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Light emission device comprising at least one VCSEL and a spread lens

Citations (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6504180B1 (en) * 1998-07-28 2003-01-07 Imec Vzw And Vrije Universiteit Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom
EP1289082A2 (en) * 2001-08-28 2003-03-05 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device having selective absorption qualities over a wide temperature range
US20030133478A1 (en) * 2002-01-17 2003-07-17 Yakov Sidorin Tunable diffractive device
US20090097522A1 (en) * 2006-02-03 2009-04-16 John Justice Vertical cavity surface emitting laser device
CN101572286A (zh) * 2009-05-27 2009-11-04 苏州大学 偏振出光发光二极管
US20110280269A1 (en) * 2010-05-13 2011-11-17 The Regents Of The University Of California High contrast grating integrated vcsel using ion implantation
CN102388513A (zh) * 2009-02-11 2012-03-21 丹麦科技大学 混合垂直腔激光器
CN102637999A (zh) * 2012-04-17 2012-08-15 中国科学院半导体研究所 亚波长自聚焦的径向偏振垂直腔面发射激光器及制备方法
CN102667544A (zh) * 2009-07-17 2012-09-12 惠普开发有限公司 具有聚焦能力的非周期性光栅反射镜及其制作方法
US20130058370A1 (en) * 2010-02-24 2013-03-07 The Regents Of The University Of California Planar, high na, low loss transmitting or reflecting lenses using sub-wavelength high contrast grating
US20130107569A1 (en) * 2011-11-02 2013-05-02 Enplas Corporation Light guide panel and optical system including the same
US20130314766A1 (en) * 2010-12-01 2013-11-28 Epicrystals Oy Wavelength conversion crystal, and a light source comprising the same
CN103633559A (zh) * 2013-12-05 2014-03-12 中国科学院半导体研究所 高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器
CN103999304A (zh) * 2012-01-18 2014-08-20 惠普发展公司，有限责任合伙企业 集成亚波长光栅元件
CN106415954A (zh) * 2014-04-07 2017-02-15 丹麦技术大学 Vcsel结构
US20170093128A1 (en) * 2014-03-04 2017-03-30 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Vertical-cavity surface-emitting lasers
CN106654856A (zh) * 2017-02-28 2017-05-10 武汉光迅科技股份有限公司 一种垂直腔面激光器及其制作方法
CN107069432A (zh) * 2017-06-20 2017-08-18 中国科学院半导体研究所 环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构
CN107579430A (zh) * 2017-09-26 2018-01-12 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 角度快速扫描集成非周期性高对比光栅垂直腔面发射激光雷达光源
CN109346922A (zh) * 2018-11-29 2019-02-15 西安工业大学 一种输出均匀偏振光的微型激光器及其制备方法
CN208580950U (zh) * 2018-07-10 2019-03-05 中国科学院福建物质结构研究所 一种基于正交光栅结构的单纵横模激光器
CN110178229A (zh) * 2016-12-02 2019-08-27 原子能与替代能源委员会 具有提取增强的带有发光二极管的光电设备
CN110247302A (zh) * 2019-07-09 2019-09-17 华中科技大学 一种基于表面光栅的面发射激光器
WO2019217794A1 (en) * 2018-05-11 2019-11-14 The Regents Of The University Of California Oxide spacer hcg vcsels and fabrication methods

Patent Citations (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6504180B1 (en) * 1998-07-28 2003-01-07 Imec Vzw And Vrije Universiteit Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom
EP1289082A2 (en) * 2001-08-28 2003-03-05 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device having selective absorption qualities over a wide temperature range
US20030133478A1 (en) * 2002-01-17 2003-07-17 Yakov Sidorin Tunable diffractive device
US20090097522A1 (en) * 2006-02-03 2009-04-16 John Justice Vertical cavity surface emitting laser device
CN102388513A (zh) * 2009-02-11 2012-03-21 丹麦科技大学 混合垂直腔激光器
CN101572286A (zh) * 2009-05-27 2009-11-04 苏州大学 偏振出光发光二极管
CN102667544A (zh) * 2009-07-17 2012-09-12 惠普开发有限公司 具有聚焦能力的非周期性光栅反射镜及其制作方法
US20130058370A1 (en) * 2010-02-24 2013-03-07 The Regents Of The University Of California Planar, high na, low loss transmitting or reflecting lenses using sub-wavelength high contrast grating
US20110280269A1 (en) * 2010-05-13 2011-11-17 The Regents Of The University Of California High contrast grating integrated vcsel using ion implantation
US20130314766A1 (en) * 2010-12-01 2013-11-28 Epicrystals Oy Wavelength conversion crystal, and a light source comprising the same
US20130107569A1 (en) * 2011-11-02 2013-05-02 Enplas Corporation Light guide panel and optical system including the same
CN103999304A (zh) * 2012-01-18 2014-08-20 惠普发展公司，有限责任合伙企业 集成亚波长光栅元件
CN102637999A (zh) * 2012-04-17 2012-08-15 中国科学院半导体研究所 亚波长自聚焦的径向偏振垂直腔面发射激光器及制备方法
CN103633559A (zh) * 2013-12-05 2014-03-12 中国科学院半导体研究所 高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器
US20170093128A1 (en) * 2014-03-04 2017-03-30 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Vertical-cavity surface-emitting lasers
CN106415954A (zh) * 2014-04-07 2017-02-15 丹麦技术大学 Vcsel结构
CN110178229A (zh) * 2016-12-02 2019-08-27 原子能与替代能源委员会 具有提取增强的带有发光二极管的光电设备
CN106654856A (zh) * 2017-02-28 2017-05-10 武汉光迅科技股份有限公司 一种垂直腔面激光器及其制作方法
CN107069432A (zh) * 2017-06-20 2017-08-18 中国科学院半导体研究所 环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构
CN107579430A (zh) * 2017-09-26 2018-01-12 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 角度快速扫描集成非周期性高对比光栅垂直腔面发射激光雷达光源
WO2019217794A1 (en) * 2018-05-11 2019-11-14 The Regents Of The University Of California Oxide spacer hcg vcsels and fabrication methods
CN208580950U (zh) * 2018-07-10 2019-03-05 中国科学院福建物质结构研究所 一种基于正交光栅结构的单纵横模激光器
CN109346922A (zh) * 2018-11-29 2019-02-15 西安工业大学 一种输出均匀偏振光的微型激光器及其制备方法
CN110247302A (zh) * 2019-07-09 2019-09-17 华中科技大学 一种基于表面光栅的面发射激光器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11418009B2 (en) * 2018-03-08 2022-08-16 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Light emission device comprising at least one VCSEL and a spread lens
CN114188426A (zh) * 2022-02-17 2022-03-15 福建慧芯激光科技有限公司 一种高带宽高响应度的光电探测器
CN114188426B (zh) * 2022-02-17 2022-06-14 福建慧芯激光科技有限公司 一种高带宽高响应度的光电探测器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103259188B (zh) 低发散角单纵模边发射光子晶体激光器
US8179941B2 (en) Laser diode and method of manufacturing the same
CN104051957A (zh) 一种1550nm长波长垂直腔面发射激光器的制备方法及其应用
EP2015412B1 (en) Semiconductor laser with narrow beam divergence.
JP4210690B2 (ja) 面発光素子
US8526480B2 (en) Semiconductor laser device
CN111106533A (zh) 一种vcsel芯片及其制造方法
CN111817129A (zh) 一种vcsel芯片及其制造方法
JP3219823B2 (ja) 半導体発光素子
WO2020151290A1 (zh) 片上集成半导体激光器结构及其制备方法
US10454249B2 (en) Semiconductor laser device
JPH0629612A (ja) 表面放出型半導体レーザの製造方法と、その方法で得られるレーザ
JP2009188238A (ja) 面発光レーザ及びその製造方法
CN110197993A (zh) 高复合效率的vcsel芯片及其制造方法
CN112290379B (zh) Vcsel芯片及其制造方法
CN111711073B (zh) Vcsel芯片及其制造方法
KR101368300B1 (ko) 테이퍼형 레이저 다이오드 소자
JP2007508687A (ja) 半導体導波路デバイスにおける出力ビーム発散の制御
JP2008071829A (ja) 面発光型半導体素子
CN100536266C (zh) 面发光型半导体激光器
CN111900625B (zh) 一种激光器及其制造方法
CN113381294B (zh) 单片集成边发射激光器及制备方法
US6661821B2 (en) Semiconductor laser element having great bandgap difference between active layer and optical waveguide layers, and including arrow structure formed without P-As interdiffusion
JP7310897B2 (ja) 面発光レーザの作製方法
CN115864135B (zh) 一种两端带有渐变脊波导的dfb激光器芯片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200628

Address after: 330000 second floor, Derui photoelectric building, south of Fushan Avenue and west of Jinhu, Nanchang County, Jiangxi Province

Applicant after: Jiangxi Mingde Semiconductor Technology Co.,Ltd.

Address before: 330000 South of Fushan Avenue and West of Jinhu Lake, Xiaolan Economic and Technological Development Zone, Nanchang City, Jiangxi Province

Applicant before: JIANGXI DERAY PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200505

RJ01 Rejection of invention patent application after publication