CN111094963A - 激光解吸电离法及质量分析方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种激光解吸电离法，其具备下述工序：第一工序，准备试样支撑体(1)，该试样支撑体(1)具备形成有多个在彼此相对的第一表面(2a)及第二表面(2b)开口的贯通孔的基板(2)和至少设置于第一表面的导电层；第二工序，将试样(S)载置于载置部(6)的载置面(6a)，且以第二表面与试样接触的方式将试样支撑体配置在试样上；第三工序，将基质溶液(81)导入多个贯通孔；以及第四工序，在将试样配置于载置部和试样支撑体之间的状态下，一边对导电层施加电压一边对第一表面照射激光(L)，从而使与基质溶液混合并且从第二表面侧经由贯通孔移动到第一表面侧的试样的成分(S1)电离。

Description

激光解吸电离法及质量分析方法
技术领域
本发明涉及激光解吸电离法及质量分析方法。
背景技术
目前，作为为了进行质量分析等而使生物体试样等的试样电离的方法，已知有基质辅助激光解吸电离法(MALDI：Matrix-Assisted Laser Desorption/Ionization)。MALDI是通过在试样中添加吸收激光的被称为基质的低分子量的有机化合物，并对其照射激光，从而使试样电离的方法。根据该方法，能够以非破坏的方式将对热不稳定的物质或高分子量物质进行电离(所谓软电离)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利第7695978号说明书
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而，在对构成试样的分子的二维分布进行图像化的成像质量分析中利用上述的MALDI的情况下，在提高图像的分辨率上存在极限。
在此，本发明的目的在于，提供一种能够将高分子量的试样电离并且提高成像质量分析中的图像的分辨率的激光解吸电离法及质量分析方法。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一方面的激光解吸电离法具备下述工序：第一工序，准备试样支撑体，该试样支撑体具备形成有多个在彼此相对的第一表面及第二表面开口的贯通孔的基板和至少设置于第一表面的导电层；第二工序，将试样载置于载置部的载置面，且以第二表面与试样接触的方式将试样支撑体配置在试样上；第三工序，将基质溶液导入到多个贯通孔；以及第四工序，在将试样配置于载置部和试样支撑体之间的状态下，一边对导电层施加电压一边对第一表面照射激光，从而使与基质溶液混合并且从第二表面侧经由贯通孔移动到第一表面侧的试样的成分电离。
在该激光解吸电离法中，将试样支撑体配置在试样上，并将基质溶液导入到多个贯通孔。基质溶液从第一表面侧经由各贯通孔移动到第二表面侧与试样的成分混合。试样的成分与基质溶液混合，并且从第二表面侧经由各贯通孔向第一表面侧移动。之后，一边对导电层施加电压一边对第一表面照射激光，此时，能量传递给移动到第一表面侧的试样的成分。由此，试样的成分被电离。在该激光解吸电离法中，由于试样的成分与基质溶液混合并电离，因此能够可靠地对高分子量的试样的成分进行电离。另外，试样的成分经由多个贯通孔移动到第一表面侧。因此，在移动到基板的第一表面侧的试样的成分中，能够维持试样的位置信息(构成试样的分子的二维分布信息)。在该状态下，一边对导电层施加电压一边对基板的第一表面照射激光，因此，能够一边维持试样的位置信息一边使试样的成分电离。由此，能够提高成像质量分析中的图像的分辨率。如上所述，根据该激光解吸电离法，能够将高分子量的试样电离，并且能够提高成像质量分析中的图像的分辨率。
本发明的一方面的激光解吸电离法具备下述工序：第一工序，准备试样支撑体，该试样支撑体具备形成有多个在彼此相对的第一表面及第二表面开口的贯通孔的基板和至少设置于第一表面的导电层；第二工序，将基质溶液导入到多个贯通孔；第三工序，将试样载置于载置部的载置面，并以第二表面与试样接触的方式将试样支撑体配置在试样上；以及第四工序，在将试样配置在载置部和试样支撑体之间的状态下，一边对导电层施加电压一边对第一表面照射激光，从而使与基质溶液混合并且从第二表面侧经由贯通孔移动到第一表面侧的试样的成分电离。
在该激光解吸电离法中，将试样支撑体配置在试样上，而该试样支撑体的多个贯通孔中导入有基质溶液。试样的成分与基质溶液混合，并且从第二表面侧经由各贯通孔向第一表面侧移动。之后，一边对导电层施加电压一边对第一表面照射激光，此时，能量传递给移动到第一表面侧的试样的成分。由此，试样的成分被电离。在该激光解吸电离法中，由于试样的成分与基质溶液混合电离，因此，能够可靠地对高分子量的试样的成分进行电离。另外，试样的成分经由多个贯通孔向第一表面侧移动。因此，在移动到基板的第一表面侧的试样的成分中，能够维持试样的位置信息(构成试样的分子的二维分布信息)。在该状态下，一边对导电层施加电压一边对基板的第一表面照射激光，因此，能够一边维持试样的位置信息一边使试样的成分电离。由此，能够提高成像质量分析中的图像的分辨率。如上所述，根据该激光解吸电离法，能够对高分子量的试样进行电离，并且能够提高成像质量分析中的图像的分辨率。
在本发明的一方面的激光解吸电离法中，也可以是：在第三工序中，将基质溶液从第一表面侧滴落到多个贯通孔。该情况下，能够容易地将基质溶液地导入到各贯通孔。
在本发明的一方面的激光解吸电离法中，也可以是：在第二工序中，将基质溶液从第一表面侧或第二表面侧滴落到多个贯通孔。该情况下，能够容易地将基质溶液导入到各贯通孔。
在本发明的一方面的激光解吸电离法中，也可以是：在第二工序中，试样支撑体浸渍于基质溶液中。该情况下，能够容易地将基质溶液导入到各贯通孔。
在本发明的一方面的激光解吸电离法中，试样也可以是干燥试样。在该激光解吸电离法中，试样的成分与基质溶液混合并移动，因此，即使试样是干燥试样，也能够使试样的成分顺畅地移动。
本发明的一方面的激光解吸电离法具备下述工序：第一工序，准备试样支撑体，该试样支撑体具备基板，该基板具有导电性且形成有多个在彼此相对的第一表面及第二表面开口的贯通孔；第二工序，将试样载置于载置部的载置面，且以第二表面与试样接触的方式将试样支撑体配置在试样上；第三工序，将基质溶液导入到多个贯通孔；以及第四工序，在将试样配置于载置部和试样支撑体之间的状态下，一边对基板施加电压一边对第一表面照射激光，从而使与基质溶液混合并且从第二表面侧经由贯通孔移动到第一表面侧的试样的成分电离。
根据该激光解吸电离法，能够在试样支撑体中省略导电层，并且如上所述，能够获得与使用具备导电层的试样支撑体的情况同样的效果。
本发明的一方面的激光解吸电离法具备下述工序：第一工序，准备试样支撑体，该试样支撑体具备基板，该基板具有导电性且形成有多个在彼此相对的第一表面及第二表面开口的贯通孔；第二工序，将基质溶液导入到多个贯通孔；第三工序，将试样载置于载置部的载置面，且以第二表面与试样接触的方式将试样支撑体配置于试样上；以及第四工序，在将试样配置于载置部和试样支撑体之间的状态下，一边对基板施加电压一边对第一表面照射激光，从而使与基质溶液混合并且从第二表面侧经由贯通孔移动到第一表面侧的试样的成分电离。
根据该激光解吸电离法，能够在试样支撑体中省略导电层，并且如上所述，能够获得与使用具备导电层的试样支撑体的情况同样的效果。
本发明的一方面的质量分析法具备下述工序：上述激光解吸电离法的各工序；以及第五工序，检测在第四工序中电离的成分。
根据该质量分析方法，能够进行能够将高分子量的试样电离并且能够提高图像的分辨率的成像质量分析。
发明效果
根据本发明能够提供一种能够将高分子量的试样电离并且能够提高成像质量分析中的图像的分辨率的激光解吸电离法及质量分析方法。
附图说明
图1是用于第一实施方式的激光解吸电离法及质量分析方法的试样支撑体的俯视图。
图2是沿着图1所示的II－II线的试样支撑体的截面图。
图3是表示图1所示的试样支撑体的基板的放大图像的图。
图4是表示第一实施方式的质量分析方法的工序的图。
图5是表示第一实施方式的质量分析方法的工序的图。
图6是表示第一实施方式的质量分析方法的工序的图。
图7(a)是基于比较例的质量分析方法的二维图像，图7(b)是基于比较例的质量分析方法的质谱。
图8(a)是基于实施例的质量分析方法的二维图像，图8(b)是基于实施例的质量分析方法的质谱。
图9(a)是基于另一实施例的质量分析方法的二维图像，图9(b)是基于另一实施例的质量分析方法的质谱。
图10是表示第二实施方式的质量分析方法的工序的图。
图11是表示第二实施方式的质量分析方法的工序的图。
具体实施方式
以下，对于本发明的实施方式，参照附图详细进行说明。此外，在各图中，对相同或相当的部分标注相同的符号，省略重复的说明。
[第一实施方式]
首先，对用于第一实施方式及第二实施方式的激光解吸电离法及质量分析方法的试样支撑体进行说明。如图1及图2所示，试样支撑体1具备基板2、框架3、导电层4。基板2具有彼此相对的第一表面2a及第二表面2b。基板2上形成有多个同样的(均匀分布)贯通孔2c。各贯通孔2c沿着基板2的厚度方向(与第一表面2a及第二表面2b垂直的方向)延伸，在第一表面2a及第二表面2b开口。
基板2例如由绝缘性材料形成为长方形板状。从基板2的厚度方向观察的情况下的基板2的一边的长度例如为几cm左右，基板2的厚度例如为1μm～50μm左右。从基板2的厚度方向观察的情况下的贯通孔2c的形状例如为大体圆形。贯通孔2c的宽度为1nm～700nm。关于贯通孔2c的宽度，在从基板2的厚度方向观察的情况下的贯通孔2c的形状为大体圆形的情况下，是指贯通孔2c的直径；在从基板2的厚度方向观察的情况下的贯通孔2c的形状为大体圆形以外的情况下，是指贯通孔2c中收纳的假想的最大圆柱的直径(有效直径)。各贯通孔2c间的间距为1～1000nm。关于各贯通孔2c间的间距，在从基板2的厚度方向观察的情况下的贯通孔2c的形状为大体圆形的情况下，是指该各圆的中心间距离；在该形状为大体圆形以外的情况下，是指贯通孔2c中收纳的假想的最大圆柱的中心轴间距离。
框架3设置于基板2的第一表面2a。具体而言，框架3通过粘接层5固定在基板2的第一表面2a上。作为粘接层5的材料，优选使用放出气体少的粘接材料(例如，低融点玻璃、真空用粘接剂等)。在从基板2的厚度方向观察的情况下框架3具有与基板2大体相同的外形。框架3上形成有开口3a。基板2中与开口3a对应的部分作为用于使后述的试样的成分向第一表面2a侧移动的实效区域R发挥其功能。
框架3例如由绝缘性材料形成有为长方形板状。从基板2的厚度方向观察的情况下的框架3的一边的长度例如为几cm左右，框架3的厚度例如为1mm以下。从基板2的厚度方向观察的开口3a的形状例如为圆形，该情况下的开口3a的直径例如为几mm～几十mm左右。通过这种框架3，试样支撑体1的操作变得容易，并且能够抑制因温度变化等引起的基板2的变形。
导电层4设置于基板2的第一表面2a。具体而言，导电层4连续地(一体地)形成于基板2的第一表面2a中对应于框架3的开口3a的区域(即，与实效区域R对应的区域)、开口3a的内表面、及框架3的位于与基板2相反侧的表面3b。导电层4覆盖实效区域R中基板2的第一表面2a中未形成有贯通孔2c的部分。即，在实效区域R中各贯通孔2c露出于开口3a。
导电层4由导电性材料形成。但是，作为导电层4的材料，根据以下描述的理由，优选使用与试样S的亲和性(反应性)低且导电性高的金属。
例如，导电层4由与蛋白质等的试样亲和性高的Cu(铜)等金属形成时，在后述的试样的电离的过程中，在Cu原子附着在试样分子的状态下试样被电离。而且，在后述的质量分析法中检测结果会发生偏差，该偏差的量与所附着的Cu原子的量相对应。因此，作为导电层4的材料，优选使用与试样的亲和性低的金属。
另一方面，导电性越高的金属，越易于容易且稳定地施加一定的电压。因此，由导电性高的金属形成导电层4时，能够在实效区域R向基板2的第一表面2a均匀地施加电压。另外，导电性越高的金属其热传导性也倾向于越高。因此，当由导电性高的金属形成导电层4时，能够将照射到基板2的激光的能量经由导电层4有效地传递给试样。因此，作为导电层4的材料，优选使用导电性高的金属。
根据以上的观点，作为导电层4的材料，优选使用例如Au(金)、Pt(铂)等。导电层4通过例如镀敷法、原子层沉积法(ALD：Atomic Layer Deposition)、蒸镀法、溅射法等而形成为厚度1nm～350nm左右。此外，作为导电层4的材料，也可以使用例如Cr(铬)、Ni(镍)、Ti(钛)等。
图3是表示从基板2的厚度方向观察的情况下的基板2的放大图像的图。图3中，黑色的部分是贯通孔2c，白色的部分是贯通孔2c间的隔壁部。如图3所示，基板2中，以同样的方式形成有多个具有大体一定的宽度的贯通孔2c。实效区域R的贯通孔2c的开口率(在从基板2的厚度方向观察的情况下全部的贯通孔2c相对于实效区域R所占的比率)从实用角度考虑优选为10～80％，特别优选为60～80％。多个贯通孔2c的大小也可以相互不一致，也可以是局部部分的多个贯通孔2c彼此相互连接的形态。
图3所示的基板2是通过将Al(铝)阳极氧化而形成的氧化铝多孔膜。具体而言，对Al基板实施阳极氧化处理，通过将被氧化了的表面部分从Al基板剥离，而能够获得基板2。此外，基板2也可以通过将Ta(钽)、Nb(铌)、Ti(钛)、Hf(铪)、Zr(锆)、Zn(锌)、W(钨)、Bi(铋)、Sb(锑)等的Al以外的阀金属阳极氧化而形成，也可以通过将Si(硅)阳极氧化而形成。
接着，对使用了试样支撑体1的第一实施方式的激光解吸电离法及质量分析方法进行说明。在图4～图6中，省略了试样支撑体1中的贯通孔2c、导电层4及粘接层5的图示。另外，在图1及图2所示的试样支撑体1和图4～图6所示的试样支撑体1中，为了方便图示，尺寸的比率等有所不同。
首先，准备上述的试样支撑体1(第一工序)。试样支撑体1可以通过由实施激光解吸电离法及质量分析方法的人员来制造而准备。也可以通过从试样支撑体1的制造者销售者等取得而准备。
接着，如图4(a)所示，成为质量分析对象的试样S被载置于载玻片(载置部)6的载置面6a(第二工序)。载玻片6是形成有ITO(氧化铟锡(Indium Tin Oxide))膜等透明导电膜的玻璃基板，透明导电膜的表面为载置面6a。此外，不限定于载玻片6，可以将能够确保导电性的部件(例如，由不锈钢等金属材料等构成的基板等)用作载置部。接着，如图4(b)所示，以第二表面2b与试样S接触的方式将试样支撑体1配置在试样S上(第二工序)。这时，在从基板2的厚度方向观察的情况下，试样S被配置于实效区域R内。在此，试样S是例如组织切片等薄膜状的生物体试样。试样S是干燥试样。另外，为了使试样S的成分S1(参照图6)的移动变得顺畅，也可以将用于降低成分S1的粘性的溶液(例如乙腈混合液等)与试样S混合。接着，如图5(a)所示，在使基板2的第二表面2b与试样S接触的状态下，将试样支撑体1固定到载玻片6上。此时，试样支撑体1通过具有导电性的胶带7(例如碳胶带等)被固定到载玻片6上。
接着，如图5(b)所示，将基质溶液81导入到试样支撑体1的多个贯通孔2c(参照图2)(第三工序)。具体而言，基质溶液81例如通过吸液管8从试样支撑体1的第一表面2a侧滴落到多个贯通孔2c。基质溶液81以到达试样S的全部区域的方式滴落在实效区域R的大致全部区域。更优选通过例如气刷等，将基质溶液81从试样支撑体1的第一表面2a侧对多个贯通孔2c进行大体均匀量的涂布。基质溶液81从试样支撑体1的第一表面2a侧经由各贯通孔2c向第二表面2b侧移动。而且，基质溶液81与在各贯通孔2c中接触于试样支撑体1的第二表面2b的试样S混合。基质溶液81可以通过由实施激光解吸电离法及质量分析方法的人来制造而准备，也可以通过从基质溶液81的制造者或销售者等取得而准备。
基质溶液81是含有基质的溶液。基质溶液81是通过例如使10mg的基质溶解于1ml的乙腈而制备的溶液等。基质是吸收激光的有机化合物。基质例如是2,5-二羟基苯甲酸(DHB)等。
如图6(a)所示，试样S的成分S1在各贯通孔2c中与移动到试样支撑体1的第二表面2b侧的基质溶液81混合，并且从试样支撑体1的第二表面2b侧经由各贯通孔2c朝向第一表面2a侧移动。而且，成分S1和基质溶液81的混合物S2因表面张力而在各贯通孔2c中停留在试样支撑体1的第一表面2a侧。
接着，如图6(b)所示，在将试样S配置于载玻片6和试样支撑体1之间的状态下，将载玻片6、试样支撑体1及试样S载置于质量分析装置10的支撑部12(例如，载物台)上。接着，通过质量分析装置10的电压施加部14，经由载玻片6的载置面6a及胶带7对试样支撑体1的导电层4(参照图2)施加电压(第四工序)。接着，通过质量分析装置10的激光照射部13，经由框架3的开口3a，向基板2的第一表面2a照射激光L(第四工序)。即，将激光L照射到基板2的第一表面2a中与框架3的开口3a对应的区域(即，与实效区域R对应的区域)。在此，激光照射部13对于与实效区域R对应的区域扫描激光L。此外，通过支撑部12及激光照射部13中的至少一个的动作也能够实施对于与实效区域R对应的区域的激光L的扫描。
如上所述，一边对导电层4施加电压，一边对基板2的第一表面2a照射激光L，由此，移动到基板2的第一表面2a侧的成分S1发生电离，释放出试样离子S3(已电离的成分S1)(第四工序)。具体而言，导电层4(参照图2)及与成分S1一起移动到基板2的第一表面2a侧的基质溶液81中的基质吸收激光L的能量。通过该能量，基质与成分S1一起发生气化。而且，已气化的成分S1通过在其分子上附加质子或阳离子而成为试样离子S3。以上的第一工序～第四工序相当于使用了试样支撑体1的激光解吸电离法。
释放出的试样离子S3朝向设置于试样支撑体1和离子检测部15之间的接地电极(省略图示)一边加速一边移动。即，试样离子S3通过施加了电压的导电层4和接地电极之间产生的电位差，而朝向接地电极一边加速一边移动。而且，通过质量分析装置10的离子检测部15检测试样离子S3(第五工序)。在此，离子检测部15以与激光L的扫描位置相对应的方式检测试样离子S3。由此，能够将构成试样S的分子的二维分布图像化。此外，在此的质量分析装置10是利用飞行时间型质量分析法(TOF－MS：Time-of-Flight Mass Spectrometry)的扫描型质量分析装置。以上的第一工序～第五工序相当于使用了试样支撑体1的质量分析方法。
如上所述，在第一实施方式的激光解吸电离法中，将试样支撑体1配置在试样S上，将基质溶液81导入到多个贯通孔2c。基质溶液81从第一表面2a侧经由各贯通孔2c向第二表面2b侧移动，与试样S的成分S1混合。成分S1与基质溶液81混合，并且从第二表面2b侧经由各贯通孔2c向第一表面2a侧移动。而且，对导电层4施加电压并向第一表面2a照射激光L时，能量传递给移动到第一表面2a侧的成分S1。由此，成分S1发生电离。在该激光解吸电离法中，由于成分S1与基质溶液81混合并电离，所以能够可靠地将高分子量的试样S的成分S1电离。另外，成分S1经由多个贯通孔2c向第一表面2a侧移动。因此，在移动到基板2的第一表面2a侧的成分S1中，能够维持试样S的位置信息(构成试样S的分子的二维分布信息)。由于在该状态下，对导电层4施加电压并向基板2的第一表面2a照射激光L，所以能够一边维持试样S的位置信息一边将试样S的成分S1电离。由此，能够提高成像质量分析中的图像的分辨率。如上所述，根据该激光解吸电离法，能够将高分子量的试样S电离并且提高成像质量分析中的图像的分辨率。
另外，在第一实施方式的激光解吸电离法中，在第三工序中，将基质溶液81从第一表面2a侧滴落到多个贯通孔2c。该情况下，能够容易地将基质溶液81导入到各贯通孔2c。
另外，在第一实施方式的激光解吸电离法中，试样S是干燥试样。在该激光解吸电离法中，由于试样S的成分S1与基质溶液81混合并移动，所以即使试样S是干燥试样，也能够使成分S1顺畅地移动。
根据第一实施方式的质量分析法，能够进行能够将高分子量的试样S电离并且能够提高图像的分辨率的成像质量分析。
图7是表示基于比较例的质量分析方法的结果的图。比较例中使用试样支撑体1，不使用基质溶液81，将干燥的小鼠的脑切片(试样S)的分子量的二维分布图像化。如图7(a)所示，在比较例的质量分析方法中，不能够获得磷脂的离子像。此外，在图7(a)中利用假想线表示试样S的轮廓L1。另外，如图7(b)所示，在比较例的质量分析方法中不能获得磷脂的信号。
图8是表示基于实施例的质量分析方法的结果的图。实施例中，使用试样支撑体1及基质溶液81(DHB基质)，按照与比较例同样的方式，将干燥的小鼠的脑切片(试样S)的分子量的二维分布图像化。如图8(a)所示，在实施例的质量分析方法中能够获得磷脂的离子像。此外，在图8(a)中利用假想线表示试样S的轮廓L2。另外，如图8(b)所示，在实施例的质量分析方法中能够获得磷脂的信号。
图9是表示基于另一实施例的质量分析方法的结果的图。在另一实施例中，使用试样支撑体1及基质溶液81(DHB基质)，将干燥的小鼠的肝脏切片(试样S)的分子量的二维分布图像化。如图9(a)所示，在另一实施例的质量分析方法中能够获得磷脂的离子像。此外，在图9(a)中利用假想线表示试样S的轮廓L3。另外，如图9(b)所示，在实施例的质量分析方法中能够获得磷脂的信号。
另外，在实施例及另一实施例的质量分析方法中，各贯通孔2c的宽度为1～700nm，所以，能够对高分子量的试样得到充分的信号强度。
[第二实施方式]
接着，对使用了试样支撑体1的第二实施方式的激光解吸电离法及质量分析方法进行说明。第二实施方式的激光解吸电离法及质量分析方法与第一实施方式的激光解吸电离法及质量分析方法的主要区别在于，前者是在将基质溶液81导入到试样支撑体1的贯通孔2c后，将导入了基质溶液81的试样支撑体1配置于试样S上。即，在第二实施方式的激光解吸电离法及质量分析方法中，对第一实施方式的激光解吸电离法及质量分析方法中的第二工序和第三工序的次序进行交换。第二实施方式的激光解吸电离法及质量分析方法的其它内容与第一实施方式的激光解吸电离法及质量分析方法相同，因此，省略详细的说明。图10及图11中省略试样支撑体1的贯通孔2c、导电层4及粘接层5的图示。另外，在图1及图2所示的试样支撑体1和图10及图11所示的试样支撑体1中，为了方便图示，尺寸的比率等有所不同。
首先，如图10(a)所示，准备上述的试样支撑体1(第一工序)。接着，将基质溶液81导入到试样支撑体1的多个贯通孔2c(参照图2)(第二工序)。具体而言，基质溶液81例如通过吸液管8从试样支撑体1的第一表面2a向多个贯通孔2c滴落。将基质溶液81向实效区域R的大致全区域滴落。更优选将基质溶液81通过例如气刷等，从试样支撑体1的第一表面2a侧对于多个贯通孔2c以大体均匀的量涂布。基质溶液81从试样支撑体1的第一表面2a侧经由各贯通孔2c向第二表面2b侧移动。各贯通孔2c被基质溶液81充填。
接着，如图10(b)所示，将试样S载置在载玻片6的载置面6a上(第三工序)。接着，如图11(a)所示，以第二表面2b与试样S接触的方式将试样支撑体1配置在试样S上(第三工序)。接着，如图11(b)所示，按照与第一实施方式同样地，通过胶带7将试样支撑体1固定在载玻片6上。各贯通孔2c内的基质溶液81与在各贯通孔2c中接触于试样支撑体1的第二表面2b的试样S混合。试样S的成分S1在各贯通孔2c中与基质溶液81混合，并且从试样支撑体1的第二表面2b侧经由各贯通孔2c向第一表面2a侧移动。而且，成分S1和基质溶液81的混合物S2因表面张力在各贯通孔2c中滞留在试样支撑体1的第一表面2a侧。
接着，按照与第一实施方式同样(参照图6(b))的方式，在试样S配置于载玻片6和试样支撑体1之间的状态下，通过电压施加部14对导电层4(参照图2)施加电压，并通过激光照射部13向试样支撑体1的第一表面2a照射激光L。由此，移动到基板2的第一表面2a侧的成分S1被电离，释放出试样离子S3(已被电离的成分S1)(第四工序)。
而且，与第一实施方式同样地，通过质量分析装置10的离子检测部15检测试样离子S3(第五工序)。此外，第二实施方式的激光解吸电离法包括至上述的第四工序为止的各工序。第二实施方式的质量分析方法包括至上述的第五工序为止的各工序。
如上所述，在第二实施方式的激光解吸电离法中，将在多个贯通孔2c中导入了基质溶液81的试样支撑体1配置在试样S上。试样S的成分S1与基质溶液81混合，并且从第二表面2b侧经由各贯通孔2c向第一表面2a侧移动。根据第二实施方式的激光解吸电离法，与上述的第一实施方式的激光解吸电离法同样，能够使高分子量的试样S电离并且能够提高成像质量分析中的图像的分辨率。
另外，在第二实施方式的激光解吸电离法中，在第二工序中，将基质溶液81从第一表面2a侧滴落到多个贯通孔2c。该情况下，能够容易地将基质溶液81导入到各贯通孔2c。
本发明不限定于上述的实施方式。各实施方式中，例如，只要导电层4只要至少设置于基板2的第一表面2a，则也可以设置于基板2的第二表面2b及贯通孔2c的内表面。另外，导电层4也可以设置于基板2的第二表面2b及贯通孔2c的内表面。另外，试样支撑体1也可以通过胶带7以外的方式(例如，使用粘接剂、固定器具等方式)固定在载玻片6上。
另外，在各实施方式的第四工序中，也可以是：不经过载玻片6的载置面6a及胶带7而对导电层4施加电压。该情况下，载玻片6及胶带7也可以不具备导电性。另外，基板2也可以具有导电性，在第四工序中也可以对基板2施加电压。该情况下，可以在试样支撑体1中省略导电层4，并且，如上所述，能够得到与使用具备导电层4的试样支撑体1的情况同样的效果。
另外，在各实施方式中，也可以是：质量分析装置10中，激光照射部13向与实效区域R对应的区域一并照射激光L，离子检测部15一边维持该区域的二维信息一边检测试样离子S3。即，质量分析装置10也可以是投影型质量分析装置。
另外，各实施方式的上述的激光解吸电离法不仅能够用于对构成试样S的分子的二维分布进行图像化的成像质量分析，而且也能够用于离子淌度测定等其它的测定和实验。
另外，在第二实施方式中，例示了在第二工序中将基质溶液81从第一表面2a滴落到多个贯通孔2c的例子，但是，也可以将基质溶液81从第二表面2b滴落到多个贯通孔2c。另外，在第二实施方式中，也可以在第二工序中将试样支撑体1浸渍于基质溶液81中。在任何情况下，都能够容易地将基质溶液81导入到各贯通孔2c。
另外，在各实施方式中，例示了从基板2的厚度方向观察的情况下的框架3的开口3a的形状为圆形的例子，但开口3a也可以呈现各种的形状。框架3的开口3a的形状例如也可以是矩形。
另外，在各实施方式中，例示了试样S是干燥试样的例子，但试样S也可以是含水试样。
另外，在各实施方式中，例示了将试样S载置于载玻片6的例子，但也可以将试样S直接载置于质量分析装置10的支撑部12。此时，质量分析装置10的支撑部12相当于载玻片6。
符号说明
1…试样支撑体、2…基板、2a…第一表面、2b…第二表面、2c…贯通孔、4…导电层、6…载玻片(载置部)、6a…载置面、81…基质溶液、L…激光、S…试样、S1…成分。

Claims (9)

1.一种激光解吸电离法，其特征在于，
具备下述工序：
第一工序，准备试样支撑体，该试样支撑体具备形成有多个在彼此相对的第一表面及第二表面开口的贯通孔的基板和至少设置于所述第一表面的导电层；
第二工序，将试样载置于载置部的载置面，且以所述第二表面与所述试样接触的方式将所述试样支撑体配置在所述试样上；
第三工序，将基质溶液导入到所述多个贯通孔；以及
第四工序，在将所述试样配置于所述载置部和所述试样支撑体之间的状态下，一边对所述导电层施加电压一边对所述第一表面照射激光，从而使与所述基质溶液混合并且从所述第二表面侧经由所述贯通孔移动到所述第一表面侧的所述试样的成分电离。
2.一种激光解吸电离法，其特征在于，
具备下述工序：
第一工序，准备试样支撑体，该试样支撑体具备形成有多个在彼此相对的第一表面及第二表面开口的贯通孔的基板和至少设置于所述第一表面的导电层；
第二工序，将基质溶液导入到所述多个贯通孔；
第三工序，将试样载置于载置部的载置面，且以所述第二表面与所述试样接触的方式将所述试样支撑体配置于所述试样上；以及
第四工序，在将所述试样配置于所述载置部和所述试样支撑体之间的状态下，一边对所述导电层施加电压一边对所述第一表面照射激光，从而使与所述基质溶液混合并且从所述第二表面侧经由所述贯通孔移动到所述第一表面侧的所述试样的成分电离。
3.根据权利要求1所述的激光解吸电离法，其特征在于，
在所述第三工序中，将所述基质溶液从所述第一表面侧滴落到所述多个贯通孔。
4.根据权利要求2所述的激光解吸电离法，其特征在于，
在所述第二工序中，将所述基质溶液从所述第一表面侧或所述第二表面侧滴落到所述多个贯通孔。
5.根据权利要求2所述的激光解吸电离法，其特征在于，
在所述第二工序中，将所述试样支撑体浸渍于所述基质溶液中。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的激光解吸电离法，其特征在于，
所述试样是干燥试样。
7.一种激光解吸电离法，其特征在于，
具备下述工序：
第一工序，准备试样支撑体，该试样支撑体具备基板，该基板具有导电性且形成有多个在彼此相对的第一表面及第二表面开口的贯通孔；
第二工序，将试样载置于载置部的载置面，且以所述第二表面与所述试样接触的方式将所述试样支撑体配置在所述试样上；
第三工序，将基质溶液导入到所述多个贯通孔；以及
第四工序，在将所述试样配置于所述载置部和所述试样支撑体之间的状态下，一边对所述基板施加电压一边对所述第一表面照射激光，从而使与所述基质溶液混合并且从所述第二表面侧经由所述贯通孔移动到所述第一表面侧的所述试样的成分电离。
8.一种激光解吸电离法，其特征在于，
具备下述工序：
第一工序，准备试样支撑体，该试样支撑体具备基板，该基板具有导电性且形成有多个在彼此相对的第一表面及第二表面开口的贯通孔；
第二工序，将基质溶液导入到所述多个贯通孔；
第三工序，将试样载置于载置部的载置面，且以所述第二表面与所述试样接触的方式将所述试样支撑体配置在所述试样上；以及
第四工序，在将所述试样配置于所述载置部和所述试样支撑体之间的状态下，一边对所述基板施加电压一边对所述第一表面照射激光，从而使与所述基质溶液混合并且从所述第二表面侧经由所述贯通孔移动到所述第一表面侧的所述试样的成分电离。
9.一种质量分析方法，其特征在于，
具备下述工序：
权利要求1～8中任一项所述的激光解吸电离法的各工序；以及
第五工序，检测在所述第四工序中电离的所述成分。
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