CN111048295A

CN111048295A - 线圈组件

Info

Publication number: CN111048295A
Application number: CN201910923022.8A
Authority: CN
Inventors: 柳正杰; 柳志满; 文炳喆
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 2018-10-12
Filing date: 2019-09-27
Publication date: 2020-04-21
Anticipated expiration: 2039-09-27
Also published as: US11721473B2; CN111048295B; KR20200041695A; KR102148832B1; US20200118730A1

Abstract

本发明提供一种线圈组件，所述线圈组件包括：主体；绝缘基板，嵌在所述主体中并且包括绝缘树脂；以及第一基板保护层和第二基板保护层，覆盖所述绝缘基板的相应的表面以保护所述绝缘基板，并且所述第一基板保护层和所述第二基板保护层包括陶瓷。线圈部包括分别设置在所述第一基板保护层和所述第二基板保护层上的第一线圈图案和第二线圈图案。所述第一线圈图案和所述第二线圈图案中的每个包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层设置在相应的所述第一基板保护层或所述第二基板保护层上，所述第二导电层设置在所述第一导电层上并暴露所述第一导电层的侧表面。

Description

线圈组件

本申请要求于2018年10月12日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0122107号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种线圈组件。

背景技术

电感器(一种线圈组件)是通常与电阻器和电容器一起在电子装置中使用的代表性无源电子组件。

薄膜型电感器通常通过如下操作来制造：通过镀覆在基板上形成线圈以形成线圈基板，通过层压通过将磁性粉末和树脂彼此混合而获得的磁性粉末-树脂复合物形成主体，并在主体的外表面上形成外电极。

根据高性能电子装置和其小型化的实施，在这种电子装置中使用的薄膜型线圈组件也已经小型化。因此，薄膜线圈电子组件的基板已经变薄。

然而，当基板逐渐变薄时，在制造工艺期间存在损坏基板的可能性极大。

发明内容

本公开的一个方面在于提供一种可防止绝缘基板在制造工艺期间被损坏的线圈组件。

根据本公开的一个方面，一种线圈组件包括：主体；绝缘基板，嵌在所述主体中并包括绝缘树脂；以及第一基板保护层和第二基板保护层，覆盖所述绝缘基板的相应的表面以保护所述绝缘基板，并且所述第一基板保护层和所述第二基板保护层包括陶瓷。线圈部包括分别设置在所述第一基板保护层和所述第二基板保护层上的第一线圈图案和第二线圈图案。所述第一线圈图案和所述第二线圈图案中的每个包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层设置在相应的所述第一基板保护层或所述第二基板保护层上，所述第二导电层设置在所述第一导电层上并暴露所述第一导电层的侧表面。

根据本公开的另一方面，一种线圈组件包括：主体，包括磁性金属粉末颗粒；绝缘基板，嵌在所述主体中；线圈部，包括设置在所述绝缘基板上的线圈图案；以及基板保护层，设置在所述绝缘基板的在所述绝缘基板与所述线圈部之间的至少一个表面上以保护所述绝缘基板，所述基板保护层具有高于所述绝缘基板的熔点的熔点。

根据本公开的另一方面，一种线圈组件包括：绝缘基板；线圈部，包括设置在所述绝缘基板的相对的表面上的第一线圈图案和第二线圈图案；以及第一陶瓷层和第二陶瓷层，所述第一陶瓷层设置在所述绝缘基板与所述第一线圈图案之间，所述第二陶瓷层设置在所述绝缘基板与所述第二线圈图案之间。

附图说明

通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是根据本公开中的示例实施例的线圈组件的示意图；

图2是沿着图1的线I-I'截取的截面图；

图3是沿着图1的线II-II'截取的截面图；

图4是图2的A部分的放大图；以及

图5是根据本公开中的另一示例实施例的线圈组件的示意图，并且对应于沿着图1的线I-I'截取的截面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。

在示例实施例中使用的术语用于简单描述示例实施例，并且不意在限制本公开。除非另外指出，否则单数形式包括复数形式。说明书的术语“包括”、“包含”和“被构造为”等用于指示存在特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合，并且不排除组合或添加一个或更多个附加的特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合的可能性。此外，术语“设置在……上”、“位于……上”等可指示元件设置在物体的上方或下方，而不必然地意味着元件相对于重力方向设置在物体的上方或下方。

术语“结合到”、“组合到”等不仅可指示元件彼此直接且物理接触，而且还可包括介于元件之间的其他元件的构造使得元件还可与其他元件接触。

为了易于描述，附图中示出的元件的尺寸和厚度被示为示例，并且在本公开中的示例实施例不限于此。

在附图中，L方向为第一方向或长度方向，W方向为第二方向或宽度方向，T方向为第三方向或厚度方向。

在电子装置中，可使用各种类型的电子组件，并且可在电子组件中使用各种类型的线圈组件以去除噪声或用于其他目的。

换句话说，在电子装置中，线圈组件可被用作功率电感器、高频电感器、普通磁珠、高频磁珠、共模滤波器等。

一个实施例

图1是根据本公开中的示例实施例的线圈组件的示意图。图2是沿着图1的线I-I'截取的线圈组件的截面图，图3是沿着图1的线II-II'截取的线圈组件的截面图，图4是图2的A部分的放大图。

参照图1至图4，根据示例实施例的线圈组件1000包括主体100、绝缘基板200、基板保护层310和320、线圈部400以及外电极510和520。

主体100形成线圈组件1000的外观，并且绝缘基板200、基板保护层310和320以及线圈部400嵌在主体100中。

主体100可具有大体上六面体形状。

基于图1至图3，主体100可具有在长度方向L上彼此相对的第一表面101和第二表面102、在宽度方向W上彼此相对的第三表面103和第四表面104以及在厚度方向T上彼此相对的第五表面105和第六表面106。主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104可对应于主体100的连接主体100的第五表面105和第六表面106的壁表面。在下文中，“主体100的两个端表面”将指的是主体100的第一表面101和第二表面102，“主体100的两个侧表面”将指的是主体100的第三表面103和第四表面104。此外，“主体100的一个表面和另一表面”将指的是第六表面106和第五表面105。

作为示例，主体100可形成为使得其上设置有外电极510和520(稍后将描述)的线圈组件1000可具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但主体100的形成不限于此。

主体100可包括磁性材料和树脂材料。具体地，主体100可通过层压包括分散在树脂中的磁性材料的一个或更多个磁性复合片而形成。可选地，主体100可具有与磁性材料分散在树脂中的结构不同的结构。例如，主体100可利用诸如铁氧体的磁性材料形成。

磁性材料可以是铁氧体粉末颗粒或磁性金属粉末颗粒。

例如，铁氧体粉末颗粒可包括尖晶石型铁氧体(诸如Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体)、六方晶系铁氧体(诸如Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体、Ba-Ni-Co基铁氧体等)、石榴石型铁氧体(诸如Y基铁氧体)和Li基铁氧体中的至少一种。

磁性金属粉末颗粒可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的至少一种。例如，磁性金属粉末颗粒可包括纯铁粉末颗粒、Fe-Si基合金粉末颗粒、Fe-Si-Al基合金粉末颗粒、Fe-Ni基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Mo基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末颗粒、Fe-Co基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Co基合金粉末颗粒、Fe-Cr基合金粉末颗粒、Fe-Cr-Si基合金粉末颗粒、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Cr基合金粉末颗粒和Fe-Cr-Al基合金粉末颗粒中的至少一种。

磁性金属粉末颗粒可以是非晶的或结晶的。例如，磁性金属粉末颗粒可以是Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末颗粒，但不限于此。

铁氧体粉末颗粒和磁性金属粉末颗粒中的每个可具有大约0.1μm到大约30μm的平均直径，但平均直径的示例不限于此。

主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种不同类型的磁性材料。表述“不同类型的磁性材料”指的是分散在树脂中通过平均直径、组分、结晶性和形状中的任意一者彼此区分开的磁性材料。

树脂可包括呈单独或组合的环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等，但树脂的材料不限于此。

主体100包括贯穿线圈部400(稍后将描述)的芯110。芯110可通过用磁性复合片填充线圈部400的通孔而形成，但芯110的形成不限于此。

绝缘基板200嵌在主体100中。绝缘基板200用于支撑线圈部400(稍后将描述)。

绝缘基板200可利用包括诸如环氧树脂的热固性绝缘树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性绝缘树脂和感光绝缘树脂中的至少一种的绝缘材料，或者将诸如玻璃纤维或无机填料的增强材料浸渍在上述绝缘树脂中的绝缘材料形成。作为示例，内部绝缘层IL可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto build-up film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光电介质(PID)等的绝缘材料形成，但不限于此。

无机填料可以是从由二氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO₄)、滑石、粘土、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)₃)、氢氧化镁(Mg(OH)₂)、碳酸钙(CaCO₃)、碳酸镁(MgCO₃)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO₃)、钛酸钡(BaTiO₃)和锆酸钙(CaZrO₃)组成的组中选择的至少一种。

在该实施例中，绝缘基板200包括浸渍在绝缘树脂210中的玻璃布220。玻璃布220指多个编织玻璃纤维。

玻璃布可利用多个层形成。当玻璃布包括多个层时，绝缘基板200的刚性可提高。此外，即使在去除绝缘基板200的种子层等的工艺期间玻璃布被损坏，也可保持绝缘基板200的形状，以减小缺陷率。

线圈部400可嵌在主体100中以呈现线圈组件的特性。例如，当根据该实施例的线圈组件1000用作功率电感器时，线圈部400可用于通过将电场存储为磁场并保持输出电压，以使电子装置的功率稳定。

基板保护层310和320覆盖绝缘基板200的至少一个表面以保护绝缘基板200，并且基板保护层310和320包括陶瓷，因此，基板保护层310和320可分别称为第一陶瓷层310和第二陶瓷层320。具体地，基板保护层310设置在绝缘基板的其上形成有线圈部400的线圈图案411的表面上，基板保护层320设置在绝缘基板的其上形成线圈部400的线圈图案412的表面上。在该实施例中，由于线圈部400(稍后将描述)包括分别形成在绝缘基板200的相对表面上的线圈图案411和412，因此基板保护层310和320分别设置在绝缘基板200的相对表面上并且具有线圈图案411和412分别设置在基板保护层310和320上的结构。

基板保护层310和320在制造根据该实施例的线圈组件1000期间保护绝缘基板200。作为示例，在制造期间，去除形成在绝缘基板200上的抗镀层(未示出)的工艺被用于镀覆线圈图案411和412。基板保护层310和320防止绝缘基板200在去除抗镀层(未示出)的工艺中被激光或蚀刻剂损坏。

基板保护层310和320包括具有高于绝缘基板200的熔点的熔点的陶瓷。作为示例，基板保护层310和320可包括包含氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、二氧化硅(SiO₂)和氧化钇(Y₂O₃)中的至少一种的陶瓷，但其材料不限于此。

基板保护层310和320可通过熔喷法形成在绝缘基板200的过孔420延伸到达的至少一个表面上，但基板保护层310和320的形成不限于此。作为另一示例，基板保护层310和320可通过诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、涂覆法等方法形成在绝缘基板200的至少一个表面上。

当在上述去除抗镀层的工艺中使用激光时，基于绝缘树脂的绝缘基板的至少一部分会与抗镀层一起被去除，从而被损坏。由于基板保护层310和320包括具有高于绝缘基板200的熔点的熔点的陶瓷，因此在提供基板保护层310和320的情况下，即使当使用激光去除抗镀层时，也可防止绝缘基板200被激光损坏。

该实施例的绝缘基板200包括具有彼此不同的熔点的绝缘树脂和玻璃布。在说明书中，绝缘基板200的熔点用于指绝缘树脂的相对更低的熔点。

基板保护层310和320中的每个的厚度T₂与绝缘基板200的厚度T₁的比T₂/T₁可大于等于1/3000且小于等于1/4。例如，绝缘基板200可形成为具有10μm到60μm的厚度，并且基板保护层310和320中的每个可形成为具有0.02μm到5μm的厚度。当绝缘基板200的厚度T₁小于10μm时，绝缘基板200会翘曲，从而会增大缺陷率并且导致差的耐压特性。当绝缘基板200的厚度T₁大于60μm时，线圈部的总厚度会增大，从而会对减薄不利。当基板保护层310和320中的每个的厚度T₂小于0.02μm时，绝缘基板200会被暴露并且在上述去除抗镀层的工艺中被损坏。当基板保护层310和320的厚度T₂大于5μm时，线圈组件的整个厚度会增大，从而会对减薄不利并且会增大脆性。当基板保护层310和320中的每个的厚度T₂与绝缘基板200的厚度T₁的厚度比T₂/T₁小于1/3000时，基板保护层310和320中的每个的厚度相比于绝缘基板200的厚度相对小，从而会增大绝缘基板200被暴露的可能性。当基板保护层310和320中的每个的厚度T₂与绝缘基板200的厚度T₁的厚度比T₂/T₁大于1/4时，基板保护层310和320中的每个的厚度相比于绝缘基板200的厚度相对大，因此，会增大基板保护层310和320脆性断裂的可能性。

设置在绝缘基板200的表面上的线圈部400形成在基板保护层310和320上，并且形成至少一匝。在该实施例中，线圈部400包括第一线圈图案411和第二线圈图案412，形成在绝缘基板200的在主体100的厚度方向T上彼此相对的相对侧上，并且贯穿绝缘基板200以及基板保护层310和320的一个或更多个过孔420将第一线圈图案411和第二线圈图案412彼此连接。因此，线圈部400通常可用作单个线圈。

第一线圈图案411和第二线圈图案412中的每个可具有围绕芯110形成至少一匝的平面线圈的形状。例如，基于图2，第一线圈图案411可在绝缘基板200的设置在第二线圈图案412的下方的底表面上围绕芯110形成至少一匝。

第一线圈图案411的端部和第二线圈图案412的端部分别连接到第一外电极510和第二外电极520(稍后将描述)。例如，第一线圈图案411的端部连接到第一外电极510，第二线圈图案412的端部连接到第二外电极520。

作为示例，第一线圈图案411的端部可暴露于主体100的第一表面101，第二线圈图案412的端部可暴露于主体100的第二表面102。因此，第一线圈图案411的暴露的端部可与设置在主体100的第一表面101上的第一外电极510接触并连接到第一外电极510，第二线圈图案412的暴露的端部可与设置在主体100的第二表面102上的第二外电极520接触并连接到第二外电极520。

第一线圈图案411包括设置在基板保护层310上的第一导电层411a以及设置在第一导电层411a上的第二导电层411b，第二线圈图案412包括设置在基板保护层320上的第一导电层412a以及设置在第一导电层412a上的第二导电层412b。例如，第一线圈图案411包括直接设置在基板保护层310上的第一导电层411a，以及设置在第一导电层411a上并暴露第一导电层411a的侧表面的第二导电层411b。第二线圈图案412包括直接设置在基板保护层320上的第一导电层412a，以及设置在第一导电层412a上并暴露第一导电层412a的侧表面的第二导电层412b。

第一导电层411a和412a可以是用于通过电镀形成第二导电层411b和412b(即，电镀层)的种子层。用作对应于第二导电层411b或412b的种子层的第一导电层411a和412a中的每个形成为具有比对应的第二导电层411b或412b的厚度小的厚度。第一导电层411a和412a可通过诸如溅射或无电镀工艺的薄膜工艺来形成。当第一导电层411a和412a通过诸如溅射的薄膜工艺形成时，构成第一导电层411a和412a的材料的至少一部分可具有贯穿基板保护层310和320的形式。这可通过如下来证明：在基板保护层310和320的相对表面中，设置为与第一导电层411a和412a接触的一个表面的一侧中构成第一导电层411a和412a的金属材料的浓度与相对于该一个表面的另一表面的一侧中的金属材料的浓度之间出现差异。

过孔420可包括至少一个导电层。例如，当过孔420通过电镀形成时，过孔420可包括种子层，种子层形成在贯穿绝缘基板200和基板保护层310和320的通路孔的内壁上，并且电镀层填充形成有种子层的通路孔。过孔420的种子层可与第一导电层411a和412a以相同工艺一起形成以彼此一体化，或者可以以与形成第一导电层411a和412a的工艺不同的工艺形成以在它们之间形成边界。在该实施例中，过孔的种子层以及第一导电层411a和412a可以以彼此不同的工艺形成以在它们之间形成边界。

当第一线圈图案411和412的线宽相对大时，在相同主体100中的磁性材料的体积会减小而具有对电感不利的影响。作为非限制性示例，线圈图案411和412的有利的高宽比可以为3:1至9:1。

线圈图案411和412以及过孔420中的每个可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但其材料不限于此。例如，当第一导电层411a和412a通过溅射形成并且第二导电层411b和412b通过电镀形成时，第一导电层411a和412a可包括钼(Mo)、铬(Cr)和钛(Ti)中的至少一种，并且第二导电层411b和412b可包括铜(Cu)。作为另一非限制性示例，当第一导电层411a和412a通过无电镀形成同时第二导电层411b和412b通过电镀形成时，第一导电层411a和412a和第二导电层411b和412b均可包括铜(Cu)。在这种情况下，在第一导电层411a和412a中的铜(Cu)的密度可比在第二导电层411b和412b中的铜(Cu)的密度低。

绝缘层600可沿着线圈图案411和412、基板保护层310和320以及绝缘基板200的表面形成。绝缘层600形成在线圈图案411和412、基板保护层310和320以及绝缘基板200的表面上以保护线圈图案411和412，并可包括诸如聚对二甲苯的绝缘材料。包括在绝缘层600中的绝缘材料可以是任意材料并且不受限制。绝缘层600可通过诸如气相沉积的薄膜工艺形成，但其形成方法不限于此。作为另一示例，绝缘层600可通过在绝缘基板200的两个表面上层压诸如绝缘膜的绝缘材料，或者通过将液态绝缘树脂涂覆到绝缘基板200的两个表面上来形成。

外电极510和520分别形成在主体100的第一表面101和第二表面102上以与线圈部400接触并连接到线圈部400。

外电极510和520可利用具有提高的导电率的金属形成，例如，可利用诸如镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)或银(Ag)的金属以单独或以它们的合金形式形成。

外电极510和520中的每个可包括多个层。例如，外电极510和520可具有至少一个镀层形成在包括绝缘树脂和导电材料的树脂电极层上的结构。镀层可包括从由镍(Ni)、铜(Cu)和锡(Sn)组成的组中选择的至少一种。例如，镍(Ni)镀层和锡(Sn)镀层可按顺序形成。

尽管在附图中未示出，但根据该实施例的线圈组件还可包括设置为与主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104、第五表面105和第六表面106中的至少一个接触的附加绝缘层。作为示例，当附加绝缘层设置在主体100的第五表面105和第六表面106上时，外电极510和520的分别延伸到主体100的第五表面105和第六表面106的部分可与附加绝缘层接触并连接到附加绝缘层。附加绝缘层可包括热塑性树脂(诸如聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酰胺树脂、橡胶树脂、丙烯酸树脂等)、热固性树脂(诸如酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂等)、感光树脂、聚对二甲苯、SiO_x或者SiN_x。附加绝缘层可通过将绝缘膜层压在主体100的表面上、通过薄膜工艺将绝缘材料沉积在主体100的表面上或者通过丝网印刷等将绝缘树脂涂覆在主体100的表面上来形成。

当通过镀覆在绝缘基板上形成线圈部时，应当首先在绝缘基板上形成种子层。例如，在典型的线圈组件的情况下，在绝缘基板的整个表面上形成种子层(种子层形成工艺)。依次，在种子层上形成具有对应于线圈图案的开口的抗镀层(抗镀层形成工艺)，并且通过电镀填充抗镀层的开口(电镀工艺)。最后，去除抗镀层(抗镀层去除工艺)，并且也去除暴露于去除的抗镀层的区域中的种子层(种子层去除工艺)。

在这种情况下，可使用激光用于去除抗镀层和种子层以防止电镀层的金属损失。这时，绝缘基板的一部分可通过激光与种子层一起被去除。

在该实施例中，均具有高于绝缘基板200的熔点的熔点的基板保护层310和320可形成在绝缘基板200的至少一个表面上，以防止绝缘基板200在种子层去除工艺中通过激光射线直接照射到绝缘基板200而被损坏。

此外，在该实施例中，即使当激光射线穿过基板保护层310和320以直接照射到绝缘基板200时，由于绝缘基板200包括多个层的玻璃布，可防止由于绝缘基板200的损坏而导致的翘曲等，从而可减小缺陷率。

另一实施例

图5是根据本公开的另一示例实施例的线圈组件的示意图，并且对应于沿着图1的线I-I'截取的截面图。

参照图1至图5，根据该实施例的线圈组件2000具有与根据一个实施例的线圈组件1000的线圈部不同的线圈部400。因此，该实施例将仅描述相对于与一个实施例不同的线圈部400。一个示例实施例的描述可按照原样应用于该实施例的其它元件。

例如，线圈组件2000可设置为第一基板保护层310的相应表面的在第一线圈图案411的相邻匝之间的部分在厚度方向上与第二基板保护层320的相应表面的在第二线圈图案412的相邻匝之间的部分重叠，或者线圈组件2000可设置为第一基板保护层310的相应表面的在第一线圈图案411的相邻匝之间的部分的中心在正交于厚度方向的长度方向上相对于第二基板保护层320的相应表面的在第二线圈图案412的相邻匝之间的部分的中心偏移。然而，线圈组件2000的设置形式不限于此。

参照图5，第一线圈图案411的匝和第二线圈图案412的匝可基于主体100的厚度方向上的截面彼此重叠，但匝的中心线可设置为彼此偏移。

例如，第一线圈图案411和第二线圈图案412可形成为使得第一线圈图案411的匝和第二线圈图案412的匝基于主体100的长度-厚度方向端表面(L-T端表面)彼此重叠，但匝的中心线“a”和“b”可设置为彼此偏移。当第一线圈图案411的匝和第二线圈图案412的匝彼此不重叠时，存在增加线圈部400的总匝数的限制。

第一线圈图案411和第二线圈图案412可设置为使得每匝的重叠率是15％到95％。作为非限制性示例，重叠率可基于第一线圈图案411和第二线圈图案412的匝的重叠面积(例如在沿着厚度方向的投影)来计算。在一个示例中，基于主体100的L-T端表面，重叠率是确定的。当第一线圈图案411的单匝的中心线“a”与第二线圈图案412的单匝的中心线“b”匹配(例如，中心线“a”与中心线“b”对齐)时，重叠率被定义为100％(例如，在匝具有相同宽度的情况下)。当第一线圈图案411的单匝的中心线“a”设置在第二线圈图案412的相邻匝之间的空间S的中心中时，重叠率被定义为50％(例如，在线圈匝彼此间隔开匝的宽度的一半的情况下)。当第一线圈图案411的单匝在长度(L)方向上彼此相对的相对外侧仅设置在空间S(例如，第二线圈图案412的相邻匝之间的空间)中并且在厚度方向上不与第二线圈图案412重叠时，重叠率被定义为0％。

在第一线圈图案411和第二线圈图案412中，当每匝的重叠率小于15％时，可能难以增加线圈部400的总匝数并且绝缘基板200会翘曲。当每匝的重叠率大于95％时，绝缘基板200的两个表面会被激光损坏而增加穿透绝缘基板200的可能性。

在该实施例中，由于第一线圈图案411和第二线圈图案412设置为以上述方式彼此偏移，因此，即使当绝缘基板200的两个表面被激光损坏时，穿透绝缘基板200的可能性也可显著减小。

如上所述，根据本公开，可防止绝缘基板在制造线圈组件的工艺期间被损坏。因此，可改善线圈组件的特性。

虽然以上已经示出并描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可作出修改和变化。

Claims

1.一种线圈组件，包括：

主体；

绝缘基板，嵌在所述主体中，所述绝缘基板包括绝缘树脂；

第一基板保护层和第二基板保护层，覆盖所述绝缘基板的相应的表面以保护所述绝缘基板，并且所述第一基板保护层和所述第二基板保护层包括陶瓷；

线圈部，包括分别设置在所述第一基板保护层和所述第二基板保护层上的第一线圈图案和第二线圈图案，

其中，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案中的每个包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层设置在相应的所述第一基板保护层或所述第二基板保护层上，所述第二导电层设置在所述第一导电层上并暴露所述第一导电层的侧表面。

2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述陶瓷包括氧化锆、氧化铝、二氧化硅和氧化钇中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述绝缘基板还包括浸渍在所述绝缘树脂中的玻璃布。

4.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，所述玻璃布利用多个层形成。

5.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一基板保护层和所述第二基板保护层中的每个的厚度与所述绝缘基板的厚度的比为大于等于1/3000且小于等于1/4。

6.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案设置在所述绝缘基板在厚度方向上彼此相对的相应的表面上，所述第一线圈图案的匝和所述第二线圈图案的匝设置为在所述厚度方向上彼此重叠，并且所述匝的中心线设置为沿着所述厚度方向彼此偏移。

7.一种线圈组件，包括：

主体，包括磁性金属粉末颗粒；

绝缘基板，嵌在所述主体中；

线圈部，包括设置在所述绝缘基板上的线圈图案；以及

基板保护层，设置在所述绝缘基板的在所述绝缘基板与所述线圈部之间的至少一个表面上以保护所述绝缘基板，所述基板保护层具有高于所述绝缘基板的熔点的熔点。

8.根据权利要求7所述的线圈组件，其中，所述线圈图案包括直接设置在所述基板保护层上的种子层，以及设置在所述种子层上并暴露所述种子层的侧表面的电镀层。

9.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述种子层包括钼、铬和钛中的至少一种，并且

所述电镀层包括铜。

10.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述种子层和所述电镀层中的每个包括铜，并且

在所述电镀层中的铜的密度高于在所述种子层中的铜的密度。

11.一种线圈组件，包括：

绝缘基板；

线圈部，包括设置在所述绝缘基板的相对表面上的第一线圈图案和第二线圈图案；以及

第一陶瓷层和第二陶瓷层，所述第一陶瓷层设置在所述绝缘基板与所述第一线圈图案之间，所述第二陶瓷层设置在所述绝缘基板与所述第二线圈图案之间。

12.根据权利要求11所述的线圈组件，其中，所述第一陶瓷层和所述第二陶瓷层均具有高于所述绝缘基板的熔点的熔点。

13.根据权利要求11所述的线圈组件，其中，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案中的每个包括在所述第一陶瓷层和所述第二陶瓷层的相应的一个的表面上彼此间隔开的多个线圈匝，

所述绝缘基板的具有所述第一线圈图案和所述第二线圈图案设置在其上的所述相对表面在厚度方向上彼此相对，并且

所述第一陶瓷层的所述表面的在所述第一线圈图案的相邻匝之间的部分在厚度方向上与所述第二陶瓷层的所述表面的在所述第二线圈图案的相邻匝之间的部分重叠。

14.根据权利要求11所述的线圈组件，其中，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案中的每个包括在所述第一陶瓷层和所述第二陶瓷层中的相应的一个的表面上彼此间隔开的多个线圈匝，

所述第一陶瓷层的所述表面的在所述第一线圈图案的相邻匝之间的部分的中心在正交于所述厚度方向的长度方向上相对于所述第二陶瓷层的所述表面的在所述第二线圈图案的相邻匝之间的部分的中心偏移。

15.根据权利要求11所述的线圈组件，其中，所述绝缘基板包括浸渍在绝缘树脂中的玻璃布。

16.根据权利要求11所述的线圈组件，其中，所述陶瓷层包括氧化锆、氧化铝、二氧化硅和氧化钇中的至少一种。

17.根据权利要求11所述的线圈组件，其中，所述第一陶瓷层和所述第二陶瓷层中的每个的厚度与所述绝缘基板的厚度的比为大于等于1/3000且小于等于1/4。

18.根据权利要求11所述的线圈组件，其中，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案中的每个包括种子层和电镀层，所述种子层具有设置在所述第一陶瓷层和所述第二陶瓷层中的相应的一个上的第一表面，所述电镀层设置在所述种子层的与所述第一表面相对的第二表面上。

19.根据权利要求18所述的线圈组件，其中，在所述种子层的所述第一表面和所述第二表面以及所述种子层的在所述第一表面和所述第二表面之间延伸的侧表面中，所述第一线圈图案和所述第二线圈图案中的每个的所述电镀层仅设置在所述种子层的所述第二表面上。