CN111034038A - 压电基板的制造装置和压电基板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
压电基板的制造装置具备：第1电极(10)；第2电极(20)，其隔着压电基板而与第1电极(10)对置；罩(50)，其将第2电极(20)包围成使第2电极(20)的顶端暴露；供给部(40)，其对罩(50)的内部空间(51)供给处理气体；加工部(65)，其在第1电极(10)与第2电极(20)之间施加电压，使处理气体等离子体化而在压电基板进行表面处理；检测器(80)，其设置于罩(50)的外侧，且与第2电极(20)的相对位置受到固定；测定部(63)，其通过检测器(80)测定压电基板的厚度；驱动部(30)，其使第1电极(10)与第2电极(20)间的相对位置变化；以及控制部(61)，其对供给部(40)、加工部(65)、测定部(63)和驱动部(30)进行控制。
Description
技术领域
本发明涉及用于制造与激发电极等一起构成压电振动元件的压电片的压电基板的制造装置和压电基板的制造方法。
背景技术
构成压电振动元件的压电片是使压电基板(例如压电晶片)单片化而制造的。就利用厚度剪切振动模式的水晶振动元件等压电振动元件而言，由于压电片的厚度对频率特性带来较大影响，所以谋求提高压电基板的状态的厚度精度。
例如，专利文献1公开如下水晶加工装置，其具备兼用于测定和加工的电极，使用该电极获取压电基板的厚度分布，基于该厚度的分布，按电极的每个位置，决定使用了该电极的由等离子体获得的蚀刻量。据此，由于电极与该电极的定位部相同，所以减少测定工序和加工工序之间的位置误差，能够提高加工精度。
专利文献1:日本特开2015-146512号公报
然而，由于在专利文献1所述的结构中将电极兼用于测定和加工，因此，在加工工序中，由于因它与等离子体的反应而产生的排气气体、因离子轰击而产生的颗粒物等，而使测定电极污染，导致测定精度降低。但是，若通过清洗电极而尝试恢复测定精度，则产生加工效率降低这一课题。
发明内容
本发明是鉴于这样的状况而完成的，目的在于提供能够实现加工精度的改善的抑制的压电基板的制造装置和压电基板的制造方法。
本发明的一方式的压电基板的制造装置具备：第1电极；第2电极，其隔着压电基板而与第1电极对置；罩，其将第2电极包围成使第2电极的顶端暴露；供给部，其对罩的内部空间供给处理气体；加工部，其在第1电极与第2电极之间施加电压，使处理气体等离子体化而在压电基板进行表面处理；检测器，其设置于罩的外侧，且与第2电极相对的相对位置被固定；测定部，其通过检测器测定压电基板的厚度；驱动部，其使第1电极与第2电极间的相对位置变化；以及控制部，其对供给部、加工部、测定部和驱动部进行控制。
本发明的一方式的压电基板的制造方法具备如下工序：在第1电极与第2电极之间配置压电基板；通过在将第2电极覆盖成使第2电极的顶端暴露的罩的外侧设置且与第2电极的相对位置受到固定的检测器，测定压电基板的厚度；基于厚度来计算加工量；以及在第1电极与第2电极之间施加电压而使处理气体等离子体化，基于加工量进行压电基板的表面处理。
根据本发明，能够提供可实现加工精度的改善的抑制的压电基板的制造装置和压电基板的制造方法。
附图说明
图1是概略地示出第1实施方式的压电基板的制造装置的结构的图。
图2是概略地示出利用第1实施方式的压电基板的制造装置的压电基板的制造方法的流程图。
图3是概略地示出测定压电基板的厚度的测定工序的图。
图4是概略地示出通过等离子体来蚀刻压电基板的加工工序的图。
图5是概略地示出第2实施方式的压电基板的制造装置的结构的图。
图6是概略地示出第3实施方式的压电基板的制造装置的结构的图。
图7是针对第3实施方式的第2电极概略地示出俯视第2电极的对置面时的结构的俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中，在第2实施方式及后续实施方式中，对与第1实施方式相同或者类似的构成要素由与第1实施方式相同或者类似的附图标记表示，并适当地省略详细说明。另外，对于第2实施方式以下的实施方式中得到的效果而言，针对与第1实施方式相同的效果，适当地省略说明。各实施方式的附图是例示的，各部的尺寸、形状是示意性的，不应该将本申请发明的技术范围被该实施方式限定地解释。
＜第1实施方式＞
首先，参照图1，对本发明的第1实施方式的压电基板的制造装置100的结构进行说明。图1是概略地示出第1实施方式的压电基板的制造装置的结构的图。
压电基板的制造装置100是对压电基板进行由等离子体进行的蚀刻处理的装置。压电基板的制造装置100具备第1电极10、第2电极20、第3电极80、驱动部30、供给部40、罩50、控制部61、测定部63和加工部65。
第1电极10是在压电基板的制造装置100的工作台上设置的板状的电极，相当于下部电极。在工作时，在第1电极10的载置面10A上配置压电基板。虽省略图示，但第1电极10具备用于吸引压电基板并将该压电基板保持为平坦的姿势的空气吸盘。
第2电极20与第1电极10成对，作为加工电极发挥功能。具体而言，第2电极20是具有与第1电极10对置的对置面20A并用于在第1电极10的载置面10A与第2电极20的对置面20A之间形成电场的电极。第2电极20在压电基板之上使后述的处理气体等离子体化，形成用于蚀刻压电基板的电场。
第3电极80与第1电极10成对，相当于检测器。第3电极80是，具有与第1电极10对置的对置面80A并用于在第1电极10的载置面10A与第3电极80的对置面80A之间形成电场的测定电极。第3电极80设置于罩50的外侧，且使自身与第2电极20相对的相对位置固定。这样，第3电极80与第2电极20共通地固定，并能够一起相对于第1电极10移动。
第3电极80的对置面80A的形状也可以与第2电极20的对置面20A的形状不同。据此，通过使第2电极20的对置面20A成为适于加工的形状、使第3电极80的对置面80A成为适于测定的形状，从而能够提高加工精度。第3电极80的对置面80A的面积也可以与第2电极20的对置面20A的面积不同。若对置面20A的面积比对置面80A的面积大，则能够提高加工效率，提高测定精度。若对置面20A的面积比对置面80A的面积小，则能够提高加工精度，提高测定效率。
第2电极20的对置面20A与第1电极10的载置面10A之间的电极间距离同第3电极80的对置面80A与第1电极10的载置面10A之间的电极间距离相等。即，对置面20A和对置面80A位于相同的面内。据此，即便在测定工序和加工工序间，切换施加电压的电极，也能够恒定地保持电极间距离。
此外，第2电极20的对置面20A与第1电极10的载置面10A之间的电极间距离，也可以同第3电极80的对置面80A与第1电极10的载置面10A之间的电极间距离不同。也可以是，通过使测定电极和加工电极各自的电极间距离最佳化为测定工序和加工工序中所谋求的电极间距离，从而在从测定工序向加工工序切换动作时，不使第2电极20和第3电极80沿着第1电极10的载置面10A的法线方法移动。换句话说，能够减少第2电极20相对于第1电极10的相对移动，能够提高加工精度。
驱动部30使第1电极10与第2电极20间的相对位置变化。驱动部30保持第2电极20和第3电极80，使第2电极20和第3电极80一体地移动。第1电极10成为载置压电基板的台，通过使第2电极20和第3电极80移动，从而能够抑制压电基板的挠曲，提高测定精度。此外，驱动部30也可以是使载置压电基板的第1电极10移动的部件。
供给部40由省略图示的气罐、配管、开闭阀等构成，并供给进行等离子体化的处理气体。作为蚀刻水晶基板的处理气体，作为一个例子，可举出在由四氟化碳(CF4)和氧气(O2)构成的工艺气体中混合氩气(Ar)等载体气体而成的气体。供给部40能够通过调整工艺气体与载体气体间的混合比、处理气体的供给量，调整加工速度。供给部40也可以在处理气体中还混合H2气体，能够据此使加工速度降低。换句话说，能够更细微地调整水晶基板的加工量。
罩50将第2电极20包围成使第2电极20顶端暴露，并具有从供给部40供给处理气体的内部空间51。罩50在自身与第2电极20的对置面20A之间具有间隙53。处理气体在内部空间51中扩散并使罩50的内侧相对于外侧成为正压，处理气体从间隙53流出。即，罩50相当于将处理气体向第2电极20的顶端引导的喷嘴。在压电基板的制造装置100为大气开放型等离子体蚀刻装置的情况下，罩50能够抑制处理气体的扩散，提高处理气体的利用效率。在压电基板的制造装置100为真空封闭型等离子体蚀刻装置的情况下，能够通过罩50将真空腔室内的处理气体的扩散控制为规定状态。即，通过罩50，能够压电基板的制造装置100高效地产生等离子体。通过从间隙53向第2电极20的顶端供给处理气体，从而能够在第2电极20的顶端处由未反应的处理气体置换蚀刻完毕的排气气体。换句话说，能够保持等离子体浓度的均匀性，能够提高加工精度。
控制部61对驱动部30、供给部40、测定部63和加工部65进行控制，来加工压电基板。控制部61是由例如CPU、ROM、RAM、输入输出接口等构成的微型计算机。控制部61调整加工量，以使得例如压电基板的厚度变均匀。也可以是，控制部61设定加工量，以使得压电基板的厚度在压电基板内变化。控制部61控制驱动部30而使第2电极20和第3电极80相对于第1电极10的相对位置变化。控制部61控制供给部40而调整处理气体的供给量。控制部61控制测定部63而测定压电基板的厚度。控制部61控制加工部65而对压电基板进行表面处理。
测定部63在第1电极10与第3电极80之间施加电压，并基于作为电特性的一种的频率特性来测定压电基板的厚度。测定部63例如由具备振荡器、放大器等的集成电路(IC)芯片构成，并相当于测定电路。例如，在压电基板为AT切割型的水晶基板时，将水晶基板的厚度设为d[m]，将频率设为f[Hz]，则f＝1670/d成立。该情况下，若将厚度剪切振动的频率设为f，则能够通过测定频率f，计算水晶基板的厚度d。
此外，测定部63不限定于基于频率特性的测定，也可以是基于静电电容的测定。此时，若将压电基板的厚度设为d[m]，将测定电极的对置面的面积设为S[m2]，将压电基板的介电常数设为ε，将静电电容设为C[F]，则C＝εS/d成立。该情况下，能够通过测定静电电容C，计算厚度d。检测器为第3电极80，厚度的测定方法基于电特性。因此，若在控制部61、测定部63和加工部65中使用共享电路等的结构，则能够简化压电基板的制造装置100的结构。
加工部65在第1电极10与第2电极20之间施加电力，使处理气体等离子体化而在压电基板进行表面处理。加工部65例如由IC芯片构成，相当于加工电路。即，进行基于等离子体的蚀刻处理。加工部65在第1电极10与第3电极80之间施加例如13.56MHz的高频电压。由此，由CF4等离子体产生的F自由基与SiO2中的Si反应，成为蒸气压高的SiF4被并排出。同时，SiO2中的O作为COX排出。此外，在压电基板的表面附近形成有离子鞘，阳离子轰击压电基板的表面。这促进自由基的化学反应、反应生成物的脱离，并且引起溅射蚀刻而产生颗粒物。因此，在加工工序中，排气气体、颗粒等污染源从加工区域飞散。
如以上那样，在测定工序中，通过被控制部61控制的驱动部30进行第3电极80的定位，在加工工序中，同样通过被控制部61控制的驱动部30进行第2电极20的定位。因此，能够减少在测定工序和加工工序中产生的定位的误差，能够提高加工精度。
而且，压电基板的制造装置100将第3电极(检测器)80设置于罩50的外侧。因此，通过罩50防止第3电极80的因为由等离子体形成的蚀刻处理而引起的污染，能够抑制测定精度的降低。另外，在测定工序和加工工序中，能够共享控制电路等部件，因此能够简化压电基板的制造装置100的结构。
接下来，参照图2～图4，对使用了上述第1实施方式的压电基板的制造装置100的压电基板的制造方法进行说明。图2是概略地示出利用第1实施方式的压电基板的制造装置的压电基板的制造方法的流程图。图3是概略地示出测定压电基板的厚度的测定工序的图。图4是概略地示出通过等离子体蚀刻压电基板的加工工序的图。
首先，将压电基板70载置在第1电极10上(S11)。如图3所示，压电基板70配置于第1电极10与第2电极20之间。压电基板70具有相互对置的一对主面70A、70B，并配置为，使一个主面70B与第1电极10接触，另一个主面70A与第2电极20隔开间隔对置。
接下来，测定厚度(S12)。在第1电极10与第3电极80之间施加电压，测定频率。基于该频率，计算测定区域71的厚度。若在一个测定区域中测定结束，则通过驱动部30使第3电极80移动，在另一测定区域中测定厚度。这样，通过反复测定和移动，从而测定压电基板70的厚度的分布。
接下来，计算加工量的分布(S13)。根据工序S12中测定出的加工前的压电基板70的厚度的分布和欲制造的压电基板70的厚度的目标值，对需要的加工量的分布进行计算。
接下来，供给处理气体41(S14)。如图4所示，供给部40向罩50的内部空间51供给处理气体41。充满内部空间51的处理气体41穿过间隙53而向压电基板70的主面70B之上供给。此处所说的压电基板70之上相当于压电基板70的主面70B与第2电极20的对置面20A之间。处理气体41向压电基板70的主面70B上供给的速度根据内部空间51的内压和间隙53的截面积来决定。
接下来，通过等离子体进行蚀刻(S15)。在第1电极10与第2电极20之间施加电压，使处理气体41等离子体化。基于工序S13中计算出的加工量的分布，对加工区域73的主面70A进行蚀刻处理。若一个加工区域中的蚀刻处理结束，则通过驱动部30使第2电极20移动，对另一加工区域进行蚀刻处理。这样，通过反复工序S25和工序S26，而使压电基板70的厚度的分布接近目标值。
＜第2实施方式＞
参照图5，对第2实施方式的压电基板的制造装置200进行说明。图5是概略地示出第2实施方式的压电基板的制造装置的结构的图。
与第1实施方式的压电基板的制造装置100同样，第2实施方式的压电基板的制造装置200具备第1电极210、第2电极220、驱动部230、供给部240、罩250、控制部261、测定部263和加工部265。另外，第2电极220具有对置面220A。在取代第3电极80而具备发光部281和受光部282这点上，第2实施方式的压电基板的制造装置200与第1实施方式的压电基板的制造装置100不同。
发光部281和受光部282相当于检测器。发光部281对压电基板70照射光。受光部282接受该光的压电基板70中的反射光。对于压电基板的制造装置200而言，能够使该反射光分光而非接触地测定压电基板的厚度。
发光部281照射的光和受光部282接受的反射光也可以是线状的，也可以是面状的。根据这些，能够提高压电基板的厚度的测定效率。
＜第3实施方式＞
参照图6和图7，对第3实施方式的压电基板的制造装置300进行说明。图6是概略地示出第3实施方式的压电基板的制造装置的结构的图。图7是针对第3实施方式的第2电极，概略地示出俯视第2电极的对置面时的结构的俯视图。
与第1实施方式的压电基板的制造装置100同样，第3实施方式的压电基板的制造装置300具备第1电极310、第3电极380、驱动部330、供给部340、罩350、控制部361、测定部363和加工部365。在第2电极320至少形成有一个贯通孔H这点上，第3实施方式的压电基板的制造装置300与第1实施方式的压电基板的制造装置100不同。
贯通孔H从第2电极320的靠内部空间351侧的向内面320B贯通至靠第1电极310侧的对置面320A。贯通孔H将从供给部340供给至罩350的内部空间351的处理气体向第1电极310与第2电极320之间供给。为了均匀地供给处理气体，优选在俯视第2电极320的对置面320A时，每一个贯通孔H的截面积小、且贯通孔H的数量多。据此，能够提高第1电极310与第2电极320之间的处理气体的浓度的均匀性。贯通孔H的形状没有特别限定，能够适当地设计为圆柱状、狭缝状、多孔状、它们的组合等。
如以上那样，根据本发明的一方式，提供压电基板的制造装置100，上述压电基板具备：第1电极10；第2电极20，其隔着压电基板而与第1电极10对置；罩50，其将第2电极20包围成使第2电极20的顶端暴露；供给部40，其对罩50的内部空间51供给处理气体；加工部65，其在第1电极10与第2电极20之间施加电压，并使处理气体等离子体化而在压电基板进行表面处理；检测器，其设置于罩50的外侧，且与第2电极20的相对位置受到固定；测定部63，其通过检测器测定压电基板的厚度；驱动部30，其使第1电极10与第2电极20间的相对位置变化；以及控制部61，其对供给部40、加工部65、测定部63和驱动部30进行控制。
根据上述方式，测定压电基板的厚度的检测器、与对压电基板进行由等离子体进行的蚀刻处理的第2电极之间的相对位置固定，通过由相同的控制部控制的相同的驱动部进行定位。因此，能够减少在测定工序和加工工序间产生的定位的误差，能够提高加工精度。另外，通过将检测器设置于罩的外侧，从而能够抑制由于检测器的污染而引起的测定精度的降低，提高加工精度。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，检测器具备第3电极80，测定部63在第1电极10与第3电极80之间施加电压，基于电特性，对压电基板的厚度进行测定。据此，通过电路等的共享，能够简化压电基板的制造装置的结构。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，第3电极80的和第1电极10对置的对置面80A的形状与第2电极20的和第1电极10对置的对置面20A的形状不同。据此，通过使第2电极20的对置面20A成为适于加工的形状、使第3电极80的对置面80A成为适于测定的形状，从而能够提高加工精度。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，第2电极20的和第1电极10对置的对置面20A的面积大于第3电极80的和第1电极10对置的对置面的面积。据此，能够提高加工效率，提高测定精度。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，第2电极20的和第1电极10对置的对置面20A的面积小于第3电极80的和第1电极10对置的对置面的面积。据此，能够提高加工精度，提高测定效率。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，第2电极20的和第1电极10对置的对置面20A与第1电极10之间的距离，同第3电极80的和第1电极10对置的对置面80A与第1电极10之间的距离相等。据此，即便在测定工序和加工工序间切换了施加电压的电极，也能够将电极间距离保持得恒定。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，第2电极20的和第1电极10对置的对置面20A与第1电极10之间的距离，同第3电极80的和第1电极10对置的对置面80A与第1电极10之间的距离不同。据此，能够减少第2电极相对于第1电极的相对移动，能够提高加工精度。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，检测器具备：对压电基板照射光的发光部281、和接受光的在压电基板中的反射光的受光部282，测定部263使反射光分光并测定压电基板的厚度。据此，能够以非接触方式测定压电基板的厚度。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，发光部281使光以线状照射，受光部282接受以线状反射的反射光。据此，能够提高测定效率。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，发光部281使光以面状照射，受光部282接受以面状反射的反射光。据此，能够提高测定效率。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，罩50在它与第2电极20的和第1电极10对置的对置面20A之间具有间隙53。据此，能够通过未反应的处理气体置换蚀刻完毕的排气气体地供给处理气体。换句话说，能够保持等离子体浓度的均匀性，能够提高加工精度。因此，压电基板的制造装置能够高效地产生等离子体。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，第2电极320至少具有一个贯通孔H。据此，能够提高第1电极与第2电极之间的处理气体的浓度的均匀性。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，在第1电极10之上配置有压电基板，第2电极20和检测器由驱动部30保持且移动。据此，能够抑制压电基板的挠曲，提高测定精度。
在上述的压电基板的制造装置中，也可以是，压电基板为水晶基板。
根据本发明的一方式，提供压电基板的制造方法，具备如下工序：在第1电极10与第2电极20之间配置压电基板；通过在将第2电极20覆盖成使第2电极20的顶端暴露的罩50的外侧设置且与第2电极20的相对位置受到固定的检测器，测定压电基板的厚度；基于厚度来计算加工量；以及在第1电极10与第2电极20之间施加电压而使处理气体等离子体化，并基于加工量进行压电基板的表面处理。
根据上述方式，测定压电基板的厚度的检测器、与在压电基板进行由等离子体进行的蚀刻处理的第2电极之间的相对位置得到固定，通过由相同的控制部控制的相同的驱动部进行定位。因此，能够减少在测定工序和加工工序间产生的定位的误差，能够提高加工精度。另外，通过将检测器设置于罩的外侧，从而抑制由于检测器的污染而引起的测定精度的降低，能够提高加工精度。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，检测器具备第3电极80，在测定厚度的工序中，在第1电极10与第3电极80之间施加电压，基于电特性，对压电基板的厚度进行测定。据此，通过电路等的共享，能够简化压电基板的制造装置的结构。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，第3电极80的和第1电极10对置的对置面80A的形状，与第2电极20的和第1电极10对置的对置面20A的形状不同。据此，通过使第2电极20的对置面20A成为适于加工的形状、使第3电极80的对置面80A成为适于测定的形状，从而能够提高加工精度。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，第2电极20的和第1电极10对置的对置面20A的面积，大于第3电极80的和第1电极10对置的对置面的面积。据此，能够提高加工效率，提高测定精度。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，第2电极20的和第1电极10对置的对置面20A的面积，小于第3电极80的和第1电极10对置的对置面的面积。据此，能够提高加工精度，提高测定效率。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，第2电极20的和第1电极10对置的对置面20A与第1电极10之间的距离，同第3电极80的和第1电极10对置的对置面80A与第1电极10之间的距离相等。据此，即便在测定工序和加工工序间切换了施加电压的电极，也能够将电极间距离保持得恒定。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，第2电极20的和第1电极10对置的对置面20A与第1电极10之间的距离，同第3电极80的和第1电极10对置的对置面80A与第1电极10之间的距离不同。据此，能够减少第2电极相对于第1电极的相对移动，能够提高加工精度。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，检测器具备发光部281和受光部282，测定厚度的工序具有如下工序：从发光部281对压电基板照射光；在受光部282处接受光的在压电基板上反射的反射光；以及基于反射光测定压电基板的厚度。据此，能够以非接触方式测定压电基板的厚度。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，发光部281使光以线状照射，受光部282接受以线状反射的反射光。据此，能够提高测定效率。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，发光部281使光以面状照射，受光部282接受以面状反射的反射光。据此，能够提高测定效率。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，罩50在它与第2电极20的和第1电极10对置的对置面20A之间具有间隙53。据此，能够由未反应的处理气体置换蚀刻完毕的排气气体地供给处理气体。换句话说，能够保持等离子体浓度的均匀性，能够提高加工精度。因此，压电基板的制造装置能够高效地产生等离子体。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，第2电极320至少具有一个贯通孔H。据此，能够提高第1电极与第2电极之间的处理气体的浓度的均匀性。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，在第1电极10上配置有压电基板，第2电极20和检测器由使第1电极10与第2电极20间的相对位置变化的驱动部30保持且移动。据此，能够抑制压电基板的挠曲，提高测定精度。
在上述的压电基板的制造方法中，也可以是，压电基板是水晶基板。
如以上说明的那样，根据本发明的一方式，能够提供可实现加工精度的改善的抑制的压电基板的制造装置和压电基板的制造方法。
此外，以上说明的实施方式是用于容易理解本发明的，不是用于限定解释本发明。本发明可不脱离其主旨地进行变更/改进，并且本发明也包括其等同物。即，本领域技术人员对各实施方式适当地施加设计变更而成的方式只要具备本发明的特征，则也落入于本发明的范围。例如，各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等不限定于例示的内容而能够适当地变更。另外，各实施方式具备的各要素只要在技术上可行则也能够组合，将它们组合而成的方式只要包含本发明的特征则也包含于本发明的范围。
附图标记说明
100…压电基板的制造装置；10…第1电极；20…第2电极；80…第3电极(检测器)；30…驱动部；40…供给部；50…罩；61控制部；63…测定部；65…加工部。
Claims (28)
1.一种压电基板的制造装置，其特征在于，具备：
第1电极；
第2电极，其隔着压电基板而与第1电极对置；
罩，其将所述第2电极包围成使所述第2电极的顶端暴露；
供给部，其对所述罩的内部空间供给处理气体；
加工部，其在所述第1电极与所述第2电极之间施加电压，使所述处理气体等离子体化而在所述压电基板进行表面处理；
检测器，其设置于所述罩的外侧，且它与所述第2电极间的相对位置受到固定；
测定部，其通过所述检测器测定所述压电基板的厚度；
驱动部，其使所述第1电极与所述第2电极间的相对位置变化；以及
控制部，其对所述供给部、所述加工部、所述测定部和所述驱动部进行控制。
2.根据权利要求1所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述检测器具备第3电极，
所述测定部在所述第1电极与所述第3电极之间施加电压，基于电特性，对所述压电基板的厚度进行测定。
3.根据权利要求2所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面的形状与所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面的形状不同。
4.根据权利要求3所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面的面积大于所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面的面积。
5.根据权利要求3所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面的面积小于所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面的面积。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面与所述第1电极之间的距离，同所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面与所述第1电极之间的距离相等。
7.根据权利要求2～5中任一项所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面与所述第1电极之间的距离，同所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面与所述第1电极之间的距离不同。
8.根据权利要求1所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述检测器具备：对所述压电基板照射光的发光部、和接受所述光的在所述压电基板处的反射光的受光部，
所述测定部使所述反射光分光并测定所述压电基板的厚度。
9.根据权利要求8所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述发光部使所述光以线状照射，
所述受光部接受以线状反射的所述反射光。
10.根据权利要求8所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述发光部使所述光以面状照射，
所述受光部接受以面状反射的所述反射光。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述罩在它与所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面之间具有间隙。
12.根据权利要求1～10中任一项所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述第2电极具有至少一个贯通孔。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
在所述第1电极之上配置所述压电基板，
所述第2电极和所述检测器由所述驱动部保持且移动。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的压电基板的制造装置，其特征在于，
所述压电基板为水晶基板。
15.一种压电基板的制造方法，其特征在于，具备如下工序：
在第1电极与第2电极之间配置压电基板；
通过在将所述第2电极覆盖成使所述第2电极的顶端暴露的罩的外侧设置且与所述第2电极的相对位置受到固定的检测器，测定所述压电基板的厚度；
基于所述厚度来计算加工量；以及
在所述第1电极与所述第2电极之间施加电压而使处理气体等离子体化，并基于所述加工量进行所述压电基板的表面处理。
16.根据权利要求15所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
所述检测器具备第3电极，
在测定所述厚度的工序中，在所述第1电极与所述第3电极之间施加电压，基于电特性，对所述压电基板的厚度进行测定。
17.根据权利要求16所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面的形状与所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面的形状不同。
18.根据权利要求17所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面的面积大于所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面的面积。
19.根据权利要求17所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面的面积小于所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面的面积。
20.根据权利要求16～19中任一项所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面与所述第1电极之间的距离，同所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面与所述第1电极之间的距离相等。
21.根据权利要求16～19中任一项所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面与所述第1电极之间的距离，同所述第3电极的和所述第1电极对置的对置面与所述第1电极之间的距离不同。
22.根据权利要求15所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
所述检测器具备发光部和受光部，
测定所述厚度的工序具有：从所述发光部对所述压电基板照射光的工序、在所述受光部处接受所述光的在所述压电基板处的反射光的工序、以及基于所述反射光测定所述压电基板的厚度的工序。
23.根据权利要求22所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
所述发光部使所述光以线状照射，
所述受光部接受以线状反射的所述反射光。
24.根据权利要求22所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
所述发光部使所述光以面状照射，
所述受光部接受以面状反射的所述反射光。
25.根据权利要求15～24中任一项所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
所述罩在它与所述第2电极的和所述第1电极对置的对置面之间具有间隙。
26.根据权利要求15～24中任一项所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
所述第2电极至少具有一个贯通孔。
27.根据权利要求15～26中任一项所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
在所述第1电极之上配置所述压电基板，
所述第2电极和所述检测器由使所述第1电极与所述第2电极间的相对位置变化的驱动部保持且移动。
28.根据权利要求15～27中任一项所述的压电基板的制造方法，其特征在于，
所述压电基板是水晶基板。
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