CN111009186A - 粘合构件和包括该粘合构件的显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种粘合构件和包括该粘合构件的显示装置。根据本公开的实施例的显示装置包括：显示面板；保护构件，用于保护显示面板；以及粘合构件，位于显示面板与保护构件之间以将显示面板结合到保护构件。显示面板可以包括多个像素以显示图像，粘合构件可以包括粘合剂和分散在粘合剂中的抗静电剂。抗静电剂可以包括卤素离子，卤素离子相对于粘合剂的总重量的含量可以在能够减少由静电导致的污点缺陷而不会导致显示装置中的驱动线的腐蚀的范围(例如，从约1ppm至约1000ppm)内。

Description

粘合构件和包括该粘合构件的显示装置
本申请要求于2018年10月5日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0118732号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的示例实施例的一个或更多个方面涉及一种粘合构件和包括该粘合构件的显示装置，具体地，涉及具有改善的抗腐蚀性能的粘合构件和包括该粘合构件的显示装置。
背景技术
正在开发诸如智能电话、平板电脑、笔记本电脑和智能电视机的电子装置。这些示例电子装置中的每个包括用于向用户提供信息的显示装置，并且包括显示面板和连接到显示面板的控制单元。
显示装置还可以包括用于固定构成(形成)显示装置的组件的粘合剂。粘合剂可以包含(包括)抗静电剂以防止或减少在组件之间发生静电放电。
发明内容
本公开的示例实施例的一个或更多个方面涉及一种显示装置，该显示装置包括包含(包括)有限或选定数量的离子的抗静电剂，从而防止或减少显示装置中的金属线被腐蚀。
本公开的一个或更多个示例实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板，包括多个像素以显示图像；保护构件，用于保护显示面板；以及粘合构件，位于显示面板与保护构件之间以将显示面板结合到保护构件。粘合构件可以包括粘合剂和分散在粘合剂中的抗静电剂，抗静电剂可以包括或包含卤素离子。卤素离子相对于粘合剂的总重量的含量的范围可以为1ppm(mg/kg)至1000ppm。
在一些实施例中，抗静电剂可以包括导电聚合物和表面活性剂，并且卤素离子可以包含(包括)在表面活性剂中。
在一些实施例中，从导电聚合物和表面活性剂中选择的至少一者还可以包含硫离子，并且硫离子相对于粘合剂的总重量的含量的范围可以为100ppm至500ppm。
在一些实施例中，卤素离子可以包括氟离子，并且氟离子相对于粘合剂的总重量的含量的范围可以为100ppm至1000ppm。
在一些实施例中，卤素离子可以包括氯离子，并且氯离子相对于粘合剂的总重量的含量的范围可以为1ppm至100ppm。
在一些实施例中，粘合剂可以包括从光学透明粘合剂(OCA)、压敏粘合剂(PSA)和光学透明树脂(OCR)中选择的至少一种。
在一些实施例中，保护构件可以包括从支撑层、冲击吸收层和阻光层中选择的至少一种。
本公开的一个或更多个示例实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板，包括显示区域和非显示区域，显示区域包括多个像素以显示图像，非显示区域与显示区域相邻并包括多个垫；驱动电路，包括结合到垫的驱动垫和连接到驱动垫的驱动线；保护构件，用于保护显示面板(例如，位于显示面板下方)；粘合构件，位于显示面板与保护构件之间；以及树脂构件，覆盖驱动电路的底表面的至少一部分。每个垫可以连接到多个像素中的相应像素，并且粘合构件可以包括用于将显示面板结合到保护构件的粘合剂以及包含(包括)从硫离子和卤素离子中选择的至少一种的抗静电剂。卤素离子相对于粘合剂的总重量的含量的范围可以为1ppm至1000ppm。
在一些实施例中，卤素离子可以包括氟离子，并且氟离子相对于粘合剂的总重量的含量的范围可以为100ppm至1000ppm。
在一些实施例中，卤素离子可以包括氯离子，并且氯离子相对于粘合剂的总重量的含量的范围可以为1ppm至100ppm。
在一些实施例中，抗静电剂可以包括导电聚合物和表面活性剂。硫离子可以包含(包括)在从导电聚合物和表面活性剂中选择的至少一者中，并且卤素离子可以包含(包括)在表面活性剂中。
在一些实施例中，硫离子相对于粘合剂的总重量的含量的范围可以为100ppm至500ppm。
在一些实施例中，驱动线中的每条可以包括从显示面板的侧表面突出并暴露于驱动电路的外部的至少一部分。树脂构件可以覆盖驱动线中的每条的暴露部分。
在一些实施例中，树脂构件可以与粘合构件的相邻于驱动电路的底表面的侧表面接触。
在一些实施例中，垫和驱动垫可以通过各向异性导电膜(ACF)彼此结合。
在一些实施例中，驱动电路可以包括柔性电路基板和驱动芯片，驱动垫和驱动线位于柔性电路基板上，驱动芯片安装在柔性电路基板上。驱动线可以连接到驱动芯片。
在一些实施例中，多个像素中的每个像素可以包括包含多个电极的薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的有机发光器件，并且垫可以与至少一个电极设置在(布置或放置在)同一水平处。
本公开的一个或更多个示例实施例提供了一种用于显示装置中的粘合构件，所述粘合构件包括：粘合剂；以及抗静电剂，分散在粘合剂中。抗静电剂可以包括包含(含有)硫离子的导电聚合物和包含(含有)硫离子和氟离子的表面活性剂。氟离子相对于粘合剂的总重量的含量的范围可以为100ppm(mg/kg)至1000ppm，硫离子相对于粘合剂的总重量的含量范围可以为100ppm至500ppm。
在一些实施例中，抗静电剂还可以包括氯离子。氯离子相对于粘合剂的总重量的含量的范围可以为1ppm至100ppm。
在一些实施例中，粘合剂可以包括从光学透明粘合剂(OCA)、压敏粘合剂(PSA)和光学透明树脂(OCR)中选择的至少一种。
附图说明
通过下面结合附图的简要描述，将更清楚地理解下面的示例实施例。附图表示如在这里描述的非限制性的示例实施例。
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的透视图。
图2A是示出根据本公开的实施例的显示装置的一部分的放大透视图。
图2B是示出根据本公开的实施例的显示面板的剖视图。
图2C是示出根据本公开的实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图3A至图3C是示出根据本公开的实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图4A至图4C是示出根据对比实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图5是示出根据本公开的实施例的驱动电路的剖面的图像。
图6A是示出根据对比实施例的驱动电路的剖面的图像。
图6B是示出根据对比实施例的驱动电路的剖面的图像。
图6C是示出图6B的部分TT'的放大形状的图像。
图7A至图7D是示出根据对比实施例和示例实施例的驱动电路的剖面的图像。
应该注意的是，这些附图意在说明在特定示例实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特征，并且补充到下面提供的书面描述。这些附图不必按比例绘制，可以不精确反映任何给出实施例的精确结构或性能特征，并且不应该被解释为限定或限制被示例实施例包含的值或性能的范围。例如，为了清楚，可以在附图中减小或夸大微粒、层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置。在各个附图中使用相似或相同的附图标记意在表示存在相似或相同的元件和/或特征。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述本公开的示例实施例，示例实施例示出在附图中。本公开可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分地传达示例实施例的构思。在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的厚度。附图中同样的附图标记表示同样的元件，并且可以不提供其重复描述。
将理解的是，当元件被称作“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接连接或结合到所述另一元件，或者可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接连接”或“直接结合”到另一元件时，不存在中间元件。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。用于描述元件或层之间的关系的其他词语(例如，“在……之间”与“直接在……之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在……上”与“直接在……上”)应该以类似的方式来解释。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和全部组合。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，可以将下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可选地命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
出于易于描述的目的，在这里可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之下”、“在……之上”、“在……上”等的空间相对术语，从而来描述如附图中示出的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包括装置在使用或操作中除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“下面”的元件或特征随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(旋转90度或者在其他方位处)，并且相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语仅是出于描述特定实施例的目的，而不意图成为示例实施例的限制。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，如果在这里使用术语“包含”和/或“包括”以及它们的变型，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。当诸如“……中的至少一种(个/者)”、“……中的一种(个/者)”、“从……中选择”、“从……中选择的至少一种(个/者)”和“从……中选择一种(个/者)”的表述位于一列元件(要素)之后时，修饰整列元件(要素)，而不是修饰该列中的个别元件(要素)。
这里参照作为示例实施例的理想化的实施例和/或它们的中间结构的示意图的剖视图来描述本公开的示例实施例。如此，将预料到由例如制造技术和/或公差引起的在图示中描绘的实施例的形状的变化。因此，本公开的示例实施例不应该被解释为局限于这里示出的区域的具体形状，而是将包括会由例如制造导致的形状和尺寸的偏差。
除非另有定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开的示例实施例所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不将以理想化或过于形式化的含义来解释，除非这里明确地如此定义。
如这里使用的，术语“离子”可以指元素、多原子簇或化合物的离子形式或者带电形式。离子可以带负电(阴离子)或带正电(阳离子)。硫离子的非限制性示例可以包括硫阴离子(S2-)。卤素离子的非限制性示例可以包括卤素阴离子，诸如氟化物(F-)、氯化物(Cl-)、溴化物(Br-)或碘化物(I-)。如这里使用的，如将从使用的上下文中理解的，术语“包含”可以等同地表示“包括在……中”、“包含在……中”、“定位(设置)在……中”或“位于……中”。
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的透视图。图2A是示出根据本公开的实施例的显示装置的一部分的放大透视图。图2B是示出根据本公开的实施例的显示面板的剖视图。图2C是示出根据本公开的实施例的显示装置的一部分的剖视图。在下文中，将参照图1、图2A、图2B和图2C描述根据本公开的实施例的显示装置EA。
显示装置EA可以包括窗构件WM、显示面板DP、驱动电路COF、电路基板BC、粘合构件BL、保护构件PTL、树脂构件RS和壳构件HM。
窗构件WM可以位于显示面板DP上或上方。窗构件WM可以保护显示面板DP免受外部冲击，并且/或者可以防止或降低污染材料(污染物)进入显示面板DP的风险。窗构件WM可以由透明材料形成以使光学图像被发射到外部。例如，窗构件WM可以包括玻璃、蓝宝石、塑料等或者由玻璃、蓝宝石、塑料等形成。窗构件WM被示出为单层，但是在一些实施例中，窗构件WM可以包括多个层。在一些实施例中，尽管未示出，但是窗构件WM还可以包括可覆盖或遮盖非显示区域NDA(将在下面描述)的边框区域。
显示面板DP可以响应于电信号而显示图像。显示面板DP可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以被限定为在其上方显示由显示面板DP提供的图像的区域，而非显示区域NDA可以被限定为围绕、包围显示区域DA或与显示区域DA相邻的区域(一个或更多个区域)。然而，本公开的实施例不限于该示例，并且在一些实施例中，可以对非显示区域NDA的形状进行修改或各种改变。
显示面板DP可以位于窗构件WM下方。显示面板DP可以生成图像，然后可以将图像提供到窗构件WM。
在一些实施例中，显示面板DP可以是有机发光显示面板、液晶显示面板、等离子体显示面板、电泳显示面板、微机电系统(MEMS)显示面板、电润湿显示面板等。在下文中，将描述其中显示面板DP是有机发光显示面板的示例。然而，本公开的实施例不限于该示例，并且可以使用各种类型或种类的显示面板来实现本公开。
显示面板DP可以包括驱动电路GDC、多条信号线SGL、像素垫(pad，或称为“焊盘”)部PDL1和多个像素PX。像素PX可以位于显示区域DA中。多个像素中的每个像素PX可以包括有机发光元件和连接到有机发光元件的像素驱动电路。
显示面板DP可以包括基体层BF、电路层ML、发光器件层EL和薄膜封装层TFE。在一些实施例中，电路层ML可以包括驱动电路GDC、信号线SGL、像素垫部PDL1和像素驱动电路。
驱动电路GDC可以包括栅极驱动电路。栅极驱动电路可以产生多个栅极信号，并且可以将栅极信号顺序地输出到下面将描述的多条栅极线GL。栅极驱动电路还可以向像素驱动电路输出其他(附加的)控制信号。
除了栅极线GL之外，信号线SGL还可以包括数据线DL、电源线PL和/或控制信号线CSL。(每条)栅极线GL可以分别连接到(多个)像素PX(中的每个)，并且(每条)数据线DL可以分别连接到(多个)像素PX(中的每个)。每条电源线PL可以分别连接到(多个)像素PX(中的每个)。控制信号线CSL可以用于向栅极驱动电路提供控制信号。(例如，当在平面图中观看时)，信号线SGL可以与显示区域DA和非显示区域NDA叠置(例如，与显示区域DA和非显示区域NDA至少部分地竖直相邻)。
像素垫部PDL1可以设置在非显示区域NDA中。像素垫部PDL1可以包括多个垫PD1。每个垫PD1可以连接到多个像素中的对应像素PX。在一些实施例中，一些垫PD1可以连接到多个像素PX，而另一些垫PD1可以连接到驱动电路GDC。垫PD1可以结合到驱动电路COF。
然而，本公开的实施例不限于上述示例，并且在一些实施例中，信号线SGL可以与垫PD1一起设置在与像素垫部PDL1不同(分开)的区域上或中，并且可以不被绝缘层覆盖或遮盖。这里，像素垫部PDL1可以表示其上设置有垫PD1的区域，但是本公开的实施例不限于此。
(例如，当在平面图中观看时)垫PD1可以与非显示区域NDA叠置(例如，垫PD1位于非显示区域NDA中)，并且可以连接到信号线SGL的端部。像素垫部PDL1可以结合到驱动电路COF的至少一部分，并且可以通过驱动电路COF电连接到电路基板BC。
参照图2A，驱动电路COF可以包括柔性电路基板FP、驱动芯片D-IC、驱动垫部PDL2和多条驱动线COL。驱动垫部PDL2可以包括多个驱动垫PD2。驱动电路COF可以包括顶表面COF-U和底表面COF-B。
在本实施例中，驱动垫部PDL2可以是开口或者包括开口，该开口形成在柔性电路基板FP的底表面上以暴露驱动垫PD2。柔性电路基板FP的底表面可以被限定为驱动电路COF的底表面COF-B。
柔性电路基板FP可以是柔性的。因此，柔性电路基板FP可以以任何合适的形状进行设置，例如，当安装在电子设备中时，该形状针对显示面板DP的目的和形状被优化。
驱动芯片D-IC可以以膜上芯片(COF)方式安装在柔性电路基板FP上。驱动芯片D-IC可以包括用于驱动像素PX的驱动元件(例如，数据驱动电路)。
驱动垫PD2可以在驱动电路COF的底表面COF-B上被暴露。暴露的驱动垫PD2中的每个可以结合到垫PD1中的对应的垫PD1。在一些实施例中，垫PD1可以设置在基体层BF上。每个驱动垫PD2的一端或一侧可以连接到驱动线COL中的对应的驱动线COL。驱动线COL可以结合到驱动芯片D-IC。因此，像素PX可以连接到驱动芯片D-IC，并且可以从驱动芯片D-IC接收数据信号。驱动垫PD2可以由金属材料形成或者包括金属材料。在图2A中，在底表面COF-B上用虚线描绘驱动垫PD2、驱动线COL和驱动芯片D-IC。
尽管显示装置EA被示出为包括一个驱动电路COF，但是本公开的实施例不限于此。例如，显示装置EA可以包括多个驱动电路COF，每个驱动电路COF结合到显示面板DP。
参照图2B，基体层BF可以是其上层叠或设置有显示面板DP的其他元件的基体层。基体层BF可以包括从塑料基底、玻璃基底和由有机/无机复合材料形成的基底中选择的至少一种或者由从塑料基底、玻璃基底和由有机/无机复合材料形成的基底中选择的至少一种形成。在一些实施例中，基体层BF可以是包括多个绝缘层(例如，绝缘层彼此堆叠或层叠)的堆叠件。
电路层ML可以位于基体层BF上。电路层ML可以包括薄膜晶体管TR和多个绝缘层ILD1、ILD2和ILD3。在一些实施例中，电路层ML可以包括电连接到发光器件层EL的薄膜晶体管TR和电容器。电路层ML可以电连接到发光器件层EL，以控制发光器件层EL的发光操作。
发光器件层EL可以位于电路层ML上。发光器件层EL可以包括有机发光器件OLED和像素限定层PXL。发光器件层EL可以响应于通过电路层ML的薄膜晶体管TR和电容器传输的电信号而发射光学图像。在一些实施例中，发光器件层EL的结构可以变化或者可以改变发光器件层EL的结构。下面的描述将涉及包括有机发光器件的发光器件层EL的示例。
显示图像的像素PX可以设置在基体层BF上。像素PX可以包括薄膜晶体管TR和有机发光器件OLED。薄膜晶体管TR可以是包括在电路层ML中的元件。有机发光器件OLED可以是包括在发光器件层EL中的元件。
根据本公开的实施例的显示区域DA(例如，见图1)可以包括彼此相邻的发光区域PXA和非发光区域NPXA。当在平面图中观看时，非发光区域NPXA可以(例如，在周边上)包围、围绕发光区域PXA，或者与发光区域PXA平面地相邻。在一些实施例中，可以在显示区域DA中设置多个发光区域PXA。发光区域PXA可以彼此间隔开，并且非发光区域NPXA可以与发光区域PXA相邻。在图2B中，示出了一个发光区域PXA作为示例。
薄膜晶体管TR可以包括半导体图案AL、控制电极GE、输入电极SE和输出电极DE。
薄膜晶体管TR的半导体图案AL和第一绝缘层ILD1可以位于基体层BF上。第一绝缘层ILD1可以覆盖半导体图案AL。
控制电极GE和第二绝缘层ILD2可以位于第一绝缘层ILD1上。第二绝缘层ILD2可以覆盖控制电极GE。第一绝缘层ILD1和第二绝缘层ILD2中的每个可以包括有机层和/或无机层。第一绝缘层ILD1和第二绝缘层ILD2中的每个可以包括多个薄膜。
输入电极SE、输出电极DE和第三绝缘层ILD3可以位于第二绝缘层ILD2上。第三绝缘层ILD3可以覆盖输入电极SE和输出电极DE。
输入电极SE和输出电极DE可以分别通过形成为穿透第一绝缘层ILD1和第二绝缘层ILD2的第一穿透孔CH1和第二穿透孔CH2连接到半导体图案AL。
有机发光器件OLED和像素限定层PXL可以位于第三绝缘层ILD3上。有机发光器件OLED可以包括阳电极AE、发射图案EML、阴电极CE、在阳电极AE与发射图案EML之间的空穴传输区HCL以及在阴电极CE与发射图案EML之间的电子传输区ECL。
阳电极AE可以通过穿透第三绝缘层ILD3的第三穿透孔CH3连接到输出电极DE。
像素限定层PXL可以位于第三绝缘层ILD3上。开口OB可以限定在像素限定层PXL中以暴露阳电极AE的至少一部分。阳电极AE可以跨越与发光区域PXA对应的区域或者位于与发光区域PXA对应的区域上，来自有机发光器件OLED的光通过发光区域PXA发射。在一些实施例中，开口OB可以限定在与发光区域PXA对应的区域中。
空穴传输区HCL可以位于阳电极AE上以覆盖阳电极AE和像素限定层PXL。空穴传输区HCL可以包括从空穴注入层、空穴传输层和具有空穴注入功能和空穴传输功能两者的单层中选择的至少一种。
发射图案EML可以位于空穴传输区HCL上。发射图案EML可以由从荧光材料、磷光材料和量子点中选择的至少一种形成或者包括从荧光材料、磷光材料和量子点中选择的至少一种。发射图案EML可以产生单色光或多色光。在一些实施例中，当在平面图中观看时，发光区域PXA可以与发射图案EML叠置。
电子传输区ECL可以位于发射图案EML上以覆盖发射图案EML和空穴传输区HCL。电子传输区ECL可以包括从电子传输材料和电子注入材料中选择的至少一种或者由从电子传输材料和电子注入材料中选择的至少一种形成。电子传输区ECL可以是包含电子传输材料的电子传输层或者包含电子传输材料和电子注入材料的单个(例如，组合的)电子注入/传输层。
阴电极CE可以位于电子传输区ECL上，并且可以面对阳电极AE。阴电极CE可以包括具有小逸出功的材料或者由具有小逸出功的材料形成，因此可以用于容易注入电子。
根据显示面板DP的发光方法，可以适当地改变包括在阴电极CE和阳电极AE中或者用于形成阴电极CE和阳电极AE的材料。例如，在显示面板DP是顶部发射显示面板的情况下，阴电极CE可以是透明电极，阳电极AE可以是反射电极。可选地，在显示面板DP是底部发射显示面板的情况下，阴电极CE可以是反射电极，阳电极AE可以是透明电极。不具体限制显示面板DP中的有机发光器件的结构，并且可以对有机发光器件的结构进行各种改变。
薄膜封装层TFE可以位于阴电极CE上。薄膜封装层TFE可以充分地覆盖阴电极CE，并且可以气密地密封有机发光器件OLED。薄膜封装层TFE可以保护有机发光器件OLED免受湿气或任何其他污染材料的影响。薄膜封装层TFE可以通过沉积工艺形成。
薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机层和/或至少一个有机层。无机层可以包括从例如氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆和氧化锌中选择的至少一种或者由从例如氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆和氧化锌中选择的至少一种形成。
有机层可以包括从例如环氧树脂、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)和聚丙烯酸酯中选择的至少一种或者由从例如环氧树脂、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)和聚丙烯酸酯中选择的至少一种形成。在一些实施例中，薄膜封装层TFE可以包括彼此间隔开的多个无机层，并且一个或更多个有机层置于其间，在这种情况下，有机层可以被至少一个无机层覆盖。
图2C是示出其中显示面板DP和驱动电路COF彼此结合的区域的放大剖视图。
在本实施例中，像素垫部PDL1可以形成在显示面板DP的绝缘层ILD1、ILD2和ILD3中的一个上，以与暴露垫PD1的开口OPL对应。例如，绝缘层ILD1、ILD2和ILD3可以覆盖除像素垫部PDL1之外的区域中的信号线SGL。也就是说，绝缘层可以使信号线SGL与外部电断开(例如，可以使信号线SGL与外部绝缘)，而包括垫PD1的像素垫部PDL1可以通过绝缘层暴露(例如，包括垫PD1的像素垫部PDL1可以在未被绝缘层覆盖的区域中被暴露)，并且可以结合到外部装置。
垫PD1可以位于基体层BF上，并且可以通过限定在第一绝缘层ILD1中的开口OPL暴露于外部。暴露的垫PD1可以结合到驱动垫PD2。垫PD1可以与信号线SGL中的至少一条设置在同一层上并且/或者可以与信号线SGL中的至少一条位于同一水平(平面)处。此外，垫PD1可以与薄膜晶体管TR中的多个电极中的至少一个电极设置在同一水平处。
然而，本公开的实施例不限于该示例或特定实施例。例如，垫PD1可以位于第一绝缘层ILD1上，并且可以通过穿透第二绝缘层ILD2的开口暴露。可选地，垫PD1可以位于第二绝缘层ILD2上，并且可以通过穿透第三绝缘层ILD3的开口暴露。
本实施例是其中垫PD1和信号线SGL连接以构成单个对象(例如，共面)的示例，但是本公开的实施例不限于该示例。例如，垫PD1可以堆叠在信号线SGL上。
在一些实施例中，各向异性导电膜(ACF)AF可以用于垫PD1与驱动垫PD2之间的结合。各向异性导电膜AF可以包括粘合树脂AR和分散在粘合树脂AR中的多个导电球CB。各向异性导电膜AF可以位于垫PD1与驱动垫PD2之间，并且可以通过对各向异性导电膜AF执行的热压工艺来将垫PD1和驱动垫PD2彼此结合。
粘合构件BL可以位于显示面板DP与保护构件PTL之间，并且显示面板DP和保护构件PTL可以通过粘合构件BL彼此结合。在一些实施例中，粘合构件BL可以包括粘合剂BS和抗静电剂AS。
粘合剂BS可以是例如压敏粘合剂(PSA)、光学透明粘合剂(OCA)或光学透明树脂(OCR)。另外，粘合剂BS可以包括光固化粘合材料和热固化粘合材料中的至少一种，但是本公开的实施例不限于粘合剂BS的材料。
抗静电剂AS可以包括导电聚合物ECP和表面活性剂SCF。导电聚合物ECP和表面活性剂SCF可以分散在粘合剂BS中，并且均可以作为化合物提供。
导电聚合物ECP可以包括具有抗静电功能的材料。例如，导电聚合物ECP可以包括从聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩中选择的至少一种。
表面活性剂SCF可以包括从阴离子表面活性剂(例如，烷基磺酸酯和/或烷基芳基磺酸)、阳离子表面活性剂(例如铵和/或咪唑烷酮)、两性表面活性剂(例如，烷基甜菜碱、烷基咪唑烷酮和/或烷基丙氨酸)和非离子材料(例如，脱水山梨糖醇脂肪酸酯和/或脂肪酸甘油酯)中选择的至少一种，但是本公开的实施例不限于此。
在一些实施例中，导电聚合物ECP可以包括硫离子。抗静电剂AS(具体地，表面活性剂SCF)可以包括从硫离子和卤素离子中选择的至少一种。卤素离子可以包括从例如氟(F)离子、氯(Cl)离子、溴(Br)离子和碘(I)离子中选择的至少一种。硫离子和卤素离子可以均以相对于粘合剂的总重量的特定范围内的含量(量或浓度)被包括。这将在下面更详细地描述。
在一些实施例中，当具有抗静电功能的粘合构件BL位于显示面板DP与保护构件PTL之间时，可以能够防止或减少显示面板DP的可能由显示面板DP与保护构件PTL之间的静电效应(例如，放电)而导致的污点缺陷。因此，可以能够提供具有改善的可靠性的显示装置EA。
保护构件PTL可以位于显示面板DP下方。保护构件PTL可以包括一个或更多个功能层以辅助显示面板DP的操作。例如，保护构件PTL可以包括从支撑层、冲击吸收层、散热层和阻光层中选择的至少一种。
支撑层可以支撑显示面板DP。支撑层可以包括至少一种热塑性树脂或者由至少一种热塑性树脂形成。例如，支撑层可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成，聚对苯二甲酸乙二醇酯在疲劳强度、电特性和耐热性方面是优异的，并且不易受温度和湿度的影响。
冲击吸收层可以包括合成树脂泡沫或者由合成树脂泡沫形成。冲击吸收层可以以具有多个孔的基质层的形式来提供。冲击吸收层可以由于多个孔而具有多孔结构，因此，施加在显示装置EA上的外部冲击可以容易地被冲击吸收层吸收。
阻光层可以防止或限制用户通过窗构件WM观看到显示面板DP的底表面上的元件。例如，阻光层可以防止或减少光从显示面板DP的底表面传播到外部。
树脂构件RS可以位于驱动电路COF下方。树脂构件RS可以覆盖驱动电路COF的底表面COF-B的至少一部分。如图2C中所示，每条驱动线COL可以包括从显示面板DP的侧表面突出并暴露于驱动电路COF的外部的至少一部分。树脂构件RS可以覆盖驱动线COL的暴露部分。
树脂构件RS可以与相邻于驱动电路COF的粘合构件BL接触。因此，树脂构件RS可以用作使粘合构件BL中的离子结合到驱动线COL的离子路径。树脂构件RS可以包括光固化材料和热固化材料中的至少一种或者由光固化材料和热固化材料中的至少一种形成。在一些实施例中，树脂构件RS可以包括离子Ion。离子Ion可以与抗静电剂AS中的离子相同。这将在下面更详细地描述。
由于显示装置EA包括树脂构件RS，因此可以能够防止或减少外部氧和/或湿气进入显示面板DP。另外，可以能够增大显示面板DP与驱动电路COF之间的结合强度。
壳构件HM可以容纳或支持显示面板DP。壳构件HM可以与窗构件WM结合以限定(例如，围绕或包住)显示装置EA的外观。壳构件HM可以吸收从外部施加的冲击并且/或者可以防止或减少污染材料和/或湿气渗透显示装置EA，因此，可以保护壳构件HM中的内部元件免受污染材料和/或湿气的影响。在一些实施例中，壳构件HM可以包括彼此结合的多个容器构件。
图3A至图3C是示出根据本公开的实施例的显示装置的一部分的剖视图。图4A至图4C是示出根据对比实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图3A至图3C示出了热压工艺的顺序步骤，对各向异性导电膜AF执行热压工艺以将垫PD1结合到驱动垫PD2。
可以通过限定在第一绝缘层ILD1中的开口OPL暴露垫PD1，并且可以在驱动电路COF的底表面COF-B上暴露驱动垫PD2。可以在暴露的垫PD1与暴露的驱动垫PD2之间设置各向异性导电膜AF。接下来，可以通过热压工艺将垫PD1和驱动垫PD2彼此物理地结合。在图3A至图3C中，驱动垫PD2与驱动线COL之间的连接部分由虚线描绘。
当对各向异性导电膜AF执行热压工艺HP时，可以对粘合构件BL施加压力。由于树脂构件RS与相邻于驱动电路COF的粘合构件BL接触，因此包含在抗静电剂AS中的一些离子可以迁移到树脂构件RS中。结果，如图3C中所示，来自粘合构件BL的一些离子Ion可以迁移到树脂构件RS中。
在一些实施例中，导电聚合物ECP可以包括硫离子。抗静电剂AS可以包括从硫离子和卤素离子中选择的至少一种。例如，卤素离子可以包括从氟(F)离子、氯(Cl)离子、溴(Br)离子和碘(I)离子中选择的至少一种。
在一些实施例中，卤素离子相对于粘合剂BS的总重量的含量可以为约1ppm(mg/kg)至约1000ppm。另外，硫离子相对于粘合剂BS的总重量的含量可以为约100ppm至约500ppm。
在卤素离子相对于粘合剂BS的总重量的含量小于约1ppm的情况下，抗静电剂AS不会提供足够的抗静电功能。也就是说，会在基体层BF与保护构件PTL之间发生静电效应(例如，放电)。在这种情况下，用户会识别到显示面板DP(例如，见图1)的污点。也就是说，会发生污点缺陷。类似地，在硫离子相对于粘合剂BS的总重量的含量小于约100ppm的情况下，会由静电导致污点缺陷。
在卤素离子相对于粘合剂BS的总重量的含量大于约1000ppm的情况下，抗静电剂AS中的一些离子会在对各向异性导电膜AF的热压工艺HP期间迁移到树脂构件RS中。类似地，在硫离子相对于粘合剂BS的总重量的含量大于约500ppm的情况下，抗静电剂AS中的一些离子会迁移到树脂构件RS中。
迁移到树脂构件RS中的离子Ion会与驱动垫PD2和驱动线COL中的至少一个接触。这将参照图4A至图4C中的对比实施例进行描述。在图4A至图4C的描述中，将使用相同或相似的附图标记来标识与图3A至图3C中的元件相同或基本相似的元件，而不重复其重叠的描述。
在图4A至图4C的对比实施例中，粘合构件BL-A中的抗静电剂AS-A可以包含卤素离子。抗静电剂AS-A可以包括表面活性剂SCF-A和导电聚合物ECP-A。抗静电剂AS-A中的卤素离子相对于粘合剂BS-A的总重量的含量可以大于约1000ppm。
在这种情况下，在对各向异性导电膜AF的热压工艺HP(图4B)期间，抗静电剂AS-A中的一些离子Ion会迁移到树脂构件RS中，并且树脂构件RS中的迁移的离子Ion会与驱动垫PD2和驱动线COL中的至少一个接触(图4C)。在这种情况下，因为驱动垫PD2和驱动线COL由含金属材料形成，所以驱动垫PD2和/或驱动线COL会被迁移的离子Ion腐蚀。
图5是示出根据本公开的实施例的驱动电路的剖面的图像。图6A是示出根据对比实施例的驱动电路的剖面的图像。图6B是示出根据对比实施例的驱动电路的剖面的图像。图6C是示出图6B的部分TT'的放大形状的图像。
图5示出了根据本公开的实施例的驱动线COL的竖直剖面。在图5的实施例中，由于包含在抗静电剂AS中的卤素离子相对于粘合剂BS的总重量的含量被限制在约1ppm(mg/kg)至约1000ppm的范围内，因此可以防止或限制包含在抗静电剂AS中的卤素离子与驱动线COL接触。因此，可以能够防止驱动线COL被包含在粘合构件BL(例如，见图3C)中的离子腐蚀。
同时，在图6A的对比实施例中，在包含在抗静电剂AS-A中的卤素离子相对于粘合剂BS-A的总重量的含量大于约1000ppm的情况下，驱动线COL-1会与包含在抗静电剂AS-A中的卤素离子接触，并且会被腐蚀。如图6B和图6C中所示，在驱动线COL-1被腐蚀的情况下，会在像素PX与驱动芯片D-IC(例如，见图2A)之间发生电断开并且/或者会在相邻的驱动线COL-1之间形成短路缺陷。
图7A至图7D是示出根据对比实施例和示例实施例的驱动电路的剖面的图像。图7A至图7D示出了如何根据包含在抗静电剂中的离子相对于粘合剂的含量来腐蚀驱动线。
图7A示出了当包含在抗静电剂AS-A(例如，见图4C)中的离子相对于粘合剂BS-A(例如，见图4C)的总重量的含量大于约2500ppm时获得的驱动线COL-A的腐蚀状态。图7B示出了当包含在抗静电剂AS-A中的离子相对于粘合剂BS-A的总重量的含量大于约1000ppm且小于约2500ppm时获得的驱动线COL-B的腐蚀状态。图7C示出了驱动线COL-C的腐蚀状态，该腐蚀状态是当包含在抗静电剂AS中的离子相对于粘合剂BS(例如，见图3C)的总重量的含量大于约100ppm且小于约1000ppm时获得的。例如，图7C的实施例可以是本公开的实施例。图7D示出了当包含在抗静电剂AS-A中的离子相对于粘合剂BS-A(例如，见图4C)的总重量的含量小于约100ppm时获得的驱动线COL-D的腐蚀状态。
[表1]
第一条件 第二条件 第三条件
第一离子 <100ppm 100ppm-1000ppm >1000ppm
第二离子 <1ppm 1ppm-100ppm >100ppm
第三离子 <100ppm 100ppm-500ppm >500ppm
[表2]
第一条件 第二条件 第三条件
表面电阻值 ≥1.0×10^13Ω 2.0×10^12Ω-5.0×10^12Ω 1.0×10^10Ω-1.0×10^12Ω
表1示出了第一离子、第二离子和第三离子的根据抗静电剂AS相对于粘合剂BS(例如，见图2C)的三个条件而多样化的含量。这里，第一离子、第二离子和第三离子分别是氟离子、氯离子和硫离子。
表2示出了在表1的第一条件至第三条件下从保护构件PTL与显示面板DP(例如，见图2C)之间的界面测量的表面电阻值。
可以提供根据本公开的实施例的抗静电剂AS以满足氟离子、氯离子和硫离子的第二条件。
参照表2，这意味着根据本公开的实施例的保护构件PTL和显示面板DP在它们之间的界面中具有范围为2.0×10^12Ω至5.0×10^12Ω的表面电阻值。
在表面电阻值大于1.0×10^13Ω的情况下，即使驱动线COL完好无损，显示面板DP也会遭受由保护构件PTL与显示面板DP之间的静电效应(放电)导致的污点缺陷，见例如，图7D。
当表面电阻值减小时，可以能够更有效地减小保护构件PTL与显示面板DP之间的残留放电效应，从而更有效地防止由静电导致的污点缺陷。在表面电阻值大于1.0×10^13Ω的情况下，抗静电剂AS不会具有抗静电功能，因此，在显示面板DP中会发生污点缺陷。
如表2中所示，当准备第一离子至第三离子以满足第三条件时，保护构件PTL和显示面板DP具有最低的表面电阻值(即，1.0×10^10Ω至1.0×10^12Ω)。然而，第三条件因为硫离子或卤素离子而在驱动线中引起腐蚀，见例如，图7A至图7B。
在第二条件中，即使当卤素离子相对于粘合剂BS的总重量的含量被限制在约1ppm(mg/kg)至约1000ppm的范围内，并且硫离子相对于粘合剂BS的总重量的含量被限制在约100ppm至约500ppm的范围内，表面电阻值也在允许足够的抗静电功能的2.0×10^12Ω至5.0×10^12Ω的范围内。也就是说，在本公开的实施例中，可以能够防止或减少由静电发生的污点缺陷。
此外，如图2C和图5中所示，在离子的含量被限制在上述范围内的情况下，可以能够防止包含在抗静电剂AS中的硫离子或卤素离子与驱动线COL接触，从而防止驱动线COL被腐蚀。也就是说，在离子的含量被限制在上述范围内的情况下，可以能够改善显示装置EA的可靠性(例如，见图1和图7C)。
根据本公开的一些实施例，当包含在抗静电剂中的卤素离子或硫离子在相对于粘合剂的总重量的特定含量范围内提供时，可以能够实现具有改善的抗腐蚀性能的粘合构件以及包括该粘合构件的显示装置。
如这里使用的，可以认为术语“使用”及其变型分别与术语“利用”及其变型同义。此外，当描述本公开的实施例时，“可以(可)”的使用是指“本公开的一个或更多个实施例”。
如这里使用的，术语“基本”、“大约”和类似的术语被用作近似的术语而不是程度术语，并且意图说明本领域普通技术人员将认可的测量值或计算值中的固有偏差。
此外，这里陈述的任意数值范围意图包括包含在陈述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任意最大数值界限意图包括其中包含的所有较小数值界限，本说明书中陈述的任意最小数值界限意图包括其中包含的所有较大数值界限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述包括在这里明确陈述的范围内的任意子范围。
虽然已经具体示出并描述了本公开的示例实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离所附权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的变化。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括多个像素以显示图像；
保护构件，用于保护所述显示面板；以及
粘合构件，位于所述显示面板与所述保护构件之间以将所述显示面板结合到所述保护构件，所述粘合构件包括粘合剂和分散在所述粘合剂中的抗静电剂，所述抗静电剂包括卤素离子，
其中，所述卤素离子相对于所述粘合剂的总重量的含量的范围为1ppm至1000ppm。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述抗静电剂包括导电聚合物和表面活性剂，并且
所述卤素离子包含在所述表面活性剂中。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，从所述导电聚合物和所述表面活性剂中选择的至少一者还包括硫离子，并且
所述硫离子相对于所述粘合剂的所述总重量的含量的范围为100ppm至500ppm。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述卤素离子包括氟离子，并且
所述氟离子相对于所述粘合剂的所述总重量的含量的范围为100ppm至1000ppm。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述卤素离子包括氯离子，并且
所述氯离子相对于所述粘合剂的所述总重量的含量的范围为1ppm至100ppm。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述粘合剂包括从光学透明粘合剂、压敏粘合剂和光学透明树脂中选择的至少一种。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述保护构件包括从支撑层、冲击吸收层和阻光层中选择的至少一种。
8.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括显示区域和非显示区域，所述显示区域包括多个像素以显示图像，所述非显示区域与所述显示区域相邻并包括多个垫，所述多个垫中的每个连接到所述多个像素中的对应的像素；
驱动电路，包括结合到所述多个垫的驱动垫和连接到所述驱动垫的驱动线；
保护构件，用于保护所述显示面板；
粘合构件，位于所述显示面板与所述保护构件之间，所述粘合构件包括用于将所述显示面板连接到所述保护构件的粘合剂以及包括从硫离子和卤素离子中选择的至少一种的抗静电剂；以及
树脂构件，覆盖所述驱动电路的底表面的至少一部分，
其中，所述卤素离子相对于所述粘合剂的总重量的含量的范围为1ppm至1000ppm。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述卤素离子包括氟离子，并且
所述氟离子相对于所述粘合剂的所述总重量的含量的范围为100ppm至1000ppm。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述卤素离子包括氯离子，并且
所述氯离子相对于所述粘合剂的所述总重量的含量的范围为1ppm至100ppm。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述抗静电剂包括导电聚合物和表面活性剂，
所述硫离子包含在从所述导电聚合物和所述表面活性剂中选择的至少一者中，并且
所述卤素离子包含在所述表面活性剂中。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述硫离子相对于所述粘合剂的所述总重量的含量的范围为100ppm至500ppm。
13.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述驱动线中的每条包括从所述显示面板的侧表面突出并暴露于所述驱动电路的外部的至少一部分，并且
所述树脂构件覆盖所述驱动线中的每条的所述暴露部分。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述树脂构件与所述粘合构件的相邻于所述驱动电路的所述底表面的侧表面接触。
15.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述多个垫和所述驱动垫通过各向异性导电膜彼此连接。
16.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述驱动电路包括柔性电路基板和驱动芯片，所述驱动垫和所述驱动线位于所述柔性电路基板上，所述驱动芯片安装在所述柔性电路基板上，并且
所述驱动线连接到所述驱动芯片。
17.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个像素包括包含多个电极的薄膜晶体管和连接到所述薄膜晶体管的有机发光器件，并且
所述多个垫与所述多个电极中的至少一个电极设置在同一水平处。
18.一种粘合构件，所述粘合构件包括：
粘合剂；以及
抗静电剂，分散在所述粘合剂中，所述抗静电剂包括包含硫离子的导电聚合物以及包含硫离子和氟离子的表面活性剂，
其中，所述氟离子相对于所述粘合剂的总重量的含量的范围为100ppm至1000ppm，并且
所述硫离子相对于所述粘合剂的所述总重量的含量的范围为100ppm至500ppm。
19.根据权利要求18所述的粘合构件，其中，所述抗静电剂还包括氯离子，
其中，所述氯离子相对于所述粘合剂的所述总重量的含量的范围为1ppm至100ppm。
20.根据权利要求18所述的粘合构件，其中，所述粘合剂包括从光学透明粘合剂、压敏粘合剂和光学透明树脂中选择的至少一种。
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