CN111003948B - 一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法 - Google Patents
一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111003948B CN111003948B CN201911249561.4A CN201911249561A CN111003948B CN 111003948 B CN111003948 B CN 111003948B CN 201911249561 A CN201911249561 A CN 201911249561A CN 111003948 B CN111003948 B CN 111003948B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solution
- bismuth
- film
- electrode
- photoelectrochemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 21
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 29
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- LFKXWKGYHQXRQA-FDGPNNRMSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iron Chemical compound [Fe].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O LFKXWKGYHQXRQA-FDGPNNRMSA-N 0.000 claims abstract description 9
- FSJSYDFBTIVUFD-SUKNRPLKSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;oxovanadium Chemical compound [V]=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O FSJSYDFBTIVUFD-SUKNRPLKSA-N 0.000 claims abstract description 9
- FBXVOTBTGXARNA-UHFFFAOYSA-N bismuth;trinitrate;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Bi+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FBXVOTBTGXARNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- -1 salt ions Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 56
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 32
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 19
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 claims description 16
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 11
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 8
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002902 BiFeO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002915 BiVO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- STZCRXQWRGQSJD-GEEYTBSJSA-M methyl orange Chemical compound [Na+].C1=CC(N(C)C)=CC=C1\N=N\C1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 STZCRXQWRGQSJD-GEEYTBSJSA-M 0.000 description 1
- 229940012189 methyl orange Drugs 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/006—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/25—Oxides by deposition from the liquid phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D9/00—Electrolytic coating other than with metals
- C25D9/04—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
- Y02P20/133—Renewable energy sources, e.g. sunlight
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
本发明公开了一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法。其步骤为:1)FTO预处理;2)将五水合硝酸铋与碘化钾溶解于水中,并加入金属盐离子,硝酸调节PH值;3)将对苯醌溶解于乙醇中;4)将二者混合后,电化学沉积得到薄膜电极;5)将溶解有乙酰丙酮亚铁、乙酰丙酮氧钒的二甲基亚砜滴于4)中所得薄膜电极,在管式炉内进行高温热处理,得到双铁电体掺杂铁酸铋钒酸铋薄膜。本发明一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法,制备方法简单易实现,对底电极的大小和形状具有比较低的要求,薄膜质量均匀,比表面积大,化学计量比精确,光催化性能优异,光解水效率高,易于进行掺杂改性研究。
Description
技术领域
本发明涉及一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法。
背景技术
随着社会经济的快速发展,能源短缺和环境污染是当前人类社会面临的两大棘手问题,直接利用太阳能解决全球性的能源和污染问题越来越受到人类的重视。光电化学(PEC)水分解在太阳光照射下产生氢气和氧气,由于其理论转换效率高、成本低,被认为是解决能源和环境危机最有前途的策略之一。在现有的半导体中,铁电材料BiVO4吸引了大量的关注,禁带宽度为2.4eV的BiVO4由于其良好的光电化学性能被认为是极具发展前景的PEC光阳极材料之一。然而,目前获得的BiVO4光阳极的实际光电流密度远远低于理论值,这主要是由于BiVO4光阳极的电子空穴复合造成的,因此对其进行改性显得十分重要。例如异质结的形成,负载助催化剂。BiFeO3是一种铁电材料,具有铁电自极化场,居里温度高(Tc=1100K),是一种极好的光电化学电池的活性材料。考虑到两种材料的独特性能,可以通过体掺杂的方法将BiVO4和BiFeO3结合在一起,构建复合材料基的光阳极,产生协同效应,显著提高PEC的性能,同时限制光腐蚀,使其具有良好的稳定性。
本发明一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法,制备方法简单易实现,对底电极的大小和形状具有比较低的要求,薄膜质量均匀,比表面积大,化学计量比精确,光催化性能优异,光解水效率高,易于进行掺杂改性研究。
发明内容
本发明的目的是提供一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法。
它的步骤为:
1)清洗导电玻璃FTO(2cm*2cm),依次采用去离子水、丙酮超声清洗10-50min,然后采用体积比1:1:1(去离子水、丙酮、异丙醇)的混合溶液超声清洗10-60min;
2)将0.01-1M五水合硝酸铋与0.1-1M碘化钾溶解于50ml去离子水中,并加入金属盐离子,然后加入硝酸调节PH到1.0-4.0,均匀搅拌得到溶液A;
3)将0.1-1M对苯醌溶解于20ml乙醇中,搅拌5-50分钟得到溶液B;
4)将溶液A与溶液B混合作为电沉积液,在CHI760E电化学工作站下采用三电极法电沉积,FTO作为工作电极、Ag/AgCl作为参比电极、铂丝作为对电极。在-1V至0.5V vs(Ag/AgCl)的恒电势下沉积1-60min,去离子水清洗得到薄膜电极;
5)将0.1-1M乙酰丙酮亚铁与0.1-1M乙酰丙酮氧钒溶解于5ml二甲基亚砜中,均匀搅拌得到溶液C,将0.1-0.5ml溶液C滴加在上述所得薄膜电极上,在管式炉内进行热处理,400-700℃保温1-5h。
所述的金属盐离子为硝酸盐、硫酸盐、氯化物盐中的一种,金属的摩尔浓度为0.001-0.3M,金属元素为Co、Pd、Se、Ag、Au、Pt、Ni、Cr、Yb、Pb、Cu、Mo、Sn、Zn元素中的一种或几种。
本发明具有以下优点:(1)本发明采用廉价易得的原料制备,制备条件简单易实现且制备周期短。(2)本发明对底电极的大小和形状要求低,薄膜质量均匀,比表面积大,化学计量比精确,光催化性能优异,光解水效率高,易于进行掺杂改性研究。
具体实施方式
本发明的具体步骤如下:
1)清洗导电玻璃FTO(2cm*2cm),依次采用去离子水、丙酮超声清洗10-50min,然后采用体积比1:1:1(去离子水、丙酮、异丙醇)的混合溶液超声清洗10-60min;
2)将0.01-1M五水合硝酸铋与0.1-1M碘化钾溶解于50ml去离子水中,并加入金属盐离子,然后加入硝酸调节PH到1.0-4.0,均匀搅拌得到溶液A;
3)将0.1-1M对苯醌溶解于20ml乙醇中,搅拌5-50分钟得到溶液B;
4)将溶液A与溶液B混合作为电沉积液,在CHI760E电化学工作站下采用三电极法电沉积,FTO作为工作电极、Ag/AgCl作为参比电极、铂丝作为对电极。在-1V至0.5V vs(Ag/AgCl)的恒电势下沉积1-60min,去离子水清洗得到薄膜电极;
5)将0.1-1M乙酰丙酮亚铁与0.1-1M乙酰丙酮氧钒溶解于5ml二甲基亚砜中,均匀搅拌得到溶液C,将0.1-0.5ml溶液C滴加在上述所得薄膜电极上,在管式炉内进行热处理,400-700℃保温1-5h。
所述的金属盐离子为硝酸盐、硫酸盐、氯化物盐中的一种,金属的摩尔浓度为0.001-0.3M,金属元素为Co、Pd、Se、Ag、Au、Pt、Ni、Cr、Yb、Pb、Cu、Mo、Sn、Zn元素中的一种或几种。
实施案例1
1)清洗导电玻璃FTO(2cm*2cm),依次采用洗洁精与水、去离子水、丙酮超声清洗10min,然后采用体积比1:1:1(去离子水、丙酮、异丙醇)的混合溶液超声清洗60min;
2)将0.04M五水合硝酸铋与0.4M碘化钾溶解于50ml去离子水中,并加入0.01M的金属硝酸盐离子Co2+,然后加入硝酸调节PH到2,均匀搅拌得到溶液A;
3)将0.23M对苯醌溶解于20ml乙醇中,搅拌10分钟得到溶液B;
4)将溶液A与溶液B混合作为电沉积液,采用三电极法电沉积,FTO作为工作电极、Ag/AgCl作为参比电极、铂丝作为对电极。在-0.1V vs(Ag/AgCl)的恒电势下沉积5min,去离子水清洗得到薄膜电极;
5)将0.02M乙酰丙酮亚铁与0.18M乙酰丙酮氧钒(溶解于5ml二甲基亚砜中,均匀搅拌得到溶液C,将0.1ml溶液C滴加在上述所得薄膜电极上,在管式炉内进行热处理,500℃保温2h,升温速率2℃/min,得到质量均匀稳定的双铁电体掺杂薄膜。
实施案例2
1)清洗导电玻璃FTO(2cm*2cm),依次采用洗洁精与水、去离子水、丙酮超声清洗20min,然后采用体积比1:1:1(去离子水、丙酮、异丙醇)的混合溶液超声清洗40min;
2)将0.2M五水合硝酸铋与0.4M碘化钾溶解于50ml去离子水中,并加入0.005M的金属氯化铅离子Pd2+,然后加入硝酸调节PH到2,均匀搅拌得到溶液A;
3)将0.5M对苯醌溶解于20ml乙醇中,搅拌30分钟得到溶液B;
4)将溶液A与溶液B混合作为电沉积液,采用三电极法电沉积,FTO作为工作电极、Ag/AgCl作为参比电极、铂丝作为对电极。在-0.4V vs(Ag/AgCl)的恒电势下沉积5min,去离子水清洗得到薄膜电极;
5)将0.04M乙酰丙酮亚铁与0.16M乙酰丙酮氧钒(溶解于5ml二甲基亚砜中,均匀搅拌得到溶液C,将0.1ml溶液C滴加在上述所得薄膜电极上,在管式炉内进行热处理,550℃保温2h,升温速率2℃/min,得到质量均匀稳定的双铁电体掺杂薄膜,该薄膜光催化性能好,污染物甲基橙降解率可以达到89%每小时每平方厘米。。
实施案例3
1)清洗导电玻璃FTO(2cm*2cm),依次采用洗洁精与水、去离子水、丙酮超声清洗10min,然后采用体积比1:1:1(去离子水、丙酮、异丙醇)的混合溶液超声清洗60min;
2)将0.1M五水合硝酸铋与0.2M碘化钾溶解于50ml去离子水中,并加入0.005M的Ag+,0.001M的Pt4+,然后加入硝酸调节PH到3,均匀搅拌得到溶液A;
3)将0.1M对苯醌溶解于20ml乙醇中,搅拌10分钟得到溶液B;
4)将溶液A与溶液B混合作为电沉积液,采用三电极法电沉积,FTO作为工作电极、Ag/AgCl作为参比电极、铂丝作为对电极。在0.2V vs(Ag/AgCl)的恒电势下沉积5min,去离子水清洗得到薄膜电极;
5)将0.1M乙酰丙酮亚铁与0.1M乙酰丙酮氧钒(溶解于5ml二甲基亚砜中,均匀搅拌得到溶液C,将0.1ml溶液C滴加在上述所得薄膜电极上,在管式炉内进行热处理,600℃保温1h,升温速率2℃/min,得到质量均匀稳定的双铁电体掺杂薄膜,在标准太阳光照射下,该薄膜光电流可以达到1.34mA/cm2。。
实施案例4
1)清洗导电玻璃FTO(2cm*2cm),依次采用洗洁精与水、去离子水、丙酮超声清洗10min,然后采用体积比1:1:1(去离子水、丙酮、异丙醇)的混合溶液超声清洗60min;
2)将0.05M五水合硝酸铋与0.1M碘化钾溶解于50ml去离子水中,并加入0.01M的金属硝酸盐离子Zn2+然后加入硝酸调节PH到1,均匀搅拌得到溶液A;
3)将0.4M对苯醌溶解于20ml乙醇中,搅拌30分钟得到溶液B;
4)将溶液A与溶液B混合作为电沉积液,采用三电极法电沉积,FTO作为工作电极、Ag/AgCl作为参比电极、铂丝作为对电极。在-0.6V vs(Ag/AgCl)的恒电势下沉积5min,去离子水清洗得到薄膜电极;
5)将0.16M乙酰丙酮亚铁与0.04M乙酰丙酮氧钒(溶解于5ml二甲基亚砜中,均匀搅拌得到溶液C,将0.1ml溶液C滴加在上述所得薄膜电极上,在管式炉内进行热处理,500℃保温2h,升温速率2℃/min,得到双铁电体掺杂薄膜,在标准太阳光照射下,该薄膜光电流可以达到1.61mA/cm2。
实施案例5
1)清洗导电玻璃FTO(2cm*2cm),依次采用洗洁精与水、去离子水、丙酮超声清洗10min,然后采用体积比1:1:1(去离子水、丙酮、异丙醇)的混合溶液超声清洗60min;
2)将0.2M硝酸铋与0.1M碘化钾溶解于50ml去离子水中,并加入0.005M的金属硝酸盐离子0.01M的Cu2+,0.01M的Sn4+,然后加入硝酸调节PH到1.7,均匀搅拌得到溶液A;
3)将0.3M对苯醌溶解于20ml乙醇中,搅拌30分钟得到溶液B;
4)将溶液A与溶液B混合作为电沉积液,三电极法电沉积,FTO作为工作电极、Ag/AgCl作为参比电极、铂丝作为对电极。在-0.1V vs(Ag/AgCl)的恒电势下沉积10min,去离子水清洗得到薄膜电极;
5)将0.19M乙酰丙酮亚铁与0.01M乙酰丙酮氧钒(溶解于5ml二甲基亚砜中,均匀搅拌得到溶液C,将0.1ml溶液C滴加在上述所得薄膜电极上,在管式炉内进行热处理,450℃保温2h,升温速率2℃/min,得到质量均匀稳定的双铁电体掺杂薄膜。
Claims (5)
1.一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法,其特征在于它的步骤为:
1)FTO清洗预处理;
2)将五水合硝酸铋与碘化钾溶解于去离子水中,并加入金属盐离子,然后加入硝酸调节pH值为1.0-4.0,均匀搅拌得到溶液A,所述的金属盐离子为硝酸盐、硫酸盐、氯化物盐中的一种,金属的摩尔浓度为0.001-0.3M,金属元素为Co、Pd、Se、Ag、Au、Pt、Ni、Cr、Yb、Pb、Cu、Mo、Sn、Zn元素中的一种或几种;
3)将对苯醌溶解于乙醇中,对苯醌的摩尔浓度为0.1-1M,搅拌5-50分钟得到溶液B;
4)将溶液A与溶液B混合作为电沉积液,采用三电极法电沉积,经去离子水清洗得到沉积层;
5)将乙酰丙酮亚铁、乙酰丙酮氧钒溶解于二甲基亚砜中,乙酰丙酮亚铁的浓度为0.1-1M,乙酰丙酮氧钒的浓度为0.1-1M,均匀搅拌得到溶液C,将0.1-0.5ml溶液C滴加在上述沉积层上,然后在管式炉内进行400-700℃热处理1-5h。
2.根据权利要求1所述的一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法,其特征在于步骤1)中,所述的清洗预处理是依次采用去离子水、丙酮超声清洗10-50min,然后采用体积比1:1:1的去离子水、丙酮、异丙醇的混合溶液超声清洗10-60min。
3.根据权利要求1所述的一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法,其特征在于步骤2)中,所述的五水合硝酸铋的摩尔浓度为0.01-1M,碘化钾的摩尔浓度为0.1-1M。
4.根据权利要求1所述的一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法,其特征在于步骤4)中,所述的三电极法电沉积,采用FTO作为工作电极、Ag/AgCl作为参比电极、铂丝作为对电极,工作电极在-1V至0.5V vs(Ag/AgCl)的恒电势下电沉积1-60min。
5.根据权利要求1所述的一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法,其特征在于所述的薄膜均匀且可获得表面积范围在1-100cm2。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911249561.4A CN111003948B (zh) | 2019-12-09 | 2019-12-09 | 一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911249561.4A CN111003948B (zh) | 2019-12-09 | 2019-12-09 | 一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111003948A CN111003948A (zh) | 2020-04-14 |
CN111003948B true CN111003948B (zh) | 2022-06-07 |
Family
ID=70114311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911249561.4A Active CN111003948B (zh) | 2019-12-09 | 2019-12-09 | 一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111003948B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111514901B (zh) * | 2020-06-01 | 2022-02-15 | 南昌航空大学 | 一种压电/半导体异质结催化剂的制备方法 |
CN114250472A (zh) * | 2021-04-08 | 2022-03-29 | 台州学院 | 一种BiVO4/CoP薄膜电极及其制备方法和应用 |
CN114411168B (zh) * | 2022-01-24 | 2024-02-09 | 中国矿业大学 | 一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法 |
CN115410829B (zh) * | 2022-09-07 | 2023-06-23 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 一种量子点敏化的氧化物电极及其制备方法和应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103078013A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-05-01 | 上海交通大学 | 钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜太阳能电池的制备方法 |
CN105803476A (zh) * | 2016-03-15 | 2016-07-27 | 西南大学 | 铁酸铋修饰钒酸铋的光阳极和制备方法及其在光解水制氢的应用 |
CN108855193A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-11-23 | 辽宁大学 | TaN/BiVO4异质结复合材料及其制备方法和应用 |
CN109518213A (zh) * | 2017-09-18 | 2019-03-26 | 天津大学 | 一种NiB助剂改性的钒酸铋纳米多孔薄膜电极及其制备方法和应用 |
CN110068570A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-07-30 | 济南大学 | 一种具有即时可视化比色显示的电化学传感器的制备 |
-
2019
- 2019-12-09 CN CN201911249561.4A patent/CN111003948B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103078013A (zh) * | 2013-01-29 | 2013-05-01 | 上海交通大学 | 钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜太阳能电池的制备方法 |
CN105803476A (zh) * | 2016-03-15 | 2016-07-27 | 西南大学 | 铁酸铋修饰钒酸铋的光阳极和制备方法及其在光解水制氢的应用 |
CN109518213A (zh) * | 2017-09-18 | 2019-03-26 | 天津大学 | 一种NiB助剂改性的钒酸铋纳米多孔薄膜电极及其制备方法和应用 |
CN108855193A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-11-23 | 辽宁大学 | TaN/BiVO4异质结复合材料及其制备方法和应用 |
CN110068570A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-07-30 | 济南大学 | 一种具有即时可视化比色显示的电化学传感器的制备 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
《BiFeO3/BiVO4 nanocomposite photocatalysts with highly enhanced photocatalytic activity for rhodamine B degradation under visible light irradiation》;Samran et al.;《Physica B: Condensed Matter》;20190225(第561期);第23–28页 * |
《Bi-functional ferroelectric BiFeO3 passivated BiVO4 photoanode for efficient and stable solar water oxidation》;Xie et al.;《Nano Energy》;20161025(第31期);第28–36页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111003948A (zh) | 2020-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111003948B (zh) | 一种双铁电铁酸铋/钒酸铋光电化学薄膜的制备方法 | |
CN109402656B (zh) | 一种磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法 | |
CN108258128A (zh) | 一种具有界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN102915851B (zh) | 一种基于硒化物的染料敏化太阳能电池对电极 | |
CN105261483B (zh) | Cu2ZnSnS4敏化TiO2光阳极及其原位制备方法和应用 | |
CN103400878B (zh) | 一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用 | |
CN105803476A (zh) | 铁酸铋修饰钒酸铋的光阳极和制备方法及其在光解水制氢的应用 | |
CN111569896A (zh) | BiVO4-Ni/Co3O4异质结的合成方法及其应用于光电解水 | |
CN102703952B (zh) | 利用离子液体在钛基上制备碳硼氮掺杂双管二氧化钛纳米管阵列的方法及其应用 | |
CN109706477B (zh) | 一种以溶剂热法生成中间体制备BiVO4薄膜的方法及其应用 | |
CN101478035A (zh) | 一种用于有机无机复合电池的电极材料及制作方法 | |
Costa et al. | All-Electrochemically Grown Sb2Se3/a-MoS x Photocathodes for Hydrogen Production: The Effect of the MoS x Layer on the Surface Recombination and Photocorrosion of Sb2Se3 Films | |
CN102874747B (zh) | 一种基于金属氧化物纳米阵列电场导向外延生长水滑石制备多级结构材料的方法 | |
CN110054224A (zh) | 一种层状三氧化钨光电极材料及其制备方法 | |
Caretti et al. | Transparency and morphology control of Cu2O photocathodes via an in situ electroconversion | |
CN107096546A (zh) | 一种氧化铁‑氧化铋‑硫化铋可见光催化薄膜及其制备方法和应用 | |
CN104241670A (zh) | 一种高氯酸体系沉积型全铅液流电池 | |
CN103594248A (zh) | 一种Bi2S3量子点敏化TiO2的太阳能电池的制备方法 | |
CN107020103A (zh) | 一种氧化铁‑硫化钼‑氧化亚铜光催化薄膜及其制备方法和应用 | |
CN103400700B (zh) | 基于二元低铂合金对电极的染料敏化太阳能电池及其制备方法和应用 | |
CN102543457A (zh) | ZnS/CdTe量子点敏化TiO2纳米薄膜的制备方法 | |
CN104726915A (zh) | 利用电化学沉积法在导电基体表面制备ZnO@Ag纳米复合阵列的方法 | |
CN103088381A (zh) | 一种锌修饰三氧化钨薄膜光电极的制备方法 | |
CN103617891B (zh) | 一种氧化铟锡纳米线阵列复合材料及其制备方法与在太阳能电池中的应用 | |
CN105887130A (zh) | 一种电连接剂制备光催化分解水颗粒膜电极的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract | ||
EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20200414 Assignee: Qingdao Pulilan Material Technology Co.,Ltd. Assignor: CHINA University OF PETROLEUM (EAST CHINA) Contract record no.: X2023980044039 Denomination of invention: A preparation method of dual ferroelectric bismuth ferrite/bismuth vanadate photoelectrochemical thin films Granted publication date: 20220607 License type: Common License Record date: 20231020 |