CN110943281A - 馈送结构、包括馈送结构的电气部件以及模块 - Google Patents

Abstract

一种用于电气部件的馈送结构包括槽缝结构，所述槽缝结构具有彼此相对的第一纵向区段和第二纵向区段以及彼此相对的第一互连区段和第二互连区段。所述第一互连区段和所述第二互连区段将所述第一纵向区段与所述第二纵向区段耦合以形成延伸穿过所述槽缝结构的开口，所述开口由所述第一纵向区段、所述第一互连区段、所述第二纵向区段和所述第二互连区段包围。第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的中间区处电连接到所述槽缝结构，并且第二馈送节点沿所述第二纵向区段电耦合到所述槽缝结构。在装置或模块中，所述第二馈送节点被配置成电连接到所述电气部件。

Description

馈送结构、包括馈送结构的电气部件以及模块

技术领域

本发明总体上涉及电气部件。更具体地说，本发明涉及一种用于晶体管的输入/输出馈送结构，其中将电力基本上均匀地馈送到晶体管的晶体管元件或从所述晶体管的所述晶体管元件基本上均匀地馈送所述电力。

背景技术

用于射频(RF)高功率装置的功率晶体管装置通常由多个构建块制成，所述多个构建块有时被称为单位晶格或单独晶体管，所述单位晶格或单独晶体管与组合作为电力输出的晶体管的输出并联驱动。尤其在较高频率下，当与单位晶格的机械尺寸和数量相比波长较小时，然后均匀地向晶体管元件馈送电力或者组合来自这种装置的晶体管元件的电力不是直截了当的。也就是说，到晶体管元件的不均匀的电力分布可能潜在地降低这种晶体管的性能和寿命。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种用于电气部件的馈送结构，包括：

槽缝结构，所述槽缝结构包括彼此相对的第一导电纵向区段和第二导电纵向区段以及彼此相对的第一导电互连区段和第二导电互连区段，所述第一互连区段和所述第二互连区段将所述第一纵向区段耦合到所述第二纵向区段以形成延伸穿过所述槽缝结构的开口，所述开口由所述第一纵向区段、所述第一互连区段、所述第二纵向区段和所述第二互连区段包围；

第一馈送节点，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的中间区处电连接到所述槽缝结构；以及

第二馈送节点，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段电耦合到所述槽缝结构，所述第二馈送节点被配置成电连接到所述电气部件。

在一个或多个实施例中，所述电气部件包括输入元件，并且所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点被配置成耦合到所述输入元件中的每一个输入元件以经由所述槽缝结构将输入信号从所述第一馈送节点提供到所述输入元件中的每一个输入元件。

在一个或多个实施例中，所述电气部件包括输出元件，并且所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点被配置成耦合到所述输出元件中的每一个输出元件以从所述输出元件中的每一个输出元件接收输出信号，以便在所述第一馈送节点处输出。

在一个或多个实施例中，所述第一纵向区段和所述第二纵向区段在所述开口的内周边处展现出第一长度，并且所述第一互连区段和所述第二互连区段在所述开口的所述内周边处展现出第二长度，所述第二长度小于所述第一长度，使得所述开口由长方形矩形形状表征。

在一个或多个实施例中，所述开口由非矩形形状表征。

在一个或多个实施例中，所述第一纵向区段由第一长度表征；并且

所述第二纵向区段由不同于所述第一长度的第二长度表征。

在一个或多个实施例中，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段的长度均匀分布。

在一个或多个实施例中，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的中心点处电连接到所述槽缝结构。

在一个或多个实施例中，所述馈送结构进一步包括多个第一馈送节点，所述多个第一馈送节点电连接到所述槽缝结构的所述第一纵向区段。

在一个或多个实施例中，所述开口由在所述第一纵向区段与所述第二纵向区段之间延伸的宽度表征，所述宽度被配置成使所述第一纵向区段与所述第二纵向区段之间能够互感，所述互感导致将电力基本上均匀地馈送到所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点或从所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点基本上均匀地馈送所述电力。

在一个或多个实施例中，所述开口是第一开口，并且所述槽缝结构进一步包括至少一个另外的开口，所述至少一个另外的开口在所述第一纵向区段与所述第二纵向区段之间延伸穿过所述槽缝结构，所述至少一个另外的开口通过所述槽缝结构的另外的区段与所述第一开口物理隔离。

在一个或多个实施例中，所述电气部件是晶体管结构。

根据本发明的第二方面，提供一种装置，包括：

具有晶体管元件的晶体管结构；以及

馈送结构，所述馈送结构包括：

槽缝结构，所述槽缝结构包括彼此相对的第一导电纵向区段和第二导电纵向区段以及彼此相对的第一导电互连区段和第二导电互连区段，所述第一互连区段和所述第二互连区段将所述第一纵向区段耦合到所述第二纵向区段以形成延伸穿过所述槽缝结构的开口，所述开口由所述第一纵向区段、所述第一互连区段、所述第二纵向区段和所述第二互连区段包围；

第一馈送节点，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的中间区处电连接到所述槽缝结构；以及

第二馈送节点，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段电耦合到所述槽缝结构，所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点耦合到所述晶体管元件中的每一个晶体管元件。

在一个或多个实施例中，所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点被配置成经由所述槽缝结构将输入信号从所述第一馈送节点提供到所述晶体管元件中的每一个晶体管元件。

在一个或多个实施例中，所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点被配置成从所述晶体管元件中的每一个晶体管元件接收输出信号以在所述第一馈送节点处输出。

在一个或多个实施例中，所述开口由在所述第一纵向区段与所述第二纵向区段之间延伸的宽度表征，所述宽度被配置成使所述第一纵向区段与所述第二纵向区段之间能够互感，所述互感导致将电力基本上均匀地馈送到所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点或从所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点基本上均匀地馈送所述电力。

在一个或多个实施例中，所述第一纵向区段和所述第二纵向区段在所述开口的内周边处展现出第一长度，并且所述第一互连区段和所述第二互连区段在所述开口的所述内周边处展现出第二长度，所述第二长度小于所述第一长度。

根据本发明的第三方面，提供一种模块，包括：

电气部件，所述电气部件具有第一元件和第二元件；

第一馈送结构，所述第一馈送结构包括：

第一槽缝结构，所述第一槽缝结构包括彼此相对的第一导电纵向区段和第二导电纵向区段以及彼此相对的第一导电互连区段和第二导电互连区段，所述第一互连区段和所述第二互连区段将所述第一纵向区段耦合到所述第二纵向区段以形成延伸穿过所述第一槽缝结构的第一开口，所述第一开口由所述第一纵向区段、所述第一互连区段、所述第二纵向区段和所述第二互连区段包围，其中所述第一纵向区段和所述第二纵向区段在所述第一开口的内周边处展现出第一长度，并且所述第一互连区段和所述第二互连区段在所述开口的所述内周边处展现出第二长度，所述第二长度小于所述第一长度；

第一馈送节点，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的第一中间区处电连接到所述第一槽缝结构；以及

第二馈送节点，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段电耦合到所述第一槽缝结构，所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点耦合到所述电气部件的所述第一元件中的每一个第一元件；以及

第二馈送结构，所述第二馈送结构包括：

第二槽缝结构，所述第二槽缝结构包括彼此相对的第三导电纵向区段和第四导电纵向区段以及彼此相对的第三导电互连区段和第四导电互连区段，所述第三互连区段和所述第四互连区段将所述第三纵向区段耦合到所述第四纵向区段以形成延伸穿过所述第二槽缝结构的第二开口，所述第二开口由所述第三纵向区段、所述第三互连区段、所述第四纵向区段和所述第四互连区段包围；

第三馈送节点，所述第三馈送节点在所述第三纵向区段的第三末端与第四末端之间的第二中间区处电连接到所述第二槽缝结构；以及

第四馈送节点，所述第四馈送节点沿所述第四纵向区段电耦合到所述第二槽缝结构，所述第四馈送节点中的每一个第四馈送节点耦合到所述电气部件的所述第二元件中的每一个第二元件。

在一个或多个实施例中，所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点被配置成经由所述第一槽缝结构将输入信号从所述第一馈送节点提供到所述第一元件中的每一个第一元件；并且

所述第四馈送节点中的每一个第四馈送节点被配置成从所述第二元件中的每一个第二元件接收输出信号以在所述第三馈送节点处输出。

在一个或多个实施例中，所述电气部件包括晶体管结构，并且所述第一元件和所述第二元件是第一晶体管元件和第二晶体管元件。

本发明的这些和其它方面将根据下文中所描述的实施例显而易见，且参考这些实施例予以阐明。

附图说明

附图用于进一步说明各个实施例并且用于解释全部根据本发明的各种原理和优点，在附图中的单独视图中，相似的附图标记指代相同或功能上类似的元件，附图不一定按比例绘制，并且附图连同以下详细说明并入本说明书并形成本说明书的一部分。

图1示出了现有技术馈送结构的示意图示；

图2示出了叉形或鱼骨配置中的另一个馈送结构的示意图示；

图3示出了根据一个实施例的馈送结构的示意图示；

图4示出了包括晶体管结构和图3的馈送结构的装置的示意图示；

图5示出了包括电气部件和两个馈送结构的模块的示意图示；

图6示出了根据另一个实施例的馈送结构的示意图示；

图7示出了根据另一个实施例的馈送结构的示意图示；并且

图8示出了根据另一个实施例的馈送结构的示意图示。

具体实施方式

总的来说，本文公开的实施例需要用于电气部件的馈送结构、包括馈送结构的晶体管结构以及包括电气部件和馈送结构的模块。更具体地说，用电气部件、晶体管结构和/或模块实施的馈送结构的实施例减小了馈送结构的馈送节点之间的相位差，以使得能够将电力均匀地分布到电气部件的元件和/或以使得能够有效地组合来自电气部件的元件的电力。相位差的减小和电力的均匀分布可以增强电性能、热分布和寿命。另外，馈送结构是紧凑的，这对于小形状因数设计可能是有益的。馈送结构可以是晶体管输入/输出或级间匹配网络的一部分。另外，馈送结构可以用各种电气部件实施，如集成电路、分布式天线系统、滤波器、无源部件阵列或需要电力分配和/或电力组合的任何其它配置。

本公开用于以实现方式进一步解释在应用时制作和使用根据本发明的实施例的最佳方式。本公开被另外提供用于增强对本公开的发明性原理和其优点的理解和认识，而不是以任何方式对本发明进行限制。本发明仅由所附权利要求书(包括在本申请未决期间所做出的任何修改以及如所公布的那些权利要求的所有等效物)限定。

应当理解，对如第一和第二、顶部和底部等关系术语(如果有的话)的使用仅用于将实体或动作彼此区分，而不一定需要或暗示这种实体或动作之间的任何这种实际关系或顺序。此外，可以使用各种阴影和/或影线来示出附图中的一些，以便区分在各个结构层内产生的不同元件。可以利用当前和即将到来的沉积、图案化、蚀刻等的微加工技术来产生结构层内的这些不同元件。因此，尽管在图示中利用了不同的阴影和/或影线，但是结构层内的不同元件可以由相同的材料形成。

图1示出了现有技术馈送结构20的示意图示。在馈送结构20中，输入信号施加在馈送节点22处并且经由导电馈送路径28分布到例如晶体管结构26的晶体管元件24。可以由相同的馈送结构20以相反的顺序对晶体管结构26的输出侧进行“电力组合”。

在现有技术馈送结构20的简单歧管配置中，相对于距馈送节点22最近的晶体管元件24的激励节点，距馈送节点22最远的晶体管元件24的激励节点处可能存在输入信号的相位差。具体地说，分布效应可能不利地影响功率分配器比，这导致晶体管元件24之间的电力分布不均匀以及输入信号的相位差。如此，图1的现有技术馈送结构20中的晶体管26的晶体管元件24不能对电力进行均等馈送，这可能劣化电性能、劣化热分布并且降低晶体管结构26的寿命。

图2示出了叉形或鱼骨配置中的另一个馈送结构30的示意图示。在馈送结构30中，输入信号施加在馈送节点32处并且经由导电馈送路径38分布到例如晶体管结构36的晶体管元件34。馈送结构30有时被称为“除以二(divide-by-two)”馈送。也就是说，以所需的次数将馈送路径38除以二，以将输入信号从馈送节点32分布到晶体管元件34的输入端。“除以二”模式可以使用多次，通常每条路径具有与晶体管元件34的输入端相等的输入长度。再次，可以由相同的馈送结构30以相反的顺序对晶体管结构36的输出侧进行“电力组合”。

馈送结构30可以被实施为调整在现有技术简单馈送设计(如馈送结构20(图1))中观察到的相位失配和不均匀的电力分布。然而，与馈送结构20相比，馈送结构30的叉形或鱼骨配置相对较大。因此，叉形/鱼骨配置对于小形状因数设计可能不实用，尤其是在晶体管结构的输入处。

现在参考图3，图3示出了根据一个实施例的馈送结构40的示意图示。馈送结构40总体上包括槽缝结构42、第一馈送节点44和第二馈送节点46。槽缝结构42具有彼此相对的第一导电纵向区段48和第二导电纵向区段50以及将第一纵向区段48耦合到第二纵向区段50的第一互连区段52和第二互连区段54。因此，形成延伸穿过槽缝结构42的开口56，开口56由第一纵向区段48、第一互连区段52、第二纵向区段50和第二互连区段54包围。

第一馈送节点44在第一纵向区段48的第一末端60与第二末端62之间的中间区处电连接到槽缝结构42。例如，在一些实施例中，中间区可以是第一纵向区段48的第一末端60与第二末端62之间的中心点58。第二馈送节点46沿第二纵向区段50耦合到槽缝结构42，并且可以沿第二纵向区段50均匀分布。第二馈送节点46被配置成电连接到如晶体管结构64等电子部件。

晶体管结构64表示各种单极晶体管(例如，场效应晶体管，FET)和双极晶体管(例如，双极结型晶体管，BJT和/或异质结双极晶体管，HBT)。在图3的简化示意图中，晶体管结构64另外表示具有多个交叉指型晶体管指的晶体管结构或具有多个单独晶体管的晶体管结构。在任一情况下，晶体管结构64包括多个晶体管元件66(例如，晶体管指或单独的晶体管)。晶体管结构64的晶体管元件66总体上由图3中的椭圆表示以指示其可以是单独的晶体管指或单独的晶体管。

本文中将馈送结构40描述为输入馈送结构。相应地，在馈送节点44处施加输入信号，并且经由包括槽缝结构42和第二馈送节点46的导电馈送路径将输入信号提供到晶体管元件66。当晶体管结构64是场效应晶体管(FET)配置时，晶体管元件66可以是交叉指型晶体管结构的栅极指或每个单独晶体管的栅极元件。当晶体管结构64是双极晶体管配置时，晶体管元件66可以是交叉指型晶体管结构的基极指或每个单独晶体管的基极元件。如下面将结合图5所讨论的，馈送结构40可以另外在晶体管结构的输出侧处实施以对输出信号进行电力组合。

在一些实施例中，第一纵向区段48展现出第一总长度70，并且第二纵向区段50展现出可以与第一总长度72不同的第二总长度72。在一个例子中，第二纵向区段50的第二总长度72可以大于第一总长度70，以适当地容纳可以沿第二纵向区段50均匀分布的第二馈送节点46。

另外，在一些实施例中，第一纵向区段48和第二纵向区段50在开口56的内周边76处展现出第三长度74，并且第一互连区段52和第二互连区段54在开口56的内周边76处展现出第四长度78。另外，第四长度78可以小于第三长度74。另外，第一纵向区段48和第二纵向区段50可以彼此平行朝向，并且第一互连区段52和第二互连区段54可以彼此平行朝向并且垂直于第一纵向区段52和第二纵向区段54。如此，开口56具有大体上细长的矩形槽缝结构。

在第一纵向区段48的中心点58处的第一馈送节点44的位置导致沿第一纵向区段48在相反方向上的电流流动，如通过覆盖第一纵向区段48的相反定向的虚线80所指示的。另外，电流流动通过第一互连区段52和第二互连区段54传导到第二纵向区段50。因此，通过第二纵向区段50的这种电流流动也沿第二纵向区段50在相反的方向上，如通过覆盖第二纵向区段50的相反定向的虚线82所指示的。相反定向的虚线80、82(表示电流的相反流动)指示槽缝结构42的第一纵向区段48与第二纵向区段50之间的相互作用(例如，互感)。

可以通过开口56的尺寸来控制互感量。例如，由于相反定向的电流流动，在第一纵向区段48与第二纵向区段50之间延伸的开口56的大体上细长的矩形槽缝结构的宽度84可以适当地配置成控制第一纵向区段48与第二纵向区段50之间的互感的量级。这种互感可能导致到第二馈送节点46中的每一个第二馈送节点以及因此到晶体管元件66的基本上均匀的电力分布。

然而，经由馈送结构40的槽缝结构42产生的互感可能在一些条件下生成显著的电力损耗。例如，相对于开口56的更大宽度84，窄宽度84增加第一纵向区段48与第二纵向区段50之间的互感。在高度集成的设计中，无用的互感可能是损耗的主要原因。当馈送结构40实施为输出馈送结构时，这些损耗可能特别有问题。因此，可以适当地选择宽度84作为折衷，所述折衷产生互感(例如，耦合)，虽然量级较低，但具有可接受的低水平信号损耗。

因此，开口56的尺寸可以适当地设计成补偿第二馈送节点46处的输入信号的相位差，以相对于现有技术的简单馈送结构20(图1)显著减小相位差，同时产生低损耗设计。此外，与馈送结构30(图2)的叉形/鱼骨配置相反，具有槽缝结构42的馈送结构40产生更紧凑的配置。

本文讨论的馈送结构40和馈送结构的替代性实施例(在下文描述)与晶体管结构互连。然而，应该理解，根据一些实施例的馈送结构可以用各种电气部件实施，如集成电路、分布式天线系统、滤波器、无源部件阵列或需要电力分配和/或电力组合的任何其它配置。

图4示出了包括晶体管结构92和馈送结构40的装置90的示意图示。晶体管结构92表示具有多个交叉指型晶体管元件的晶体管布局，所述多个交叉指型晶体管元件有时称为晶体管指。当晶体管结构92是单极技术(例如，FET)时，晶体管指通常称为栅极指、源极指和漏极指，并且当晶体管结构92是双极技术(例如，BJT、HBT)时，晶体管指通常称为基极指、集电极指和源极指。

馈送结构40的第二馈送节点46电连接到晶体管结构92。更具体地说，第二馈送节点46中的每一个第二馈送节点耦合到晶体管结构92的多个晶体管元件中的每一个晶体管元件，所述晶体管元件在此称为晶体管指94。当馈送结构40实施为输入馈送时，晶体管指94可以是晶体管结构92的输入元件(例如，栅极指或基极指)。相应地，可以经由槽缝结构42和第二馈送节点46将输入信号从第一馈送节点44提供到晶体管指94中的每一个晶体管指。再次，馈送结构40的配置使第一纵向区段48与第二纵向区段50之间能够互感，所述互感导致将电力基本上均匀地馈送到第二馈送节点46中的每一个第二馈送节点并且因此在晶体管指94中的每一个晶体管指处均匀地消耗电力。出于说明性目的，本文结合馈送结构40讨论了晶体管结构92的晶体管指94(例如，栅极指或基极指)。然而，应该理解，另外的馈送结构40可以电连接到晶体管结构92的其它晶体管指(例如，漏极指/集电极指)。晶体管结构的各种其它细节对于本领域技术人员而言是已知的，并且因此为了简洁起见在此不再描述。

图5示出了根据另一个实施例的模块100的示意图示，所述模块100包括呈晶体管结构102、馈送结构40和第二馈送结构106的形式的电气部件。模块100可以是例如高频(例如，3.5GHz、4.8GHz)放大器模块的一部分。在所示出的例子中，晶体管结构102表示具有多个单独晶体管108的晶体管布局。在其它实施例中，多个单独晶体管108可以可替换地是单个晶体管或单位晶格的晶体管指，如上面在图4中描述的晶体管指。当晶体管结构102是单极技术(例如，FET)时，晶体管108中的每一个晶体管的晶体管元件包括栅极元件、源极元件和漏极元件，并且当晶体管结构102是双极技术(例如，BJT、HBT)时，晶体管108中的每一个晶体管的晶体管元件包括基极元件、集电极元件和源极元件。为了简化讨论，晶体管结构102实施双极技术。因此，晶体管108中的每一个晶体管包括呈基极元件110、集电极元件112和源极元件114的形式的晶体管元件。

如结合图3详细讨论的，馈送结构40(结合图5被称为第一馈送结构40)包括槽缝结构42、第一馈送节点44和第二馈送节点46。槽缝结构42具有延伸穿过槽缝结构42的开口56，开口56由第一纵向区段48、第一互连区段52、第二纵向区段50和第二互连区段54包围。再次，第一馈送节点44在第一纵向区段48的中心点58处电连接到槽缝结构42，并且第二馈送节点46沿第二纵向区段50耦合到槽缝结构42。

在图5所示出的配置中，第二馈送节点46被配置成电连接到晶体管结构102的单独晶体管108。更具体地说，第二馈送节点46中的一个第二馈送节点耦合到每一个单独晶体管108的每一个基极元件110。因此，可以经由槽缝结构42将输入信号从第一馈送节点44提供到基极元件110中的每一个基极元件。再次，馈送结构40的配置使第一纵向区段48与第二纵向区段50之间能够互感，所述互感导致将电力基本上均匀地馈送到第二馈送节点46中的每一个第二馈送节点，并且因此馈送到基极元件110中的每一个基极元件。

第二馈送结构106类似于第一馈送结构40。因此，第二馈送结构106包括第二槽缝结构116、第三馈送节点118和第四馈送节点120。第二槽缝结构116具有彼此相对的第三导电纵向区段122和第四导电纵向区段124以及将第三纵向区段122耦合到第四纵向区段124的第三互连区段126和第四互连区段128。因此，形成延伸穿过第二槽缝结构116的开口130，开口130由第三纵向区段122、第三互连区段126、第四纵向区段124和第四互连区段128包围。

第三馈送节点118在第三纵向区段122的第三末端132与第四末端134之间的中间区处电连接到第二槽缝结构116。例如，在一些实施例中，中间区可以是第一末端132与第二末端134之间的第三纵向区段122的中心点136。第四馈送节点120沿第四纵向区段124耦合到第二槽缝结构116。

在图5所示出的配置中，第四馈送节点120被配置成电连接到晶体管结构102的单独晶体管108。更具体地说，第四馈送节点120中的一个第四馈送节点耦合到每一个单独晶体管108的每一个集电极元件112。因此，可以经由第四馈送节点120从每一个集电极元件112接收输出信号。经由第二槽缝结构116组合来自每一个集电极元件112的输出信号以在第三馈送节点118处输出。因此，在晶体管结构102的输出侧处实施第二馈送结构106作为输出馈送结构以对来自晶体管结构102的晶体管108的输出信号进行电力组合。馈送结构106的配置使第一纵向区段48与第二纵向区段50之间能够互感，所述互感导致对来自第二馈送节点46中的每一个第二馈送节点以及因此来自集电极元件112中的每一个集电极元件进行基本上均匀的电力组合。

现在参考图6，图6示出了根据另一个实施例的馈送结构140的示意图示。馈送结构140总体上包括槽缝结构142、第一馈送节点144和第二馈送节点146。槽缝结构142具有彼此相对的第一导电纵向区段148和第二导电纵向区段150以及将第一纵向区段148耦合到第二纵向区段150的第一互连区段152和第二互连区段154。形成延伸穿过槽缝结构142的第一开口156，第一开口156由第一纵向区段148、第一互连区段152、第二纵向区段150和第二互连区段154包围。槽缝结构142另外包括在第一纵向区段148与第二纵向区段150之间延伸穿过槽缝结构142的另外的开口158、160。开口158、160与第一开口156物理隔离，并且通过槽缝结构142的另外的区段162彼此隔离。

第一馈送节点144在第一纵向区段148的第一末端164与第二末端166之间的中间区处电连接到槽缝结构142。例如，在一些实施例中，中间区可以是第一末端164与第二末端166之间的第一纵向区段148的中心点168。第二馈送节点146沿第二纵向区段150耦合到槽缝结构142，并且可以沿第二纵向区段150均匀分布。第二馈送节点146被配置成电连接到晶体管结构170的晶体管元件172。

图7示出了根据另一个实施例的馈送结构180的示意图示。馈送结构180总体上包括槽缝结构182、第一馈送节点184和第二馈送节点186。槽缝结构182具有彼此相对的第一导电纵向区段188和第二导电纵向区段190以及将第一纵向区段188耦合到第二纵向区段190的第一互连区段192和第二互连区段194。形成延伸穿过槽缝结构182的第一开口196，第一开口196由第一纵向区段188、第一互连区段192、第二纵向区段190和第二互连区段194包围。槽缝结构182另外包括在第一纵向区段188与第二纵向区段190之间延伸穿过槽缝结构182的另外的开口198、200、202。开口198、200、202与第一开口196物理隔离，并且通过槽缝结构182的另外的区段204彼此隔离。在一些实施例中，第一馈送节点184可以在第一纵向区段188的中心点206处电连接到槽缝结构182。第二馈送节点186沿第二纵向区段190耦合到槽缝结构182。第二馈送节点186被配置成电连接到晶体管结构210的晶体管元件208(由椭圆表示)。

馈送结构140(图7)和馈送结构180表示具有延伸穿过槽缝结构的多个开口的配置。另外，馈送结构140表示配置，在所述配置中，开口由阶梯式非矩形形状表征。馈送结构140、180中的任一个可以用作输出馈送结构以减小相位并且产生有效的电力组合，同时使损耗最小化。然而，馈送结构140、180可能无法实现馈送结构40、106的尺寸益处。

图8示出了根据另一个实施例的馈送结构220的示意图示。馈送结构220总体上包括槽缝结构222、多个第一馈送节点224和多个第二馈送节点226。槽缝结构222具有彼此相对的第一导电纵向区段228和第二导电纵向区段230以及将第一纵向区段228耦合到第二纵向区段230的第一互连区段232和第二互连区段234。形成延伸穿过槽缝结构222的开口236，开口236由第一纵向区段228、第一互连区段232、第二纵向区段230和第二互连区段234包围。

在一些实施例中，第一馈送节点224可以在第一纵向区段228的中间区238处电连接到槽缝结构222。第二馈送节点226沿第二纵向区段230耦合到槽缝结构222。在此示出的配置中，第二馈送节点226被配置成电连接到电子部件242的元件240(由椭圆表示)。

馈送结构210再次提供了配置的例子，在所述配置中，延伸穿过槽缝结构212的开口的形状不必是长方形矩形的。相反，开口226由非矩形形状表征。另外，馈送结构210提供可以存在多个第一馈送节点214连同多个第二馈送节点216的例子。也就是说，馈送结构220可以包括多个输入节点和输出节点，如第一馈送节点214和第二馈送节点216所例示的。

上文描述了具有一个或多个带槽缝的开口的各种馈送结构配置，所述一个或多个带槽缝的开口可以是长方形矩形形状或非矩形形状。然而，应该理解的是，包括一个或多个不同形状、尺寸和宽度的开口的馈送结构可以可替换地设想用于向/从晶体管结构的晶体管元件提供均匀的电力分布并且使损耗最小化，同时产生紧凑的形状因数。另外，馈送结构示出有十二个馈送节点以电耦合到晶体管元件。应该理解的是，根据本文描述的实施例的馈送结构可以具有大于或小于所示出的数量的馈送节点。

本文描述的实施例需要用于电气部件的馈送结构、包括馈送结构的晶体管结构以及包括电气部件和馈送结构的模块。用于电气部件的馈送结构的实施例包括槽缝结构，所述槽缝结构包括彼此相对的第一导电纵向区段和第二导电纵向区段以及彼此相对的第一导电互连区段和第二导电互连区段。所述第一互连区和第二互连区将所述第一纵向区段耦合到所述第二纵向区段以形成延伸穿过所述槽缝结构的开口，所述开口由所述第一纵向区段、所述第一互连区段、所述第二纵向区段和所述第二互连区段包围。所述馈送结构另外包括：第一馈送节点，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的中间区处电连接到所述槽缝结构；以及第二馈送节点，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段电耦合到所述槽缝结构，所述第二馈送节点被配置成电连接到所述电气部件。

装置的实施例包括具有晶体管元件和馈送结构的晶体管结构。所述馈送结构包括槽缝结构，所述槽缝结构包括彼此相对的第一导电纵向区段和第二导电纵向区段以及彼此相对的第一导电互连区段和第二导电互连区段，所述第一互连区段和所述第二互连区段将所述第一纵向区段耦合到所述第二纵向区段以形成延伸穿过所述槽缝结构的开口，所述开口由所述第一纵向区段、所述第一互连区段、所述第二纵向区段和所述第二互连区段包围。所述馈送结构另外包括：第一馈送节点，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的中间区处电连接到所述槽缝结构；以及第二馈送节点，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段电耦合到所述槽缝结构，所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点耦合到所述晶体管元件中的每一个晶体管元件。

模块的实施例包括具有第一元件和第二元件的电气部件、第一馈送结构和第二馈送结构。所述第一馈送结构包括第一槽缝结构，所述第一槽缝结构包括彼此相对的第一导电纵向区段和第二导电纵向区段以及彼此相对的第一导电互连区段和第二导电互连区段，所述第一互连区段和所述第二互连区段将所述第一纵向区段耦合到所述第二纵向区段以形成延伸穿过所述第一槽缝结构的第一开口，所述第一开口由第一纵向区段、第一互连区段、第二纵向区段和第二互连区段包围，其中所述第一纵向区段和所述第二纵向区段在所述开口的内周边处展现出第一长度，并且所述第一互连区段和所述第二互连区段在所述开口的所述内周边处展现出第二长度，所述第二长度小于所述第一长度。所述第一馈送结构另外包括：第一馈送节点，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的第一中间区处电连接到所述第一槽缝结构；以及第二馈送节点，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段电耦合到所述第一槽缝结构，所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点耦合到所述电气部件的所述第一元件中的每一个第一元件。所述第二馈送结构包括第二槽缝结构，所述第二槽缝结构包括彼此相对的第三导电纵向区段和第四导电纵向区段以及彼此相对的第三导电互连区段和第四导电互连区段，所述第三互连区段和所述第四互连区段将所述第一纵向区段耦合到所述第二纵向区段以形成延伸穿过所述第二槽缝结构的第二开口，所述第二开口由所述第三纵向区段、所述第三互连区段、所述第四纵向区段和所述第四互连区段包围。所述第二馈送结构另外包括：第三馈送节点，所述第三馈送节点在所述第三纵向区段的第三末端与第四末端之间的第二中间区处电连接到所述第二槽缝结构；以及第四馈送节点，所述第四馈送节点沿所述第四纵向区段电耦合到所述第二槽缝结构，所述第四馈送节点中的每一个第四馈送节点耦合到所述电气部件的所述第二元件中的每一个第二元件。

相应地，实施例可以包括具有槽缝结构的馈送结构，所述槽缝结构能够实现到晶体管结构的晶体管元件的均匀的电力分布以及来自晶体管结构的晶体管元件的电力的有效组合。电力的均匀分布可以增强电性能、热分布和寿命。另外，馈送结构是紧凑的，这对于小形状因数设计可能是有益的。馈送结构可以是晶体管输入/输出或级间匹配网络的一部分。

更具体地说，用电气部件、晶体管结构和/或模块实施的馈送结构的实施例减小了馈送结构的馈送节点之间的相位差，从而能够将电力均匀地分布到电气部件的元件和/或能够有效地组合来自电气部件的元件的电力。相位差的减小和电力的均匀分布可以增强电性能、热分布和寿命。另外，馈送结构是紧凑的，这对于小形状因数设计可能是有益的。馈送结构可以是晶体管输入/输出或级间匹配网络的一部分。另外，馈送结构可以用各种电气部件实施，如集成电路、分布式天线系统、滤波器、无源部件阵列或需要电力分配和/或电力组合的任何其它配置。

本公开旨在解释如何塑造和使用根据本发明的各个实施例，而不是限制本发明的真实的、预期的和合理的范围和精神。上述说明不旨在是详尽的或将本发明限制于所公开的确切形式。鉴于以上教导，修改或变化是可能的。选择并描述了一个或多个实施例，以便提供对本发明的原理和其实际应用的最佳说明并且使本领域的技术人员能够在各个实施例中且连同如适合于所设想的特定用途的各种修改而利用本发明。在根据公平、合法和合理授权的范围解释时，所有这种修改和变化都处于本发明的如由可在本专利申请未决期间加以修改的所附权利要求和其所有等效物确定的范围内。

Claims (10)

1.一种用于电气部件的馈送结构，其特征在于，包括：

槽缝结构，所述槽缝结构包括彼此相对的第一导电纵向区段和第二导电纵向区段以及彼此相对的第一导电互连区段和第二导电互连区段，所述第一互连区段和所述第二互连区段将所述第一纵向区段耦合到所述第二纵向区段以形成延伸穿过所述槽缝结构的开口，所述开口由所述第一纵向区段、所述第一互连区段、所述第二纵向区段和所述第二互连区段包围；

第一馈送节点，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的中间区处电连接到所述槽缝结构；以及

第二馈送节点，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段电耦合到所述槽缝结构，所述第二馈送节点被配置成电连接到所述电气部件。

2.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，所述电气部件包括输入元件，并且所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点被配置成耦合到所述输入元件中的每一个输入元件以经由所述槽缝结构将输入信号从所述第一馈送节点提供到所述输入元件中的每一个输入元件。

3.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，所述电气部件包括输出元件，并且所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点被配置成耦合到所述输出元件中的每一个输出元件以从所述输出元件中的每一个输出元件接收输出信号，以便在所述第一馈送节点处输出。

4.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段的长度均匀分布。

5.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的中心点处电连接到所述槽缝结构。

6.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，进一步包括多个第一馈送节点，所述多个第一馈送节点电连接到所述槽缝结构的所述第一纵向区段。

7.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，所述开口由在所述第一纵向区段与所述第二纵向区段之间延伸的宽度表征，所述宽度被配置成使所述第一纵向区段与所述第二纵向区段之间能够互感，所述互感导致将电力基本上均匀地馈送到所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点或从所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点基本上均匀地馈送所述电力。

8.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，所述开口是第一开口，并且所述槽缝结构进一步包括至少一个另外的开口，所述至少一个另外的开口在所述第一纵向区段与所述第二纵向区段之间延伸穿过所述槽缝结构，所述至少一个另外的开口通过所述槽缝结构的另外的区段与所述第一开口物理隔离。

9.一种装置，其特征在于，包括：

具有晶体管元件的晶体管结构；以及

馈送结构，所述馈送结构包括：

槽缝结构，所述槽缝结构包括彼此相对的第一导电纵向区段和第二导电纵向区段以及彼此相对的第一导电互连区段和第二导电互连区段，所述第一互连区段和所述第二互连区段将所述第一纵向区段耦合到所述第二纵向区段以形成延伸穿过所述槽缝结构的开口，所述开口由所述第一纵向区段、所述第一互连区段、所述第二纵向区段和所述第二互连区段包围；

第一馈送节点，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的中间区处电连接到所述槽缝结构；以及

第二馈送节点，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段电耦合到所述槽缝结构，所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点耦合到所述晶体管元件中的每一个晶体管元件。

10.一种模块，其特征在于，包括：

电气部件，所述电气部件具有第一元件和第二元件；

第一馈送结构，所述第一馈送结构包括：

第一槽缝结构，所述第一槽缝结构包括彼此相对的第一导电纵向区段和第二导电纵向区段以及彼此相对的第一导电互连区段和第二导电互连区段，所述第一互连区段和所述第二互连区段将所述第一纵向区段耦合到所述第二纵向区段以形成延伸穿过所述第一槽缝结构的第一开口，所述第一开口由所述第一纵向区段、所述第一互连区段、所述第二纵向区段和所述第二互连区段包围，其中所述第一纵向区段和所述第二纵向区段在所述第一开口的内周边处展现出第一长度，并且所述第一互连区段和所述第二互连区段在所述开口的所述内周边处展现出第二长度，所述第二长度小于所述第一长度；

第一馈送节点，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的第一中间区处电连接到所述第一槽缝结构；以及

第二馈送节点，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段电耦合到所述第一槽缝结构，所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点耦合到所述电气部件的所述第一元件中的每一个第一元件；以及

第二馈送结构，所述第二馈送结构包括：

第二槽缝结构，所述第二槽缝结构包括彼此相对的第三导电纵向区段和第四导电纵向区段以及彼此相对的第三导电互连区段和第四导电互连区段，所述第三互连区段和所述第四互连区段将所述第三纵向区段耦合到所述第四纵向区段以形成延伸穿过所述第二槽缝结构的第二开口，所述第二开口由所述第三纵向区段、所述第三互连区段、所述第四纵向区段和所述第四互连区段包围；

第三馈送节点，所述第三馈送节点在所述第三纵向区段的第三末端与第四末端之间的第二中间区处电连接到所述第二槽缝结构；以及

第四馈送节点，所述第四馈送节点沿所述第四纵向区段电耦合到所述第二槽缝结构，所述第四馈送节点中的每一个第四馈送节点耦合到所述电气部件的所述第二元件中的每一个第二元件。

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