CN110938868A - 稀土卤化物闪烁材料 - Google Patents
稀土卤化物闪烁材料 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110938868A CN110938868A CN201911058510.3A CN201911058510A CN110938868A CN 110938868 A CN110938868 A CN 110938868A CN 201911058510 A CN201911058510 A CN 201911058510A CN 110938868 A CN110938868 A CN 110938868A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- rare earth
- earth halide
- equal
- scintillation
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 46
- -1 Rare earth halide Chemical class 0.000 title claims abstract description 40
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 40
- 238000002600 positron emission tomography Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- XKUYOJZZLGFZTC-UHFFFAOYSA-K lanthanum(iii) bromide Chemical compound Br[La](Br)Br XKUYOJZZLGFZTC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 8
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004755 Cerium(III) bromide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910014323 Lanthanum(III) bromide Inorganic materials 0.000 description 4
- MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Ce+3] MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000009643 growth defect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 2
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANDNPYOOQLLLIU-UHFFFAOYSA-N [Y].[Lu] Chemical compound [Y].[Lu] ANDNPYOOQLLLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- YJPVTCSBVRMESK-UHFFFAOYSA-L strontium bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Sr+2] YJPVTCSBVRMESK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001625 strontium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7772—Halogenides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F17/00—Compounds of rare earth metals
- C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
- C01F17/253—Halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/02—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method without using solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/12—Halides
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
- G01T1/2023—Selection of materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/36—Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation spectrometry
- G01T1/362—Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation spectrometry with scintillation detectors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/50—Solid solutions
- C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
- C01P2002/54—Solid solutions containing elements as dopants one element only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
本发明涉及一种稀土卤化物闪烁材料，该材料的化学通式为La1‑xCexBr3+y，其中0.001≤x≤1，0.0001≤y≤0.1。本发明所涉及的稀土卤化物闪烁材料具有高光输出、高能量分辨率、快衰减等优异的闪烁性能。
Description
技术领域
本发明涉及无机闪烁材料领域，尤其涉及一种稀土卤化物闪烁材料。
背景技术
闪烁材料可用于α射线、γ射线、X射线等高能射线以及中子等高能粒子的探测，在核医学、高能物理、安全检查、石油测井等领域均有广泛应用。
闪烁材料通常以单晶体的形式应用，在部分情况下也可以是陶瓷或其他形式。
不同的应用领域对闪烁材料的性能要求不尽相同。但对大多数应用领域而言，都希望闪烁材料具有尽量高的光产额、尽量短的衰减时间和尽量高的能量分辨率。特别是对于正电子发射断层扫描仪(positron emission tomography，PET)之类的核医学成像装置而言，这些参数对成像质量至关重要。
E.V.D.van Loef等人于2001年公开的LaBr3:Ce晶体，具有很高的光输出(>60000ph/MeV)、很短的衰减时间(<30ns)和很高的能量分辨率(约3％@662keV)，是一种性能极为优异的闪烁材料。
LaBr3:Ce晶体的发光中心为Ce3+。现有技术采用碱土金属离子进行掺杂，可以进一步改善LaBr3:Ce晶体的能量分辨率和能量响应线性等性能。事实上，该方法也被用于改善Ce3+激活的硅酸镥和硅酸钇镥等晶体的性能。但碱土金属离子毕竟是一种异质杂质，与稀土离子存在半径和价态差异，这种掺杂易于引发晶体生长缺陷，且会因分凝现象而造成晶体不同部位碱土金属离子的掺杂浓度不一致，进而影响晶体性能的均匀性。
发明内容
本发明的目的在于通过成分调控，进一步提升LaBr3:Ce闪烁材料的性能，从而获得综合性能更为优异的新材料，并依据该新材料进行不同场景的应用。
为达到上述目的，本发明的第一方面提供了一种稀土卤化物闪烁材料，该稀土卤化物闪烁材料的化学通式为La1-xCexBr3+y，其中0.001≤x≤1， 0.0001≤y≤0.1。
进一步的，0.005≤x≤0.1，0.001≤y≤0.05。
进一步的，x＝1，0.001≤y≤0.05。
进一步的，所述稀土卤化物闪烁材料中同时含有Ce3+和Ce4+。
进一步的，所述稀土卤化物闪烁材料为单晶体。
进一步的，所述稀土卤化物闪烁材料采用布里奇曼法生长获得。
本发明的第二方面提供了一种闪烁探测器，包括如前所述的稀土卤化物闪烁材料。
本发明的第三方面提供了一种正电子发射断层扫描成像仪，包括如前所述的闪烁探测器。
本发明的第四方面提供了一种伽马能谱仪，包括如前所述的闪烁探测器。
本发明的第五方面提供了一种石油测井仪，包括如前所述的闪烁探测器。
本发明的第六方面提供了一种岩性扫描成像仪，包括如前所述的闪烁探测器。
本发明的上述技术方案具有如下有益的技术效果：本发明所获得的稀土卤化物闪烁材料具有极佳的闪烁性能，综合性能明显优于常规的不掺杂溴化镧晶体，晶体均匀性则明显优于碱土金属离子掺杂的溴化镧晶体，同时晶体生长的成品率明显提高。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
本发明的第一方面提供了一种稀土卤化物闪烁材料。该稀土卤化物闪烁材料的化学组成具有如下通式：该材料的化学通式为La1-xCexBr3+y，其中 0.001≤x≤1，0.0001≤y≤0.1。
进一步的，0.005≤x≤0.1，0.001≤y≤0.05，进一步优选的，x＝1， 0.001≤y≤0.05。
上述稀土卤化物闪烁材料可以是粉末、陶瓷或单晶，但优选以单晶形态应用，单晶体可采用布里奇曼法生长获得。
本发明的一个显著特征在于，本发明提供的稀土卤化物闪烁材料既含有Ce3+，也含有Ce4+，Ce离子的表观价态介于+3价和+4价之间。本发明正是通过调整稀土离子与卤素离子的比例，调控Ce4+的含量，从而实现对稀土卤化物闪烁材料的性能提升。
本发明能够进一步改进LaBr3:Ce的掺杂改性方案，解决现有掺杂方案在LaBr3:Ce晶体中掺杂碱土金属离子异质所带来的易于引发生长缺陷和晶体闪烁性能一致性欠佳的问题。本发明实施例中使LaBr3:Ce中的卤素离子过量，偏离其与稀土离子3:1的化学计量比，诱发部分Ce3+基于电荷平衡而转化成Ce4+，从而起到改善晶体性能均匀性的效果，并有效避免因异质掺杂而带来的引发生长缺陷和分凝不均等问题。
本发明实施例采用如下的方法以获得化学通式为La1-xCexBr3+y的稀土卤化物闪烁材料。
方法之一：将生长LaBr3:Ce晶体所用的无水LaBr3、CeBr3原料在含有Br2蒸气的环境中加热，其可以吸收少量Br2蒸气而使得原料中Br与稀土离子的摩尔比大于3:1的化学计量比。通过控制Br2蒸气浓度和加热时间，可以获得不同Br富余量的溴化镧、溴化铈原料。采用这种富Br的溴化镧、溴化铈原料进行单晶生长，即可获得本发明所涉及的通式为La1- xCexBr3+y的稀土卤化物闪烁材料。
方法之二：先采用化学计量比的LaBr3、CeBr3原料生长获得符合化学计量比的LaBr3:Ce晶体，再将晶体在含有部分Br2蒸气的干燥惰性气体如 Ar气中进行退火处理，从而使LaBr3:Ce晶体中的Br超出化学计量比，获得本发明所涉及的通式为La1-xCexBr3+y的稀土卤化物闪烁材料。
根据本发明的一个实施例，本发明所获得的稀土卤化物闪烁材料具有极佳的闪烁性能，综合性能明显优于常规的不掺杂溴化镧晶体，晶体均匀性则明显优于碱土金属离子掺杂的溴化镧晶体，同时晶体生长的成品率明显提高。
将本发明的技术思路应用到其它的Ce激活稀土卤化物闪烁材料中，发现也都具有良好的实施效果。
需要说明的是，本发明中Br离子的富余量y仅限于一个较小的范围。本发明中，Br离子富余量的取值范围是0.0001≤y≤0.1，优选的范围是 0.001≤y≤0.05。在本发明的范围内，晶体呈现无色或淡黄色，具有优异的闪烁性能。而过高的Br离子富余量将导致晶体呈现较明显的黄色，并引起光产额下降、能量分辨率变差、衰减时间延长等问题。
本发明同样涉及包含上述稀土卤化物闪烁材料的闪烁探测器，以及包含该闪烁探测器的正电子发射断层扫描仪、伽马能谱仪、石油测井仪或岩性扫描成像仪。
下面将结合具体的实施例进一步说明本发明的有益效果。
对比例1：在充Ar手套箱中准确称取119.89g无水LaBr3(99.99％) 和6.33g无水CeBr3(99.99％)，混合均匀后装入直径25mm的石英坩埚中。将石英坩埚从手套箱中取出后迅速接入真空系统抽真空，当真空度达到1 ×10-3Pa时烧熔封口。将坩埚置于布里奇曼晶体炉中进行单晶生长。高温区温度为850℃，低温区温度为700℃，梯度区温度梯度约10℃/cm，坩埚下降速率为0.5-2mm/h，总的生长时间约15天。所得晶体透明无色，长度约5cm。将晶体在手套箱中切割加工成Φ25mm×25mm的圆柱状样品，进行光产额、衰减时间、能量分辨率测试及晶体成分分析。
对比例2：在充Ar手套箱中准确称取119.89g无水LaBr3(99.99％)、 6.33g无水CeBr3(99.99％)和0.041g无水SrBr2(99.99％)，混合均匀后装入直径25mm的石英坩埚中。其余操作均与对比例1相同。
实施例1：在充Ar手套箱中准确称取119.89g无水LaBr3(99.99％) 和6.46g无水CeBr3.1(99.99％)，混合均匀后装入直径25mm的石英坩埚中。其余操作均与对比例1相同。
实施例2-7除原料配比不同外，其余操作均与实施例1相同。
所有实施例的详细对比情况见表1。
表1
综上所述，本发明提供了一种稀土卤化物闪烁材料，该材料的化学通式为La1- xCexBr3+y，其中0.001≤x≤1，0.0001≤y≤0.1。本发明所获得的稀土卤化物闪烁材料具有极佳的闪烁性能，综合性能明显优于常规的不掺杂溴化镧晶体，晶体均匀性则明显优于碱土金属离子掺杂的溴化镧晶体，同时晶体生长的成品率明显提高。
应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。
Claims (10)
1.一种稀土卤化物闪烁材料，其特征在于，该稀土卤化物闪烁材料的化学通式为La1- xCexBr3+y，其中0.001≤x≤1，0.0001≤y≤0.1。
2.如权利要求1所述的稀土卤化物闪烁材料，其特征在于，0.005≤x≤0.1，0.001≤y≤0.05。
3.如权利要求1或2所述的稀土卤化物闪烁材料，其特征在于，x＝1，0.001≤y≤0.05。
4.如权利要求1-3任一项所述的稀土卤化物闪烁材料，其特征在于，所述稀土卤化物闪烁材料中同时含有Ce3+和Ce4+。
5.如权利要求1-4任一项所述的稀土卤化物闪烁材料，其特征在于，所述稀土卤化物闪烁材料为单晶体。
6.如权利要求1-5任一项所述的稀土卤化物闪烁材料，其特征在于，所述稀土卤化物闪烁材料采用布里奇曼法生长获得。
7.一种闪烁探测器，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的稀土卤化物闪烁材料。
8.一种正电子发射断层扫描成像仪，其特征在于，包括权利要求7所述的闪烁探测器。
9.一种伽马能谱仪，其特征在于，包括权利要求7所述的闪烁探测器。
10.一种石油测井仪或岩性扫描成像仪，其特征在于，包括权利要求7所述的闪烁探测器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911058510.3A CN110938868B (zh) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | 稀土卤化物闪烁材料 |
| JP2021555345A JP7351923B2 (ja) | 2019-11-01 | 2020-10-30 | 希土類ハロゲン化物シンチレーション材料 |
| US17/441,927 US20220372368A1 (en) | 2019-11-01 | 2020-10-30 | Rare earth halide scintillation material |
| PCT/CN2020/125172 WO2021083316A1 (zh) | 2019-11-01 | 2020-10-30 | 稀土卤化物闪烁材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911058510.3A CN110938868B (zh) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | 稀土卤化物闪烁材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110938868A true CN110938868A (zh) | 2020-03-31 |
| CN110938868B CN110938868B (zh) | 2022-02-22 |
Family
ID=69906380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911058510.3A Active CN110938868B (zh) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | 稀土卤化物闪烁材料 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220372368A1 (zh) |
| JP (1) | JP7351923B2 (zh) |
| CN (1) | CN110938868B (zh) |
| WO (1) | WO2021083316A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021083316A1 (zh) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 稀土卤化物闪烁材料 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010285559A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Hitachi Chem Co Ltd | シンチレータ用結晶及び放射線検出器 |
| CN102534775A (zh) * | 2012-03-12 | 2012-07-04 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 采用异相籽晶生长掺铈溴化镧闪烁晶体的方法 |
| CN109988577A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-09 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 稀土卤化物闪烁材料及其应用 |
| WO2019168169A1 (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | 国立大学法人東北大学 | 蛍光体 |
| CN110982527A (zh) * | 2019-11-01 | 2020-04-10 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 稀土卤化物闪烁材料 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7405404B1 (en) * | 2004-09-23 | 2008-07-29 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | CeBr3 scintillator |
| JP2011225742A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 原料精製装置およびシンチレータ用単結晶の製造方法 |
| CN102560647A (zh) * | 2012-02-08 | 2012-07-11 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 制备掺铈溴化镧闪烁晶体的坩埚下降法 |
| CN103695002B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-03-30 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 无机闪烁材料 |
| CN110938433B (zh) * | 2019-11-01 | 2022-03-08 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 稀土卤化物闪烁材料 |
| CN110938868B (zh) * | 2019-11-01 | 2022-02-22 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 稀土卤化物闪烁材料 |
-
2019
- 2019-11-01 CN CN201911058510.3A patent/CN110938868B/zh active Active
-
2020
- 2020-10-30 WO PCT/CN2020/125172 patent/WO2021083316A1/zh active Application Filing
- 2020-10-30 JP JP2021555345A patent/JP7351923B2/ja active Active
- 2020-10-30 US US17/441,927 patent/US20220372368A1/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010285559A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Hitachi Chem Co Ltd | シンチレータ用結晶及び放射線検出器 |
| CN102534775A (zh) * | 2012-03-12 | 2012-07-04 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 采用异相籽晶生长掺铈溴化镧闪烁晶体的方法 |
| CN109988577A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-09 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 稀土卤化物闪烁材料及其应用 |
| WO2019168169A1 (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | 国立大学法人東北大学 | 蛍光体 |
| CN110982527A (zh) * | 2019-11-01 | 2020-04-10 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 稀土卤化物闪烁材料 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021083316A1 (zh) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 稀土卤化物闪烁材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7351923B2 (ja) | 2023-09-27 |
| JP2022525603A (ja) | 2022-05-18 |
| CN110938868B (zh) | 2022-02-22 |
| US20220372368A1 (en) | 2022-11-24 |
| WO2021083316A1 (zh) | 2021-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110938433B (zh) | 稀土卤化物闪烁材料 | |
| US8025817B2 (en) | Fluorescent ceramic and fabrication method thereof | |
| Kucera et al. | Energy Transfer and Scintillation Properties of ${\hbox {Ce}}^{3+} $ Doped ${\hbox {(LuYGd)}} _ {3} $${\hbox {(AlGa)}} _ {5}{\hbox {O}} _ {12} $ Multicomponent Garnets | |
| CN110982527B (zh) | 稀土卤化物闪烁材料 | |
| JP2011026547A (ja) | シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法 | |
| CN109988577B (zh) | 稀土卤化物闪烁材料及其应用 | |
| Dickens et al. | Increased luminescence and improved decay kinetics in lithium and cerium co-doped yttrium aluminum garnet scintillators grown by the Czochralski method | |
| Lindsey et al. | Multi-ampoule Bridgman growth of halide scintillator crystals using the self-seeding method | |
| Wu et al. | Fast (Ce, Gd) 3Ga2Al3O12 scintillators grown by the optical floating zone method | |
| CN110938868B (zh) | 稀土卤化物闪烁材料 | |
| CN1587447A (zh) | 掺铈焦硅酸镥高温闪烁单晶体的制备方法 | |
| CN117552106B (zh) | 稀土基零维钙钛矿卤化物闪烁单晶及其制备方法和应用 | |
| Wu et al. | A homogeneity study on (Ce, Gd) 3 Ga 2 Al 3 O 12 crystal scintillators grown by an optical floating zone method and a traveling solvent floating zone method | |
| Zhu et al. | Fast Ce, Ca: LuAG scintillation ceramics for HEP: Fabrication, characterization, and computation | |
| JP2016056378A (ja) | シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法 | |
| CN115368897A (zh) | 一种钾冰晶石型稀土闪烁材料 | |
| CN103695002B (zh) | 无机闪烁材料 | |
| WO2023238795A1 (ja) | 結晶材料、シンチレータ、および放射線検出器 | |
| Kamada et al. | Mg, Ce co-doped Lu2Gd1 (Ga, Al) 5O12 by micro-pulling down method and their luminescence properties | |
| CN115322784A (zh) | 一种八面体格位掺杂改善铝镓酸钆闪烁材料及其制备方法和应用 | |
| WO2021149670A1 (ja) | シンチレータおよび放射線検出器 | |
| CN1563514A (zh) | 掺三价铈离子稀土铝酸盐晶体的制备方法 | |
| CN105778900A (zh) | 无机闪烁材料 | |
| CN117431067A (zh) | 一种锰掺杂增强电离辐射发光卤化物闪烁体及其制备方法和应用 | |
| JP2023161118A (ja) | 熱蛍光測定用ホウ酸ランタン系ガラス、その製造方法、及び熱蛍光線量計 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 100088 Beijing city Xicheng District Xinjiekou Avenue No. 2 Applicant after: GRIREM ADVANCED MATERIALS Co.,Ltd. Applicant after: Youyan Rare Earth High Tech Co., Ltd Applicant after: Hebei xiongan Rare Earth Functional Material Innovation Center Co.,Ltd. Address before: 100088 Beijing city Xicheng District Xinjiekou Avenue No. 2 Applicant before: GRIREM ADVANCED MATERIALS Co.,Ltd. Applicant before: GUOKE RE ADVANCED MATERIALS Co.,Ltd. Applicant before: Hebei xiongan Rare Earth Functional Material Innovation Center Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |