CN110938433A - 稀土卤化物闪烁材料 - Google Patents

稀土卤化物闪烁材料 Download PDF

Info

Publication number
CN110938433A
CN110938433A CN201911065431.5A CN201911065431A CN110938433A CN 110938433 A CN110938433 A CN 110938433A CN 201911065431 A CN201911065431 A CN 201911065431A CN 110938433 A CN110938433 A CN 110938433A
Authority
CN
China
Prior art keywords
rare earth
earth halide
scintillating material
equal
scintillation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911065431.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110938433B (zh
Inventor
余金秋
罗亮
刁成鹏
崔磊
吴浩
何华强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hebei Xiongan Rare Earth Functional Material Innovation Center Co ltd
Grirem Advanced Materials Co Ltd
Grirem Hi Tech Co Ltd
Original Assignee
Hebei Xiongan Rare Earth Functional Material Innovation Center Co Ltd
Grirem Advanced Materials Co Ltd
Guoke Re Advanced Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hebei Xiongan Rare Earth Functional Material Innovation Center Co Ltd, Grirem Advanced Materials Co Ltd, Guoke Re Advanced Materials Co Ltd filed Critical Hebei Xiongan Rare Earth Functional Material Innovation Center Co Ltd
Priority to CN201911065431.5A priority Critical patent/CN110938433B/zh
Publication of CN110938433A publication Critical patent/CN110938433A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110938433B publication Critical patent/CN110938433B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7772Halogenides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • C09K11/7719Halogenides
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/003Scintillation (flow) cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明涉及一种稀土卤化物闪烁材料,该材料的化学通式为RE1‑mCemX3+n,其中RE为稀土元素La、Gd、Lu、Y中的一种,X为Cl、Br、I中的一种或两种,0.001≤m≤1,0.0001≤n≤0.1。本发明所涉及的稀土卤化物闪烁材料具有高光输出、高能量分辨率、快衰减等优异的闪烁性能。

Description

稀土卤化物闪烁材料
技术领域
本发明涉及无机闪烁材料领域,尤其涉及一种稀土卤化物闪烁材料。
背景技术
闪烁材料可用于α射线、γ射线、X射线等高能射线以及中子等高能粒 子的探测,在核医学、高能物理、安全检查、石油测井等领域均有广泛应用。
闪烁材料通常以单晶体的形式应用,在部分情况下也可以是陶瓷或其他 形式。
不同的应用领域对闪烁材料的性能要求不尽相同。但对大多数应用领域 而言,都希望闪烁材料具有尽量高的光产额、尽量短的衰减时间和尽量高的 能量分辨率。特别是对于正电子发射断层扫描仪(positron emission tomography,PET)之类的核医学成像装置而言,这些参数对成像质量至关重 要。
E.V.D.van Loef等人于2001年公开的LaBr3:Ce晶体,具有很高的光输 出(>60000ph/MeV)、很短的衰减时间(<30ns)和很高的能量分辨率(约 3%@662keV),是一种性能极为优异的闪烁材料。
已公开的其它稀土卤化物闪烁晶体还包括:CeBr3、LaCl3:Ce、LuI3:Ce、 YI3:Ce、GdI3:Ce等,它们也都具有优异的闪烁性能。
所有这些稀土卤化物闪烁晶体的发光中心都是Ce3+
现有技术采用碱土金属离子进行掺杂,可以进一步改善LaBr3:Ce晶体的 能量分辨率和能量响应线性等性能。事实上,该方法也被用于改善Ce3+激活 的硅酸镥和硅酸钇镥等晶体的性能。但碱土金属离子毕竟是一种异质杂质, 与稀土离子存在半径和价态差异,这种掺杂易于引发晶体生长缺陷,且会因 分凝现象而造成晶体不同部位碱土金属离子的掺杂浓度不一致,进而影响晶 体性能的均匀性。
发明内容
本发明的目的在于通过成分调控,进一步提升LaBr3:Ce闪烁材料的性能, 从而获得综合性能更为优异的新材料,并依据该新材料进行不同场景的应用。
为达到上述目的,本发明的第一方面提供了一种稀土卤化物闪烁材料, 该稀土卤化物闪烁材料的化学通式为RE1-mCemX3+n,其中RE为稀土元素La、Gd、 Lu、Y中的一种,X为Cl、Br、I中的一种或两种,0.001≤m≤1,0.0001≤n ≤0.1。
进一步的,RE为La,X为Br。
进一步的,RE为La,X为Cl。
进一步的,RE为Gd,X为I。
进一步的,RE为Lu,X为I。
进一步的,RE为Y,X为I。
进一步的,0.005≤m≤0.1,0.001≤n≤0.05。
进一步的,m=1,0.001≤n≤0.05。
进一步的,所述稀土卤化物闪烁材料中同时含有Ce3+和Ce4+
进一步的,所述稀土卤化物闪烁材料为单晶体。
进一步的,所述稀土卤化物闪烁材料采用布里奇曼法生长获得。
本发明的第二方面提供了一种闪烁探测器,包括如前所述的稀土卤化物 闪烁材料。
本发明的第三方面提供了一种正电子发射断层扫描成像仪,包括如前所 述的闪烁探测器。
本发明的第四方面提供了一种伽马能谱仪,包括如前所述的闪烁探测器。
本发明的第五方面提供了一种石油测井仪,包括如前所述的闪烁探测器。
本发明的第六方面提供了一种岩性扫描成像仪,包括如前所述的闪烁探 测器。
本发明的上述技术方案具有如下有益的技术效果:本发明所获得的稀土 卤化物闪烁材料具有极佳的闪烁性能,综合性能明显优于常规的不掺杂溴化 镧晶体,晶体均匀性则明显优于碱土金属离子掺杂的溴化镧晶体,同时晶体 生长的成品率明显提高。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了,下面结合具体实 施方式,对本发明进一步详细说明。应该理解,这些描述只是示例性的, 而并非要限制本发明的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和 技术的描述,以避免不必要地混淆本发明的概念。
本发明的第一方面提供了一种稀土卤化物闪烁材料。该稀土卤化物闪烁 材料的化学通式为RE1-mCemX3+n,其中RE为稀土元素La、Gd、Lu、Y中的一种, X为Cl、Br、I中的一种或两种,0.001≤m≤1,0.0001≤n≤0.1。
进一步地,RE和X的组合可以为以下几种:La和Br,La和Cl,Gd和I, Lu和I,Y和I。
进一步的,0.005≤m≤0.1,0.001≤n≤0.05,进一步优选的,m=1,0.001 ≤n≤0.05。
上述稀土卤化物闪烁材料可以是粉末、陶瓷或单晶,但优选以单晶形态 应用,单晶体可采用布里奇曼法生长获得。
本发明的一个显著特征在于,本发明提供的稀土卤化物闪烁材料既含有 Ce3+,也含有Ce4+,Ce离子的表观价态介于+3价和+4价之间。本发明正是通 过调整稀土离子与卤素离子的比例,调控Ce4+的含量,从而实现对稀土卤化 物闪烁材料的性能提升。
本发明能够进一步改进LaBr3:Ce的掺杂改性方案,解决现有掺杂方案在 LaBr3:Ce晶体中掺杂碱土金属离子异质所带来的易于引发生长缺陷和晶体闪 烁性能一致性欠佳的问题。本发明实施例中使LaBr3:Ce中的卤素离子过量, 偏离其与稀土离子3:1的化学计量比,诱发部分Ce3+基于电荷平衡而转化成 Ce4+,从而起到改善晶体性能均匀性的效果,并有效避免因异质掺杂而带来的 引发生长缺陷和分凝不均等问题。
本发明实施例采用如下的方法以获得化学通式为La1-xCexBr3+y的稀土卤化 物闪烁材料。
方法之一:将生长LaBr3:Ce晶体所用的无水LaBr3、CeBr3原料在含有Br2蒸气的环境中加热,其可以吸收少量Br2蒸气而使得原料中Br与稀土离子的 摩尔比大于3:1的化学计量比。通过控制Br2蒸气浓度和加热时间,可以获 得不同Br富余量的溴化镧、溴化铈原料。采用这种富Br的溴化镧、溴化铈 原料进行单晶生长,即可获得本发明所涉及的稀土卤化物闪烁材料。其中, 稀土元素可选择为La、Gd、Lu、Y中的一种,X可选择为Cl、Br、I中的一种或两种。
方法之二:先采用化学计量比的LaBr3、CeBr3原料生长获得符合化学计 量比的LaBr3:Ce晶体,再将晶体在含有部分Br2蒸气的干燥惰性气体如Ar气 中进行退火处理,从而使LaBr3:Ce晶体中的Br超出化学计量比,获得本发 明所涉及的稀土卤化物闪烁材料。其中,稀土元素可选择为La、Gd、Lu、Y 中的一种,X可选择为Cl、Br、I中的一种或两种。
根据本发明的一个实施例,本发明所获得的稀土卤化物闪烁材料具有极 佳的闪烁性能,综合性能明显优于常规的不掺杂溴化镧晶体,晶体均匀性则 明显优于碱土金属离子掺杂的溴化镧晶体,同时晶体生长的成品率明显提高。
将本发明的技术思路应用到CeBr3、LaCl3:Ce、LuI3:Ce、YI3:Ce、GdI3:Ce 等其它的稀土卤化物闪烁材料中,发现也都具有良好的实施效果。
需要说明的是,本发明中卤素离子的富余量n仅限于一个较小的范围。 本发明中,卤素离子富余量的取值范围是0.0001≤n≤0.1,优选的范围是 0.001≤n≤0.05。在本发明的范围内,晶体呈现无色或淡黄色,具有优异的 闪烁性能。而过高的卤素离子富余量将导致晶体呈现较明显的黄色,并引起 光产额下降、能量分辨率变差、衰减时间延长等问题。
本发明同样涉及包含上述稀土卤化物闪烁材料的闪烁探测器,以及包含 该闪烁探测器的正电子发射断层扫描仪、伽马能谱仪、石油测井仪或岩性扫 描成像仪。
下面将结合具体的实施例进一步说明本发明的有益效果。
对比例1:在充Ar手套箱中准确称取119.89g无水LaBr3(99.99%)和 6.33g无水CeBr3(99.99%),混合均匀后装入直径25mm的石英坩埚中。将 石英坩埚从手套箱中取出后迅速接入真空系统抽真空,当真空度达到1× 10-3Pa时烧熔封口。将坩埚置于布里奇曼晶体炉中进行单晶生长。高温区温 度为850℃,低温区温度为700℃,梯度区温度梯度约10℃/cm,坩埚下降速 率为0.5-2mm/h,总的生长时间约15天。所得晶体透明无色,长度约5cm。 将晶体在手套箱中切割加工成Φ25mm×25mm的圆柱状样品,进行光产额、衰 减时间、能量分辨率测试及晶体成分分析。
对比例2:在充Ar手套箱中准确称取119.89g无水LaBr3(99.99%)、6.33g 无水CeBr3(99.99%)和0.041g无水SrBr2(99.99%),混合均匀后装入直径 25mm的石英坩埚中。其余操作均与对比例1相同。
实施例1:在充Ar手套箱中准确称取119.89g无水LaBr3(99.99%)和 6.46g无水CeBr3.1(99.99%),混合均匀后装入直径25mm的石英坩埚中。其 余操作均与对比例1相同。
实施例2-10除原料配比不同外,其余操作均与实施例1相同。
所有实施例的详细对比情况见表1。
表1
Figure BDA0002257214960000051
Figure BDA0002257214960000061
综上所述,本发明提供了一种稀土卤化物闪烁材料,该稀土卤化物闪烁 材料的化学通式为RE1-mCemX3+n,其中RE为稀土元素La、Gd、Lu、Y中的一种, X为Cl、Br、I中的一种或两种,0.001≤m≤1,0.0001≤n≤0.1。本发明所 获得的稀土卤化物闪烁材料具有极佳的闪烁性能,综合性能明显优于常规的 不掺杂溴化镧晶体,晶体均匀性则明显优于碱土金属离子掺杂的溴化镧晶体, 同时晶体生长的成品率明显提高。
应当理解的是,本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释 本发明的原理,而不构成对本发明的限制。因此,在不偏离本发明的精神和 范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保 护范围之内。此外,本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和 边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。

Claims (15)

1.一种稀土卤化物闪烁材料,其特征在于,该稀土卤化物闪烁材料的化学通式为RE1- mCemX3+n,其中RE为稀土元素La、Gd、Lu、Y中的一种,X为Cl、Br、I中的一种或两种,0.001≤m≤1,0.0001≤n≤0.1。
2.如权利要求1所述的稀土卤化物闪烁材料,其特征在于,RE为La,X为Br。
3.如权利要求1所述的稀土卤化物闪烁材料,其特征在于,RE为La,X为Cl。
4.如权利要求1所述的稀土卤化物闪烁材料,其特征在于,RE为Gd,X为I。
5.如权利要求1所述的稀土卤化物闪烁材料,其特征在于,RE为Lu,X为I。
6.如权利要求1所述的稀土卤化物闪烁材料,其特征在于,RE为Y,X为I。
7.如权利要求1-6任一项所述的稀土卤化物闪烁材料,其特征在于,0.005≤m≤0.1,0.001≤n≤0.05。
8.如权利要求1-7任一项所述的稀土卤化物闪烁材料,其特征在于,m=1,0.001≤n≤0.05。
9.如权利要求1-8任一项所述的稀土卤化物闪烁材料,其特征在于,所述稀土卤化物闪烁材料中同时含有Ce3+和Ce4+
10.如权利要求1-9任一项所述的稀土卤化物闪烁材料,其特征在于,所述稀土卤化物闪烁材料为单晶体。
11.如权利要求1-10任一项所述的稀土卤化物闪烁材料,其特征在于,所述稀土卤化物闪烁材料采用布里奇曼法生长获得。
12.一种闪烁探测器,其特征在于,包括权利要求1-11任一项所述的稀土卤化物闪烁材料。
13.一种正电子发射断层扫描成像仪,其特征在于,包括权利要求12所述的闪烁探测器。
14.一种伽马能谱仪,其特征在于,包括权利要求12所述的闪烁探测器。
15.一种石油测井仪或岩性扫描成像仪,其特征在于,包括权利要求12所述的闪烁探测器。
CN201911065431.5A 2019-11-01 2019-11-01 稀土卤化物闪烁材料 Active CN110938433B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911065431.5A CN110938433B (zh) 2019-11-01 2019-11-01 稀土卤化物闪烁材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911065431.5A CN110938433B (zh) 2019-11-01 2019-11-01 稀土卤化物闪烁材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110938433A true CN110938433A (zh) 2020-03-31
CN110938433B CN110938433B (zh) 2022-03-08

Family

ID=69906264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911065431.5A Active CN110938433B (zh) 2019-11-01 2019-11-01 稀土卤化物闪烁材料

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110938433B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021083316A1 (zh) * 2019-11-01 2021-05-06 有研稀土新材料股份有限公司 稀土卤化物闪烁材料
CN113488596A (zh) * 2021-06-30 2021-10-08 华中科技大学 一种Ce3+基卤化物电致发光器件
CN115368897A (zh) * 2022-08-09 2022-11-22 有研稀土新材料股份有限公司 一种钾冰晶石型稀土闪烁材料

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010285559A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Hitachi Chem Co Ltd シンチレータ用結晶及び放射線検出器
WO2019168169A1 (ja) * 2018-03-02 2019-09-06 国立大学法人東北大学 蛍光体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010285559A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Hitachi Chem Co Ltd シンチレータ用結晶及び放射線検出器
WO2019168169A1 (ja) * 2018-03-02 2019-09-06 国立大学法人東北大学 蛍光体

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021083316A1 (zh) * 2019-11-01 2021-05-06 有研稀土新材料股份有限公司 稀土卤化物闪烁材料
CN113488596A (zh) * 2021-06-30 2021-10-08 华中科技大学 一种Ce3+基卤化物电致发光器件
CN113488596B (zh) * 2021-06-30 2022-05-20 华中科技大学 一种Ce3+基卤化物电致发光器件
CN115368897A (zh) * 2022-08-09 2022-11-22 有研稀土新材料股份有限公司 一种钾冰晶石型稀土闪烁材料
CN115368897B (zh) * 2022-08-09 2024-04-02 有研稀土新材料股份有限公司 一种钾冰晶石型稀土闪烁材料

Also Published As

Publication number Publication date
CN110938433B (zh) 2022-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110938433B (zh) 稀土卤化物闪烁材料
EP2782976B1 (en) Luminescent material and a process of forming the same
Kucera et al. Energy Transfer and Scintillation Properties of ${\hbox {Ce}}^{3+} $ Doped ${\hbox {(LuYGd)}} _ {3} $${\hbox {(AlGa)}} _ {5}{\hbox {O}} _ {12} $ Multicomponent Garnets
CN110982527B (zh) 稀土卤化物闪烁材料
CN109988577B (zh) 稀土卤化物闪烁材料及其应用
Dickens et al. Increased luminescence and improved decay kinetics in lithium and cerium co-doped yttrium aluminum garnet scintillators grown by the Czochralski method
Lindsey et al. Multi-ampoule Bridgman growth of halide scintillator crystals using the self-seeding method
CN110938868B (zh) 稀土卤化物闪烁材料
CN1587447A (zh) 掺铈焦硅酸镥高温闪烁单晶体的制备方法
CN115368897B (zh) 一种钾冰晶石型稀土闪烁材料
CN103695002B (zh) 无机闪烁材料
Zhu et al. Fast Ce, Ca: LuAG scintillation ceramics for HEP: Fabrication, characterization, and computation
Katrunov et al. Effect of rare-earth elements on luminescence properties of ZnSe-based Chalcogenide scintillators
Li et al. Scintillators
CN115322784A (zh) 一种八面体格位掺杂改善铝镓酸钆闪烁材料及其制备方法和应用
CN117552106B (zh) 稀土基零维钙钛矿卤化物闪烁单晶及其制备方法和应用
Zorenko et al. Preparation, Luminescence Properties, and Application of Scintillators Based on Lu 3 Al 5 O 12: Ce Single‐Crystal Films
WO2021149670A1 (ja) シンチレータおよび放射線検出器
JP2018070769A (ja) シンチレータ結晶、シンチレータ結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ結晶の製造方法
CN107118771B (zh) 一类具有β-K2SO4结构的正磷酸盐闪烁体材料及其制备方法与应用
CN1563514A (zh) 掺三价铈离子稀土铝酸盐晶体的制备方法
CN105778900A (zh) 无机闪烁材料
CN118006327A (zh) 超快高亮极低荧光稀土正硅酸盐闪烁材料及其制备方法
Luchechko et al. Growth and luminescent properties of Lu 3 (Ga, In) 5 O 12: Eu 3+ epitaxial films

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 100088, 2, Xinjie street, Xicheng District, Beijing

Patentee after: GRIREM ADVANCED MATERIALS Co.,Ltd.

Patentee after: Youyan Rare Earth High Tech Co.,Ltd.

Patentee after: Hebei xiongan Rare Earth Functional Material Innovation Center Co.,Ltd.

Address before: 100088, 2, Xinjie street, Xicheng District, Beijing

Patentee before: GRIREM ADVANCED MATERIALS Co.,Ltd.

Patentee before: GUOKE RE ADVANCED MATERIALS Co.,Ltd.

Patentee before: Hebei xiongan Rare Earth Functional Material Innovation Center Co.,Ltd.