稀土卤化物闪烁材料
技术领域
本发明涉及无机闪烁材料领域,尤其涉及一种稀土卤化物闪烁材料。
背景技术
闪烁材料可用于α射线、γ射线、X射线等高能射线以及中子等高能粒 子的探测,在核医学、高能物理、安全检查、石油测井等领域均有广泛应用。
闪烁材料通常以单晶体的形式应用,在部分情况下也可以是陶瓷或其他 形式。
不同的应用领域对闪烁材料的性能要求不尽相同。但对大多数应用领域 而言,都希望闪烁材料具有尽量高的光产额、尽量短的衰减时间和尽量高的 能量分辨率。特别是对于正电子发射断层扫描仪(positron emission tomography,PET)之类的核医学成像装置而言,这些参数对成像质量至关重 要。
E.V.D.van Loef等人于2001年公开的LaBr3:Ce晶体,具有很高的光输 出(>60000ph/MeV)、很短的衰减时间(<30ns)和很高的能量分辨率(约 3%@662keV),是一种性能极为优异的闪烁材料。
已公开的其它稀土卤化物闪烁晶体还包括:CeBr3、LaCl3:Ce、LuI3:Ce、 YI3:Ce、GdI3:Ce等,它们也都具有优异的闪烁性能。
所有这些稀土卤化物闪烁晶体的发光中心都是Ce3+。
现有技术采用碱土金属离子进行掺杂,可以进一步改善LaBr3:Ce晶体的 能量分辨率和能量响应线性等性能。事实上,该方法也被用于改善Ce3+激活 的硅酸镥和硅酸钇镥等晶体的性能。但碱土金属离子毕竟是一种异质杂质, 与稀土离子存在半径和价态差异,这种掺杂易于引发晶体生长缺陷,且会因 分凝现象而造成晶体不同部位碱土金属离子的掺杂浓度不一致,进而影响晶 体性能的均匀性。
发明内容
本发明的目的在于通过成分调控,进一步提升LaBr3:Ce闪烁材料的性能, 从而获得综合性能更为优异的新材料,并依据该新材料进行不同场景的应用。
为达到上述目的,本发明的第一方面提供了一种稀土卤化物闪烁材料, 该稀土卤化物闪烁材料的化学通式为RE1-mCemX3+n,其中RE为稀土元素La、Gd、 Lu、Y中的一种,X为Cl、Br、I中的一种或两种,0.001≤m≤1,0.0001≤n ≤0.1。
进一步的,RE为La,X为Br。
进一步的,RE为La,X为Cl。
进一步的,RE为Gd,X为I。
进一步的,RE为Lu,X为I。
进一步的,RE为Y,X为I。
进一步的,0.005≤m≤0.1,0.001≤n≤0.05。
进一步的,m=1,0.001≤n≤0.05。
进一步的,所述稀土卤化物闪烁材料中同时含有Ce3+和Ce4+。
进一步的,所述稀土卤化物闪烁材料为单晶体。
进一步的,所述稀土卤化物闪烁材料采用布里奇曼法生长获得。
本发明的第二方面提供了一种闪烁探测器,包括如前所述的稀土卤化物 闪烁材料。
本发明的第三方面提供了一种正电子发射断层扫描成像仪,包括如前所 述的闪烁探测器。
本发明的第四方面提供了一种伽马能谱仪,包括如前所述的闪烁探测器。
本发明的第五方面提供了一种石油测井仪,包括如前所述的闪烁探测器。
本发明的第六方面提供了一种岩性扫描成像仪,包括如前所述的闪烁探 测器。
本发明的上述技术方案具有如下有益的技术效果:本发明所获得的稀土 卤化物闪烁材料具有极佳的闪烁性能,综合性能明显优于常规的不掺杂溴化 镧晶体,晶体均匀性则明显优于碱土金属离子掺杂的溴化镧晶体,同时晶体 生长的成品率明显提高。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了,下面结合具体实 施方式,对本发明进一步详细说明。应该理解,这些描述只是示例性的, 而并非要限制本发明的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和 技术的描述,以避免不必要地混淆本发明的概念。
本发明的第一方面提供了一种稀土卤化物闪烁材料。该稀土卤化物闪烁 材料的化学通式为RE1-mCemX3+n,其中RE为稀土元素La、Gd、Lu、Y中的一种, X为Cl、Br、I中的一种或两种,0.001≤m≤1,0.0001≤n≤0.1。
进一步地,RE和X的组合可以为以下几种:La和Br,La和Cl,Gd和I, Lu和I,Y和I。
进一步的,0.005≤m≤0.1,0.001≤n≤0.05,进一步优选的,m=1,0.001 ≤n≤0.05。
上述稀土卤化物闪烁材料可以是粉末、陶瓷或单晶,但优选以单晶形态 应用,单晶体可采用布里奇曼法生长获得。
本发明的一个显著特征在于,本发明提供的稀土卤化物闪烁材料既含有 Ce3+,也含有Ce4+,Ce离子的表观价态介于+3价和+4价之间。本发明正是通 过调整稀土离子与卤素离子的比例,调控Ce4+的含量,从而实现对稀土卤化 物闪烁材料的性能提升。
本发明能够进一步改进LaBr3:Ce的掺杂改性方案,解决现有掺杂方案在 LaBr3:Ce晶体中掺杂碱土金属离子异质所带来的易于引发生长缺陷和晶体闪 烁性能一致性欠佳的问题。本发明实施例中使LaBr3:Ce中的卤素离子过量, 偏离其与稀土离子3:1的化学计量比,诱发部分Ce3+基于电荷平衡而转化成 Ce4+,从而起到改善晶体性能均匀性的效果,并有效避免因异质掺杂而带来的 引发生长缺陷和分凝不均等问题。
本发明实施例采用如下的方法以获得化学通式为La1-xCexBr3+y的稀土卤化 物闪烁材料。
方法之一:将生长LaBr3:Ce晶体所用的无水LaBr3、CeBr3原料在含有Br2蒸气的环境中加热,其可以吸收少量Br2蒸气而使得原料中Br与稀土离子的 摩尔比大于3:1的化学计量比。通过控制Br2蒸气浓度和加热时间,可以获 得不同Br富余量的溴化镧、溴化铈原料。采用这种富Br的溴化镧、溴化铈 原料进行单晶生长,即可获得本发明所涉及的稀土卤化物闪烁材料。其中, 稀土元素可选择为La、Gd、Lu、Y中的一种,X可选择为Cl、Br、I中的一种或两种。
方法之二:先采用化学计量比的LaBr3、CeBr3原料生长获得符合化学计 量比的LaBr3:Ce晶体,再将晶体在含有部分Br2蒸气的干燥惰性气体如Ar气 中进行退火处理,从而使LaBr3:Ce晶体中的Br超出化学计量比,获得本发 明所涉及的稀土卤化物闪烁材料。其中,稀土元素可选择为La、Gd、Lu、Y 中的一种,X可选择为Cl、Br、I中的一种或两种。
根据本发明的一个实施例,本发明所获得的稀土卤化物闪烁材料具有极 佳的闪烁性能,综合性能明显优于常规的不掺杂溴化镧晶体,晶体均匀性则 明显优于碱土金属离子掺杂的溴化镧晶体,同时晶体生长的成品率明显提高。
将本发明的技术思路应用到CeBr3、LaCl3:Ce、LuI3:Ce、YI3:Ce、GdI3:Ce 等其它的稀土卤化物闪烁材料中,发现也都具有良好的实施效果。
需要说明的是,本发明中卤素离子的富余量n仅限于一个较小的范围。 本发明中,卤素离子富余量的取值范围是0.0001≤n≤0.1,优选的范围是 0.001≤n≤0.05。在本发明的范围内,晶体呈现无色或淡黄色,具有优异的 闪烁性能。而过高的卤素离子富余量将导致晶体呈现较明显的黄色,并引起 光产额下降、能量分辨率变差、衰减时间延长等问题。
本发明同样涉及包含上述稀土卤化物闪烁材料的闪烁探测器,以及包含 该闪烁探测器的正电子发射断层扫描仪、伽马能谱仪、石油测井仪或岩性扫 描成像仪。
下面将结合具体的实施例进一步说明本发明的有益效果。
对比例1:在充Ar手套箱中准确称取119.89g无水LaBr3(99.99%)和 6.33g无水CeBr3(99.99%),混合均匀后装入直径25mm的石英坩埚中。将 石英坩埚从手套箱中取出后迅速接入真空系统抽真空,当真空度达到1× 10-3Pa时烧熔封口。将坩埚置于布里奇曼晶体炉中进行单晶生长。高温区温 度为850℃,低温区温度为700℃,梯度区温度梯度约10℃/cm,坩埚下降速 率为0.5-2mm/h,总的生长时间约15天。所得晶体透明无色,长度约5cm。 将晶体在手套箱中切割加工成Φ25mm×25mm的圆柱状样品,进行光产额、衰 减时间、能量分辨率测试及晶体成分分析。
对比例2:在充Ar手套箱中准确称取119.89g无水LaBr3(99.99%)、6.33g 无水CeBr3(99.99%)和0.041g无水SrBr2(99.99%),混合均匀后装入直径 25mm的石英坩埚中。其余操作均与对比例1相同。
实施例1:在充Ar手套箱中准确称取119.89g无水LaBr3(99.99%)和 6.46g无水CeBr3.1(99.99%),混合均匀后装入直径25mm的石英坩埚中。其 余操作均与对比例1相同。
实施例2-10除原料配比不同外,其余操作均与实施例1相同。
所有实施例的详细对比情况见表1。
表1
综上所述,本发明提供了一种稀土卤化物闪烁材料,该稀土卤化物闪烁 材料的化学通式为RE1-mCemX3+n,其中RE为稀土元素La、Gd、Lu、Y中的一种, X为Cl、Br、I中的一种或两种,0.001≤m≤1,0.0001≤n≤0.1。本发明所 获得的稀土卤化物闪烁材料具有极佳的闪烁性能,综合性能明显优于常规的 不掺杂溴化镧晶体,晶体均匀性则明显优于碱土金属离子掺杂的溴化镧晶体, 同时晶体生长的成品率明显提高。
应当理解的是,本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释 本发明的原理,而不构成对本发明的限制。因此,在不偏离本发明的精神和 范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保 护范围之内。此外,本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和 边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。