CN110931525B - 一种oled阵列基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED阵列基板及其制备方法和显示装置。该制备方法包括：先后在基板上形成驱动晶体管、平坦层和发光元件的阳极，形成平坦层包括形成第一过孔的图形，第一过孔的位置对应阳极和驱动晶体管的漏极，在形成驱动晶体管之后且在形成平坦层之前还包括：形成氧化阻挡层，氧化阻挡层覆盖整个驱动晶体管。该制备方法，通过在形成平坦层之前且在驱动晶体管形成之后形成氧化阻挡层，且使氧化阻挡层覆盖整个驱动晶体管，能在形成平坦层及其中的第一过孔后，对平坦层的烘干过程中阻挡氧气对漏极表面的氧化，从而减小漏极与阳极之间的接触电阻，进而减小OLED阵列基板的功耗。

Description

一种OLED阵列基板及其制备方法和显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种OLED阵列基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
OLED(organic light emitting diode)显示产品结构中，阳极通过平坦层中的过孔与驱动管的漏极接触，从而获得电源，为OLED发光提供空穴。漏极通常采用Ti-Al-Ti三导电叠层结构，阳极通常采用ITO-Ag-ITO三导电叠层结构，为了减小施加到阳极上的压降，提高产品特性，我们希望漏极与阳极之间的接触电阻越小越好。但实际工艺中，在平坦层制备的后烘干工序，由于平坦层中过孔处漏极暴露，后烘干工序不控氧会将漏极裸露的表层氧化，使漏极与阳极的接触从Ti与ITO的欧姆接触变为TiOx和ITO的肖特基接触，导致漏极与阳极的接触电阻增大，以致增大了OLED显示产品的功耗。
发明内容
本发明针对现有OLED显示产品中驱动管漏极与阳极之间的接触电阻在平坦层后烘干工序中因氧化而增大，增大了OLED显示产品功耗的问题，提供一种OLED阵列基板及其制备方法和显示装置。该制备方法能在形成平坦层及其中的第一过孔后，对平坦层的烘干过程中阻挡氧气对漏极表面的氧化，从而减小漏极与阳极之间的接触电阻，进而减小OLED阵列基板的功耗。
本发明提供一种OLED阵列基板的制备方法，包括：先后在基板上形成驱动晶体管、平坦层和发光元件的阳极，形成所述平坦层包括形成第一过孔的图形，所述第一过孔的位置对应所述阳极和所述驱动晶体管的漏极，在形成所述驱动晶体管之后且在形成所述平坦层之前还包括：形成氧化阻挡层，所述氧化阻挡层覆盖整个所述驱动晶体管。
优选的，所述氧化阻挡层采用无机绝缘材料。
优选的，所述氧化阻挡层的厚度范围为2000-
Figure BDA0002285150100000021
优选的，所述氧化阻挡层采用干法刻蚀形成。
优选的，所述OLED阵列基板在无氧的工艺环境中制备。
优选的，在形成所述平坦层之后且在形成所述阳极之前还包括：
将所述平坦层作为掩膜板，采用干法刻蚀在所述氧化阻挡层中形成第二过孔的图形；所述第二过孔与所述第一过孔位置相对应，所述阳极能通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述驱动晶体管的漏极。
优选的，形成所述平坦层包括：
涂敷有机绝缘材料的平坦层膜；
对所述平坦层膜进行烘干；
对所述平坦层膜进行曝光、显影，形成所述平坦层的图形和所述第一过孔的图形；
对所述平坦层进行烘干。
本发明还提供一种OLED阵列基板，包括基板，设置在所述基板上的驱动晶体管、平坦层和发光元件，所述发光元件包括阳极，所述驱动晶体管、所述平坦层和所述阳极依次远离所述基板分布，所述平坦层中开设有第一过孔，所述第一过孔的位置对应所述阳极和所述驱动晶体管的漏极，还包括氧化阻挡层，所述氧化阻挡层设置于所述驱动晶体管和所述平坦层之间，所述氧化阻挡层在对应漏极的位置开设有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔位置相对应，所述阳极通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述驱动晶体管的漏极。
本发明还提供一种显示装置，包括上述OLED阵列基板。
本发明的有益效果：本发明所提供的OLED阵列基板的制备方法，通过在形成平坦层之前且在驱动晶体管形成之后形成氧化阻挡层，且使氧化阻挡层覆盖整个驱动晶体管，能在形成平坦层及其中的第一过孔后，对平坦层的烘干过程中阻挡氧气对漏极表面的氧化，从而减小漏极与阳极之间的接触电阻，进而减小OLED阵列基板的功耗。
本发明所提供的显示装置，通过采用上述OLED阵列基板，能够减小显示装置中漏极与阳极之间的接触电阻，从而减小该显示装置的功耗，进而提升该显示装置的显示效果。
附图说明
图1为现有一种OLED阵列基板的制备工艺示意图；
图2为现有另一种OLED阵列基板的制备工艺示意图；
图3为本发明实施例中OLED阵列基板的制备工艺示意图；
图4为本发明实施例中制备工艺制备的OLED阵列基板与现有工艺制备的OLED阵列基板中漏极与阳极的接触电阻比较示意图。
其中附图标记为：
1、平坦层；11、第一过孔；2、阳极；3、漏极；4、氧化阻挡层；41、第二过孔；5、无机绝缘层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明一种OLED阵列基板及其制备方法和显示装置作进一步详细描述。
现有工艺中，如图1所示，平坦层1的后烘干工序不控氧会使漏极3裸露的表层氧化增大漏极3与阳极2的接触电阻，如表1所示：
Figure BDA0002285150100000031
现有工艺中，如图2所示，为了改善OLED显示产品中水氧入侵对发光元件的损伤，在驱动管源极、漏极3与平坦层1之间增加了无机绝缘层5(如SiNx层)，无机绝缘层5中在对应漏极3的位置开设有第二过孔41，阳极2通过平坦层1中的第一过孔11和无机绝缘层5中的第二过孔41连接驱动管的漏极3。但无机绝缘层5中的第二过孔41在平坦层1形成之前形成，通过干刻的方式在无机绝缘层5中形成第二过孔41的工艺中，也会对漏极3的表层形成一定的氧化。
实际测试显示，未设置无机绝缘层时，漏极表层氧化钛的厚度为6.5nm；设置无机绝缘层时，漏极表层氧化钛的厚度为10nm，即漏极表面氧化层厚度更厚，无机绝缘层的干刻工艺和平坦层的后烘干工序使漏极裸露表层的氧化更加严重，即无机绝缘层的干刻工艺进一步增大了漏极与阳极之间的接触电阻，如表2所示，
Figure BDA0002285150100000041
针对现有OLED显示产品制备工艺中的上述问题，本发明实施例提供一种OLED阵列基板的制备方法，如图3所示，包括：先后在基板上形成驱动晶体管、平坦层1和发光元件的阳极2，形成平坦层1包括形成第一过孔11的图形，第一过孔11的位置对应阳极2和驱动晶体管的漏极3，在形成驱动晶体管之后且在形成平坦层1之前还包括：形成氧化阻挡层4，氧化阻挡层4覆盖整个驱动晶体管。
其中，形成平坦层1包括：涂敷有机绝缘材料的平坦层膜；对平坦层膜进行烘干；对平坦层膜进行曝光、显影，形成平坦层1的图形和第一过孔11的图形；对平坦层1进行烘干。在平坦层1的图形形成之后的烘干工序中，氧化阻挡层4能覆盖整个漏极3表面，从而能够避免平坦层1烘干工序中氧气对漏极3的氧化。
在OLED阵列基板的制备工艺中，通过在形成平坦层1之前且在驱动晶体管形成之后形成氧化阻挡层4，且使氧化阻挡层4覆盖整个驱动晶体管，能在形成平坦层1及其中的第一过孔11后，对平坦层1的烘干过程中阻挡氧气对漏极3表面的氧化，从而减小漏极3与阳极2之间的接触电阻，进而减小OLED阵列基板的功耗。
本实施例中，氧化阻挡层4采用无机绝缘材料。如氧化阻挡层4采用氮化硅或氧化硅材料。氧化阻挡层4的厚度范围为2000-
Figure BDA0002285150100000051
该厚度范围的氧化阻挡层4足以能在平坦层1的烘干过程中对氧气形成阻挡，从而避免氧气对漏极3的氧化，进而减小漏极3与阳极2之间的接触电阻。
本实施例中，氧化阻挡层4采用干法刻蚀形成。采用干法刻蚀形成氧化阻挡层4的图形时，氧气不会对驱动晶体管的漏极3形成氧化，从而能避免漏极3与阳极2之间接触电阻的增大。
优选的，本实施例中，OLED阵列基板在无氧的工艺环境中制备。如此设置，能够进一步减小OLED阵列基板制备工艺中漏极3被氧化的可能性，从而进一步减小漏极3与阳极2之间接触电阻增大的可能性。
本实施例中，在形成平坦层1之后且在形成阳极2之前还包括：将平坦层1作为掩膜板，采用干法刻蚀在氧化阻挡层4中形成第二过孔41；第二过孔41与第一过孔11位置相对应，阳极2能通过第一过孔11和第二过孔41连接驱动晶体管的漏极3。干法刻蚀形成氧化阻挡层4中的第二过孔41时，会对漏极3形成氧化，但该过程对漏极3的氧化程度较小，不会使漏极3与阳极2之间的接触电阻太大。
本实施例中，如图4所示，通过使OLED阵列基板在无氧的工艺环境中制备，能够减小漏极3被氧化的可能性，从而减小漏极3与阳极2之间接触电阻；通过在形成平坦层1之前且在驱动晶体管形成之后形成氧化阻挡层4，且使氧化阻挡层4覆盖整个驱动晶体管，能进一步减小漏极3被氧化的可能性，从而进一步减小漏极3与阳极2之间接触电阻；如表3所示为漏极3与阳极2在上述两种情况下的接触电阻测试结果：
Figure BDA0002285150100000052
本实施例中，平坦层1的厚度范围为1260-
Figure BDA0002285150100000053
平坦层1在干法刻蚀形成氧化阻挡层4中的第二过孔41时，会损失一部分厚度，该厚度范围的平坦层1，在损失一部分厚度后仍然能对平坦层1下方的其他导电膜层形成正常的包覆，以确保对平坦层1下方的其他导电膜层形成良好的绝缘保护，不会对平坦层1下方的其他导电膜层造成包覆风险。
基于OLED阵列基板的上述制备方法，本实施例还提供一种采用该制备方法制备的OLED阵列基板，包括基板，设置在基板上的驱动晶体管、平坦层和发光元件，发光元件包括阳极，驱动晶体管、平坦层和阳极依次远离基板分布，平坦层中开设有第一过孔，第一过孔的位置对应阳极和驱动晶体管的漏极，还包括氧化阻挡层，氧化阻挡层设置于驱动晶体管和平坦层之间，氧化阻挡层在对应漏极的位置开设有第二过孔，第二过孔与第一过孔位置相对应，阳极通过第一过孔和第二过孔连接驱动晶体管的漏极。
本实施例的有益效果：本实施例所提供的OLED阵列基板的制备方法，通过在形成平坦层之前且在驱动晶体管形成之后形成氧化阻挡层，且使氧化阻挡层覆盖整个驱动晶体管，能在形成平坦层及其中的第一过孔后，对平坦层的烘干过程中阻挡氧气对漏极表面的氧化，从而减小漏极与阳极之间的接触电阻，进而减小OLED阵列基板的功耗。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述实施例中的OLED阵列基板。
通过采用上述实施例中的OLED阵列基板，能够减小显示装置中漏极与阳极之间的接触电阻，从而减小该显示装置的功耗，进而提升该显示装置的显示效果。
本发明所提供的显示装置可以为OLED面板、OLED电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种OLED阵列基板的制备方法，包括：先后在基板上形成驱动晶体管、平坦层和发光元件的阳极；形成所述平坦层依次包括涂敷有机绝缘材料的平坦层膜，对所述平坦层膜进行烘干，对所述平坦层膜进行曝光、显影，形成所述平坦层的图形和第一过孔的图形，对所述平坦层进行烘干；
所述第一过孔的位置对应所述阳极和所述驱动晶体管的漏极，其特征在于，在形成所述驱动晶体管之后且在形成所述平坦层之前还包括：形成氧化阻挡层，所述氧化阻挡层覆盖整个所述驱动晶体管；
在形成所述平坦层之后且在形成所述阳极之前还包括：
将所述平坦层作为掩膜板，采用干法刻蚀在所述氧化阻挡层中形成第二过孔的图形；所述第二过孔与所述第一过孔位置相对应，所述阳极能通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述驱动晶体管的漏极；
所述OLED阵列基板在无氧的工艺环境中制备。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，所述氧化阻挡层采用无机绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，所述氧化阻挡层的厚度范围为
Figure FDA0003686773400000011
4.根据权利要求3所述的OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，所述氧化阻挡层采用干法刻蚀形成。
5.根据权利要求4所述的OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，所述平坦层的厚度范围为
Figure FDA0003686773400000012
6.一种OLED阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由权利要求1至5任一所述的制备方法制备而成。
7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6所述的OLED阵列基板。
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