CN110908427A - 一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，其特征在于：所述电路包括了一个误差放大器、一个主通路和一个限流保护电路；误差放大器与主通路形成负反馈环路，将输出反馈电压和基准电压之间的误差小信号进行放大，经过调整管放大到输出，保证了输出电压稳定在规定值上；限流保护电路与主通路形成电流环路，从而实现对输出电流的限制和保护功能，当线性稳压器工作在输入输出压差较大的情况下，可以将高压线性稳压器的负载电流限制在一定范围之内，避免长时间的大电流对功率管造成损坏，从而烧毁芯片。本电路具有稳定的限流保护功能，结构简单，大大提高系统的可靠性。

Description

一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路

技术领域

本发明属于高压线性稳压技术领域，尤其涉及一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路

背景技术

目前，随着便携式电子产品数量的蔓延式增长，线性稳压器和开关电源管理器得到越来越广泛的应用。相比于开关电源管理器，线性稳压器具有可集成、纹波小、噪声小、无电磁干扰及成本低的优势，尤其受到各大电子产品设计制造厂商的青睐。但是，线性稳压器长时间工作在输入输出压差较大的情况下，大电流对功率管造成损坏，从而烧毁芯片。

因此，提供一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路。

一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，包括主通路、误差放大器和限流保护电路；所述主通路包括P型MOS管、N型MOS管、第一电阻R1、第二电阻R2，所述误差放大器包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、电流源IBIAS、电阻R和电容C，所述限流保护电路包括限流电路和保护电路，所述限流电路包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、第一电流源IBIAS1和第二电流源IBIAS2，所述保护电路包括三个P型MOS管、一个N型MOS管、第一电阻r1、第二电阻r2、第一反相器INV1、第二反相器INV2和第三反相器INV3。

进一步的方案为：误差放大器的输入端VINP与输入端口VINP相连，误差放大器的另一输入端VINN与主通路的第一电阻R1的一端、第二电阻R2的一端相连，误差放大器的输出端VOUT与主通路的第一N型MOS管N1的栅极相连，主通路的第一P型MOS管P1的源极与电源相连，主通路的第一P型MOS管P1的栅极与限流保护电路的输出端DRV相连，主通路的第一P型MOS管P1的漏极、第一N型MOS管N1的漏极与限流保护电路的输入端CSV相连，主通路的第一N型MOS管N1的源极、第一电阻R1的另一端与输出端口Vout相连，主通路的第二电阻R2的另一端与地相连。

进一步的方案为：在所述误差放大器中，电流源IBIAS的一端、第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第五P型MOS管MP5的源极、第六P型MOS管MP6的源极、第七P型MOS管MP7的源极与电源连接，第一P型MOS管MP1的栅极、第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的栅极与第三N型MOS管MN3的漏极连接，第二P型MOS管MP2的漏极、第三P型MOS管MP3的源极与第四P型MOS管MP4的源极连接，第三P型MOS管MP3的栅极与输入端口VINP连接，第三P型MOS管MP3的漏极、第五N型MOS管MN5的漏极、第五N型MOS管MN5的栅极与第十N型MOS管MN10的栅极连接，第四P型MOS管MP4的栅极与输入端口VINN连接，第四P型MOS管MP4的漏极、第六N型MOS管MN6的漏极、第六N型MOS管MN6的栅极与第九N型MOS管MN9的栅极连接，第五P型MOS管MP5的栅极、第五P型MOS管MP5的漏极、第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极与第七N型MOS管MN7的漏极连接，第六P型MOS管MP6的漏极、第八P型MOS管MP8的栅极、第八N型MOS管MN8的漏极与电阻R的一端连接，第七P型MOS管MP7的漏极、第八P型MOS管MP8的源极与输出端口VOUT连接，第八P型MOS管MP8的漏极与第十一N型MOS管MN11的漏极连接，第一N型MOS管MN1的漏极、第一N型MOS管MN1的栅极、第三N型MOS管MN3的栅极、第七N型MOS管MN7的栅极、第八N型MOS管MN8的栅极与电流源IBIAS的另一端连接，第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的漏极、第二N型MOS管MN2的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极与第十一N型MOS管MN11的栅极连接，第三N型MOS管MN3的源极与第四N型MOS管MN4的漏极连接，第七N型MOS管MN7的源极与第九N型MOS管MN9的漏极连接，第八N型MOS管MN8的源极与第十N型MOS管MN10的漏极连接，电阻R的另一端与电容C的一端连接，第二N型MOS管MN2的源极、第四N型MOS管MN4的源极、第五N型MOS管MN5的源极、第六N型MOS管MN6的源极、第九N型MOS管MN9的源极、第十N型MOS管MN10的源极、第十一N型MOS管MN11的源极、电容C的另一端与地连接。

进一步的方案为：在限流电路中，第一P型MOS管mP1的源极、第二P型MOS管mP2的源极、第三P型MOS管mP3的源极、第四P型MOS管mP4的源极、第五P型MOS管mP5的源极、第六P型MOS管mP6的源极、第三N型MOS管mN3的栅极、第一电流源IBIAS1的一端、第二电流源IBIAS2的一端与电源连接，第一P型MOS管mP1的栅极、第一P型MOS管mP1的漏极、第二P型MOS管mP2的栅极与第三N型MOS管mN3的漏极连接，第二P型MOS管mP2的漏极、第三P型MOS管mP3的栅极、第三P型MOS管mP3的漏极、第四P型MOS管mP4的栅极与第四N型MOS管mN4的漏极连接，第四P型MOS管mP4的漏极、第五P型MOS管mP5的栅极、第六P型MOS管mP6的栅极、第六P型MOS管mP6的漏极、第八N型MOS管mN8的漏极、第九N型MOS管mN9的漏极与输出端口DRV连接，第五P型MOS管mP5的漏极与第八P型MOS管mP8的源极连接，第七P型MOS管mP7的源极与输入端口CSV连接，第七P型MOS管mP7的栅极、第七P型MOS管mP7的漏极、第八P型MOS管mP8的栅极与第六N型MOS管mN6的漏极连接，第八P型MOS管mP8的漏极、第五N型MOS管mN5的栅极、第六N型MOS管mN6的栅极、第七N型MOS管mN7的栅极与第七N型MOS管mN7的漏极连接，第一N型MOS管mN1的漏极、第一N型MOS管mN1的栅极、第二N型MOS管mN2的栅极与第一电流源IBIAS1的另一端连接，第二N型MOS管mN2的漏极与第三N型MOS管mN3的源极连接，第四N型MOS管mN4的栅极、第九N型MOS管mN9的栅极与输入信号OCP连接，第四N型MOS管mN4的源极与第五N型MOS管mN5的漏极连接，第八N型MOS管mN8的栅极、第十N型MOS管mN10的栅极、第十一N型MOS管mN11的栅极、第十一N型MOS管mN11的漏极与第二电流源IBIAS2的另一端连接，第九N型MOS管mN9的源极与第十N型MOS管mN10的漏极连接，第一N型MOS管mN1的源极、第二N型MOS管mN2的源极、第五N型MOS管mN5的源极、第六N型MOS管mN6的源极、第七N型MOS管mN7的源极、第八N型MOS管mN8的源极、第十N型MOS管mN10的源极、第十一N型MOS管mN11的源极与地连接；

在保护电路中，第一P型MOS管Mp1的源极、第一N型MOS管Mn1的栅极、第一电阻r1的一端与电源连接，第一P型MOS管Mp1的栅极、第一P型MOS管Mp1的漏极与第二P型MOS管Mp2的源极连接，第二P型MOS管Mp2的栅极、第二P型MOS管Mp2的漏极、第三P型MOS管Mp3的栅极与输入端口CSV连接，第三P型MOS管Mp3的源极与第一电阻r1的另一端连接，第三P型MOS管Mp3的漏极、第一N型MOS管Mn1的漏极与第二电阻r2的一端连接，第一N型MOS管Mn1的源极与第一反相器INV1的输入端A连接，第一反相器INV1的输出端Y与第二反相器INV2的输入端A连接，第二反相器INV2的输出端Y与第三反相器INV3的输入端A连接，第三反相器INV3的输出端Y与输出信号OCP连接，第二电阻r2的另一端与地连接。

与相关技术相比，本发明的有益效果如下：本申请电路具有稳定的限流保护功能，结构简单，当线性稳压器工作在输入输出压差较大的情况下，可以将高压线性稳压器的负载电流限制在一定范围之内，避免长时间的大电流对功率管造成损坏，从而烧毁芯片，提高系统的可靠性。

附图说明

图1为一种带限流保护功能的高压线性稳压器系统示意图；

图2为误差放大器电路图；

图3为限流电路图；

图4为保护电路图。

具体实施方式

下面将结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。

本申请公开了一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，包括主通路、误差放大器和限流保护电路；所述主通路包括P型MOS管、N型MOS管、第一电阻R1、第二电阻R2，所述误差放大器包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、电流源IBIAS、电阻R和电容C，所述限流保护电路包括限流电路和保护电路，所述限流电路包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、第一电流源IBIAS1和第二电流源IBIAS2，所述保护电路包括三个P型MOS管、一个N型MOS管、第一电阻r1、第二电阻r2、第一反相器INV1、第二反相器INV2和第三反相器INV3。

误差放大器的输入端VINP与输入端口VINP相连，误差放大器的另一输入端VINN与主通路的第一电阻R1的一端、第二电阻R2的一端相连，误差放大器的输出端VOUT与主通路的第一N型MOS管N1的栅极相连，主通路的第一P型MOS管P1的源极与电源相连，主通路的第一P型MOS管P1的栅极与限流保护电路的输出端DRV相连，主通路的第一P型MOS管P1的漏极、第一N型MOS管N1的漏极与限流保护电路的输入端CSV相连，主通路的第一N型MOS管N1的源极、第一电阻R1的另一端与输出端口Vout相连，主通路的第二电阻R2的另一端与地相连。

在所述误差放大器中，电流源IBIAS的一端、第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第五P型MOS管MP5的源极、第六P型MOS管MP6的源极、第七P型MOS管MP7的源极与电源连接，第一P型MOS管MP1的栅极、第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的栅极与第三N型MOS管MN3的漏极连接，第二P型MOS管MP2的漏极、第三P型MOS管MP3的源极与第四P型MOS管MP4的源极连接，第三P型MOS管MP3的栅极与输入端口VINP连接，第三P型MOS管MP3的漏极、第五N型MOS管MN5的漏极、第五N型MOS管MN5的栅极与第十N型MOS管MN10的栅极连接，第四P型MOS管MP4的栅极与输入端口VINN连接，第四P型MOS管MP4的漏极、第六N型MOS管MN6的漏极、第六N型MOS管MN6的栅极与第九N型MOS管MN9的栅极连接，第五P型MOS管MP5的栅极、第五P型MOS管MP5的漏极、第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极与第七N型MOS管MN7的漏极连接，第六P型MOS管MP6的漏极、第八P型MOS管MP8的栅极、第八N型MOS管MN8的漏极与电阻R的一端连接，第七P型MOS管MP7的漏极、第八P型MOS管MP8的源极与输出端口VOUT连接，第八P型MOS管MP8的漏极与第十一N型MOS管MN11的漏极连接，第一N型MOS管MN1的漏极、第一N型MOS管MN1的栅极、第三N型MOS管MN3的栅极、第七N型MOS管MN7的栅极、第八N型MOS管MN8的栅极与电流源IBIAS的另一端连接，第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的漏极、第二N型MOS管MN2的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极与第十一N型MOS管MN11的栅极连接，第三N型MOS管MN3的源极与第四N型MOS管MN4的漏极连接，第七N型MOS管MN7的源极与第九N型MOS管MN9的漏极连接，第八N型MOS管MN8的源极与第十N型MOS管MN10的漏极连接，电阻R的另一端与电容C的一端连接，第二N型MOS管MN2的源极、第四N型MOS管MN4的源极、第五N型MOS管MN5的源极、第六N型MOS管MN6的源极、第九N型MOS管MN9的源极、第十N型MOS管MN10的源极、第十一N型MOS管MN11的源极、电容C的另一端与地连接。输入端口VINP接入基准电压VREF，输入端口VINN接入输出Vout的反馈电压VFB，当输出电压将达到规定值时，反馈电压VFB也接近于基准电压VREF，此时误差放大器将输出反馈电压和基准电压之间的误差小信号进行放大，经过调整管放大到输出，从而形成负反馈，保证了输出电压稳定在规定值上。

在限流电路中，第一P型MOS管mP1的源极、第二P型MOS管mP2的源极、第三P型MOS管mP3的源极、第四P型MOS管mP4的源极、第五P型MOS管mP5的源极、第六P型MOS管mP6的源极、第三N型MOS管mN3的栅极、第一电流源IBIAS1的一端、第二电流源IBIAS2的一端与电源连接，第一P型MOS管mP1的栅极、第一P型MOS管mP1的漏极、第二P型MOS管mP2的栅极与第三N型MOS管mN3的漏极连接，第二P型MOS管mP2的漏极、第三P型MOS管mP3的栅极、第三P型MOS管mP3的漏极、第四P型MOS管mP4的栅极与第四N型MOS管mN4的漏极连接，第四P型MOS管mP4的漏极、第五P型MOS管mP5的栅极、第六P型MOS管mP6的栅极、第六P型MOS管mP6的漏极、第八N型MOS管mN8的漏极、第九N型MOS管mN9的漏极与输出端口DRV连接，第五P型MOS管mP5的漏极与第八P型MOS管mP8的源极连接，第七P型MOS管mP7的源极与输入端口CSV连接，第七P型MOS管mP7的栅极、第七P型MOS管mP7的漏极、第八P型MOS管mP8的栅极与第六N型MOS管mN6的漏极连接，第八P型MOS管mP8的漏极、第五N型MOS管mN5的栅极、第六N型MOS管mN6的栅极、第七N型MOS管mN7的栅极与第七N型MOS管mN7的漏极连接，第一N型MOS管mN1的漏极、第一N型MOS管mN1的栅极、第二N型MOS管mN2的栅极与第一电流源IBIAS1的另一端连接，第二N型MOS管mN2的漏极与第三N型MOS管mN3的源极连接，第四N型MOS管mN4的栅极、第九N型MOS管mN9的栅极与输入信号OCP连接，第四N型MOS管mN4的源极与第五N型MOS管mN5的漏极连接，第八N型MOS管mN8的栅极、第十N型MOS管mN10的栅极、第十一N型MOS管mN11的栅极、第十一N型MOS管mN11的漏极与第二电流源IBIAS2的另一端连接，第九N型MOS管mN9的源极与第十N型MOS管mN10的漏极连接，第一N型MOS管mN1的源极、第二N型MOS管mN2的源极、第五N型MOS管mN5的源极、第六N型MOS管mN6的源极、第七N型MOS管mN7的源极、第八N型MOS管mN8的源极、第十N型MOS管mN10的源极、第十一N型MOS管mN11的源极与地连接；

在保护电路中，第一P型MOS管Mp1的源极、第一N型MOS管Mn1的栅极、第一电阻r1的一端与电源连接，第一P型MOS管Mp1的栅极、第一P型MOS管Mp1的漏极与第二P型MOS管Mp2的源极连接，第二P型MOS管Mp2的栅极、第二P型MOS管Mp2的漏极、第三P型MOS管Mp3的栅极与输入端口CSV连接，第三P型MOS管Mp3的源极与第一电阻r1的另一端连接，第三P型MOS管Mp3的漏极、第一N型MOS管Mn1的漏极与第二电阻r2的一端连接，第一N型MOS管Mn1的源极与第一反相器INV1的输入端A连接，第一反相器INV1的输出端Y与第二反相器INV2的输入端A连接，第二反相器INV2的输出端Y与第三反相器INV3的输入端A连接，第三反相器INV3的输出端Y与输出信号OCP连接，第二电阻r2的另一端与地连接。限流电路的第六P型MOS管mP6的电流是通过电流镜对第二电流源IBIAS2的电流放大得到的，同时限流电路的第六P型MOS管mP6与主通路的第一P型MOS管P1形成电流镜，所以输出电流的最大值可以通过设定限流电路的第二电流源IBIAS2的电流值和形成电流镜的MOS管的比例确定。当输出电流达到设定的极限值后，流过限流电路的第三P型MOS管mP3的电流随之增大，通过电流镜，增加第四P型MOS管mP4的电流，从而增大对输出信号DRV的上拉能力，从而限制主通路的第一P型MOS管P1电流的进一步增大。如果输出电流继续增大，下拉能力增强，保护电路的输入信号CSV随之降低，导致保护电路的第二P型MOS管Mp2导通，随之第三P型MOS管Mp3导通，最终保护电路的输出信号OCP由高变低，关断限流电路的第九N型MOS管mN9，降低限流电路的第六P型MOS管mP6的电流，从而降低主通路流过功率调整管的电流，避免长时间的大电流对功率调整管造成损坏，从而烧毁芯片，提高系统的稳定性。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (4)

1.一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，其特征在于，包括主通路、误差放大器和限流保护电路；所述主通路包括P型MOS管、N型MOS管、第一电阻R1、第二电阻R2，所述误差放大器包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、电流源IBIAS、电阻R和电容C，所述限流保护电路包括限流电路和保护电路，所述限流电路包括八个P型MOS管、十一个N型MOS管、第一电流源IBIAS1和第二电流源IBIAS2，所述保护电路包括三个P型MOS管、一个N型MOS管、第一电阻r1、第二电阻r2、第一反相器INV1、第二反相器INV2和第三反相器INV3。

2.根据权利要求1所述的一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，其特征在于，所述误差放大器的输入端VINP与输入端口VINP相连，误差放大器的另一输入端VINN与主通路的第一电阻R1的一端、第二电阻R2的一端相连，误差放大器的输出端VOUT与主通路的第一N型MOS管N1的栅极相连，主通路的第一P型MOS管P1的源极与电源相连，主通路的第一P型MOS管P1的栅极与限流保护电路的输出端DRV相连，主通路的第一P型MOS管P1的漏极、第一N型MOS管N1的漏极与限流保护电路的输入端CSV相连，主通路的第一N型MOS管N1的源极、第一电阻R1的另一端与输出端口Vout相连，主通路的第二电阻R2的另一端与地相连。

3.根据权利要求2所述的一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，其特征在于，在所述误差放大器中，电流源IBIAS的一端、第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第五P型MOS管MP5的源极、第六P型MOS管MP6的源极、第七P型MOS管MP7的源极与电源连接，第一P型MOS管MP1的栅极、第一P型MOS管MP1的漏极、第二P型MOS管MP2的栅极与第三N型MOS管MN3的漏极连接，第二P型MOS管MP2的漏极、第三P型MOS管MP3的源极与第四P型MOS管MP4的源极连接，第三P型MOS管MP3的栅极与输入端口VINP连接，第三P型MOS管MP3的漏极、第五N型MOS管MN5的漏极、第五N型MOS管MN5的栅极与第十N型MOS管MN10的栅极连接，第四P型MOS管MP4的栅极与输入端口VINN连接，第四P型MOS管MP4的漏极、第六N型MOS管MN6的漏极、第六N型MOS管MN6的栅极与第九N型MOS管MN9的栅极连接，第五P型MOS管MP5的栅极、第五P型MOS管MP5的漏极、第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极与第七N型MOS管MN7的漏极连接，第六P型MOS管MP6的漏极、第八P型MOS管MP8的栅极、第八N型MOS管MN8的漏极与电阻R的一端连接，第七P型MOS管MP7的漏极、第八P型MOS管MP8的源极与输出端口VOUT连接，第八P型MOS管MP8的漏极与第十一N型MOS管MN11的漏极连接，第一N型MOS管MN1的漏极、第一N型MOS管MN1的栅极、第三N型MOS管MN3的栅极、第七N型MOS管MN7的栅极、第八N型MOS管MN8的栅极与电流源IBIAS的另一端连接，第一N型MOS管MN1的源极、第二N型MOS管MN2的漏极、第二N型MOS管MN2的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极与第十一N型MOS管MN11的栅极连接，第三N型MOS管MN3的源极与第四N型MOS管MN4的漏极连接，第七N型MOS管MN7的源极与第九N型MOS管MN9的漏极连接，第八N型MOS管MN8的源极与第十N型MOS管MN10的漏极连接，电阻R的另一端与电容C的一端连接，第二N型MOS管MN2的源极、第四N型MOS管MN4的源极、第五N型MOS管MN5的源极、第六N型MOS管MN6的源极、第九N型MOS管MN9的源极、第十N型MOS管MN10的源极、第十一N型MOS管MN11的源极、电容C的另一端与地连接。

4.根据权利要求3所述的一种应用于高压线性稳压器的限流保护电路，其特征在于，在限流电路中，第一P型MOS管mP1的源极、第二P型MOS管mP2的源极、第三P型MOS管mP3的源极、第四P型MOS管mP4的源极、第五P型MOS管mP5的源极、第六P型MOS管mP6的源极、第三N型MOS管mN3的栅极、第一电流源IBIAS1的一端、第二电流源IBIAS2的一端与电源连接，第一P型MOS管mP1的栅极、第一P型MOS管mP1的漏极、第二P型MOS管mP2的栅极与第三N型MOS管mN3的漏极连接，第二P型MOS管mP2的漏极、第三P型MOS管mP3的栅极、第三P型MOS管mP3的漏极、第四P型MOS管mP4的栅极与第四N型MOS管mN4的漏极连接，第四P型MOS管mP4的漏极、第五P型MOS管mP5的栅极、第六P型MOS管mP6的栅极、第六P型MOS管mP6的漏极、第八N型MOS管mN8的漏极、第九N型MOS管mN9的漏极与输出端口DRV连接，第五P型MOS管mP5的漏极与第八P型MOS管mP8的源极连接，第七P型MOS管mP7的源极与输入端口CSV连接，第七P型MOS管mP7的栅极、第七P型MOS管mP7的漏极、第八P型MOS管mP8的栅极与第六N型MOS管mN6的漏极连接，第八P型MOS管mP8的漏极、第五N型MOS管mN5的栅极、第六N型MOS管mN6的栅极、第七N型MOS管mN7的栅极与第七N型MOS管mN7的漏极连接，第一N型MOS管mN1的漏极、第一N型MOS管mN1的栅极、第二N型MOS管mN2的栅极与第一电流源IBIAS1的另一端连接，第二N型MOS管mN2的漏极与第三N型MOS管mN3的源极连接，第四N型MOS管mN4的栅极、第九N型MOS管mN9的栅极与输入信号OCP连接，第四N型MOS管mN4的源极与第五N型MOS管mN5的漏极连接，第八N型MOS管mN8的栅极、第十N型MOS管mN10的栅极、第十一N型MOS管mN11的栅极、第十一N型MOS管mN11的漏极与第二电流源IBIAS2的另一端连接，第九N型MOS管mN9的源极与第十N型MOS管mN10的漏极连接，第一N型MOS管mN1的源极、第二N型MOS管mN2的源极、第五N型MOS管mN5的源极、第六N型MOS管mN6的源极、第七N型MOS管mN7的源极、第八N型MOS管mN8的源极、第十N型MOS管mN10的源极、第十一N型MOS管mN11的源极与地连接；

在保护电路中，第一P型MOS管Mp1的源极、第一N型MOS管Mn1的栅极、第一电阻r1的一端与电源连接，第一P型MOS管Mp1的栅极、第一P型MOS管Mp1的漏极与第二P型MOS管Mp2的源极连接，第二P型MOS管Mp2的栅极、第二P型MOS管Mp2的漏极、第三P型MOS管Mp3的栅极与输入端口CSV连接，第三P型MOS管Mp3的源极与第一电阻r1的另一端连接，第三P型MOS管Mp3的漏极、第一N型MOS管Mn1的漏极与第二电阻r2的一端连接，第一N型MOS管Mn1的源极与第一反相器INV1的输入端A连接，第一反相器INV1的输出端Y与第二反相器INV2的输入端A连接，第二反相器INV2的输出端Y与第三反相器INV3的输入端A连接，第三反相器INV3的输出端Y与输出信号OCP连接，第二电阻r2的另一端与地连接。

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