CN110880926B - 开关驱动电路以及电气设备 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种开关驱动电路以及电气设备。所述开关驱动电路至少包括对控制信号进行迟滞延时处理的迟滞延时电路;所述迟滞延时电路包括:充放电电路,比较器以及反馈电路。由此,本发明实施例提供进行迟滞延时处理的驱动电路结构,能够从硬件上实现对开关驱动电路和/或被驱动部件的保护。

Description

开关驱动电路以及电气设备
技术领域
本发明涉及电路技术领域,尤其涉及一种开关驱动电路以及电气设备。
背景技术
目前可以采用开关驱动电路对被驱动部件(例如继电器)进行开关驱动。例如,开关驱动电路可以形成高电平或者低电平进行启动(ON,或者也可称为接通等)或者关闭(OFF,或者也可称为截止等)的控制。
一般而言,开关驱动电路包括实现采样、判断处理、驱动等功能的电路。
应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本发明的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本发明的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
发明人发现,为了保护被驱动部件或者其他电路或负载,需要对驱动信号进行一定时间的延时。但是,目前的开关驱动电路中没有进行迟滞延时处理的电路结构,因此不利于电路保护。
为了解决上述问题,本发明实施例提供一种开关驱动电路以及电气设备。
根据本发明实施例的第一方面,提供一种开关驱动电路,对被驱动部件进行控制,所述开关驱动电路至少包括对控制信号进行迟滞延时处理的迟滞延时电路;所述迟滞延时电路包括:
充放电电路,其至少包括电容,所述电容根据所述控制信号并通过电源充电或者所述电容根据所述控制信号放电;所述充放电电路在充电时使用的充电电阻值不同于放电时使用的放电电阻值;
比较器,其第一输入端连接所述电容的一端;所述比较器将所述电容的一端的电位与参考电位进行比较,并通过其输出端输出驱动信号;以及
反馈电路,其至少包括反馈电阻;所述反馈电路的一端连接所述比较器的所述第一输入端,另一端连接所述比较器的所述输出端。
由此,能够提供进行迟滞延时处理的电路结构,能够从硬件上实现对开关驱动电路和/或被驱动部件的保护。此外,通过反馈电路,不但能够在充电时通过反馈电阻分压,也能够使得比较器输出端的状态稳定,从而能够提高电路的可靠性。
在一个实施例中,所述迟滞延时电路对所述控制信号进行迟滞第一时间的延时,并且所述被驱动部件通过所述第一时间延时后的所述驱动信号被启动;和/或,所述迟滞延时电路对所述控制信号进行迟滞第二时间的延时,并且所述被驱动部件通过所述第二时间延时后的所述驱动信号被关闭。
由此,能够实现对被驱动部件的启动和关闭时不同的时间控制,不仅能够实现对电路的保护,而且能够进一步满足开关驱动的要求。
在一个实施例中,所述充放电电路还包括:第一电阻,其作为放电电阻与所述电容连接;和/或,第二电阻,其作为充电电阻与所述电源和所述电容连接。
由此,所述充放电电路在充电时使用的充电电阻值能够不同于放电时使用的放电电阻值,从而能够提供进行迟滞延时处理的电路结构。
在一个实施例中,所述反馈电路还包括二极管;所述二极管的正极连接所述反馈电阻,负极连接所述输出端;或者所述二极管的正极连接所述第一输入端,负极连接所述反馈电阻。
由此,能够确保信号的流向,并且能够进一步提高驱动信号的稳定性。
在一个实施例中,所述迟滞延时电路还包括:
第三电阻,其一端与所述电源连接,另一端连接所述比较器的第二输入端;以及
第四电阻,其与所述第三电阻以及所述第二输入端连接,与所述第三电阻一起对所述电源进行分压以在所述第二输入端形成所述参考电位。
由此,比较器的两个输入端都连接到同一个参考电源上,可以节约一个参考输入端,有利于电路的小型化;并且由于两个输入端都参考同一参考电源,对延时的调整更为精确。
在一个实施例中,所述迟滞延时电路还包括:
第五电阻,其与所述电源以及所述输出端连接。
由此,比较器的两个输入端以及输出端都参考同一参考电源,能够进一步提高延时调整的精确性。
在一个实施例中,所述开关驱动电路还包括:
迟滞采样电路,其对输入信号进行迟滞采样以形成所述控制信号。
由此,能够对控制信号进行迟滞处理,能够过滤掉电压波动引起的噪声,提高控制信号的稳定性。
在一个实施例中,所述迟滞采样电路使用第一采样阈值对所述输入信号进行采样以形成启动所述被驱动部件的控制信号;和/或,所述迟滞采样电路使用第二采样阈值对所述输入信号进行采样以形成关闭所述被驱动部件的控制信号。
由此,能够实现对被驱动部件的启动和关闭时不同的采样,不仅能够实现对电路的保护,而且能够进一步满足开关驱动的要求。
在一个实施例中,所述开关驱动电路还包括:
降额保持电路,其根据所述驱动信号进行降额处理,以使所述被驱动部件保持在降额状态下。
由此,所述被驱动部件可以被降额使用,能够降低被驱动部件的功耗,延长被驱动部件的使用寿命。
在一个实施例中,所述被驱动部件包括如下至少之一:继电器、伺服电机、绝缘栅极双极型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管等。
根据本发明实施例的第二方面,提供一种电气设备,包括电源、被驱动部件以及如上所述的开关驱动电路。
本发明的有益效果在于:开关驱动电路至少包括对控制信号进行迟滞延时处理的迟滞延时电路;所述迟滞延时电路包括:充放电电路、比较器以及反馈电路。由此,本发明实施例通过提供进行迟滞延时处理的电路结构,能够从硬件上实现对开关驱动电路和/或被驱动部件的保护,也能满足客户对负载不同延时功能的需求。
参照后文的说明和附图,详细公开了本发明的特定实施方式,指明了本发明的原理可以被采用的方式。应该理解,本发明的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内,本发明的实施方式包括许多改变、修改和等同。
针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用,与其它实施方式中的特征相组合,或替代其它实施方式中的特征。
应该强调,术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在,但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
附图说明
所包括的附图用来提供对本发明实施例的进一步的理解,其构成了说明书的一部分,用于例示本发明的实施方式,并与文字描述一起来阐释本发明的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1是本发明实施例的迟滞延时电路的示意图;
图2是本发明实施例的开关驱动电路的示意图;
图3是本发明实施例的迟滞采样电路的示例图;
图4是本发明实施例的迟滞延时电路的示例图;
图5是本发明实施例的降额保持电路的示例图。
具体实施方式
参照附图,通过下面的说明书,本发明的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中,具体公开了本发明的特定实施方式,其表明了其中可以采用本发明的原则的部分实施方式,应了解的是,本发明不限于所描述的实施方式,相反,本发明包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。
在本发明实施例中,术语“第一”、“第二”等用于对不同元素从称谓上进行区分,但并不表示这些元素的空间排列或时间顺序等,这些元素不应被这些术语所限制。术语“和/或”包括相关联列出的术语的一种或多个中的任何一个和所有组合。术语“包含”、“包括”、“具有”等是指所陈述的特征、元素、元件或组件的存在,但并不排除存在或添加一个或多个其他特征、元素、元件或组件。
在本发明实施例中,单数形式“一”、“该”等包括复数形式,应广义地理解为“一种”或“一类”而并不是限定为“一个”的含义;此外术语“所述”应理解为既包括单数形式也包括复数形式,除非上下文另外明确指出。此外术语“根据”应理解为“至少部分根据……”,术语“基于”应理解为“至少部分基于……”,除非上下文另外明确指出。
实施例1
本发明实施例1提供了一种迟滞延时电路,对控制信号进行迟滞延时处理以生成驱动信号。该迟滞延时电路可以包括在开关驱动电路中;所述开关驱动电路对被驱动部件进行控制。
图1是本发明实施例的迟滞延时电路的示意图,如图1所示,迟滞延时电路100 包括:
充放电电路101,其至少包括电容1011、第一电阻1012和第二电阻107;其中所述电容1011根据控制信号(以下以NR1表示)并通过第二电阻107由电源110(例如为12V)充电,或者所述电容1011根据所述控制信号NR1并通过所述第一电阻1012 放电;所述充放电电路101在充电时使用的充电电阻值不同于放电时使用的放电电阻值;
比较器102,其第一输入端1021(例如+端)连接所述电容1011的一端,第二输入端1022(例如-端)连接参考电位;所述比较器102将所述电容1011的一端的电位与参考电位进行比较,并通过其输出端1023输出所述驱动信号(以下以DR1表示);以及
反馈电路104,其至少包括反馈电阻1041;所述反馈电路104的一端连接所述比较器102的所述第一输入端1021,另一端连接所述比较器102的所述输出端1023。此外,所述电容1011还可以根据所述控制信号NR1通过所述反馈电阻1041放电。
在本实施例中,在控制信号NR1发生变化时(例如从低电平变为高电平,或者从高电平变为低电平时),充放电电路101会进行充放电,从而比较器102的输出端 1023的驱动信号DR1的变化与控制信号NR1的变化相比会有不同时间的延迟,从而实现了信号的不同时间的延时。
由此,本发明实施例能够提供进行迟滞延时处理的电路结构,能够从硬件上实现对开关驱动电路和/或被驱动部件的保护,也能满足客户对负载不同延时功能的需求。此外,通过反馈电路104,能够在充电时通过反馈电阻1041进行分压,从而能够提高电路的可靠性,也能够使得比较器102输出端的状态稳定。
在本实施例中,所述迟滞延时电路100能够对所述控制信号NR1进行迟滞第一时间(例如500-800毫秒)的延时,并且所述被驱动部件通过所述第一时间延时后的所述驱动信号DR1被启动;所述迟滞延时电路100还能够对所述控制信号NR1进行迟滞第二时间(例如20-30毫秒)的延时,并且所述被驱动部件通过所述第二时间延时后的所述驱动信号DR1被关闭。
在本实施例中,可以通过电源110和第二电阻107对电容1011进行充电,此外可以通过第一电阻1012和/或反馈电阻1041对电容1011进行放电。例如,可以通过设置第一电阻1012和第二电阻107的电阻大小以及电容1011的电容大小,使得充放电电路101的充电时间和放电时间不一致,从而使得上述第一时间和第二时间不一致。
由此,能够实现对被驱动部件的启动和关闭时不同的时间控制,不仅能够实现对电路的保护,而且能够进一步满足开关驱动的要求。例如,继电器在输入时需要高电压开启,并且需要一定的较长时间的延时,而在断电时需要欠压点的电压来关闭,并且需要一定的较短时间的延时;本发明实施例的结构能够满足这些要求。
值得注意的是,图1中以第一电阻1012和/或反馈电阻1041作为放电电阻、第二电阻107作为充电电阻为例进行了说明。但本发明不限于此,例如也可以省略第一电阻1012,在放电时将电容1011直接接地;或者也可以省略第二电阻107,在充电时将电容1011直接连接电源110,等等。所述充放电电路101在充电时使用的充电电阻值不同于放电时使用的放电电阻值,可以使得上述第一时间和第二时间不一致。
在一个实施方式中,如图1所示,所述反馈电路104还可以包括二极管1042;所述二极管1042的正极连接所述反馈电阻1041,负极连接所述输出端1023。
由此,通过该二极管1042,能够确保信号的流向,并且能够进一步提高驱动信号的稳定性。此外,反馈电路104的结构不限于此,例如,所述二极管1042的正极也可以连接所述第一输入端1021,而负极连接所述反馈电阻1041。
在本实施例中,比较器102的第二输入端1022处的参考电位可以是不变的(例如为6V、8V等),也可以是可配置或者是可变的。进一步地,该参考电位可以参考该电源110。
在一个实施方式中,如图1所示,所述开关驱动电路100还可以包括:
第三电阻103,其一端与所述电源110连接,另一端连接所述比较器102的第二输入端1022;以及
第四电阻105,其与所述第三电阻103以及所述第二输入端1022连接;所述第四电阻105与所述第三电阻103一起对所述电源110进行分压,以在所述第二输入端1022形成所述参考电位。
由此,比较器102的两个输入端1021和1022都连接到同一个参考电源110上,可以节约一个参考输入端,有利于电路的小型化;并且由于两个输入端1021和1022 都参考同一参考电源110,对延时的调整更为精确。
例如,如果单设一个比较器参考电源,在增加该比较器的门限(例如从6V变为 8V)后,如果参考电源110不变(例如仍为12V),则电容的充电速度不会变化,从而导致延时的时长变化太大,不利于对延时进行精确地调整。如果再提升参考电源 110(例如从12V变为16V),则需要对比较器参考电源和参考电源110分别进行调整,容易产生误差而仍然不利于精确地调整。
而本发明实施例中,可以仅对参考电源的电压进行调整(例如由12V变为16V),第二输入端1022的电压随之进行改变(例如从6V变为8V),同时电容1011的充电速度也相应地变快,因此相比于单设一个参考电源,本发明实施例延时时长的增量更小,因此调整更为精确。
在一个实施方式中,如图1所示,所述开关驱动电路100还可以包括:
第五电阻106,其与所述电源110以及所述输出端1023连接。
由此,比较器的两个输入端1021和1022以及输出端1023都参考同一参考电源110,能够进一步提高延时调整的精确性。
值得注意的是,以上图1仅对本发明实施例进行了示意性说明,但本发明不限于此。应该理解的是,在图1中示出的部件或元件仅作为示例;例如,这些部件或元件的连接或位置可以进行调整,和/或,一些部件或元件可以省略,和/或,还可以增加图1中没有示出的部件或者元件。
以上各个实施例或实施方式仅对本发明实施例进行了示例性说明,但本发明不限于此,还可以在以上各个实施例或实施方式的基础上进行适当的变型。例如,可以单独使用上述各个实施例或实施方式,也可以将以上各个实施例或实施方式中的一种或多种结合起来。
由上述实施例可知,开关驱动电路至少包括对控制信号进行迟滞延时处理的迟滞延时电路;所述迟滞延时电路包括:充放电电路、比较器以及反馈电路。由此,本发明实施例通过提供进行迟滞延时处理的电路结构,能够从硬件上实现对开关驱动电路和/或被驱动部件的保护,也能满足客户对负载不同延时功能的需求。
实施例2
本发明实施例2提供了一种开关驱动电路,对被驱动部件进行控制。在实施例1 的基础上进一步说明,与实施例1相同的内容不再赘述。
图2是本发明实施例的开关驱动电路的示意图,如图2所示,开关驱动电路200 包括:
迟滞采样电路201,其对输入信号进行迟滞采样以形成控制信号NR1。其中,该输入信号可以是对整流滤波后的母线电压进行检测获得的信号,也可以是整流滤波后的母线电压信号;本发明不限于此,输入信号的具体内容可以参考相关技术。
在本实施例中,该被驱动部件例如可以是晶体管,例如IGFET(Insulated GateField Effect Transistor,绝缘栅场效应晶体管)、MOSFET(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)或IGBT(Insulated GateBipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管),等等。此外,该被驱动部件还可以是继电器、伺服电机等等,但本发明并不仅限于此。
图3是本发明实施例的迟滞采样电路201的示例图,其中为了简单起见,图3仅示出了进行迟滞处理的部分电路结构,而没有示出如何进行信号采样,关于这部分内容可以参考相关技术。
如图3所示,迟滞采样电路201至少包括:
充放电电路301,其包括电容3011和电阻3012;其中根据所述输入信号,所述电容3011被充电或者所述电容3011通过所述电阻3012放电;以及
比较器302,其将所述电容3011一端的电位与对电源310(例如12V)分压后的分压电位进行比较,输出比较结果以进行所述迟滞采样。其中,该分压电位通过电阻 304和305对电源310进行分压而得到。
如图3所示,迟滞采样电路201还可以包括:
反馈电路303,其包括电阻3031和二极管3032。
以下,对迟滞采样电路201的工作原理进行简要说明:
例如,当有信号电压输入时,通过电阻分压从而对电容3011充电;当电容3011 的一端的电位高于该分压电位时,比较器302的输出端输出低电平的控制信号NR1。当该输入信号为低电平或者电压降低时,通过电阻分压从而电容3011通过电阻3012 放电或降压;当电容3011的一端的电位低于该分压电位时,比较器302的输出端输出高电平的控制信号NR1。
由此,能够对控制信号进行迟滞处理,能够过滤掉电压波动引起的噪声,提高控制信号的稳定性。
在一个实施方式中,所述迟滞采样电路201能够使用第一采样阈值对所述输入信号进行采样,以形成启动所述被驱动部件的控制信号;所述迟滞采样电路201还能够使用第二采样阈值对所述输入信号进行采样,以形成关闭所述被驱动部件的控制信号。
由此,能够实现对被驱动部件的启动和关闭时不同的采样,不仅能够实现对电路的保护,而且能够进一步满足开关驱动的要求。
值得注意的是,以上图3仅对本发明实施例进行了示意性说明,但本发明不限于此。应该理解的是,在图3中示出的部件或元件仅作为示例;例如,这些部件或元件的连接或位置可以进行调整,和/或,一些部件或元件可以省略,和/或,还可以增加图3中没有示出的部件或者元件。
如图2所示,开关驱动电路200还可以包括:
迟滞延时电路202,对控制信号进行迟滞延时处理以生成驱动信号;具体可以参考实施例1。
图4是本发明实施例的迟滞延时电路202的示例图,对迟滞延时电路202进行进一步说明。如图4所示,迟滞延时电路202包括:
充放电电路401,其至少包括电容4011和电阻4012;其中所述电容4011(例如图4中示出了3个)根据控制信号(以下以NR1表示)并通过电源410(例如为12V) 充电,或者所述电容4011根据所述控制信号NR1并通过所述电阻4012、4041等放电;
比较器402,其某一输入端(例如+端)连接所述电容4011的一端,另一输入端(例如-端)经由电阻403连接所述电源410;所述比较器402将所述电容4011 的一端的电位与对所述电源410进行分压后的分压电位(参考电位)进行比较,并通过输出端输出所述驱动信号(以下以DR1表示);以及
反馈电路404,其包括电阻4041和二极管4042;所述反馈电路404的一端连接所述比较器402的一输入端(+端),另一端连接所述比较器402的输出端;所述二极管4042的正极连接所述电阻4041,负极连接所述输出端。
如图4所示,迟滞延时电路202还可以包括:
电阻405,其与所述电阻403以及比较器402的另一输入端(-端)连接;所述电阻405与所述电阻403一起对所述电源410进行分压,以在所述第二输入端4022 形成所述分压电位。
如图4所示,迟滞延时电路202还可以包括:电阻406,其与所述电源410以及所述输出端连接。充放电电路401还可以包括:电阻407,其与所述电源410以及所述电容4011的一端连接。
如图4所示,迟滞延时电路202还可以包括:开关元件408和409。
以下,对迟滞延时电路202的工作原理进行简要说明:
例如,当该控制信号NR1为低电平时,开关元件409关闭,电源410为电容4011 充电,当电容4011靠近电源410的一端的电位高于分压电位时,比较器402的输出端输出高电平的驱动信号DR1。当该控制信号NR1为高电平时,开关元件409导通,电容4011主要通过电阻4012放电,当电容4011靠近电源410的一端的电位低于分压电位时,比较器402的输出端输出低电平的驱动信号DR1。
如图2所示,开关驱动电路200还可以包括:
降额保持电路203,其根据所述驱动信号进行降额处理,以使所述被驱动部件保持在降额状态下。
图5是本发明实施例的降额保持电路203的示例图,其中为了简单起见,图5仅示例性示出了进行降额保持处理的部分电路结构,具体部件或元件还可以参考相关技术。
例如,在驱动信号DR1的作用下,开关元件502和503被导通,电源510的电压(例如12V)被直接加在继电器501,继电器501被启动(ON);并且电源510对电容504充电。在充电一定时间后,电容504的电压达到一定值从而使得开关元件 503关闭,电源510通过电阻505被分压后(例如从12V变为10V)加在继电器501。
由此,所述被驱动部件可以被降额使用,能够降低被驱动部件的功耗,延长被驱动部件的使用寿命。
值得注意的是,以上图2至5仅对本发明实施例进行了示意性说明,但本发明不限于此。应该理解的是,在图2至5中示出的部件或元件仅作为示例;例如,这些部件或元件的连接或位置可以进行调整,和/或,一些部件或元件可以省略,和/或,还可以增加图2至5中没有示出的部件或者元件。
此外,对于图3至图5的电路的原理性说明仅是示例性的,但本发明不限于此。
由上述实施例可知,开关驱动电路至少包括迟滞采样电路以及迟滞延时电路。由此,本发明实施例通过提供进行迟滞采样和迟滞延时处理的电路结构,能够从硬件上实现对开关驱动电路和/或被驱动部件的保护,也能满足客户对负载不同延时功能的需求。
实施例3
本发明实施例还提供了一种电气设备,该电气设备具有实施例1所述的迟滞延时电路或者实施例2所述的开关驱动电路。由于在实施例1和2中,已经对该迟滞延时电路或开关驱动电路的结构进行了详细说明,其内容被包含于此,在此不再赘述。
在本实施例中,该电气产品可以是家电设备或者工业设备,但本实施例并不以此作为限制,在其他的实施方式中,实施例2的开关驱动电路可以作为继电器的驱动部件使用,并且,也可以作为各种信息设备的驱动部件、产业设备的驱动部件等被使用。
以上结合具体的实施方式对本发明进行了描述,但本领域技术人员应该清楚,这些描述都是示例性的,并不是对本发明保护范围的限制。本领域技术人员可以根据本发明的精神和原理对本发明做出各种变型和修改,这些变型和修改也在本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种开关驱动电路,对被驱动部件进行控制,其特征在于,所述开关驱动电路至少包括对控制信号进行迟滞延时处理的迟滞延时电路;
所述迟滞延时电路包括:
充放电电路,其至少包括电容,所述电容根据所述控制信号并通过电源充电或者所述电容根据所述控制信号放电;所述充放电电路在充电时使用的充电电阻值不同于放电时使用的放电电阻值;
比较器,其第一输入端连接所述电容的一端;所述比较器将所述电容的一端的电位与参考电位进行比较,并通过其输出端输出驱动信号;以及
反馈电路,其至少包括反馈电阻;所述反馈电路的一端连接所述比较器的所述第一输入端,另一端连接所述比较器的所述输出端,
所述开关驱动电路还包括:迟滞采样电路,其对输入信号进行迟滞采样以形成所述控制信号。
2.根据权利要求1所述的开关驱动电路,其中,所述迟滞延时电路对所述控制信号进行迟滞第一时间的延时,并且所述被驱动部件通过所述第一时间延时后的所述驱动信号被启动;和/或,
所述迟滞延时电路对所述控制信号进行迟滞第二时间的延时,并且所述被驱动部件通过所述第二时间延时后的所述驱动信号被关闭。
3.根据权利要求1所述的开关驱动电路,其中,所述充放电电路还包括:
第一电阻,其作为放电电阻与所述电容连接;和/或
第二电阻,其作为充电电阻与所述电源和所述电容连接。
4.根据权利要求1所述的开关驱动电路,其中,所述反馈电路还包括:
二极管;所述二极管的正极连接所述反馈电阻,负极连接所述输出端;或者所述二极管的正极连接所述第一输入端,负极连接所述反馈电阻。
5.根据权利要求1所述的开关驱动电路,其中,所述迟滞延时电路还包括:
第三电阻,其一端与所述电源连接,另一端连接所述比较器的第二输入端;以及
第四电阻,其与所述第三电阻以及所述第二输入端连接;所述第四电阻与所述第三电阻一起对所述电源进行分压以在所述第二输入端形成所述参考电位。
6.根据权利要求1所述的开关驱动电路,其中,所述迟滞延时电路还包括:
第五电阻,其与所述电源以及所述输出端连接。
7.根据权利要求1所述的开关驱动电路,其中,所述迟滞采样电路使用第一采样阈值对所述输入信号进行采样以形成启动所述被驱动部件的控制信号;和/或,
所述迟滞采样电路还使用第二采样阈值对所述输入信号进行采样以形成关闭所述被驱动部件的控制信号。
8.根据权利要求1至6任一项所述的开关驱动电路,其中,所述开关驱动电路还包括:
降额保持电路,其根据所述驱动信号进行降额处理,以使所述被驱动部件保持在降额状态下。
9.根据权利要求1至6任一项所述的开关驱动电路,其中,所述被驱动部件包括如下至少之一:继电器、伺服电机、绝缘栅极双极型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管。
10.一种电气设备,包括电源、被驱动部件以及如权利要求1至9任一项所述的开关驱动电路。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111641406A (zh) * 2020-06-30 2020-09-08 湖南中车时代通信信号有限公司 一种断电重启自控电路
CN113187943B (zh) * 2021-03-31 2023-02-24 广东积微科技有限公司 内机电控板电路及断电后自动关电子膨胀阀的方法、空调

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62295510A (ja) * 1986-06-16 1987-12-22 Toshiba Electric Equip Corp タイマ回路
JP2016509469A (ja) * 2013-03-08 2016-03-24 クアルコム,インコーポレイテッド 電流モードヒステリシスバックレギュレータのためのフィードフォワード周波数制御方法
CN106376145A (zh) * 2016-11-24 2017-02-01 上海灿瑞科技股份有限公司 适用于led驱动芯片的自适应高压供电电路

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5892133A (ja) * 1981-11-28 1983-06-01 Omron Tateisi Electronics Co タイマ回路
JP2693874B2 (ja) * 1991-03-18 1997-12-24 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 遅延パルス発生回路
JP2564438B2 (ja) * 1991-10-08 1996-12-18 富士通株式会社 ヒステリシス・コンパレータ及びこれを用いたトラック横断信号作成回路
JP3683188B2 (ja) * 2001-06-21 2005-08-17 富士通テン株式会社 遅延回路
JP2007104210A (ja) * 2005-10-03 2007-04-19 Fujitsu Ten Ltd リセット回路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62295510A (ja) * 1986-06-16 1987-12-22 Toshiba Electric Equip Corp タイマ回路
JP2016509469A (ja) * 2013-03-08 2016-03-24 クアルコム,インコーポレイテッド 電流モードヒステリシスバックレギュレータのためのフィードフォワード周波数制御方法
CN106376145A (zh) * 2016-11-24 2017-02-01 上海灿瑞科技股份有限公司 适用于led驱动芯片的自适应高压供电电路

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