CN110875292B - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的实施方式涉及发光装置。课题是在确保基板的透光性的同时实现向多个发光元件的布线。本实施方式所涉及的发光装置具备第1基板、第2基板、发光元件组和导体图案。第1基板及第2基板具有透光性及可挠性，且相互相对地配置。发光元件组在第1基板与第2基板之间沿着规定的直线配置，包含发光成第1色的第1发光元件及发光成第2色的第2发光元件。导体图案形成于第1基板上，具有与第1发光元件及第2发光元件各自个别地连接的个别线图案、和与第1发光元件及第2发光元件共同连接的共同线图案。个别线图案以共同线图案的至少一部分为中心，被引回至直线的一侧和另一侧。
Description
本申请以日本专利申请2018-164637(申请日2018年9月3日)为基础，由该申请享有优先权。通过参照该申请，本申请包含该申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及发光装置。
背景技术
近年来，以削减能量消耗量作为目的的努力受到重视。由于这样的背景，耗电较少的LED(Light Emitting Diode)作为下一代的光源备受关注。LED小型且发热量少、响应性也好。因此，被广泛利用于各种光学装置中。例如，近年来，提出了以配置于具有可挠性及透光性的基板上的LED作为光源的发光装置。就这种发光装置而言，向LED供给电力的方法是课题。
特别是就具备多个LED作为光源的发光装置而言，从确保透明性的观点出发，安装LED的基板上的布线受到限制。
发明内容
本发明是在上述的情况下进行的，其课题是在确保基板的透光性的同时实现向多个发光元件的布线。
为了达成上述的课题，本实施方式所涉及的发光装置具备第1基板、第2基板、发光元件组和导体图案。第1基板及第2基板具有透光性及可挠性，相互相对配置。发光元件组在第1基板与第2基板之间，沿着规定的直线而配置，包含发光成第1色的第1发光元件及发光成第2色的第2发光元件。导体图案形成于第1基板上，具有与第1发光元件及第2发光元件分别个别地连接的个别线图案和与第1发光元件及第2发光元件共同连接的共同线图案。个别线图案以共同线图案的至少一部分为中心，被引回至直线的一侧和另一侧。
根据上述构成，能够在确保基板的透光性的同时实现向多个发光元件的布线。
附图说明
图1是本实施方式所涉及的发光装置的平面图。
图2是表示发光元件组的平面图。
图3是表示发光元件的一个例子的立体图。
图4是表示发光装置的AA截面的图。
图5是导体图案的平面图。
图6是将发光元件组的附近放大而表示的图。
图7是表示通过在发光面板上粘接挠性电缆而形成的电路的图。
图8是用于说明发光元件组的排列的图。
图9是用于说明发光装置的制造步骤的图。
图10是用于说明发光装置的制造步骤的图。
图11是用于说明发光装置的制造步骤的图。
图12是用于说明发光装置的制造步骤的图。
图13是用于说明发光装置的利用方式的图。
图14是表示导体图案的变形例的图。
图15是表示发光装置的AA截面的图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的一实施方式进行说明。说明中使用由相互正交的X轴、Y轴、Z轴构成的XYZ坐标系。
图1是本实施方式所涉及的发光装置10的平面图。如图1中所示的那样，发光装置10是以长度方向作为Y轴方向的模块。该发光装置10具备正方形的发光面板20及与发光面板20连接的8根挠性电缆401～408。
发光面板20为以配置成8行8列的矩阵状的64的发光元件组Gmn(＝G11～G88：m、n为1到8的整数)作为光源的面板。发光面板20的X轴方向及Y轴方向的尺寸为10cm～15cm左右。图2是表示发光元件组Gmn的平面图。如图2中所示的那样，发光元件组Gmn包含3个发光元件30R、30G、30B。
发光元件30R、30G、30B分别为一边为0.1～3mm左右的正方形的LED芯片。本实施方式中，发光元件30R、30G、30B为裸芯片。以下，为了说明的方便起见，将发光元件30R、30G、30B适当总称为发光元件30。
图3是表示发光元件30的一个例子的立体图。如图3中所示的那样，发光元件30是由衬底基板31、N型半导体层32、活性层33、P型半导体层34构成的LED芯片。发光元件30的额定电压为约2.5V。
衬底基板31为例如由蓝宝石形成的正方形板状的基板。在衬底基板31的上表面形成有与该衬底基板31相同形状的N型半导体层32。并且，在N型半导体层32的上表面依次层叠有活性层33、P型半导体层34。N型半导体层32、活性层33、P型半导体层34由化合物半导体材料形成。例如，作为发光成红色的发光元件，可以使用InAlGaP系作为活性层。另外，作为发光成蓝色或绿色的发光元件，可以使用GaN系作为P型半导体层34、N型半导体层32，使用InGaN系的半导体作为活性层33。在任一情况下，活性层可以是双异质(DH)结结构，也可以是多重量子阱(MQW)结构。另外，还可以是PN结构成。
层叠于N型半导体层32上的活性层33及P型半导体层34在-Y侧并且-X侧的拐角部分形成有缺口。N型半导体层32的表面从活性层33及P型半导体层34的缺口露出。
在N型半导体层32的从活性层33和P型半导体层34露出的区域中形成有与N型半导体层32电连接的焊盘电极36。另外，在P型半导体层34的+X侧并且+Y侧的拐角部分形成有与P型半导体层34电连接的焊盘电极35。焊盘电极35、36由铜(Cu)或金(Au)形成，在上表面形成有凸起37、38。凸起37、38为由金(Au)或金合金等金属形成的金属凸起。也可以使用成形为半球状的软钎料凸起来代替金属凸起。在发光元件30中，凸起37作为阴极电极发挥功能，凸起38作为阳极电极发挥功能。
图2中所示的发光元件30R发光成红色。另外，发光元件30G发光成绿色，发光元件30B发光成蓝色。具体而言，发光元件30R射出峰值波长为600nm到700nm左右的光。另外，发光元件30G射出峰值波长为500nm到550nm左右的光。并且，发光元件30B射出峰值波长为450nm到500nm左右的光。
关于如上所述构成的发光元件30R、30G、30B，与发光元件30R相邻地配置发光元件30G、30B。另外，发光元件30R、30G、30B按照到相邻的发光元件30R、30G、30B为止的距离d2成为发光元件30R、30G、30B的宽度d1以下方式接近配置。
图4是表示图1中的发光装置10的AA截面的图。如参照图4获知的那样，构成发光装置10的发光面板20具有上述的发光元件30R、30G、30B、1组基板21、22和形成于基板21、22之间的树脂层24。需要说明的是，图4中仅示出了发光元件30B。
基板21为以长度方向作为Y轴方向的膜状的构件。另外，基板22为正方形的膜状的构件。基板21、22的厚度为50～300μm左右，相对于可见光具有透射性。基板21、22的总光线透射率优选为5～95％左右。需要说明的是，所谓总光线透射率是指依据日本工业标准JISK7375：2008而测定的总光透射率。
基板21、22具有可挠性，其弯曲弹性模量为0～320kgf/mm2左右(不包括零)。需要说明的是，所谓弯曲弹性模量是通过依据ISO178(JIS K7171：2008)的方法测定的值。
作为基板21、22的原材料，考虑使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚琥珀酸乙二醇酯(PES)、ARTON、丙烯酸树脂等。
在上述1组基板21、22中的基板21的上表面(图4中的-Z侧的面)形成有厚度为0.05μm～10μm左右的导体层23。导体层23例如为蒸镀膜、溅射膜。另外，导体层23也可以是以粘接剂贴附有金属膜的层。在导体层23为蒸镀膜或溅射膜的情况下，导体层23的厚度为0.05～2μm左右。在导体层23为粘接的金属膜的情况下，导体层23的厚度为2～10μm或2～7μm左右。
导体层23为由铜(Cu)或银(Ag)等金属材料形成的金属层。如图1中所示的那样，导体层23由以长度方向作为Y轴方向的8个导体图案23a～23h构成。图5是图4中所示的导体图案23b的平面图。如图5中所示的那样，导体图案23b包含24条个别线图案G1～G8、R1～R8、B1～B8、共同线图案CM及2个虚拟线图案D1、D2。
个别线图案G1～G8的一端与构成各发光元件组G21～G28的发光元件30G各自的阴极连接。并且，另一端被引回至基板21的-Y侧端部。同样地，个别线图案R1～R8的一端与构成各发光元件组G21～G28的发光元件30R各自的阴极连接。并且，另一端被引回至基板21的-Y侧端部。另外，个别线图案B1～B8的一端与构成各发光元件组G21～G28的发光元件30B各自的阴极连接。并且，另一端被引回至基板21的-Y侧端部。
共同线图案CM的一端分支成多个并分别与构成各发光元件组G21～G28的发光元件30R、30G、30B各自的阳极连接。另外，另一端被引回至基板21的-Y侧端部。共同线图案CM主要包含位于个别线图案B5的+X侧的宽度宽的主要部CM1和从主要部CM1分支的分支部CM2。
在导体图案23b中，在沿着与Y轴平行的直线L1配置的发光元件组G21～G28上分别连接有个别线图案G1～G8、R1～R8、B1～B8，个别线图案G1～G4、R1～R4、B1～B4被引回至直线L1的-X侧，个别线图案G5～G8、R5～R8、B5～B8被引回至直线L1的+X侧。并且，分支部CM2按照被个别线图案G1～G4、R1～R4、B1～B4和个别线图案G5～G8、R5～R8、B5～B8夹持的方式配置。
另外，虚拟线图案D1、D2形成于没有配置个别线图案和共同线图案的区域。
个别线图案G1～G8、R1～R8、B1～B8、共同线图案CM、虚拟线图案D1、D2由网格图案形成。图6是将发光元件组G21的附近放大而表示的图。如参照图6获知的那样，个别线图案G1、R1、B1、共同线图案CM、虚拟线图案D2由与X轴呈45度的角度的线Lx和与Y轴呈45度的角度的线Ly形成。
线Lx、Ly的线宽为约5μm。另外，线Lx、Ly的排列间距P为约150μm。在个别线图案G1、R1、B1及共同线图案CM中，形成有连接发光元件30R、30G、30B的凸起37、38的连接焊盘PD。通过凸起37、38与连接焊盘PD连接，从而发光元件30R、30G、30B与个别线图案G1、R1、B1及共同线图案CM电连接。
图1中所示的导体图案23a、23c～h也与上述的导体图案23b同样地包含24条个别线图案G1～G8、R1～R8、B1～B8、共同线图案CM及2个虚拟线图案D1、D2。
返回图4，树脂层24为形成于基板21与基板22之间的绝缘体。树脂层24例如由具有透光性的环氧系的热固化性树脂形成。树脂层24例如优选固化前的最低熔融粘度VC1在80～160℃的范围内为10～10000Pa·s。另外，达到固化前的最低熔融粘度VC1时的温度T1(最软化温度)为止的熔融粘度变化率VR优选为1/1000以下(1000分之1以下)。进而，树脂层24优选通过被加热而达到最低熔融粘度后、即固化后的维卡软化温度T2为80～160℃的范围，0℃到100℃的范围内的拉伸储能模量EM为0.01～1000GPa。另外，树脂层24优选具有100～160℃的玻璃化转变温度T3。
熔融粘度是按照JIS K7233中记载的方法、使测定对象物的温度在50℃～180℃为止发生变化而求出的值。维卡软化温度是按照JIS K7206(ISO 306：2004)中记载的A50、在试验载荷10N、升温速度50℃/小时的条件下求出的值。玻璃化转变温度和熔化温度是按照依据JIS K7121(ISO 3146)的方法、通过差示扫描量热测定而求出的值。拉伸储能模量是按照依据JlS K7244-1(ISO 6721)的方法而求出的值。具体而言，是通过将从-100℃到200℃按1分钟1℃地等速升温的测定对象物使用动态粘弹性自动测定器以频率10Hz进行取样而得到的值。
如上所述构成的发光面板20如图4中所示的那样，基板22与基板21相比Y轴方向的长度较短。因此，导体层23成为-Y侧端部露出的状态。
挠性电缆402是以长度方向作为Y轴方向的具有可挠性的布线基板。如图1中所示的那样，挠性电缆402被整形成从+Y侧端朝向-Y侧端宽度(X轴方向的尺寸)变小那样的锥形状。
如图4中所示的那样，挠性电缆402具有例如以聚酰亚胺等作为原材料且具有绝缘性及可挠性的衬底基板40、与发光面板20的导体层23连接的导体图案41和将导体图案41被覆的覆盖层42。被覆盖层42被覆的导体图案41成为仅Y轴方向两端部露出的状态。导体图案41包含多根线。对于这些线在后面叙述。
挠性电缆402如图4中所示的那样，衬底基板40的+Y侧端部下表面通过各向异性导电性粘接剂，与构成发光面板20的基板21的-Y侧端部上表面粘接。挠性电缆402如图1中所示的那样，按照发光面板20的导体图案23b与挠性电缆402重叠的方式与发光面板20粘接。
图7是表示通过在发光面板20上粘接挠性电缆402而形成的电路的图。如图7中所示的那样，在挠性电缆402中形成有25条线FG1～FG8、FR1～FR8、FB1～FB8、FCM。挠性电缆402的各线FG1～FG8、FR1～FR8、FB1～FB8分别与构成发光元件组G21～G28的发光元件30G、30R、30B的阴极连接。另外，挠性电缆402的线FCM与构成发光元件组G21～G28的发光元件30G、30R、30B的全部阳极连接。
挠性电缆401、403～408也具有与上述的挠性电缆402同样的构成。各个挠性电缆401、403～408如图1中所示的那样，按照发光面板20的导体图案23a、23c～23h与挠性电缆401、403～408重叠的方式与发光面板20粘接。
在如上所述构成的发光装置10中，通过在挠性电缆401～408的线FG1～FG8、FR1～FR8、FB1～FB8与线FCM之间选择性地施加电压，能够将构成发光元件组Gmn的发光元件30R、30G、30B分别点亮。
图8是用于说明发光元件组Gmn的排列的图。如图8中所示的那样，在发光装置10中，在基板22的拐角部分设置有圆形的缺口200。另外，各发光元件组Gmn按照X轴方向及Y轴方向的排列间距为D、且从构成发光面板20的基板22的外缘到最近的发光元件组Gmn为止的距离成为D/2的方式排列。
接着，对上述的发光装置10的制造方法进行说明。如图9中所示的那样，首先，准备由PET形成的基板21。并且，在基板21的表面整体上形成包含24条个别线图案G1～G8、R1～R8、B1～B8、共同线图案CM、2个虚拟线图案D1、D2及连接焊盘PD的导体图案23a～23h。作为导体图案23a～23h的形成方法，可以使用例如减法或加法等。
接着，如图10中所示的那样，在形成有导体图案23a～23h的基板21的表面设置具有热固化性的树脂片材241。该树脂片材241的厚度与发光元件30的凸起37、38的高度大致同等。作为树脂片材241的原材料，例如使用环氧系树脂。
接着，在树脂片材241上配置发光元件30R、30G、30B。此时按照导体图案23a～23h的连接焊盘PD位于发光元件30的凸起37、38的正下方的方式来定位发光元件30R、30G、30B。
接着，如图11中所示的那样，将在下表面粘贴有具有热固化性的树脂片材242的基板22配置于基板21的上表面侧。树脂片材242具有与树脂片材241同等的性质。
接着，使基板21、22分别在真空气氛下进行加热而被压接。由此，首先，形成于发光元件30中的凸起37、38穿过树脂片材241而到达导体层23，与各导体图案23a～23h电连接。另外，通过被加热而变得柔软的树脂片材241、242无间隙地填充于发光元件30的周围。
之后，树脂片材241、242发生固化。由此，树脂片材241及树脂片材242如图4中所示的那样，成为在基板21、22之间保持发光元件30R、30G、30B的树脂层24。由此，完成发光面板20。
接着，如图12中所示的那样，使用各向异性导电性粘接剂将挠性电缆401～408粘接于发光面板20。经由以上的工序，完成图1中所示的发光装置10。
如上所述构成的发光装置10与未图示的电源电路连接。通过利用电源电路在挠性电缆401～408的线FG1～FG8、FR1～FR8、FB1～FB8与线FCM之间选择性地施加电压，从而构成发光元件组Gmn的发光元件30R、30G、30B分别点亮。
如以上说明的那样，本实施方式中，在各个导体图案23a～23h中，如图5中所示的那样，与构成发光元件组Gmn的发光元件30R、30G、30B连接的24条个别线图案G1～G8、R1～R8、B1～B8被引回至通过发光元件组Gmn的直线L1及从共同线图案CM分支的分支部CM2的-X侧和+X侧。由此，能够将发光元件组Gmn密集地配置。另外，24条个别线图案G1～G8、R1～R8、B1～B8、共同线图案CM及2个虚拟线图案D1、D2相互没有重叠地配置。因此，能够在确保基板21、22的透光性的同时实现向各发光元件的布线。
本实施方式中，在各个导体图案23a～23h中，连接相邻的发光元件组Gmn的共同线图案CM的长度相等。因此，流过发光元件组Gmn的共同线图案CM的电流计算等变得简单，设计的自由度扩大。
本实施方式中，将8个发光元件组Gmn分别配置于各个导体图案23a～23h中。由此，与将导体图案23a～23h共同化的情况相比，布线设计变得容易。
在本实施方式所涉及的发光面板20中，如图8中所示的那样，各发光元件组Gmn按照X轴方向及Y轴方向的排列间距为D、且从构成发光面板20的基板22的外缘到最近的发光元件组Gmn为止的距离成为D/2的方式排列。因此，例如，如图13中所示的那样，即使在将多个发光装置10按照发光面板20相邻的方式配置的情况下，发光装置10相互间的发光元件组Gmn的排列间距也成为D。由此，发光装置10的组合变得自由，能够谋求发光装置10的用途的扩大或表现性的提高。
在本实施方式所涉及的发光面板20中，设置有4个圆形的缺口200。因此，如图13中所示的那样，在将多个发光装置10按照发光面板20相邻的方式配置的情况下，通过在由缺口200形成的开口或半圆形的缺口中插入螺栓500，能够使用螺栓或垫圈将各发光装置10固定于对象物中。
本实施方式中，发光元件30R、30G、30B通过由网格图案形成的24条个别线图案G1～G8、R1～R8、B1～B8、共同线图案CM而被连接。上述网格图案由线宽为约5μm的金属薄膜构成。因此，能够充分地确保发光装置10的透明性及可挠性。
本实施方式中，在1组基板21、22中的基板21的上表面形成有由导体图案23a～23h形成的导体层23。因此，本实施方式所涉及的发光装置10与在发光元件30R、30G、30B的上表面及下表面这两者上形成导体层的发光装置相比变薄。其结果是，能够提高发光装置10的可挠性和透明度。
在本实施方式中，若将上述线Lx、Ly的排列间距设为P、将发光元件组的数目设为M、将构成发光元件组的发光元件的数目设为N，则导体图案23a～23h各自中的24条个别线图案G1～G8、R1～R8、B1～B8的宽度(X轴方向的长度)之和W1以以下的式(1)表示。另外，共同线图案CM的宽度(X轴方向的长度)之和W2以以下的式(2)表示。
W1≥(P·cosθ+P·sinθ)×2×M×N…(1)
W2≥(P·cosθ+P·sinθ)×(M+1)…(2)
例如，在间距P为0.15mm、θ为45度、M为8个、N为3个的情况下，W1成为10.1823mm，W2成为1.9092mm。
因此，具有M个发光元件组的导体图案23a～23h的最小宽度成为W1与W2之和Wa(12.0915mm)。因此，发光元件组Gmn的排列间距D通过Wa的值来决定。
本实施方式中，如式(1)、(2)中所示的那样，若与各导体图案23a～23h连接的发光元件组的数目、或发光元件组中包含的发光元件的数目增加，则各导体图案23a～23h的宽度增加，X轴方向的发光元件组的排列间距增加。在该情况下，通过增大各导体图案23a～23h的Y轴方向的尺寸，能够使发光元件组的X轴方向及Y轴方向的排列间距变得相等。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不受上述实施方式的限定。例如，在上述实施方式中，对如图5中所示的那样共同线图案CM的-Y侧端部被配置于24条个别线图案G1～G8、R1～R8、B1～B8的一侧(+X侧)的情况进行了说明。不限于此，也可以如图14中所示的那样，共同线图案CM的-Y侧端部被24条个别线图案G1～G8、R1～R8、B1～B8中的任一者夹持。
在上述实施方式中，对树脂层24由具有热固化性的树脂片材241及树脂片材242形成的情况进行了说明。不限于此，树脂层24也可以由包含热塑性树脂的片材形成。另外，树脂层24也可以由热固化性树脂和热固化性树脂这两者形成。
在上述实施方式中，对导体层23由铜(Cu)或银(Ag)等金属材料形成的情况进行了说明。不限于此，导体层23也可以由氧化铟锡(ITO：indium tin oxide)等具有导电性的透明材料形成。
在上述实施方式中，如图1中所示的那样，对发光装置10具有被配置成8行8列的矩阵状的发光元件组Gmn的情况进行了说明。不限于此，发光装置10也可以具有被配置成9行以上或8列以上的发光元件组Gmn。
在上述实施方式中，对3个发光元件30R、30G、30B如图2中所示的那样被配置成L字状的情况进行了说明。发光元件的配置并不限定于此，例如，3个发光元件30R、30G、30B也可以直线状或单纯接近而配置。
在上述实施方式中，对发光元件30G、30B与发光元件30R相邻的情况进行了说明。发光元件30的排列顺序并不限定于此。例如，也可以其他发光元件30与发光元件30G或发光元件30B相邻。
在如上所述构成的发光装置10中，作为一个例子，如图15中所示的那样，在挠性电缆401上安装有连接器50。连接器50的各端子通过通孔41a与导体图案41连接。发光装置10介由连接器50而与外部设备连接。
根据以上叙述的至少1个实施方式所涉及的发光装置，能够在确保基板21、22的透光性的同时实现向各发光元件的布线。
对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提出的，并不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种形态实施，在不脱离发明的主旨的范围内，可以进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和其变形包含于发明的范围、主旨中，同时包含于权利要求书中记载的发明和其均等的范围内。
Claims (11)
1.一种发光装置，其具备：
第1基板及第2基板，其具有透光性及可挠性，且相互相对配置；
多个发光元件组，其在所述第1基板与所述第2基板之间沿着第1直线配置，包含发光成第1色的第1发光元件及发光成第2色的第2发光元件；和
多个导体图案，其形成于所述第1基板上，具有与所述第1发光元件及所述第2发光元件各自个别地连接的个别线图案、和与所述第1发光元件及所述第2发光元件共同连接的共同线图案，且沿着与所述第1直线正交的第2直线配置，
所述个别线图案以所述共同线图案的至少一部分为中心，被引回至所述第1直线的一侧和另一侧，
所述多个导体图案中，与相邻的所述发光元件组连接的所述共同线图案的长度相等。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，具备：
多个发光元件组，其在所述第1基板与所述第2基板之间沿着第1直线配置，包含发光成第1色的第1发光元件、发光成第2色的第2发光元件及发光成第3色的第3发光元件；和
多个导体图案，其形成于所述第1基板上，具有与所述第1发光元件、所述第2发光元件及所述第3发光元件各自个别地连接的个别线图案、和与所述第1发光元件、所述第2发光元件及所述第3发光元件共同连接的共同线图案，且沿着与所述第1直线正交的第2直线配置，
所述个别线图案以所述共同线图案的至少一部分为中心，被引回至所述第1直线的一侧和另一侧。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述第1发光元件发光成红色，所述第2发光元件发光成绿色，所述第3发光元件发光成蓝色。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述导体图案各自的多个所述个别线图案各自的一端与所述第1发光元件及所述第2发光元件中的任一者连接，另一端配置于所述共同线图案的一侧和另一侧。
5.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述导体图案各自的多个所述个别线图案各自的一端与所述第1发光元件、所述第2发光元件及所述第3发光元件中的任一者连接，另一端配置于所述共同线图案的一侧和另一侧。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的发光装置，所述个别线图案及所述共同线图案为网格图案。
7.根据权利要求1到5中任一项所述的发光装置，其中，所述发光元件组的所述第1直线方向的排列间距与所述第2直线方向的排列间距相等，
所述第1基板或所述第2基板的外缘与距离所述外缘最近的所述发光元件组的距离为所述排列间距的1/2。
8.根据权利要求7所述的发光装置，其中，在所述第1基板或所述第2基板的拐角部分形成有扇状的缺口。
9.根据权利要求6所述的发光装置，其中，所述网格图案包含相对于所述第1直线或第2直线倾斜角度θ的线，
若将所述线的排列间距设为P、将发光元件组的数目设为M、将所述发光元件组中包含的所述发光元件的数目设为N，则个别线图案的宽度W1以以下的式子表示，
W1≥(P·cosθ+P·sinθ)×2×M×N。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其中，共同线图案的宽度之和W2以以下的式子表示，
W2≥(P·cosθ+P·sinθ)×(M+1)。
11.根据权利要求1到4中任一项所述的发光装置，其中，在相邻的所述导体图案中，所述个别线图案与所述共同线图案相邻。
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| JP2021040053A (ja) * | 2019-09-03 | 2021-03-11 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光装置、及び発光装置の製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102097422A (zh) * | 2009-10-30 | 2011-06-15 | 东芝照明技术株式会社 | 发光装置、发光装置的制造方法以及照明装置 |
| CN104076973A (zh) * | 2013-03-26 | 2014-10-01 | Lg伊诺特有限公司 | 触控面板和具有该触控面板的触控设备 |
| WO2016122053A1 (ko) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 금호전기 주식회사 | 투명 전광 장치 |
| KR20170135381A (ko) * | 2016-05-31 | 2017-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 패키지 |
| CN107533404A (zh) * | 2015-06-22 | 2018-01-02 | 株式会社藤仓 | 布线体、布线基板以及触摸传感器 |
| CN107548523A (zh) * | 2015-05-01 | 2018-01-05 | 东芝北斗电子株式会社 | 发光模块 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008288228A (ja) | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Sony Corp | 発光装置、光源装置、及び液晶表示装置 |
| JP2009158646A (ja) | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Erebamu:Kk | 発光装置及び面発光装置 |
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| CN108922959B (zh) | 2013-03-28 | 2022-07-29 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置、及使用发光装置的装置 |
| CN105051923B (zh) | 2013-03-28 | 2017-12-01 | 东芝北斗电子株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| WO2016047133A1 (ja) | 2014-09-26 | 2016-03-31 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光モジュール |
| US10001889B2 (en) * | 2014-11-09 | 2018-06-19 | Industrial Technology Research Institute | Mesh electrode, sensing device, and electrode layer |
| US10134966B2 (en) * | 2015-02-27 | 2018-11-20 | Nichia Corporation | Light emitting device |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102097422A (zh) * | 2009-10-30 | 2011-06-15 | 东芝照明技术株式会社 | 发光装置、发光装置的制造方法以及照明装置 |
| CN104076973A (zh) * | 2013-03-26 | 2014-10-01 | Lg伊诺特有限公司 | 触控面板和具有该触控面板的触控设备 |
| WO2016122053A1 (ko) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | 금호전기 주식회사 | 투명 전광 장치 |
| CN107548523A (zh) * | 2015-05-01 | 2018-01-05 | 东芝北斗电子株式会社 | 发光模块 |
| CN107533404A (zh) * | 2015-06-22 | 2018-01-02 | 株式会社藤仓 | 布线体、布线基板以及触摸传感器 |
| KR20170135381A (ko) * | 2016-05-31 | 2017-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 패키지 |
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