CN110862692A - 一种igbt用耐高压有机硅凝胶及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种IGBT用耐高压有机硅凝胶,为多组分,包括质量配比为(1:1)~(6:1)的A组分和B组分,其中,所述A组分:乙烯基硅油、改性硅油、催化剂;所述B组分包括:乙烯基硅油、补强材料、含氢硅油、阻聚剂。本发明还公开了有机硅凝胶的制备方法。本发明的有机硅凝胶介电强度高(介电强度≥30KV/mm),解决了目前市面上有机硅凝胶无法满足IGBT高压模块的灌封要求的技术难题。
Description
技术领域
本发明属于硅凝胶技术领域,尤其涉及一种IGBT用耐高压有机硅凝胶及其制备方法。
背景技术
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极型三级管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT主要应用领域有家电(如变频家电和电磁炉)、轨道交通电机(如高铁)、新能源(如光伏/风电)、汽车(如汽车点火和EV/HEV)等。IGBT模块通常包括紫铜底板、导热绝缘陶瓷覆铜板、芯片、连接导束、电极、控制端子、塑料壳体、有机硅凝胶层和环氧绝缘层。其中,有机硅凝胶因其具有优良的耐温、防水和电气绝缘性能,是电子器件必不可少的封装材料。
目前,国内用于IGBT灌封的有机硅凝胶主要为双组分加成型室温硫化硅橡胶,其市场份额几乎全被瓦克、迈图等跨国公司的产品所垄断。国内关于IGBT有机硅凝胶的研究大多集中在中低压模块,因为这些硅凝胶产品介电强度≤25KV/mm,无法满足高压模块对于介电强度的要求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,克服以上背景技术中提到的不足和缺陷,提供一种具有介电强度高、机械性能优秀、流动性好、易于灌封的IGBT用耐高压有机硅凝胶及其制备方法。
为解决上述技术问题,本发明提出的技术方案为:
一种IGBT用耐高压有机硅凝胶,所述有机硅凝胶为多组分,包括质量配比为(1:1)~(6:1)的A组分和B组分,其中,
所述A组分包括以下质量份数的原料:
乙烯基硅油 10~100份,
改性硅油 5~20份,
催化剂 0.001~0.1份;
所述B组分包括以下质量份数的各组分:
上述的有机硅凝胶,优选的,所述乙烯基硅油包括端乙烯基硅油、侧乙烯基硅油、端乙烯基苯基硅油、侧乙烯基苯基硅油、端基和侧链均含乙烯基的硅油中一种或几种。
上述的有机硅凝胶,优选的,所述乙烯基硅油粘度在25℃时为1000~10000mpa.s,乙烯基含量为0.1%~0.3%。
上述的有机硅凝胶,优选的,所述改性硅油包括γ-(2,3环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷和羟基硅油中的一种或几种。
上述的有机硅凝胶,优选的,述含氢硅油包括单端氢硅油、端甲基侧氢硅油和双端氢硅油中的一种或几种。
上述的有机硅凝胶,优选的,所述含氢硅油的粘度在25℃时为10~80mpa.s,含氢量为0.01%~1.5%。
上述的有机硅凝胶,优选的,所述补强材料为MQ硅树脂、气相二氧化硅和γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷中的一种或几种;
所述催化剂包括氯铂酸的乙烯基硅氧烷络合物、醇改性的氯铂酸、氯铂酸与烯烃的络合物中的一种或几种;
所述阻聚剂包括3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇、1-己炔基-1-环己醇、2-甲基-3-丁炔基-2-醇、2-苯基-3-丁炔基-2-醇和乙烯基环体中的一种或多种。
作为一个总的发明构思,本发明还提供一种上述的有机硅凝胶的制备方法,包括以下步骤:
(1)A组分的制备:将乙烯基硅油和改性硅油加入到四口烧瓶中,再加入离子吸附剂,在80~100℃低速分散2~4小时,过滤后加入催化剂,高速分散均匀,真空脱泡,得到A组分;
(2)B组分的制备:先将乙烯基硅油和含氢硅油加入到四口烧瓶中,再加入离子吸附剂,在80~100℃低速分散2~4小时,过滤后,加入阻聚剂和补强材料,高速分散均匀,真空脱泡,得到B组分。
上述的制备方法,优选的,所述低速分散时的转速不高于600r/min;高速分散时的转速不低于1000r/min,高速分散的时间是10~20min。
上述的制备方法,优选的,所述离子吸附剂为壳聚糖、纳米活性碳、纳米硅胶和多胺型螯合树脂中的一种或几种。
灌封时将A组分和B组分按配比(1:1)~(6:1)的量混合均匀得到灌封胶,再将灌封胶真空脱泡半小时后浇注到需要灌封的器件上,在常温的条件下固化24小时即可,或者在120℃固化1小时即可。
影响硅凝胶的介电强度主要有两大因素:硅凝胶本身的电气绝缘性能和硅凝胶中的杂质(如水分和离子等)含量,这些杂质在电极间形成导电“小桥”,使硅凝胶更容易被击穿,大幅降低了硅凝胶的介电强度。而本发明能够制备介电强度更高的硅凝胶是通过下面两个方式进行:1、采用离子吸附剂,利用离子吸附剂的络合效应将原材料中的离子等杂质吸附到吸附剂上,通过过滤去掉吸附剂,从而降极大的降低体系中的杂质含量;2、通过对原料的吸附除杂处理,再采用乙烯基硅油互配,MQ树脂等来补强,这些原材料组合在一起,保证了本发明的硅凝胶的电气绝缘性能更好。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
(1)本发明的有机硅凝胶介电强度高(介电强度≥30KV/mm),解决了目前市面上有机硅凝胶无法满足IGBT高压模块的灌封要求的技术难题。
(2)本发明的有机硅凝胶的机械性能优秀(弹性好、拉伸强度大和粘附力高),能够有效地保护IGBT,提高对外来冲击、震动的抵抗力。
(3)本发明IGBT用有机硅凝胶流动性和排泡性优异,易于灌封,可渗入细小元器件缝隙,使封装无死角;固化过程中无小分子产生,并且固化物不收缩,具有更优的防水防潮和抗老化性能。
(4)本发明IGBT用有机硅凝胶室温下可操作时间长,有助于自动生产线上应用。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下文将结合较佳的实施例对本文发明做更全面、细致地描述,但本发明的保护范围并不限于以下具体实施例。
除非另有定义,下文中所使用的所有专业术语与本领域技术人员通常理解含义相同。本文中所使用的专业术语只是为了描述具体实施例的目的,并不是旨在限制本发明的保护范围。
除非另有特别说明,本发明中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。
实施例1:
一种本发明的IGBT用耐高压有机硅凝胶,包括质量配比为4:1的A组分和B组分,其中,A组分包括以下质量份数的原料:
端乙烯基硅油(乙烯基含量0.1%,25℃时粘度1000mpa·s) 80g,
γ-(2,3环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷 10g,
催化剂氯铂酸-乙烯基硅氧烷络合物 0.01g;
B组分包括以下质量份数的各原料:
本实施例的IGBT用耐高压有机硅凝胶的制备方法,包括以下步骤:
(1)A组分的制备:
将80g端乙烯基硅油、10gγ-(2,3环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷与离子吸附剂(纳米活性碳,孔径0.8nm~2nm)加入到反应釜中,在80℃低速分散4小时(转速为500r/min),过滤后再加入0.01g催化剂,高速分散20min(转速为1200r/min),再真空脱泡20min,制得A组分;
(2)B组分的制备:
将50g端乙烯基硅油(乙烯基含量0.1%)、10gMQ硅树脂、20g含氢硅油和离子吸附剂(纳米活性碳,孔径0.8nm~2nm)加入到反应釜中,在80℃低速分散4小时(转速为500r/min),过滤后再加入0.03g阻聚剂,高速分散20min(转速为1200r/min),再真空脱泡20min,制得B组分。
具体灌封方法:
灌封时,将组分A和组分B按配比为4:1的量混合均匀得到灌封胶,将灌封胶真空脱泡半小时后浇注到需要灌封的器件上,在120℃固化1小时即可。
实施例2:
一种本发明的IGBT用耐高压有机硅凝胶,包括质量配比为4:1的A组分和B组分,其中,A组分包括以下质量份数的原料:
B组分包括以下质量份数的各原料:
本实施例的IGBT用耐高压有机硅凝胶的制备方法,包括以下步骤:
(1)A组分的制备:
将60g端乙烯基硅油(乙烯基含量0.1%)、5gγ-(2,3环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、8g羟基硅油与离子吸附剂壳聚糖加入到反应釜中,在90℃分散3小时(转速500r/min)),,过滤后再加入0.05g催化剂,高速分散20min(转速是1200r/min),,再真空脱泡20min,制得A组分;
(2)B组分的制备:
将40g端乙烯基硅油(乙烯基含量0.1%)、20gMQ硅树脂、10g含氢硅油(含氢量0.1%)、3g含氢硅油(含氢量0.5%)和离子吸附剂壳聚糖加入到反应釜中,在90℃分散3小时(转速是500r/min),过滤后再加入0.03g阻聚剂,高速分散20min(转速是1200r/min),再真空脱泡20min,制得B组分。
具体灌封方法:
灌封时将组分A和组分B按4:1的量混合均匀得到灌封胶,将灌封胶真空脱泡半小时后浇注到需要灌封的器件上,120℃固化1小时即可。
实施例3:
一种本发明的IGBT用耐高压有机硅凝胶,包括质量配比为4:1的A组分和B组分,其中,A组分包括以下质量份数的原料:
B组分包括以下质量份数的各原料:
本实施例的IGBT用耐高压有机硅凝胶的制备方法,包括以下步骤:
(1)A组分的制备:
将60g乙烯基硅油(乙烯基含量0.1%)、40g乙烯基硅油(乙烯基含量0.2%)、5gγ-(2,3环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷与离子吸附剂纳米硅胶加入到反应釜中,在100℃分散2小时(转速是500r/min)),过滤后再加入0.05g催化剂,高速分散20min(转速是1200r/min),再真空脱泡20min,制得A组分。
(2)B组分的制备:
将40g乙烯基硅油(乙烯基含量0.1%)、20g乙烯基硅油(乙烯基含量0.5%)、20gMQ硅树脂、15g含氢硅油(含氢量0.1%)、6g含氢硅油(含氢量0.5%)和离子吸附剂纳米硅胶加入到反应釜中,在100℃分散2小时(转速是500r/min),过滤后再加入0.03g阻聚剂,高速分散20min(转速是1200r/min),再真空脱泡20min,制得B组分。
具体灌封方法:
灌封时将组分A和组分B按配比量(4:1)混合均匀得到灌封胶,将灌封胶真空脱泡半小时后浇注到需要灌封的器件上,120℃固化1小时即可。
对比例:
本对比例的IGBT用耐高压有机硅凝胶,包括质量配比为4:1的A组分和B组分,其中,A组分包括以下质量份数的原料:
B组分包括以下质量份数的各原料:
本对比例的IGBT用耐高压有机硅凝胶的制备方法,包括以下步骤:
(1)A组分的制备:
将60g乙烯基硅油(乙烯基含量0.1%)、40g乙烯基硅油(乙烯基含量0.2%)、5gγ-(2,3环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷加入到反应釜中,高速分散20min(转速是1200r/min,再真空脱泡20min,制得A组分;
(2)B组分的制备:
将40g乙烯基硅油(乙烯基含量0.1%)、20g乙烯基硅油(乙烯基含量0.5%)、20gMQ硅树脂、15g含氢硅油(含氢量0.1%)、6g含氢硅油(含氢量0.5%)加入到反应釜中,高速分散20min(转速是1200r/min),再真空脱泡20min,制得B组分。
具体灌封方法:
灌封时,将组分A和组分B按4:1的配比混合均匀得到灌封胶,将灌封胶真空脱泡半小时后浇注到需要灌封的器件上,在120℃固化1小时即可
其中,实施例1-3和对比例制备的有机硅凝胶性能测试结果如表1所示。
表1IGBT用有机硅凝胶测试性能
检测项目 | 测试方法 | 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 对比例 |
锥入度(0.01mm) | GB/T269-1991 | 69 | 58 | 47 | 48 |
粘度(mpa·s) | GB/T2794-2013 | 1520 | 2610 | 3180 | 3200 |
拉伸强度(MPa) | GB/T528-2009 | 0.15 | 0.18 | 0.2 | 0.18 |
体积电阻率(Ω·cm) | GB/T1410-2006 | 1.5×10<sup>15</sup> | 1.2×10<sup>15</sup> | 1.4×10<sup>15</sup> | 3.2×10<sup>14</sup> |
电气强度(KV/mm) | GB/T1408-2005 | 30 | 32 | 33 | 22.5 |
Claims (9)
2.如权利要求1所述的有机硅凝胶,其特征在于,所述乙烯基硅油包括端乙烯基硅油、侧乙烯基硅油、端乙烯基苯基硅油、侧乙烯基苯基硅油、端基和侧链均含乙烯基的硅油中一种或几种。
3.如权利要求2所述的有机硅凝胶,其特征在于,所述乙烯基硅油粘度在25℃时为1000~10000mpa.s,乙烯基含量为0.1%~0.3%。
4.如权利要求1所述的有机硅凝胶,其特征在于,所述改性硅油包括γ-(2,3环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷和羟基硅油中的一种或几种。
5.如权利要求1所述的有机硅凝胶,其特征在于,所述含氢硅油包括单端氢硅油、端甲基侧氢硅油和双端氢硅油中的一种或几种。
6.如权利要求1所述的有机硅凝胶,其特征在于,所述含氢硅油的粘度在25℃时为10~80mpa.s,含氢量为0.01%~1.5%。
7.如权利要求1所述的有机硅凝胶,其特征在于,所述补强材料为MQ硅树脂、气相二氧化硅和γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷中的一种或几种;
所述催化剂包括氯铂酸的乙烯基硅氧烷络合物、醇改性的氯铂酸、氯铂酸与烯烃的络合物中的一种或几种;
所述阻聚剂包括3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇、1-己炔基-1-环己醇、2-甲基-3-丁炔基-2-醇、2-苯基-3-丁炔基-2-醇和乙烯基环体中的一种或多种。
8.一种如权利要求1-7中任一项所述的有机硅凝胶的制备方法,包括以下步骤:
(1)A组分的制备:将乙烯基硅油和改性硅油加入到反应釜中,再加入离子吸附剂,在80~100℃低速分散2~4小时,过滤后加入催化剂,高速分散均匀,真空脱泡,得到A组分;
(2)B组分的制备:先将乙烯基硅油和含氢硅油加入到反应釜中,再加入离子吸附剂,在80~100℃低速分散2~4小时,过滤后,加入阻聚剂和补强材料,高速分散均匀,真空脱泡,得到B组分。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述低速分散时的转速不高于600r/min;高速分散时的转速不低于1000r/min,高速分散的时间是10~20min。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200306 |
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