CN110862497A - 含萘侧基聚合物及其制备方法和硬掩膜组合物及图案形成方法 - Google Patents

含萘侧基聚合物及其制备方法和硬掩膜组合物及图案形成方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于光刻领域，公开了一种含萘侧基聚合物及其制备方法和硬掩膜组合物及图案形成方法。所述硬掩膜组合物含有含萘侧基聚合物和溶剂以及任选的交联剂、催化剂和表面活性剂，所述含萘侧基聚合物具有式(1)所示的结构。本发明通过对苯酚聚合物的侧基采用含萘基团进行修饰改性而获得含萘侧基聚合物，含有该含萘侧基聚合物的硬掩膜组合物的溶解性好，容易通过旋涂方式涂布于基板上，进而可获得平坦化特征和填隙特征均良好的硬掩膜，并且所得硬掩膜还具有高耐刻蚀性。

Description

含萘侧基聚合物及其制备方法和硬掩膜组合物及图案形成 方法
技术领域
本发明属于光刻领域，具体涉及一种含萘侧基聚合物及其制备方法和硬掩膜组合物及图案形成方法。
背景技术
近年来，随着半导体器件的高集成化和高速化，一方面，作为光致抗蚀剂图案形成时使用的光刻光源波长，由KrF准分子激光器(248nm)向ArF准分子激光器(193nm)短波长化发展，但是通过缩短曝光波长的方法几乎已经达到了图案分辨率的极限；另一方面，为了防止精细的光致抗蚀图案的坍塌，光致抗蚀剂的涂布厚度越来越薄，然而减薄的光致抗蚀剂层难以提供足够耐刻蚀性来实现图案转移。因此，为了形成更加精细的刻蚀图案，需要在光致抗蚀剂与待刻蚀材料层之间形成被称为“硬掩膜”的层。硬掩膜层作为中间层，具有耐化学性、耐热性和耐刻蚀性等特性，可以通过选择性刻蚀过程将光致抗蚀剂的图案精确地转印至待刻蚀的材料层上。
现有的用于形成硬掩膜的材料(例如无定型碳)难以涂布于基板上，因此需要利用化学或物理蒸镀的方法成膜，存在设备投入巨大且成膜均匀性差的问题。因此，近年来广泛开展了可利用旋涂法形成硬掩膜的材料研究工作。在相关研究工作中，为满足硬掩膜的耐刻蚀特性，已经将高碳含量的聚合物作为硬掩膜组合物中的聚合物材料来进行研究。然而，硬掩膜材料的耐刻蚀与溶解性之间存在制约关系，一般高碳含量的聚合物具有良好的耐刻蚀性，但是溶解性却不好，进而会影响硬掩膜的平坦化特征和填隙特征，因此需要不断地研究开发同时满足上述两种性能的硬掩膜组合物。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有的硬掩膜材料无法同时兼具优异的耐刻蚀性和溶解性的缺陷，而提供一种新的含萘侧基聚合物及其制备方法和硬掩膜组合物及图案形成方法，含有该含萘侧基聚合物的硬掩膜组合物同时兼具有优异的耐刻蚀性和溶解性。
具体地，本发明提供了一种含萘侧基聚合物，其中，所述含萘侧基聚合物具有式(1)所示的结构：
Figure BDA0002125110320000021
其中，n为1-500的整数，R1为氢原子或者碳原子数为1-6的烷基，R2为氢原子、碳原子数为1-10的烷基或碳原子数为6-30的取代的或非取代的芳基，R3选自如下组(1)所列基团中的至少一种：
Figure BDA0002125110320000022
其中，
Figure BDA0002125110320000023
表示与其它结构单元的连接键。
进一步的，所述含萘侧基聚合物的重均分子量为500-10000。
本发明还提供了所述含萘侧基聚合物的制备方法，该方法包括将含有萘取代的苯酚和/或苯酚衍生物与醛化合物或二醇化合物进行缩聚反应，所述含有萘取代的苯酚衍生物是指含有萘取代的苯酚中的酚羟基上的氢原子被碳原子数为1-6的烷基取代的化合物。
进一步的，所述醛化合物为脂肪醛和/或芳香醛。其中，所述脂肪醛选自甲醛、低聚甲醛、乙醛、丙醛和丁醛中的至少一种。所述芳香醛选自苯甲醛、萘甲醛、蒽甲醛、芘甲醛和对羟基苯甲醛中的至少一种。
进一步的，所述二醇化合物为芳香族二醇化合物和/或芳香族二醇衍生物，所述芳香族二醇衍生物是指芳香族二醇化合物中的两个醇羟基上的氢原子被碳原子数为1-2的烷基取代的化合物。
进一步的，所述缩聚反应在酸催化剂的存在下进行。
进一步的，所述缩聚反应的条件包括反应温度为40-200℃，反应时间为30min-50h。
本发明还提供了一种硬掩膜组合物，所述硬掩膜组合物含有上述含萘侧基聚合物和溶剂以及任选的交联剂、催化剂和表面活性剂。
进一步的，所述硬掩膜组合物含有3-20wt％的含萘侧基聚合物、0.4-3wt％的交联剂、0.004-0.1wt％的催化剂、0.001-1wt％的表面活性剂和76-95.6wt％的溶剂。
本发明还提供了一种图案形成方法，其中，该图案形成方法包括以下步骤：在基板上形成材料层；将上述硬掩膜组合物施加在所述材料层上并进行热处理，以形成硬掩膜；在所述硬掩膜上形成含硅薄层；在所述含硅薄层上形成光刻胶抗蚀层；将所述光刻胶抗蚀层曝光并显影以形成光刻胶图案；使用所述光刻胶图案选择性去除部分所述含硅薄层和所述硬掩膜以暴露所述材料层的一部分；刻蚀所述材料层的暴露部分。
进一步的，将所述硬掩膜组合物施加在所述材料层上的方式为旋涂法。
本发明的有益效果如下：
本发明通过对苯酚聚合物的侧基采用含萘基团进行修饰改性而获得含萘侧基聚合物，含有该含萘侧基聚合物的硬掩膜组合物的溶解性好，容易通过旋涂方式涂布于基板上，进而可获得平坦化特征和填隙特征均良好的硬掩膜，并且所得硬掩膜显示出了高耐刻蚀性。推测其原因，可能是由于：高碳含量的萘基位于聚合物的侧链，一方面能够使得聚合物具有的较高碳含量，从而确保了硬掩膜组合物的耐刻蚀性，另一方面可以减弱碳含量高对聚合物溶解性造成的不利影响，从而确保了硬掩膜组合物具有良好的旋涂特性，进而获得良好的平坦化特征和填隙特征。
具体实施方式
下面详细描述本发明。
本发明提供的硬掩膜组合物含有含萘侧基聚合物和溶剂，而且根据需要还可以含有交联剂、催化剂和表面活性剂中的至少一种。根据本发明的一种具体实施方式，所述硬掩膜组合物含有3-20wt％的含萘侧基聚合物、0.4-3wt％的交联剂、0.004-0.1wt％的催化剂、0.001-1wt％的表面活性剂和76-95.6wt％的溶剂。
聚合物
本发明提供的含萘侧基聚合物具有式(1)所示的结构：
Figure BDA0002125110320000031
其中，R1、R2、R3、n的定义与之前的定义相同。
所述含萘侧基聚合物由含有萘取代的苯酚和/或苯酚衍生物与醛化合物或二醇化合物通过缩聚反应制备得到。其中，所述醛化合物和二醇化合物为含萘侧基聚合物提供R3基团，而含有萘取代的苯酚与含有萘取代的苯酚衍生物提供除R3基团以外的其他部分。
所述含有萘取代的苯酚衍生物是指含有萘取代的苯酚中的酚羟基上的氢原子被碳原子数为1-6的烷基取代的化合物。在本发明中，所述碳原子数为1-6的烷基可以列举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、1-甲基-环丙基、2-甲基-环丙基、正戊基、1-甲基-正丁基、2-甲基-正丁基、3-甲基-正丁基、1,1-二甲基-正丙基、1,2-二甲基-正丙基、2,2-二甲基-正丙基、1-乙基-正丙基、环戊基、1-甲基-环丁基、2-甲基-环丁基、3-甲基-环丁基、1,2-二甲基-环丙基、2,3-二甲基-环丙基、1-乙基-环丙基、2-乙基-环丙基、正己基、1-甲基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-甲基-正戊基、1,1-二甲基-正丁基、1,2-二甲基-正丁基、1,3-二甲基-正丁基、2,2-二甲基-正丁基、2,3-二甲基-正丁基、3,3-二甲基-正丁基、1-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1,1,2-三甲基-正丙基、1,2,2-三甲基-正丙基、1-甲基-1-乙基-正丙基、1-乙基-2-甲基-正丙基、环己基、1-甲基-环戊基、2-甲基-环戊基、3-甲基-环戊基、1-乙基-环丁基、2-乙基-环丁基、3-乙基-环丁基、1,2-二甲基-环丁基、1,3-二甲基-环丁基、2,2-二甲基-环丁基、2,3-二甲基-环丁基、2,4-二甲基-环丁基、3,3-二甲基-环丁基、1-正丙基-环丙基、2-正丙基-环丙基、1-异丙基-环丙基、2-异丙基-环丙基、1,2,2-三甲基-环丙基、1,2,3-三甲基-环丙基、2,2,3-三甲基-环丙基、1-乙基-2甲基-环丙基、2-乙基-2甲基-环丙基、2-乙基-3甲基-环丙基等。
所述醛化合物可以为现有各种能够与含有萘取代的苯酚和/或苯酚衍生物进行缩聚反应从而为含萘侧基聚合物提供R3基团的醛，具体可以为脂肪醛和/或芳香醛。其中，所述脂肪醛的具体实例包括但不限于：甲醛、低聚甲醛、乙醛、丙醛、丁醛等中的至少一种。所述芳香醛的具体实例包括但不限于；苯甲醛、萘甲醛、蒽甲醛、芘甲醛、对羟基苯甲醛等中的至少一种。此外，以所述含有萘取代的苯酚和含有萘取代的苯酚衍生物的总重量为100重量份计，所述醛化合物的用量可以为70-150重量份。
所述二醇化合物可以为现有各种能够与含有萘取代的苯酚和/或苯酚衍生物进行缩聚反应从而为含萘侧基聚合物提供R3基团的含有两个醇羟基的化合物，具体可以为芳香族二醇化合物和/或芳香族二醇衍生物。其中，所述芳香族二醇衍生物是指芳香族二醇化合物中的两个醇羟基上的氢原子被碳原子数为1-2的烷基取代的化合物。所述芳香族二醇化合物的具体实例包括但不限于：二羟甲基苯、二羟甲基联苯、二羟甲基萘、二羟甲基蒽等中的至少一种。所述芳香族二醇衍生物的具体实例包括但不限于：二甲氧基甲基苯、二甲氧基甲基联苯、二甲氧基甲基萘、二甲氧基甲基蒽等中的至少一种。此外，以所述含有萘取代的苯酚和含有萘取代的苯酚衍生物的总重量为100重量份计，所述二醇化合物的用量可以为70-150重量份。
所述缩聚反应通常需要在酸催化剂的存在下进行。所述酸催化剂可以为无机酸和/或有机酸。其中，所述无机酸的具体实例包括但不限于：硫酸、磷酸、高氯酸等中的至少一种。所述有机酸的具体实例包括但不限于：对苯甲磺酸、甲酸、草酸等中的至少一种。此外，以所述含有萘取代的苯酚和含有萘取代的苯酚衍生物的总重量为100重量份计，所述酸催化剂的用量可以为0.1-100质量份。
所述缩聚反应通常在溶剂中进行。所述溶剂的种类没有特别的限定，只要不阻碍反应均可以使用，其具体实例包括但不限于：四氢呋喃、丙二醇单甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯等中的至少一种。此外，所使用的酸催化剂如果为甲酸那样的液态物质，则也可以兼做溶剂，此时无需再额外加入溶剂。
所述缩聚反应的温度通常可以为40-200℃，反应时间根据反应温度和目标聚合物分子量要求进行选择，通常可以为30min-50h。
交联剂
所述硬掩膜组合物中可以进一步含有交联剂。所述交联剂的具体实例包括但不限于：氨基树脂、甘脲化合物、环氧化合物、三聚氰胺和三聚氰胺衍生物中的至少一种。
催化剂
所述硬掩膜组合物中可以进一步含有催化剂。所述催化剂一般为酸性化合物，起促进交联反应的作用。所述催化剂的具体实例包括但不限于：对甲苯磺酸、三氟甲磺酸、吡啶鎓-对苯磺酸盐、水杨酸、樟脑磺酸、苯二磺酸等中的至少一种。
表面活性剂
所述硬掩膜组合物可以进一步含有表面活性剂。所述表面活性剂的具体实例包括但不限于：聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯鲸蜡基醚、聚氧乙烯油基醚等聚氧乙烯烷基醚类，聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等聚氧乙烯烷基芳基醚类，失水山梨糖醇单月桂酸酯、失水山梨糖醇单棕榈酸酯、失水山梨糖醇单硬酸酯、失水山梨糖醇单月油酸酯、失水山梨糖醇单月三油酸酯、失水山梨糖醇三硬脂酸酯等失水山梨糖醇脂肪酸酯类，聚氧乙烯-失水山梨糖醇单月桂酸酯、聚氧乙烯-失水山梨糖醇单棕榈酸酯、聚氧乙烯-失水山梨糖醇单硬酸酯、聚氧乙烯-失水山梨糖醇单月三油酸酯、聚氧乙烯-失水山梨糖醇三硬脂酸酯等聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯类中的至少一种。
溶剂
所述溶剂的种类没有特别的限定，只要对含萘侧基聚合物以及交联剂、催化剂和表面活性剂具有足够的溶解性或分散性即可。例如，所述溶剂可以选自丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲醚(PGME)、环己酮和乳酸乙酯中的至少一种。
图案形成方法
本发明提供的图案形成方法包括：在基板上形成材料层；将上述硬掩膜组合物施加在所述材料层上并进行热处理，以形成硬掩膜；在所述硬掩膜上形成含硅薄层；在所述含硅薄层上形成光刻胶抗蚀剂层；将所述光刻胶抗蚀层曝光并显影以形成光刻胶图案；使用所述光刻胶图案选择性去除部分所述含硅薄层和所述硬掩膜以暴露所述材料层的一部分；刻蚀所述材料层的暴露部分。
所述基板可以为硅晶片、玻璃衬底或聚合物衬底。
所述材料层为待最终图案化的材料，例如可以为铝层或铜层等金属层、硅层等半导体层、二氧化硅或氮化硅等绝缘层。
所述硬掩膜组合物以溶液的形态并优选通过旋涂法涂覆在所述材料层上，具体地，可以将所述硬掩膜组合物旋涂至厚度为
Figure BDA0002125110320000061
的材料层顶部，之后于240-400℃下加热50-600秒，获得厚度为60-500nm的硬掩膜；所述硬掩膜可以通过CHF3和CF4混合气体的干法刻蚀去除。其中，所述硬掩膜加热温度、加热时间、厚度以及刻蚀条件均不具体限制于以上限定，可以根据加工条件而改变。
所述含硅薄层可以由例如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅形成。
所述光刻胶抗蚀层可以由例如ArF型、KrF型或EUV型光致抗蚀剂形成。
将所述光刻胶抗蚀层进行曝光的方式例如可以为ArF、KrF或EUV。
本发明提供的图案形成方法的主要改进之处在于采用一种新的硬掩膜组合物以形成硬掩膜，而其余步骤和条件例如选择性去除部分所述含硅薄层和所述硬掩膜、刻蚀材料层的暴露部分等方式均可以与现有技术相同，对此本领域技术人员均能知悉，在此不作赘述。
以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
合成例
单体1的合成
将对甲氧基苯硼酸20mmol(3.04g)、1-溴萘20mmol(4.14g)、四(三苯基膦)钯0.6mmol(0.69g)、碳酸钾40mmol(5.53g)、甲苯40ml、水20ml置于三口烧瓶中，在氮气保护下，回流反应，HPLC监控直至对甲氧基苯硼酸反应完毕，停止反应，降温、静置、分液、有机相水洗数次之后，使用无水硫酸镁干燥有机相，过滤、旋干溶剂，得到粗产品。将粗产品在四氢呋喃中溶解，采用柱层析的方法将钯催化剂除去，得到单体1。单体1的具体合成过程如反应式1所示：
反应式1
Figure BDA0002125110320000071
单体2的合成
向250ml三口烧瓶中加入2.34g(10mmol)单体1和50ml二氯甲烷，搅拌均匀后，在0℃条件下缓慢滴加BBr3的二氯甲烷溶液(配置比例：12.5g(50mmol)BBr3溶于50ml二氯甲烷)，滴加完成后反应24h。反应完成后，将反应混合物倒入冰水中，用NaHCO3调节pH值至7左右，过滤，得到单体2。单体2的具体合成过程如反应式2所示：
反应式2
Figure BDA0002125110320000072
聚合物的合成
聚合物1-1的合成
向100ml三口烧瓶中加入2.34g(0.01mol)单体1、0.3g(0.01mol)多聚甲醛和40ml丙二醇单甲醚乙酸酯，混合均匀后加入0.19g(0.001mol)对甲苯磺酸，在氮气保护下，于100℃下反应10h。反应结束后，冷却反应液，然后将反应液倒入甲醇中，以除去未反应的单体和低分子量聚合物，过滤混合液，将滤饼进一步用甲醇清洗2次后，使用50℃真空烘箱干燥12h，得到化学式1-1所示的聚合物(Mw＝6500，多分散度＝2.1，n＝12)。
化学式1-1
Figure BDA0002125110320000073
聚合物1-2的合成
重复聚合物1-1的合成步骤，不同的是，使用2.20g(0.01mol)单体2替代2.34g(0.01mol)单体1，得到化学式1-2所示的聚合物(Mw＝6800，多分散度＝1.9，n＝15)。
化学式1-2
Figure BDA0002125110320000081
聚合物1-3的合成
重复聚合物1-2的合成步骤，不同的是，使用2.20g(0.01mol)对二甲氧基甲基苯替代0.3g(0.01mol)多聚甲醛，得到化学式1-3所示的聚合物(Mw＝7500，多分散度＝2.1，n＝10)。
化学式1-3
Figure BDA0002125110320000082
聚合物1-4的合成
重复聚合物1-2的合成步骤，不同的是，使用1.56g(0.01mol)1-萘醛替代0.3g(0.01mol)多聚甲醛，得到化学式1-4所示的聚合物(Mw＝6100，多分散度＝2.5，n＝7)。
化学式1-4
Figure BDA0002125110320000083
聚合物1-5的合成
重复聚合物1-2的合成步骤，不同的是，使用1.66g(0.01mol)9,10-二甲氧基甲基蒽替代0.3g(0.01mol)多聚甲醛，得到化学式1-5所示的聚合物(Mw＝6800，多分散度＝3.0，n＝5)。
化学式1-5
Figure BDA0002125110320000084
对比合成例
聚合物2-1的合成
向500ml三口烧瓶中加入28.83g(0.2mol)1-萘酚、6.0g(0.2mol)多聚甲醛和250ml丙二醇单甲醚乙酸酯，混合均匀后加入0.19g(0.001mol)对甲苯磺酸，在氮气保护下，于70℃下反应10h。反应结束后，冷却反应液，然后将反应液倒入甲醇中，以除去未反应的单体和低分子量聚合物，过滤混合液，将滤饼进一步用甲醇清洗2次后，使用50℃真空烘箱干燥12h，得到化学式2-1所示的聚合物，聚合物的重均分子量为5900，多分散度为1.70。
化学式2-1
Figure BDA0002125110320000091
实施例与对比例
将聚合物、溶剂、交联剂、催化剂和表面活性剂按照表1的配比混合均匀，得到硬掩膜组合物。其中，溶剂为丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)，催化剂为对甲苯磺酸，表面活性剂为聚氧乙烯月桂基醚，交联剂为结构如下所示的甘脲化合物：
Figure BDA0002125110320000092
表1各组分用量(wt％)
Figure BDA0002125110320000093
测试例
(1)空隙填充特性和平坦化特性
在线/间隔的宽度为150nm/150nm、高度为300nm的被覆了氧化硅的硅基板上，分别旋涂表1中实施例和对比例的硬掩膜组合物，在350℃进行180s烧成，形成硬掩膜。利用场发射扫描电镜观察所形成的硬掩膜的剖面，确定是否存在空隙，来评价间隙填充特性；再通过硬掩膜的厚度高的部分(线部分)与厚度低的部分(间隔部分)之间的差来判定平坦化特性，其中，两者之差小于5nm则判定平坦化特性“非常优良”，在5nm-10nm之间则判定为“优良”，大于10nm则判定为“不良”，所得结果如表3所示。
(2)耐刻蚀性评价
将表1中实施例和对比例的硬掩膜组合物，分别使用旋涂机器涂布在硅晶片上，在350℃下进行120s烧成，形成硬掩膜，膜厚通过K-MAC制造的薄膜厚度测量仪测定。然后，使用CHF3/CF4混合气体按照表2的条件对硬掩膜进行刻蚀，刻蚀完成后再次对膜厚进行测量，利用公式1的计算结果表征刻蚀速率，所得结果如表3所示。
公式1：刻蚀速率＝(刻蚀前硬掩膜的厚度-刻蚀后硬掩膜的厚度)/刻蚀时间
表2
室压力 40.0Pa
RF功率 1500W
CHF<sub>3</sub>流速 30ml/min
CF<sub>4</sub>流速 30ml/min
Ar气流速 100ml/min
刻蚀时间 60s
表3
Figure BDA0002125110320000101
从表3的结果可以看出，与对比例1中萘基位于主链的聚合物相比，实施例1-5所采用的聚合物中由于高碳含量的萘基位于聚合物侧链，聚合物表现出了改善的溶解性，进而含有上述聚合物的硬掩膜组合物表现出了改善的平坦化特性和填隙特性；另一方面，与对比例1相比，实施例1-5所采用的聚合物含有萘侧基，碳含量高，因而在耐刻蚀性方面也具有改进。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种含萘侧基聚合物，其特征在于，所述含萘侧基聚合物具有式(1)所示的结构：
Figure FDA0002125110310000011
其中，n为1-500的整数，R1为氢原子或者碳原子数为1-6的烷基，R2为氢原子、碳原子数为1-10的烷基或碳原子数为6-30的取代的或非取代的芳基，R3选自如下组(1)所列基团中的至少一种：
Figure FDA0002125110310000012
其中，
Figure FDA0002125110310000013
表示与其它结构单元的连接键。
2.根据权利要求1所述的含萘侧基聚合物，其特征在于，所述含萘侧基聚合物的重均分子量为500-10000。
3.权利要求1或2所述的含萘侧基聚合物的制备方法，其特征在于，该方法包括将含有萘取代的苯酚和/或苯酚衍生物与醛化合物或二醇化合物进行缩聚反应，所述含有萘取代的苯酚衍生物是指含有萘取代的苯酚中的酚羟基上的氢原子被碳原子数为1-6的烷基取代的化合物。
4.根据权利要求3所述的含萘侧基聚合物的制备方法，其特征在于，所述醛化合物为脂肪醛和/或芳香醛；所述脂肪醛选自甲醛、低聚甲醛、乙醛、丙醛和丁醛中的至少一种；所述芳香醛选自苯甲醛、萘甲醛、蒽甲醛、芘甲醛和对羟基苯甲醛中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的含萘侧基聚合物的制备方法，其特征在于，所述二醇化合物为芳香族二醇化合物和/或芳香族二醇衍生物，所述芳香族二醇衍生物是指芳香族二醇化合物中的两个醇羟基上的氢原子被碳原子数为1-2的烷基取代的化合物。
6.根据权利要求3-5中任意一项所述的含萘侧基聚合物的制备方法，其特征在于，所述缩聚反应在酸催化剂的存在下进行；所述缩聚反应的条件包括反应温度为40-200℃，反应时间为30min-50h。
7.一种硬掩膜组合物，所述硬掩膜组合物含有聚合物和溶剂以及任选的交联剂、催化剂和表面活性剂，其特征在于，所述聚合物为权利要求1或2所述的含萘侧基聚合物。
8.根据权利要求7所述的硬掩膜组合物，其特征在于，所述硬掩膜组合物含有3-20wt％的含萘侧基聚合物、0.4-3wt％的交联剂、0.004-0.1wt％的催化剂、0.001-1wt％的表面活性剂和76-95.6wt％的溶剂。
9.一种图案形成方法，其特征在于，该图案形成方法包括以下步骤：
在基板上形成材料层；
将权利要求7或8所述的硬掩膜组合物施加在所述材料层上并进行热处理，以形成硬掩膜；
在所述硬掩膜上形成含硅薄层；
在所述含硅薄层上形成光刻胶抗蚀层；
将所述光刻胶抗蚀层曝光并显影以形成光刻胶图案；
使用所述光刻胶图案选择性去除部分所述含硅薄层和所述硬掩膜以暴露所述材料层的一部分；
刻蚀所述材料层的暴露部分。
10.根据权利要求9所述的图案形成方法，其特征在于，将所述硬掩膜组合物施加在所述材料层上的方式为旋涂法。
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