CN110846028A - 高分子包覆钙钛矿量子点及其制备方法和包括其的半导体发光材料 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种高分子包覆钙钛矿量子点及其制备方法和包括其的半导体发光材料,涉及光学材料技术领域,该制备方法首先将含有高分子材料、第一前体和第二前体的前体溶液加入到含有表面配体的正己烷溶液中,使其形成油包水乳液;随后加入破乳剂破乳,得到高分子包覆钙钛矿量子点。上述方法制得的高分子包覆钙钛矿量子点可以达到纳米级的较小粒径;同时上述制备方法为一锅法制备,制备过程中无需中间体分离的步骤,可以直接得到外层包覆有高分子的钙钛矿量子点,具有制备工艺简单、效率高的优势。此外,该方法制得的高分子包覆钙钛矿量子点可以均匀的分散于水中。
Description
技术领域
本发明涉及光学材料技术领域,尤其是涉及一种高分子包覆钙钛矿量子点及其制备方法和包括其的半导体发光材料。
背景技术
钙钛矿量子点具有发光易调谐、发射谱线窄、量子效率高等特点,利用其制备而成的LED在色域范围等方面的特性甚至超过了现有已经商业化的OLED。因此,近年来钙钛矿量子点已经成为半导体发光材料领域的研究热点。
然而,现有的基于钙钛矿量子点的发光材料普遍稳定性差、在空气中发光时极易淬灭,很难进行后续应用。因此,一般还需要对钙钛矿量子点进行高分子二次包覆,以提高其稳定性。但现有的包覆方法均是先制备钙钛矿量子点,然后再将高分子球在钙钛矿量子点的溶液中溶胀,随后消溶胀形成复合物,需分离中间体,过程繁杂效率低,同时制得的高分子包覆的钙钛矿量子点的尺寸也较大(微米级),且无法分散于水中。
有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,所述制备方法无需中间体分离的过程,可以直接得到外层包覆有高分子的钙钛矿量子点,具有制备工艺简单、效率高的优势。
本发明的第二目的在于提供一种高分子包覆钙钛矿量子点,该高分子包覆钙钛矿量子点主要由上述制备方法制得,具有粒径小,可均匀分散于水中的优势。
本发明的第三目的在于提供一种半导体发光材料,该半导体发光材料包含上述高分子包覆钙钛矿量子点。
本发明提供的一种高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:
(a)提供含有高分子材料、第一前体和第二前体的前体溶液,将前体溶液加入到含有表面配体的正己烷溶液中,使其形成油包水乳液;
(b)向油包水乳液中加入破乳剂破乳,得到高分子包覆钙钛矿量子点。
进一步的,所述高分子材料包括聚偏氟乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、醋酯纤维和聚苯乙烯中的至少一种;
优选地,所述高分子材料包括聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯中的至少一种;
更优选地,所述高分子材料包括聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯中的任意一种。
进一步的,所述第一前体的分子式结构为AX,其中:
A为胺类有机基团,X为卤素离子;
优选地,所述胺类有机基团包括R-NH3+,所述R为C1-C10的直链烷基或支链烷基、C6-C10的芳香基或C1-C10的烷氧基中的任意一种;所述卤素离子包括Cl-、Br-或I-中的任意一种;
更优选地,所述R为C1-C4的直链烷基或支链烷基;
进一步优选地,R为甲基;
优选地,所述第二前体的分子式结构为BX2,其中:
B为二价金属离子,X为卤素离子;
更优选地,所述二价金属离子包括Pb2+、Sn2+或Cu2+中的任意一种,所述卤素离子包括Cl-、Br-或I-中的任意一种;
进一步优选地,所述二价金属离子包括Pb2+,所述卤素离子包括Br-。
进一步的,所述前体溶液中还包括有机溶剂;
优选地,所述有机溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和N,N-二甲基乙酰胺中的至少一种;
更优选地,所述有机溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺。
进一步的,所述前体溶液与含有表面配体的正己烷溶液的质量比为2~6:30~40;
优选地,所述前体溶液与含有表面配体的正己烷溶液的质量比为4:35。
进一步的,所述前体溶液中,高分子材料、第一前体、第二前体和有机溶剂的质量比为5~10:12~18:45~55:700~800;
优选地,所述前体溶液中,高分子材料、第一前体、第二前体和有机溶剂的质量比为7.5:15.6:51.4:758;
所述含有表面配体的正己烷溶液中,表面配体与正己烷的质量比为85~95:1300:~1400。
优选地,所述含有表面配体的正己烷溶液中,表面配体与正己烷的质量比为89:1318。
进一步的,所述表面配体包括R-NH2和脂肪酸,所述R为C5-C10的直链烷基或支链烷基;
优选地,R为C8的直链烷基;
优选地,所述脂肪酸包括C12-C20的长链脂肪酸中的至少一种;
更优选地,所述表面配体包括辛胺和油酸;
优选地,所述破乳剂包括醇溶液;
更优选地,所述破乳剂包括C3~C8的醇溶液;
进一步优选地,所述破乳剂包括叔丁醇溶液。
进一步的,所述制备方法还包括加入破乳剂破乳后,对得到的高分子包覆钙钛矿量子点进行离心去杂的步骤。
本发明提供的一种高分子包覆钙钛矿量子点,所述高分子包覆钙钛矿量子点主要由上述制备方法制得。
本发明提供的一种半导体发光材料,所述半导体发光材料包括上述高分子包覆钙钛矿量子点。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
本发明提供的一种高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,该制备方法首先将含有高分子材料、第一前体和第二前体的前体溶液加入到含有表面配体的正己烷溶液中,使其形成油包水乳液;随后加入破乳剂破乳,得到高分子包覆钙钛矿量子点。上述方法通过制备油包水乳液的方式使前体溶液以悬浮滴液的状态均匀分散于正己烷介质之中,随后对油包水乳液进行破乳。本发明利用油包水乳液中的微乳液滴作为微反应器,将DMF液滴限制在纳米尺寸,从而在破乳后所形成的纳米尺寸的高分子包裹的钙钛矿量子点。现有的大多数技术由于没有微反应器对尺寸的限制作用,从而很难避免高分子的团聚从而形成大颗粒。因此制得的具有高分子的钙钛矿量子点可以达到纳米级的较小粒径;同时上述制备方法为一锅法制备,制备过程中无需中间体分离的步骤,可以直接得到外层包覆有高分子的钙钛矿量子点,具有制备工艺简单、效率高的优势。此外,现有的技术中利用高分子包裹钙钛矿量子点后形成的产物,由于高分子的疏水性能导致产物无法分散在水中。该方法利用后续的离心步骤将配体控制在合适的比例中,利用配体来实现高分子包裹的钙钛矿量子点在水中的分散。该方法制得的高分子包覆钙钛矿量子点可以均匀的分散于水中。
本发明提供的高分子包覆钙钛矿量子点,该高分子包覆钙钛矿量子点主要由上述制备方法制得,具有粒径小,可均匀分散于水中的优势。
本发明提供的半导体发光材料,该半导体发光材料包括上述高分子包覆钙钛矿量子点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的以CH3NH3 +为第一前体和PbBr2为第二前体制备高分子包覆钙钛矿量子点的流程示意图;
图2为本发明提供的实施例1制得的高分子包覆钙钛矿量子点的透射电子显微图;
图3为本发明提供的实施例1制得的高分子包覆钙钛矿量子点的高倍数透射电子显微图及相对应的高分辨透射电子显微图;
图4为本发明提供的实施例2制得的高分子包覆钙钛矿量子点的透射电子显微图;
图5为本发明提供的实施例2制得的高分子包覆钙钛矿量子点的高倍数透射电子显微图及相对应的高分辨透射电子显微图;
图6为本发明提供的实施例3制得的高分子包覆钙钛矿量子点的透射电子显微图;
图7为本发明提供的实施例3制得的高分子包覆钙钛矿量子点的高倍数透射电子显微图及相对应的高分辨透射电子显微图;
图8为本发明提供的实施例1~3制得的高分子包覆钙钛矿量子点的荧光光谱;
图9为本发明提供的实施例1制得的高分子包覆钙钛矿量子点的荧光衰减曲线图;
图10为本发明提供的实施例2制得的高分子包覆钙钛矿量子点的荧光衰减曲线图;
图11为本发明提供的实施例3制得的高分子包覆钙钛矿量子点的荧光衰减曲线图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
根据本发明的一个方面,一种高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:
(a)提供含有高分子材料、第一前体和第二前体的前体溶液,将前体溶液加入到含有表面配体的正己烷溶液中,使其形成油包水乳液;
(b)向油包水乳液中加入破乳剂破乳,得到高分子包覆钙钛矿量子点。
本发明提供的一种高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,该制备方法首先将含有高分子材料、第一前体和第二前体的前体溶液加入到含有表面配体的正己烷溶液中,使其形成油包水乳液;随后加入破乳剂破乳,得到高分子包覆钙钛矿量子点。上述方法通过制备油包水乳液的方式使前体溶液以悬浮滴液的状态均匀分散于正己烷介质之中,随后对油包水乳液进行破乳。本发明利用油包水乳液中的微乳液滴作为微反应器,将DMF液滴限制在纳米尺寸,从而在破乳后所形成的纳米尺寸的高分子包裹的钙钛矿量子点。现有的大多数技术由于没有微反应器对尺寸的限制作用,从而很难避免高分子的团聚从而形成大颗粒。因此制得的具有高分子的钙钛矿量子点可以达到纳米级的较小粒径;同时上述制备方法为一锅法制备,制备过程中无需中间体分离的步骤,可以直接得到外层包覆有高分子的钙钛矿量子点,具有制备工艺简单、效率高的优势。此外,现有的技术中利用高分子包裹钙钛矿量子点后形成的产物,由于高分子的疏水性能导致产物无法分散在水中。该方法利用后续的离心步骤将配体控制在合适的比例中,利用配体来实现高分子包裹的钙钛矿量子点在水中的分散。该方法制得的高分子包覆钙钛矿量子点可以均匀的分散于水中。
在本发明的一种优选实施方式中,所述高分子材料包括聚偏氟乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、醋酯纤维和聚苯乙烯中的至少一种;
作为一种优选的实施方式,上述高分子材料具有优秀的疏水性能,能够很好的提高钙钛矿量子点的水稳定性,并且由于其对可见光的吸收较小,高分子对钙钛矿量子点的发光不会受到影响。
优选地,所述高分子材料包括聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯中的至少一种;
更优选地,所述高分子材料包括聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯中的任意一种。
在本发明的一种优选实施方式中,所述第一前体的分子式结构为AX,其中:
A为胺类有机基团,X为卤素离子;
优选地,所述胺类有机基团包括R-NH3 +,所述R为C1-C10的直链烷基或支链烷基、C6-C10的芳香基或C1-C10的烷氧基中的任意一种;所述卤素离子包括Cl-、Br-或I-中的任意一种;
更优选地,所述R为C1-C4的直链烷基或支链烷基;
进一步优选地,R为甲基;
作为一种优选的实施方式,上述第一前体的分子式结构为CH3NH3 +作为第一前体最终形成的钙钛矿量子点有更好的光学性能。
优选地,所述第二前体的分子式结构为BX2,其中:
B为二价金属离子,X为卤素离子;
更优选地,所述二价金属离子包括Pb2+、Sn2+或Cu2+中的任意一种,所述卤素离子包括Cl-、Br-或I-中的任意一种;
进一步优选地,所述二价金属离子包括Pb2+,所述卤素离子包括Br-。
作为一种优选的实施方式,上述第二前体的分子式结构为PbBr2,PbBr2作为第二前体最终形成的钙钛矿量子点有更好的光学性能。
图1为本发明提供的以CH3NH3 +为第一前体和PbBr2为第二前体制备高分子包覆钙钛矿量子点的流程示意图。图1中,11为油包水乳液中的前体溶液液滴;12为油酸;13为辛胺;21为高分子材料;31为高分子纳米球;32为钙钛矿量子点。
如图1所示,作为一种优选的实施方式,以CH3NH3 +为第一前体和PbBr2为第二前体在制备过程中在加入破乳剂后,它们会从良溶剂环境迅速变为不良溶剂环境,溶解度迅速减小从而形成钙钛矿量子点。
在本发明的一种优选实施方式中,所述前体溶液中还包括有机溶剂;有机溶剂作为一种良溶剂将第一前体、第二前体和高分子溶解。
优选地,所述有机溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和N,N-二甲基乙酰胺中的至少一种;
更优选地,所述有机溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺。
在本发明的一种优选实施方式中,所述前体溶液与含有表面配体的正己烷溶液的质量比为2~6:30~40;以为控制合适的油相和水相的比例得到合适的油包水乳液。
优选地,所述前体溶液与含有表面配体的正己烷溶液的质量比为4:35。
在本发明的一种优选实施方式中,所述前体溶液中,高分子材料、第一前体、第二前体和有机溶剂的质量比为5~10:12~18:45~55:700~800;
优选地,所述前体溶液中,高分子材料、第一前体、第二前体和有机溶剂的质量比为7.5:15.6:51.4:758;
优选地,所述含有表面配体的正己烷溶液中,表面配体与正己烷的质量比为85~95:1300:~1400。
优选地,所述含有表面配体的正己烷溶液中,表面配体与正己烷的质量比为89:1318。
在本发明的一种优选实施方式中,所述表面配体包括R-NH2和脂肪酸,所述R为C5-C10的直链烷基或支链烷基;
优选地,R为C8的直链烷基;
优选地,所述脂肪酸包括C12-C20的长链脂肪酸中的至少一种;
更优选地,所述表面配体包括辛胺和油酸;
优选地,所述破乳剂包括醇溶液;
更优选地,所述破乳剂包括C3~C8的醇溶液;
进一步优选地,所述破乳剂包括叔丁醇溶液。
在本发明的一种优选实施方式中,所述制备方法还包括加入破乳剂破乳后,对得到的高分子包覆钙钛矿量子点进行离心去杂的步骤。
优选地,所述离心去杂包括以下步骤:
将1mL的破乳后得到的高分子包覆钙钛矿量子点溶液以5000rpm离心5分钟,并将所得沉淀物再分散于1mL去离子水中。将溶液以7000rpm离心5分钟,将得到的沉淀物再分散于1mL去离子水中。在另外以1500rpm离心5分钟后,获得澄清的含有高分子包覆钙钛矿量子点水溶液。
根据本发明的一个方面,一种高分子包覆钙钛矿量子点,所述高分子包覆钙钛矿量子点主要由上述制备方法制得。
本发明提供的高分子包覆钙钛矿量子点,该高分子包覆钙钛矿量子点主要由上述制备方法制得,具有粒径小,可均匀分散于水中的优势。
根据本发明的一个方面,一种半导体发光材料,所述半导体发光材料包括上述高分子包覆钙钛矿量子点。
本发明提供的半导体发光材料,该半导体发光材料包括上述高分子包覆钙钛矿量子点。
下面将结合实施例和对比例对本发明的技术方案进行进一步地说明。
实施例1
一种高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:
(1)、将CH3NH3Br(0.455mmol),PbBr2(0.455mmol)和聚偏氟乙烯(24.375mg)溶解在N,N-二甲基甲酰胺(2.6mL)中以形成前体溶液;将油酸(0.5mL)和辛胺(20μL)与正己烷(10mL)在50mL圆底烧瓶中混合;在剧烈搅拌下将0.8mL前体溶液加入到配体溶解的正己烷溶液中,使其形成油包水乳液;
(2)、将叔丁醇(1.5mL)加入到油包水乳液中,快速破乳后,形成高分子包覆钙钛矿量子点;
(3)、将1mL的破乳后得到的高分子包覆钙钛矿量子点溶液以5000rpm离心5分钟,并将所得沉淀物再分散于1mL去离子水中;将溶液以7000rpm离心5分钟,将得到的沉淀物再分散于1mL去离子水中;在另外以1500rpm离心5分钟后,获得澄清的含有高分子包覆钙钛矿量子点水溶液。
实施例2
一种高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:
(1)、将CH3NH3Br(0.455mmol),PbBr2(0.455mmol)和聚甲基丙烯酸甲酯(24.375mg)溶解在N,N-二甲基甲酰胺(2.6mL)中以形成前体溶液;将油酸(0.5mL)和辛胺(20μL)与正己烷(10mL)在50mL圆底烧瓶中混合;在剧烈搅拌下将0.8mL前体溶液加入到配体溶解的正己烷溶液中,使其形成油包水乳液;
(2)、将叔丁醇(1.5mL)加入到油包水乳液中,快速破乳后,形成高分子包覆钙钛矿量子点;
(3)、将1mL的破乳后得到的高分子包覆钙钛矿量子点溶液以5000rpm离心5分钟,并将所得沉淀物再分散于1mL去离子水中;将溶液以7000rpm离心5分钟,将得到的沉淀物再分散于1mL去离子水中;在另外以1500rpm离心5分钟后,获得澄清的含有高分子包覆钙钛矿量子点水溶液。
实施例3
一种高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:
(1)、将CH3NH3Br(0.455mmol),PbBr2(0.455mmol)和聚苯乙烯(24.375mg)溶解在N,N-二甲基甲酰胺(2.6mL)中以形成前体溶液;将油酸(0.5mL)和辛胺(20μL)与正己烷(10mL)在50mL圆底烧瓶中混合;在剧烈搅拌下将0.8mL前体溶液加入到配体溶解的正己烷溶液中,使其形成油包水乳液;
(2)、将叔丁醇(1.5mL)加入到油包水乳液中,快速破乳后,形成高分子包覆钙钛矿量子点;
(3)、将1mL的破乳后得到的高分子包覆钙钛矿量子点溶液以5000rpm离心5分钟,并将所得沉淀物再分散于1mL去离子水中;将溶液以7000rpm离心5分钟,将得到的沉淀物再分散于1mL去离子水中;在另外以1500rpm离心5分钟后,获得澄清的含有高分子包覆钙钛矿量子点水溶液。
效果例1
为表明本申请高分子包覆钙钛矿量子点具有交底的粒径范围,现对本申请实施例1~3制得的高分子包覆钙钛矿量子点进行透射电子显微镜检测,其结果如图2~7所示。
其中,图2为本发明提供的实施例1制得的高分子包覆钙钛矿量子点的透射电子显微图。钙钛矿量子点为图中所示的黑点,黑点周围的浅色区域表示高分子壳。从图2中观察到高分子包覆钙钛矿量子点的直径为6.3±0.9nm,其中的钙钛矿量子点的直径为3.3±0.5nm;图3为本发明提供的实施例1制得的高分子包覆钙钛矿量子点的高倍数透射电子显微图及相对应的高分辨透射电子显微图,从图3中观察到的晶面间距,对应MAPbBr3的(220)晶面,证实了TEM图像钟的黑点确实是钙钛矿量子点。
图4为本发明提供的实施例2制得的高分子包覆钙钛矿量子点的透射电子显微图,钙钛矿量子点为图中所示的黑点,黑点周围的浅色区域表示高分子壳。从图4中观察到高分子包覆钙钛矿量子点的直径为8.0±1.5nm,球中的钙钛矿量子点的直径为3.9±0.8nm;图5为本发明提供的实施例2制得的高分子包覆钙钛矿量子点的高倍数透射电子显微图及相对应的高分辨透射电子显微图,从图5中观察到的晶面间距,对应MAPbBr3的(200)晶面,证实了TEM图像钟的黑点确实是钙钛矿量子点。
图6为本发明提供的实施例3制得的高分子包覆钙钛矿量子点的透射电子显微图,钙钛矿量子点为图中所示的黑点,黑点周围的浅色区域表示高分子壳。从图6中观察到高分子包覆钙钛矿量子点的直径为9.8±1.7nm,其中钙钛矿量子点的直径为3.9±0.6nm;图7为本发明提供的实施例3制得的高分子包覆钙钛矿量子点的高倍数透射电子显微图及相对应的高分辨透射电子显微图,从图7中观察到的晶面间距,对应MAPbBr3的(200)晶面,证实了TEM图像钟的黑点确实是钙钛矿量子点。
效果例2
为表明本申请高分子包覆钙钛矿量子点具有很好的荧光效果,现对本申请实施例1~3制得的高分子包覆钙钛矿量子点进行的荧光光谱检测,其结果如图8~图11所示。
其中,图8为实施例1~3制得的高分子包覆钙钛矿量子点的荧光光谱图。
由图8可知,实施例1~3制得的高分子包覆钙钛矿量子点的荧光发射峰分别位于531nm,530nm和530nm。三个钙钛矿钙钛矿量子点/聚合物纳米球的荧光发射峰基本上重合。
图9为实施例1制得的高分子包覆钙钛矿量子点的荧光衰减曲线图。
图10为实施例2制得的高分子包覆钙钛矿量子点的荧光衰减曲线图。
图11为实施例3制得的高分子包覆钙钛矿量子点的荧光衰减曲线图。
对图9、图10和图11利用下面公式进行拟合,具体拟合公式如下:
asum=a0+a1+a2.........equation. (3)
可知,本发明实施例1~3制得的高分子包覆钙钛矿量子点的荧光寿命(τavg)分别为1062ns,270ns,109ns。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
(a)提供含有高分子材料、第一前体和第二前体的前体溶液,将前体溶液加入到含有表面配体的正己烷溶液中,使其形成油包水乳液;
(b)向油包水乳液中加入破乳剂破乳,得到高分子包覆钙钛矿量子点。
2.根据权利要求1所述的高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,其特征在于,所述高分子材料包括聚偏氟乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、醋酯纤维和聚苯乙烯中的至少一种;
优选地,所述高分子材料包括聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯中的至少一种;
更优选地,所述高分子材料包括聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,其特征在于,所述第一前体的分子式结构为AX,其中:
A为胺类有机基团,X为卤素离子;
优选地,所述胺类有机基团包括R-NH3 +,所述R为C1-C10的直链烷基或支链烷基、C6-C10的芳香基或C1-C10的烷氧基中的任意一种;所述卤素离子包括Cl-、Br-或I-中的任意一种;
更优选地,所述R为C1-C4的直链烷基或支链烷基;
更优选地,R为甲基;
优选地,所述第二前体的分子式结构为BX2,其中:
B为二价金属离子,X为卤素离子;
更优选地,所述二价金属离子包括Pb2+、Sn2+或Cu2+中的任意一种,所述卤素离子包括Cl-、Br-或I-中的任意一种;
更优选地,所述二价金属离子包括Pb2+,所述卤素离子包括Br-。
4.根据权利要求1所述的高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,其特征在于,所述前体溶液中还包括有机溶剂;
优选地,所述有机溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和N,N-二甲基乙酰胺中的至少一种;
更优选地,所述有机溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺。
5.根据权利要求1所述的高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,其特征在于,所述前体溶液与含有表面配体的正己烷溶液的质量比为2~6:30~40;
优选地,所述前体溶液与含有表面配体的正己烷溶液的质量比为4:35。
6.根据权利要求1所述的高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,其特征在于,所述前体溶液中,高分子材料、第一前体、第二前体和有机溶剂的质量比为5~10:12~18:45~55:700~800;
优选地,所述前体溶液中,高分子材料、第一前体、第二前体和有机溶剂的质量比为7.5:15.6:51.4:758;
所述含有表面配体的正己烷溶液中,表面配体与正己烷的质量比为85~95:1300:~1400
优选地,所述含有表面配体的正己烷溶液中,表面配体与正己烷的质量比为89:1318。
7.根据权利要求1所述的高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,其特征在于,所述表面配体包括R-NH2和脂肪酸,所述R为C5-C10的直链烷基或支链烷基;
优选地,R为C8的直链烷基;
优选地,所述脂肪酸包括C12-C20的长链脂肪酸中的至少一种;
更优选地,所述表面配体包括辛胺和油酸;
优选地,所述破乳剂包括醇溶液;
更优选地,所述破乳剂包括C3~C8的醇溶液;
更优选地,所述破乳剂包括叔丁醇溶液。
8.根据权利要求1所述的高分子包覆钙钛矿量子点的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括加入破乳剂破乳后,对得到的高分子包覆钙钛矿量子点进行离心去杂的步骤。
9.一种高分子包覆钙钛矿量子点,其特征在于,所述高分子包覆钙钛矿量子点主要由权利要求1~8任一项所述的制备方法制得。
10.一种半导体发光材料,其特征在于,所述半导体发光材料包括权利要求9所述的高分子包覆钙钛矿量子点。
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