CN110806496A - 一种全金属微惯性系统器件及其加工方法 - Google Patents
一种全金属微惯性系统器件及其加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110806496A CN110806496A CN201910959295.8A CN201910959295A CN110806496A CN 110806496 A CN110806496 A CN 110806496A CN 201910959295 A CN201910959295 A CN 201910959295A CN 110806496 A CN110806496 A CN 110806496A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- system device
- metal micro
- metal layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/03—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses by using non-electrical means
- G01P15/032—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses by using non-electrical means by measuring the displacement of a movable inertial mass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0156—Lithographic techniques
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明涉及一种全金属微惯性系统器件的加工方法,包括以下步骤:提供硅基板,在硅基板电镀一层Cr/Au金属层,将PMMA光刻胶层覆盖到Cr/Au金属层表面;将掩模板与硅基板对准后,采用X射线照射PMMA光刻胶层,显影得到光刻胶微结构,并在光刻胶微结构的缝隙中显露出Cr/Au金属层;在显露的Cr/Au金属层表面电镀Ni/Cu金属层;打磨将Ni/Cu金属层的厚度处理为100~1000um;分离硅基板,去除PMMA光刻胶层和Cr/Au金属层得到全金属微惯性系统器件。与现有技术相比,本发明具有工艺步骤少、成本低、加工过程简单、成品抗冲击力强等优点。
Description
技术领域
本发明涉及微细加工领域,尤其是涉及一种全金属微惯性系统器件及其加工方法。
背景技术
光刻技术一直是推动微机械制造业向前发展的关键技术之一。随着新技术革命的到来,使得光学光刻工艺技术的发展日渐完善。而X射线光刻技术经过近三十年的发展,已基本成熟。相比其他常用光学光刻技术而言,X射线光刻具有穿透性强、分辨率高、深宽比高、工艺简单等诸多优点。
传统微惯性系统器件的制备,通常采用单一的掩模板进行光刻,每次只能得到同样大小和尺寸的微型器件。此种方法对于大批量地生产不同大小的全金属微惯性系统而言,步骤过于繁琐、耗时,使得掩模成本大大提高,不适宜批量生产。
以现有的全金属微惯性系统器件为例,参见专利《一种全金属电容极板微加速度传感器》中(专利号CN104020313A),该专利通过质量块的位移产生电容差,从而得到反馈电压以测量加速度的大小。采用电容式极板,电容的大小极易受到周围环境的干扰。且由于电容式传感器的电容与上下极板之间的距离关系是非线性的,需要额外接入补偿电路,在接入电路后,电缆分布也易对电容产生影响。
中国专利CN1778505A公布了一种电火花加工用的极长异形微细电极的制造方法,包括如下步骤:步骤1:在导电基板上涂光刻胶;步骤2:掩模板与导电基板对准后曝光,显影后得到光刻胶微结构;步骤3:在光刻胶微结构的缝隙中电铸金属;步骤4:重复1-3步骤;步骤5:去除光刻胶和导电基板后得到所需金属电极。但是该专利技术中采用紫外光照,而对于全金属微惯性系统器件,需要保证该器件的表面粗糙度以及结构强度,因此该器件的厚度要求较高,紫外光照无法满足要求。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种加工效率高、加工工艺简单、测量准确的全金属微惯性系统器件及其加工方法。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现:
一种全金属微惯性系统器件的加工方法,包括以下步骤:
(1)提供硅基板,在所述硅基板电镀一层Cr/Au金属层,将PMMA光刻胶层覆盖到所述Cr/Au金属层表面;
(2)将掩模板与硅基板对准后,采用X射线照射所述PMMA光刻胶层,显影得到光刻胶微结构,并在所述光刻胶微结构的缝隙中显露出Cr/Au金属层;
(3)在显露的Cr/Au金属层表面电镀Ni/Cu金属层;
(4)打磨将所述Ni/Cu金属层的厚度处理为100~1000um;
(5)分离所述硅基板,去除PMMA光刻胶层和Cr/Au金属层得到所述全金属微惯性系统器件。
所述X射线的光子能量大于1.3kev。
所述X射线的照射方法为用一个开普顿窗口获取X射线光束,然后X射线光束通过掩模板,照射所述PMMA光刻胶层上曝光,将掩模板的图形转移至光刻胶上。
所述全金属微惯性系统器件的尺寸大于所述开普顿窗口的尺寸,对所述PMMA光刻胶层进行移动光刻。
所述X射线照射PMMA光刻胶层的时间依据所需加工器件的大小而变化,可以在5min~60min区间变动。
所述PMMA光刻胶层的最高厚度可达1mm,其厚度在1um~1mm区间浮动变化。
预先有技术相比,和现在制造的微机械构件通常所采用的刻蚀工艺及单一掩膜工艺相比,X射线曝光条件下所得构件的表面粗糙度小,构件厚度最高可达1mm,抗冲击能力强,并且仅通过改变掩模图形的尺寸、只需要通过一次X曝光就可在同一片硅片上得到不同大小的全金属微惯性系统器件,能够大批量生产。
制备工艺中,最为关键的工艺在于X射线曝光。根据所需制备全金属器件的厚度大小来选择不同的曝光时间,从5min~60min不等,光刻蚀时间过短,则无法保证PMMA光刻胶层上得到相应深度的光刻胶微结构,从而无法保证最终产品的厚度和结构;刻蚀时间过长易其他不需要刻蚀的结构损坏,考虑到X光源使用费用昂贵,过渡刻蚀会对光源造成不必要的浪费。当全金属器件的大小大于X射线窗口时,需要对加工器件进行移动曝光。
所述掩模板上设有若干个尺寸大小相同或不同的产品图案。
通过改变掩模图形的尺寸就可在同一块硅片上得到具有不同大小的全金属微惯性系统器件,并且只需要一次X射线曝光,能够大批量生产,克服了现有技术耗时、成本高的缺点。
采用上述加工方法得到的全金属微惯性器件,包括质量块、与所述质量块连接的弹簧和与所述弹簧连接的锚点;该锚点连接于带测量构件上。
该全金属微惯性器件还包括连接于质量块上的导向部,该导向部内设有放置所述弹簧的空腔。
本发明提供的全金属微惯性器件的工作原理为:
当器件弹簧通过锚点连接到基板上,当沿器件水平方向的加速度作用于构件时,由于惯性力的存在使得质量块往右发生偏移,与此同时,弹簧向左拉伸,在不计摩擦的情况下,通过牛顿第二定律F=ma和胡克定律F=kx,可由弹簧的形变量得到加速度的大小。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
(1)本发明的工艺过程采用X光光刻工艺和电镀工艺制结合,生产得到的全金属微惯性系统器件的表面粗糙度小,构件厚度最高可达1mm,抗冲击能力强,满足微型传感器的要求;
(2)只需要通过一次X曝光就可在同一片硅片上得到不同大小的全金属微惯性系统器件,能够大批量生产,生产效率高,成本低。
附图说明
图1为本发明中全金属微惯性器件的结构示意图;
图2为本发明中全金属微惯性器件的工作原理示意图;
图3为本发明中全金属微惯性器件的制备工艺流程图;
图4为本发明中采用的掩模板的结构示意图;
图中,1为锚点,2为弹簧,3为质量块,4为导向部,5为空腔,6为硅基板,7为Cr/Au金属层,8为PMMA光刻胶层,9为光刻胶微结构,10为Ni/Cu金属层。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例1
一种全金属微惯性系统器件,如图1所示,包括质量块3、与质量块3连接的弹簧2、连接于质量块3上的导向部4和与弹簧2连接的锚点1;该锚点1连接于带测量构件上,导向部5内设有放置弹簧的空腔5,该全金属微惯性系统器件的厚度为1000um。
该全金属微惯性系统器件的工作原理为:
如图2所示,当器件弹簧2通过锚点1连接到基板上,当沿器件水平方向的加速度作用于构件时,由于惯性力的存在使得质量块3往右发生偏移,与此同时,弹簧2向左拉伸,在不计摩擦的情况下,通过牛顿第二定律F=ma和胡克定律F=kx,可由弹簧2的形变量得到加速度的大小。
本实施例中全金属微惯性系统器件的加工方法,如图3所示,包括以下步骤:
(1)提供硅基板6,在硅基板6电镀一层Cr/Au金属层7,将厚度为1mm的PMMA光刻胶层8覆盖到Cr/Au金属层7表面,如图3(a)所示;
(2)将掩模板与硅基板6对准后,采用X射线照射PMMA光刻胶层8,显影得到光刻胶微结构9,并在光刻胶微结构9的缝隙中显露出Cr/Au金属层7,如图3(b)所示;
其中,X射线的照射方法为用一个开普顿窗口获取X射线光束,然后X射线光束通过掩模板,照射PMMA光刻胶层8上曝光,将掩模板的图形转移至光刻胶上;X射线束的全长是1.58m,200μm厚的铍(Be)和50μm厚的开普顿(kapton)窗口(5mm×30mm)被用来作为过滤器以得到光子能量超过1.3kev的硬X射线;X射线照射PMMA光刻胶层8时的时间为60min;
为了在同一片硅片上得到不同大小的全金属微惯性系统器件,掩模板上设有若干个尺寸大小相同或不同的产品图案,如图4所示。
(3)在显露的Cr/Au金属层7表面电镀Ni/Cu金属层10,如图3(c)所示;
(4)打磨将Ni/Cu金属层10的厚度处理为1000um,如图3(d)所示;
(5)分离硅基板6,去除PMMA光刻胶层8和Cr/Au金属层7得到全金属微惯性系统器件,如图3(e)所示。
实施例2
一种全金属微惯性系统器件,厚度为100um,包括质量块3、与质量块3连接的弹簧2、连接于质量块3上的导向部4和与弹簧2连接的锚点1;该锚点1连接于带测量构件上,导向部5内设有放置弹簧的空腔5。
本实施例中全金属微惯性系统器件的加工方法,包括以下步骤:
(1)提供硅基板6,在硅基板6电镀一层Cr/Au金属层7,将厚度为1um的PMMA光刻胶层8覆盖到Cr/Au金属层7表面;
(2)将掩模板与硅基板6对准后,采用X射线照射PMMA光刻胶层8,显影得到光刻胶微结构9,并在光刻胶微结构9的缝隙中显露出Cr/Au金属层7;
其中,X射线的照射方法为用一个开普顿窗口获取X射线光束,然后X射线光束通过掩模板,照射PMMA光刻胶层8上曝光,将掩模板的图形转移至光刻胶上;X射线束的全长是1.58m,200μm厚的铍(Be)和50μm厚的开普顿(kapton)窗口(5mm×30mm)被用来作为过滤器以得到光子能量超过1.3kev的硬X射线;X射线照射PMMA光刻胶层8时的时间为5min;
为了在同一片硅片上得到不同大小的全金属微惯性系统器件,掩模板上设有若干个尺寸大小相同或不同的产品图案。
(3)在显露的Cr/Au金属层7表面电镀Ni/Cu金属层10;
(4)打磨将Ni/Cu金属层10的厚度处理为100um;
(5)分离硅基板6,去除PMMA光刻胶层8和Cr/Au金属层7得到全金属微惯性系统器件。
和现在制造的微机械构件通常所采用的刻蚀工艺及单一掩膜工艺相比,X射线曝光条件下所得构件的表面粗糙度小,构件厚度最高可达1mm,抗冲击能力强,并且仅通过改变掩模图形的尺寸、只需要通过一次X曝光就可在同一片硅片上得到不同大小的全金属微惯性系统器件,能够大批量生产,克服了现有技术耗时、成本高的缺点,可以一次性的得到大量的全金属微惯性系统器件,提供了一种灵活的制造方法,可以用作加速度传感器系统中。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本发明的实质内容。
Claims (10)
1.一种全金属微惯性系统器件的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供硅基板(6),在所述硅基板(6)电镀一层Cr/Au金属层(7),将PMMA光刻胶层(8)覆盖到所述Cr/Au金属层(7)表面;
将掩模板与硅基板(6)对准后,采用X射线照射所述PMMA光刻胶层(8),显影得到光刻胶微结构(9),并在所述光刻胶微结构(9)的缝隙中显露出Cr/Au金属层(7);
在显露的Cr/Au金属层(7)表面电镀Ni/Cu金属层(10);
打磨将所述Ni/Cu金属层(10)的厚度处理为100~1000um;
分离所述硅基板(6),去除PMMA光刻胶层(8)和Cr/Au金属层(7)得到所述全金属微惯性系统器件。
2.根据权利要求1所述的一种全金属微惯性系统器件的加工方法,其特征在于,所述X射线的光子能量大于1.3kev。
3.根据权利要求2所述的一种全金属微惯性系统器件的加工方法,其特征在于,所述X射线的照射方法为用一个开普顿窗口获取X射线光束,然后X射线光束通过掩模板,照射所述PMMA光刻胶层(8)上曝光,将掩模板的图形转移至光刻胶上。
4.根据权利要求3所述的一种全金属微惯性系统器件的加工方法,其特征在于,所述全金属微惯性系统器件的尺寸大于所述开普顿窗口的尺寸,对所述PMMA光刻胶层(8)进行移动光刻。
5.根据权利要求3所述的一种全金属微惯性系统器件的加工方法,其特征在于,所述开普顿窗口的尺寸为5*30mm。
6.根据权利要求4所述的一种全金属微惯性系统器件的加工方法,其特征在于,所述X射线照射PMMA光刻胶层(8)的时间为5min~60min。
7.根据权利要求1所述的一种全金属微惯性系统器件的加工方法,其特征在于,所述PMMA光刻胶层(8)的厚度为1um~1mm。
8.根据权利要求1所述的一种全金属微惯性系统器件的加工方法,其特征在于,所述掩模板上设有若干个尺寸大小相同或不同的产品图案。
9.一种采用权利要求1所述的加工方法得到的全金属微惯性器件,其特征在于,包括质量块(3)、与所述质量块(3)连接的弹簧(2)和与所述弹簧(2)连接的锚点(1);该锚点(1)连接于带测量构件上。
10.一种采用权利要求1所述的加工方法得到的全金属微惯性器件,其特征在于,还包括连接于质量块(3)上的导向部(4),该导向部(4)内设有放置所述弹簧(2)的空腔(5)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910959295.8A CN110806496A (zh) | 2019-10-10 | 2019-10-10 | 一种全金属微惯性系统器件及其加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910959295.8A CN110806496A (zh) | 2019-10-10 | 2019-10-10 | 一种全金属微惯性系统器件及其加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110806496A true CN110806496A (zh) | 2020-02-18 |
Family
ID=69488145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910959295.8A Pending CN110806496A (zh) | 2019-10-10 | 2019-10-10 | 一种全金属微惯性系统器件及其加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110806496A (zh) |
Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1606099A (zh) * | 2004-11-03 | 2005-04-13 | 浙江工业大学 | 一种x射线组合透镜的制作方法 |
CN1778505A (zh) * | 2004-11-19 | 2006-05-31 | 中国科学院高能物理研究所 | 电火花加工用的极长异形微细电极的制造方法 |
CN1987486A (zh) * | 2006-12-26 | 2007-06-27 | 清华大学 | 集成光栅干涉微机械加速度传感器及其制作方法 |
CN101759139A (zh) * | 2009-12-10 | 2010-06-30 | 江苏大学 | Mems微器件的表面改性处理方法及装置 |
CN201549441U (zh) * | 2009-11-20 | 2010-08-11 | 北京遥测技术研究所 | 一种无需供电的机械式加速度开关 |
CN102253238A (zh) * | 2011-04-07 | 2011-11-23 | 上海交通大学 | 静电悬浮六轴微加速度计及其制造方法 |
CN102290968A (zh) * | 2011-06-17 | 2011-12-21 | 北京大学 | 一种微发电机及其制备方法 |
CN102289015A (zh) * | 2011-09-21 | 2011-12-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作大高宽比x射线衍射光栅的方法 |
CN102466967A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种大高宽比衍射光学元件的制作方法 |
CN102608864A (zh) * | 2012-02-10 | 2012-07-25 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作纳米尺度大高宽比器件的方法 |
CN103518138A (zh) * | 2011-03-03 | 2014-01-15 | 电子微系统公司 | 一种惯性传感器的制造方法 |
CN103818873A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-05-28 | 合肥工业大学 | 一种大厚度、高深宽比的全金属沟道型微结构的加工方法 |
CN104555893A (zh) * | 2013-10-17 | 2015-04-29 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 在深沟槽中形成感应材料膜的方法 |
CN106033091A (zh) * | 2015-03-11 | 2016-10-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems加速度传感器及其制备方法、电子装置 |
US9714165B1 (en) * | 2014-07-14 | 2017-07-25 | Panasonic Corporation | MEMS sensor |
CN107015016A (zh) * | 2017-05-25 | 2017-08-04 | 东南大学 | 一种基于soi封装的六轴微惯性器件及其加工方法 |
WO2018120808A1 (zh) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 | 一种用于阻挡层的化学机械抛光液 |
CN109634062A (zh) * | 2018-07-18 | 2019-04-16 | 上海应用技术大学 | 基于整形x射线移动曝光的微台阶加工装置及方法 |
JP6504949B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-04-24 | 旭化成株式会社 | 改質アスファルト組成物及び改質アスファルト混合物 |
JP2019067197A (ja) * | 2017-10-02 | 2019-04-25 | 日本ユニシス株式会社 | 故障予兆検知手法 |
CN109920747A (zh) * | 2019-03-12 | 2019-06-21 | 上海应用技术大学 | 一种湿法刻蚀设备及光刻胶清洗显影装置 |
-
2019
- 2019-10-10 CN CN201910959295.8A patent/CN110806496A/zh active Pending
Patent Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1606099A (zh) * | 2004-11-03 | 2005-04-13 | 浙江工业大学 | 一种x射线组合透镜的制作方法 |
CN1778505A (zh) * | 2004-11-19 | 2006-05-31 | 中国科学院高能物理研究所 | 电火花加工用的极长异形微细电极的制造方法 |
CN1987486A (zh) * | 2006-12-26 | 2007-06-27 | 清华大学 | 集成光栅干涉微机械加速度传感器及其制作方法 |
CN201549441U (zh) * | 2009-11-20 | 2010-08-11 | 北京遥测技术研究所 | 一种无需供电的机械式加速度开关 |
CN101759139A (zh) * | 2009-12-10 | 2010-06-30 | 江苏大学 | Mems微器件的表面改性处理方法及装置 |
CN102466967A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种大高宽比衍射光学元件的制作方法 |
CN103518138A (zh) * | 2011-03-03 | 2014-01-15 | 电子微系统公司 | 一种惯性传感器的制造方法 |
CN102253238A (zh) * | 2011-04-07 | 2011-11-23 | 上海交通大学 | 静电悬浮六轴微加速度计及其制造方法 |
CN102290968A (zh) * | 2011-06-17 | 2011-12-21 | 北京大学 | 一种微发电机及其制备方法 |
CN102289015A (zh) * | 2011-09-21 | 2011-12-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作大高宽比x射线衍射光栅的方法 |
CN102608864A (zh) * | 2012-02-10 | 2012-07-25 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作纳米尺度大高宽比器件的方法 |
CN104555893A (zh) * | 2013-10-17 | 2015-04-29 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 在深沟槽中形成感应材料膜的方法 |
CN103818873A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-05-28 | 合肥工业大学 | 一种大厚度、高深宽比的全金属沟道型微结构的加工方法 |
US9714165B1 (en) * | 2014-07-14 | 2017-07-25 | Panasonic Corporation | MEMS sensor |
CN106033091A (zh) * | 2015-03-11 | 2016-10-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems加速度传感器及其制备方法、电子装置 |
JP6504949B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-04-24 | 旭化成株式会社 | 改質アスファルト組成物及び改質アスファルト混合物 |
WO2018120808A1 (zh) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 安集微电子科技(上海)股份有限公司 | 一种用于阻挡层的化学机械抛光液 |
CN107015016A (zh) * | 2017-05-25 | 2017-08-04 | 东南大学 | 一种基于soi封装的六轴微惯性器件及其加工方法 |
JP2019067197A (ja) * | 2017-10-02 | 2019-04-25 | 日本ユニシス株式会社 | 故障予兆検知手法 |
CN109634062A (zh) * | 2018-07-18 | 2019-04-16 | 上海应用技术大学 | 基于整形x射线移动曝光的微台阶加工装置及方法 |
CN109920747A (zh) * | 2019-03-12 | 2019-06-21 | 上海应用技术大学 | 一种湿法刻蚀设备及光刻胶清洗显影装置 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
L.T.ROMANKIW: "A path: from electroplating through lithographic masks in electronics to LIGA in MEMS", 《ELECTROCHIMICA ACTA》 * |
吴文渊等: "基于移动X射线光刻工艺的采血微针阵列的制备", 《微纳电子技术》 * |
徐开先 等: "《传感器实用技术》", 31 December 2016 * |
戴剑锋 等: "《工科物理简明教程》", 31 January 2012 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100880104B1 (ko) | 기판 상에 마이크로전자 스프링 구조체를 형성하는 방법 | |
US20030016116A1 (en) | Method of depositing a thin metallic film and related apparatus | |
DE102013217726A1 (de) | Mikromechanisches Bauteil für eine kapazitive Sensorvorrichtung und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil für eine kapazitive Sensorvorrichtung | |
DE102013201506A1 (de) | Optisches Bauelement | |
Du et al. | Fabrication of novel MEMS inertial switch with six layers on a metal substrate | |
JPH05263272A (ja) | 微小機械構造部材を製作する方法 | |
CN110806496A (zh) | 一种全金属微惯性系统器件及其加工方法 | |
CN103400750A (zh) | 一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法 | |
Qu et al. | UV-LIGA: a promising and low-cost variant for microsystem technology | |
DE10134858A1 (de) | Maßstabteil, Verfahren zur Herstellung desselben und Verschiebungs-Meßvorrichtung mit demselben | |
CN111352335B (zh) | 钟表构件的制造方法 | |
JPH0594937A (ja) | 微細構造体の形成方法 | |
JP4185830B2 (ja) | 近接場露光方法、近接場露光装置、および近接場露光マスク | |
RU151072U1 (ru) | Устройство формирования металлических наноразмерных объектов | |
EP1087445A1 (en) | Inertia force sensor and method for producing inertia force sensor | |
RU2350996C1 (ru) | Способ изготовления литографической маски для liga-технологии | |
Coane et al. | Fabrication of HARM structures by deep-X-ray lithography using graphite mask technology | |
Desta et al. | X-ray Mask for LIGA Microfabrication | |
JP4865686B2 (ja) | 加速度センサの製造方法および加速度センサ | |
JP2000137319A (ja) | マスクの作成方法ならびデバイス製造方法 | |
US6277539B1 (en) | Enhanced adhesion for LIGA microfabrication by using a buffer layer | |
KR100518083B1 (ko) | 리가 공정을 이용한 금속 구조물 제조방법 | |
Müller et al. | Influence of absorber stress on the precision of x‐ray masks | |
Nesterenko et al. | Influence of technological process for microelectromechanical sensors manufacturing on their technical characteristics | |
Cui et al. | Low cost fabrication of micromechanical systems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200218 |