RU151072U1 - Устройство формирования металлических наноразмерных объектов - Google Patents

Устройство формирования металлических наноразмерных объектов Download PDF

Info

Publication number
RU151072U1
RU151072U1 RU2013147948/28U RU2013147948U RU151072U1 RU 151072 U1 RU151072 U1 RU 151072U1 RU 2013147948/28 U RU2013147948/28 U RU 2013147948/28U RU 2013147948 U RU2013147948 U RU 2013147948U RU 151072 U1 RU151072 U1 RU 151072U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cantilever
metal
solid electrolyte
tip
electrolyte
Prior art date
Application number
RU2013147948/28U
Other languages
English (en)
Inventor
Михаил Александрович Юдаков
Юрий Петрович Волков
Алексей Олегович Мантуров
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Центр Инновацинных Технологий-НАНО"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Центр Инновацинных Технологий-НАНО" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Центр Инновацинных Технологий-НАНО"
Application granted granted Critical
Publication of RU151072U1 publication Critical patent/RU151072U1/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/003—3D structures, e.g. superposed patterned layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0004—Apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of nanostructural devices or systems or methods for manufacturing the same
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/006—Nanostructures, e.g. using aluminium anodic oxidation templates [AAO]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/024—Electroplating of selected surface areas using locally applied electromagnetic radiation, e.g. lasers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/026—Electroplating of selected surface areas using locally applied jets of electrolyte
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/04—Electroplating with moving electrodes
    • C25D5/06—Brush or pad plating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q80/00—Applications, other than SPM, of scanning-probe techniques

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

1. Устройство формирования металлических наноразмерных объектов, содержащее проводящий предметный столик и измерительную головку сканирующего зондового микроскопа, включающего кантилевер, источник электрического воздействия на систему кантилевер/образец виде электронного устройства управления током, пьезосканеры с компенсатором термодеформаций и температурных дрейфов, виброзащитное устройство, цифровую электронную систему управления головкой сканирующего зондового микроскопа, отличающееся тем, что острие кантилевера выполнено из твердого электролита, обеспечивающего перенос ионов металла.2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что кантилевер выполнен сменным.3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве твердого электролита выбран электролит с ионами серебра, например RbAgI.4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве твердого электролита выбран электролит с ионами кислорода или фтора.

Description

Полезная модель относится к области нанотехнологий и может быть использована для изготовления голографических оптических элементов, наноразмерных электромеханических приборов, СВЧ приемопередающих устройств, рентгеновских оптических структур, в разработке и изготовлении запоминающих сред и считывателей информации большой емкости и т.п.
Известен литографический процесс (негативный или позитивный), состоящий в нанесении на слой металла фоточувствительного материала, с последующей его засветкой через маску, удаление незасвеченного или засвеченного резиста (для негативного/позитивного процесса) и травление слоя металла незащищенного оставшимся резистом. Таким образом, возможно формирование металлических структур с размерностью до нескольких десятков нм имеющих вертикальные стенки (без учета явления подтравливания). В качестве излучения для засветки фоторезиста используется оптическое излучение (видимого или УФ диапазонов), рентгеновское излучение или пучки заряженных частиц (электроны, ионы) (см. например патенты РФ 2072644, Н05К 3/06, 2164707, 2164706, GO3F 7/00, а также CN 1776527, G03F 1/16).
К недостаткам относится высокая сложность и многоступенчатость процесса, необходимость изготовления специальных прецизионных масок с высоким разрешением, необходимость в сложном и дорогом специальном проекционном оборудовании (стоимость составляет сотни млн. долл.), ограничение на размеры получаемых структур (не менее 30 -50 нм), невозможность получения высоких металлических структур (отношение высоты к диаметру больше 5) и структур с невертикальными стенками.
Известен процесс LIGA {Lithographie, Galvanoformung, Abformung) с помощью которого возможно формирование высоких цилиндрических металлических структур. В данном процессе на металлическую подложку наносится толстый слой диэлектрика (например, лавсановая пленка) выполняющий роль фоторезиста. На поверхность диэлектрика помещается маска из металла, сквозь которую диэлектрик подвергается воздействию параллельного пучка жесткого излучения (гамма-лучи) вырабатываемого ускорителем или ядерным реактором. Диэлектрик, подвергшийся воздействию изменяет свои характеристики и может быть в дальнейшем удален посредством травления в специальных растворах. Таким образом, формируются отверстия в диэлектрической пленке повторяющие форму окон в маске. После этого проводящую подложку с диэлектрической пленкой помещают в гальваническую ванну и наращивают на подложке слой металла (например, никеля), который повторяет форму отверстий в диэлектрической пленке. Далее пленку полностью стравливают, обнажая сформированные металлические структуры. Достоинства - высокое разрешение и большая высота металлических структур (отношение высоты к диаметру более 10) (см. например патенты РФ 2350996, 2350995, G03F 7/00, а также ЕР 2182096, C25D 1/00).
Недостатки - необходимость использования уникального оборудования (ускорители, ядерные реакторы), что делает данную технологию недоступной для большинства лабораторий, необходимость изготовления специальных металлических масок высокого разрешения, невозможность создания структур с невертикальными стенками. Для упрощения процесса бала разработана модификация метода с использованием для облучения жесткого ультрафиолета. Достоинства - более широкая доступность, недостатки - кроме вышеописанных, более низкое разрешение (определяемое длиной волны и не превышающее 100 нм).
Известно ионное травление путем обработки поверхности сфокусированным ионным пучком, которое позволяет создавать произвольные металлические и диэлектрические структуры нанометрового размера в отсутствие специальных масок, при этом формирование структур осуществляют по программе под управлением компьютера.
Недостатки - высокая стоимость уникального оборудования, делающая его недоступным для большинства лабораторий.
Возможно формирование наноразмерных элементов с использованием туннельного микроскопа. С помощью туннельного тока протекающего между острием микроскопа и проводящей подложкой возможно осаждение металлов из металлоорганических газов, локальное окисление с последующим химическим травлением окисла (например для кремниевой поверхности), модификация специального фоторезиста с последующей его химической обработкой. Достоинством является простота и невысокая стоимость оборудования, возможность создания наноразмерных структур, возможность формирования элементов произвольной формы под управлением компьютера.
Недостатками являются невозможность формирования высоких элементов (высота не превышает нескольких нм) и необходимость использования неокисляющихся проводящих подложек (благороднее металлы, например, золото, платина) или работа в сверхвысоком вакууме.
Известен зондовый способ формирования наноэлементов, включающий получение на подложке проводящего слоя, размещение ее в камере, формирование вблизи подложки зон заряженных частиц, создание разности потенциалов между зондом и проводящим слоем, подведение зонда к проводящему слою, возникновение под воздействием электрического поля между зондом и проводящим слоем потока заряженных частиц и формирование на поверхности проводящего слоя наноэлементов, отличающийся тем, что подложку с проводящим слоем размещают в вакуумной камере и перед созданием разности потенциалов между зондом и проводящим слоем создают разрежение, после чего в области зонда над поверхностью подложки формируют плазму, а на зонд и проводящий слой подают потенциалы, управляя при этом процессом взаимодействия плазмы с зондом и проводящим слоем, после чего удаляют продукты реакции из области между зондом и проводящим слоем (см. заявку на изобретение РФ №2005135747, МПК В82В 3/00).
Недостатки - необходимость использования вакуумной камеры и специального откачного оборудования (вакуумные насосы), низкое разрешение не превышающее 100 нм, обусловленное медленным (по линейному закону) убыванием тока с увеличением расстояния от острия в плазменном разряде.
Сканирующий силовой микроскоп также позволяет создавать наноразмерные структуры путем нанофрезерования (процарапывания поверхности), нанесение чернил с помощью острия предварительно покрытого слоем чернил (с последующей химической обработкой поверхности), модификация фоторезиста с помощью электрического тока, проходящего через проводящее острие (с последующим травлением фоторезиста) (Handbook of nanotechnology. Springer, 2007, 950 c). Достоинства - доступность и невысокая стоимость оборудования, простота технологии формирования наноструктур, возможность программного задания формы и размеров создаваемых наноструктур, отсутствие необходимости создания специальных масок, высокое разрешение формируемых элементов (десятки нанометров).
Недостатки - невозможность формирования высоких металлических структур (высота не превышает единицы нм) и необходимость использования сложного технологического процесса состоящего из нескольких этапов для формирования наноструктур.
Наиболее близким к предлагаемому решению является способ и устройство формирования наноразмерных объектов, описанные в патенте РФ 2329945, МПК В82В 3/00. Способ формирования металлических наноразмерных объектов включает послойное нанесение металла на проводящую подложку по заданной программе путем воздействия импульсами тока между острием кантилевера сканирующего зондового микроскопа и подложкой,
Устройство формирования наноразмерных объектов содержит рабочую камеру, установленные в ней предметный столик и измерительную головку сканирующего зондового микроскопа, включающего кантилевер, источник электрического воздействия на систему кантилевер/образец, пьезосканеры с компенсатором термодеформаций и температурных дрейфов, виброзащитные устройства, цифровую электронную систему управления головкой сканирующего зондового микроскопа и аналого-цифровую систему обработки информации, источник электрического воздействия на систему кантилевер/образец выполнен в виде электронного устройства управления током как в моде постоянного тока, так и в импульсной токовой моде, включая моду с переменной полярностью, при этом устройство дополнительно снабжено электронной системой контроля амплитуды напряжения и его производной на протяжении всего процесса формирования объектов, системой независимой регулировки и стабилизации температуры образца и камеры, источниками реагентов и их испарителями, а также системой барботирования, контроля, регулировки и стабилизации влажности, системой эвакуации газовой среды из рабочего объема камеры, имеющей развязку с рабочей камерой по виброшумам, шибером и байпасной системой.
Недостатками являются низкое разрешение, не превышающее 100 нм, обусловленное медленным (по линейному закону) убыванием тока с увеличением расстояния от острия в разряде, необходимость в камере с контролируемой средой и температурой, использование специального оборудования для откачки и напуска газа, использование специальных и зачастую токсичных металлосодержащих газов, путем разложения которых формируются металлические наноструктуры.
Задача настоящего изобретения заключается в формировании металлических наноразмерных трехмерных структур (объектов) методом электролитического осаждения.
Технический результат заключается в упрощении конструкции при расширении функциональных возможностей - повышение разрешающей способности до нескольких нм, создание высоких металлических структур (отношение высоты к диаметру более 10), возможности создания структур не только с вертикальными стенками (возможны сужающиеся пирамидальные стенки). Возможно создание металлических наноструктур из различных металлов, а также химическая модификация поверхности (окисление, фторирование) создаваемых наноструктур.
Способ формирования металлических наноразмерных объектов (наноструктур) включает послойное нанесение металла на проводящую подложку по заданной программе путем воздействия импульсами тока между острием кантилевера сканирующего зондового микроскопа и подложкой, при этом согласно изобретению нанесение осуществляют методом электролитического осаждения металла из острия, выполненного из твердого электролита (суперионного проводника), обеспечивающего перенос ионов металла.
После формирования объекта, дополнительно осуществляют химическое модифицирование в заданных областях путем воздействия импульсами тока между острием кантилевера и подложкой, при этом острие кантелевера выполнено из твердого электролита, обеспечивающего перенос ионов газа.
Устройство формирования металлических наноразмерных объектов содержит проводящий предметный столик и измерительную головку сканирующего зондового микроскопа, включающего кантилевер, источник электрического воздействия на систему кантилевер/образец виде электронного устройства управления током, пьезосканеры с компенсатором термодеформаций и температурных дрейфов, виброзащитное устройство, цифровую электронную систему управления головкой сканирующего зондового микроскопа, при этом острие кантилевера, выполнено из твердого электролита, обеспечивающего перенос ионов металла. Кантилевер выполнен сменным.
В качестве твердого электролита для формирования наноразмерных объектов выбран электролит с ионами серебра, например, RbAg4I5.
В качестве твердого электролита для модификации выбран электролит с ионами кислорода или фтора.
Изобретения поясняются чертежом, на котором приведена блок схема предлагаемого устройства, где 1 - пьезосканер с компенсатором термодеформаций и температурных дрейфов, 2 - проводящий предметный столик, 3 - виброзашитное устройство, 4 - проводящий кантилевер, 5 - острие из твердого электролита, 6 - изготавливаемый образец, 7 - лазер, 8 - фотодетектор, 9 - источник электрического воздействия на систему кантилевер/образец, 10 - цифровая электронная система управления, 11 - компьютер.
Устройство содержит пьезосканер с компенсатором термодеформаций и температурных дрейфов 1, на одном конце которого закреплен проводящий предметный столик 2 с изготавливаемым образцом 6, а другой конец пьезосканера 1 установлен на виброзащитном устройстве 3. Сила прижатия проводящего кантилевера 4 с острием из твердого электролита 5 контролируется по величине прогиба кантилевера 4 с помощью оптической системы состоящей из лазера 7 и фото детектора 8. Цифровая электронная система управления 10 электрически подключена к пьезосканеру 1 и фотодетектору 8, а источник электрического воздействия на систему кантилевер/образец 9 подключается к кантилеверу 4 и проводящему предметному столику 2. Компьютер 11 соединенный с цифровой электронной системой управления 10 и источником электрического воздействия на систему кантилевер/образец 9 управляет процессом формирования образца 6.
Устройство работает следующим образом. Под управлением компьютера 11 цифровая электронная схема управления 10 перемещает с помощью пьезосканера 1 проводящий предметный столик 2 с образцом 9 относительно острия 5 в точку с программно заданными координатами для формирования на образце 9 наноразмерного металлического островка. При этом сила прижатия острия 5 к образцу 9 контролируется электронной схемой управления 10 по величине прогиба кантилевера 4 измеряемой с помощью оптической схемы состоящей из лазера 7 освещающего поверхность кантилевера 4 и двухквадрантного детектора 8, регистрирующего положение отраженного от поверхности кантилевера 4 луча. После установки острия 5 в точку на образце 5 с заданными программно координатами компьютер 11 формирует металлический островок на образце 5 путем подачи импульса напряжения на острие относительно проводящего столика 2 от источника электрического воздействия 9. При этом ионы металла проходя по острию из твердого электролита осаждаются на поверхности образца 9 в виде металлических островков. Таким образом, в заданных по программе местах острие твердого электролита формирует островки металла, размер которых определятся радиусом закругления острия 5, силой прижатия острия к наноструктуре (минимальный диаметр островков составляет 10 нм) и величиной и длительностью импульса тока протекающего через острие (может составлять единицы нм). После завершения формирования островков в первом слое устройство переходит к формированию островков второго слоя расположенных на поверхности островков первого слоя и т.д. таким образом, из осаждаемых металлических островков на поверхности образца 9 послойно формируются наноструктры заданной формы и размеров. С помощью данного устройства возможно формирование наноструктур как с вертикальными стенками, так и пирамидальной формы (сужающиеся по мере удаления от основания).
В зависимости от используемого материала острия (твердого электролита) производится осаждение различных металлов (например, для AgJ, RbAg4I5 - серебро, для RbCu4Cl3I2, CuBr - медь и др.). Используя кантилеверы с различными твердыми электролитами возможно формирование наноструктур из нескольких различных металлов. Возможна также химическая модификация (окисление, фторирование) поверхности созданной наноструктуры с помощью соответствующих твердых электролитов (например, (Bi2O3)0,8(SrO)0,2 - для окисления, Sr0,8La0,2F2,2 - для фторирования и др.), что приводит к формированию участков с различной проводимостью (диэлектрики, полупроводники).
Пример практической реализации.
В качестве устройства для формирования трехмерных металлических структур используется сканирующий силовой микроскоп (ССМ) например, подобный изготовленному авторами (Байбурин В.Б., Волков Ю.П., Коннов Н.П. Многофункциональный комплекс сканирующей зондовой микроскопии и его применение. Часть. 1 // Изд-во Саратовского государственного университета, 1998, - 122 с.) в состав которого входит цилиндрический пьезосканер (PAXY 0035 фирмы Physical Instruments Germany), на котором установлен проводящий столик из алюминия, полупроводниковый лазер (ML1016R фирмы Mitsubishi), фотодетектор (КДФМ-4-03, Россия), блок цифрового электронного управления собственного изготовления (В.Б. Байбурин, Семенов А.С., Ю.П. Волков Универсальный комплекс сканирующей зондовой микроскопии // Заводская лаборатория, 2000, №12, с. 17-23), управляющий компьютер (РСА6751, Advantech) виброзащитное устройство (Thorlabs USA). Проводящий кантилевер изготовлен из отрезка вольфрамовой проволоки диаметром 60 мкм и длиной 1 мм на котором прикреплено отражающее свет зеркало (стекло размерами 0,5×0,5 мм толщиной 0,1 мм покрытое Al с помощью напыления в вакууме), и к которому прикреплено проводящим серебросодержащим клеем (SilverPrint) острие из монокристалла твердого электролита RbAg4I5. Кристалл имеет длину 3 мм и диаметр 0,5 мм, причем диаметр уменьшается к его вершине до размеров 5-10 нм (оценка проведена по данным электронной микроскопии). В качестве источника электрического воздействия используется схема состоящая из цифроаналогового преобразователя управляемого компьютером и усилителя обеспечивающего ток через острие до 100 мА. При подаче на острие импульса тока длительностью 10 мс величиной 10 мА (плюс на острие) происходит осаждение островка серебра толщиной 10 нм.
Сканирующий силовой микроскоп работает в режиме постоянной силы, величина которой выбирается равной 10-6 Н. В качестве подложки используется слюда покрытая слоем металла (например, серебра толщиной 30-50 нм) на поверхности которого производится формирование наноструктур. Возможно также формирование наноструктур на поверхности кристалла проводника, например, пиролитического графита.

Claims (4)

1. Устройство формирования металлических наноразмерных объектов, содержащее проводящий предметный столик и измерительную головку сканирующего зондового микроскопа, включающего кантилевер, источник электрического воздействия на систему кантилевер/образец виде электронного устройства управления током, пьезосканеры с компенсатором термодеформаций и температурных дрейфов, виброзащитное устройство, цифровую электронную систему управления головкой сканирующего зондового микроскопа, отличающееся тем, что острие кантилевера выполнено из твердого электролита, обеспечивающего перенос ионов металла.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что кантилевер выполнен сменным.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве твердого электролита выбран электролит с ионами серебра, например RbAg4I5.
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в качестве твердого электролита выбран электролит с ионами кислорода или фтора.
Figure 00000001
RU2013147948/28U 2011-03-24 2011-03-24 Устройство формирования металлических наноразмерных объектов RU151072U1 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU2011/000181 WO2012128657A1 (ru) 2011-03-24 2011-03-24 Способ создания трехмерных нанометровых металлических структур и устройство для его осуществления

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU151072U1 true RU151072U1 (ru) 2015-03-20

Family

ID=46879586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013147948/28U RU151072U1 (ru) 2011-03-24 2011-03-24 Устройство формирования металлических наноразмерных объектов

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE212011100203U1 (ru)
RU (1) RU151072U1 (ru)
WO (1) WO2012128657A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3008717A1 (fr) * 2013-07-17 2015-01-23 Francois Forgues Dispositif permettant la synthese additive d'objets metalliques en 3 dimensions
FR3030581B1 (fr) * 2014-12-17 2018-11-30 Francois Forgues Dispositif permettant la synthese additive d'objets metalliques en 3 dimensions en haute resolution et avec plusieurs metaux
CN112359396A (zh) * 2020-10-23 2021-02-12 长春理工大学 声子光子复合作用下的电化学微增材制造装置及方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2022415C1 (ru) * 1992-06-05 1994-10-30 Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН Твердый фторпроводящий электролит
WO2000070325A1 (en) * 1999-05-13 2000-11-23 Japan Science And Technology Corporation Scanning tunneling microscope, its probe, processing method for the probe and production method for fine structure
JP2004167643A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Japan Science & Technology Agency 微細金属原子構造物の作製方法及び装置
US8721952B2 (en) 2004-11-16 2014-05-13 International Business Machines Corporation Pneumatic method and apparatus for nano imprint lithography having a conforming mask
RU2005135747A (ru) * 2005-11-18 2007-05-27 ЗАО "Нанотехнологи -МДТ" (RU) Зондовый способ формирования наноэлементов
RU2329945C1 (ru) * 2006-11-17 2008-07-27 ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" Устройство формирования наноразмерных объектов
EP2182096A1 (fr) 2008-10-28 2010-05-05 Nivarox-FAR S.A. Procédé LIGA hétérogène
RU2407090C1 (ru) * 2009-12-03 2010-12-20 Учреждение Российской академии наук Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра РАН (ИХТРЭМС КНЦ РАН) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТВЕРДОГО ИОННОГО ЭЛЕКТРОЛИТА RbAg4I5

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012128657A1 (ru) 2012-09-27
DE212011100203U1 (de) 2013-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Eckertova Physics of thin films
JP2021500702A (ja) 半導体計測用の液体金属回転式アノードｘ線源
RU151072U1 (ru) Устройство формирования металлических наноразмерных объектов
Dolgov et al. Extreme ultraviolet (EUV) source and ultra-high vacuum chamber for studying EUV-induced processes
US20140193585A1 (en) Method for Modifying Probe Tip
Davydov et al. Electrochemical local maskless micro/nanoscale deposition, dissolution, and oxidation of metals and semiconductors (a review)
Chizari et al. Current challenges and potential directions towards precision microscale additive manufacturing–Part III: Energy induced deposition and hybrid electrochemical processes
US7385209B2 (en) Micromachining process, system and product
Kornbluth et al. Microsputterer with integrated ion-drag focusing for additive manufacturing of thin, narrow conductive lines
Yoshioka et al. Micropillar fabrication based on local electrophoretic deposition using a scanning ion conductance microscope with a theta nanopipette
Albu Morphology and Growth of Titania Nanotubes: Nanostructuring and Applications
Rehbein et al. Fabrication and characterization of a condenser zone plate for compact x-ray microscopy
Kubo et al. Investigation of non-charging exposure conditions for insulating resist films in electron beam lithography
Chang et al. Parallel multi-step nanolithography by nanoscale Cu-covered h-PDMS tip array
Davidson et al. Novel route for the production of X-ray masks from a range of organometallic films
Jakhar Study of DC and Pulsed Corona Discharges in Gases, Vapors and Liquids for Phase-Change Heat Transfer Applications
Gol’denberg et al. Features of the manufacture of deep X-ray lithography masks in the siberian synchrotron and terahertz radiation center
Kostic et al. Electron beam lithography method for high-resolution nanofabrication
Lindén Merging electrohydrodynamic printing and electrochemistry: sub-micronscale 3D-printing of metals
Badita et al. SUBMICRONIC PATTERNS USING LITHOGRAPHIC TECHNOLOGIES FOR FUTURE APPLICATIONS IN THE FIELD OF SENSORS
Quamara et al. Seed-mediated Growth and Characterization of Palladium Nanocrystals on ITO Substrate
Abbondanza Ordered arrays of low-dimensional Au and Pd: synthesis and in situ observations
Petry et al. Preparation and characterization of novel nanometer-scale platinum electrodes
Fringes Transport and Assembly of Nanoparticles in a Tunable Nanofluidic Confinement
Mohammadi Humidity to electricity converter based on zirconia nanoparticles