CN110797445B - 一种双层石墨烯膜led电极材料及其制备方法 - Google Patents
一种双层石墨烯膜led电极材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110797445B CN110797445B CN201910937843.7A CN201910937843A CN110797445B CN 110797445 B CN110797445 B CN 110797445B CN 201910937843 A CN201910937843 A CN 201910937843A CN 110797445 B CN110797445 B CN 110797445B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene film
- double
- electrode material
- nitrogen
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 133
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 121
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 23
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- -1 iridium silver nitrogen Chemical compound 0.000 claims description 7
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H molybdenum;hexachloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Mo] PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 3
- DANYXEHCMQHDNX-UHFFFAOYSA-K trichloroiridium Chemical compound Cl[Ir](Cl)Cl DANYXEHCMQHDNX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 2
- XIELUSWGOAVQLB-UHFFFAOYSA-N [N].[Ag] Chemical compound [N].[Ag] XIELUSWGOAVQLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 7
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本文公开了一种双层石墨烯膜LED电极材料及其制备方法，包括在LED芯片表面覆盖双层石墨烯膜制得，所述的双层石墨烯膜为钼氮掺杂石墨烯膜/铱银氮掺杂石墨烯膜，所述的钼氮掺杂石墨烯膜中碳:钼:氮的摩尔比为(90～110):(0.6～1):(1～1.5)，所述的铱银氮掺杂石墨烯膜中碳:铱:银:氮的摩尔比为(90～110):(0.9～1.2):(0.6～1):(0.6～1)。本发明制备的双层石墨烯膜LED电极材料具有优良的导热特性、透光特性和导电特性，具有很好的透光特性，适合用于作为发光面的大面积电极，进一步增强了电流传导能力。制备方法过程简单安全、所用设备和原料价格低廉，适合产业化大规模制备。
Description
技术领域
本发明属于电子材料及其制备领域，具体涉及一种双层石墨烯膜LED电极材料及其制备方法。
背景技术
LED即半导体发光二极管，是利用固体半导体芯片通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射的光电器件，是当前半导体照明产业的技术基础。
LED的电极材料是决定LED性能的关键技术之一。首先，LED的散热是决定其光衰和寿命的核心因素，其次，由于LED需要从芯片向外进行光发射，为提高流明效率和外量子效率从而更加节能，要求电极的光透射率很高。最后，作为电极必须具有优良的电导率。对电极材料的核心要求是在具有良好导电基础上的高导热性、高透射率，制备满足上面三个条件、综合性能优良的材料是提高LED器件性能的一个核心关键问题。LED半导体发光二极管通常使用金属材料作为电极材料，但金属材料并不透明，影响了LED发光的外量子效率和器件流明效率。目前，LED电极主要通过用Ni/Au、Ti/Al等合金材料实现，由于合金材料没有透光能力，会影响LED芯片的发光效率及电流输运的均匀性，难以制作用于发光面的大面积电极。也有少量用ITO透明导电材料制作的LED电极，但ITO的热导率低，通常只有5-30W/mK，在用于发光面的大面积电极时会影响LED的散热性能。由于III族氮化物的掺杂受限于Mg受主的溶解度和空穴的较高启动能，热量特别容易产生，LED芯片向外散热需要经过大面积电极，如果大面积电极热导率不够，会导致器件产生严重的热效应，对器件的寿命和可靠性产生毁灭性的影响。
发明内容
针对现有制备技术的缺陷和不足，本发明提供一种双层石墨烯膜LED电极材料及其制备方法，解决现有电极材料散热性能差、光透射性能差和导电性能差的问题。
为解决上述问题，本发明采取的技术方案为：
一种双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，包括在LED芯片表面覆盖双层石墨烯膜制得，所述的双层石墨烯膜为钼氮掺杂石墨烯膜和铱银氮掺杂石墨烯膜，所述的钼氮掺杂石墨烯膜中碳:钼:氮的摩尔比为(90～110):(0.6～1):(1～1.5)，所述的铱银氮掺杂石墨烯膜中碳:铱:银:氮的摩尔比为(90～110):(0.9～1.2):(0.6～1):(0.6～1)。
进一步地，首先制备石墨烯膜，将石墨烯膜转移至所述的LED芯片上，然后将氯化钼溶液与碳酸氢铵溶液反应后的混合溶液涂覆在所述的石墨烯膜表面，依次进行辐射激活和等离子体处理，制得覆盖有钼氮掺杂石墨烯膜的LED芯片，所述的钼氮掺杂石墨烯膜中碳:钼:氮的摩尔比为100:0.8:1.2。
进一步地，将石墨烯膜转移至所述的覆盖有钼氮掺杂石墨烯膜的LED芯片上，将氯化铱溶液、硝酸银溶液和碳酸氢铵溶液反应后的混合溶液涂覆在所述的石墨烯膜表面，进行辐射激活，然后放入真空退火炉中退火，制得双层石墨烯膜LED电极材料所述的铱银氮掺杂石墨烯膜中碳:铱:银:氮的摩尔比为100:1.0:0.8:0.8。
进一步地，所述的制备石墨烯膜是将氢气、氩气、甲烷和氨气混合，通入真空管式炉升温至1100℃持续20min制得。
进一步地，所述的反应温度为95℃，反应时间为20min。
进一步地，所述的辐射激活是用紫外臭氧处理机中对待激活的石墨烯膜在254nm波长下照射激活48h。
进一步地，所述的等离子体处理是在10Pa氧气和20Pa氦气的环境中用等离子体表面处理仪处理为30min。
进一步地，所述的退火是将LED电极材料放入真空退火炉中，在10-4帕气压300℃下退火30min。
一种双层石墨烯膜LED电极材料，所述的双层石墨烯膜LED电极材料采用本发明所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法制得。
具体地，所述的双层石墨烯膜LED电极材料的室温热导率为350W/mK。
本发明相较于现有技术具有以下有益技术效果：
本发明制备的钼氮掺杂石墨烯膜/铱银氮掺杂石墨烯膜双层复合结构的LED电极方法过程简单安全、所用设备和原料价格低廉，适合产业化大规模制备。与常用的金属类电极相比，钼氮掺杂石墨烯膜/铱银氮掺杂石墨烯膜双层复合结构的LED电极是一种高质量的LED电极材料，具有优良的导热特性、透光特性和导电特性，这种材料尤其具有很好的透光特性，非常适合用于发光面的大面积电极，进一步增强了电流传导能力。
附图说明
图1是各实施例电极的透射光谱；
图2是各实施例电极的电流电压特性。
具体实施方式
本发明通过对石墨烯膜进行针对性掺杂、辐射激活和等离子体处理，制备出具有优秀综合特性的钼氮掺杂石墨烯膜/铱银氮掺杂石墨烯膜双层复合结构的石墨烯LED电极，实现具有高导电特性、高导热特性和优秀光透射率的LED电极材料。
制备方法包括在LED芯片表面覆盖双层石墨烯膜制得，所述的双层石墨烯膜为钼氮掺杂石墨烯膜和铱银氮掺杂石墨烯膜，所述的钼氮掺杂石墨烯膜中碳:钼:氮的摩尔比为(90～110):(0.6～1):(1～1.5)，所述的铱银氮掺杂石墨烯膜中碳:铱:银:氮的摩尔比为(90～110):(0.9～1.2):(0.6～1):(0.6～1)。
本发明中的试剂，如高分子材料PMMA(有机玻璃)的溶液，实验用仪器，均为市售可得。本实施例中，把PMMA溶液涂在石墨烯膜上待PMMA溶液干燥后就成为一层硬壳，可以为脆弱的石墨烯膜提供支撑作用，以免后续腐蚀掉铜箔时石墨烯膜没有依附，导致石墨烯膜破碎。
本发明中的“石墨烯膜的转移”是常规的转移方法，具体是指将半导体LED芯片(p区表面向上)浸入含石墨烯膜的硝基甲烷后向上抬起，从而将石墨烯膜转移到LED芯片上，此时的LED芯片上全部覆盖有石墨烯膜。
为了使本发明的目的及优点更加清楚明白，以下结合附图和实施例与对比例对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。因此，在权利要求书及其等同物的范围内，可以通过与以下具体描述不同的方式实施本发明。
实施例1：
遵从上述技术方案，本实施例给出双层石墨烯膜LED电极材料及其制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1：将纯度为99.8％的铜箔衬底放入真空管式炉，然后将15sccm的氢气、20sccm的氩气、80sccm的甲烷和3sccm的氨气混合，然后共同通入真空管式炉，将管式炉升温至1100℃持续20min，结束后取出生长在铜箔表面的石墨烯膜。
步骤2：将PMMA溶液旋涂到步骤1制备的生长在铜箔表面的石墨烯膜上，具体将石墨烯膜固定在甩胶机上，使甩胶机以1000r/min的速度自转，再将PMMA溶液滴在上述石墨烯膜上，利用自转离心力均匀涂抹PMMA到石墨烯膜上，然后将涂抹了PMMA的石墨烯膜放入氯化铁(浓度0.2g/ml)溶液中，直至铜箔溶解，最后将石墨烯膜再放入硝基甲烷中浸泡，浸泡30min。
步骤3：将半导体LED芯片(p区表面向上)浸入步骤2中的硝基甲烷后向上抬起，从而将石墨烯膜转移到LED芯片上。配制氯化钼溶液和碳酸氢铵溶液，控温在95℃下搅拌反应20min，将反应后的溶液用喷雾机涂覆于已转移到LED芯片上的石墨烯膜表面；然后在紫外臭氧处理机中对其进行48h的254nm辐射激活处理，得到覆盖有钼氮掺杂石墨烯膜的LED芯片，其中，碳:钼:氮的摩尔比为100:0.8:1.2；最后在10Pa氧气和20Pa氦气的环境中对钼氮掺杂石墨烯膜采用等离子体表面处理仪进行等离子体处理30min，实现对界面态的针对性处理。
步骤4：将经过步骤3处理的覆盖有钼氮掺杂石墨烯膜的LED芯片浸入步骤2中泡有石墨烯膜的硝基甲烷后向上抬起，再次将石墨烯膜转移到LED芯片上。配制氯化铱溶液、硝酸银溶液和碳酸氢铵溶液，控温在95℃下搅拌反应20min，将反应后的溶液用喷雾机涂覆于已转移到LED芯片上的石墨烯膜表面，然后在紫外臭氧处理机中对石墨烯膜进行48h的254nm辐射激活处理，得到铱银氮掺杂石墨烯膜，此时的铱银氮掺杂石墨烯膜覆盖在钼氮掺杂石墨烯膜上，其中，碳:铱:银:氮的摩尔比为100:1.0:0.8:0.8。
步骤5：将步骤4得到的LED电极材料整体放入真空退火炉中，在10-4帕气压300℃下退火30min，得到双层石墨烯膜LED电极材料，完成LED电极的制作。
实施例2(对比)：
制备方法与测试同实施例1，但是省略了步骤3，并且在步骤5中未加入钼氮掺杂石墨烯膜，最终制备出的电极为单层石墨烯而非双层石墨烯膜LED电极材料。从表1中可看出，其热导率为240W/mK，明显低于实施例1制备得到的双层石墨烯膜LED电极材料的热导率350W/mK。从图2可以看出，其电导率明显低于实施例1。
实施例3(对比)：
制备方法与测试同实施例1，但是省略了步骤4，并且在步骤5中未加入铱银氮掺杂石墨烯膜，最终制备出的电极为单层石墨烯而非双层石墨烯。从表1中可看出，其热导率为270W/mK，明显低于实施例1制备得到的双层石墨烯膜LED电极材料的热导率350W/mK。从图2可以看出，其电导率明显低于实施例1。
实施例4(对比)：
制备方法与测试同实施例1，但是在步骤3、4中未在紫外臭氧处理机中对石墨烯膜进行254nm辐射激活处理。从表1中可看出，其热导率为180W/mK，明显低于实施例1制备得到的双层石墨烯膜LED电极材料的热导率350W/mK。从图1可以看出，其透射率明显低于实施例1。说明紫外臭氧处理机中对石墨烯膜进行254nm辐射激活处理有利于消除石墨烯薄膜中的本征缺陷，提高光透射率。从图2可以看出，其电导率明显低于实施例1。说明紫外臭氧处理机中对石墨烯膜进行254nm辐射激活处理，有利于激活掺杂杂质离子，提高其有效电离率，提高导电特性。
实施例5(对比)：
制备方法与测试同实施例1，但是在步骤5中未进行等离子体处理。从表1中可看出，其热导率为250W/mK，明显低于实施例1制备得到的双层石墨烯膜LED电极材料的热导率350W/mK。从图1可以看出，其透射率明显低于实施例1。从图2可以看出，其电导率明显低于实施例1。说明等离子体处理有利于消除石墨烯薄膜的表面缺陷，降低载流子疏运过程中的散射损耗，提高导电特性。
表1
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，均属于本发明的保护之内。
Claims (8)
1.一种双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，包括在LED芯片表面覆盖双层石墨烯膜制得，所述的双层石墨烯膜为钼氮掺杂石墨烯膜/铱银氮掺杂石墨烯膜；
首先制备石墨烯膜，将石墨烯膜转移至所述的LED芯片上，然后将氯化钼溶液与碳酸氢铵溶液反应后的混合溶液涂覆在所述的石墨烯膜表面，依次进行辐射激活和等离子体处理，制得覆盖有钼氮掺杂石墨烯膜的LED芯片，所述的钼氮掺杂石墨烯膜中碳:钼:氮的摩尔比为100:0.8:1.2；
将第二层石墨烯膜转移至所述的覆盖有钼氮掺杂石墨烯膜的LED芯片上，将氯化铱溶液、硝酸银溶液和碳酸氢铵溶液反应后的混合溶液涂覆在所述的第二层石墨烯膜表面，进行辐射激活，然后放入真空退火炉中退火，制得双层石墨烯膜LED电极材料，所述的铱银氮掺杂石墨烯膜中碳:铱:银:氮的摩尔比为100:1.0:0.8:0.8。
2.如权利要求1所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，所述的制备石墨烯膜是将氢气、氩气、甲烷和氨气混合，通入真空管式炉升温至1100℃持续20min制得。
3.如权利要求1所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，所述的反应温度为95℃，反应时间为20min。
4.如权利要求1所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，所述的辐射激活是用紫外臭氧处理机中对待激活的石墨烯膜在254nm波长下照射激活48h。
5.如权利要求1所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，所述的等离子体处理是在10Pa氧气和20Pa氦气的环境中用等离子体表面处理仪处理为30min。
6.如权利要求1所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，所述的退火是将LED电极材料放入真空退火炉中，在10-4帕气压300℃下退火30min。
7.一种双层石墨烯膜LED电极材料，其特征在于，所述的双层石墨烯膜LED电极材料采用如上权利要求1至6任一权利要求所述的双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法制得。
8.如权利要求7所述的双层石墨烯膜LED电极材料，其特征在于，所述的双层石墨烯膜LED电极材料的室温热导率为350W/mK。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910937843.7A CN110797445B (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 一种双层石墨烯膜led电极材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910937843.7A CN110797445B (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 一种双层石墨烯膜led电极材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110797445A CN110797445A (zh) | 2020-02-14 |
| CN110797445B true CN110797445B (zh) | 2020-10-27 |
Family
ID=69439998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910937843.7A Active CN110797445B (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 一种双层石墨烯膜led电极材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110797445B (zh) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102306781A (zh) * | 2011-09-05 | 2012-01-04 | 中国科学院金属研究所 | 一种掺杂石墨烯电极材料及其宏量制备方法和应用 |
| TWI511356B (zh) * | 2012-11-21 | 2015-12-01 | Ind Tech Res Inst | 石墨烯電極、包含其之能量儲存裝置、及其製造方法 |
| CN103803539B (zh) * | 2014-02-17 | 2015-09-09 | 上海交通大学 | 一种氮掺杂氧化石墨烯材料及其制备方法 |
| CN105241571B (zh) * | 2015-09-21 | 2018-03-20 | 长安大学 | N和Mo用于提高氧化石墨烯温敏特性的方法 |
| CN107871868A (zh) * | 2016-09-26 | 2018-04-03 | 华为技术有限公司 | 一种石墨烯增强的一体化电极及其制备方法和电池 |
| CN107364933A (zh) * | 2017-07-18 | 2017-11-21 | 王林双 | 石墨烯复合电极的制备工艺以及石墨烯复合电极及其应用 |
| CN108133827B (zh) * | 2017-12-14 | 2020-02-14 | 三峡大学 | 一种二硫化钼和硫掺杂碳球复合电极的制备方法 |
| CN109748263A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-05-14 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种石墨烯及其制备方法和电极材料 |
-
2019
- 2019-09-30 CN CN201910937843.7A patent/CN110797445B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110797445A (zh) | 2020-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201212289A (en) | Graphene transparent electrode, graphene light emitting diode, and method of fabricating the graphene light emitting diode | |
| CN107331775B (zh) | 一种高质量电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法 | |
| CN108511616A (zh) | 一种钙钛矿膜层及钙钛矿发光二极管器件的制备方法 | |
| JP2019522367A (ja) | 酸化ニッケル薄膜及びその製造方法、機能性材料、薄膜構造体の作製方法およびエレクトロルミネセンス素子 | |
| CN106384769A (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN108417474B (zh) | 晶体硅热氧化工艺、系统及晶体硅太阳能电池热氧化工艺 | |
| CN101705475A (zh) | 在硅片基板上沉积光致发光氢化非晶碳化硅薄膜的方法 | |
| CN102881841A (zh) | 以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件 | |
| TW201218392A (en) | Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same | |
| CN102709399A (zh) | 一种高效纳米天线太阳能电池的制作方法 | |
| CN108767120A (zh) | 一种利用碳量子点制备钙钛矿薄膜的方法及太阳能电池 | |
| Pelicano et al. | Hierarchical core–shell heterostructure of H 2 O-oxidized ZnO nanorod@ Mg-doped ZnO nanoparticle for solar cell applications | |
| WO2019127765A1 (zh) | 稀土络合物掺杂二氧化硅微球溶液和改性太阳能电池的制备方法 | |
| CN106252516B (zh) | 一种平面倒置半透明有机/无机杂化钙钛矿太阳电池器件及制备方法 | |
| CN113782680B (zh) | 基于MXene纳米片优化的钙钛矿量子点光电探测器及其制备方法 | |
| CN110797445B (zh) | 一种双层石墨烯膜led电极材料及其制备方法 | |
| CN106653576A (zh) | 一种在电极表面快速生长图形化石墨烯的方法 | |
| CN106206982A (zh) | 一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法 | |
| CN109873048A (zh) | 一种透明紫外光电子器件的制造方法 | |
| CN111129310B (zh) | 一种引入辣椒素的钙钛矿薄膜制备方法 | |
| JP5733655B2 (ja) | シリコンナノ粒子／シリコンナノワイヤ複合材料、太陽電池、発光デバイス、及び製造法 | |
| CN106848078A (zh) | 一种氧化锌‑氧化镁核壳量子点发光二极管的制备方法 | |
| CN100446290C (zh) | 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管及制备方法 | |
| WO2023115808A1 (zh) | 一种太阳能电池退火方法及退火设备 | |
| CN102220568A (zh) | 一种含硅纳米粒子的氮化硅薄膜制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |